JP5427899B2 - パルス状レーザ微小堆積パターン形成 - Google Patents
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Description
この出願は、2008年10月20に出願され、「薄膜の製造方法」と称する米国特許出願第12/254076号に関連し、ここで参照によりその全体を組み込むものとする。
この方法は、媒体を介してパルス状レーザビームを伝送し、媒体及びターゲットに対してレーザビームを走査し、レーザビーム走査速度及び走査線密度の少なくとも一つを変化させて厚さを制御することを含み、
パターンの少なくとも一部は、直接隣接する周辺部より低い厚さの中央部を有する一次元厚さ輪郭によって特徴付けられ、周辺部の厚さは制御されて光学密度を変化させる。
供給装置は、ビーム偏向器、及び走査レンズを含むフォーカシング副装置を含む。
Claims (39)
- 媒体上にパターンを作成するパルス状レーザ堆積方法であって、前記媒体は、前記パルス状レーザの波長において実質的に透明であり、
パルス状レーザソースからパルス状レーザビームを生成するステップと、
前記媒体を介して前記パルス状レーザを伝送するステップと、
前記パルス状レーザビームをターゲットに集光し、前記ターゲットは、前記パルス状ビーム及び前記ターゲットの相互作用に応じて放出体を生成するステップと、
前記レーザビームを前記媒体及びターゲットに対して走査するステップと、
前記媒体上に前記放出体の少なくとも一部を累積し、前記媒体上に材料堆積を形成するステップと、
前記レーザビームの走査速度及び走査線密度の少なくとも一つを変化させ、前記材料堆積の厚さを制御し、前記媒体の領域の光学密度を変化させ、光学密度が変化する空間パターンを形成するステップと、
を含み、前記走査速度又は前記走査線密度は、印刷されるパターンのグレイスケールにしたがい変化し、該グレイスケールは、前記パターンのデジタル画像における少なくとも3グレイレベルを含むことを特徴とする方法。 - 前記パターンの少なくとも一部は、一次元厚さ輪郭が、直接隣接する周辺部よりも低い厚さの中央部を有し、前記周辺部の厚さは前記光学密度が変化するように制御されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記パルス状レーザソースは、100kHzから1GHzの繰り返し率を有する請求項1記載の方法。
- 前記レーザパルスは、10フェムト秒から100ナノ秒の範囲にあるパルス持続期間を有する請求項1記載の方法。
- レーザパルスエネルギーは、100ナノジュールから100マイクロジュールの範囲にある請求項1記載の方法。
- 前記媒体は、ガラス、水晶、サファイア、又はポリマーを含む請求項1記載の方法。
- 前記ターゲットは、金属を含む請求項1記載の方法。
- 前記金属は、鋼鉄、アルミニウム、銅、金、銀、又は白金を含む請求項7記載の方法。
- 前記ターゲットは、非金属を含む請求項1記載の方法。
- 前記非金属は、炭素、ケイ素、又はポリマーを含む請求項9記載の方法。
- 前記ターゲットは、光を放出する機能材料を含み、前記機能は、蛍光発光又はエレクトロルミネッセンスの一つ以上を含む請求項1記載の方法。
- 前記ターゲットは、カラー印刷に用いる材料を含む請求項1記載の方法。
- 前記ターゲットは、ターゲット材料から作られた構造を含む請求項1記載の方法。
- 前記ターゲット材料は、金属である請求項13記載の方法。
- 前記金属は、貴金属を含む請求項14記載の方法。
- 前記ターゲット材料は、誘電体を含む請求項13記載の方法。
- 前記誘電体は、無機物及び金属酸化物の少なくとも一つを含む請求項16記載の方法。
- 前記走査速度は、1mm/秒から1m/秒の範囲にあり、物質の累積した堆積を生成するために利用される請求項1記載の方法。
- 前記走査線密度は、ミリメータ当たり1から100本の範囲にある請求項1記載の方法。
- 前記媒体は、前記ターゲットに接し、又は前記ターゲットから最大5ミリメートルの距離において設置される請求項1記載の方法。
- 前記ターゲットは、前記レーザの波長より大きい粗さの表面を有する請求項1記載の方法。
- 前記パターンは、ビットマップ画像を含む請求項1記載の方法。
- 前記パターンは、ベクターグラフィックを含む請求項1記載の方法。
- 識別できる特徴を有するグレイスケール画像は、前記パターンの周囲の又は制御された照明を用いて取得することができる請求項1記載の方法。
- 前記媒体は、前記ソース及び前記ターゲット間に設置され、前記放出体は、前記レーザ方向とは逆向きに伝播する請求項1記載の方法。
- 前記制御は、前記パルス状ビームを走査し、前記走査速度を変化させることを含む請求項1記載の方法。
- 前記制御は、前記パルス状ビームを走査し、前記パルス状ビーム走査の線密度を変化させることを含む請求項1記載の方法。
- 前記媒体は、前記ターゲットに対して、前記パターンの空間解像度を制御するように設置される請求項1記載の方法。
- 前記制御は、前記パルス状ビームを前記ターゲットにわたるラスタ又はベクタパターンの一つ以上によって制御することを含む請求項1記載の方法。
- 少なくとも一つのパルス幅は、100fsから10psの範囲にある請求項1記載の方法。
- 媒体上に光学密度を有するパターンを作成するパルス状レーザ堆積に用いる装置であって、前記媒体は前記パルス状レーザの波長において実質的に透明であり、前記装置は、
パルス状レーザビームを生成する高繰り返し率レーザソースと、
前記パルス状レーザビームを前記媒体を介して前記パルス状レーザを伝送して、ターゲットにフォーカスさせるフォーカシング副装置を含み、前記ターゲットは、前記パルス状レーザ及び前記ターゲットの相互作用に応じて放出体を生成し、前記放出体の少なくとも一部は、前記媒体上に累積し、前記媒体上に材料堆積を形成する、ビーム供給装置と、
