JP5423869B2 - 接合膜付き放熱体、被着体と放熱体との接合方法および表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、接合膜付き放熱体、被着体と放熱体との接合方法および表示装置に関するものである。

２つの部材（基材）同士を接合（接着）する際には、従来、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤等の接着剤を用いて行う方法が多く用いられている。
接着剤は、部材の材質によらず、接着性を示すことができる。このため、種々の材料で構成された部材同士を、様々な組み合わせで接着することができる。
例えば、反射型液晶表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素電極を有している。反射型液晶表示装置では、この各画素電極に対して独立に駆動電圧を印加して、液晶の光学特性を制御することにより、液晶表示装置に入射した光を液晶表示装置内に設けられた反射板に反射させ、画像や文字等を表示することができる。

反射型液晶表示装置は、各画素電極に対して印加する駆動電圧の制御を、例えば、画素毎に設けたＴＦＴ（Thin Film Transistor）のようなスイッチング素子によって行うことにより、高いコントラストで高速応答の可能な液晶表示装置が実現できる。
このような反射型液晶表示装置では、画像や文字を表示させるため、装置外部から光を入射させる必要がある。液晶表示装置に入射した光の一部は、偏光板、液晶、反射板等に吸収され、これらを発熱される。このようにして発生した熱は、液晶表示装置の温度を上昇させ、偏光板や液晶の透過率等の光学特性を低下させたり、スイッチング素子の動作特性を低下させる。その結果、液晶表示装置の表示品位や信頼性が低下するという問題が知られている
かかる問題に対し、従来、反射型液晶表示装置に温度上昇を緩和する手段を設けることが行われている。

例えば、特許文献１には、反射型液晶表示装置の反射板にヒートシンク等の熱交換媒体を接着することにより、発生した熱を外部に放出し、表示品位の低下を防止する反射型液晶表示装置が開示されている。
このような反射板と熱交換媒体との接着は、一般に有機系接着剤を用いて行われる。しかしながら、有機系接着剤は、熱伝導性が低いため、反射板に発生した熱を熱交換媒体へ効率よく伝熱することが困難である。また、有機系接着剤は、耐熱性が低いため、反射板の温度が上がり過ぎた場合、接着剤が変質・劣化し、熱伝導性が低下するおそれがある。さらに、反射板と熱交換媒体との界面に均一に接着剤を塗布することは困難なため、反射板と熱交換媒体との離間距離が不均一になる。このため、反射板から熱交換媒体への熱伝導が不均一になり、表示ムラの発生を招くこととなる。

一方、特許文献２には、液晶プロジェクタ装置の偏光板に貼り付けられるサファイア板とその支持台とを、融着法によって固定することにより、これらの間の熱伝導性を高め、放熱効果を高めることのできる液晶プロジェクタ装置が開示されている。
しかしながら、融着法によって固定可能な支持台の構成材料は、融着可能な一部の材料に限定されるため、必然的に支持台の構成材料の選択幅が狭まってしまう。また、融着法を用いて固定する際に、サファイア板と支持台との離間距離を厳密に制御することは、技術的に極めて困難である。さらに、融着法では、被着体を高温に加熱する必要があるため、この熱の影響により、サファイア板や支持台の変質・劣化を招くおそれがある。
また、このような発熱に伴う問題は、液晶表示装置に限らず、半導体素子、電源装置等のデバイスにおいても同様に懸念されている。特に、ＬＳＩのような集積回路では、発熱による動作特性の低下が大きな問題とされている。したがって、発熱体から発生した熱を、効率よく放熱する方法が求められている。

特開平１１−３８４０９号公報 特開２００２−７２１６１号公報

本発明の目的は、被着体に対して、薄い接合膜を介して、高い寸法精度で強固にかつ低温下で効率よく接合することができ、これにより被着体が持つ熱を効率よく放熱させ得る接合膜付き放熱体、被着体が持つ熱が効率よく放熱されるように、被着体と放熱体とを接合する被着体と放熱体との接合方法、および、接合膜付き放熱体を備える信頼性の高い表示装置を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合膜付き放熱体は、放熱体と、
該放熱体の表面上に気相成膜法により成膜された接合膜と、を有し、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与し、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、被着体との接着性が発現するものであることを特徴とする。
これにより、接合膜は、金属酸化物に脱離基が結合したものとなり、変形し難い強固な膜となる。その結果、被着体に対して、薄い接合膜を介して、高い寸法精度で強固にかつ低温下で効率よく接合することができ、これにより被着体が持つ熱を効率よく放熱させ得る接合膜付き放熱体が得られる。
本発明の接合膜付き放熱体では、前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。

本発明の接合膜付き放熱体は、放熱体と、
該放熱体の表面上に気相成膜法により成膜された接合膜と、を有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与し、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が当該接合膜から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、被着体との接着性が発現するものであることを特徴とする。
これにより、接合膜は、金属原子と有機成分で構成される脱離基とを含むものとなり、変形し難い強固な膜となる。その結果、被着体に対して、薄い接合膜を介して、高い寸法精度で強固にかつ低温下で効率よく接合することができ、これにより被着体が持つ熱を効率よく放熱させ得る接合膜付き放熱体が得られる。
本発明の接合膜付き放熱体では、前記接合膜中の金属原子と炭素原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
本発明の接合膜付き放熱体では、前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、被着体から放熱体への高い熱伝導性を維持しつつ、これらをより強固に接合することができる。

本発明の被着体と放熱体との接合方法は、被着体と、本発明の接合膜付き放熱体とを用意する工程と、
前記接合膜付き放熱体の前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与する工程と、
前記被着体と前記接合膜とが密着するように、前記被着体と前記接合膜付き放熱体とを貼り合わせて接合する工程と、
を有することを特徴とする。
これにより、被着体が持つ熱が効率よく放熱するように、被着体と放熱体とを接合することができる。

本発明の被着体と放熱体との接合方法は、被着体と、本発明の接合膜付き放熱体とを用意する工程と、
前記被着体と前記接合膜とが密着するように、前記被着体と前記接合膜付き放熱体とを重ね合わせて、仮接合体を得る工程と、
前記仮接合体中の前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記被着体と前記接合膜付き放熱体とを接合する工程と、
を有することを特徴とする。
これにより、被着体が持つ熱が効率よく放熱するように、被着体と放熱体とを接合することができる。また、仮接合体の状態では、接合膜付き放熱体と被着体との間は接合されていないので、接合膜付き放熱体の被着体に対する相対位置を調整することができる。その結果、接合膜付き放熱体と被着体とを重ね合わせた後、これらの位置を容易に微調整することができる。そして、接合膜の表面方向における位置精度を高めることができる。

本発明の表示装置は、前記被着体と、本発明の接合膜付き放熱体と、
を有し、
前記被着体が表示素子であることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い表示装置が得られる。

本発明の接合膜付き放熱体と被着体との接合体の第１実施形態を示す図（縦断面図）である。 本発明の接合膜付き放熱体と被着体とを接合する方法の第１実施形態を説明するための図である。 本発明の接合膜付き放熱体と被着体とを接合する方法の第１実施形態を説明するための図である。 本発明の接合膜付き放熱体が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。 本発明の接合膜付き放熱体が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。 本発明の接合方法に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。 放熱体上に接合膜を作製する方法を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の接合膜付き放熱体を用いて、接合膜付き放熱体と反射板とを接合する接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の接合膜付き放熱体を用いて、接合膜付き放熱体と反射板とを接合する接合方法の第３実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の接合膜付き放熱体の第４実施形態または第５実施形態が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。 本発明の接合膜付き放熱体の第４実施形態または第５実施形態が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。 第４実施形態にかかる接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。 図１２に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。 第５実施形態において、接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。 本発明の接合膜付き放熱体を半導体素子に接合してなる半導体装置を示す図である。

