JP5433946B2 - 半導体装置の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
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Description
上記の点を鑑みて、本発明者は、液管理の容易なスラリを用いて平坦性のよい配線の形成が可能な半導体装置の製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする。
一般にCuのCMPのメカニズムは、Cu表面を酸化剤で酸化し、形成した酸化物を有機酸(錯化剤)などでエッチングするケミカル要素と、砥粒などで物理的に擦りとるメカニカル要素とからなる。したがって、CuのCMPでは、Cuの酸化がポイントとなる。
なお、Cuの酸化状態を観察するためには、有機酸成分が多量に含まれると、スラリ中でCu酸化物が完全に溶解してしまうため、各スラリは酸化剤と少量の有機酸のみの構成のものを使用した。具体的には、酸化剤濃度は6.0wt%、有機酸はクエン酸を用い、0.1wt%とした。
また、図2は、各種スラリでCu表面を酸化させた場合のXPS分析結果を示す図である。
たとえば、以下材料があげられる。
単糖では、ヘプトース(七炭糖)として、セドヘプツロースまたはコリオースなど、ヘキソース(六炭糖)として、アロース、タロース、グロース、グルコース(ブドウ糖)、アルトロース、ガラクトース、イドース、フルクロース(果糖)、マンノース、プシコース、ソルボースまたはタガトースなど、ペントース(五炭糖)として、リボース、リキソース、キシロース、アラビノース、アビオース、リブロースまたはキシルロースなど、テトロース(四炭糖)として、エイリトロース、トレオースまたはエリトルロースなど、トリオース(三炭糖)として、グリセルアルデヒドまたはジヒドロキシアセトンなどを用いることが可能である。
オリゴ糖ではフルクトオリゴ糖など、デオキシ糖ではラムノースなど、ウロン酸ではグルクロン酸など、アミノ糖ではグルコサミンなどを用いることが可能である。
以下、還元剤種としてマンニトールを用いた場合の、Cu膜の酸化反応の変化を示す。
図3は、評価スラリ中のCu膜の浸漬電位を測定する様子を示す図である。
評価スラリ14は、APSスラリ、H2O2スラリ、マンニトールを添加したH2O2スラリの3種である。各酸化剤の濃度は6.0wt%とし、有機酸には3.0wt%のクエン酸を用いた。
横軸はpH、縦軸はCuの溶解レート(nm/min)である。この図から、スループットに影響する研磨速度を考慮した場合、H2O2スラリをpH=9以上とした場合には、Cuの溶解レートが、ほぼ0であり使用に不向きである。そのため、より酸性側のほうが好ましい。
横軸はpH、縦軸は電位(V vs SHE)である。
次に、マンニトールを添加したH2O2スラリで酸化させたCu膜13の酸化状態をXPSで測定した。
横軸が結合エネルギー(eV)であり、縦軸が正規化した強度である。なお、XPSにより酸化状態を分析する試料を作成する場合、有機酸であるクエン酸が多いと、酸化したCuが全て溶解してしまうため、H2O2スラリには、有機酸を0.1wt%程度にとどめたものを用いた。
図7は、H2O2スラリ、APSスラリ及びマンニトールを添加したH2O2スラリによるCuのエッチングレートの経時変化を示す図である。
図のように、マンニトールを添加したH2O2スラリはAPSスラリよりは劣化が少ない。しかしながら、マンニトール未添加のH2O2スラリよりは劣化する。そのため、マンニトールの添加は、H2O2スラリを使用する直前であることが好ましい。
CMP装置は、ウェハ20を配置するパッド21、ウェハ20をパッドに押し付ける加圧機構22などを有している。さらにスラリ供給系統として、H2O2スラリが入ったスラリタンク30と、H2O2スラリをパッド21上に供給するための配管31及びノズル32と、マンニトールなどの還元剤種を格納する供給器33と、還元剤種をパッド21上に供給するための配管34及びノズル35とを有している。また、H2O2スラリや還元剤種の供給をコントロールするバルブV1,V2,V3,V4を有している。バルブV1〜V4の開閉は、図示しないコンピュータのプログラムによって制御されている。
なお、上記のように研磨開始からバルブV3,V4を開いて、H2O2スラリに還元剤種を添加してもよいが、コンピュータ制御により研磨の途中でバルブV3,V4を開いてH2O2スラリに還元剤種を添加するようにしてもよい。前述のように、H2O2スラリを用いた場合では、250nm/min、マンニトールを添加したH2O2スラリを用いた場合では、190nm/minとなり、エッチングレートが低下するので、始めは、還元剤種を添加しないで研磨を行い、Cu残膜が少なくなったころから、還元剤種を添加することで、平坦化とともに、研磨時間の短縮化を図ることもできる。たとえば、Cu膜が1μm程度ある場合には、残膜が200nmになるあたりから還元剤種を添加すればよい。
図9は、還元剤種をCMP処理の直前に供給可能な供給系統を備えたCMP装置の他の構成を示す図である。
次に、上記のようにして還元剤種を添加したH2O2スラリを用いた本実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する。