前記材料堆積の厚さを制御するために前記ソース及び前記ビーム供給装置に接続され、前記レーザビームを前記媒体及びターゲットに対して走査し、前記レーザビームの走査速度及び走査線密度の少なくとも一つを変化させ、前記厚さを変化させ、前記媒体の領域の光学密度を変化させ、変化する光学密度を有する空間パターンを形成するコントローラと
を含み、前記走査速度又は前記走査線密度は、印刷されるパターンのグレイスケールにしたがい変化し、該グレイスケールは、前記パターンのデジタル画像における少なくとも3グレイレベルを含むことを特徴とする装置。 - 前記供給装置は、ビーム偏向器を含み、前記フォーカシング副装置は走査レンズを含む請求項31記載の装置。
- 前記媒体及び前記ターゲットは、分離を提供するギャップによって隔てられ、前記ギャップは、大気、流れる乾燥空気又は不活性ガスを含むように構成された請求項31記載の装置。
- 表面にパターンが形成された媒体であって、前記パターンは請求項1のパルス状レーザ堆積方法によって形成された媒体。
- 媒体上にパターンを形成するパルス状レーザ堆積方法であって、前記媒体は、前記パルス状レーザの波長において実質的に透明であって、前記方法は、
パルス状レーザソースからパルス状レーザビームを生成するステップと、
前記媒体を介して前記パルス状レーザを伝送するステップと、
前記パルス状レーザビームをターゲットにフォーカスし、前記ターゲットは、前記パルス状ビーム及び前記ターゲットの相互作用に応じて放出体を生成するステップと、
前記レーザビームを前記媒体及びターゲットに対して走査するステップと、
前記放出体の少なくとも一部を前記媒体上に累積して前記媒体上に材料堆積を形成し、前記堆積は、刺激に応じて放射を発するように動作可能な機能材料を含むステップと、
前記レーザビームの走査速度及び走査線密度の少なくとも一つを変化させ、前記材料堆積の厚さを制御して前記材料堆積の光学性質を変化させ、光学密度が変化する空間パターンを形成するステップと
を含み、前記走査速度又は前記走査線密度は、印刷されるパターンのグレイスケールにしたがい変化し、該グレイスケールは、前記パターンのデジタル画像における少なくとも3グレイレベルを含むことを特徴とする方法。 - 前記機能材料の光学性質は、リン光、エレクトロルミネッセンス、及び視覚色彩効果のための選択的光吸収及び放出を含む請求項35記載の方法。
- 前記刺激は、入力放射を含む請求項35記載の方法。
- 前記相互作用が発生させた高温及び高圧によって、前記ターゲットから前記走査の方向の横方向に前記放出体を放出し、前記レーザビームの経路の周辺に前記放出体の堆積を集中させ、薄い厚さの中心部の周りを囲む厚い輪郭部分を構成するように前記材料堆積のパターンを形成し、
前記媒体と前記ターゲットとはギャップを介して隔てられ、又は前記媒体が前記ターゲットに直接触れるように設置され、前記材料堆積の厚さが前記走査速度の変化に加え前記レーザビームの繰り返し率の変化によって制御されることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記相互作用が発生させた高温及び高圧によって、前記ターゲットから前記走査の方向の横方向に前記放出体を放出し、前記レーザビームの経路の周辺に前記放出体の堆積を集中させ、薄い厚さの中心部の周りを囲む厚い輪郭部分を構成するように前記材料堆積のパターンを形成し、
前記媒体と前記ターゲットとはギャップを介して隔てられ、又は前記媒体が前記ターゲットに直接触れるように設置され、前記材料堆積の厚さが前記走査速度の変化に加え前記レーザビームの繰り返し率の変化によって制御されることを特徴とする請求項31に記載の装置。
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JP2016501723A (ja) * | 2012-10-23 | 2016-01-21 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | 超疎水性表面を作成するパルスレーザ加工方法 |
EP2731126A1 (en) | 2012-11-09 | 2014-05-14 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method for bonding bare chip dies |
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CN103949779A (zh) * | 2014-05-12 | 2014-07-30 | 深圳晶蓝地光电科技有限公司 | 一种高效率的蓝宝石片切割工艺 |
CN104441659B (zh) * | 2014-11-27 | 2016-03-09 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种脉冲激光烧蚀聚合物冲量产生装置及方法 |
EP3313606B1 (en) * | 2015-06-24 | 2020-03-25 | University Of Dundee | Method of reducing photoelectron yield and/or secondary electron yield using laser beam radiation |
JP6921057B2 (ja) * | 2015-09-09 | 2021-08-18 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | レーザ処理装置、ワークピースをレーザ処理する方法及び関連する構成 |
JP6555048B2 (ja) * | 2015-09-24 | 2019-08-07 | ブラザー工業株式会社 | レーザ加工データ作成装置とその制御プログラム及びレーザ加工データの作成方法 |