以下、本発明の接合膜付き放熱体、被着体と放熱体との接合方法および表示装置を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明の接合膜付き放熱体は、放熱体と、この放熱体の表面上に設けられた接合膜とを有しており、被着体（発熱体）に対して接合するのに用いられるものである。
この接合膜付き放熱体のうち、接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含む接合膜とを有するものである。

このような接合膜付き放熱体は、接合膜の平面視における少なくとも一部の領域、すなわち、平面視における接合膜の全面または一部の領域に対して、エネルギーを付与することにより、接合膜の少なくとも表面付近に存在する脱離基がＳｉ骨格から脱離するものである。そして、この接合膜は、脱離基の脱離によって、その表面のエネルギーを付与した領域に、被着体との接着性が発現するという特徴を有するものである。

このような特徴を有する接合膜付き放熱体は、被着体に対して、薄い接合膜を介して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合可能なものである。そして、かかる接合膜付き放熱体と被着体とを接合してなる接合体は、被着体が持つ熱を、放熱体を介して効率よく放熱することができるものとなる。これにより、被着体の温度上昇を確実に抑制することができる。その結果、熱によって、被着体に変質・劣化や特性の低下等の不具合が生じるのを確実に防止することができる。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の接合膜付き放熱体、被着体と放熱体との接合方法および表示装置の各第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の接合膜付き放熱体と被着体との接合体の第１実施形態を示す図（縦断面図）、図２および図３は、本発明の接合膜付き放熱体と被着体とを接合する方法の第１実施形態を説明するための図、図４は、本発明の接合膜付き放熱体が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図５は、本発明の接合膜付き放熱体が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。なお、以下の説明では、図１ないし図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

本実施形態では、接合膜付き放熱体１を接合する相手となる被着体を、反射型液晶表示装置１０の反射板４とした場合について説明する。すなわち、接合膜付き放熱体１、反射板４、液晶層５および基板６により、図１に示す反射型液晶表示装置１０（本発明の表示装置）が構成されている。
反射型液晶表示装置１０は、装置外部から光を入射させ、入射光を反射板４に反射させることにより表示を行う。そして、画素ごとに液晶層５の光学特性を制御することにより、反射光を制御し、表示面に画像や文字等を表示する。

液晶層５は、液晶、カラーフィルター、マトリクス状に配列された複数の画素電極等を有している。この各画素電極に対して独立に駆動電圧を印加して、液晶の光学特性を制御することにより、入射光および入射光を反射板４で反射させた反射光を用いて、表示面に画像や文字等を表示する。
また、液晶層５には、各画素電極に対して印加する駆動電圧を制御するＴＦＴのようなスイッチング素子が設けられている。このスイッチング素子により、画素ごとに反射光を独立して高速に制御することができる。これにより、反射型液晶表示装置１０は、高いコントラストかつ速い応答速度で画像を表示することが可能となる。

また、基板６は、液晶層５を保護する保護機能を有する。また、偏光板としての機能を有していてもよい。
これらの反射板４、液晶層５および基板６により、液晶表示素子（表示素子）７を構成している。
このような反射型液晶表示装置１０の製造方法は、接合膜付き放熱体１を用意する工程と、接合膜付き放熱体１の接合膜３に対してエネルギーを付与して、接合膜３中から脱離基を脱離させることにより、接合膜３を活性化させる工程と、液晶表示素子（被着体）７を用意し、接合膜付き放熱体１が備える接合膜３と液晶表示素子７とが密着するように、これらを貼り合わせ、反射型液晶表示装置１０を得る工程とを有する。

以下、本実施形態にかかる反射型液晶表示装置１０の製造方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、接合膜付き放熱体１（本発明の接合膜付き放熱体）を用意する。
接合膜付き放熱体１は、図２（ａ）に示すように、反射板４に接合され、反射板４が持つ熱を吸収する吸熱部２１と、吸熱部２１が吸収した熱を外部に放出する放熱部２２とを有する板状の放熱体２と、放熱体２の吸熱部２１の表面上に設けられた接合膜３とを有している。

このうち、放熱体２は、接合膜３を支持する程度の剛性を有するものであれば、いかなる材料で構成されたものであってもよい。
具体的には、放熱体２の構成材料は、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、ガリウムヒ素のような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、グラファイトのような炭素系材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。

このうち、放熱体２の放熱性を考慮すると、放熱体２の構成材料は、金属系材料またはセラミックス系材料であるのが好ましい。これらの材料は熱伝導性が高いため、反射板４が持つ熱を特に効率よく放熱することができる。
また、放熱体２は、その表面に、Ｎｉめっきのようなめっき処理、クロメート処理のような不働態化処理、または窒化処理等を施したものであってもよい。

また、放熱体２の形状は、接合膜３を支持する面を有するような形状であればよく、板状のものに限定されない。すなわち、放熱体２の形状は、例えば、塊状（ブロック状）、棒状等であってもよい。
なお、本実施形態では、放熱体２が板状をなしていることから、放熱体２が撓み易くなり、放熱体２は、反射板４の形状に沿って十分に変形可能なものとなるため、これらの密着性がより高くなる。また、接合膜付き放熱体１において、放熱体２と接合膜３との密着性が高くなるとともに、放熱体２が撓むことによって、接合界面に生じる応力を、ある程度緩和することができる。

この場合、放熱体２の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１〜５０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜３０ｍｍ程度であるのがより好ましい。なお、後述する反射板４の平均厚さも、前述した放熱体２の平均厚さと同様の範囲内であるのが好ましい。
なお、図２（ａ）に示す放熱体２は、接合膜３と反対側の部分、すなわち放熱部２２に、フィン構造を有している。これにより、放熱部２２が外気と接触する表面積が大きくなるため、放熱体２の放熱性をより高めることができる。
また、放熱部２２の形状は、フィン構造以外に、平面状であってもよく、多孔質状であってもよい。
さらに、放熱部２２には、その他の熱交換手段が設けられていてもよい。かかる熱交換手段としては、例えば、ペルチェ素子等が挙げられる。

一方、接合膜３は、放熱体２と後述する反射板４との間に位置し、これらの放熱体２と反射板４との接合を担うものである。
かかる接合膜３は、図４、５に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを有するものである。

本発明の接合膜付き放熱体は、主にこの接合膜３に特徴を有する。なお、この接合膜３については、後に詳述する。
また、放熱体２の少なくとも接合膜３を形成すべき領域には、放熱体２の構成材料に応じて、接合膜３を形成する前に、あらかじめ、放熱体２と接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。

かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、放熱体２の接合膜３を形成すべき領域を清浄化するとともに、接合膜３との密着性を阻害する物質を除去または改質することによって、該領域を活性化させることができる。これにより、放熱体２と反射板４との接合強度をより高めることができる。

また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜３を形成するために、放熱体２の表面を特に最適化することができる。
なお、表面処理を施す放熱体２が、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、放熱体２の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３の接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる放熱体２の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料、各種セラミックス系材料等を主材料とするものが挙げられる。

