JP5413304B2 - Touch panel sensor and laminate for producing touch panel sensor - Google Patents

Touch panel sensor and laminate for producing touch panel sensor Download PDF

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Description

本発明は、タッチパネルセンサ、およびタッチパネルセンサを作製するための積層体に関する。   The present invention relates to a touch panel sensor and a laminate for producing a touch panel sensor.

今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線およびFPC(フレキシブルプリント基板)を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等(例えば、券売機、ATM装置、携帯電話、ゲーム機)に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置において、タッチパネルセンサは表示装置の表示面上に配置され、これにより、タッチパネル装置は表示装置に対する極めて直接的な入力を可能にする。タッチパネルセンサのうちの表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルセンサのこの領域が、接触位置(接近位置)を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。   Today, touch panel devices are widely used as input means. The touch panel device includes a touch panel sensor, a control circuit that detects a contact position on the touch panel sensor, wiring, and an FPC (flexible printed circuit board). In many cases, the touch panel device is used together with the display device as an input means for various devices including a display device such as a liquid crystal display or a plasma display (for example, a ticket vending machine, an ATM device, a mobile phone, a game machine). ing. In such a device, the touch panel sensor is disposed on the display surface of the display device, thereby enabling the touch panel device to perform a very direct input to the display device. The area | region which faces the display area of the display apparatus among touch panel sensors is transparent, This area | region of a touch panel sensor comes to comprise the active area which can detect a contact position (approach position).

タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ上への接触位置(接近位置)を検出する原理に基づいて、種々の形式に区別され得る。昨今では、光学的に明るいこと、意匠性があること、構造が容易であること、機能的にも優れていること等の理由から、容量結合方式のタッチパネル装置が注目されている。容量結合方式のタッチパネル装置においては、位置を検知されるべき外部導体(典型的には、指)が誘電体を介してタッチパネルセンサに接触(接近)することにより、新たに奇生容量が発生し、この静電容量の変化を利用して、タッチパネルセンサ上における対象物の位置を検出するようになっている。容量結合方式には表面型と投影型とがあるが、マルチタッチの認識(多点認識)への対応に適していることから、投影型が注目を浴びている(例えば、特許文献1)。   The touch panel device can be classified into various types based on the principle of detecting a contact position (approach position) on the touch panel sensor. In recent years, capacitive touch panel devices have attracted attention because they are optically bright, have good design properties, have a simple structure, and are superior in function. In a capacitively coupled touch panel device, a strange capacitance is newly generated when an external conductor (typically a finger) whose position is to be detected contacts (approaches) the touch panel sensor via a dielectric. The position of the object on the touch panel sensor is detected using the change in capacitance. The capacitive coupling method includes a surface type and a projection type. The projection type is attracting attention because it is suitable for multi-touch recognition (multi-point recognition) (for example, Patent Document 1).

投影型容量結合方式のタッチパネルセンサは、誘電体と、誘電体の両側に異なるパターンでそれぞれ形成された第1センサ電極および第2センサ電極と、を有している。典型的には、第1センサ電極および第2センサ電極は、格子状に配列された透明導電体を有し、外部導体(典型的には、指)がタッチパネルセンサに接触または接近した際に生じる、電磁的な変化または静電容量の変化に基づき、透明導電体の位置を検出するようになっている。   A projected capacitively coupled touch panel sensor includes a dielectric and first and second sensor electrodes formed in different patterns on both sides of the dielectric. Typically, the first sensor electrode and the second sensor electrode have transparent conductors arranged in a grid, and are generated when an outer conductor (typically a finger) contacts or approaches the touch panel sensor. The position of the transparent conductor is detected based on electromagnetic change or capacitance change.

このような投影型容量結合方式のタッチパネルセンサは、一般に、第1透明基板に第1アンダーコート層を介して第1透明導電層が形成された第1フィルムと、第2透明基板に第2アンダーコート層を介して第2透明導電層が形成された第2フィルムとを粘着層により接合することで作製されている(例えば、特許文献2)。特許文献2において、各アンダーコート層は、低屈折率層と、低屈折率層よりも光屈折率が高い高屈折率層とを含む積層体から構成されている。   Such a projected capacitively coupled touch panel sensor generally includes a first film in which a first transparent conductive layer is formed on a first transparent substrate via a first undercoat layer, and a second undercoat on a second transparent substrate. It is produced by bonding a second film on which a second transparent conductive layer is formed via a coat layer with an adhesive layer (for example, Patent Document 2). In Patent Document 2, each undercoat layer is composed of a laminate including a low refractive index layer and a high refractive index layer having a higher optical refractive index than the low refractive index layer.

投影型容量結合方式のタッチパネルセンサにおいて、一般に、透明導電体の光屈折率は比較的に大きく、このため、タッチパネルセンサのうち透明導電体が配列されている領域と透明導電体が配列されていない領域との間における光の透過率および反射率の差が大きくなる場合がある。このように領域間における光の透過率および反射率の差が大きい場合、透明導電体のパターンがタッチパネルセンサの使用者から視認されることになり、意匠上の観点から好ましくない。このような課題を解決するため、例えば特許文献2においては、粘着層として用いる材料の光屈折率を適宜調整することにより、領域間における光の反射率の差が低減されたタッチパネルセンサが提案されている。   In a projected capacitively coupled touch panel sensor, generally, the optical refractive index of a transparent conductor is relatively large. For this reason, the region where the transparent conductor is arranged in the touch panel sensor and the transparent conductor are not arranged. There may be a case where a difference in light transmittance and reflectance between the regions becomes large. Thus, when the difference of the transmittance | permeability and the reflectance of light between area | regions is large, the pattern of a transparent conductor will be visually recognized from the user of a touch panel sensor, and it is unpreferable from a design viewpoint. In order to solve such a problem, for example, Patent Document 2 proposes a touch panel sensor in which a difference in light reflectance between regions is reduced by appropriately adjusting a light refractive index of a material used as an adhesive layer. ing.

特表2007−533044号公報Special Table 2007-533044 特開2008−98169号公報JP 2008-98169 A

ところで、昨今においては、タッチパネル装置およびタッチパネルセンサに対して、薄型化および光学特性の向上が要望されている。しかしながら、特許文献2に記載のタッチパネルセンサにおいては、二枚のフィルムセンサが貼り合わされるとともに、二枚のフィルムセンサ間に粘着層(OCA、Optical Compensation Adhesive)が介在されているため、タッチパネルセンサの厚みが厚くなるだけでなく、透過光に対して光学的作用を及ぼし得る界面の数を増やしてしまう。この結果、表示装置からの映像光の透過率を低下させてしまうとともに、表示装置が表示する映像の画質を劣化させてしまう。また、粘着層を多く用いることにより製造コストも増大する。   By the way, in recent years, thinning and improvement of optical characteristics are desired for touch panel devices and touch panel sensors. However, in the touch panel sensor described in Patent Document 2, two film sensors are bonded together, and an adhesive layer (OCA, Optical Compensation Adhesive) is interposed between the two film sensors. Not only is the thickness increased, but the number of interfaces that can exert an optical effect on the transmitted light is increased. As a result, the transmittance of the image light from the display device is lowered, and the image quality of the image displayed by the display device is deteriorated. In addition, the manufacturing cost is increased by using a large amount of the adhesive layer.

本発明は、このような課題を効果的に解決し得るタッチパネルセンサ、並びに、タッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the laminated body used in order to produce the touchscreen sensor which can solve such a subject effectively, and a touchscreen sensor.

本発明によるタッチパネルセンサは、基材フィルムと、基材フィルムの一方の側の面上にパターニングされた第1透明導電体と、を備え、基材フィルムは、透明なフィルム本体と、フィルム本体の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1アンダーコート層と、第1アンダーコート層の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1高屈折率層と、第1高屈折率層の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1低屈折率層と、を有し、第1透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第1高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ基材フィルムの第1低屈折率層および第1アンダーコート層の光屈折率よりも大きく、第1高屈折率層は、その厚みが3.6〜8.3nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が、波長550nmの光に対して2.18+0.22/−0.26の範囲内となっており、波長400nmの光に対して2.36+0.22/−0.26の範囲内となっていることを特徴とするタッチパネルセンサである。   A touch panel sensor according to the present invention includes a base film and a first transparent conductor patterned on a surface on one side of the base film, and the base film includes a transparent film main body and a film main body. A first undercoat layer provided on the surface on the first transparent conductor side; a first high refractive index layer provided on the surface on the first transparent conductor side of the first undercoat layer; A first low refractive index layer provided on a surface of the refractive index layer on the first transparent conductor side, and the light refractive index of the first transparent conductor is the first high refractive index layer of the base film. Of the first low refractive index layer and the first undercoat layer of the base film, and the first high refractive index layer has a thickness of 3.6-8. The light refractive index is within the range of 3 nm and the light refractive index is 550 nm. The touch panel is in the range of 2.18 + 0.22 / −0.26, and is in the range of 2.36 + 0.22 / −0.26 for light having a wavelength of 400 nm. It is a sensor.

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、好ましくは、前記第1透明導電体は、その厚みが12〜23nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が、波長550nmの光に対して1.97+0.13/−0.25の範囲内となっており、波長400nmの光に対して2.12+0.13/−0.25の範囲内となっている。   In the touch panel sensor according to the present invention, preferably, the first transparent conductor has a thickness in a range of 12 to 23 nm, and a light refractive index of 1.97 + 0. It is within the range of 13 / −0.25, and is within the range of 2.12 + 0.13 / −0.25 with respect to light having a wavelength of 400 nm.

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、好ましくは、前記第1低屈折率層は、その厚みが41〜87nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が1.30〜1.67の範囲内となっている。   In the touch panel sensor according to the present invention, preferably, the first low refractive index layer has a thickness in the range of 41 to 87 nm and a light refractive index in the range of 1.30 to 1.67. It has become.

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、好ましくは、第1アンダーコート層は、その厚みが600〜10000nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が1.35〜1.67の範囲内となっている。   In the touch panel sensor according to the present invention, preferably, the first undercoat layer has a thickness in the range of 600 to 10000 nm and a light refractive index in the range of 1.35 to 1.67. Yes.

本発明によるタッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体は、基材フィルムと、基材フィルムの一方の側の面上に設けられた第1透明導電層と、を備え、基材フィルムは、透明なフィルム本体と、フィルム本体の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1アンダーコート層と、第1アンダーコート層の前記第1透明導電層側の面上に設けられた第1高屈折率層と、第1高屈折率層の前記第1透明導電層側の面上に設けられた第1低屈折率層と、を有し、第1透明導電層の光屈折率は、基材フィルムの第1高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ基材フィルムの第1低屈折率層および第1アンダーコート層の光屈折率よりも大きく、第1高屈折率層は、その厚みが3.6〜8.3nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が、波長550nmの光に対して2.18+0.22/−0.26の範囲内となっており、波長400nmの光に対して2.36+0.22/−0.26の範囲内となっていることを特徴とする積層体である。   The laminate used for producing the touch panel sensor according to the present invention includes a base film and a first transparent conductive layer provided on the surface of one side of the base film, A transparent film body, a first undercoat layer provided on the surface of the film body on the first transparent conductor side, and a first undercoat layer provided on the surface of the first undercoat layer on the first transparent conductive layer side. 1 high refractive index layer and a first low refractive index layer provided on the first transparent conductive layer side surface of the first high refractive index layer, and the optical refractive index of the first transparent conductive layer is The first high refractive index layer is smaller than the optical refractive index of the first high refractive index layer of the base film and larger than the optical refractive index of the first low refractive index layer and the first undercoat layer of the base film. Has a thickness in the range of 3.6 to 8.3 nm and its optical refractive index. It is in the range of 2.18 + 0.22 / −0.26 for light with a wavelength of 550 nm, and is in the range of 2.36 + 0.22 / −0.26 for light with a wavelength of 400 nm. It is the laminated body characterized by this.

本発明によるタッチパネルセンサは、基材フィルムと、基材フィルムの一方の側の面上にパターニングされた第1透明導電体と、基材フィルムの他方の側の面上にパターニングされた第2透明導電体と、を備え、基材フィルムは、透明なフィルム本体と、フィルム本体の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1アンダーコート層と、第1アンダーコート層の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1高屈折率層と、第1高屈折率層の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1低屈折率層と、フィルム本体の前記第2透明導電体側の面上に設けられた第2アンダーコート層と、第2アンダーコート層の前記第2透明導電体側の面上に設けられた第2高屈折率層と、第2高屈折率層の前記第2透明導電体側の面上に設けられた第2低屈折率層と、を有し、第1透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第1高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ基材フィルムの第1低屈折率層および第1アンダーコート層の光屈折率よりも大きく、第2透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第2高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ基材フィルムの第2低屈折率層および第2アンダーコート層の光屈折率よりも大きく、第1高屈折率層および第2高屈折率層は、その厚みが3.6〜8.3nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が、波長550nmの光に対して2.18+0.22/−0.26の範囲内となっており、波長400nmの光に対して2.36+0.22/−0.26の範囲内となっていることを特徴とするタッチパネルセンサである。   The touch panel sensor according to the present invention includes a base film, a first transparent conductor patterned on one side of the base film, and a second transparent patterned on the other side of the base film. And a base film is a transparent film body, a first undercoat layer provided on a surface of the film body on the first transparent conductor side, and the first undercoat layer first. A first high refractive index layer provided on the surface of the transparent conductor, a first low refractive index layer provided on the first transparent conductor side of the first high refractive index layer, and the film body A second undercoat layer provided on the second transparent conductor side surface, a second high refractive index layer provided on the second transparent conductor side surface of the second undercoat layer, and a second high refractive index. Second layer provided on the surface of the second transparent conductor side of the rate layer A refractive index layer, wherein the first transparent conductor has a light refractive index smaller than that of the first high refractive index layer of the base film, and the first low refractive index layer of the base film and The light refractive index of the second transparent conductor is larger than the light refractive index of the first undercoat layer, the light refractive index of the second high refractive index layer of the base film, and the second low refractive index of the base film. It is larger than the optical refractive index of the refractive index layer and the second undercoat layer, and the first high refractive index layer and the second high refractive index layer have a thickness in the range of 3.6 to 8.3 nm, The optical refractive index is in the range of 2.18 + 0.22 / −0.26 for light with a wavelength of 550 nm, and 2.36 + 0.22 / −0.26 for light with a wavelength of 400 nm. It is a touch panel sensor characterized by being in the range.

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、好ましくは、前記第1透明導電体および前記第2透明導電体は、その厚みが12〜23nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が、波長550nmの光に対して1.97+0.13/−0.25の範囲内となっており、波長400nmの光に対して2.12+0.13/−0.25の範囲内となっている。   In the touch panel sensor according to the present invention, preferably, the first transparent conductor and the second transparent conductor have a thickness in a range of 12 to 23 nm and a light refractive index of light having a wavelength of 550 nm. In contrast, it is in the range of 1.97 + 0.13 / −0.25, and in the range of 2.12 + 0.13 / −0.25 for light having a wavelength of 400 nm.

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、好ましくは、前記第1低屈折率層および前記第2低屈折率層は、その厚みが41〜87nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が1.30〜1.67の範囲内となっている。   In the touch panel sensor according to the present invention, preferably, the first low refractive index layer and the second low refractive index layer have a thickness in the range of 41 to 87 nm and a light refractive index of 1.30. It is in the range of ˜1.67.

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、好ましくは、第1アンダーコート層および第2アンダーコート層は、その厚みが600〜10000nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が1.35〜1.67の範囲内となっている。   In the touch panel sensor according to the present invention, preferably, the first undercoat layer and the second undercoat layer have a thickness in the range of 600 to 10000 nm and an optical refractive index of 1.35 to 1.67. It is within the range.

本発明によるタッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体は、基材フィルムと、基材フィルムの一方の側の面上に設けられた第1透明導電層と、基材フィルムの他方の側の面上に設けられた第2透明導電層と、を備え、基材フィルムは、透明なフィルム本体と、フィルム本体の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1アンダーコート層と、第1アンダーコート層の前記第1透明導電層側の面上に設けられた第1高屈折率層と、第1高屈折率層の前記第1透明導電層側の面上に設けられた第1低屈折率層と、フィルム本体の前記第2透明導電体側の面上に設けられた第2アンダーコート層と、第2アンダーコート層の前記第2透明導電層側の面上に設けられた第2高屈折率層と、第2高屈折率層の前記第2透明導電層側の面上に設けられた第2低屈折率層と、を有し、第1透明導電層の光屈折率は、基材フィルムの第1高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ基材フィルムの第1低屈折率層および第1アンダーコート層の光屈折率よりも大きく、第2透明導電層の光屈折率は、基材フィルムの第2高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ基材フィルムの第2低屈折率層および第2アンダーコート層の光屈折率よりも大きく、第1高屈折率層および第2高屈折率層は、その厚みが3.6〜8.3nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が、波長550nmの光に対して2.18+0.22/−0.26の範囲内となっており、波長400nmの光に対して2.36+0.22/−0.26の範囲内となっていることを特徴とする積層体である。   The laminate used for producing the touch panel sensor according to the present invention includes a base film, a first transparent conductive layer provided on the surface of one side of the base film, and the other side of the base film. A second transparent conductive layer provided on the surface, the base film is a transparent film body, and a first undercoat layer provided on the surface of the film body on the first transparent conductor side, A first high refractive index layer provided on a surface of the first undercoat layer on the first transparent conductive layer side; and a first high refractive index layer provided on a surface of the first high refractive index layer on the first transparent conductive layer side. 1 low refractive index layer, a second undercoat layer provided on the surface of the film body on the second transparent conductor side, and a second undercoat layer provided on the surface of the second transparent conductive layer side On the surface of the second high refractive index layer and the second transparent conductive layer side of the second high refractive index layer The first transparent conductive layer has a light refractive index smaller than that of the first high refractive index layer of the base film, and the first refractive index layer of the base film. 1 is higher than the optical refractive index of the low refractive index layer and the first undercoat layer, the optical refractive index of the second transparent conductive layer is smaller than the optical refractive index of the second high refractive index layer of the base film, and The thickness of the first high refractive index layer and the second high refractive index layer is in the range of 3.6 to 8.3 nm, which is larger than the optical refractive index of the second low refractive index layer and the second undercoat layer of the material film. And its optical refractive index is in the range of 2.18 + 0.22 / −0.26 for light having a wavelength of 550 nm, and 2.36 + 0.22 for light having a wavelength of 400 nm. It is a laminate characterized by being in the range of /−0.26.

本発明によれば、タッチパネルセンサは、基材フィルムと、基材フィルムの一方の側の面上にパターニングされた第1透明導電体とを備えている。このうち基材フィルムは、透明なフィルム本体と、フィルム本体の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1アンダーコート層と、第1アンダーコート層の第1透明導電体側の面上に設けられた第1高屈折率層と、第1高屈折率層の第1透明導電体側の面上に設けられた第1低屈折率層とを有している。また、第1透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第1高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ基材フィルムの第1低屈折率層および第1アンダーコート層の光屈折率よりも大きくなっている。また、第1高屈折率層は、その厚みが3.6〜8.3nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が、波長550nmの光に対して2.18+0.22/−0.26の範囲内となっており、波長400nmの光に対して2.36+0.22/−0.26の範囲内となっている。このため、フィルムセンサのうち第1透明導電体がパターニングされている領域とパターニングされていない領域との間における光の透過率および反射率の差を小さくすることができる。このことにより、第1透明導電体のパターンがフィルムセンサの外部から視認されるのを防ぐことができ、これによって、フィルムセンサの意匠性を向上させることができる。   According to the present invention, the touch panel sensor includes a base film and a first transparent conductor patterned on the surface on one side of the base film. Among these, the base film is a transparent film body, a first undercoat layer provided on the surface of the film body on the first transparent conductor side, and a surface of the first undercoat layer on the first transparent conductor side. And a first low refractive index layer provided on the first transparent conductor side surface of the first high refractive index layer. The light refractive index of the first transparent conductor is smaller than the light refractive index of the first high refractive index layer of the base film, and the light of the first low refractive index layer and the first undercoat layer of the base film. It is larger than the refractive index. The first high refractive index layer has a thickness in the range of 3.6 to 8.3 nm, and its optical refractive index is 2.18 + 0.22 / −0 with respect to light having a wavelength of 550 nm. .26 and within a range of 2.36 + 0.22 / −0.26 for light having a wavelength of 400 nm. For this reason, the difference of the transmittance | permeability and the reflectance of light between the area | region where the 1st transparent conductor is patterned and the area | region where it is not patterned among film sensors can be made small. Thereby, it can prevent that the pattern of a 1st transparent conductor is visually recognized from the exterior of a film sensor, and, thereby, the design property of a film sensor can be improved.

図1は、本発明による一実施の形態を説明するための図であって、タッチパネル装置を表示装置とともに概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment according to the present invention, and schematically shows a touch panel device together with a display device. 図2は、図1のタッチパネル装置のタッチパネルセンサを表示装置ともに示す断面図である。なお、図2に示された断面は、図1のII−II線に沿った断面に概ね対応している。2 is a cross-sectional view showing the touch panel sensor of the touch panel device of FIG. 1 together with a display device. The cross section shown in FIG. 2 generally corresponds to the cross section taken along the line II-II in FIG. 図3Aは、タッチパネル装置のタッチパネルセンサを示す上面図である。FIG. 3A is a top view showing a touch panel sensor of the touch panel device. 図3Bは、図3AのIII−III線に沿った断面図である。3B is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 3A. 図4(a)は、タッチパネルセンサに含まれる基材フィルムの具体例を示す図であり、図4(b)は、基材フィルムの機能層により透過光のスペクトルが各波長域で平坦にされる様子を示す図である。Fig.4 (a) is a figure which shows the specific example of the base film contained in a touchscreen sensor, and FIG.4 (b) is that the spectrum of the transmitted light is made flat in each wavelength range by the functional layer of a base film. FIG. 図5(a)(b)(c)(d)は、タッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体を製造する方法を説明するための図である。FIGS. 5A, 5B, 5C, and 5D are views for explaining a method of manufacturing a laminated body used for manufacturing a touch panel sensor. 図6Aは、図3のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。FIG. 6A is a diagram for explaining a method of manufacturing the touch panel sensor of FIG. 3. 図6Bは、図3のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。6B is a diagram for explaining a method of manufacturing the touch panel sensor of FIG. 3. 図6Cは、図3のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。FIG. 6C is a diagram for explaining a method of manufacturing the touch panel sensor of FIG. 3. 図6Dは、図3のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。FIG. 6D is a diagram for explaining a method of manufacturing the touch panel sensor of FIG. 3. 図6Eは、図3のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。FIG. 6E is a diagram for explaining a method of manufacturing the touch panel sensor of FIG. 3. 図6Fは、図3のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。FIG. 6F is a diagram for explaining a method of manufacturing the touch panel sensor of FIG. 3. 図6Gは、図3のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。FIG. 6G is a diagram for explaining a method of manufacturing the touch panel sensor of FIG. 3. 図6Hは、図3のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。FIG. 6H is a diagram for explaining a method of manufacturing the touch panel sensor of FIG. 3. 図6Iは、図3のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。FIG. 6I is a diagram for explaining a method of manufacturing the touch panel sensor of FIG. 3. 図6Jは、図3のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。FIG. 6J is a diagram for explaining a method of manufacturing the touch panel sensor of FIG. 3. 図6Kは、図3のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。FIG. 6K is a diagram for explaining a method of manufacturing the touch panel sensor of FIG. 3. 図6Lは、図3のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。FIG. 6L is a diagram for explaining a method of manufacturing the touch panel sensor of FIG. 3. 図7は、図3のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するためのフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the touch panel sensor of FIG. 図8は、図6Fに示された工程におけるエッチングの進行を説明するための図である。FIG. 8 is a diagram for explaining the progress of etching in the process shown in FIG. 6F. 図9Aは、図6I(a)に対応する図であって、タッチパネルセンサの製造方法の一変形例を説明するための図である。FIG. 9A is a diagram corresponding to FIG. 6I (a) and is a diagram for explaining a modification of the method for manufacturing the touch panel sensor. 図9Bは、図6J(a)に対応する図であって、タッチパネルセンサの製造方法の一変形例を説明するための図である。FIG. 9B is a diagram corresponding to FIG. 6J (a) and is a diagram for explaining a modification of the method for manufacturing the touch panel sensor. 図10(a)および図10(b)は、図6C(a)および図6C(b)にそれぞれ対応する図であって、タッチパネルセンサの製造方法の一変形例を説明するための図である。10 (a) and 10 (b) are diagrams corresponding to FIGS. 6C (a) and 6C (b), respectively, for explaining a modification of the manufacturing method of the touch panel sensor. . 図11は、図3に対応する図であって、透明導電体の変形例を説明するための図である。FIG. 11 is a diagram corresponding to FIG. 3 for explaining a modification of the transparent conductor. 図12は、図3Bに対応する図であって、従来のタッチパネルセンサを示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 3B and showing a conventional touch panel sensor. 図13は、本発明によるタッチパネルセンサの高屈折率層および透明導電体において、屈折率の波長依存性の一例を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an example of the wavelength dependence of the refractive index in the high refractive index layer and the transparent conductor of the touch panel sensor according to the present invention. 図14Aは、実施例1における反射スペクトルを示す図である。FIG. 14A is a diagram showing a reflection spectrum in Example 1. FIG. 図14Bは、実施例1における反射率差を示す図である。FIG. 14B is a diagram showing a difference in reflectance in Example 1. 図15Aは、実施例1における透過スペクトルを示す図である。FIG. 15A is a diagram showing a transmission spectrum in Example 1. FIG. 図15Bは、実施例1における透過率差を示す図である。FIG. 15B is a diagram illustrating a difference in transmittance in Example 1. 図16Aは、比較例1における反射率差を示す図である。FIG. 16A is a diagram showing a difference in reflectance in Comparative Example 1. FIG. 図16Bは、比較例1における反射率差を、実施例1における反射率差とあわせて示す図である。FIG. 16B is a diagram illustrating the reflectance difference in Comparative Example 1 together with the reflectance difference in Example 1. 図17Aは、比較例1における透過率差を示す図である。FIG. 17A is a diagram showing a transmittance difference in Comparative Example 1. FIG. 図17Bは、比較例1における透過率差を、実施例1における反射率差とあわせて示す図である。FIG. 17B is a diagram illustrating the transmittance difference in Comparative Example 1 together with the reflectance difference in Example 1. 図18は、実施例2において、高屈折率層の光屈折率の変位量と、ΔY(反射)、ΔY(透過)およびb*との関係を示す図である。FIG. 18 is a diagram illustrating the relationship between the amount of displacement of the optical refractive index of the high refractive index layer and ΔY (reflection), ΔY (transmission), and b * in Example 2. 図19は、実施例3において、高屈折率層の厚みと、ΔY(反射)、ΔY(透過)およびb*との関係を示す図である。FIG. 19 is a diagram illustrating the relationship between the thickness of the high refractive index layer and ΔY (reflection), ΔY (transmission), and b * in Example 3. 図20は、実施例4において、透明導電体の光屈折率の変位量と、ΔY(反射)、ΔY(透過)およびb*との関係を示す図である。FIG. 20 is a diagram illustrating the relationship between the amount of displacement of the refractive index of the transparent conductor and ΔY (reflection), ΔY (transmission), and b * in Example 4. 図21は、実施例5において、透明導電体の厚みと、ΔY(反射)、ΔY(透過)およびb*との関係を示す図である。FIG. 21 is a diagram illustrating the relationship between the thickness of the transparent conductor and ΔY (reflection), ΔY (transmission), and b * in Example 5. 図22は、実施例6において、低屈折率層の光屈折率と、ΔY(反射)、ΔY(透過)およびb*との関係を示す図である。FIG. 22 is a diagram illustrating the relationship between the optical refractive index of the low refractive index layer and ΔY (reflection), ΔY (transmission), and b * in Example 6. 図23は、実施例7において、低屈折率層の厚みと、ΔY(反射)、ΔY(透過)およびb*との関係を示す図である。FIG. 23 is a diagram illustrating the relationship between the thickness of the low refractive index layer and ΔY (reflection), ΔY (transmission), and b * in Example 7. 図24は、実施例8において、アンダーコート層の光屈折率と、ΔY(反射)、ΔY(透過)およびb*との関係を示す図。24 is a graph showing the relationship between the optical refractive index of the undercoat layer and ΔY (reflection), ΔY (transmission), and b * in Example 8. FIG. 図25は、実施例9において、アンダーコート層の厚みと、ΔY(反射)、ΔY(透過)およびb*との関係を示す図である。FIG. 25 is a diagram showing the relationship between the thickness of the undercoat layer and ΔY (reflection), ΔY (transmission), and b * in Example 9.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。   In the drawings attached to the present specification, for the sake of illustration and ease of understanding, the scale, the vertical / horizontal dimension ratio, and the like are appropriately changed and exaggerated from those of the actual ones.