US20170189992A1 (en) * | 2015-12-31 | 2017-07-06 | Nlight, Inc. | Black sub-anodized marking using picosecond bursts |
US10316403B2 (en) * | 2016-02-17 | 2019-06-11 | Dillard University | Method for open-air pulsed laser deposition |
EP3485507B1 (en) * | 2016-03-23 | 2021-03-03 | Unisa | Femtosecond laser based method for fabrication of micro- and nano-constriction type structures on a yba2-cu3o7-x superconducting thin film |
CN105921887B (zh) * | 2016-05-25 | 2019-04-02 | 青岛自贸激光科技有限公司 | 一种基于超快激光制造三维结构电池的装置和方法 |
WO2018094504A1 (en) * | 2016-11-23 | 2018-05-31 | Institut National De La Recherche Scientifique | Method and system of laser-driven impact acceleration |
FR3063929B1 (fr) * | 2017-03-15 | 2019-03-22 | Poietis | Equipement pour le transfert de bio-encre |
TW201901887A (zh) | 2017-05-24 | 2019-01-01 | 以色列商奧寶科技股份有限公司 | 於未事先圖樣化基板上電器互連電路元件 |
US10676814B2 (en) * | 2017-09-28 | 2020-06-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | System and method for controlling the elemental composition of films produced by pulsed laser deposition |
CN107570876A (zh) * | 2017-10-16 | 2018-01-12 | 江南大学 | 一种激光诱导koh化学反应刻蚀和切割蓝宝石的加工方法 |
EP3521483A1 (en) * | 2018-02-06 | 2019-08-07 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Lift deposition apparatus and method |
CN109079348A (zh) * | 2018-09-10 | 2018-12-25 | 杭州银湖激光科技有限公司 | 一种超快绿光激光透明材料的加工方法及装置 |
EP3898058A4 (en) | 2018-12-19 | 2022-08-17 | Seurat Technologies, Inc. | ADDITIONAL MANUFACTURING SYSTEM USING A PULSE MODULATED LASER FOR TWO-DIMENSIONAL PRINTING |
JP2022533908A (ja) * | 2019-04-16 | 2022-07-27 | アペラム | 物質表面に虹色視覚効果を生じさせる方法、その方法を実行するためのデバイス、それにより得られた部品 |
CN113767451B (zh) | 2019-05-07 | 2025-06-20 | 奥宝科技有限公司 | 使用薄施体箔的lift印刷 |
FR3096929B1 (fr) | 2019-06-06 | 2021-09-03 | Schott Vtf | Méthode de réalisation d’un panneau décoratif |
US20210035767A1 (en) * | 2019-07-29 | 2021-02-04 | Applied Materials, Inc. | Methods for repairing a recess of a chamber component |
CN110449734B (zh) * | 2019-08-23 | 2022-01-04 | 大连理工大学 | 一种气体保护下激光诱导反向转移制备导电图案的方法 |
CN112105143A (zh) * | 2020-10-15 | 2020-12-18 | 河南博美通电子科技有限公司 | 一种铝箔代替高分子柔性膜的柔性电路板结构及制备工艺 |
CN112372144A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-02-19 | 江苏大学 | 一种激光透明材料镀层/刻蚀的方法及装置 |
CN112916873B (zh) * | 2021-01-26 | 2022-01-28 | 上海交通大学 | 基于脉冲激光驱动的微滴三维打印系统及方法 |
CN113099620A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-09 | 华南理工大学 | 一种利用激光等离子体溅射在玻璃上制备金属电路的方法 |
CN115519237B (zh) * | 2021-06-25 | 2024-07-26 | 斯坦德科创医药科技(青岛)有限公司 | 采用纳秒激光器在模制瓶上加工微孔的方法及系统 |
CN114289884B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-05-05 | 华侨大学 | 利用双金属合金靶材激光诱导等离子体加工装置及方法 |