このような材料で構成された放熱体２は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された放熱体２を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜付き放熱体１と反射板４とを強固に接合することができる。
なお、この場合、放熱体２の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜３を形成すべき領域の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。

また、表面処理に代えて、放熱体２の少なくとも接合膜３を形成すべき領域には、あらかじめ、中間層を形成しておくのが好ましい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜３との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を介して放熱体２上接合膜３を成膜することになり、信頼性の高い接合膜付き放熱体１を得ることができる。

かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料、各種エラストマーのような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、放熱体２と接合膜３との間の接合強度を特に高めることができる。

［２］次に、接合膜付き放熱体１の接合膜３の表面３５に対してエネルギーを付与する。
エネルギーが付与されると、接合膜３では、脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、接合膜３の表面３５および内部に活性手が生じる。これにより、接合膜３の表面３５に、反射板４との接着性が発現する。

このような状態の接合膜付き放熱体１は、反射板４と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよく、例えば、エネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、プラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、オゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。

また、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザー光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等、またはこれらのエネルギー線を組み合わせたものが挙げられる。

これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１５０〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図２（ｂ）参照）。かかる紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３中のＳｉ骨格３０１が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３に接着性を確実に発現させることができる。

また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１６０〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ^２〜１Ｗ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ^２〜５０ｍＷ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。

また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の表面３５付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３の内部の脱離基３０３を多量に脱離させない程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。

一方、レーザー光としては、例えば、エキシマレーザー（フェムト秒レーザー）、Ｎｄ−ＹＡＧレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ_２レーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等が挙げられる。
また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、特に大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。

このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による放熱体２の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜付き放熱体１と反射板４との間の接合強度を容易に制御することができる。

すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜３の表面３５および内部に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜３の表面および内部に生じる活性手を少なくし、接合膜３に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。

さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
ここで、エネルギーが付与される前の接合膜３は、図４に示すように、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３とを有している。かかる接合膜３にエネルギーが付与されると、脱離基３０３（本実施形態では、メチル基）がＳｉ骨格３０１から脱離する。これにより、図５に示すように、接合膜３の表面３５に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜３の表面に接着性が発現する。

ここで、接合膜３を「活性化させる」とは、接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、Ｓｉ骨格３０１において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態や、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。

したがって、活性手３０４とは、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４によれば、反射板４に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成することができる。

また、本実施形態では、接合膜付き放熱体１と反射板４とを貼り合わせる前に、あらかじめ、接合膜付き放熱体１の接合膜３に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、接合膜付き放熱体１と反射板４とを貼り合わせる（重ね合わせる）際、または貼り合わせた（重ね合わせた）後に行われるようにしてもよい。このような場合については、後述する第２実施形態において説明する。

［３］接合膜付き放熱体１を貼り付ける相手となる反射板４を用意する。なお、本実施形態では、図２（ｃ）に示すように、反射板４と、それに設けられた液晶層５および基板６とにより構成された液晶表示素子７に対して、接合膜付き放熱体１を接合する。これにより、図３（ｄ）に示すような接合体、すなわち反射型液晶表示装置１０を得る。
このようにして得られた反射型液晶表示装置１０では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、接合膜付き放熱体１と反射板４とが接合されている。このため、放熱体２と反射板４との密着性が高くなり、これらの間の熱伝導性も高くなる。

ここで、反射型液晶表示装置１０では、画像や文字を表示させるため、図１に示すように、装置外部から光を入射させる必要がある。入射した光の一部は、基板６、液晶層５および反射板４に吸収され、これらを発熱させる。このようにして発生した熱は、反射型液晶表示装置１０の温度を上昇させ、基板６や液晶層５の透過率等の光学特性を低下させたり、液晶層５に設けられたスイッチング素子の動作特性を低下させることとなる。従来の反射型液晶表示装置では、このような表示品位や信頼性が低下するという問題があった。

これに対し、図１に示す反射型液晶表示装置１０では、放熱体２と反射板４との密着性が高く、これらの間の熱伝導性が高いために、反射板４が持つ熱を効率よく放熱することができる。その結果、反射板４や、それに接する液晶層５、さらに基板６の温度上昇を抑制することができる。
また、放熱体２を用いて反射型液晶表示装置１０を構成することにより、反射型液晶表示装置１０を短時間で構築することができ、かつ、放熱体２と反射板４との間が極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。

また、このような接合膜付き放熱体１を用いて反射型液晶表示装置１０を得る方法によれば、従来の融着法を用いた方法のように、高温での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された放熱体２および反射板４をも、接合に供することができる。
また、接合膜３を介して放熱体２と反射板４とを接合しているため、放熱体２や反射板４の構成材料に制約がないという利点もある。

以上のことから、本発明によれば、放熱体２および反射板４の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。
また、固体接合では、接合層を介していないため、放熱体２と反射板４との間の熱膨張率に大きな差がある場合、その差に基づく応力が接合界面に集中し易く、剥離等が生じるおそれがあったが、反射型液晶表示装置１０では、接合膜３によって応力の集中が緩和され、剥離を防止することができる。

反射板４は、反射型液晶表示装置１０に入射した光を、表示面に向けて反射させるものである。
かかる反射板４の構成材料は、例えば、可視光を反射し得る光学特性を有する材料であれば、いかなる材料であってもよく、例えば、前述したような各種金属系材料、シリコン系材料等が挙げられる。

また、各種樹脂系材料、各種セラミックス系材料、各種ガラス系材料のような材料に、金属層を成膜した複合材料が好ましく用いられる。
また、反射板４の形状も、放熱体２と同様、接合膜３が密着する面を有する形状であれば、特に限定されず、例えば、板状（層状）、塊状（ブロック状）、棒状等とされる。
ところで、反射板４の構成材料は、放熱体２と異なっていても同じでもよい。

また、放熱体２と反射板４の各熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。放熱体２と反射板４の熱膨張率がほぼ等しければ、接合膜付き放熱体１と反射板４とを貼り合せた際に、その接合界面に熱膨張差に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる接合体において、剥離等の不具合が発生するのを確実に防止することができる。
また、後に詳述するが、放熱体２および反射板４の各熱膨張率が互いに異なる場合でも、接合膜付き放熱体１と反射板４とを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化することにより、接合膜付き放熱体１と反射板４とを高い寸法精度で強固に接合することができる。

すなわち、放熱体２と反射板４の熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
具体的には、放熱体２と反射板４との熱膨張率差にもよるが、放熱体２および反射板４の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、接合膜付き放熱体１と反射板４とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、放熱体２と反射板４の熱膨張率差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、反射型液晶表示装置１０における反りや剥離等の発生を確実に防止することができる。

また、この場合、放熱体２と反射板４との間の熱膨張係数の差が、５×１０^−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
このような反射板４の接合膜付き放熱体１との接合に供される領域には、反射板４の構成材料に応じて、接合を行う前に、あらかじめ、反射板４と接合膜３との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、接合膜付き放熱体１と反射板４との接合強度をより高めることができる。

なお、表面処理としては、放熱体２に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
また、反射板４の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜付き放熱体１と反射板４との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる反射板４の構成材料には、前述した放熱体２の構成材料と同様のもの、すなわち、各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を用いることができる。

さらに、反射板４の接合膜付き放熱体１との接合に供される領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜付き放熱体１と反射板４との接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。このような基または物質を有する表面は、反射板４の接合膜３に対する接合強度のさらなる向上を実現し得るものとなる。