また、本件において、「シート」、「フィルム」、「板」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。したがって、例えば、「シート」はフィルムや板等とも呼ばれ得るような部材や部分も含む概念である。   Further, in the present case, the terms “sheet”, “film”, and “plate” are not distinguished from each other based only on the difference in names. Therefore, for example, a “sheet” is a concept that includes members and portions that can also be called films, plates, and the like.

タッチパネル装置
はじめに図1および図2を参照して、タッチパネル装置20全体について説明する。図1および図2に示されたタッチパネル装置20は、投影型の静電容量結合方式として構成され、タッチパネル装置20への外部導体(例えば、人間の指)の接触位置を検出可能に構成されている。なお、静電容量結合方式のタッチパネル装置20の検出感度が優れている場合には、外部導体がタッチパネル装置に接近しただけで当該外部導体がタッチパネル装置のどの領域に接近しているかを検出することができる。このような現象にともなって、ここで用いる「接触位置」とは、実際には接触していないが位置を検出され得る接近位置を含む概念とする。
Touch Panel Device First, the entire touch panel device 20 will be described with reference to FIGS. 1 and 2. The touch panel device 20 shown in FIGS. 1 and 2 is configured as a projected capacitive coupling method, and is configured to be able to detect the contact position of an external conductor (for example, a human finger) to the touch panel device 20. Yes. In addition, when the detection sensitivity of the capacitively coupled touch panel device 20 is excellent, it is possible to detect which region of the touch panel device the external conductor is approaching just by approaching the external conductor. Can do. Along with such a phenomenon, the “contact position” used here is a concept including an approach position that is not actually in contact but can be detected.

図1および図2に示すように、タッチパネル装置20は、表示装置(例えば液晶表示装置)15とともに組み合わせられて用いられ、入出力装置10を構成している。図示された表示装置15は、フラットパネルディスプレイとして構成されている。表示装置15は、表示面16aを有した表示パネル16と、表示パネル16に接続された表示制御部17と、を有している。表示パネル16は、映像を表示することができる表示領域A1と、表示領域A1を取り囲むようにして表示領域A1の外側に配置された非表示領域(額縁領域とも呼ばれる)A2と、を含んでいる。表示制御部17は、表示されるべき映像に関する情報を処理し、映像情報に基づいて表示パネル16を駆動する。表示パネル16は、表示制御部17の制御信号により、所定の映像を表示面16aに表示するようになる。すなわち、表示装置15は、文字や図等の情報を映像として出力する出力装置として役割を担っている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the touch panel device 20 is used in combination with a display device (for example, a liquid crystal display device) 15 and constitutes an input / output device 10. The illustrated display device 15 is configured as a flat panel display. The display device 15 includes a display panel 16 having a display surface 16 a and a display control unit 17 connected to the display panel 16. The display panel 16 includes a display area A1 that can display an image, and a non-display area (also referred to as a frame area) A2 that is disposed outside the display area A1 so as to surround the display area A1. . The display control unit 17 processes information regarding the video to be displayed, and drives the display panel 16 based on the video information. The display panel 16 displays a predetermined image on the display surface 16a according to a control signal from the display control unit 17. That is, the display device 15 plays a role as an output device that outputs information such as characters and drawings as video.

図1に示すように、タッチパネル装置20は、表示装置15の表示面16a上に配置されたタッチパネルセンサ30と、タッチパネルセンサ30に接続された検出制御部25と、を有している。このうちタッチパネルセンサ30は、図2に示すように、表示装置15の表示面16a上に接着層19を介して接着されている。上述したように、タッチパネル装置20は、投影型容量結合方式のタッチパネル装置として構成されており、情報を入力する入力装置としての役割を担っている。   As illustrated in FIG. 1, the touch panel device 20 includes a touch panel sensor 30 disposed on the display surface 16 a of the display device 15 and a detection control unit 25 connected to the touch panel sensor 30. Of these, the touch panel sensor 30 is bonded to the display surface 16 a of the display device 15 via an adhesive layer 19 as shown in FIG. 2. As described above, the touch panel device 20 is configured as a projected capacitively coupled touch panel device, and plays a role as an input device for inputting information.

また、図2に示すように、タッチパネル装置20は、タッチパネルセンサ30の観察者側、すなわち、表示装置15とは反対の側に、誘電体として機能する透光性を有した保護カバー12をさらに有している。保護カバー12は、タッチパネルセンサ30上に接着層14を介して接着されている。この保護カバー12は、タッチパネル装置20への入力面(タッチ面、接触面)として機能するようになる。つまり、保護カバー12に導体、例えば人間の指5を接触させることにより、タッチパネル装置20に対して外部から情報を入力することができるようになっている。また、保護カバー12は、入出力装置10の最観察者側面をなしており、入出力装置10において、タッチパネル装置20および表示装置15を外部から保護するカバーとしも機能する。   As shown in FIG. 2, the touch panel device 20 further includes a protective cover 12 having translucency that functions as a dielectric on the viewer side of the touch panel sensor 30, that is, the side opposite to the display device 15. Have. The protective cover 12 is bonded onto the touch panel sensor 30 via the adhesive layer 14. The protective cover 12 functions as an input surface (touch surface, contact surface) to the touch panel device 20. That is, information can be input from the outside to the touch panel device 20 by bringing a conductor such as a human finger 5 into contact with the protective cover 12. The protective cover 12 forms the most observer side of the input / output device 10, and also functions as a cover for protecting the touch panel device 20 and the display device 15 from the outside in the input / output device 10.

なお、上述した接着層14,19としては、種々の接着性を有した材料からなる層を用いることができる。また、本明細書において、「接着(層)」は粘着(層)をも含む概念として用いる。   In addition, as the adhesive layers 14 and 19 described above, layers made of materials having various adhesive properties can be used. In this specification, “adhesion (layer)” is used as a concept including adhesion (layer).

タッチパネル装置20の検出制御部25は、タッチパネルセンサ30に接続され、保護カバー12を介して入力された情報を処理する。具体的には、検出制御部25は、保護カバー12へ導体(典型的には、人間の指)5が接触している際に、保護カバー12への導体5の接触位置を特定し得るように構成された回路(検出回路)を含んでいる。また、検出制御部25は、表示装置15の表示制御部17と接続され、処理した入力情報を表示制御部17へ送信することもできる。この際、表示制御部17は、入力情報に基づいた映像情報を作成し、入力情報に対応した映像を表示パネル16に表示させることができる。   The detection control unit 25 of the touch panel device 20 is connected to the touch panel sensor 30 and processes information input via the protective cover 12. Specifically, the detection control unit 25 can specify the contact position of the conductor 5 with the protective cover 12 when the conductor (typically a human finger) 5 is in contact with the protective cover 12. The circuit (detection circuit) comprised in this is included. Further, the detection control unit 25 is connected to the display control unit 17 of the display device 15 and can transmit the processed input information to the display control unit 17. At this time, the display control unit 17 can create video information based on the input information and display a video corresponding to the input information on the display panel 16.

なお、「容量結合」方式および「投影型」の容量結合方式との用語は、タッチパネルの技術分野で用いられる際の意味と同様の意味を有するものとして、本件においても用いている。なお、「容量結合」方式は、タッチパネルの技術分野において「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等とも呼ばれており、本件では、これらの「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等と同義の用語として取り扱う。典型的な静電容量結合方式のタッチパネル装置は導電体層を含んでおり、外部の導体(典型的には人間の指)がタッチパネルに接触することにより、外部の導体とタッチパネル装置の導電体層との間でコンデンサ(静電容量)が形成されるようになる。そして、このコンデンサの形成にともなった電気的な状態の変化に基づき、タッチパネル上において外部導体が接触している位置の位置座標が特定されるようになる。また、「投影型」の容量結合方式は、タッチパネルの技術分野において「投影式」の容量結合方式等とも呼ばれており、本件では、この「投影式」の容量結合方式等と同義の用語として取り扱う。「投影型」の容量結合方式とは、典型的には、格子状に配列されたセンサ電極を有し、膜状の電極を有する「表面型」の容量結合方式と対比され得る。   Note that the terms “capacitive coupling” and “projection type” capacitive coupling have the same meaning as that used in the technical field of touch panels, and are used in this case. The “capacitive coupling” method is also referred to as “capacitance” method or “capacitance coupling” method in the technical field of touch panels. It is treated as a term synonymous with the “capacitive coupling” method. A typical capacitively coupled touch panel device includes a conductor layer, and an external conductor (typically a human finger) comes into contact with the touch panel, whereby the external conductor and the conductor layer of the touch panel device are contacted. A capacitor (capacitance) is formed between the two. Based on the change in the electrical state accompanying the formation of the capacitor, the position coordinates of the position where the external conductor is in contact on the touch panel are specified. The “projection type” capacitive coupling method is also referred to as “projection type” capacitive coupling method in the technical field of touch panel, and in this case, the term is synonymous with this “projection type” capacitive coupling method. handle. The “projection type” capacitive coupling method typically includes sensor electrodes arranged in a lattice pattern, and can be contrasted with a “surface type” capacitive coupling method having film-like electrodes.

タッチパネルセンサ
次に図2乃至図4を参照して、タッチパネルセンサ30について詳述する。図2に示すように、タッチパネルセンサ30は、基材フィルム32と、基材フィルム32の一方の側(観察者側)の面32a上に所定のパターンで設けられた第1透明導電体40と、基材フィルム32の他方の側(表示装置15の側)の面32b上に所定のパターンで設けられた第2透明導電体45と、を有している。
Touch Panel Sensor Next, the touch panel sensor 30 will be described in detail with reference to FIGS. As shown in FIG. 2, the touch panel sensor 30 includes a base film 32 and a first transparent conductor 40 provided in a predetermined pattern on a surface 32 a on one side (observer side) of the base film 32. And a second transparent conductor 45 provided in a predetermined pattern on the surface 32b on the other side (the display device 15 side) of the base film 32.

このうち基材フィルム32は、タッチパネルセンサ30において誘電体として機能するものである。図3Aに示すように、基材フィルム32は、タッチ位置を検出され得る領域に対応するアクティブエリアAa1と、アクティブエリアAa1に隣接する非アクティブエリアAa2と、を含んでいる。このうちアクティブエリアAa1は、図1に示すように、表示装置15の表示領域A1に対面する領域を占めており、一方、非アクティブエリアAa2は、矩形状のアクティブエリアAa1を四方から周状に取り囲むように、言い換えると、額縁状に形成されている。この非アクティブエリアAa2は、表示装置15の非表示領域A2に対面する領域に形成されている。   Among these, the base film 32 functions as a dielectric in the touch panel sensor 30. As shown in FIG. 3A, the base film 32 includes an active area Aa1 corresponding to a region where the touch position can be detected, and an inactive area Aa2 adjacent to the active area Aa1. Of these, the active area Aa1 occupies the area facing the display area A1 of the display device 15 as shown in FIG. 1, while the inactive area Aa2 extends from the four sides to the rectangular active area Aa1. In other words, it is formed in a frame shape so as to surround it. The inactive area Aa2 is formed in a region facing the non-display region A2 of the display device 15.

前述のとおり、基材フィルム32には第1透明導電体40および第2透明導電体45が設けられており、このうち基材フィルム32のアクティブエリアAa1に設けられた第1透明導電体40および第2透明導電体45により、外部導体5との間で容量結合を形成し得る第1センサ電極36aおよび第2センサ電極37aがそれぞれ形成されている(図3A参照)。後述するように、基材フィルム32、第1透明導電体40および第2透明導電体45はそれぞれ透光性を有しており、このため観察者は、これらを介して、表示装置15に表示された映像を観察することができる。   As described above, the base film 32 is provided with the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45, and among these, the first transparent conductor 40 provided in the active area Aa1 of the base film 32 and The second transparent conductor 45 forms a first sensor electrode 36a and a second sensor electrode 37a that can form capacitive coupling with the outer conductor 5 (see FIG. 3A). As will be described later, each of the base film 32, the first transparent conductor 40, and the second transparent conductor 45 has a light-transmitting property, so that the observer can display on the display device 15 through these. Can be observed.

一方、図3Aに示すように、基材フィルム32の非アクティブエリアAa2に設けられた第1透明導電体40および第2透明導電体45により、第1センサ電極36aおよび第2センサ電極37aとの電気的接続を有する第1取出配線36bおよび第2取出配線37bがそれぞれ形成されている。取出配線36b,37bは、その一端においてセンサ電極36a,37aに接続され、また、その他端において、外部導体5の表示面16aへの接触位置を検出するように構成された検出制御部25の検出回路に電気的に接続されている。   On the other hand, as shown in FIG. 3A, the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 provided in the non-active area Aa2 of the base film 32 are connected to the first sensor electrode 36a and the second sensor electrode 37a. A first extraction wiring 36b and a second extraction wiring 37b each having an electrical connection are formed. The extraction wirings 36b and 37b are connected to the sensor electrodes 36a and 37a at one end, and are detected by a detection control unit 25 configured to detect the contact position of the external conductor 5 with respect to the display surface 16a at the other end. It is electrically connected to the circuit.

なお図3Aおよび図3Bに示すように、第1取出配線36bは、第1透明導電体40の一部分上に設けられた第1取出導電体43を更に含んでいてもよい。同様に、第2取出配線37bは、第2透明導電体45の一部分上に設けられた第2取出導電体48(後に図5(d)にて示す)を更に含んでいてもよい。ここで、第1取出導電体43の比抵抗は第1透明導電体40の比抵抗よりも小さくなっており、また第2取出導電体48の比抵抗は第2透明導電体45の比抵抗よりも小さくなっている。このため、第1取出配線36bおよび第2取出配線37bが第1取出導電体43および第2取出導電体48を更に含むことにより、センサ電極36a,37aからの電気信号をより効率良く検出制御部25の検出回路に伝導させることができる。   As shown in FIGS. 3A and 3B, the first extraction wiring 36 b may further include a first extraction conductor 43 provided on a part of the first transparent conductor 40. Similarly, the second extraction wiring 37 b may further include a second extraction conductor 48 (shown later in FIG. 5D) provided on a part of the second transparent conductor 45. Here, the specific resistance of the first extraction conductor 43 is smaller than the specific resistance of the first transparent conductor 40, and the specific resistance of the second extraction conductor 48 is higher than the specific resistance of the second transparent conductor 45. Is also getting smaller. For this reason, the first extraction wiring 36b and the second extraction wiring 37b further include the first extraction conductor 43 and the second extraction conductor 48, thereby more efficiently detecting the electric signals from the sensor electrodes 36a and 37a. It can be conducted to 25 detection circuits.

また図3Bに示すように、第1取出配線36bにおいて、第1透明導電体40と第1取出導電体43との間に第1中間層61が介在されていてもよい。同様に、第2取出配線37bにおいて、第2透明導電体45と第2取出導電体48との間に第2中間層66(後に図5(d)にて示す)が介在されていてもよい。さらに、図3Bに示すように、第1取出配線36bにおいて、第1取出導電体43上に第1保護層62が設けられていてもよい。同様に、第2取出配線37bにおいて、第2取出導電体48上に第2保護層67(後に図5(d)にて示す)が設けられていてもよい。   Further, as shown in FIG. 3B, a first intermediate layer 61 may be interposed between the first transparent conductor 40 and the first extraction conductor 43 in the first extraction wiring 36 b. Similarly, in the second extraction wiring 37b, a second intermediate layer 66 (shown later in FIG. 5D) may be interposed between the second transparent conductor 45 and the second extraction conductor 48. . Further, as shown in FIG. 3B, a first protective layer 62 may be provided on the first extraction conductor 43 in the first extraction wiring 36b. Similarly, a second protective layer 67 (shown later in FIG. 5D) may be provided on the second extraction conductor 48 in the second extraction wiring 37b.

次に、タッチパネルセンサ30を構成する各要素についてさらに詳述する。   Next, each element constituting the touch panel sensor 30 will be described in detail.

透明導電体
はじめに、第1透明導電体40および第2透明導電体45について詳述する。第1透明導電体40および第2透明導電体45は、導電性を有した材料から形成され、外部導体5の保護カバー12への接触位置を検出するように構成された検出制御部25の検出回路に電気的に接続されている。第1透明導電体40は、基材フィルム32のアクティブエリアAa1に配置された多数の第1センサ部(第1センサ導電体、センサ電極)41と、各第1センサ部41にそれぞれ接続され基材フィルム32の非アクティブエリアAa2に配置された多数の第1接続部(第1端子導電体)42と、を有している。同様に、第2透明導電体45は、基材フィルム32のアクティブエリアAa1に配置された多数の第2センサ部(第2センサ導電体、センサ電極)46と、各第2センサ部46にそれぞれ接続され基材フィルム32の非アクティブエリアAa2に配置された多数の第2接続部(第2端子導電体)47と、を有している。
Transparent conductor First, the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 will be described in detail. The first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 are made of a conductive material, and are detected by the detection control unit 25 configured to detect the contact position of the outer conductor 5 with the protective cover 12. It is electrically connected to the circuit. The first transparent conductor 40 is connected to a plurality of first sensor parts (first sensor conductors, sensor electrodes) 41 arranged in the active area Aa1 of the base film 32 and the first sensor parts 41, respectively. And a large number of first connection portions (first terminal conductors) 42 disposed in the inactive area Aa2 of the material film 32. Similarly, the second transparent conductor 45 is provided in each of the second sensor units (second sensor conductors, sensor electrodes) 46 arranged in the active area Aa1 of the base film 32 and each second sensor unit 46. A large number of second connection portions (second terminal conductors) 47 that are connected and arranged in the inactive area Aa2 of the base film 32.

第1透明導電体40の第1センサ部41は、基材フィルム32の一方の側(観察者側)の面32a上に所定のパターンで配置されている。また、第2透明導電体45の第2センサ部46は、基材フィルム32の他方の側(表示装置15の側)の面32b上に、第1透明導電体40の第1センサ部41のパターンとは異なる所定のパターンで配置されている。より具体的には、図3Aに示すように、第1透明導電体40の第1センサ部41は、基材フィルム32のフィルム面に沿った一方向に並べて配列された線状導電体として構成されている。また、第2透明導電体45の第2センサ部46は、前記一方向と交差する基材フィルム32のフィルム面に沿った他方向に並べて配列された線状導電体として構成されている。図3Aに示すように、第1センサ部41の配列方向である一方向と、第2センサ部46の配列方向である他方向と、は基材フィルム32のフィルム面上において直交している。   The first sensor portion 41 of the first transparent conductor 40 is arranged in a predetermined pattern on the surface 32 a on one side (observer side) of the base film 32. In addition, the second sensor unit 46 of the second transparent conductor 45 is formed on the surface 32b of the other side of the base film 32 (the display device 15 side) of the first sensor unit 41 of the first transparent conductor 40. They are arranged in a predetermined pattern different from the pattern. More specifically, as shown in FIG. 3A, the first sensor portion 41 of the first transparent conductor 40 is configured as a linear conductor arranged in one direction along the film surface of the base film 32. Has been. In addition, the second sensor unit 46 of the second transparent conductor 45 is configured as a linear conductor arranged side by side in the other direction along the film surface of the base film 32 intersecting with the one direction. As illustrated in FIG. 3A, one direction that is the arrangement direction of the first sensor units 41 and the other direction that is the arrangement direction of the second sensor units 46 are orthogonal to each other on the film surface of the base film 32.

図3Aに示すように、第1センサ部41をなす線状導電体の各々は、その配列方向(前記一方向)と交差する方向に線状に延びている。同様に、第2センサ部46をなす線状導電体の各々は、その配列方向(前記他方向)と交差する方向に線状に延びている。とりわけ図示する例において、第1センサ部41は、その配列方向(前記一方向)と直交する方向(前記他方向)に沿って直線状に延びており、第2センサ部46は、その配列方向(前記他方向)と直交する方向(前記一方向)に沿って直線状に延びている。   As shown in FIG. 3A, each of the linear conductors forming the first sensor portion 41 extends linearly in a direction intersecting with the arrangement direction (the one direction). Similarly, each of the linear conductors forming the second sensor unit 46 extends linearly in a direction intersecting with the arrangement direction (the other direction). In particular, in the illustrated example, the first sensor unit 41 extends linearly along a direction (the other direction) orthogonal to the arrangement direction (the one direction), and the second sensor unit 46 is arranged in the arrangement direction. It extends linearly along a direction (the one direction) orthogonal to (the other direction).

本実施の形態において、各第1センサ部41は、直線状に延びるライン部41aと、ライン部41aから膨出した膨出部41bと、を有している。図示する例において、ライン部41aは、第1センサ部41の配列方向と交差する方向に沿って直線状に延びている。膨出部41bは、基材フィルム32のフィルム面に沿ってライン部41aから膨らみ出ている部分である。したがって、各第1センサ部41の幅は、膨出部41bが設けられている部分において太くなっている。図3Aに示すように、本実施の形態において、各第1センサ部41は、膨出部41bにおいて平面視略正方形形状の外輪郭を有するようになっている。   In the present embodiment, each first sensor portion 41 includes a line portion 41a extending linearly and a bulging portion 41b bulging from the line portion 41a. In the example illustrated, the line portion 41 a extends linearly along a direction that intersects the arrangement direction of the first sensor portions 41. The bulging portion 41 b is a portion that bulges from the line portion 41 a along the film surface of the base film 32. Therefore, the width of each first sensor portion 41 is thicker at the portion where the bulging portion 41b is provided. As shown in FIG. 3A, in the present embodiment, each first sensor portion 41 has an outer contour that is substantially square in plan view at the bulging portion 41b.

第2透明導電体45に含まれる第2センサ部46も、第1透明導電体40に含まれる第1センサ部41と同様に構成されている。すなわち、第2透明導電体45に含まれる各第2センサ46は、直線状に延びるライン部46aと、ライン部46aから膨出した膨出部46bと、を有している。図示する例において、ライン部46aは、第2センサ部46の配列方向と交差する方向に沿って直線状に延びている。膨出部46bは、基材フィルム32のフィルム面に沿ってライン部46aから膨らみ出ている部分である。したがって、各第2センサ部46の幅は、膨出部46bが設けられている部分において太くなっている。図3Aに示すように、本実施の形態において、各第2センサ部46は、膨出部46bにおいて平面視略正方形形状の外輪郭を有するようになっている。   The second sensor unit 46 included in the second transparent conductor 45 is configured similarly to the first sensor unit 41 included in the first transparent conductor 40. That is, each second sensor 46 included in the second transparent conductor 45 has a linearly extending line portion 46a and a bulging portion 46b bulging from the line portion 46a. In the illustrated example, the line portion 46 a extends linearly along a direction that intersects with the arrangement direction of the second sensor portions 46. The bulging portion 46 b is a portion that bulges from the line portion 46 a along the film surface of the base film 32. Therefore, the width of each second sensor portion 46 is thicker at the portion where the bulging portion 46b is provided. As shown in FIG. 3A, in the present embodiment, each second sensor portion 46 has an outer contour that is substantially square in plan view at the bulging portion 46b.

なお、図3Aに示すように、基材フィルム32のフィルム面の法線方向から観察した場合(すなわち、平面視において)、第1透明導電体40に含まれる各第1センサ部41は、第2透明導電体45に含まれる多数の第2センサ部46と交差している。そして、図3Aに示すように、第1透明導電体40の膨出部41bは、第1センサ部41上において、隣り合う二つの第2センサ部46との交差点の間に配置されている。同様に、基材フィルム32のフィルム面の法線方向から観察した場合、第2透明導電体45に含まれる各第2センサ部46は、第1透明導電体40に含まれる多数の第1センサ部41と交差している。そして、第2透明導電体45の膨出部46bも、第2センサ部46上において、隣り合う二つの第1センサ部41との交差点の間に配置されている。さらに、本実施の形態において、第1透明導電体40に含まれる第1センサ部41の膨出部41bと、第2透明導電体45に含まれる第2センサ部46の膨出部46bとは、基材フィルム32のフィルム面の法線方向から観察した場合に重ならないように配置されている。つまり、基材フィルム32のフィルム面の法線方向から観察した場合、第1透明導電体40に含まれる第1センサ部41と第2透明導電体45に含まれる第2センサ部46とは、各センサ部41,46のライン部41a、46aのみにおいて交わっている。   As shown in FIG. 3A, when observed from the normal direction of the film surface of the base film 32 (that is, in plan view), each first sensor unit 41 included in the first transparent conductor 40 is 2 crosses a large number of second sensor portions 46 included in the transparent conductor 45. As shown in FIG. 3A, the bulging portion 41 b of the first transparent conductor 40 is disposed on the first sensor portion 41 between the intersections of two adjacent second sensor portions 46. Similarly, when observed from the normal direction of the film surface of the base film 32, each second sensor unit 46 included in the second transparent conductor 45 includes a large number of first sensors included in the first transparent conductor 40. Crosses the part 41. The bulging portion 46 b of the second transparent conductor 45 is also disposed on the second sensor portion 46 between the intersections of two adjacent first sensor portions 41. Furthermore, in this Embodiment, the bulging part 41b of the 1st sensor part 41 contained in the 1st transparent conductor 40 and the bulging part 46b of the 2nd sensor part 46 contained in the 2nd transparent conductor 45 are The base film 32 is disposed so as not to overlap when observed from the normal direction of the film surface. That is, when observed from the normal direction of the film surface of the base film 32, the first sensor unit 41 included in the first transparent conductor 40 and the second sensor unit 46 included in the second transparent conductor 45 are: They intersect only at the line portions 41 a and 46 a of the sensor portions 41 and 46.