CN114083139B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-05-05 | 华侨大学 | 激光诱导活性离子刻蚀金刚石的加工装置及加工方法 |
CN217544631U (zh) * | 2022-03-01 | 2022-10-04 | 浙江隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种光伏组件及条码打码机构 |
KR102786474B1 (ko) * | 2022-03-31 | 2025-03-27 | 참엔지니어링(주) | 노즐형 증착장치 |
CN115181942B (zh) * | 2022-07-19 | 2024-04-02 | 重庆华谱科学仪器有限公司 | 一种等离子光栅脉冲激光沉积镀膜方法 |
CN115229344A (zh) * | 2022-09-22 | 2022-10-25 | 国科大杭州高等研究院 | 一种pet塑料瓶高速激光打印系统及方法 |
US12187063B2 (en) | 2023-03-30 | 2025-01-07 | The Procter & Gamble Company | Sheet materials and articles comprising TiO2 and laser marking |
US12337415B2 (en) * | 2023-05-31 | 2025-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for laser texturing a component |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4701592A (en) * | 1980-11-17 | 1987-10-20 | Rockwell International Corporation | Laser assisted deposition and annealing |
US4752455A (en) * | 1986-05-27 | 1988-06-21 | Kms Fusion, Inc. | Pulsed laser microfabrication |
US4987006A (en) * | 1990-03-26 | 1991-01-22 | Amp Incorporated | Laser transfer deposition |
JPH03289133A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-19 | Hitachi Ltd | 集束ビームアシストデポジション装置 |
US5426092A (en) * | 1990-08-20 | 1995-06-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Continuous or semi-continuous laser ablation method for depositing fluorinated superconducting thin film having basal plane alignment of the unit cells deposited on non-lattice-matched substrates |
US5173441A (en) * | 1991-02-08 | 1992-12-22 | Micron Technology, Inc. | Laser ablation deposition process for semiconductor manufacture |
US6685868B2 (en) * | 1995-10-30 | 2004-02-03 | Darryl Costin | Laser method of scribing graphics |
WO1998022635A1 (en) | 1996-11-18 | 1998-05-28 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for directional deposition of thin films using laser ablation |
WO1998042474A1 (fr) * | 1997-03-21 | 1998-10-01 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Procede et materiel de marquage |
AUPO912797A0 (en) * | 1997-09-11 | 1997-10-02 | Australian National University, The | Ultrafast laser deposition method |
US6120891A (en) * | 1997-10-29 | 2000-09-19 | Board Of Regemts. The University Of Texas System | Mesoporous transition metal oxide thin films and methods of making and uses thereof |
US6159832A (en) * | 1998-03-18 | 2000-12-12 | Mayer; Frederick J. | Precision laser metallization |
US6312765B1 (en) * | 1998-09-04 | 2001-11-06 | Dukeplanning & Co., Inc. | Method for repairing the coated surface of a vehicle |
AU2514800A (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-18 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy, The | Matrix assisted pulsed laser evaporation direct write |