また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、接合膜付き放熱体１と特に強固に接合可能な反射板４が得られる。
また、表面処理に代えて、反射板４の接合膜付き放熱体１との接合に供される領域には、あらかじめ、接合膜３との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、かかる中間層を介して接合膜付き放熱体１と反射板４とを接合することになり、より接合強度の高い反射型液晶表示装置１０が得られる。

かかる中間層の構成材料には、前述の放熱体２に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
ここで、本工程において、接合膜付き放熱体１と反射板４とが接合されるメカニズムについて説明する。
例えば、反射板４の接合膜付き放熱体１との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜付き放熱体１の接合膜３と反射板４とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、接合膜付き放熱体１の接合膜３の表面３５に存在する水酸基と、反射板４の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜付き放熱体１と反射板４とが接合されると推察される。

また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜付き放熱体１と反射板４との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜付き放熱体１と反射板４とがより強固に接合されると推察される。
なお、前記工程［２］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［２］の終了後、できるだけ早く本工程［３］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［２］の終了後、６０分以内に本工程［３］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜付き放熱体１と反射板４とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。

換言すれば、活性化させる前の接合膜３は、Ｓｉ骨格３０１を有する接合膜であるため、化学的に比較的安定であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の接合膜３は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような接合膜３を備えた放熱体２を多量に製造または購入して保存しておき、本工程の貼り合わせを行う直前に、必要な個数のみに前記工程［２］に記載したエネルギーの付与を行うようにすれば、反射型液晶表示装置１０の製造効率の観点から有効である。

以上のようにして、図３（ｄ）に示す反射型液晶表示装置１０を得ることができる。
なお、図３（ｄ）では、接合膜付き放熱体１の接合膜３の全面を覆うように反射板４を重ね合わせているが、これらの相対的な位置は、互いにずれていてもよい。すなわち、接合膜３から反射板４がはみ出るように、接合膜付き放熱体１と反射板４とが重ね合わされていてもよい。

このようにして得られた反射型液晶表示装置１０は、放熱体２と反射板４との間の接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する反射型液晶表示装置１０は、その剥離を十分に防止し得るものとなる。
また、本発明によれば、Ｓｉ骨格３０１を有する接合膜３を用いて接合を行っているため、数分以上の比較的長時間にわたって活性状態を維持することができる。このため、貼り合わせ作業に要する時間を十分に確保することができ、接合作業の効率化を高めることができる。
なお、反射型液晶表示装置１０を得た後、この反射型液晶表示装置１０に対して、必要に応じ、以下の３つの工程（［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］）のうちの少なくとも１つの工程（反射型液晶表示装置１０の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、反射型液晶表示装置１０の接合強度のさらなる向上を図ることができる。

［４Ａ］図３（ｅ）に示すように、得られた反射型液晶表示装置１０を、放熱体２と反射板４とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、放熱体２の表面および反射板４の表面に、それぞれ接合膜３の表面がより近接し、反射型液晶表示装置１０における接合強度をより高めることができる。
また、反射型液晶表示装置１０を加圧することにより、反射型液晶表示装置１０中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、反射型液晶表示装置１０における接合強度をさらに高めることができる。
このとき、反射型液晶表示装置１０を加圧する際の圧力は、反射型液晶表示装置１０が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して反射型液晶表示装置１０における接合強度を高めることができる。

なお、この圧力は、放熱体２および反射板４の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、放熱体２および反射板４の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、反射型液晶表示装置１０の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、放熱体２および反射板４の各構成材料によっては、放熱体２および反射板４に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、反射型液晶表示装置１０を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。

［４Ｂ］図３（ｅ）に示すように、得られた反射型液晶表示装置１０を加熱する。
これにより、反射型液晶表示装置１０における接合強度をより高めることができる。
このとき、反射型液晶表示装置１０を加熱する際の温度は、室温より高く、反射型液晶表示装置１０の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、反射型液晶表示装置１０が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。

また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［４Ａ］、［４Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、図３（ｅ）に示すように、反射型液晶表示装置１０を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、反射型液晶表示装置１０の接合強度を特に高めることができる。

［４Ｃ］得られた反射型液晶表示装置１０に紫外線を照射する。
これにより、接合膜３と放熱体２および反射板４との間に形成される化学結合を増加させ、放熱体２および反射板４と接合膜３との間の接合強度をそれぞれ高めることができる。その結果、反射型液晶表示装置１０の接合強度を特に高めることができる。
このとき照射される紫外線の条件は、前記工程［２］に示した紫外線の条件と同等にすればよい。

なお、本工程［４Ｃ］を行う場合、放熱体２および反射板４のうち、いずれか一方が透光性を有していることが必要である。そして、透光性を有する基板側から、紫外線を照射することにより、接合膜３に対して確実に紫外線を照射することができる。
以上のような工程を行うことにより、反射型液晶表示装置１０における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。

ここで、前述したように、本発明の接合膜付き放熱体は、接合膜３に特徴を有している。以下、接合膜３について詳述する。
前述したように、接合膜３は、図４に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを有するものである。このような接合膜３は、シロキサン結合３０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる放熱体２と反射板４との接合体においても、寸法精度が高いものが得られる。

このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、図５に示すように、接合膜３の表面３５および内部に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３表面に接着性が発現する。
かかる接着性が発現すると、接合膜３を備えた接合膜付き放熱体１は、反射板４に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。

また、このような接合膜３は、流動性を有しない固体状のものとなる。このため、従来、流動性を有する液状または粘液状の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。これにより、接合膜付き放熱体１を用いて得られた反射型液晶表示装置１０の寸法精度、特に、放熱体２と反射板４との離間距離の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。

このような接合膜３としては、特に、接合膜３を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜３は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜３自体が強固なものとなる。また、かかる接合膜３は、放熱体２および反射板４に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。

また、接合膜３中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、接合膜付き放熱体１と反射板４とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜３中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述したＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜３の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。

また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、前述したように、Ｓｉ骨格３０１から脱離することによって、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格３０１に確実に結合しているものである必要がある。

かかる観点から、脱離基３０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜付き放熱体１の接着性をより高度なものとすることができる。

なお、上記のような各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。

これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
このような特徴を有する接合膜３の構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。

ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、放熱体２に対して特に強固に被着するとともに、反射板４に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、放熱体２と反射板４とを強固に接合することができる。

また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜３は、接着性に特に優れることから、本発明の接合膜付き放熱体に対して特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。

また、接合膜３の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、反射板４から放熱体２への高い熱伝導性を維持しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合膜３の熱伝導性が著しく低下するおそれがある。

さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、放熱体２の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、接合膜付き放熱体１と反射板４とを貼り合わせた際に、接合膜３の反射板４に対する密着性を高めることができる。

なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
このような接合膜３は、いかなる方法で作製されたものでもよく、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製することができるが、これらの中でも、プラズマ重合法により作製されたものが好ましい。プラズマ重合法によれば、緻密で均質な接合膜３を効率よく作製することができる。これにより、接合膜３の熱伝導性が特に高くなり、反射板４が持つ熱を、放熱体２を介して特に効率よく放熱することができる。

また、プラズマ重合法で作製された接合膜３は、反射板４に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で作製された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、反射型液晶表示装置１０の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
以下、一例として、プラズマ重合法により接合膜３を作製する方法について説明する。