上述したように、第1透明導電体40は、このような第1センサ部41に接続された第1接続部42を有している。第1接続部42は、第1センサ部41の各々に対し、接触位置の検出方法に応じて一端または両端に設けられている。各第1接続部42は、対応する第1センサ部41の端部からそれぞれ線状に延び出している。同様に、第2透明導電体45は、第2センサ部46に接続された第2接続部47を有している。第2接続部47は、第2センサ部46の各々に対し、接触位置の検出方法に応じて一端または両端に設けられている。各第2接続部47は、対応する第2センサ部46の端部からそれぞれ線状に延び出している。図3Aに示すように、本実施の形態において、第1接続部42は第1センサ部41と同一の材料から一体的に形成され、第2接続部47は第1センサ部46と同一の材料から一体的に形成されている。   As described above, the first transparent conductor 40 has the first connection portion 42 connected to such a first sensor portion 41. The first connection part 42 is provided at one or both ends of each of the first sensor parts 41 according to the contact position detection method. Each first connection portion 42 extends linearly from the end portion of the corresponding first sensor portion 41. Similarly, the second transparent conductor 45 has a second connection portion 47 connected to the second sensor portion 46. The second connection portion 47 is provided at one end or both ends of each of the second sensor portions 46 according to the contact position detection method. Each second connecting portion 47 extends linearly from the end of the corresponding second sensor portion 46. As shown in FIG. 3A, in the present embodiment, the first connection portion 42 is integrally formed from the same material as the first sensor portion 41, and the second connection portion 47 is the same material as the first sensor portion 46. Is formed integrally.

第1透明導電体40および第2透明導電体45の材料としては、透明性および所要の導電性を有するものが用いられる。このような材料として、インジウム錫酸化物(ITO)、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物を挙げることができ、また、これらの金属酸化物が2種以上複合されてもよい。第1透明導電体40および第2透明導電体45の形成方法は特には限定されず、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、CVD法、塗工法、印刷法などを用いることができる。本実施の形態においては、第1透明導電体40および第2透明導電体45が、スパッタリング法により形成されたITOからなる。   As the material of the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45, a material having transparency and required conductivity is used. Examples of such materials include indium tin oxide (ITO), zinc oxide, indium oxide, antimony-added tin oxide, fluorine-added tin oxide, aluminum-added zinc oxide, potassium-added zinc oxide, silicon-added zinc oxide, and zinc oxide-oxide Examples thereof include metal oxides such as tin-based, indium oxide-tin oxide-based, and zinc oxide-indium oxide-magnesium oxide-based, and two or more of these metal oxides may be combined. The formation method of the 1st transparent conductor 40 and the 2nd transparent conductor 45 is not specifically limited, Sputtering method, a vacuum evaporation method, an ion plating method, CVD method, a coating method, a printing method etc. can be used. In the present embodiment, the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 are made of ITO formed by a sputtering method.

なおITOからなる透明導電体40、45の光屈折率は、光波長550nm付近において例えば1.94となっている。光屈折率の算出方法は特には限定されないが、例えばエリプソメーターを用いた測定から算出される。また後述する基材フィルム32の各層においても、当該各層の光波長550nm付近における光屈折率が例えばエリプソメーターを用いた測定から算出される。   The light refractive index of the transparent conductors 40 and 45 made of ITO is, for example, 1.94 near the light wavelength of 550 nm. Although the calculation method of a photorefractive index is not specifically limited, For example, it calculates from the measurement using an ellipsometer. Moreover, also in each layer of the base film 32 described later, the optical refractive index in the vicinity of the light wavelength of 550 nm of each layer is calculated from, for example, measurement using an ellipsometer.

ITOからなる透明導電体40、45の厚みは、好ましくは20nm以下となっており、例えば各々18nmとなっている。膜厚が小さい場合、例えば40nm以下の場合、一般に、透明導電体40、45の厚みが小さいほど、透明導電体40、45に由来する光の反射率は小さくなり、吸収項の影響が小さいため透過率が高くなる。   The thickness of the transparent conductors 40 and 45 made of ITO is preferably 20 nm or less, for example, 18 nm each. When the film thickness is small, for example, 40 nm or less, generally, the smaller the thickness of the transparent conductors 40 and 45, the smaller the reflectance of light derived from the transparent conductors 40 and 45, and the less the influence of the absorption term. Increases transmittance.

透明導電体40、45とフィルム本体33との間にインデックスマッチング層(後述)が介在されていない場合、一般に、透明導電体40、45における光の反射率が小さいほど、タッチパネルセンサ30のうち透明導電体40、45がパターニングされている領域と透明導電体40、45がパターニングされていない領域との間における光の反射率の差も小さくなる。このため、透明導電体40、45の厚みをより小さくすることにより、タッチパネルセンサ30のうち透明導電体40、45がパターニングされている領域と透明導電体40、45がパターニングされていない領域との間における光の反射率の差を小さくすることができ、これによって、透明導電体40、45のパターンがタッチパネルセンサ30の使用者から視認されるのを防ぐことができる。   When an index matching layer (described later) is not interposed between the transparent conductors 40 and 45 and the film body 33, generally, the smaller the light reflectance in the transparent conductors 40 and 45, the more transparent the touch panel sensor 30 is. The difference in light reflectance between the region where the conductors 40 and 45 are patterned and the region where the transparent conductors 40 and 45 are not patterned is also reduced. For this reason, by making the thickness of the transparent conductors 40 and 45 smaller, the area of the touch panel sensor 30 where the transparent conductors 40 and 45 are patterned and the area where the transparent conductors 40 and 45 are not patterned are provided. The difference in the reflectance of light between the two can be reduced, whereby the pattern of the transparent conductors 40 and 45 can be prevented from being visually recognized by the user of the touch panel sensor 30.

一方、透明導電体40、45とフィルム本体33との間にインデックスマッチング層を介在させると、タッチパネルセンサ30のうち透明導電体40、45がパターニングされている領域における反射率と、透明導電体40、45がパターニングされていない領域における反射率とが変化する。この際、インデックスマッチング層を適切に設計することにより、透明導電体40、45がパターニングされている領域における反射率、または、透明導電体40、45がパターニングされていない領域における反射率のうちどちらか一方をより大きく変化させることができる。   On the other hand, when an index matching layer is interposed between the transparent conductors 40 and 45 and the film body 33, the reflectance in the region where the transparent conductors 40 and 45 are patterned in the touch panel sensor 30, and the transparent conductor 40. , 45 in the region where the patterning is not performed changes. At this time, by appropriately designing the index matching layer, either the reflectance in the region where the transparent conductors 40 and 45 are patterned or the reflectance in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not patterned is selected. One of them can be changed more greatly.

インデックスマッチング層が介在されていない場合、一般に、透明導電体40、45がパターニングされている領域における反射率は、透明導電体40、45がパターニングされていない領域における反射率よりも大きくなっている。ここで、インデックスマッチング層を介在させることにより、例えば、透明導電体40、45がパターニングされている領域における反射率と、透明導電体40、45がパターニングされていない領域における反射率とをともに低下させることができるが、この際、インデックスマッチング層を適切に設計することにより、透明導電体40、45がパターニングされている領域における反射率の低下の程度を、透明導電体40、45がパターニングされていない領域における反射率の低下の程度よりも大きくすることができる。これによって、タッチパネルセンサ30のうち透明導電体40、45がパターニングされている領域と透明導電体40、45がパターニングされていない領域との間における光の反射率の差を小さくすることができる。   When the index matching layer is not interposed, the reflectance in the region where the transparent conductors 40 and 45 are patterned is generally larger than the reflectance in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not patterned. . Here, by interposing the index matching layer, for example, both the reflectance in the region where the transparent conductors 40 and 45 are patterned and the reflectance in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not patterned are reduced. In this case, by appropriately designing the index matching layer, the degree of the decrease in the reflectance in the region where the transparent conductors 40 and 45 are patterned is patterned. It is possible to make it larger than the degree of the decrease in the reflectance in the unexposed area. Thereby, the difference in light reflectance between the region where the transparent conductors 40 and 45 are patterned in the touch panel sensor 30 and the region where the transparent conductors 40 and 45 are not patterned can be reduced.

ここでインデックスマッチング層とは、少なくとも一対の高屈折率層および低屈折率層を含む層のことである。このようなインデックスマッチング層が透明導電体40、45とフィルム本体33との間に介在されている場合、薄膜干渉の効果が生じ、これによって、タッチパネルセンサ30のうち透明導電体40、45がパターニングされている領域と透明導電体40、45がパターニングされていない領域との間における光の反射率および透過率の差を小さくすることができる。本実施の形態においては、後述する第1高屈折率層72および第1低屈折率層73により第1透明導電体40とフィルム本体33との間のインデックスマッチング層(後述する第1機能層70)が構成されており、また後述する第2高屈折率層77および第2低屈折率層78により第2透明導電体45とフィルム本体33との間のインデックスマッチング層(後述する第2機能層75)が構成されている。   Here, the index matching layer is a layer including at least a pair of a high refractive index layer and a low refractive index layer. When such an index matching layer is interposed between the transparent conductors 40 and 45 and the film body 33, an effect of thin film interference occurs, whereby the transparent conductors 40 and 45 of the touch panel sensor 30 are patterned. The difference in light reflectance and transmittance between the region where the transparent conductors 40 and 45 are not patterned can be reduced. In the present embodiment, an index matching layer (a first functional layer 70 described later) is formed between the first transparent conductor 40 and the film body 33 by a first high refractive index layer 72 and a first low refractive index layer 73 described later. ), And an index matching layer (second functional layer described later) between the second transparent conductor 45 and the film body 33 by a second high refractive index layer 77 and a second low refractive index layer 78 described later. 75) is configured.

本実施の形態においては、透明導電体40、45の厚みをより小さくすること、および、透明導電体40、45とフィルム本体33との間にインデックスマッチング層を介在させることにより、タッチパネルセンサ30のうち透明導電体40、45がパターニングされている領域と透明導電体40、45がパターニングされていない領域との間における光の反射率および透過率の差を小さくすることを意図している。   In the present embodiment, the thickness of the transparent conductors 40 and 45 is made smaller, and an index matching layer is interposed between the transparent conductors 40 and 45 and the film body 33, so that the touch panel sensor 30 Of these, it is intended to reduce the difference in light reflectance and transmittance between the region where the transparent conductors 40 and 45 are patterned and the region where the transparent conductors 40 and 45 are not patterned.

ところで、一般に、透明導電体40、45の厚みが小さいほど、透明導電体40、45の電気抵抗は大きくなる。透明導電体40、45の電気抵抗が大きくなると、透明導電体40、45からなるセンサ電極36a,37aから検出制御部25の検出回路に送られる電気信号が阻害されることが考えられる。このため、透明導電体40、45の厚みを従来よりも小さくする場合、透明導電体40、45の電気抵抗が過大にならないよう、透明導電体40、45の材料として従来よりも比抵抗の小さい材料を用いることが好ましい。例えば、透明導電体40、45の比抵抗は4×10−6Ωm(23℃、55%RH)以下であることが好ましい。 Incidentally, in general, the smaller the thickness of the transparent conductors 40 and 45, the greater the electrical resistance of the transparent conductors 40 and 45. When the electrical resistance of the transparent conductors 40 and 45 is increased, it is conceivable that an electrical signal sent from the sensor electrodes 36a and 37a including the transparent conductors 40 and 45 to the detection circuit of the detection control unit 25 is inhibited. For this reason, when the thickness of the transparent conductors 40 and 45 is made smaller than before, the specific resistance as the material of the transparent conductors 40 and 45 is smaller than the conventional one so that the electrical resistance of the transparent conductors 40 and 45 does not become excessive. It is preferable to use a material. For example, the specific resistance of the transparent conductors 40 and 45 is preferably 4 × 10 −6 Ωm (23 ° C., 55% RH) or less.

取出導電体
次に、第1取出導電体43および第2取出導電体48について詳述する。上述したように、第1取出導電体43は、第1透明導電体40の一部分上に第1中間層61を介して配置されており、第2取出導電体48は、第2透明導電体45の一部分上に第2中間層66を介して配置されている。より具体的には、第1取出導電体43は、第1透明導電体40の第1接続部42の一部分上に第1中間層61を介して配置されており、第2取出導電体48は、第2透明導電体45の第2接続部47の一部分上に第2中間層66を介して配置されている。すなわち、第1取出導電体43は、基材フィルム32の一方の側の面32aにおいて、非アクティブエリアAa2に配置されており、第2取出導電体48は、基材フィルム32の他方の側の面32bにおいて、非アクティブエリアAa2に配置されている。
Takeoff conductors will be described in detail for the first extraction conductor 43, and second extraction conductor 48. As described above, the first extraction conductor 43 is disposed on a part of the first transparent conductor 40 via the first intermediate layer 61, and the second extraction conductor 48 is the second transparent conductor 45. The second intermediate layer 66 is disposed on a part of the first intermediate layer 66. More specifically, the first extraction conductor 43 is disposed on a part of the first connection portion 42 of the first transparent conductor 40 via the first intermediate layer 61, and the second extraction conductor 48 is The second transparent conductor 45 is disposed on a part of the second connection portion 47 via the second intermediate layer 66. That is, the first extraction conductor 43 is disposed in the inactive area Aa2 on the surface 32a on one side of the base film 32, and the second extraction conductor 48 is on the other side of the base film 32. The surface 32b is disposed in the inactive area Aa2.

図3Aに示すように、第1透明導電体40の第1接続部42および第2透明導電体45の第2接続部47は線状に形成されている。そして、第1取出導電体43は、線状に形成された第1接続部42のうちの第1センサ部41への接続箇所近傍の部分以外の部分上を、当該部分と同一のパターンで線状に延びている。同様に、第2取出導電体48は、線状に形成された第2接続部47のうちの第2センサ部46への接続箇所近傍以外の部分上を、当該部分と同一のパターンで線状に延びている。   As shown in FIG. 3A, the first connection portion 42 of the first transparent conductor 40 and the second connection portion 47 of the second transparent conductor 45 are formed in a linear shape. And the 1st extraction conductor 43 is a line with the same pattern as the said part on the part other than the part of the connection location to the 1st sensor part 41 among the 1st connection parts 42 formed in linear form. It extends in a shape. Similarly, the second extraction conductor 48 is linear in the same pattern as the part on the part other than the vicinity of the connection part to the second sensor part 46 in the second connection part 47 formed in a linear shape. It extends to.

また、図3Bに示すように、第1取出導電体43は、基材フィルム32から離間して、第1透明導電体40上に配置されている。すなわち、第1取出導電体43は基材フィルム32に接触していない。この結果、第1透明導電体40の第1取出導電体43によって覆われている部分は、基材フィルム32と第1取出導電体43との間で側方に露出している。とりわけ、本実施の形態においては、第1取出導電体43の幅が、当該第1取出導電体43によって覆われている第1透明導電体40の第1接続部42の部分の幅と同一または若干狭くなっている。   Further, as shown in FIG. 3B, the first extraction conductor 43 is disposed on the first transparent conductor 40 so as to be separated from the base film 32. That is, the first extraction conductor 43 is not in contact with the base film 32. As a result, the portion of the first transparent conductor 40 that is covered by the first extraction conductor 43 is exposed laterally between the base film 32 and the first extraction conductor 43. In particular, in the present embodiment, the width of the first extraction conductor 43 is the same as the width of the first connection portion 42 of the first transparent conductor 40 covered by the first extraction conductor 43 or It is a little narrower.

同様に、図示は省略しているが、第2取出導電体48も第1取出導電体43と同様に構成されている。すなわち、第2取出導電体48は、基材フィルム32から離間して第2透明導電体45上に配置されており、基材フィルム32には接触していない。この結果、第2透明導電体45の第2取出導電体48によって覆われている部分は、基材フィルム32と第2取出導電体48との間で側方に露出している。とりわけ、本実施の形態においては、第2取出導電体48の幅が、当該第2取出導電体48によって覆われている第2透明導電体45の第2接続部47の部分の幅と同一または若干狭くなっている。   Similarly, although not shown, the second extraction conductor 48 is configured in the same manner as the first extraction conductor 43. That is, the second extraction conductor 48 is disposed on the second transparent conductor 45 so as to be separated from the base film 32 and is not in contact with the base film 32. As a result, the portion of the second transparent conductor 45 covered by the second extraction conductor 48 is exposed to the side between the base film 32 and the second extraction conductor 48. In particular, in the present embodiment, the width of the second extraction conductor 48 is the same as the width of the second connection portion 47 of the second transparent conductor 45 covered by the second extraction conductor 48 or It is a little narrower.

第1取出導電体43は、第1透明導電体40の第1センサ部41からなる第1センサ電極36aを検出制御部25へ接続させるための第1取出配線36bを、第1透明導電体40の第1接続部42とともに構成している。また、第2取出導電体48は、第2透明導電体45の第2センサ部46からなる第2センサ電極37aを検出制御部25へ接続させるための第2取出配線37bを、第2透明導電体45の第2接続部47とともに構成している。このような第1取出導電体43および第2取出導電体48は非アクティブエリアAa2に配置されていることから、透光性を有した材料から形成される必要はなく、高い導電性を有した金属などの材料から形成され得る。なお図3Aに示すように、第1接続部42と第1取出導電体43とを含む第1取出配線36bの幅は、第1センサ電極36aとの接続部分において第1センサ電極36aの幅よりも大きくなるよう形成されている。同様に、第2接続部47と第2取出導電体48とを含む第2取出配線37bは、第2センサ電極37aとの接続部分において、その幅が第2センサ電極37aの幅よりも大きくなるよう形成されている。また図3Aに示すように、取出配線36b,37bのうち検出制御部25との接続端子部36c,37cの幅は、取出配線36b,37bのその他の部分の幅よりも大きくなっている。   The first extraction conductor 43 includes a first extraction conductor 36 b for connecting the first sensor electrode 36 a including the first sensor unit 41 of the first transparent conductor 40 to the detection control unit 25, and the first transparent conductor 40. The first connecting portion 42 is configured. In addition, the second extraction conductor 48 includes a second extraction wiring 37b for connecting the second sensor electrode 37a including the second sensor unit 46 of the second transparent conductor 45 to the detection control unit 25. The second connecting portion 47 of the body 45 is configured. Since the first extraction conductor 43 and the second extraction conductor 48 are arranged in the non-active area Aa2, it is not necessary to be formed from a light-transmitting material, and has high conductivity. It can be formed from materials such as metals. As shown in FIG. 3A, the width of the first extraction wiring 36b including the first connection portion 42 and the first extraction conductor 43 is larger than the width of the first sensor electrode 36a at the connection portion with the first sensor electrode 36a. Is also formed to be large. Similarly, the width of the second extraction wiring 37b including the second connection portion 47 and the second extraction conductor 48 is larger than the width of the second sensor electrode 37a at the connection portion with the second sensor electrode 37a. It is formed as follows. As shown in FIG. 3A, the widths of the connection terminal portions 36c and 37c with the detection control unit 25 in the extraction wirings 36b and 37b are larger than the widths of the other portions of the extraction wirings 36b and 37b.

このような構成からなるタッチパネルセンサ30においては、取出導電体43,48および透明導電体40,45の接続部42,47からなる取出配線36b,37bは、図示しない外部接続配線を介し、検出制御部25に接続されている。この場合、タッチパネルセンサ30が撓む等して変形した場合であっても、以下に説明するように、取出導電体43,48および透明導電体40,45の接続部42,47が互いに連結された状態に保たれ、センサ電極36a,37aと検出制御部25との間に安定した導通を確保することができる。   In the touch panel sensor 30 having such a configuration, the extraction wirings 36b and 37b including the connection portions 42 and 47 of the extraction conductors 43 and 48 and the transparent conductors 40 and 45 are detected and controlled via an external connection wiring (not shown). Connected to the unit 25. In this case, even if the touch panel sensor 30 is deformed by bending or the like, the connecting portions 42 and 47 of the extraction conductors 43 and 48 and the transparent conductors 40 and 45 are connected to each other as described below. Thus, stable conduction between the sensor electrodes 36a and 37a and the detection control unit 25 can be ensured.

高い導電率を有した金属等からなる取出導電体43,48は、中間層61,66に対してある程度の密着力を有するが、樹脂やガラス等からなる基材フィルム32に対しては低い密着力しか有さない。したがって、例えば図12のように、高導電率導電体が樹脂やガラス等からなる基材に接触している場合、この接触位置が剥離の起点を形成し、二点鎖線で示すように基材が変形した際に、高導電率導電体が基材から剥離しやすくなる。とりわけ、高導電率導電体が透明導電体を全体から被覆している場合には、高導電率導電体および透明導電体の全体としての剛性が高くなり、基材の変形に追従して変形しにくくなる。この点からも、基材が変形した際に、高導電率導電体が基材から剥離しやすくなる。   The extraction conductors 43 and 48 made of metal or the like having high conductivity have a certain degree of adhesion to the intermediate layers 61 and 66, but low adhesion to the base film 32 made of resin or glass. I only have power. Therefore, for example, as shown in FIG. 12, when the high-conductivity conductor is in contact with a base material made of resin, glass or the like, this contact position forms the starting point of peeling, and the base material as shown by a two-dot chain line When the is deformed, the high conductivity conductor is easily peeled off from the substrate. In particular, when the high-conductivity conductor covers the entire transparent conductor, the rigidity of the high-conductivity conductor and the transparent conductor as a whole increases, and deforms following the deformation of the substrate. It becomes difficult. Also from this point, when the base material is deformed, the high conductivity conductor is easily peeled off from the base material.

一方、本実施の形態によれば、取出導電体43,48が基材フィルム32から離間しているので、取出導電体43,48の基材フィルム32からの剥離の基点は形成され得ない。また、取出導電層43,48は、中間層61,66上に載置されているだけで、透明導電体40,45および中間層61,66を側方から被覆していない。したがって、透明導電体40,45は、基材フィルム32の変形に追従して変形しやすくなっており、透明導電体40,45も基材フィルム32から剥離し辛くなっている。これらにより、本実施の形態のタッチパネルセンサ30によれば、タッチパネルセンサ30が撓む等して変形したとしても、取出導電体43,48、中間層61,66および透明導電体40,45の接続部42,47が互いに連結された状態に保たれ、センサ電極36a,37aと検出制御部25との間に安定した導通を確保することができる。   On the other hand, according to the present embodiment, since the extraction conductors 43 and 48 are separated from the base film 32, the base point of the separation of the extraction conductors 43 and 48 from the base film 32 cannot be formed. Further, the extraction conductive layers 43 and 48 are merely placed on the intermediate layers 61 and 66, and do not cover the transparent conductors 40 and 45 and the intermediate layers 61 and 66 from the side. Therefore, the transparent conductors 40 and 45 are easily deformed following the deformation of the base film 32, and the transparent conductors 40 and 45 are also difficult to peel from the base film 32. Thus, according to the touch panel sensor 30 of the present embodiment, even if the touch panel sensor 30 is deformed due to bending or the like, the connection between the extraction conductors 43 and 48, the intermediate layers 61 and 66, and the transparent conductors 40 and 45 is achieved. The portions 42 and 47 are kept connected to each other, and stable conduction can be ensured between the sensor electrodes 36a and 37a and the detection control unit 25.

また、図3Bに示すように、以上のような構成からなるタッチパネルセンサ30において、取出導電体43,48は、中間層61,66および透明導電体40,45の接続部42,47上に配置されているだけで、透明導電体40,45の接続部42,47の側方まで延びていない。したがって、保護層62,67、取出導電体43,48、中間層61,66、および透明導電体40,45の接続部42,47からなる取出配線36b,37b全体としての線幅を細くすることができる。これにより、同一の導電率の取出配線36b,37bをより短ピッチで配置することが可能となり、取出配線36b,37bの配置スペース、すなわち、非アクティブエリアAa2の面積を小さくすることができる。   Further, as shown in FIG. 3B, in the touch panel sensor 30 configured as described above, the extraction conductors 43 and 48 are arranged on the connection portions 42 and 47 of the intermediate layers 61 and 66 and the transparent conductors 40 and 45, respectively. However, it does not extend to the side of the connecting portions 42 and 47 of the transparent conductors 40 and 45. Accordingly, the overall line width of the extraction wirings 36b and 37b including the protective layers 62 and 67, the extraction conductors 43 and 48, the intermediate layers 61 and 66, and the connection portions 42 and 47 of the transparent conductors 40 and 45 is reduced. Can do. Thereby, the extraction wirings 36b and 37b having the same conductivity can be arranged at a shorter pitch, and the arrangement space of the extraction wirings 36b and 37b, that is, the area of the inactive area Aa2 can be reduced.

次に、第1取出導電体43および第2取出導電体48を形成する材料について詳述する。第1取出導電体43および第2取出導電体48は、第1透明導電体40および第2透明導電体45をなす材料よりも高い導電率(電気伝導率)を有する材料から形成されている。具体的には、遮光性を有するとともに、ITO等の透明導電体40,45よりも格段に高い導電率を有する、例えばアルミニウム、モリブデン、パラジウム、銀、クロム、銅等の金属、または、これらの金属を2種以上混合してなる合金、例えば銀合金を材料として形成されている。このうち銀合金は、一般に配線材料として用いられるクロムよりも比抵抗が小さく、第1取出導電体43および第2取出導電体48の材料として好ましい。このような銀合金の一例として、銀、パラジウム、銅を含んでなるAPC合金を挙げることができる。   Next, materials for forming the first extraction conductor 43 and the second extraction conductor 48 will be described in detail. The first extraction conductor 43 and the second extraction conductor 48 are made of a material having a higher conductivity (electrical conductivity) than the material forming the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45. Specifically, it has a light shielding property and has a much higher conductivity than the transparent conductors 40 and 45 such as ITO, for example, metals such as aluminum, molybdenum, palladium, silver, chromium, copper, or these An alloy formed by mixing two or more metals, for example, a silver alloy is used as a material. Among these, a silver alloy has a smaller specific resistance than chromium generally used as a wiring material, and is preferable as a material of the first extraction conductor 43 and the second extraction conductor 48. As an example of such a silver alloy, an APC alloy containing silver, palladium, and copper can be given.

ところで、銀合金とITO等の透明導電体からなる透明導電体40,45との間の密着力は、一般的な配線材料であるクロムと透明導電体40,45との間の密着力よりも概して小さい。銀合金からなる取出導電体43,48と透明導電体40,45との間の密着力が小さい場合、取出配線36b,37bに何らかの衝撃が加えられたときに、銀合金からなる取出導電体43,48が透明導電体40,45から剥離することが考えられる。このため、透明導電体40,45上に銀合金からなる取出導電体43,48を設ける場合、透明導電体40,45と取出導電体43,48との間に、透明導電体40,45および取出導電体43,48の各々に対してある程度の密着力を有するとともに、導電性を有する層を介在させることが好ましい。本実施の形態においては、上述のように、透明導電体40,45と取出導電体43,48との間に中間層61,66を介在させている。   By the way, the adhesion force between the silver conductor and the transparent conductors 40 and 45 made of a transparent conductor such as ITO is larger than the adhesion force between chromium, which is a general wiring material, and the transparent conductors 40 and 45. Generally small. When the adhesion between the extraction conductors 43 and 48 made of silver alloy and the transparent conductors 40 and 45 is small, the extraction conductor 43 made of silver alloy when some impact is applied to the extraction wirings 36b and 37b. , 48 may be peeled off from the transparent conductors 40, 45. For this reason, when the extraction conductors 43 and 48 made of a silver alloy are provided on the transparent conductors 40 and 45, the transparent conductors 40 and 45 and the extraction conductors 43 and 48 are provided between the transparent conductors 40 and 45 and the extraction conductors 43 and 48. It is preferable to have a certain degree of adhesion to each of the extraction conductors 43 and 48 and to interpose a conductive layer. In the present embodiment, as described above, the intermediate layers 61 and 66 are interposed between the transparent conductors 40 and 45 and the extraction conductors 43 and 48.