まず、図10(A)のように、シリコン(Si)からなる半導体基板50の表層部に、STI(Shallow Trench Isolation)構造の素子分離絶縁膜51を形成し、活性領域を画定する。この活性領域内に、MOSトランジスタ52を形成する。MOSトランジスタ52は、ソース領域52a、ドレイン領域52b、ゲート絶縁膜52c、ゲート電極52d、側壁絶縁膜52eを含んで構成される。
その後、保護膜54の上に、低誘電率絶縁材料からなる層間絶縁膜57を形成する。そして、層間絶縁膜57に、その底面まで達し、導電プラグ56の上方を通過する配線溝を形成し、その配線溝にバリアメタル58を形成した後、第1層目の配線59を充填する。配線59は、CuあるいはCu合金からなり、導電プラグ56に接続される。
その後、CMPを行う。本実施の形態の半導体装置の製造方法では、前述したように、図8または図9に示したようなCMP装置を用いて、研磨を行う直前または、研磨の途中からH2O2スラリに還元剤種として、たとえば、マンニトールを添加する。
以下に、その例として、H2O2スラリにグルコースを添加した場合の、Cuの酸化状態をXPSで分析した結果を示す。H2O2スラリの酸化剤の濃度は6.0wt%、pH=4、有機酸は0.1wt%、グルコースは0.1wt%とした。
横軸が結合エネルギー(eV)であり、縦軸が正規化した強度である。
前記還元剤種が添加された前記スラリを供給し、配線材料のCuの一部をCu2Oに酸化させた環境下で化学的機械研磨を行い、前記配線材料を含む配線を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記4) 前記還元剤種は、水溶性のアルデヒド基またはケトン基をもつ有機化合物、あるいは前記有機化合物の還元体であることを特徴とする付記1乃至3に記載の半導体装置の製造方法。
(付記6) 過酸化水素を含んだスラリを貯蔵する貯蔵槽と、
前記貯蔵槽から研磨対象ウェハを配置するパッド上に前記スラリを供給する第1供給経路と、
前記スラリに添加する還元剤種を格納する格納部と、
前記還元剤種が前記パッド上で前記スラリに添加するように、前記格納部から前記還元剤種を供給する第2供給経路と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
前記スラリに添加する還元剤種を格納する格納部と、
前記貯蔵槽及び前記格納部と接続され、前記スラリと前記還元剤種とを調合する調合部と、
前記調合部から研磨対象ウェハを配置するパッド上に前記還元剤種を添加した前記スラリを供給する供給経路と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
(付記9) 前記供給経路及び前記他の供給経路はバルブを有し、前記バルブの開閉により、前記還元剤種を添加した前記スラリまたは前記還元剤種が未添加の前記スラリの一方を選択して供給することを特徴とする付記8記載の半導体装置の製造装置。
11 SiO2膜
12 Ta膜
13 Cu膜
14 評価スラリ
15 ポテンショガルバノスタット
16,17 電極
18 参照電極
Claims (6)
- 配線材料に対する化学的機械研磨を行う前に、過酸化水素を含んだスラリに還元剤種を添加する工程と、
前記還元剤種が添加された前記スラリにより、前記還元剤種が添加された前記スラリ中での前記配線材料のCuの浸漬電位をCu2Oが生成される電位に引き下げることで、前記配線材料のCuの一部をCu2Oに酸化させた状態で前記化学的機械研磨を開始し、前記配線材料を含む配線を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記還元剤種の添加量が、前記スラリ中でのCuの浸漬電位をCu2Oが生成される電位に引き下げるような添加量であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記還元剤種の添加を、Cuの研磨直前で行うことを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記還元剤種は、水溶性のアルデヒド基またはケトン基をもつ有機化合物、あるいは前記有機化合物の還元体であることを特徴とする請求項1乃至3に記載の半導体装置の製造方法。
- 過酸化水素を含んだスラリを貯蔵する貯蔵槽と、
前記貯蔵槽から研磨対象ウェハを配置するパッド上に前記スラリを供給する第1供給経路と、
前記スラリに添加する還元剤種を格納し、前記パッド上に供給する前記還元剤種の濃度を、前記還元剤種が添加された前記スラリ中での前記研磨対象ウェハに含まれるCuの浸漬電位をCu2Oが生成される電位に引き下げるように調整する供給部と、
前記研磨対象ウェハの研磨前に、前記還元剤種が前記パッド上で前記スラリに添加するように、前記供給部から前記還元剤種を供給する第2供給経路と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 過酸化水素を含んだスラリを貯蔵する貯蔵槽と、
前記スラリに添加する還元剤種を格納する格納部と、
前記貯蔵槽及び前記格納部と接続され、前記スラリと前記還元剤種とを、前記還元剤種が添加された前記スラリ中での研磨対象ウェハに含まれるCuの浸漬電位をCu2Oが生成される電位に引き下げるような組成比で調合する調合部と、
前記研磨対象ウェハの研磨前に、前記調合部から前記研磨対象ウェハを配置するパッド上に前記還元剤種を添加した前記スラリを供給する供給経路と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
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