まず、接合膜３の作製方法を説明するのに先立って、放熱体２上にプラズマ重合法を行いて接合膜３を作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明する。
図６は、本発明の接合方法に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図６に示すプラズマ重合装置１００は、チャンバー１０１と、放熱体２を支持する第１の電極１３０と、第２の電極１４０と、各電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１８０と、チャンバー１０１内にガスを供給するガス供給部１９０と、チャンバー１０１内のガスを排気する排気ポンプ１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１３０および第２の電極１４０がチャンバー１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。

チャンバー１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
図６に示すチャンバー１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。

チャンバー１０１の上方には供給口１０３が、下方には排気口１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１０３にはガス供給部１９０が接続され、排気口１０４には排気ポンプ１７０が接続されている。
なお、本実施形態では、チャンバー１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１０２を介して電気的に接地されている。

第１の電極１３０は、板状をなしており、放熱体２を支持している。
この第１の電極１３０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面に、鉛直方向に沿って設けられており、これにより、第１の電極１３０は、チャンバー１０１を介して電気的に接地されている。なお、第１の電極１３０は、図６に示すように、チャンバー本体と同心状に設けられている。

第１の電極１３０の放熱体２を支持する面には、静電チャック（吸着機構）１３９が設けられている。
この静電チャック１３９により、図６に示すように、放熱体２を鉛直方向に沿って支持することができる。また、放熱体２に多少の反りがあっても、静電チャック１３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で放熱体２をプラズマ処理に供することができる。

第２の電極１４０は、放熱体２を介して、第１の電極１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１４０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１４０には、配線１８４を介して高周波電源１８２が接続されている。また、配線１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１８３が設けられている。これらの配線１８４、高周波電源１８２およびマッチングボックス１８３により、電源回路１８０が構成されている。
このような電源回路１８０によれば、第１の電極１３０は接地されているので、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。

ガス供給部１９０は、チャンバー１０１内に所定のガスを供給するものである。
図６に示すガス供給部１９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部１９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置１９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ１９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー１０１の供給口１０３とが、それぞれ配管１９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口１０３からチャンバー１０１内に供給するように構成されている。

貯液部１９１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置１００により、重合して放熱体２の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置１９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー１０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
ガスボンベ１９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。

また、チャンバー１０１内の供給口１０３の近傍には、拡散板１９５が設けられている。
拡散板１９５は、チャンバー１０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。

排気ポンプ１７０は、チャンバー１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による放熱体２の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１０１内から効果的に除去することができる。
また、排気口１０４には、チャンバー１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１７１が設けられている。これにより、チャンバー１０１内の圧力が、ガス供給部１６０の動作状況に応じて、適宜設定される。

次に、上記のプラズマ重合装置１００を用いて、放熱体２の表面上に接合膜３を作製する方法について説明する。
図７は、放熱体２上に接合膜３を作製する方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
接合膜３は、強電界中に、原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを供給することにより、原料ガス中の分子を重合させ、重合物を放熱体２上に堆積させることにより得ることができる。以下、詳細に説明する。

まず、放熱体２を用意し、必要に応じて、放熱体２の上面２５に前述したような表面処理を施す。
次に、放熱体２をプラズマ重合装置１００のチャンバー１０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ１７０の作動により、チャンバー１０１内を減圧状態とする。
次に、ガス供給部１９０を作動させ、チャンバー１０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー１０１内に充填される（図７（ａ）参照）。

ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。

次いで、電源回路１８０を作動させ、一対の電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極１３０、１４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、図７（ｂ）に示すように、重合物が放熱体２に付着・堆積する。これにより、放熱体２上にプラズマ重合膜で構成された接合膜３が形成される（図７（ｃ）参照）。

原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜３は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。

プラズマ重合の際、一対の電極１３０、１４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。

また、成膜時のチャンバー１０１内の圧力は、１３３．３×１０^−５〜１３３３Ｐａ（１×１０^−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０^−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０^−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。

処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。
また、放熱体２の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のようにして、接合膜３を得るとともに、接合膜付き放熱体１を得ることができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の接合膜付き放熱体、この接合膜付き放熱体と液晶表示素子とを接合する接合方法（本発明の被着体と放熱体との接合方法）、および本発明の接合膜付き放熱体を備える表示装置の各第２実施形態について説明する。
図８は、本発明の接合膜付き放熱体を用いて、接合膜付き放熱体と反射板とを接合する接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、第２実施形態にかかる接合方法について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる接合方法は、接合膜付き放熱体１と反射板４とを重ね合わせた後に、接合膜３にエネルギーを付与するようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、接合膜付き放熱体１を用意する工程と、反射板４、液晶層５および基板６の液晶表示素子７を用意し、接合膜３と反射板４とが密着するように、接合膜付き放熱体１と液晶表示素子７とを重ね合わせて、仮接合体を得る工程と、仮接合体中の接合膜３に対してエネルギーを付与して、接合膜３を活性化させ、これにより、接合膜付き放熱体１と反射板４とを接合してなる反射型液晶表示装置１０を得る工程とを有する。

以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、前記第１実施形態と同様にして、接合膜付き放熱体１を用意する（図８（ａ）参照）。
［２］次に、図８（ｂ）に示すように、液晶表示素子７を用意し、接合膜３の表面３５と反射板４とが密着するように、接合膜付き放熱体１と液晶表示素子７とを重ね合わせて、仮接合体を得る。なお、この仮接合体の状態では、接合膜付き放熱体１と反射板４との間は接合されていないので、接合膜付き放熱体１の反射板４に対する相対位置を調整することができる。これにより、接合膜付き放熱体１と反射板４とを重ね合わせた後、これらの位置を容易に微調整することができる。その結果、接合膜３の表面３５方向における位置精度を高めることができる。

［３］次に、図８（ｃ）に示すように、仮接合体中の接合膜３に対してエネルギーを付与する。接合膜３にエネルギーが付与されると、接合膜３に、反射板４との接着性が発現する。これにより、接合膜付き放熱体１と反射板４とが接合され、図１に示す反射型液晶表示装置１０が得られる。
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよいが、例えば、前記第１実施形態で挙げたような方法で付与される。

また、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、および接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。

このうち、接合膜３にエネルギー線を照射する方法としては、前記第１実施形態と同様の方法を用いることができる。
なお、この場合、エネルギー線は、放熱体２または反射板４を透過して接合膜３に照射されることとなる。したがって、放熱体２または反射板４は、透光性を有するものであるのが好ましい。

一方、接合膜３を加熱することにより、接合膜３に対してエネルギーを付与する場合には、加熱温度を２５〜１００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、放熱体２が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜３を確実に活性化させることができる。
また、加熱時間は、接合膜３の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間とすればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。

また、接合膜３は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種方法で加熱することができる。
なお、赤外線を照射する方法を用いる場合には、放熱体２または反射板４は、光吸収性を有する材料で構成されているのが好ましい。これにより、赤外線を照射された放熱体２または反射板４は、効率よく発熱する。その結果、接合膜３を効率よく加熱することができる。

また、ヒータを用いる方法または火炎に接触させる方法を用いる場合には、放熱体２または反射板４は、熱伝導性に優れた材料で構成されているのが好ましい。これにより、放熱体２または反射板４を介して、接合膜３に対して効率よく熱を伝えることができ、接合膜３を効率よく加熱することができる。
また、接合膜３に圧縮力を付与することにより、接合膜３に対してエネルギーを付与する場合には、接合膜付き放熱体１と反射板４とが互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、接合膜３に対して適度なエネルギーを簡単に付与することができ、接合膜３に、反射板４との十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、放熱体２と反射板４の各構成材料によっては、放熱体２および反射板４に損傷等が生じるおそれがある。