中間層
次に、中間層61,66について詳述する。上述のとおり、中間層61,66は、透明導電体40,45および取出導電体43,48の各々に対してある程度の密着力を有するとともに、導電性を有している。
Intermediate layer will be described in detail below intermediate layer 61 and 66. As described above, the intermediate layers 61 and 66 have a certain degree of adhesion to each of the transparent conductors 40 and 45 and the extraction conductors 43 and 48 and have conductivity.

まず中間層61,66の密着力に関して説明する。第1中間層61と第1透明導電体40との間の密着力、および第1中間層61と第1取出導電体43との間の密着力は、第1透明導電体40と第1取出導電体43との間の密着力よりも大きくなっている。同様に、第2中間層66と第2透明導電体45との間の密着力、および第2中間層66と第2取出導電体48との間の密着力は、第2透明導電体45と第2取出導電体48との間の密着力よりも大きくなっている。ここで「密着力が大きい」とは、例えば、取出配線36b,37bの上面に所定の粘着テープ(図示せず)を貼り、その後、この粘着テープを所定のスピードで剥がすとき、透明導電体40,45と取出導電体43,48との間に中間層61,66が介在されている場合は取出導電体43,48が剥離しないが、透明導電体40,45と取出導電体43,48との間に中間層61,66が介在されていない場合は取出導電体43,48が剥離することを意味している。   First, the adhesion between the intermediate layers 61 and 66 will be described. The adhesion between the first intermediate layer 61 and the first transparent conductor 40 and the adhesion between the first intermediate layer 61 and the first extraction conductor 43 are the same as the first transparent conductor 40 and the first extraction conductor 43. It is larger than the adhesion between the conductor 43. Similarly, the adhesive force between the second intermediate layer 66 and the second transparent conductor 45 and the adhesive force between the second intermediate layer 66 and the second extraction conductor 48 are the same as those of the second transparent conductor 45 and It is larger than the adhesion force between the second extraction conductor 48. Here, “high adhesion” means, for example, that when a predetermined adhesive tape (not shown) is applied to the upper surfaces of the extraction wirings 36b and 37b, and then the adhesive tape is peeled off at a predetermined speed, the transparent conductor 40 , 45 and the extraction conductors 43 and 48, the extraction conductors 43 and 48 are not peeled off, but the transparent conductors 40 and 45 and the extraction conductors 43 and 48 are not separated. When the intermediate layers 61 and 66 are not interposed between the lead conductors 43 and 48, it means that the extraction conductors 43 and 48 are peeled off.

次に中間層61,66の導電性に関して説明する。取出配線36b,37bにおいてセンサ電極36a,37aからの電気信号を検出制御部25の検出回路に伝導する役割は主に取出導電体43,48により果たされている。このため中間層61,66は、取出導電体43,48よりも優れた導電性を有する必要はなく、透明導電体40,45と取出導電体43,48との間を低抵抗で電気的に接続する程度の導電性を有していればよい。このため、中間層61,66の比抵抗は、それぞれ取出導電体43,48の比抵抗よりも大きくなっている。また、中間層61,66の厚みは、それぞれ取出導電体43,48の厚みよりも小さくなっており、例えば取出導電体43,48の厚みが15〜25nmの範囲内となっているとき、中間層61,66の厚みは4〜6nmの範囲内となっている。   Next, the conductivity of the intermediate layers 61 and 66 will be described. The role of conducting electrical signals from the sensor electrodes 36a, 37a to the detection circuit of the detection control unit 25 in the extraction wirings 36b, 37b is mainly played by the extraction conductors 43, 48. For this reason, the intermediate layers 61 and 66 do not need to have conductivity superior to that of the extraction conductors 43 and 48, and are electrically connected between the transparent conductors 40 and 45 and the extraction conductors 43 and 48 with low resistance. What is necessary is just to have the electroconductivity of the grade to connect. For this reason, the specific resistances of the intermediate layers 61 and 66 are larger than the specific resistances of the extraction conductors 43 and 48, respectively. Moreover, the thickness of the intermediate | middle layers 61 and 66 is smaller than the thickness of the extraction conductors 43 and 48, respectively, for example, when the thickness of the extraction conductors 43 and 48 is in the range of 15-25 nm, The thickness of the layers 61 and 66 is in the range of 4 to 6 nm.

中間層61,66の材料としては、透明導電体40,45および取出導電体43,48に対する密着力が良好な材料であれば特に限定されないが、例えばモリブデン(Mo)合金などの金属が用いられる。Mo合金としては、例えばMoとニオブ(Nb)の合金であるMoNbを挙げることができる。   The material of the intermediate layers 61 and 66 is not particularly limited as long as the material has good adhesion to the transparent conductors 40 and 45 and the extraction conductors 43 and 48. For example, a metal such as molybdenum (Mo) alloy is used. . Examples of the Mo alloy include MoNb, which is an alloy of Mo and niobium (Nb).

保護層
次に、第1取出導電体43の上に設けられた第1保護層62、および第2取出導電体48の上に設けられた第2保護層67について詳述する。保護層62,67は、取出導電体43,48が酸化するのを防ぐために設けられた層であり、耐酸化性、耐水性などを有する層である。保護層62,67の材料としては、適度な耐酸化性を有する材料であれば特に限定されないが、例えばMo合金などの金属が用いられる。Mo合金としては、例えばMoとNbの合金であるMoNbを挙げることができる。保護層62,67の厚みは、例えば10〜30nmの範囲内となっている。
Protective layer will be described in detail below second protective layer 67 provided on the first protective layer 62, and a second takeoff conductor 48 provided on the first extraction conductor 43. The protective layers 62 and 67 are provided to prevent the extraction conductors 43 and 48 from being oxidized, and are layers having oxidation resistance, water resistance, and the like. The material of the protective layers 62 and 67 is not particularly limited as long as the material has appropriate oxidation resistance. For example, a metal such as a Mo alloy is used. Examples of the Mo alloy include MoNb which is an alloy of Mo and Nb. The thickness of the protective layers 62 and 67 is in the range of 10 to 30 nm, for example.

基材フィルム
次に図4(a)(b)を参照して、基材フィルム32について詳述する。本実施の形態において、基材フィルム32は、後述するように複数の層から構成されている。ここで、基材フィルム32の各層は、接着層を介しての接合を用いることなく、例えばスパッタリングにより一体に形成されている。なお、基材フィルム32の各層を形成する方法がスパッタリングに限られることはなく、各層の構成などに応じて、塗布などの方法を適宜用いることができる。
Base Film Next, the base film 32 will be described in detail with reference to FIGS. In this Embodiment, the base film 32 is comprised from several layers so that it may mention later. Here, each layer of the base film 32 is integrally formed by sputtering, for example, without using bonding via an adhesive layer. In addition, the method of forming each layer of the base film 32 is not limited to sputtering, and a method such as coating can be appropriately used depending on the configuration of each layer.

図4(a)は、アクティブエリアAa1における基材フィルム32の断面を示す図である。図4(a)に示すように、基材フィルム32は、透明なフィルム本体33と、フィルム本体33の第1透明導電体40側(一方の側)の面33a上に設けられた第1アンダーコート層71と、第1アンダーコート層71の第1透明導電体40側(一方の側)の面71a上に設けられた第1高屈折率層72と、第1高屈折率層72の第1透明導電体40側(一方の側)の面72a上に設けられた第1低屈折率層73と、フィルム本体33の第2透明導電体45側(他方の側)の面33b上に設けられた第2アンダーコート層76と、第2アンダーコート層76の第2透明導電体45側(他方の側)の面76b上に設けられた第2高屈折率層77と、第2高屈折率層77の第2透明導電体45側(他方の側)の面77b上に設けられた第2低屈折率層78と、を有している。このうち、第1高屈折率層72と第1低屈折率層73とにより第1機能層70が構成され、第2高屈折率層77と第2低屈折率層78とにより第2機能層75が構成されている。   FIG. 4A is a diagram showing a cross section of the base film 32 in the active area Aa1. As shown to Fig.4 (a), the base film 32 is the transparent film main body 33 and the 1st under provided on the surface 33a by the side of the 1st transparent conductor 40 (one side) of the film main body 33. As shown in FIG. The coating layer 71, the first high refractive index layer 72 provided on the first transparent conductor 40 side (one side) surface 71 a of the first undercoat layer 71, and the first high refractive index layer 72 The first low refractive index layer 73 provided on the surface 72a on the first transparent conductor 40 side (one side) and the surface 33b on the second transparent conductor 45 side (the other side) of the film body 33 are provided. The second undercoat layer 76, the second high refractive index layer 77 provided on the surface 76b of the second undercoat layer 76 on the second transparent conductor 45 side (the other side), and the second high refractive index. Second low refraction provided on the surface 77b of the index layer 77 on the second transparent conductor 45 side (the other side). It has a layer 78, a. Among these, the first high refractive index layer 72 and the first low refractive index layer 73 constitute the first functional layer 70, and the second high refractive index layer 77 and the second low refractive index layer 78 constitute the second functional layer. 75 is configured.

以下、基材フィルム32を構成する各層について詳述する。はじめにフィルム本体33について詳述する。   Hereinafter, each layer which comprises the base film 32 is explained in full detail. First, the film body 33 will be described in detail.

(フィルム本体)
フィルム本体33の材料としては、透明性の高い材料が好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリカーボネイト(PC)、ポリプロピレン(PP)、ポリアミド(PA)、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、脂肪族環状ポリオレフィン、ノルボルネン系の熱可塑性透明樹脂などの可撓性フィルムを挙げることができる。本実施の形態においては、フィルム本体33が、1.66の光屈折率を有するPETから形成されている。PETからなるフィルム本体33の厚みは特に限定されないが、例えば50〜200μmの範囲内となっている。
(Film body)
The material of the film body 33 is preferably a highly transparent material, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polyetheretherketone (PEEK), polycarbonate (PC). ), Polypropylene (PP), polyamide (PA), acrylic resin, epoxy resin, phenol resin, aliphatic cyclic polyolefin, norbornene-based thermoplastic transparent resin, and the like. In the present embodiment, the film body 33 is formed of PET having a light refractive index of 1.66. The thickness of the film main body 33 made of PET is not particularly limited, but is, for example, in the range of 50 to 200 μm.

(アンダーコート層)
次に第1アンダーコート層71および第2アンダーコート層76について詳述する。アンダーコート層71,76は、フィルム本体33中に発生する低分子重合体(オリゴマー)が高屈折率層72,77側に入り込むのを防ぐための層であり、例えばアクリル樹脂から形成されている。アクリル樹脂からなるアンダーコート層71,76の光屈折率は例えば1.51となっており、その厚みは例えば3000nmとなっている。
(Undercoat layer)
Next, the first undercoat layer 71 and the second undercoat layer 76 will be described in detail. The undercoat layers 71 and 76 are layers for preventing a low molecular polymer (oligomer) generated in the film main body 33 from entering the high refractive index layers 72 and 77, and are made of, for example, an acrylic resin. . The light refractive index of the undercoat layers 71 and 76 made of acrylic resin is, for example, 1.51, and the thickness thereof is, for example, 3000 nm.

フィルム本体33のオリゴマーは、一般に、後述する透明導電体40、45の形成工程において基材フィルム32を加熱する際に発生する。   The oligomer of the film main body 33 is generally generated when the base film 32 is heated in the step of forming the transparent conductors 40 and 45 described later.

(機能層)
次に第1機能層70および第2機能層75について詳述する。はじめに、第1機能層70および第2機能層75を設ける目的について説明する。
(Functional layer)
Next, the first functional layer 70 and the second functional layer 75 will be described in detail. First, the purpose of providing the first functional layer 70 and the second functional layer 75 will be described.

(機能層の目的)
上述のように、フィルム本体33と透明導電体40,45との光屈折率には約0.3の差がある。このようにフィルム本体33と透明導電体40,45との光屈折率の差が大きい場合、一般に、基材フィルム32のうち透明導電体40,45が設けられている領域と設けられていない領域とにおいて、光の反射率、透過率が大きく異なることが考えられる。また、ITOからなる透明導電体40,45は一般に450nm以下の短波長を吸収する特性を有するため、基材フィルム32のうち透明導電体40,45が設けられている領域を透過した光のスペクトルが黄色くなることも考えられる。第1機能層70および第2機能層75はこのような課題を解決するために設けられる層である。
(Purpose of functional layer)
As described above, there is a difference of about 0.3 in the optical refractive index between the film body 33 and the transparent conductors 40 and 45. Thus, when the difference of the optical refractive index of the film main body 33 and the transparent conductors 40 and 45 is large, generally, the area | region where the transparent conductors 40 and 45 are provided among the base film 32, and the area | region where it is not provided It is conceivable that the reflectance and transmittance of light differ greatly. Moreover, since the transparent conductors 40 and 45 made of ITO generally have a characteristic of absorbing a short wavelength of 450 nm or less, the spectrum of light transmitted through the region of the base film 32 where the transparent conductors 40 and 45 are provided. It is also possible that the yellowing. The 1st functional layer 70 and the 2nd functional layer 75 are layers provided in order to solve such a subject.

(機能層の構成)
次に、第1機能層70および第2機能層75の構成について説明する。上述のように、機能層70,75は高屈折率層72,77と低屈折率層73,78とを含んでいる。このうち高屈折率層72,77の光屈折率は、透明導電体40,45の光屈折率よりも大きくなっており、また低屈折率層73,78の光屈折率は、透明導電体40,45の光屈折率よりも小さくなっている。このような構成からなる機能層70,75をフィルム本体33と透明導電体40,45との間に設けることにより、基材フィルム32のアクティブエリアAa1のうち透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射率(図4(a)において矢印(1),(3)で示す領域における光の反射率)と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射率(図4(a)において矢印(2),(4)で示す領域における光の反射率)と、の差を小さくすることができる。同様に、機能層70,75を設けることにより、透明導電体40,45が設けられている領域における光の透過率と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の透過率と、の差を小さくすることもできる。
(Configuration of functional layer)
Next, the configuration of the first functional layer 70 and the second functional layer 75 will be described. As described above, the functional layers 70 and 75 include the high refractive index layers 72 and 77 and the low refractive index layers 73 and 78. Of these, the refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is larger than the refractive index of the transparent conductors 40 and 45, and the refractive index of the low refractive index layers 73 and 78 is the transparent conductor 40. , 45 is smaller than the optical refractive index. By providing the functional layers 70 and 75 having such a configuration between the film body 33 and the transparent conductors 40 and 45, the transparent conductors 40 and 45 are provided in the active area Aa1 of the base film 32. The reflectance of light in the region (the reflectance of light in the region indicated by arrows (1) and (3) in FIG. 4A) and the reflectance of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided. (The reflectance of light in the region indicated by arrows (2) and (4) in FIG. 4A) can be reduced. Similarly, by providing the functional layers 70 and 75, the light transmittance in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided, and the light transmittance in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided, , The difference can be reduced.

また上述の構成を有する機能層70,75を設けることにより、基材フィルム32のうち透明導電体40,45が設けられている領域を透過した光のスペクトルを、各波長域で平坦なスペクトルとすることができる。図4(b)において左側に示すスペクトルは、機能層70,75が設けられていない場合の透過光のスペクトルであり、図4(b)において右側に示すスペクトルは、機能層70,75が設けられている場合の透過光のスペクトルである。図4(b)に示すように、フィルム本体33と透明導電体40,45との間に機能層70,75を設けることにより、各波長域で均一な透過率を実現することが可能となる。このようにして、透過光において黄色の成分のみが過大となるのを防ぐことができ、この場合、透過光をL*a*b*表色系で表したときのb*の絶対値は例えば1.5以下となっている。   Further, by providing the functional layers 70 and 75 having the above-described configuration, the spectrum of light transmitted through the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided in the base film 32 is changed to a flat spectrum in each wavelength region. can do. The spectrum shown on the left side in FIG. 4B is a spectrum of transmitted light when the functional layers 70 and 75 are not provided, and the spectrum shown on the right side in FIG. 4B is provided with the functional layers 70 and 75. It is the spectrum of the transmitted light when As shown in FIG. 4B, by providing the functional layers 70 and 75 between the film main body 33 and the transparent conductors 40 and 45, it becomes possible to realize uniform transmittance in each wavelength region. . In this way, it is possible to prevent only the yellow component from being excessive in the transmitted light. In this case, the absolute value of b * when the transmitted light is expressed in the L * a * b * color system is, for example, It is 1.5 or less.

(機能層の設計方法)
次に上述の機能を有する機能層70,75を設計する方法について説明する。はじめに、タッチパネルセンサ30における光学特性の目標を決定する。例えば、基材フィルム32のアクティブエリアAa1のうち、透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射率および透過率と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射率および透過率と、の差がそれぞれ1%以下であって、基材フィルム32のうち透明導電体40,45が設けられている領域を透過した光のb*の絶対値が1.5以下であることを光学特性の目標とする。
(Function layer design method)
Next, a method for designing the functional layers 70 and 75 having the above functions will be described. First, a target of optical characteristics in the touch panel sensor 30 is determined. For example, in the active area Aa1 of the base film 32, the reflectance and transmittance of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided, and the light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided. The difference between the reflectance and the transmittance is 1% or less, respectively, and the absolute value of b * of the light transmitted through the region of the base film 32 where the transparent conductors 40 and 45 are provided is 1.5. The following is the target of optical characteristics.

なお、L*a*b*表色系において、L*は明度を表し、a*,b*は色相と彩度を表す量である。a*およびb*に関しては、その絶対値が小さい値領域にて、無彩色に近い色相となる。b*が+1.5を超える領域では透過色が黄色味を帯びる様になり、またー1.5未満の領域では透過色が青味を帯びる様になる。これらの領域では、表示装置15のカラー表示に透明導体40、45の透過色が悪影響を与える。従って、b*の絶対値が1.5以下である無彩色の領域の値を示す必要がある。   In the L * a * b * color system, L * represents lightness, and a * and b * are quantities representing hue and saturation. For a * and b *, the hue is close to an achromatic color in a value region where the absolute value is small. When b * exceeds +1.5, the transmitted color becomes yellowish, and when it is less than −1.5, the transmitted color becomes bluish. In these areas, the color of the transparent conductors 40 and 45 adversely affects the color display of the display device 15. Therefore, it is necessary to indicate the value of the achromatic region where the absolute value of b * is 1.5 or less.

次に、基材フィルム32の各層の厚みおよび光屈折率と、透明導電体40,45の厚みおよび光屈折率とに基づいて、シミュレーションにより反射率、透過率およびb*の値を求める。そして、高屈折率層72,77および低屈折率層73,78の厚みと光屈折率とを可変のパラメータとして、上述の光学特性の目標を達成するパラメータを探索する。これによって、高屈折率層72,77および低屈折率層73,78の厚みおよび光屈折率の適切な範囲を算出し、このようにして、目標とする光学特性を得ることができる機能層70,75を設計する。なおシミュレーション用のツールとしては、例えばサイバネットシステムズ(株)製の薄膜設計ソフトウェア(OPTAS−FILM)を用いることができる。   Next, based on the thickness and optical refractive index of each layer of the base film 32 and the thickness and optical refractive index of the transparent conductors 40 and 45, the values of reflectance, transmittance, and b * are obtained by simulation. Then, using the thicknesses of the high-refractive index layers 72 and 77 and the low-refractive index layers 73 and 78 and the optical refractive index as variable parameters, a parameter that achieves the above-described optical characteristic target is searched. Accordingly, the appropriate ranges of the thickness and the optical refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 and the low refractive index layers 73 and 78 are calculated, and thus the functional layer 70 that can obtain the target optical characteristics. , 75 are designed. As a simulation tool, for example, thin film design software (OPTAS-FILM) manufactured by Cybernet Systems Co., Ltd. can be used.

なお、本件発明者らが実験を重ねたところ、機能層70,75の設計において、高屈折率層72,77および低屈折率層73,78の光屈折率の波長依存性を考慮すること、とりわけ高屈折率層72,77の光屈折率の波長依存性を考慮することが重要であることが知見された。より具体的に言えば、後述する実施例での実験結果で支持されているように、光波長550nm近傍の波長領域において上述の光学特性の目標を達成するとともに、光波長400nm近傍の短波長領域においても上述の光学特性の目標を達成するよう、高屈折率層72,77の厚みおよび光屈折率の適切な範囲を算出するのが重要であることが知見された。例えば、上述の目標とする光学特性を得ることができる基材フィルム32および透明導電体40,45は、以下の表1に示す構成となっている。

Figure 0005413304
In addition, when the present inventors repeated experiments, in designing the functional layers 70 and 75, the wavelength dependency of the light refractive indexes of the high refractive index layers 72 and 77 and the low refractive index layers 73 and 78 is considered. In particular, it has been found that it is important to consider the wavelength dependence of the optical refractive index of the high refractive index layers 72 and 77. More specifically, as supported by the experimental results in the examples described later, the above-mentioned optical characteristics target is achieved in the wavelength region near the light wavelength 550 nm, and the short wavelength region near the light wavelength 400 nm. It has also been found that it is important to calculate an appropriate range of the thicknesses of the high refractive index layers 72 and 77 and the optical refractive index so as to achieve the above-described optical property target. For example, the base film 32 and the transparent conductors 40 and 45 capable of obtaining the above-described target optical characteristics have the configurations shown in Table 1 below.
Figure 0005413304

次に高屈折率層72,77および低屈折率層73,78の材料について詳述する。高屈折率層72,77の材料としては、目標とする光学特性を達成することのできる光屈折率を有する材料であれば特に限定されず、例えば波長400nmの光に対する光屈折率が2.36となり、波長550nmの光に対する光屈折率が2.18となっている五酸化ニオブ(Nb)が用いられる。また低屈折率層73,78の材料としても、目標とする光学特性を達成することのできる光屈折率を有する材料であれば特に限定されず、例えば1.46の光屈折率を有する二酸化珪素(SiO)が用いられる。 Next, the materials of the high refractive index layers 72 and 77 and the low refractive index layers 73 and 78 will be described in detail. The material of the high refractive index layers 72 and 77 is not particularly limited as long as the material has a light refractive index capable of achieving the target optical characteristics. Thus, niobium pentoxide (Nb 2 O 5 ) having an optical refractive index of 2.18 for light having a wavelength of 550 nm is used. Further, the material of the low refractive index layers 73 and 78 is not particularly limited as long as it is a material having a light refractive index capable of achieving a target optical characteristic. For example, silicon dioxide having a light refractive index of 1.46. (SiO 2 ) is used.

次に、以上のような構成からなるタッチパネルセンサ30を図7に示すフローチャートにしたがって製造していく方法について、図5および図6A〜図6Lを参照しながら説明する。なお、図6A〜図6Lの各図において、図(a)は、作製中のタッチパネルセンサ(積層体)を、図3AにおけるV−V線に沿った断面に対応する断面において示している。また、図6A〜図6Lの各図において、図(b)は、作製中のタッチパネルセンサ(積層体)を、一方の側(各図(a)の紙面における上側)から示す上面図である。   Next, a method of manufacturing the touch panel sensor 30 configured as described above according to the flowchart shown in FIG. 7 will be described with reference to FIGS. 5 and 6A to 6L. 6A to 6L, FIG. 6A shows the touch panel sensor (laminated body) being manufactured in a cross section corresponding to the cross section along the line VV in FIG. 3A. Moreover, in each figure of FIG. 6A-FIG. 6L, a figure (b) is a top view which shows the touch panel sensor (laminated body) in preparation from one side (the upper side in the paper surface of each figure (a)).

はじめに、図5を参照して、タッチパネルセンサ30を作製するための元材としての積層体(ブランクスとも呼ばれる)50を形成する工程(図7における工程S1)について説明する。後述するように、この積層体50に成膜やパターニング等の処理(加工)を行っていくことにより、タッチパネルセンサ30が得られるようになる。
積層体の形成工程
First, with reference to FIG. 5, the process (process S1 in FIG. 7) which forms the laminated body (it is also called blanks) 50 as a base material for producing the touch panel sensor 30 is demonstrated. As will be described later, the touch panel sensor 30 can be obtained by performing processing (processing) such as film formation and patterning on the laminated body 50.
Laminate formation process

はじめに、フィルム本体33を準備し、次に、フィルム本体33の一方の側の面33aおよび他方の側の面33bにそれぞれ第1アンダーコート層71および第2アンダーコート層76を形成する(図5(a)参照)。アンダーコート層71,76は、例えばコーティングにより形成される。この場合、フィルム本体33とアンダーコート層71,76とが一体になっていてもよい。   First, the film body 33 is prepared, and then the first undercoat layer 71 and the second undercoat layer 76 are formed on the surface 33a on one side and the surface 33b on the other side of the film body 33, respectively (FIG. 5). (See (a)). The undercoat layers 71 and 76 are formed by coating, for example. In this case, the film body 33 and the undercoat layers 71 and 76 may be integrated.

次に図5(b)に示すように、第1アンダーコート層71の一方の側の面71aに第1機能層70を形成し、第2アンダーコート層76の他方の側の面76bに第2機能層75を形成する。前述のように、第1機能層70は第1高屈折率層72と第1低屈折率層73とを含み、第2機能層75は第2高屈折率層77と第2低屈折率層78とを含んでいる。高屈折率層72,77および低屈折率層73,78は、それぞれスパッタリングにより形成される。このようにして、フィルム本体33と、アンダーコート層71,76と、高屈折率層72,77と、低屈折率層73,78とを有する基材フィルム32が形成される。   Next, as shown in FIG. 5B, the first functional layer 70 is formed on the surface 71 a on one side of the first undercoat layer 71, and the first surface 76 b on the other side of the second undercoat layer 76. A bifunctional layer 75 is formed. As described above, the first functional layer 70 includes the first high refractive index layer 72 and the first low refractive index layer 73, and the second functional layer 75 includes the second high refractive index layer 77 and the second low refractive index layer. 78. The high refractive index layers 72 and 77 and the low refractive index layers 73 and 78 are formed by sputtering, respectively. In this manner, the base film 32 having the film body 33, the undercoat layers 71 and 76, the high refractive index layers 72 and 77, and the low refractive index layers 73 and 78 is formed.