US6177151B1 (en) * | 1999-01-27 | 2001-01-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Matrix assisted pulsed laser evaporation direct write |
US6422037B1 (en) * | 2000-01-12 | 2002-07-23 | Photoscribe, Inc. | Decorative article with engraved high contrast image |
SG122749A1 (en) * | 2001-10-16 | 2006-06-29 | Inst Data Storage | Method of laser marking and apparatus therefor |
US6815095B2 (en) * | 2001-12-03 | 2004-11-09 | Agfa-Gevaert | Binderless phosphor screen having a pigmented interlayer |
JP2003303771A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Kumamoto Technology & Industry Foundation | 真空蒸着方法および装置 |
US6766754B1 (en) * | 2002-08-23 | 2004-07-27 | Saudi Arabian Oil Co. | Ballast exchange system for marine vessels |
US20040250769A1 (en) * | 2002-10-28 | 2004-12-16 | Finisar Corporation | Pulsed laser deposition for mass production |
JP4235945B2 (ja) | 2003-08-29 | 2009-03-11 | 独立行政法人理化学研究所 | 金属配線形成方法および金属配線形成装置 |
JP2005163146A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Japan Science & Technology Agency | 薄膜作製法における膜厚分布の制御方法 |
JP2005178258A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Suien Chin | 基材表面の夜光パターン構造 |
JP4386747B2 (ja) * | 2004-01-28 | 2009-12-16 | 三洋電機株式会社 | p型ZnO半導体膜及びその製造方法 |
US7879410B2 (en) * | 2004-06-09 | 2011-02-01 | Imra America, Inc. | Method of fabricating an electrochemical device using ultrafast pulsed laser deposition |
US7135405B2 (en) * | 2004-08-04 | 2006-11-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method to form an interconnect |
KR100706576B1 (ko) * | 2005-08-01 | 2007-04-13 | 삼성전자주식회사 | 슬루율이 제어된 출력 구동회로 |
WO2007096482A2 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-30 | Picodeon Ltd Oy | Coating on a plastic substrate and a coated plastic product |
US7608308B2 (en) * | 2006-04-17 | 2009-10-27 | Imra America, Inc. | P-type semiconductor zinc oxide films process for preparation thereof, and pulsed laser deposition method using transparent substrates |
US20080006524A1 (en) * | 2006-07-05 | 2008-01-10 | Imra America, Inc. | Method for producing and depositing nanoparticles |
JP5774277B2 (ja) | 2007-01-23 | 2015-09-09 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | 超短レーザ微細テクスチャ印刷 |
US20080187684A1 (en) | 2007-02-07 | 2008-08-07 | Imra America, Inc. | Method for depositing crystalline titania nanoparticles and films |
US7767272B2 (en) * | 2007-05-25 | 2010-08-03 | Imra America, Inc. | Method of producing compound nanorods and thin films |
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