また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
以上のようにして反射型液晶表示装置１０を得ることができる。
なお、反射型液晶表示装置１０を得た後、この反射型液晶表示装置１０に対して、必要に応じ、前記第１実施形態の工程［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の接合膜付き放熱体、この接合膜付き放熱体と液晶表示素子とを接合する接合方法（本発明の接合方法）、および本発明の接合膜付き放熱体を備える表示装置の各第３実施形態について説明する。
図９は、本発明の接合膜付き放熱体を用いて、接合膜付き放熱体と反射板とを接合する接合方法の第３実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、第３実施形態にかかる接合方法について説明するが、前記第１実施形態および前記第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる接合方法は、接合膜付き放熱体１と、接合膜３１を備えた反射板４とを接合するようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。

すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、放熱体２と接合膜３とを備える接合膜付き放熱体１と、接合膜３と同様の接合膜３１を備える反射板４とを用意する工程と、接合膜３と接合膜３１とにそれぞれエネルギーを付与して、各接合膜３、３１を活性化させる工程と、各接合膜３、３１同士が密着するように、接合膜付き放熱体１と、反射板４、液晶層５および基板６で構成される液晶表示素子７とを貼り合わせる工程とを有する。

以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、前記第１実施形態と同様にして、接合膜付き放熱体１を用意する。また、接合膜３と同様の接合膜３１を備える液晶表示素子７とを用意する。
［２］次に、接合膜３と接合膜３１に対して、それぞれエネルギーを付与する。各接合膜３、３１にエネルギーが付与されると、各接合膜３、３１では、脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、各接合膜３、３１の表面３５および内部に活性手３０４が生じ、各接合膜３、３１が活性化される。これにより、各接合膜３、３１にそれぞれ接着性が発現する。

このような状態の接合膜３と接合膜３１とは、それぞれ互いに接着可能なものとなる。
なお、エネルギー付与方法としては、前記第１実施形態と同様の方法を用いることができる。
ここで、各接合膜３、３１を「活性化させる」とは、前述したように、各接合膜３、３１の表面および内部の脱離基３０３が脱離して、Ｓｉ骨格３０１に終端化されていない結合手（未結合手）が生じた状態や、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。
したがって、活性手３０４とは、未結合手または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。

［３］次に、図９（ａ）に示すように、接着性が発現した各接合膜３、３１同士が密着するように、接合膜付き放熱体１と反射板４とを貼り合わせる。これにより、図９（ｂ）に示す反射型液晶表示装置１０を得る。
ここで、本工程において、各接合膜３、３１同士を接合するが、この接合は、以下のような２つのメカニズム（ｉ）、（ii）の双方または一方に基づくものであると推察される。

（ｉ）例えば、各接合膜３、３１の表面に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、各接合膜３、３１同士が密着するように、接合膜付き放熱体１と反射板４とを貼り合わせたとき、各接合膜３、３１の表面に存在する水酸基同士が、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、放熱体２と反射板４とが接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、各接合膜３、３１同士の間では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、放熱体２と反射板４とがより強固に接合されると推察される。

（ii）各接合膜３、３１同士を貼り合わせると、各接合膜３、３１の表面や内部に生じた終端化されていない結合手（未結合手）同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う（絡み合う）ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成される。これにより、各接合膜３、３１を構成するそれぞれの母材（Ｓｉ骨格３０１）同士が直接接合して、各接合膜３、３１同士が一体化する。

以上のような（ｉ）または（ii）のメカニズムにより、図９（ｂ）に示すような反射型液晶表示装置１０が得られる。
なお、反射型液晶表示装置１０を得た後、この反射型液晶表示装置１０に対して、必要に応じ、前記第１実施形態の工程［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。

例えば、反射型液晶表示装置１０を加圧しつつ、加熱することにより、反射型液晶表示装置１０の放熱体２と反射板４とがより近接する。これにより、各接合膜３、３１の界面における水酸基の脱水縮合や未結合手同士の再結合が促進される。そして、各接合膜３、３１同士の一体化がより進行する。その結果、各接合膜３、３１同士がほぼ完全に一体化された接合膜を有する反射型液晶表示装置１０が得られる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の接合膜付き放熱体、被着体と放熱体との接合方法および表示装置の各第４実施形態について説明する。
図１０は、本発明の接合膜付き放熱体の第４実施形態が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図１１は、本発明の接合膜付き放熱体の第４実施形態が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。なお、以下の説明では、図１０および図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、表示装置の第４実施形態について説明するが、前記第１実施形態ないし前記第３実施形態にかかる表示装置との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる接合膜付き放熱体および表示装置は、接合膜の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。

すなわち、本実施形態にかかる表示装置は、接合膜３がエネルギー付与前の状態で、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである。換言すれば、エネルギー付与前の接合膜３は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入した膜であると言うことができる。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離し、接合膜３の少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面に、前記第１実施形態と同様の接着性が発現する。

以下、本実施形態にかかる接合膜３について説明する。
また、接合膜３は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基３０３が結合したものであることから、熱伝導性の高いものとなる。このため、接合膜３は、反射板４が持つ熱を、放熱体２へと効率よく伝えることができる。

また、接合膜３は、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる反射型液晶表示装置１０においても、寸法精度が高いものが得られる。
さらに、接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜３の寸法精度がより高いものとなる。また、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。

なお、脱離基３０３は、図１０に示すように、少なくとも接合膜３の表面３５付近に存在していればよく、接合膜３のほぼ全体に存在していてもよいし、接合膜３の表面３５付近に偏在していてもよい。このように脱離基３０３が表面３５付近に偏在する構成とすることにより、接合膜３に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜３に、接合を担う機能の他に、熱伝導性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。換言すれば、脱離基３０３が、接合膜３の熱伝導性等の特性を阻害してしまうのを確実に防止することができる。

以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＰｂ等が挙げられる。中でも、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）およびＳｂ（アンチモン）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜３を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、接合膜３は、優れた熱伝導性を発揮するものとなる。

より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ_２）等が挙げられる。
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。

また、接合膜３中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、放熱体２と反射板４とをより強固に接合することができるようになる。
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。

かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、放熱体２と反射板４との接着性をより高度なものとすることができる。

なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。

以上のことを考慮すると、接合膜３としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ_２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。

かかる構成の接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜３は、放熱体２に対して特に強固に接着するとともに、反射板４に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、放熱体２と反射板４とを強固に接合することができる。
また、接合膜３の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、接合膜３の熱伝導性を十分に確保しつつ、放熱体２と反射板４とをより強固に接合することができる。

すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合膜３の熱伝導性が著しく低下するおそれがある。
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、放熱体２の接合面（接合膜３を成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、放熱体２と反射板４とを貼り合わせた際に、接合膜３の反射板４に対する密着性を高めることができる。

なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３は、接合膜３のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、脱離基３０３を接合膜３の表面３５付近に偏在させる場合には、例えば、Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。

以下、ＡおよびＢの方法を用いて、放熱体２の表面上に接合膜３を成膜する場合について、詳述する。
＜Ａ＞ Ａの方法では、接合膜３は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を放熱体２に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができる。このため、接合膜３のほぼ全体にわたって脱離基３０３を導入することができる。