(透明導電層の成膜工程)
次に図5(c)を参照して、基材フィルム32の一方の側の面32aに第1透明導電層52aを形成し、基材フィルム32の他方の側の面32bに第2透明導電層52bを形成する工程について説明する。ここで第1透明導電層52a、第2透明導電層52bはそれぞれ、後述するパターニングを行うことによって、透光性を有する第1透明導電体40および第2透明導電体45となる層である。第1透明導電層52a、第2透明導電層52bとしては、透光性および導電性を有する材料が用いられ、例えばITOが用いられる。ITOからなる透明導電層52a,52bは、例えばスパッタリングにより基材フィルム32上に形成される。
(Transparent conductive layer deposition process)
Next, referring to FIG. 5C, the first transparent conductive layer 52 a is formed on the surface 32 a on one side of the base film 32, and the second transparent conductive is formed on the surface 32 b on the other side of the base film 32. A process of forming the layer 52b will be described. Here, the first transparent conductive layer 52a and the second transparent conductive layer 52b are layers that become the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 having translucency by performing patterning to be described later. As the 1st transparent conductive layer 52a and the 2nd transparent conductive layer 52b, the material which has translucency and electroconductivity is used, for example, ITO is used. The transparent conductive layers 52a and 52b made of ITO are formed on the base film 32 by sputtering, for example.

(従来の課題)
ところで、ITOを基材フィルム32にスパッタリングにより形成する際、従来は、まず常温に保持されている基材フィルム32上にスパッタリングによりITOが形成される。その後、ITOが形成された基材フィルム32が、ITOの結晶化温度よりも高い温度まで加熱される(アニール処理)。このように、ITOが形成された基材フィルム32にアニール処理を施すことにより、ITOの結晶化を促進し、これによって、ITOの比抵抗の低減が図られている。
(Previous issues)
By the way, when forming ITO on the base film 32 by sputtering, conventionally, ITO is first formed on the base film 32 held at room temperature by sputtering. Thereafter, the base film 32 on which ITO is formed is heated to a temperature higher than the crystallization temperature of ITO (annealing treatment). Thus, by subjecting the base film 32 on which ITO is formed to annealing treatment, crystallization of the ITO is promoted, thereby reducing the specific resistance of the ITO.

しかしながら、PETからなるフィルム本体を有する基材フィルム32の耐熱性は、ガラス基板などに比べて一般に低く、このため、基材フィルム32およびITOを高温、例えば200℃以上でアニール処理することは困難である。このため、ITOの基材としてフィルム状の基材フィルム32が用いられる場合、スパッタリング後のアニール処理の温度は一般に140℃程度である。この場合、ITOの結晶化を十分に進行させることができず、このためITOの比抵抗を十分に下げることができない。従って、タッチパネルセンサ30の透明導電体40,45の電気抵抗を十分に小さくするためには、透明導電体40,45の厚みを大きくする必要がある。しかしながら前述のように、透明導電体40,45の厚みが大きくなると、透明導電体40,45における光の反射率が大きくなり、これによって、タッチパネルセンサ30のうち透明導電体40,45が設けられている領域と透明導電体40、45が設けられていない領域との間における光の反射率および透過率の差が大きくなることが考えられる。   However, the heat resistance of the base film 32 having a film body made of PET is generally lower than that of a glass substrate or the like, and therefore it is difficult to anneal the base film 32 and ITO at a high temperature, for example, 200 ° C. or higher. It is. For this reason, when the film-like substrate film 32 is used as the ITO substrate, the temperature of the annealing treatment after sputtering is generally about 140 ° C. In this case, the crystallization of ITO cannot sufficiently proceed, and therefore the specific resistance of ITO cannot be lowered sufficiently. Therefore, in order to sufficiently reduce the electrical resistance of the transparent conductors 40 and 45 of the touch panel sensor 30, it is necessary to increase the thickness of the transparent conductors 40 and 45. However, as described above, when the thickness of the transparent conductors 40 and 45 is increased, the reflectance of light in the transparent conductors 40 and 45 is increased, thereby providing the transparent conductors 40 and 45 in the touch panel sensor 30. It is conceivable that the difference in light reflectance and transmittance between the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided increases.

(本実施の形態)
上述のような課題を解決するため、本実施の形態においては、ITOからなる透明導電層52a,52bをスパッタリングにより基材フィルム32上に形成する際、基材フィルム32の温度が140〜170℃の範囲内に保持されている。この場合、ITOを構成する元素の原子(分子)がスパッタリングにより基材フィルム32上に到達する際、各原子(分子)がスパッタリングによる大きな運動エネルギーを有するとともに、各原子(分子)には基材フィルム32から熱エネルギーが供給されることになる。このように基材フィルム32上に到達した各原子(分子)が従来よりも大きなエネルギーを有するため、基材フィルム32上におけるITOの結晶化を促進することができ、これによって、結晶化率の高いITOからなる透明導電層52a,52bを基材フィルム32上に形成することができる。このことにより、形成される透明導電層52a,52b(透明導電体40,45)の比抵抗を小さくすることができ、例えば4×10−6Ωm(23℃、55%RH)以下にすることができる。これによって、透明導電層52a,52b(透明導電体40,45)の厚みを小さくした場合であっても、透明導電層52a,52b(透明導電体40,45)の電気抵抗を十分に小さくすることができる。
(This embodiment)
In order to solve the above-described problems, in the present embodiment, when the transparent conductive layers 52a and 52b made of ITO are formed on the base film 32 by sputtering, the temperature of the base film 32 is 140 to 170 ° C. Is kept within the range. In this case, when atoms (molecules) of the elements constituting the ITO reach the base film 32 by sputtering, each atom (molecule) has a large kinetic energy by sputtering, and each atom (molecule) has a base material. Thermal energy is supplied from the film 32. Thus, since each atom (molecule) which reached | attained on the base film 32 has energy larger than before, crystallization of ITO on the base film 32 can be accelerated | stimulated, and, thereby, crystallization rate of Transparent conductive layers 52 a and 52 b made of high ITO can be formed on the base film 32. As a result, the specific resistance of the formed transparent conductive layers 52a and 52b (transparent conductors 40 and 45) can be reduced, for example, 4 × 10 −6 Ωm (23 ° C., 55% RH) or less. Can do. Thereby, even when the thickness of the transparent conductive layers 52a and 52b (transparent conductors 40 and 45) is reduced, the electrical resistance of the transparent conductive layers 52a and 52b (transparent conductors 40 and 45) is sufficiently reduced. be able to.

このように本実施の形態によれば、ITOからなる透明導電層52a,52bをスパッタリングにより基材フィルム32上に形成する際、基材フィルム32の温度を140〜170℃の範囲内に保持することにより、透明導電層52a,52b(透明導電体40,45)の厚みを小さくすることができる。   As described above, according to the present embodiment, when the transparent conductive layers 52a and 52b made of ITO are formed on the base film 32 by sputtering, the temperature of the base film 32 is maintained within a range of 140 to 170 ° C. Thus, the thickness of the transparent conductive layers 52a and 52b (transparent conductors 40 and 45) can be reduced.

前述のとおり、膜厚が小さい場合、例えば40nm以下の場合、一般に、透明導電体40、45の厚みが小さいほど、透明導電体40、45に由来する光の反射率は小さくなり、吸収項の影響が小さいため透過率が高くなる。これによって、透明導電体40,45における光の反射率を従来よりも小さくすることができる。このことにより、タッチパネルセンサ30のうち透明導電体40,45が設けられている領域と透明導電体40,45が設けられていない領域との間における光の反射率および透過率の差を小さくすることができる。   As described above, when the film thickness is small, for example, 40 nm or less, in general, the smaller the thickness of the transparent conductors 40 and 45, the smaller the reflectance of light derived from the transparent conductors 40 and 45, and the absorption term Since the influence is small, the transmittance is high. Thereby, the reflectance of light in the transparent conductors 40 and 45 can be made smaller than that of the prior art. This reduces the difference in light reflectance and transmittance between the area where the transparent conductors 40 and 45 are provided in the touch panel sensor 30 and the area where the transparent conductors 40 and 45 are not provided. be able to.

また本実施の形態によれば、透明導電体40、45とフィルム本体33との間に、高屈折率層72,77と低屈折率層73,78とからなり、インデックスマッチング層として機能する機能層70,75が介在されている。このため、薄膜干渉の効果を生じさせることにより、タッチパネルセンサ30のうち透明導電体40、45がパターニングされている領域と透明導電体40、45がパターニングされていない領域との間における光の反射率および透過率の差をより小さくすることができる。   Further, according to the present embodiment, the transparent conductors 40 and 45 and the film body 33 are composed of the high refractive index layers 72 and 77 and the low refractive index layers 73 and 78, and function as an index matching layer. Layers 70 and 75 are interposed. For this reason, the reflection of light between the region where the transparent conductors 40 and 45 are patterned in the touch panel sensor 30 and the region where the transparent conductors 40 and 45 are not patterned by causing the effect of thin film interference. The difference between the transmittance and the transmittance can be further reduced.

このようにして透明導電層52a,52bを基材フィルム32上に形成することにより、図5(c)に示すように、基材フィルム32と透明導電層52a,52bとを含む中間積層体80が得られる。なお、好ましくは、透明導電層52a,52b(透明導電体40、45)は、錫を2〜4重量%含むITOからなる。このような組成のITOを用いることにより、ITOの結晶化をより促進することができ、これによって、透明導電層52a,52b(透明導電体40,45)の厚みをより小さくすることが可能となる。   Thus, by forming the transparent conductive layers 52a and 52b on the base film 32, as shown in FIG. 5C, the intermediate laminate 80 including the base film 32 and the transparent conductive layers 52a and 52b. Is obtained. The transparent conductive layers 52a and 52b (transparent conductors 40 and 45) are preferably made of ITO containing 2 to 4% by weight of tin. By using ITO having such a composition, crystallization of ITO can be further promoted, and thereby the thickness of the transparent conductive layers 52a and 52b (transparent conductors 40 and 45) can be further reduced. Become.

次に図5(d)に示すように、中間積層体80の一方の側の面80aに第1遮光導電層54aを形成し、透明導電層付フィルム80の他方の側の面80bに第2遮光導電層54bを形成する。このうち第1遮光導電層54aは、第1中間層61と第1取出導電体43と第1保護層62とを含んでおり、各々スパッタリングにより形成される。また第2遮光導電層54aは、第2中間層66と第2取出導電体48と第2保護層67とを含んでおり、各々スパッタリングにより形成される。このようにして、タッチパネルセンサ30を作製するために用いられる積層体50であって、基材フィルム32と透明導電層52a,52bと遮光導電層54a,54bとを含む積層体50が形成される。   Next, as shown in FIG. 5D, the first light-shielding conductive layer 54a is formed on the surface 80a on one side of the intermediate laminate 80, and the second surface 80b on the other side of the film 80 with the transparent conductive layer. A light-shielding conductive layer 54b is formed. Among these, the 1st light-shielding conductive layer 54a contains the 1st intermediate | middle layer 61, the 1st extraction conductor 43, and the 1st protective layer 62, and each is formed by sputtering. The second light-shielding conductive layer 54a includes a second intermediate layer 66, a second extraction conductor 48, and a second protective layer 67, and each is formed by sputtering. In this way, the laminate 50 used for manufacturing the touch panel sensor 30 is formed, which includes the base film 32, the transparent conductive layers 52a and 52b, and the light-shielding conductive layers 54a and 54b. .

ここで、第1遮光導電層54aおよび第2遮光導電層54bは、後述する感光層56a,56bの露光に用いられる光に対する遮光性を有する層、つまり、当該露光光を透過させない性質を有する層である。ただし、本実施の形態においては、感光層56a,56bの露光光に対してのみでなくその他の波長域の光に対する遮光性を有した層、より具体的には、自然光に含まれ得る可視光、紫外線、赤外線等に対する遮光性を有した層として形成されている。このような層を遮光導電層54a,54bとして用いれば、より確実に露光光を遮光することを期待することができる。   Here, the first light-shielding conductive layer 54a and the second light-shielding conductive layer 54b are layers having a light-shielding property with respect to light used for exposure of photosensitive layers 56a and 56b described later, that is, a layer having a property of not transmitting the exposure light. It is. However, in the present embodiment, not only the exposure light of the photosensitive layers 56a and 56b but also a layer having a light shielding property against light in other wavelength regions, more specifically, visible light that can be included in natural light. It is formed as a layer having a light shielding property against ultraviolet rays, infrared rays and the like. If such a layer is used as the light-shielding conductive layers 54a and 54b, it can be expected to more reliably shield the exposure light.

なお、積層体50は枚葉状の積層体50として準備されてもよいし、あるいは、細長いウェブ状の積層体50、例えばロールに巻き取られた積層体50が準備されてもよい。ただし、生産効率を考慮すると、異なる場所で作製されるとともにロールに巻き取られた積層体50が準備され、ロール状の積層体50を巻き戻していくことによってウェブ状の積層体50が供給されていき、以下に説明する各工程が供給されていくウェブ状の積層体50に対して施されていくことが好ましい。あるいは、基材フィルム32を巻き取ったロールから当該基材フィルム32が繰り出されていき、又は、基材フィルム32並びに第1および第2の透明導電層52a,52bからなる中間積層体80を巻き取ったロールから当該中間積層体80が繰り出されていき、当該基材フィルム32または当該中間積層体80から積層体50が作製されていくとともに、作製された積層体50に対して以下に説明する各工程が施されていくことも好ましい。   In addition, the laminated body 50 may be prepared as the sheet-like laminated body 50, or the elongate web-like laminated body 50, for example, the laminated body 50 wound up by the roll may be prepared. However, in consideration of production efficiency, a laminate 50 prepared in a different place and wound around a roll is prepared, and the web-like laminate 50 is supplied by rewinding the roll laminate 50. It is preferable that the steps described below are performed on the web-like laminate 50 to which the following steps are supplied. Or the said base film 32 is drawn | fed out from the roll which wound up the base film 32, or the intermediate | middle laminated body 80 which consists of the base film 32 and the 1st and 2nd transparent conductive layers 52a and 52b is wound. The intermediate laminate 80 is drawn out from the taken roll, and the laminate 50 is produced from the base film 32 or the intermediate laminate 80. The produced laminate 50 will be described below. It is also preferable that each step is performed.

タッチパネルセンサの製造工程
次にタッチパネルセンサ30を製造する工程について、図6A〜図6Lおよび図7を参照して説明する。
Manufacturing Process of Touch Panel Sensor Next, a process of manufacturing the touch panel sensor 30 will be described with reference to FIGS. 6A to 6L and FIG.

はじめに図6Aに示すように、上述の工程により得られた積層体50を準備する。   First, as shown in FIG. 6A, a laminate 50 obtained by the above-described steps is prepared.

次に、図7および図6Bに示すように、積層体50の一方の側の面50a上に第1感光層56aを形成するとともに、積層体50の他方の側の面50b上に第2感光層56bを形成する(工程S2)。第1感光層56aおよび第2感光層56bは、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。具体的には、積層体50の表面上にコーターを用いて感光性材料をコーティングすることによって、感光層56a,56bを形成することができる。   Next, as shown in FIG. 7 and FIG. 6B, the first photosensitive layer 56 a is formed on the surface 50 a on one side of the multilayer body 50, and the second photosensitive layer is formed on the surface 50 b on the other side of the multilayer body 50. The layer 56b is formed (step S2). The first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b have photosensitivity to light in a specific wavelength range, for example, ultraviolet rays. Specifically, the photosensitive layers 56a and 56b can be formed by coating a photosensitive material on the surface of the laminate 50 using a coater.

その後、図7および図6Cに示すように、第1感光層56aおよび第2感光層56bを同時に露光する(工程S3)。   Thereafter, as shown in FIGS. 7 and 6C, the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b are simultaneously exposed (step S3).

具体的には、まず、図6C(a)に示すように、第1感光層56a上に第1マスク58aを配置するとともに、第2感光層56b上に第2マスク58bを配置する。第1マスク58aは、形成されるべき第1透明導電体40のパターンに対応した所定のパターンを有し、第2マスク58bは、形成されるべき第2透明導電体45のパターンに対応した所定のパターンを有している。また、第1マスク58aのパターンと第2マスク58bのパターンは、互いに異なるパターンとなっている。   Specifically, first, as shown in FIG. 6C (a), the first mask 58a is disposed on the first photosensitive layer 56a, and the second mask 58b is disposed on the second photosensitive layer 56b. The first mask 58a has a predetermined pattern corresponding to the pattern of the first transparent conductor 40 to be formed, and the second mask 58b has a predetermined pattern corresponding to the pattern of the second transparent conductor 45 to be formed. It has the pattern of. The pattern of the first mask 58a and the pattern of the second mask 58b are different from each other.

なお、第1マスク58aおよび第2マスク58bの位置決めは、第1マスク58aおよび第2マスク58bのそれぞれに設けられたアライメントマーク59aを基準にして行われ得る。このような方法によれば、第1マスク58aおよび第2マスク58bを互いに対して、例えばミクロン単位のオーダーで極めて精度良く、且つ、極めて容易に(したがって、短時間で)位置決めすることが可能となる。   The positioning of the first mask 58a and the second mask 58b can be performed with reference to the alignment mark 59a provided on each of the first mask 58a and the second mask 58b. According to such a method, it is possible to position the first mask 58a and the second mask 58b with respect to each other with extremely high accuracy, for example, on the order of microns, and very easily (and therefore in a short time). Become.

次に、図6C(a)に示すように、この状態で、第1感光層58aおよび第2感光層58bの感光特性に対応した露光光(例えば、紫外線)を、マスク58a,58bを介して感光層56a,56bに照射する。この結果、第1感光層56aおよび第2感光層56bが互いに異なるパターンで同時に露光される。   Next, as shown in FIG. 6C (a), in this state, exposure light (for example, ultraviolet rays) corresponding to the photosensitive characteristics of the first photosensitive layer 58a and the second photosensitive layer 58b is passed through the masks 58a and 58b. The photosensitive layers 56a and 56b are irradiated. As a result, the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b are simultaneously exposed in different patterns.

図示された例においては、第1感光層56aおよび第2感光層56bがポジ型の感光層となっている。したがって、第1感光層56aは、第1透明導電体40を形成するためにエッチングで除去される部分のパターンに対応したパターンで露光光を照射され、第2感光層56bは、第2透明導電体45を形成するためにエッチングで除去される部分のパターンに対応したパターンで露光光を照射される。図6C(a)に示すように、第1感光層56aに照射された露光光は第1感光層56aを透過して積層体(ブランクス)50に照射され、第2感光層56bに照射された露光光は第2感光層56bを透過して積層体50に照射される。   In the illustrated example, the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b are positive photosensitive layers. Therefore, the first photosensitive layer 56a is irradiated with exposure light in a pattern corresponding to the pattern of the portion removed by etching to form the first transparent conductor 40, and the second photosensitive layer 56b is irradiated with the second transparent conductive layer. In order to form the body 45, exposure light is irradiated in a pattern corresponding to the pattern of the portion removed by etching. As shown in FIG. 6C (a), the exposure light applied to the first photosensitive layer 56a passes through the first photosensitive layer 56a, is applied to the laminate (blanks) 50, and is applied to the second photosensitive layer 56b. The exposure light passes through the second photosensitive layer 56b and is applied to the stacked body 50.

ただし、積層体50は露光光を遮光する第1遮光導電層54aおよび第2遮光導電層54bを有している。したがって、第1感光層56aを透過した露光光源からの光は第1遮光導電層54aによって遮光され第2感光層56bに到達することはなく、同様に、第2感光層56bを透過した露光光源からの光は第2遮光導電層54bによって遮光され第1感光層56aに到達することはない。つまり、第1感光層56aを露光するために所定のパターンで照射される露光光が第1遮光導電層54aによって遮光されるため、当該所定のパターンの露光光が第2感光層56bに照射されることはない。同様に、第2感光層56bを露光するために所定のパターンで照射される露光光が第2遮光導電層54bによって遮光されるため、当該所定のパターンの露光光が第1感光層56aに照射されることはない。この結果、この露光工程S3において、第1感光層56aおよび第2感光層56bを、それぞれ所望のパターンで精度良く同時に露光することができる。   However, the laminated body 50 includes a first light-shielding conductive layer 54a and a second light-shielding conductive layer 54b that shield exposure light. Therefore, the light from the exposure light source that has passed through the first photosensitive layer 56a is blocked by the first light-shielding conductive layer 54a and does not reach the second photosensitive layer 56b. Similarly, the exposure light source that has passed through the second photosensitive layer 56b. Is blocked by the second light-shielding conductive layer 54b and does not reach the first photosensitive layer 56a. That is, since the exposure light irradiated in a predetermined pattern for exposing the first photosensitive layer 56a is shielded by the first light-shielding conductive layer 54a, the exposure light of the predetermined pattern is irradiated to the second photosensitive layer 56b. Never happen. Similarly, since the exposure light irradiated with a predetermined pattern for exposing the second photosensitive layer 56b is shielded by the second light-shielding conductive layer 54b, the exposure light of the predetermined pattern is irradiated to the first photosensitive layer 56a. It will never be done. As a result, in the exposure step S3, the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b can be simultaneously exposed with a desired pattern with high accuracy.

次に、図7および図6Dに示すように、露光された第1感光層56aおよび第2感光層56bを現像する(工程S4)。具体的には、第1感光層56aおよび第2感光層56bに対応した現像液を用意し、この現像液を用いて、第1感光層56aおよび第2感光層56bを現像する。これにより、図6Dに示すように、第1感光層56aおよび第2感光層56bのうちの、第1マスク58aおよび第2マスク58bによって遮光されることなく露光光源からの光を照射された部分が除去され、第1感光層56aおよび第2感光層56bが所定のパターンにパターニングされる。   Next, as shown in FIGS. 7 and 6D, the exposed first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b are developed (step S4). Specifically, a developer corresponding to the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b is prepared, and the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b are developed using this developer. As a result, as shown in FIG. 6D, portions of the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b irradiated with light from the exposure light source without being shielded by the first mask 58a and the second mask 58b. Are removed, and the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b are patterned into a predetermined pattern.

その後、図7および図6Eに示すように、パターニングされた第1感光層56aをマスクとして第1遮光導電層54aをエッチングするとともに、パターニングされた第2感光層56bをマスクとして第2遮光導電層54bをエッチングする(工程S5)。このエッチングにより、第1遮光導電層54aおよび第2遮光導電層54bが、それぞれ、第1感光層56aおよび第2感光層56bのパターンと略同一のパターンにパターニングされる。例えば、遮光導電層54a,54bがアルミニウムやモリブデンからなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を5:5:5:1の割合で配合してなる燐硝酢酸(水)をエッチング液として用いることができる。また、遮光導電層54a,54bが銀または銀合金からなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を4:1:4:4の割合で配合してなる燐硝酢酸(水)をエッチング液として用いることができる。さらに、遮光導電層54a,54bがクロムからなる場合には、硝酸セリウムアンモニウム、過塩素酸、水を17:4:70の割合で配合してなるエッチング液を用いることができる。   7 and 6E, the first light-shielding conductive layer 54a is etched using the patterned first photosensitive layer 56a as a mask, and the second light-shielding conductive layer is used using the patterned second photosensitive layer 56b as a mask. 54b is etched (step S5). By this etching, the first light-shielding conductive layer 54a and the second light-shielding conductive layer 54b are patterned in substantially the same pattern as the patterns of the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b, respectively. For example, when the light-shielding conductive layers 54a and 54b are made of aluminum or molybdenum, phosphoric acid acetic acid (water) formed by mixing phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, and water in a ratio of 5: 5: 5: 1 is used as an etching solution. Can be used. When the light-shielding conductive layers 54a and 54b are made of silver or a silver alloy, phosphoric acid acetic acid (water) containing phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, and water in a ratio of 4: 1: 4: 4 is used as an etching solution. Can be used as Furthermore, when the light-shielding conductive layers 54a and 54b are made of chromium, an etching solution in which cerium ammonium nitrate, perchloric acid, and water are mixed at a ratio of 17: 4: 70 can be used.

次に、図7および図6Fに示すように、パターニングされた第1感光層56aおよび第1遮光導電層54aをマスクとして、第1透明導電層52aをエッチングするとともに、パターニングされた第2感光層56bおよび第2遮光導電層54bをマスクとして、第2透明導電層52bをエッチングする(工程S6)。例えば、塩化第二鉄をエッチング液として用いることにより、ITOからなる第1透明導電層52aが第1感光層56aおよび第1遮光導電層54aのパターンと略同一のパターンにパターニングされるとともに、ITOからなる第2透明導電層52bが第2感光層56bおよび第2遮光導電層54bのパターンと略同一のパターンにパターニングされる。すなわち、第1透明導電層52aおよび第2透明導電層52bが両面同時にエッチングされる。   Next, as shown in FIGS. 7 and 6F, the first transparent conductive layer 52a is etched using the patterned first photosensitive layer 56a and the first light-shielding conductive layer 54a as a mask, and the patterned second photosensitive layer is used. The second transparent conductive layer 52b is etched using the 56b and the second light-shielding conductive layer 54b as a mask (step S6). For example, by using ferric chloride as an etching solution, the first transparent conductive layer 52a made of ITO is patterned into a pattern substantially the same as the pattern of the first photosensitive layer 56a and the first light-shielding conductive layer 54a. The second transparent conductive layer 52b made of is patterned in substantially the same pattern as the patterns of the second photosensitive layer 56b and the second light-shielding conductive layer 54b. That is, both the first transparent conductive layer 52a and the second transparent conductive layer 52b are simultaneously etched.

その後、図7および図6Gに示すように、パターニングされて第1遮光導電層54a上に残留している第1感光層56a、および、パターニングされて第2遮光導電層54b上に残留している第2感光層56bを除去する(工程S7)。例えば、2%水酸化カリウム等のアルカリ液を用いることにより、残留している第1感光層56aが除去され、パターニングされた第1遮光導電層54aが露出するとともに、残留している第2感光層56bが除去され、パターニングされた第2遮光導電層54bが露出するようになる。   After that, as shown in FIGS. 7 and 6G, the first photosensitive layer 56a that is patterned and remains on the first light-shielding conductive layer 54a, and the patterning that remains on the second light-shielding conductive layer 54b. The second photosensitive layer 56b is removed (step S7). For example, by using an alkaline solution such as 2% potassium hydroxide, the remaining first photosensitive layer 56a is removed, the patterned first light-shielding conductive layer 54a is exposed, and the remaining second photosensitive layer 56a is exposed. The layer 56b is removed, and the patterned second light-shielding conductive layer 54b is exposed.

次に、図7および図6Hに示すように、パターニングされた第1遮光導電層54a上にさらなる感光層として第3の感光層56cを形成するとともに、パターニングされた第2遮光導電層54b上にさらなる感光層として第4の感光層56dを形成する(工程S8)。図示する例において、作製中のタッチパネルセンサ30(積層体50)を一方の側から覆うように第3感光層56cが形成され、作製中のタッチパネルセンサ30(積層体50)を他方の側から覆うように第4感光層56dが形成されている。第3感光層56cおよび第4感光層56dは、第1感光層56aおよび第2感光層56bと同様に、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。また、第1感光層56aおよび第2感光層56bと同様に、第3感光層56cおよび第4感光層56dは、積層体50の表面上にコーターを用いて感光性材料をコーティングすることによって形成され得る。   Next, as shown in FIGS. 7 and 6H, a third photosensitive layer 56c is formed as a further photosensitive layer on the patterned first light-shielding conductive layer 54a, and on the patterned second light-shielding conductive layer 54b. A fourth photosensitive layer 56d is formed as a further photosensitive layer (step S8). In the illustrated example, the third photosensitive layer 56c is formed so as to cover the touch panel sensor 30 (stacked body 50) being manufactured from one side, and the touch panel sensor 30 (stacked body 50) being manufactured is covered from the other side. Thus, the fourth photosensitive layer 56d is formed. Similar to the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b, the third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d have photosensitivity to light in a specific wavelength region, for example, ultraviolet rays. Similarly to the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b, the third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d are formed by coating a photosensitive material on the surface of the laminated body 50 using a coater. Can be done.