また、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜３を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、反射板４に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、接合膜付き放熱体１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。

また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。

以下、ＰＶＤ法により接合膜３を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜３を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、放熱体２上にイオンビームスパッタリング法により接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。
図１２は、本実施形態にかかる接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図１３は、図１２に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。なお、以下の説明では、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１２に示す成膜装置２００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜３の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、放熱体２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に設置され、チャンバー２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。

また、チャンバー２１１には、チャンバー２１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段２６０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー２１２は、チャンバー２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、回動可能となっている。これにより、放熱体２上に接合膜３を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。

イオン源（イオン銃）２１５は、図１３に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室２５６と、イオン発生室２５６内に設けられたフィラメント２５７と、グリッド２５３、２５４と、イオン発生室２５６の外側に設置された磁石２５５とを有している。
また、イオン発生室２５６には、図１２に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源２１９が接続されている。

このイオン源２１５では、イオン発生室２５６内に、ガス供給源２１９からガスを供給した状態で、フィラメント２５７を通電加熱すると、フィラメント２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石２５５の磁場によって運動し、イオン発生室２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ^＋は、グリッド２５３とグリッド２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室２５６内から引き出されるとともに加速され、開口２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源２１５から放出（照射）される。

イオン源２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット２１６の表面に衝突し、ターゲット２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置２００では、イオン源２１５は、その開口２５０がチャンバー２１１内に位置するように、チャンバー２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源２１５は、チャンバー２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置２００の小型化を図ることができる。

また、イオン源２１５は、その開口２５０が、基板ホルダー２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる。イオン源２１５を複数設置することにより、接合膜３の成膜速度をより速くすることができる。

また、ターゲットホルダー２１７および基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター２２０および第２のシャッター２２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット２１６、放熱体２および接合膜３が、不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。

また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段２６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ２６４と、ガスボンベ２６４からこのガスをチャンバー２１１に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６２およびバルブ２６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー２１１内に供給し得るようになっている。

以上のような構成の成膜装置２００を用いて、以下のようにして接合膜３が形成される。
ここでは、放熱体２上に接合膜３を成膜する方法について説明する。
まず、放熱体２を用意し、この放熱体２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。

次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
さらに、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。

脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。

次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。

このガスのイオンＩ^＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー２１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー２１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が放熱体２上に堆積することにより、接合膜３が形成される。

なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ⁻が発生するが、この電子ｅ⁻は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、ほぼ全体にわたって脱離基３０３が存在する接合膜３を成膜することができる。

＜Ｂ＞ 一方、Ｂの方法では、接合膜３は、上記のように、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。

ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。

また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、放熱体２上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。

さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニーリング）する方法、Ｂ２：イオン・インプランテーション等が挙げられるが、中でも、特に、Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。

以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理（アニーリング）することにより、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｂの方法を用いて接合膜３の成膜する場合も、Ａの方法を用いて接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。

［ｉ］ まず、放熱体２を用意する。そして、この放熱体２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
［ii］ 次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内を加熱する。チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。

［iii］ 次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。

このガスのイオンＩ^＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、放熱体２上に堆積して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。

なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ⁻が発生するが、この電子ｅ⁻は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。

［iv］ 次に、第２のシャッター２２１を開いた状態で、第１のシャッター２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内をさらに加熱する。チャンバー２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程［v］において、放熱体２および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。

［v］ 次に、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前記工程［iv］でチャンバー２１１内が加熱された状態で、チャンバー２１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜３が形成される。

脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
なお、チャンバー２１１内は、前記工程［ii］において、排気手段２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程［ii］の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。

この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。

導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面３５付近に脱離基３０３が偏在する接合膜３を成膜することができる。
以上のような第４実施形態にかかる接合膜付き放熱体１および反射型液晶表示装置１０においても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。

＜第５実施形態＞
次に、本発明の接合膜付き放熱体、被着体と放熱体との接合方法および表示装置の各第５実施形態について説明する。
以下、表示装置の第５実施形態について説明するが、前記第１実施形態ないし前記第４実施形態にかかる表示装置との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

本実施形態にかかる接合膜付き放熱体および表示装置は、各接合膜の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる表示装置は、接合膜３がエネルギー付与前の状態で、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３から脱離し、接合膜３の少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面に、前記第１実施形態と同様の接着性が発現する。

以下、本実施形態にかかる接合膜３について説明する。
接合膜３は、図１０に示すように、放熱体２の表面上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３の結合手が切れて接合膜３の少なくとも表面３５付近から脱離し、図１１に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面３５に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜３を備えた放熱体２は、反射板４に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。

また、接合膜３は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、熱伝導性の高いものとなる。このため、接合膜３は、反射板４が持つ熱を、放熱体２へと効率よく伝えることができる。
また、接合膜３は、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる反射型液晶表示装置１０においても、寸法精度が高いものが得られる。

このような接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。

具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。

ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３の熱伝導性をより高めることができる。

また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜３は、特に優れた熱伝導性を発揮するものとなる。また、接合膜３を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜３を成膜することができる。

また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜３から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。

具体的には、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。

より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。

また、かかる構成の接合膜３において、金属原子と炭素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、放熱体２と反射板４とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜３に優れた熱伝導性を発揮させることができる。

また、接合膜３の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、接合膜３の熱伝導性を十分に確保しつつ、放熱体２と反射板４とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合膜３の熱伝導性が著しく低下するおそれがある。

さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、放熱体２の接合面（接合膜３を成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、放熱体２と反射板４とを貼り合わせた際に、接合膜３の反射板４に対する密着性を高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３の厚さをできるだけ厚くすればよい。

以上説明したような接合膜３は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、IIａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体または表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜３を形成する方法、IIｂ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法（積層させる方法あるいは、単原子層からなる接合層を形成）、IIｃ：金属原子と脱離基３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として適切な溶媒に溶解させスピンコート法などを用いて接合膜を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、IIｂの方法により接合膜３を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜３を形成することができる。

以下、IIｂの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法により、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置４００について説明する。

図１４は、本実施形態において、接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１４に示す成膜装置４００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜３の形成をチャンバー４１１内で行えるように構成されている。

具体的には、成膜装置４００は、チャンバー（真空チャンバー）４１１と、このチャンバー４１１内に設置され、放熱体２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）４１２と、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段４６０と、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段４７０と、チャンバー４１１内の排気をして圧力を制御する排気手段４３０と、基板ホルダー４１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。

基板ホルダー４１２は、本実施形態では、チャンバー４１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー４１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、放熱体２上に接合膜３を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー４１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター４２１が配設されている。このシャッター４２１は、放熱体２および接合膜３が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。

有機金属材料供給手段４６０は、チャンバー４１１に接続されている。この有機金属材料供給手段４６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽４６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ４６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４６１と、ガス供給ライン４６１の途中に設けられたポンプ４６４およびバルブ４６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段４６０では、貯留槽４６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ４６３を開放した状態で、ポンプ４６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ４６５から貯留槽４６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン４６１内を通過してチャンバー４１１内に供給されるようになっている。

なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
また、本実施形態では、ガス供給手段４７０がチャンバー４１１に接続されている。ガス供給手段４７０は、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ４７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４７１と、ガス供給ライン４７１の途中に設けられたポンプ４７４およびバルブ４７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段４７０では、バルブ４７３を開放した状態で、ポンプ４７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ４７５から、供給ライン４７１を介して、チャンバー４１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段４７０をかかる構成とすることにより、チャンバー４１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜３を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜３が成膜される。

チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス、一酸化窒素、一酸化二窒素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜３に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜３を成膜することができる。その結果、この接合膜３は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。

また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段４３０は、ポンプ４３２と、ポンプ４３２とチャンバー４１１とを連通する排気ライン４３１と、排気ライン４３１の途中に設けられたバルブ４３３とで構成されており、チャンバー４１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置４００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして放熱体２上に接合膜３が形成される。

［ｉ］ まず、放熱体２を用意する。そして、この放熱体２を成膜装置４００のチャンバー４１１内に搬入し、基板ホルダー４１２に装着（セット）する。
［ii］ 次に、排気手段４３０を動作させ、すなわちポンプ４３２を作動させた状態でバルブ４３３を開くことにより、チャンバー４１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。

また、ガス供給手段４７０を動作させ、すなわちポンプ４７４を作動させた状態でバルブ４７３を開くことにより、チャンバー４１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段４７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。

さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー４１２を加熱する。基板ホルダー４１２の温度は、形成する接合膜３の種類、すなわち、接合膜３を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜６００℃程度であるのが好ましく、１００〜４５０℃程度であるのがより好ましく、２００〜３００℃程度であるのがさらに好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜３を成膜することができる。

［iii］ 次に、シャッター４２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽４６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ４６４を動作させるとともに、バルブ４６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。

このように、前記工程［ii］で基板ホルダー４１２が加熱された状態で、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、放熱体２上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、放熱体２上に接合膜３を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜３を放熱体２上に形成することができる。

このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ_３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ_２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］等、各種遷移金属元素を含んだアミド系、アセチルアセトネート系、アルコキシ系、シリコンを含むシリル系、カルボキシル基をもつカルボニル系のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜３を確実に形成することができる。

また、本実施形態では、ガス供給手段４７０を動作させることにより、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、放熱体２上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。

気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜３を成膜することができる。
以上のように、接合膜３を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜３を成膜することができる。

なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜３に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、接合膜３を成膜することができる。
以上のような第５実施形態にかかる接合膜付き放熱体１および反射型液晶表示装置１０においても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。

以上、本発明の接合膜付き放熱体、被着体と放熱体との接合方法および表示装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の被着体と放熱体との接合方法は、前記各実施形態のうち、任意の１つまたは２つ以上を組み合わせたものであってもよい。
また、本発明の被着体と放熱体との接合方法では、必要に応じて、１以上の任意の目的の工程を追加してもよい。

また、前記各実施形態では、表示装置として反射型液晶表示装置を代表に説明しているが、本発明の表示装置は、透過型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、液晶プロジェクタ、有機ＥＬ表示装置、無機ＥＬ表示装置、電気泳動表示装置、プラズマディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等の各種表示装置にも適用できる。
また、本発明の接合膜付き放熱体は、例えば、半導体素子、電源装置等のデバイスに放熱体を設ける際にも適用できる。

具体的には、図１５（ａ）に示すように、絶縁基板９上に搭載されたＬＳＩのような半導体素子８の上面に、前記各実施形態と同様にして、本発明の接合膜付き放熱体１を貼り合わせる。これにより、図１５（ｂ）に示すように、半導体素子８と、その表面に接合膜３を介して接合された放熱体２とを有する半導体装置８０が得られる。
かかる半導体装置８０は、半導体素子８が持つ熱を、放熱体２に効率よく伝えることができる。これにより、この熱を放熱体２から効率よく放熱させることができ、半導体素子８の温度が高くなり過ぎるのを防止することができる。その結果、信頼性の高い半導体装置８０を得ることができる。

１……接合膜付き放熱体 ２……放熱体 ２１……吸熱部 ２２……放熱部 ２５……上面 ３……接合膜 ３０１……Ｓｉ骨格 ３０２……シロキサン結合 ３０３……脱離基 ３０４……活性手 ３５……表面 ４……反射板 ５……液晶層 ６……基板 ７……液晶表示素子 ８……半導体素子 ８０……半導体装置 ９……絶縁基板 １０……反射型液晶表示装置 １００……プラズマ重合装置 １０１……チャンバー １０２……接地線 １０３……供給口 １０４……排気口 １３０……第１の電極 １３９……静電チャック １４０……第２の電極 １７０……ポンプ １７１……圧力制御機構 １８０……電源回路 １８２……高周波電源 １８３……マッチングボックス １８４……配線 １９０……ガス供給部 １９１……貯液部 １９２……気化装置 １９３……ガスボンベ １９４……配管 １９５……拡散板 ２００……成膜装置 ２１１……チャンバー ２１２……基板ホルダー ２１５……イオン源 ２１６……ターゲット ２１７……ターゲットホルダー ２１９……ガス供給源 ２２０……第１のシャッター ２２１……第２のシャッター ２３０……排気手段 ２３１……排気ライン ２３２……ポンプ ２３３……バルブ ２５０……開口 ２５３……グリッド ２５４……グリッド ２５５……磁石 ２５６……イオン発生室 ２５７……フィラメント ２６０……ガス供給手段 ２６１……ガス供給ライン ２６２……ポンプ ２６３……バルブ ２６４……ガスボンベ ４００……成膜装置 ４１１……チャンバー ４１２……基板ホルダー ４２１……シャッター ４３０……排気手段 ４３１……排気ライン ４３２……ポンプ ４３３……バルブ ４６０……有機金属材料供給手段 ４６１……ガス供給ライン ４６２……貯留槽 ４６３……バルブ ４６４……ポンプ ４６５……ガスボンベ ４７０……ガス供給手段 ４７１……ガス供給ライン ４７３……バルブ ４７４……ポンプ ４７５……ガスボンベ

Claims (8)

1. 放熱体と、
   該放熱体の表面上に気相成膜法により成膜された接合膜と、を有し、
   前記接合膜は、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
   前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与し、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、被着体との接着性が発現するものであることを特徴とする接合膜付き放熱体。
2. 前記接合膜中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１に記載の接合膜付き放熱体。
3. 放熱体と、
   該放熱体の表面上に気相成膜法により成膜された接合膜と、を有し、
   前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
   前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与し、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が当該接合膜から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、被着体との接着性が発現するものであることを特徴とする接合膜付き放熱体。
4. 前記接合膜中の金属原子と炭素原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項３に記載の接合膜付き放熱体。
5. 前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍである請求項１ないし４のいずれかに記載の接合膜付き放熱体。
6. 被着体と、請求項１ないし５のいずれかに記載の接合膜付き放熱体とを用意する工程と、
   前記接合膜付き放熱体の前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与する工程と、
   前記被着体と前記接合膜とが密着するように、前記被着体と前記接合膜付き放熱体とを貼り合わせて接合する工程と、
   を有することを特徴とする被着体と放熱体との接合方法。
7. 被着体と、請求項１ないし５のいずれかに記載の接合膜付き放熱体とを用意する工程と、
   前記被着体と前記接合膜とが密着するように、前記被着体と前記接合膜付き放熱体とを重ね合わせて、仮接合体を得る工程と、
   前記仮接合体中の前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記被着体と前記接合膜付き放熱体とを接合する工程と、
   を有することを特徴とする被着体と放熱体との接合方法。
8. 前記被着体と、請求項１ないし５のいずれかに記載の接合膜付き放熱体と、
   を有し、
   前記被着体が表示素子であることを特徴とする表示装置。

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