その後、図7および図6Iに示すように、第3感光層56cおよび第4感光層56dを同時に露光する(工程S9)。   Thereafter, as shown in FIGS. 7 and 6I, the third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d are simultaneously exposed (step S9).

この工程では、まず図6I(a)に示すように、第3感光層56c上に第3のマスク58cを配置するとともに、第4感光層56d上に第4のマスク58dを配置する。第3マスク58cは、パターニングされた第1遮光導電層54aのうちの、第1取出導電体43を形成するために除去されるべき部分に対応した所定のパターンを有し、第3マスク58cは、パターニングされた第2遮光導電層54bのうちの、第2取出導電体48を形成するために除去されるべき部分に対応した所定のパターンを有している。図示する例において、第3マスク58cは、アクティブエリアAa1に対応して形成されたパターン、より詳細には、アクティブエリアAa1よりも少し大きめに形成された透光領域を有している。また、図示する例において、第4マスク58dは、第3マスク58cと同一のパターンを有している。   In this step, first, as shown in FIG. 6I (a), the third mask 58c is disposed on the third photosensitive layer 56c, and the fourth mask 58d is disposed on the fourth photosensitive layer 56d. The third mask 58c has a predetermined pattern corresponding to a portion of the patterned first light-shielding conductive layer 54a to be removed to form the first extraction conductor 43. The third mask 58c In the patterned second light-shielding conductive layer 54b, a predetermined pattern corresponding to a portion to be removed to form the second extraction conductor 48 is provided. In the illustrated example, the third mask 58c has a pattern formed corresponding to the active area Aa1, more specifically, a light-transmitting region formed slightly larger than the active area Aa1. In the illustrated example, the fourth mask 58d has the same pattern as the third mask 58c.

なお、第3マスク58cの位置決めは、例えば、上述した第1遮光導電層54aをパターニングする際に位置決め用のアライメントマークを形成しておき、この第1遮光導電層54aから形成されたアライメントマークを基準として実施され得る。この方法によれば、第1遮光導電層54aおよび第1透明導電層52aのパターンに対して、第3マスク58cを高精度に位置決めすることができる。また、同様の位置決め方法を第4マスク58dの位置決めに採用することができ、これにより、第2遮光導電層54bおよび第2透明導電層52bのパターンに対して、第4マスク58dを高精度に位置決めすることができる。   The positioning of the third mask 58c is performed by, for example, forming an alignment mark for positioning when the first light-shielding conductive layer 54a is patterned, and then using the alignment mark formed from the first light-shielding conductive layer 54a. It can be implemented as a reference. According to this method, the third mask 58c can be positioned with high accuracy with respect to the patterns of the first light-shielding conductive layer 54a and the first transparent conductive layer 52a. In addition, the same positioning method can be employed for positioning the fourth mask 58d, whereby the fourth mask 58d can be accurately applied to the pattern of the second light-shielding conductive layer 54b and the second transparent conductive layer 52b. Can be positioned.

次に、図6I(a)に示すように、第3マスク58cおよび第4マスク58dを配置した状態で、第3感光層56cおよび第4感光層56dの感光特性に対応した露光光(例えば、紫外線)を、マスク58c,58dを介して感光層56c,56dに照射する。この結果、第3感光層56cおよび第4感光層56dが同一のパターンで同時に露光される。図示された例においては、第3感光層56cおよび第4感光層56dがポジ型の感光層となっている。そして、第3マスク58cおよび第4マスク58dは、アクティブエリアAa1に対面する領域を含む透光領域を有している。したがって、第3感光層56cおよび第4感光層56dは、アクティブエリアAa1に対面する領域およびその周囲に露光光を照射される。図6I(a)に示すように、第3感光層56cに照射される露光光源からの光のパターンは、第4感光層56dに照射される露光光のパターンと同一になっている。したがって、第3感光層56cおよび第4感光層56dを予定したパターンで精度良く同時に露光することができる。   Next, as shown in FIG. 6I (a), with the third mask 58c and the fourth mask 58d disposed, exposure light (for example, corresponding to the photosensitive characteristics of the third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d) UV light is irradiated to the photosensitive layers 56c and 56d through the masks 58c and 58d. As a result, the third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d are simultaneously exposed in the same pattern. In the illustrated example, the third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d are positive photosensitive layers. The third mask 58c and the fourth mask 58d have a light transmitting region including a region facing the active area Aa1. Accordingly, the third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d are irradiated with the exposure light on the area facing the active area Aa1 and the periphery thereof. As shown in FIG. 6I (a), the pattern of light from the exposure light source applied to the third photosensitive layer 56c is the same as the pattern of exposure light applied to the fourth photosensitive layer 56d. Therefore, the third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d can be simultaneously exposed with a predetermined pattern with high accuracy.

次に、図7および図6Jに示すように、露光された第3感光層56cおよび第4感光層56dを現像する(工程S10)。具体的には、第3感光層56cおよび第4感光層56dに対応した現像液を用意し、この現像液を用いて、第3感光層56cおよび第4感光層56dを現像する。これにより、図6Jに示すように、第3感光層56cおよび第4感光層56dのうちの、第3マスク58cおよび第4マスク58dによって遮光されることなく露光光を照射された部分が除去される。すなわち、第3感光層56cおよび第4感光層56dのうちの、アクティブエリアAa1に対面する領域およびその周囲の領域が除去され、第3感光層56cおよび第4感光層56dは非アクティブエリアAa2に対面する領域のみに残留するようになる。   Next, as shown in FIGS. 7 and 6J, the exposed third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d are developed (step S10). Specifically, a developer corresponding to the third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d is prepared, and the third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d are developed using this developer. As a result, as shown in FIG. 6J, portions of the third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d that have been exposed to the exposure light without being shielded by the third mask 58c and the fourth mask 58d are removed. The That is, of the third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d, the region facing the active area Aa1 and the surrounding region are removed, and the third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d are moved to the inactive area Aa2. It remains only in the facing area.

その後、図7および図6Kに示すように、パターニングされた第3感光層56cをマスクとしてパターニングされた第1遮光導電層54aをエッチングするとともに、パターニングされた第4感光層56dをマスクとしてパターニングされた第2遮光導電層54bをエッチングする(工程S11)。この工程では、遮光導電層54a,54bに対して浸食性を有するエッチング液であって、透明導電層52a,52bに対して浸食性を有さない、または、透明導電層52a,52bに対して浸食性が弱いエッチング液が、用いられる。遮光導電層54a,54bを除去することによって露出する透明導電層52a,52bのパターンを損なわないようにするためである。すなわち、この工程S11で用いられるエッチング液は、所望の層(遮光導電層54a,54b)を選択的にエッチングし得るように選択される。具体例として、上述した燐硝酢酸(水)や硝酸セリウム系のエッチング液は、所定の金属からなる遮光導電層54a,54bに対してエッチング性を有するものの、ITO等からなる透明導電層52a,52bに対してエッチング性を有さないため、この工程において好適に用いられ得る。   Thereafter, as shown in FIGS. 7 and 6K, the patterned first light-shielding conductive layer 54a is etched using the patterned third photosensitive layer 56c as a mask, and is patterned using the patterned fourth photosensitive layer 56d as a mask. The second light-shielding conductive layer 54b is etched (step S11). In this step, the etching solution has erosion with respect to the light-shielding conductive layers 54a and 54b and does not have erosion with respect to the transparent conductive layers 52a and 52b, or with respect to the transparent conductive layers 52a and 52b. An etchant having a weak erodibility is used. This is because the pattern of the transparent conductive layers 52a and 52b exposed by removing the light shielding conductive layers 54a and 54b is not impaired. That is, the etching solution used in this step S11 is selected so that a desired layer (light-shielding conductive layers 54a and 54b) can be selectively etched. As a specific example, the above-described phosphoric acid acetic acid (water) or cerium nitrate-based etching solution has etching properties for the light-shielding conductive layers 54a and 54b made of a predetermined metal, but the transparent conductive layer 52a made of ITO or the like. Since it has no etching property with respect to 52b, it can be suitably used in this step.

この工程S11でのエッチングにより、パターニングされた第1遮光導電層54aのうちの、少なくともアクティブエリアAa1に対面する位置に配置された部分が除去される。同様に、パターニングされた第2遮光導電層54bのうちの、少なくともアクティブエリアAa1に対面する位置に配置された部分が除去される。これにより、図6K(b)に示すように、基材フィルム32および透明導電層52a,52bのみがアクティブエリアAa1に残留するようになり、アクティブエリアAa1はその全領域に亘って透光性を有するようになる。   Etching in this step S11 removes at least a portion of the patterned first light-shielding conductive layer 54a disposed at a position facing the active area Aa1. Similarly, at least a portion of the patterned second light-shielding conductive layer 54b disposed at a position facing the active area Aa1 is removed. As a result, as shown in FIG. 6K (b), only the base film 32 and the transparent conductive layers 52a and 52b remain in the active area Aa1, and the active area Aa1 has translucency over the entire area. To have.

このようにして、第1遮光導電層54aのうちの第3感光層56cによって覆われていない部分が除去されることにより、第1透明導電層52aが露出する。露出した第1透明導電層52aは、アクティブエリアAa1に対面する領域およびその周囲に位置している。アクティブエリアAa1に対面する領域に位置する第1透明導電層52aは、所定のパターンを有し第1透明導電体40の第1センサ部41を形成し、非アクティブエリアAa2に露出した第1透明導電層52aは、所定のパターンを有し第1透明導電体40の第1接続部42の一部分を形成するようになる。   In this manner, the portion of the first light-shielding conductive layer 54a that is not covered by the third photosensitive layer 56c is removed, so that the first transparent conductive layer 52a is exposed. The exposed first transparent conductive layer 52a is located in and around the region facing the active area Aa1. The first transparent conductive layer 52a located in a region facing the active area Aa1 has a predetermined pattern, forms the first sensor portion 41 of the first transparent conductor 40, and is exposed to the inactive area Aa2. The conductive layer 52 a has a predetermined pattern and forms a part of the first connection portion 42 of the first transparent conductor 40.

同様に、第2遮光導電層54bのうちの第4感光層56dによって覆われていない部分が除去されることにより、第2透明導電層52bが露出する。露出した第2透明導電層52bは、アクティブエリアAa1に対面する領域およびその周囲に位置している。アクティブエリアAa1に対面する領域に位置する第2透明導電層52bは、所定のパターンを有し第2透明導電体45の第2センサ部46を形成し、非アクティブエリアAa2に露出した第2透明導電層52bは、所定のパターンを有し第2透明導電体45の第2接続部47の一部分を形成するようになる。   Similarly, the second transparent conductive layer 52b is exposed by removing the portion of the second light-shielding conductive layer 54b that is not covered by the fourth photosensitive layer 56d. The exposed second transparent conductive layer 52b is located in and around the region facing the active area Aa1. The second transparent conductive layer 52b located in the region facing the active area Aa1 has a predetermined pattern, forms the second sensor portion 46 of the second transparent conductor 45, and is exposed to the non-active area Aa2. The conductive layer 52 b has a predetermined pattern and forms a part of the second connection portion 47 of the second transparent conductor 45.

次に、図7および図6Lに示すように、パターニングされて第1遮光導電層54a上に残留している第3感光層56c、および、パターニングされて第2遮光導電層54b上に残留している第4感光層56bを除去する(工程S12)。例えば、上述したアルカリ液を用いることにより、残留している第3感光層56cが除去され、パターニングされた第1遮光導電層54aが露出するとともに、残留している第4感光層56dが除去され、パターニングされた第2遮光導電層54bが露出するようになる。   Next, as shown in FIGS. 7 and 6L, the third photosensitive layer 56c that is patterned and remains on the first light-shielding conductive layer 54a, and the patterning that remains on the second light-shielding conductive layer 54b. The fourth photosensitive layer 56b is removed (step S12). For example, by using the alkali solution described above, the remaining third photosensitive layer 56c is removed, the patterned first light-shielding conductive layer 54a is exposed, and the remaining fourth photosensitive layer 56d is removed. Then, the patterned second light-shielding conductive layer 54b is exposed.

露出した第1遮光導電層54aは、所定のパターンを有し、第1中間層61、第1取出導電体43および第1保護層62を形成するようになる。形成された第1中間層61と基材フィルム32との間には、第1透明導電層52aからなる第1透明導電体40の第1接続部42が形成されている。上述したように、また、図3Bに示すように、このようにして形成された第1中間層61、第1取出導電体43および第1保護層62は基材フィルム32から離間して第1接続部42上に位置するようになる。このため、第1接続部42は、第1中間層61と基材フィルム32との間で側方に露出されている。   The exposed first light-shielding conductive layer 54a has a predetermined pattern, and forms the first intermediate layer 61, the first extraction conductor 43, and the first protective layer 62. Between the formed 1st intermediate | middle layer 61 and the base film 32, the 1st connection part 42 of the 1st transparent conductor 40 which consists of a 1st transparent conductive layer 52a is formed. As described above and as shown in FIG. 3B, the first intermediate layer 61, the first extraction conductor 43, and the first protective layer 62 formed in this way are separated from the base film 32 and are first. It comes to be located on the connection part 42. For this reason, the first connection portion 42 is exposed laterally between the first intermediate layer 61 and the base film 32.

同様に、露出した第2遮光導電層54bは、所定のパターンを有し、第2中間層66、第2取出導電体48および第2保護層67を形成するようになる。形成された第2中間層66と基材フィルム32との間には、第2透明導電層52bからなる第2透明導電体45の第2接続部47が形成されている。このようにして形成された第2中間層66、第2取出導電体48および第2保護層67は基材フィルム32から離間して第2接続部47上に位置するようになる。このため、第2接続部47は、第2中間層66と基材フィルム32との間で側方に露出されている。   Similarly, the exposed second light-shielding conductive layer 54b has a predetermined pattern, and forms the second intermediate layer 66, the second extraction conductor 48, and the second protective layer 67. Between the formed 2nd intermediate | middle layer 66 and the base film 32, the 2nd connection part 47 of the 2nd transparent conductor 45 which consists of a 2nd transparent conductive layer 52b is formed. The second intermediate layer 66, the second extraction conductor 48, and the second protective layer 67 formed in this way are separated from the base film 32 and are positioned on the second connection portion 47. For this reason, the second connection portion 47 is exposed laterally between the second intermediate layer 66 and the base film 32.

以上のようにして上述した構成のタッチパネルセンサ30を得ることができる。   The touch panel sensor 30 having the above-described configuration can be obtained as described above.

なお、上述したように、基材フィルム32、積層体50、あるいは、基材フィルム32並びに第1および第2透明導電層52a,52bからなる中間積層体80等の元材がウェブ状であるとともにロールに巻き取られた状態で準備される場合には、ロールからウェブ状の元材を繰り出すとともに、繰り出された元材に対して上述の各工程を施していくようにしてもよい。この場合、多数のタッチパネルセンサ30が基材フィルム32を介して互いに接続された状態で形成されていくようになる。そして、このようにして作製されたウェブ状のタッチパネルセンサ30は、取り扱い(搬送や出荷等)の便宜上、保護用の合紙と重ね合わせてロールに巻き取られるようにしてもよい。ロールに巻き取られたタッチパネルセンサ30は、必要に応じて、当該ロールから繰り出されるとともに枚葉状に断裁され得る。   As described above, the base material 32, the laminated body 50, or the base material such as the intermediate film 80 including the base film 32 and the first and second transparent conductive layers 52a and 52b is in a web shape. When prepared in a state of being wound around a roll, the web-shaped base material may be fed out from the roll, and the above-described steps may be performed on the fed-out base material. In this case, a large number of touch panel sensors 30 are formed in a state of being connected to each other through the base film 32. The web-shaped touch panel sensor 30 thus manufactured may be wound on a roll while being overlapped with a protective slip sheet for convenience of handling (conveyance, shipping, etc.). The touch panel sensor 30 wound on the roll can be fed out from the roll and cut into sheets as needed.

なお、ウェブ状のタッチパネルセンサ30をロールに巻き取る際には、ウェブ状のタッチパネルセンサ30の両側に合紙を配置して巻き取ってもよいし、あるいは、ウェブ状のタッチパネルセンサ30の片側だけに合紙を配置して巻き取ってもよい。   In addition, when winding the web-shaped touch panel sensor 30 on a roll, the web-shaped touch panel sensor 30 may be wound by placing a slip sheet on both sides, or only one side of the web-shaped touch panel sensor 30 may be wound. An interleaving paper may be arranged and wound up.

以上に説明した製造方法によれば、第1感光層56aおよび第2感光層56bが同時に露光される。この感光層の両面同時露光プロセスにおいては、図6C(a)に示すように、第1マスク58aおよび第2マスク58bのそれぞれにアライメントマーク59aを設けておくことにより、第1マスク58aおよび第2マスク58bを互いに対して、例えばミクロン単位のオーダーで極めて精度良く、且つ、極めて容易に(したがって、短時間で)位置決めすることが可能となる。この結果、タッチパネルセンサ30において、第1透明導電体40および第2透明導電体45の両方が基材フィルム32上に極めて精度良く効率的に位置決めされるようになる。   According to the manufacturing method described above, the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b are exposed simultaneously. In the double-sided simultaneous exposure process of the photosensitive layer, as shown in FIG. 6C (a), the first mask 58a and the second mask 58a and the second mask 58b are provided by providing the alignment marks 59a respectively. It is possible to position the masks 58b with respect to each other with extremely high accuracy, for example, on the order of microns, and very easily (and therefore in a short time). As a result, in the touch panel sensor 30, both the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 are positioned on the base film 32 with high accuracy and efficiency.

その一方で、第1感光層56aおよび第2感光層56bを一つずつ順に露光する場合には、精度良く且つ容易に、第1透明導電体40および第2透明導電体45を作製することができない。第1透明導電体40および第2透明導電体45の両方を精度良く作製しようとすると、第1透明導電体40および第2透明導電体45の一方をアライメントマークとともに基材フィルム32上に形成し、その後、この基材フィルム32上に形成されたアライメントマークに対し、第1透明導電体40および第2透明導電体45の他方の形成に用いられるマスクを位置決めすることになる。すなわち、少なくとも露光工程および現像工程を、第1感光層56aおよび第2感光層56bのそれぞれに対して別個に行う必要が生じる。このため、第1透明導電体40および第2透明導電体45を効率良く短時間で容易に形成することができない。   On the other hand, when the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b are sequentially exposed one by one, the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 can be manufactured accurately and easily. Can not. In order to manufacture both the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 with high accuracy, one of the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 is formed on the base film 32 together with the alignment mark. Thereafter, the mask used for forming the other of the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 is positioned with respect to the alignment mark formed on the base film 32. That is, at least the exposure process and the development process need to be performed separately for each of the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b. For this reason, the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 cannot be efficiently and easily formed in a short time.

また、アライメントマークを用いることなく、例えば基材フィルム32の端部を基準として第1マスク58aおよび第2マスク58bを位置決めしながら第1透明導電体40および第2透明導電体45を露光することも可能である。この方法によれば、第1感光層56aおよび第2感光層56bに対する露光工程および現像工程を同時に行うことができる。しかしながら、第1透明導電体40および第2透明導電体45の位置決め精度は、基材フィルム32の外形精度に依存してしまう。一般的に、この方法によれば、第1透明導電体40および第2透明導電体45の位置決め精度は、最高でも数十ミクロン単位でしか期待することができない。   Further, without using the alignment mark, for example, the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 are exposed while positioning the first mask 58a and the second mask 58b with reference to the end of the base film 32. Is also possible. According to this method, the exposure process and the development process for the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b can be performed simultaneously. However, the positioning accuracy of the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 depends on the outer shape accuracy of the base film 32. Generally, according to this method, the positioning accuracy of the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 can be expected only in units of several tens of microns at the maximum.

これらのことから、以上に説明してきた本実施の形態の製造方法によれば、第1透明導電体40および第2透明導電体45を互いに対して容易かつ精度良く位置決めすることができる。具体的には、本実施の形態によれば、タッチパネルセンサ30の上面視において、つまり、タッチパネルセンサ30をその法線方向から観察した場合、第1センサ部41の略正方形形状からなる膨出部41bと、第2センサ部46の略正方形形状からなる膨出部46bと、の互いに平行な外輪郭の隙間G(パターンギャップとも呼ばれる、図3A参照)を、安定して、100μm以下とすることができた。その一方で、従来の二枚のフィルムを貼り合わせる方法では、このパターンギャップGは、200μm以上となってしまう。この結果、本実施の形態によれば、接触(接近)位置を検出し得るアクティブエリアAa1の全領域に対する、タッチパネルセンサ30をその法線方向から観察した場合に第1センサ部41および第2センサ部46の少なくとも一方が配置されている領域の割合を、百分率で、95%以上にすることができた。また本実施の形態によれば、二枚のフィルムを貼り合わせるための粘着層が不要となり、これによって、製造コストを低くすることができる。   From these things, according to the manufacturing method of this Embodiment demonstrated above, the 1st transparent conductor 40 and the 2nd transparent conductor 45 can be positioned easily and accurately with respect to each other. Specifically, according to the present embodiment, when the touch panel sensor 30 is viewed from the top, that is, when the touch panel sensor 30 is observed from the normal direction, the bulging portion having a substantially square shape of the first sensor portion 41. The gap G (also referred to as a pattern gap, see FIG. 3A) parallel to each other between 41b and the bulging portion 46b having a substantially square shape of the second sensor portion 46 is stably set to 100 μm or less. I was able to. On the other hand, in the conventional method of bonding two films, the pattern gap G is 200 μm or more. As a result, according to the present embodiment, when the touch panel sensor 30 is observed from the normal direction to the entire area of the active area Aa1 where the contact (approach) position can be detected, the first sensor unit 41 and the second sensor The percentage of the region where at least one of the portions 46 is arranged can be 95% or more in percentage. Moreover, according to this Embodiment, the adhesion layer for bonding two films together becomes unnecessary, and thereby manufacturing cost can be lowered.

また、取出配線36b,37bが、導電率の低い透明導電体40,45の接続部42,47だけでなく、導電率の高い取出導電体43,48を含んでいる。したがって、取出配線36b,37bの線幅を細くすることが可能となり、取出配線36b,37bの配置スペース、すなわち、非アクティブエリアAa2の面積を小さくすることができる。   Further, the extraction wirings 36b and 37b include extraction conductors 43 and 48 having high conductivity as well as connection portions 42 and 47 of the transparent conductors 40 and 45 having low conductivity. Therefore, the line widths of the extraction wirings 36b and 37b can be reduced, and the arrangement space of the extraction wirings 36b and 37b, that is, the area of the inactive area Aa2 can be reduced.

とりわけ、上述した方法によれば特別な位置決め処理等を行うことなく、図3Bに示すように、中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67が、透明導電体40,45の接続部42,47上に配置されているだけで、透明導電体40,45の接続部42,47の側方まで延びていないようにすることができる。一方、例えば、従来頻繁に用いられてきたスクリーン印刷で、透明導電体40,45の接続部42,47上に高導電率材料から取出導電体43,48を形成した場合、図12に示すように、透明導電体40,45は接続部42,47の側方から基材フィルム32上まで延び広がってしまう。このような従来の取出配線と比較して本実施の形態の取出配線36b,37bによれば、同一量の高導電率材料を用いて取出導電体を形成すると、取出配線36b,37bの導電率を同一に保ちながら線幅を大幅に狭くすることができる。   In particular, according to the above-described method, the intermediate layers 61 and 66, the extraction conductors 43 and 48, and the protection layers 62 and 67 are formed as shown in FIG. It is possible to prevent it from extending to the side of the connecting portions 42 and 47 of the transparent conductors 40 and 45 only by being disposed on the connecting portions 42 and 47 of 45. On the other hand, for example, when the conductive conductors 43 and 48 are formed from the high conductivity material on the connection portions 42 and 47 of the transparent conductors 40 and 45 by screen printing that has been frequently used in the past, as shown in FIG. In addition, the transparent conductors 40 and 45 extend from the side of the connecting portions 42 and 47 to the base film 32 and spread. According to the extraction wirings 36b and 37b of the present embodiment as compared with such a conventional extraction wiring, when the extraction conductor is formed using the same amount of high conductivity material, the conductivity of the extraction wirings 36b and 37b. The line width can be greatly reduced while keeping the same.

また、本実施の形態による中間層61,66、取出導電体43,48、保護層62,67および透明導電体40,45の接続部42,47は、フォトリソグラフィー技術により形成されているため、スクリーン印刷等による従来の方法と比較して、極めて精度良く所望の位置に所望の形状で形成することができる。さらに、本実施の形態によれば、図12に示す従来の取出配線とは異なり、高導電率の取出導電体43,48が透明導電体40,45は接続部42,47の側方まで覆って基材フィルム32上まで延びることはないので、エレクトロマイグレーションの可能性を低減することもできる。これらのことから、取出配線36b,37bの配置ピッチを大幅に短くすることができ、これにより、取出配線36b,37bの配置スペース、すなわち、非アクティブエリアAa2の面積を小さくすることができる。   In addition, since the intermediate layers 61 and 66, the extraction conductors 43 and 48, the protective layers 62 and 67, and the connection portions 42 and 47 of the transparent conductors 40 and 45 according to the present embodiment are formed by photolithography technology, Compared with a conventional method by screen printing or the like, it can be formed in a desired shape at a desired position with extremely high accuracy. Furthermore, according to the present embodiment, unlike the conventional extraction wiring shown in FIG. 12, the high-conductivity extraction conductors 43 and 48 cover the transparent conductors 40 and 45 to the sides of the connection portions 42 and 47, respectively. Therefore, the possibility of electromigration can be reduced. For these reasons, the arrangement pitch of the extraction wirings 36b and 37b can be significantly shortened, whereby the arrangement space of the extraction wirings 36b and 37b, that is, the area of the inactive area Aa2 can be reduced.

ところで、以上に説明してきた本実施の形態の製造方法によれば、透明導電体40,45の接続部42,47が中間層61,66、取出導電体43,48または保護層62,67によって側方から遮光されないようにするだけでなく、図3Bに示すように、中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67の幅が、中間層61,66によって覆われている透明導電体40,45の接続部42,47の部分の幅よりも狭くなるようにすることもできる。すなわち、基材フィルム32のフィルム面の法線方向から観察した場合に、中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67は透明導電体40,45上のみに配置されている、言い換えると、中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67は、透明導電体40,45の接続部42,47が配置されている領域内のみに配置されているようにすることができる。このような構成によれば、上述したセンサ電極36a,37aと検出制御部25との間の導通の確保をより安定させることができる。また、エレクトロマイグレーションの可能性をさらに低減することができるため、取出配線36b,37bの配置ピッチをさらに短くして、非アクティブエリアAa2の面積を小さくすることができる。   By the way, according to the manufacturing method of the present embodiment described above, the connecting portions 42 and 47 of the transparent conductors 40 and 45 are formed by the intermediate layers 61 and 66, the extraction conductors 43 and 48 or the protective layers 62 and 67. As shown in FIG. 3B, the widths of the intermediate layers 61 and 66, the extraction conductors 43 and 48, and the protective layers 62 and 67 are covered by the intermediate layers 61 and 66 as well as preventing light from being shielded from the side. The width of the connecting portions 42 and 47 of the transparent conductors 40 and 45 may be narrower. That is, when observed from the normal direction of the film surface of the base film 32, the intermediate layers 61, 66, the extraction conductors 43, 48 and the protective layers 62, 67 are arranged only on the transparent conductors 40, 45. In other words, the intermediate layers 61 and 66, the extraction conductors 43 and 48, and the protective layers 62 and 67 are disposed only in the region where the connection portions 42 and 47 of the transparent conductors 40 and 45 are disposed. Can be. According to such a configuration, it is possible to further stabilize the conduction between the sensor electrodes 36a and 37a and the detection control unit 25 described above. Further, since the possibility of electromigration can be further reduced, the arrangement pitch of the extraction wirings 36b and 37b can be further shortened, and the area of the inactive area Aa2 can be reduced.

以下、上述した製造方法で取出配線36b,37bを形成した場合に、取出配線36b,37bの中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67の幅が、当該中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67によって覆われている透明導電体40,45の接続部42,47の部分の幅よりも狭くなるようになる推定メカニズムについて、主に図8を参照しながら、説明するが、本発明はこの推定メカニズムに限定されるものではない。   Hereinafter, when the extraction wirings 36b and 37b are formed by the manufacturing method described above, the widths of the intermediate layers 61 and 66, the extraction conductors 43 and 48, and the protective layers 62 and 67 of the extraction wirings 36b and 37b are the same. 66, an estimation mechanism that becomes narrower than the width of the connection portions 42 and 47 of the transparent conductors 40 and 45 covered by the extraction conductors 43 and 48 and the protective layers 62 and 67 is mainly illustrated. As will be described with reference to FIG. 8, the present invention is not limited to this estimation mechanism.

従来の二枚のフィルムを貼り合わせてタッチパネルセンサを作製する方法において、フォトリソグラフィー技術を用いてフィルム上に透明導電体の接続部を形成する場合、透明導電体をなすようになる透明導電層上に感光層が直接配置されるようになる。一方、本実施の形態によれば、透明導電体40,45をなすようになる透明導電層52a,52b上に遮光導電層54a,54bが配置されている。一般的に、透明導電層をエッチングするためのエッチング液(例えば、塩化第二鉄)に対し、感光層(レジスト層)は高い耐浸食性を有している。しかしながら、金属等からなる遮光導電層54a,54bは、ITO等の透明導電層52a,52b用のエッチング液によって、エッチングされ得る。   In the conventional method of making a touch panel sensor by bonding two films together, when forming a transparent conductor connection on the film using photolithography technology, on the transparent conductive layer that becomes a transparent conductor The photosensitive layer is directly disposed on the substrate. On the other hand, according to the present embodiment, the light-shielding conductive layers 54a and 54b are disposed on the transparent conductive layers 52a and 52b that form the transparent conductors 40 and 45, respectively. Generally, a photosensitive layer (resist layer) has high erosion resistance with respect to an etching solution (for example, ferric chloride) for etching a transparent conductive layer. However, the light-shielding conductive layers 54a and 54b made of metal or the like can be etched with an etching solution for the transparent conductive layers 52a and 52b such as ITO.

したがって、図8に示すように、透明導電層52a,52bをエッチングする工程S6において、透明導電層52a,52bが縦方向(基材フィルムの法線方向)にエッチングされる際に、遮光導電層54a,54bは感光層56a,56bによって覆われていない側方から横方向(基材フィルム32のシート面に沿った方向)にエッチングされ得る。その一方で、感光層は、この工程S6で用いられるエッチング液に対して高い耐浸食性を有しているため、横方向へ大きくエッチングされることはない。以上のような理由から、本実施の形態の製造方法で作製されたタッチパネルセンサ30によれば、中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67の幅を、当該中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67によって覆われている透明導電体40,45の接続部42,47の部分の幅よりも狭くすることが可能となる。   Therefore, as shown in FIG. 8, when the transparent conductive layers 52a and 52b are etched in the vertical direction (normal direction of the base film) in the step S6 of etching the transparent conductive layers 52a and 52b, the light shielding conductive layer. 54a and 54b can be etched in the lateral direction (direction along the sheet surface of the base film 32) from the side not covered by the photosensitive layers 56a and 56b. On the other hand, since the photosensitive layer has high erosion resistance with respect to the etching solution used in this step S6, it is not greatly etched in the lateral direction. For the reasons described above, according to the touch panel sensor 30 manufactured by the manufacturing method of the present embodiment, the widths of the intermediate layers 61 and 66, the extraction conductors 43 and 48, and the protective layers 62 and 67 are set to the intermediate layer. 61, 66, the extraction conductors 43, 48, and the widths of the connecting portions 42, 47 of the transparent conductors 40, 45 covered by the protective layers 62, 67 can be made smaller.

またさらに、第1感光層52aおよび第2感光層52bを異なるパターンで同時露光する際に、互いの露光光パターンが影響し合うことを回避するために使用された遮光層(被覆導電層)54a,54bから中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67が作製されている。このような方法によれば、タッチパネルセンサ30の作製に必要となる材料コスト低減させることが可能となる。さらに、タッチパネルセンサ30の作製効率を極めて効果的に向上させることも可能となり、またこれにともなって、タッチパネルセンサ30の作製コストを削減することが可能となる。すなわち、上述した優れたタッチパネル30(タッチパネル装置20)を高い生産効率および安い製造コストで作製することが可能となる。   Furthermore, when the first photosensitive layer 52a and the second photosensitive layer 52b are simultaneously exposed in different patterns, the light shielding layer (covered conductive layer) 54a used to avoid the influence of the exposure light patterns on each other. , 54b, intermediate layers 61 and 66, extraction conductors 43 and 48, and protective layers 62 and 67 are produced. According to such a method, it is possible to reduce the material cost required for manufacturing the touch panel sensor 30. Furthermore, the production efficiency of the touch panel sensor 30 can be improved extremely effectively, and the production cost of the touch panel sensor 30 can be reduced accordingly. That is, the above-described excellent touch panel 30 (touch panel device 20) can be manufactured with high production efficiency and low manufacturing cost.

また本実施の形態によれば、上述のように、透明導電層52a、52bをスパッタリングにより基材フィルム32上に形成する際、基材フィルム32の温度を140〜170℃の範囲内に保持することにより、基材フィルム32上における透明導電層52a、52bの結晶化を促進することができ、これによって、結晶化率の高い透明導電層52a、52bを基材フィルム32上に形成することができる。このことにより、形成される透明導電層52a、52b(透明導電体40,45)の比抵抗を小さくすることができ、例えば透明導電層52a、52b(透明導電体40,45)の材料としてITOが用いられる場合、当該比抵抗を4×10−6Ωm(23℃、55%RH)以下にすることができる。 Moreover, according to this Embodiment, as mentioned above, when forming the transparent conductive layers 52a and 52b on the base film 32 by sputtering, the temperature of the base film 32 is kept within the range of 140-170 degreeC. Thus, the crystallization of the transparent conductive layers 52a and 52b on the base film 32 can be promoted, whereby the transparent conductive layers 52a and 52b having a high crystallization rate can be formed on the base film 32. it can. As a result, the specific resistance of the formed transparent conductive layers 52a and 52b (transparent conductors 40 and 45) can be reduced. For example, ITO can be used as a material for the transparent conductive layers 52a and 52b (transparent conductors 40 and 45). Is used, the specific resistance can be 4 × 10 −6 Ωm (23 ° C., 55% RH) or less.

このように透明導電層52a、52b(透明導電体40,45)の比抵抗を小さくすることにより、タッチパネルセンサ30における透明導電体40,45の厚みを小さくすることができ、これによって、透明導電体40、45における光の反射率を従来よりも小さくすることができる。このため、タッチパネルセンサ30のうち透明導電体40、45がパターニングされている領域と透明導電体40、45がパターニングされていない領域との間における光の反射率の差を小さくすることができ、これによって、タッチパネルセンサ30の意匠性を向上させることができる。   Thus, by reducing the specific resistance of the transparent conductive layers 52a and 52b (transparent conductors 40 and 45), the thickness of the transparent conductors 40 and 45 in the touch panel sensor 30 can be reduced. The reflectance of light in the bodies 40 and 45 can be made smaller than before. For this reason, the difference in the reflectance of light between the region where the transparent conductors 40 and 45 are patterned in the touch panel sensor 30 and the region where the transparent conductors 40 and 45 are not patterned can be reduced. Thereby, the designability of the touch panel sensor 30 can be improved.

以上のようにして得られたタッチパネルセンサ30を表示装置15に接着層19を介して接合するとともに、保護カバー12をタッチパネルセンサ30に接着層15を介して接合することにより、図1および図2に示された入出力装置10が得られる。次に、この入出力装置10を使用する際の作用について説明する。   The touch panel sensor 30 obtained as described above is bonded to the display device 15 via the adhesive layer 19, and the protective cover 12 is bonded to the touch panel sensor 30 via the adhesive layer 15. The input / output device 10 shown in FIG. Next, the operation when using the input / output device 10 will be described.

入出力装置の作用
まず、このような入出力装置10においては、表示装置15の表示パネル16によって映像を表示することによって、観察者は、保護カバー12およびタッチパネルセンサ30を介して映像を観察することができる。
Operation of Input / Output Device First, in such an input / output device 10, an observer observes an image through the protective cover 12 and the touch panel sensor 30 by displaying an image on the display panel 16 of the display device 15. be able to.

また、この入出力装置10において、タッチパネルセンサ30および保護カバー12がタッチパネル装置20の一部分を構成し、外部導体5、典型的には人間の指5が保護カバー12上に接触(接近)したこと検知することができるとともに、保護カバー12上における外部導体5が接触(接近)した位置を検出することができる。   In the input / output device 10, the touch panel sensor 30 and the protective cover 12 constitute a part of the touch panel device 20, and the external conductor 5, typically a human finger 5, contacts (approaches) on the protective cover 12. While being able to detect, the position where the outer conductor 5 contacted (approached) on the protective cover 12 can be detected.

具体的には、まず、外部の導体(例えば、人間の指)5が保護カバー12に接触すると、当該外部導体5と、外部導体5による保護カバー12への接触位置の近傍に位置する透明導電体40,45の各センサ部41,46と、が電極として機能し、電界が形成される。この際、センサ電極36a,37aを構成する透明導電体40,45のセンサ部41,46と、外部導体5と、の間に位置する保護カバー12および基材フィルム32等は誘電体として機能する。すなわち、外部導体5が保護カバー12に接触することにより、センサ部41,46と外部導体5とを電極とするコンデンサが形成される。   Specifically, first, when an external conductor (for example, a human finger) 5 comes into contact with the protective cover 12, the transparent conductor located near the external conductor 5 and a position where the external conductor 5 contacts the protective cover 12. The sensor portions 41 and 46 of the bodies 40 and 45 function as electrodes, and an electric field is formed. At this time, the protective cover 12, the base film 32, and the like positioned between the sensor portions 41 and 46 of the transparent conductors 40 and 45 constituting the sensor electrodes 36a and 37a and the outer conductor 5 function as a dielectric. . That is, when the outer conductor 5 comes into contact with the protective cover 12, a capacitor having the sensor portions 41 and 46 and the outer conductor 5 as electrodes is formed.

タッチパネル装置20の検出制御部25の検出回路は、各センサ部41,46に接続され、各センサ部41,46と外部導体5との間の静電容量を検出することができるようになっている。そして、検出制御部25が、各センサ部41,46と外部導体5との間の静電容量の変化を検出することによって、外部導体5がいずれの第1センサ部41に対面しているか、並びに、外部導体5がいずれの第2センサ部46に対面しているかを特定することができる。   The detection circuit of the detection control unit 25 of the touch panel device 20 is connected to the sensor units 41 and 46, and can detect the capacitance between the sensor units 41 and 46 and the external conductor 5. Yes. Then, the detection control unit 25 detects a change in the capacitance between each of the sensor units 41 and 46 and the outer conductor 5, thereby determining which first sensor unit 41 the outer conductor 5 faces. In addition, it can be specified which second sensor portion 46 the outer conductor 5 faces.

すなわち、検出制御部25の検出回路は、アクティブエリアAa1において前記一方向に並べて配列された第1透明導電体40に含まれる多数の第1センサ部41のうちの外部導体5と対面している第1センサ部(線状導電体)を特定することによって、前記一方向に延びる座標軸上における外部導体5の位置を特定することができる。同様に、検出制御部25の検出回路は、アクティブエリアAa1において前記他方向に並べて配列された第2透明導電体45に含まれる多数の第2センサ部46のうちの外部導体5と対面している第2センサ部(線状導電体)を特定することによって、前記他方向に延びる座標軸上における外部導体5の位置を特定することができる。このようにして、タッチパネル装置20(保護カバー12)への外部導体5の接触位置を二つの方向において検出することにより、外部導体5のタッチパネル装置20の表面への接触位置の位置座標を、タッチパネル装置20の表面上で精度良く特定することができる。なお、投影型容量結合方式のタッチパネルにおいて接触位置を検出する様々な方法(原理)が、種々の文献に開示されており、本明細書では、これ以上の説明を省略する。   That is, the detection circuit of the detection control unit 25 faces the outer conductor 5 of the multiple first sensor units 41 included in the first transparent conductors 40 arranged in the one direction in the active area Aa1. By specifying the first sensor portion (linear conductor), the position of the outer conductor 5 on the coordinate axis extending in the one direction can be specified. Similarly, the detection circuit of the detection control unit 25 faces the outer conductor 5 of the multiple second sensor units 46 included in the second transparent conductor 45 arranged side by side in the other direction in the active area Aa1. By specifying the second sensor portion (linear conductor), the position of the outer conductor 5 on the coordinate axis extending in the other direction can be specified. In this way, by detecting the contact position of the external conductor 5 to the touch panel device 20 (protective cover 12) in two directions, the position coordinates of the contact position of the external conductor 5 to the surface of the touch panel device 20 can be obtained. It is possible to specify with high accuracy on the surface of the device 20. Note that various methods (principle) for detecting a contact position in a projected capacitively coupled touch panel are disclosed in various documents, and further description is omitted in this specification.

上述の製造方法にしたがって作製されたタッチパネルセンサ30においては、センサ電極36a,37aおよび取出配線36b,37bが、一体として形成された複数の層からなる基材フィルム32の両側に形成されている。すなわち、接着剤等を介して接合された複数枚のフィルムの接合体等を基材フィルムとして用いていない。この結果、タッチパネルセンサ30全体としての透光率を向上させることができる。また、照明等の環境光(外光)や映像光等を反射し得る界面の数を減じることができるので、環境光の反射を抑制して表示装置15に表示される映像のコントラストを向上させることができる。これらにより、タッチパネルセンサ30を表示装置15の表示面16上に配置した場合に、表示装置15の表示画像を大きく劣化させてしまうことを防止することができる。さらに、タッチパネルセンサ30および入出力装置10の総厚みを減じることができる。   In the touch panel sensor 30 manufactured according to the above-described manufacturing method, the sensor electrodes 36a and 37a and the extraction wirings 36b and 37b are formed on both sides of the base film 32 composed of a plurality of layers formed as a unit. That is, a joined body of a plurality of films joined via an adhesive or the like is not used as a base film. As a result, the transmissivity of the touch panel sensor 30 as a whole can be improved. In addition, since the number of interfaces that can reflect ambient light (external light) such as illumination or image light can be reduced, the reflection of the ambient light is suppressed and the contrast of the image displayed on the display device 15 is improved. be able to. Accordingly, when the touch panel sensor 30 is disposed on the display surface 16 of the display device 15, it is possible to prevent the display image of the display device 15 from being greatly deteriorated. Furthermore, the total thickness of the touch panel sensor 30 and the input / output device 10 can be reduced.

また、図2に示すように、第1センサ電極36aを構成する第1透明導電体40の第1センサ部41、および第2センサ電極37aを構成する第2透明導電体45の第2センサ部46は、タッチパネルセンサ30(保護カバー12)の法線方向に沿って異なる位置に配置されている。具体的には、第2透明導電体45の第2センサ部46は、第1透明導電体40の第1センサ部41よりも保護カバー12から基材フィルム32の厚み分だけ離間した位置に配置されている。しかしながら、上述したように、本実施の形態における基材フィルム32は、一体として形成された複数の層からなるフィルムとして構成されている。さらに、この基材フィルム32は、特許文献(特開平4−264613号公報)などに開示された基材フィルムとは異なり、遠紫外線遮光機能等の特別な機能を要求されてもいない。すなわち、厚みの薄いフィルムから構成され得る。したがって、外部導体5が保護カバー12へ接触した際に、当該外部導体5と第2透明導電体45の第2センサ部46との間でコンデンサを安定して形成することができるようになる。これにより、外部導体5の保護カバー12への接触位置(タッチ位置)を、第1透明導電体40の第1センサ部41によってだけでなく、第2透明導電体45の第2センサ部46によっても、極めて感度良く正確に検出することが可能となる。   Further, as shown in FIG. 2, the first sensor portion 41 of the first transparent conductor 40 constituting the first sensor electrode 36a and the second sensor portion of the second transparent conductor 45 constituting the second sensor electrode 37a. 46 is arrange | positioned in a different position along the normal line direction of the touchscreen sensor 30 (protective cover 12). Specifically, the second sensor portion 46 of the second transparent conductor 45 is disposed at a position spaced apart from the protective cover 12 by the thickness of the base film 32 than the first sensor portion 41 of the first transparent conductor 40. Has been. However, as described above, the base film 32 in the present embodiment is configured as a film composed of a plurality of layers formed integrally. Further, the base film 32 is not required to have a special function such as a deep ultraviolet light shielding function, unlike the base film disclosed in the patent document (Japanese Patent Laid-Open No. 4-264613). That is, it can be composed of a thin film. Therefore, when the outer conductor 5 comes into contact with the protective cover 12, a capacitor can be stably formed between the outer conductor 5 and the second sensor portion 46 of the second transparent conductor 45. Thereby, the contact position (touch position) of the outer conductor 5 to the protective cover 12 is not only determined by the first sensor unit 41 of the first transparent conductor 40 but also by the second sensor unit 46 of the second transparent conductor 45. However, it becomes possible to detect with high sensitivity and accuracy.

また本実施の形態によれば、タッチパネルセンサ30は、基材フィルム32と、基材フィルム32の一方の側の面32a上にパターニングされた第1透明導電体40と、基材フィルム32の他方の側の面32b上にパターニングされた第2透明導電体45と、を備えている。このうち基材フィルム32は、透明なフィルム本体33と、フィルム本体33の一方の側の面33a上に設けられた第1アンダーコート層71と、第1アンダーコート層71の一方の側の面71a上に設けられた第1高屈折率層72と、第1高屈折率層72の一方の側の面72a上に設けられた第1低屈折率層73と、フィルム本体33の他方の側の面33b上に設けられた第2アンダーコート層76と、第2アンダーコート層76の他方の側の面76b上に設けられた第2高屈折率層77と、第2高屈折率層77の他方の側の面b77上に設けられた第2低屈折率層78と、を有している。   Further, according to the present embodiment, the touch panel sensor 30 includes the base film 32, the first transparent conductor 40 patterned on the surface 32 a on one side of the base film 32, and the other of the base film 32. And a second transparent conductor 45 patterned on the surface 32b on this side. Among these, the base film 32 includes a transparent film body 33, a first undercoat layer 71 provided on the surface 33 a on one side of the film body 33, and a surface on one side of the first undercoat layer 71. The first high refractive index layer 72 provided on 71a, the first low refractive index layer 73 provided on the surface 72a on one side of the first high refractive index layer 72, and the other side of the film body 33 A second undercoat layer 76 provided on the second surface 33b, a second high refractive index layer 77 provided on the second surface 76b of the second undercoat layer 76, and a second high refractive index layer 77. And a second low refractive index layer 78 provided on the surface b77 on the other side.

そして、高屈折率層72,77の光屈折率は、透明導電体40,45の光屈折率よりも大きくなっており、また低屈折率層73,78の光屈折率は、透明導電体40,45の光屈折率よりも小さくなっている。従って、高屈折率層72,77と低屈折率層73,78とからなる機能層70,75はインデックスマッチング層として機能することができ、このような機能層70,75をフィルム本体33と透明導電体40,45との間に設けることにより、薄膜干渉の効果を生じさせることができる。このことにより、基材フィルム32のアクティブエリアAa1のうち透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射率と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射率と、の差を小さくすることができる。同様に、高屈折率層72,77と低屈折率層73,78とからなる機能層70,75をフィルム本体33と透明導電体40,45との間に設けることにより、透明導電体40,45が設けられている領域における光の透過率と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の透過率と、の差を小さくすることもできる。   The optical refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is larger than the optical refractive index of the transparent conductors 40 and 45, and the optical refractive index of the low refractive index layers 73 and 78 is the transparent conductor 40. , 45 is smaller than the optical refractive index. Therefore, the functional layers 70 and 75 including the high refractive index layers 72 and 77 and the low refractive index layers 73 and 78 can function as an index matching layer, and the functional layers 70 and 75 are transparent to the film body 33. By providing between the conductors 40 and 45, the effect of thin film interference can be produced. Thus, the reflectance of light in the area where the transparent conductors 40 and 45 are provided in the active area Aa1 of the base film 32 and the reflectance of light in the area where the transparent conductors 40 and 45 are not provided. And the difference can be reduced. Similarly, by providing the functional layers 70 and 75 composed of the high refractive index layers 72 and 77 and the low refractive index layers 73 and 78 between the film body 33 and the transparent conductors 40 and 45, the transparent conductor 40, The difference between the light transmittance in the region where 45 is provided and the light transmittance in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided can be reduced.

さらに高屈折率層72,77と低屈折率層73,78とからなる機能層70,75をフィルム本体33と透明導電体40,45との間に設けることにより、基材フィルム32のうち透明導電体40,45が設けられている領域を透過した光のスペクトルを、各波長域で平坦なスペクトルとすることができ、例えば、透過光をL*a*b*表色系で表したときのb*の絶対値を1.5以下とすることができる。   Further, by providing functional layers 70 and 75 composed of the high refractive index layers 72 and 77 and the low refractive index layers 73 and 78 between the film main body 33 and the transparent conductors 40 and 45, the base film 32 is transparent. The spectrum of the light transmitted through the region where the conductors 40 and 45 are provided can be flat in each wavelength range. For example, when the transmitted light is expressed in the L * a * b * color system The absolute value of b * can be 1.5 or less.

また、本実施の形態によれば、図3Aに示すように、第1透明導電体40の第1センサ部41はライン部41aと膨出部41bとを有し、第2透明導電体45の第2センサ部46はライン部46aと膨出部46bとを有している。各センサ部41,46において、膨出部41b,46bにおける幅は、ライン部41a,46aにおける幅と比較して非常に太くなっている。そして、上述したように、第1透明導電体40に含まれる第1センサ部41の膨出部41bと、第2透明導電体45に含まれる第2センサ部46の膨出部46bとは、基材フィルム32のフィルム面の法線方向から観察した場合に重ならないように配置されている。このため、第1透明導電体40の第1センサ部41が、接触位置の検出精度に影響を与え得る程度の広い面積で、外部導体5と第2透明導電体45の第2センサ部46との間に介在することはない。この結果、外部導体5と第2透明導電体45の第2センサ部46との間で、コンデンサが有効に形成されなくなることを防止することができる。   Further, according to the present embodiment, as shown in FIG. 3A, the first sensor portion 41 of the first transparent conductor 40 has the line portion 41 a and the bulging portion 41 b, and the second transparent conductor 45 The 2nd sensor part 46 has the line part 46a and the bulging part 46b. In each sensor part 41 and 46, the width | variety in the bulging parts 41b and 46b is very thick compared with the width | variety in the line parts 41a and 46a. As described above, the bulging portion 41b of the first sensor portion 41 included in the first transparent conductor 40 and the bulging portion 46b of the second sensor portion 46 included in the second transparent conductor 45 are: It arrange | positions so that it may not overlap, when it observes from the normal line direction of the film surface of the base film 32. FIG. For this reason, the external sensor 5 and the second sensor unit 46 of the second transparent conductor 45 have a wide area that allows the first sensor unit 41 of the first transparent conductor 40 to affect the detection accuracy of the contact position. There is no intervening between them. As a result, it is possible to prevent the capacitor from being effectively formed between the outer conductor 5 and the second sensor portion 46 of the second transparent conductor 45.

さらに、上述したように、表示装置15の表示制御部17とタッチパネル装置20の検出制御部25とは接続されている。検出制御部25は、外部導体5が保護カバー12上の所定の位置に接触することによって入力された情報を、表示制御部17へ送信することができる。表示制御部17は、検出制御部25で読み取られた入力情報に基づいて、当該入力情報に対応した映像を表示装置15の表示パネル16に表示することもできる。すなわち、出力手段としての表示機能および入力手段としてのタッチ位置検出機能により、入出力装置10の使用者(操作者)と当該入出力装置10との間で、対話形式での情報の直接的なやりとり(例えば、使用者の表示装置15に対する指示および表示装置15による当該指示の実行)を実現することができる。   Furthermore, as described above, the display control unit 17 of the display device 15 and the detection control unit 25 of the touch panel device 20 are connected. The detection control unit 25 can transmit information input when the outer conductor 5 contacts a predetermined position on the protective cover 12 to the display control unit 17. Based on the input information read by the detection control unit 25, the display control unit 17 can also display an image corresponding to the input information on the display panel 16 of the display device 15. In other words, the display function as the output unit and the touch position detection function as the input unit allow direct interaction of information between the user (operator) of the input / output device 10 and the input / output device 10. Exchange (for example, an instruction to the display device 15 by the user and execution of the instruction by the display device 15) can be realized.

そして、上述したように、第1透明導電体40および第2透明導電体45が、感光層56a,56bの両面同時露光プロセス(工程S3)を経て、基材フィルム32上にパターニングされている場合、第1センサ電極36aを構成する第1透明導電体40の各第1センサ部41、および第2センサ電極37aを構成する第2透明導電体45の各第2センサ部46が互いに対して精度良く位置決めされるようになる。結果として、第1透明導電体40の各第1センサ部41および第2透明導電体45の各第2センサ部46の両方を、表示装置15に対して精度良く位置決めすることが可能となる。この場合、外部導体5の保護カバー12への接触位置を、表示装置15を基準として精度良く検出することができる。この結果、表示装置15に表示される映像情報に対応した入力を高分解能で高精度に検出することができ、これにより、入出力装置10の使用者(操作者)と当該入出力装置10との間での対話形式での情報交換が極めて円滑に進められるようになる。   And as mentioned above, when the 1st transparent conductor 40 and the 2nd transparent conductor 45 are patterned on the base film 32 through the double-sided simultaneous exposure process (process S3) of the photosensitive layers 56a and 56b. The first sensor parts 41 of the first transparent conductor 40 constituting the first sensor electrode 36a and the second sensor parts 46 of the second transparent conductor 45 constituting the second sensor electrode 37a are accurate with respect to each other. It will be well positioned. As a result, both the first sensor portions 41 of the first transparent conductor 40 and the second sensor portions 46 of the second transparent conductor 45 can be accurately positioned with respect to the display device 15. In this case, the contact position of the outer conductor 5 with the protective cover 12 can be detected with high accuracy using the display device 15 as a reference. As a result, the input corresponding to the video information displayed on the display device 15 can be detected with high resolution and high accuracy, whereby the user (operator) of the input / output device 10 and the input / output device 10 can be detected. Exchange of information in the form of dialogue between the two will be carried out very smoothly.

以上のような本実施の形態によれば、感光性を有した第1感光層56aおよび第2感光層56bとの間に、遮光性を有した遮光導電層54a,54bが配置されている。したがって、第1感光層56aおよび第2感光層56bを、異なるパターンで、高精度に露光することができ、これにより、第1感光層56aおよび第2感光層56bを、互いに異なる所望のパターンで極めて精度良くパターニングすることができる。また、第1感光層56aの露光および第2感光層56bの露光は、第1マスク58aを第1感光層56a上に配置するとともに第2マスク58bを第2感光層56b上に配置した状態で行われる。この場合、第1マスク58aおよび第2マスク58bを互いに対して容易に精度良く位置決めすることができ、これにより、第1感光層56aのパターンおよび第2感光層56bのパターンを互いに対して極めて精度良く位置決めすることができる。結果として、得られたタッチパネルセンサ30の第1透明導電体40および第2透明導電体45を所望のパターンで高精度に形成することができるとともに、第1透明導電体40および第2透明導電体45を互いに対して高精度に位置決めすることができる。したがって、このタッチパネルセンサ30を用いることにより、外部導体(典型的には、指)5が接近または接触した平面上の位置を精度良く検出することができる。   According to the present embodiment as described above, the light-shielding conductive layers 54a and 54b having light-shielding properties are arranged between the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b having photo-sensitivity. Therefore, the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b can be exposed with different patterns with high accuracy, and thereby the first photosensitive layer 56a and the second photosensitive layer 56b can be exposed with different desired patterns. Patterning can be performed with extremely high accuracy. The exposure of the first photosensitive layer 56a and the exposure of the second photosensitive layer 56b are performed in a state where the first mask 58a is disposed on the first photosensitive layer 56a and the second mask 58b is disposed on the second photosensitive layer 56b. Done. In this case, the first mask 58a and the second mask 58b can be easily and accurately positioned with respect to each other, whereby the pattern of the first photosensitive layer 56a and the pattern of the second photosensitive layer 56b are extremely accurate with respect to each other. It can be positioned well. As a result, the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 of the obtained touch panel sensor 30 can be formed with a desired pattern with high accuracy, and the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor are formed. 45 can be positioned with high accuracy relative to each other. Therefore, by using the touch panel sensor 30, it is possible to accurately detect the position on the plane where the outer conductor (typically, the finger) 5 approaches or comes into contact.

また、第1マスク58aおよび第2マスク58bを互いに対して容易に位置決めすることができるとともに、第1感光層56aの露光および第2感光層56bの露光を同時に行うことができる。したがって、タッチパネルセンサ30を極めて効率的に製造することができ、これにより、タッチパネルセンサ30の製造コストを大幅に低下させることができる。   Further, the first mask 58a and the second mask 58b can be easily positioned with respect to each other, and the exposure of the first photosensitive layer 56a and the exposure of the second photosensitive layer 56b can be performed simultaneously. Therefore, the touch panel sensor 30 can be manufactured extremely efficiently, and thereby the manufacturing cost of the touch panel sensor 30 can be significantly reduced.

さらに、基材フィルム32に特別な機能(例えば、特定波長域の光に対する遮光機能)が要求されないことから、表示装置等に用いられている通常の、一体として形成された複数の層からなるフィルム材を基材フィルム32として用いることができる。したがって、厚さの厚いフィルムや、接着剤等を介して接合された複数枚のフィルムの積層体等を基材フィルムとして用いる必要がない。これにより、第1透明導電体40と第2透明導電体45との離間間隔が短くなるので、第1透明導電体40だけでなく、第2透明導電体45による接触位置または接近位置の検出感度を向上させることができる。また、タッチパネルセンサ30の透光率を向上させることができ、これにより、タッチパネルセンサ30を表示装置15の表示面16a上に配置した場合に、表示装置15の表示画像を大きく劣化させてしまうことを防止することができる。   Further, since the base film 32 is not required to have a special function (for example, a light blocking function for light in a specific wavelength range), it is a film formed of a plurality of layers that are usually formed integrally and used in a display device or the like. A material can be used as the base film 32. Therefore, it is not necessary to use a thick film or a laminate of a plurality of films bonded via an adhesive or the like as the base film. As a result, the separation distance between the first transparent conductor 40 and the second transparent conductor 45 is shortened, so that not only the first transparent conductor 40 but also the contact position or approach position detection sensitivity by the second transparent conductor 45 is detected. Can be improved. Moreover, the transmissivity of the touch panel sensor 30 can be improved, and when the touch panel sensor 30 is arranged on the display surface 16a of the display device 15, the display image of the display device 15 is greatly deteriorated. Can be prevented.

さらに、上述した実施の形態において、透明導電層52a,52b上に配置され透明導電層52a,52bとともにパターニングされた遮光導電層54a,54bが取出配線36b,37bの一部として利用されている。具体的には、透明導電層52a,52bと同一のパターンにパターニングされるとともにその後一部分を除去された遮光導電層54a,54bからなる中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67が、パターニングされた透明導電層52a,52bからなる透明導電体40,45とともに、取出配線36b,37bを形成している。   Further, in the above-described embodiment, the light shielding conductive layers 54a and 54b arranged on the transparent conductive layers 52a and 52b and patterned together with the transparent conductive layers 52a and 52b are used as a part of the extraction wirings 36b and 37b. Specifically, the intermediate layers 61 and 66 including the light-shielding conductive layers 54a and 54b, which are patterned in the same pattern as the transparent conductive layers 52a and 52b and then partially removed, the extraction conductors 43 and 48, and the protective layer 62 are formed. 67, together with the transparent conductors 40 and 45 made of the patterned transparent conductive layers 52a and 52b, form the extraction wirings 36b and 37b.

このような方法で作製された取出配線36b,37bは、取出導電体43,48によって高い導電率(電気伝導率)を確保することができる。また、スクリーン印刷等で作製された従来の取出配線(図12参照)とは異なり、中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67は、透明導電層52a,52b上に配置され、透明導電層52a,52bの側方まで延びていない。これにより、取出配線36b,37bの線幅を大幅に小さくすることができる。さらに、上述した実施の形態によれば、スクリーン印刷等の従来の作製方法とは異なりフォトリソグラフィー技術を用いて取出導電体43,48が形成されているので、安定して高精度に所望のパターンの取出配線36b,37bを作製することが可能となる。これにより、エレクトロマイグレーションの可能性も大幅に低下させることができる。以上のことから、本実施の形態によれば、細い線幅の取出配線36b,37bを短ピッチで並べて形成することが可能となり、これにより、取出配線36b,37bを配置するために必要となる領域の面積、すなわち、非アクティブエリアAa2の面積を格段に小さくすることができる。   The extraction wirings 36b and 37b manufactured by such a method can ensure high conductivity (electrical conductivity) by the extraction conductors 43 and 48. Further, unlike the conventional extraction wiring (see FIG. 12) produced by screen printing or the like, the intermediate layers 61 and 66, the extraction conductors 43 and 48, and the protective layers 62 and 67 are formed on the transparent conductive layers 52a and 52b. It is arranged and does not extend to the side of the transparent conductive layers 52a and 52b. Thereby, the line width of the extraction wirings 36b and 37b can be significantly reduced. Furthermore, according to the above-described embodiment, the extraction conductors 43 and 48 are formed using a photolithography technique unlike a conventional manufacturing method such as screen printing, so that a desired pattern can be stably and highly accurately formed. It is possible to produce the lead-out wirings 36b and 37b. Thereby, the possibility of electromigration can be greatly reduced. From the above, according to the present embodiment, it is possible to form the extraction wirings 36b and 37b having a narrow line width side by side at a short pitch, which is necessary for arranging the extraction wirings 36b and 37b. The area of the region, that is, the area of the inactive area Aa2 can be significantly reduced.

さらに取出配線36b,37bにおいて、取出導電体43,48の材料として銀合金、例えばAPC合金が用いられている。APC合金などの銀合金は、一般に配線材料として用いられるクロムよりも比抵抗が小さい。このため、取出導電体43,48の材料として銀合金を用いることにより、取出配線37bの導電率を高めることができる。   Further, in the extraction wirings 36b and 37b, a silver alloy such as an APC alloy is used as the material of the extraction conductors 43 and 48. A silver alloy such as an APC alloy has a specific resistance smaller than that of chromium generally used as a wiring material. For this reason, the conductivity of the extraction wiring 37b can be increased by using a silver alloy as the material of the extraction conductors 43 and 48.

また取出配線36b,37bにおいて、透明導電体40,45と、銀合金からなる取出導電体43,48との間には、MoNb合金などからなる中間層61,66が介在されている。ここで、中間層61,66の透明導電体40,45に対する密着力、および中間層61,66の取出導電体43,48に対する密着力は、取出導電体43,48の透明導電体40,45に対する密着力よりも大きくなっている。このため、取出導電体43,48に何らかの力学的な力が作用した場合であっても、取出導電体43,48が中間層61,66から容易に剥離することはない。このことにより、透明導電体40,45と取出導電体43,48との間に中間層61,66が介在されていない場合に比べて、タッチパネル30の機械的安定性を向上させることができる。   In the extraction wirings 36b and 37b, intermediate layers 61 and 66 made of MoNb alloy or the like are interposed between the transparent conductors 40 and 45 and the extraction conductors 43 and 48 made of silver alloy. Here, the adhesion force of the intermediate layers 61 and 66 to the transparent conductors 40 and 45 and the adhesion force of the intermediate layers 61 and 66 to the extraction conductors 43 and 48 are determined by the transparent conductors 40 and 45 of the extraction conductors 43 and 48. It is larger than the adhesive strength against. For this reason, even if some mechanical force is applied to the extraction conductors 43 and 48, the extraction conductors 43 and 48 are not easily separated from the intermediate layers 61 and 66. Accordingly, the mechanical stability of the touch panel 30 can be improved as compared with the case where the intermediate layers 61 and 66 are not interposed between the transparent conductors 40 and 45 and the extraction conductors 43 and 48.

さらに取出配線36b,37bにおいて、銀合金からなる取出導電体43,48の上には、耐酸化性、耐水性を有するMo合金、例えばMoNbなどからなる保護層62,67が設けられている。これによって、取出導電体43,48の上に保護層62,67が設けられていない場合に比べて、取出導電体43,48の耐酸化性、耐水性を向上させることができ、このことにより、タッチパネル30の信頼性を向上させることができる。   Further, in the extraction wirings 36b and 37b, protective layers 62 and 67 made of a Mo alloy having oxidation resistance and water resistance, such as MoNb, are provided on the extraction conductors 43 and 48 made of silver alloy. As a result, the oxidation resistance and water resistance of the extraction conductors 43 and 48 can be improved as compared with the case where the protective layers 62 and 67 are not provided on the extraction conductors 43 and 48. The reliability of the touch panel 30 can be improved.

また、取出導電体43,48は、基材フィルム32には接触しておらず、高い密着力を呈し得る中間層61,66にしか接合していない。このため、タッチパネルセンサ30が使用中に変形したとしても、取出導電体43,48がタッチパネルセンサ30から剥離する起点が形成されにくくすることができる。また、透明導電体40,45の接続部42,47は、中間層61,66、取出導電体43,48または保護層62,67によって側方まで覆われておらず、基材フィルム32と中間層61,66との間で側方に露出している。すなわち、中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67による接続部42,47の変形の拘束は弱く、接続部42,47は、タッチパネルセンサ30の変形時に、基材フィルム32の変形に追従して変形し得るようになる。これらにより、取出導電体43,48が透明導電体40,45または基材フィルム32から剥離すること、並びに、取出導電体43,48とともに接続部42,47が基材フィルム32から剥離することを、効果的に抑制することができる。結果として、タッチパネルセンサ30の検出機能の信頼性を大幅に向上させることができる。   Further, the extraction conductors 43 and 48 are not in contact with the base film 32 and are only bonded to the intermediate layers 61 and 66 that can exhibit high adhesion. For this reason, even if the touch panel sensor 30 is deformed during use, it is possible to make it difficult to form a starting point at which the extraction conductors 43 and 48 peel from the touch panel sensor 30. Further, the connecting portions 42 and 47 of the transparent conductors 40 and 45 are not covered to the side by the intermediate layers 61 and 66, the extraction conductors 43 and 48 or the protective layers 62 and 67, so It is exposed to the side between the layers 61 and 66. In other words, the deformation of the connecting portions 42 and 47 by the intermediate layers 61 and 66, the extraction conductors 43 and 48 and the protective layers 62 and 67 is weak, and the connecting portions 42 and 47 are formed on the base film when the touch panel sensor 30 is deformed. It can be deformed following the deformation of 32. Thus, the extraction conductors 43 and 48 are peeled off from the transparent conductors 40 and 45 or the base film 32, and the connection portions 42 and 47 are peeled off from the base film 32 together with the extraction conductors 43 and 48. , Can be effectively suppressed. As a result, the reliability of the detection function of the touch panel sensor 30 can be greatly improved.

さらに、中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67の形成に用いられる遮光導電層54a,54bは、両面同時露光工程S3において遮光層として用いられる層である。このような作製方法によれば、上述したように優れた性能を有するタッチパネルセンサ30を、極めて効率的かつ安価に作製することが可能となる。   Furthermore, the light shielding conductive layers 54a and 54b used for forming the intermediate layers 61 and 66, the extraction conductors 43 and 48, and the protective layers 62 and 67 are layers used as the light shielding layer in the double-sided simultaneous exposure step S3. According to such a manufacturing method, the touch panel sensor 30 having excellent performance as described above can be manufactured extremely efficiently and inexpensively.

変形例
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、変形の一例について説明する。
Modifications Various modifications can be made to the above-described embodiment. Hereinafter, an example of modification will be described.

例えば、上述した実施の形態において、パターニングされた遮光導電層54a,54bの一部分を除去する工程において、遮光導電層54a,54bのうちのアクティブエリアAa1と、アクティブエリアAa1を取り囲むアクティブエリアAa1近傍の領域と、に位置する部分が除去される例を示したが、これに限られない。アクティブエリアAa1の透明性を確保するために遮光性を有した遮光導電層54a,54bを除去するといった観点からすれば、除去される部分は、アクティブエリアAa1内に位置する部分だけとすることができる。このような例によれば、タッチパネルセンサ30のアクティブエリアAa1における透明性を確保しつつ取出導電体43,48が配置された領域を拡大して、取出配線36b,37bの導電率を高めることができる。ただし、さらなる感光層56c,56dの露光精度および現像精度のバラツキを許容可能にし、タッチパネルセンサ30の信頼性を向上させるといった観点からは、上述した実施の形態の方が優れている。なお、当然に、遮光導電層54a,54bの除去される部分を変更する場合には、上述した第3マスク58cおよび第4マスク58dの透過領域のパターンを変更しなければならない。   For example, in the above-described embodiment, in the step of removing a part of the patterned light-shielding conductive layers 54a and 54b, the active area Aa1 of the light-shielding conductive layers 54a and 54b and the vicinity of the active area Aa1 surrounding the active area Aa1 Although the example in which the portion located in the region is removed has been shown, the present invention is not limited to this. From the viewpoint of removing the light-shielding conductive layers 54a and 54b having a light-shielding property in order to ensure the transparency of the active area Aa1, only the part located in the active area Aa1 may be removed. it can. According to such an example, it is possible to increase the conductivity of the extraction wirings 36b and 37b by enlarging the area where the extraction conductors 43 and 48 are arranged while ensuring transparency in the active area Aa1 of the touch panel sensor 30. it can. However, the above-described embodiment is superior from the viewpoint of allowing further variations in exposure accuracy and development accuracy of the photosensitive layers 56c and 56d and improving the reliability of the touch panel sensor 30. Of course, when changing the portions where the light-shielding conductive layers 54a and 54b are removed, the patterns of the transmission regions of the third mask 58c and the fourth mask 58d described above must be changed.

また、上述した実施の形態において、さらなる感光層56c、56dを現像してパターニングする工程において、アクティブエリアAa1を四方から周状に取り囲む額縁状に感光層56c,56dをパターニングする例を示したが、これに限られない。例えば、透明導電層52a,52b(透明導電体40,45)上に残留すべきパターンに対応したパターンで、さらなる感光層56c、56dを露光(図9A参照)および現像(図9B参照)してもよい。図9Aに示すように、このような変形例においても、遮光性を有した遮光導電性54a,54bが、異なる側から所定のパターンで照射される露光光源からの光を遮光する。これにより、第3感光層56cおよび第4感光層56dを異なるパターンで高精度に両面同時露光することができる。ただし、さらなる感光層56c,56dの露光精度および現像精度のバラツキを許容可能にし、タッチパネルセンサ30の信頼性を向上させるといった観点からは、上述した実施の形態の方が優れている。なお、図9Aおよび図9Bに示す変形例において、その他の部分の構成については、上述した実施の形態と同様に構成され得る。図9Aおよび図9Bにおいて、上述した実施の形態と同一に構成され得る部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。   Further, in the above-described embodiment, in the step of developing and patterning the further photosensitive layers 56c and 56d, the example in which the photosensitive layers 56c and 56d are patterned in a frame shape surrounding the active area Aa1 from the four sides is shown. Not limited to this. For example, further photosensitive layers 56c and 56d are exposed (see FIG. 9A) and developed (see FIG. 9B) in a pattern corresponding to the pattern that should remain on the transparent conductive layers 52a and 52b (transparent conductors 40 and 45). Also good. As shown in FIG. 9A, also in such a modified example, the light-shielding conductive materials 54a and 54b having a light-shielding property shield light from an exposure light source irradiated in a predetermined pattern from different sides. Accordingly, the third photosensitive layer 56c and the fourth photosensitive layer 56d can be simultaneously exposed on both sides with high accuracy with different patterns. However, the above-described embodiment is superior from the viewpoint of allowing further variations in exposure accuracy and development accuracy of the photosensitive layers 56c and 56d and improving the reliability of the touch panel sensor 30. In the modification shown in FIGS. 9A and 9B, the configuration of other parts can be configured in the same manner as in the above-described embodiment. 9A and 9B, parts that can be configured in the same manner as in the above-described embodiment are given the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted.

また、上述した実施の形態において、タッチパネルセンサ30の製造方法の一例を説明したが、この例に限られない。例えば、透明導電層52a,52bをアニール処理して、透明導電層52a,52bの結晶化(微結晶化)を進める工程を、透明導電層52a,52bのスパッタリング後に設けてもよい。   Moreover, in embodiment mentioned above, although an example of the manufacturing method of the touch panel sensor 30 was demonstrated, it is not restricted to this example. For example, a step of annealing the transparent conductive layers 52a and 52b to promote crystallization (microcrystallization) of the transparent conductive layers 52a and 52b may be provided after the sputtering of the transparent conductive layers 52a and 52b.

上述のように、ITO等から形成される透明導電層52a、52bは、スパッタリング等による成膜時の温度を適宜調節することにより、結晶化が進められている。すなわち、透明導電層52a、52bをスパッタリング等により基材フィルム32上に形成する際、基材フィルム32の温度を140〜170℃の範囲内に保持することにより、基材フィルム32上における透明導電層52a、52bの結晶化が促進されている。そして、さらに結晶化を進めるため、スパッタリング等により基材フィルム32上に透明導電層52a、52bを形成した後、140℃程度の温度でアニール処理を施して、透明導電層をさらに結晶化(微結晶化とも呼ばれる)させることも可能である。   As described above, the transparent conductive layers 52a and 52b formed of ITO or the like are crystallized by appropriately adjusting the temperature at the time of film formation by sputtering or the like. That is, when the transparent conductive layers 52a and 52b are formed on the base film 32 by sputtering or the like, the transparent conductive layer on the base film 32 is maintained by keeping the temperature of the base film 32 within a range of 140 to 170 ° C. Crystallization of the layers 52a and 52b is promoted. In order to further promote crystallization, the transparent conductive layers 52a and 52b are formed on the base film 32 by sputtering or the like, and then annealed at a temperature of about 140 ° C. (Also called crystallization).

この透明導電層52a,52bをアニールする工程は、上述した透明導電層52a,52bをパターニングする工程S6よりも後であってパターニングされた遮光導電層54a,54bの一部分を除去する工程S11よりも前に、例えば、さらなる感光層58c,58dを現像する工程S10と遮光導電層54a,54bの一部分を除去する工程S11との間に、実施されることが好ましい。例えば、遮光導電層54a,54bの耐薬品性が弱く、透明導電層52a,52bをパターニングする工程S6において、既にパターニングされている遮光導電層54a,54bがエッチングされる可能性がある場合に、アニール工程を追加することは有効である。   The step of annealing the transparent conductive layers 52a and 52b is after the step S6 of patterning the transparent conductive layers 52a and 52b described above, and more than the step S11 of removing a part of the patterned light-shielding conductive layers 54a and 54b. Prior to this, for example, it is preferably performed between step S10 for developing further photosensitive layers 58c and 58d and step S11 for removing a part of the light-shielding conductive layers 54a and 54b. For example, when the chemical resistance of the light-shielding conductive layers 54a and 54b is weak and the patterned light-shielding conductive layers 54a and 54b may be etched in the step S6 of patterning the transparent conductive layers 52a and 52b, It is effective to add an annealing process.

具体的には、透明導電層52a,52bをパターニングする工程S6において、透明導電層52a,52bを、浸食性の弱いエッチング液、例えばシュウ酸でエッチングする。このとき、エッチング時の透明導電層52a,52bの結晶化が不完全であれば、透明導電層52a,52bの耐薬品性は低く、このため透明導電層52a,52bがエッチングされる。浸食性の弱いエッチング液を用いることにより、耐薬品性の比較的弱い材料(例えば銀合金)からなる遮光導電層54a,54bが、透明導電層52a,52bと感光層56a,56bとの間において横方向(すなわち、基材フィルム32のシート面に沿った方向)に浸食されることを防止することができる。これにより、透明導電層52a,52bを極めて高精度にパターニングすることができるようになる。そして、遮光導電層54a,54bの一部分を除去する工程S11の前に、アニール処理によって透明導電層52a,52bの耐薬品性を上げておくことにより、遮光導電層54a,54bの一部分を除去する際に、所望の形状にパターニングされた透明導電層52a,52bのパターンが損なわれてしまうことを効果的に防止することができる。   Specifically, in step S6 of patterning the transparent conductive layers 52a and 52b, the transparent conductive layers 52a and 52b are etched with an etchant having a weak erosion property, for example, oxalic acid. At this time, if the crystallization of the transparent conductive layers 52a and 52b at the time of etching is incomplete, the chemical resistance of the transparent conductive layers 52a and 52b is low, and therefore the transparent conductive layers 52a and 52b are etched. By using an etching solution having a weak erodibility, the light-shielding conductive layers 54a and 54b made of a material having a relatively weak chemical resistance (for example, a silver alloy) are formed between the transparent conductive layers 52a and 52b and the photosensitive layers 56a and 56b. It is possible to prevent erosion in the lateral direction (that is, the direction along the sheet surface of the base film 32). As a result, the transparent conductive layers 52a and 52b can be patterned with extremely high accuracy. Then, before the step S11 of removing a part of the light-shielding conductive layers 54a and 54b, the chemical resistance of the transparent conductive layers 52a and 52b is increased by annealing, thereby removing a part of the light-shielding conductive layers 54a and 54b. At this time, it is possible to effectively prevent the pattern of the transparent conductive layers 52a and 52b patterned into a desired shape from being damaged.

さらに、上述した実施の形態において、タッチパネルセンサ30を製造するために用いられる元材としての積層体(ブランクス)50において、第1遮光導電層54aが第1透明導電層52a上に形成され、第2遮光導電層54aが第2透明導電層52b上に形成されている例を示したがこれに限られない。第1透明導電層52aおよび第2透明導電層52bのうちのいずれか一方の透明導電層上のみに、遮光導電層が形成されていてもよい。図10(a)および図10(b)に示す例においては、上述した第1遮光導電層54aが省略されている。すなわち、元材としての積層体(ブランクス)50は、基材フィルム32と、基材フィルム32上に配置された第1および第2透明導電体52a,52bと、第2透明導電体52b上に配置された第2遮光導電層54bと、を含んでいる。図10(a)および図10(b)は、それぞれ、図6C(a)および図6C(b)に対応しており、第1透明導電体52a上に配置された第1感光層56aと、第2遮光導電層54b上に配置された第2感光層56bと、を両面同時露光する工程S3を示している。図10(a)に示すように、所定のパターンで第1感光層56aを露光する露光光は、第2遮光導電層54bで遮光され、第2感光層56bに照射されることはなく、且つ、所定のパターンで第2感光層56bを露光する露光光は、第2遮光導電層54bで遮光され、第1感光層56aに照射されることはない。これにより、上述した実施の形態と同様に、感光層56a,56bを異なるパターンで高精度に両面同時露光することができる。また、上述した実施の形態と同様の透明導電体40,45、第2中間層66、第2取出導電体48および第2保護層67を得ることができる。なお、第1透明導電層52a上に遮光導電層54bが形成されていないことから、図示する例では、第1透明導電体40上に第1中間層61、第1取出導電体43および第1保護層66が形成されなくなる。   Further, in the above-described embodiment, in the laminated body (blanks) 50 as a base material used for manufacturing the touch panel sensor 30, the first light-shielding conductive layer 54a is formed on the first transparent conductive layer 52a, and the first Although the example in which the two light-shielding conductive layers 54a are formed on the second transparent conductive layer 52b is shown, the present invention is not limited to this. The light shielding conductive layer may be formed only on one of the first transparent conductive layer 52a and the second transparent conductive layer 52b. In the example shown in FIGS. 10A and 10B, the above-described first light-shielding conductive layer 54a is omitted. That is, the laminated body (blanks) 50 as a base material is formed on the base film 32, the first and second transparent conductors 52a and 52b disposed on the base film 32, and the second transparent conductor 52b. And a second light-shielding conductive layer 54b disposed. FIGS. 10 (a) and 10 (b) correspond to FIGS. 6C (a) and 6C (b), respectively, and a first photosensitive layer 56a disposed on the first transparent conductor 52a; The process S3 which exposes both the 2nd photosensitive layer 56b arrange | positioned on the 2nd light-shielding conductive layer 54b simultaneously is shown. As shown in FIG. 10A, the exposure light for exposing the first photosensitive layer 56a in a predetermined pattern is shielded by the second light-shielding conductive layer 54b, and is not irradiated to the second photosensitive layer 56b. The exposure light for exposing the second photosensitive layer 56b with a predetermined pattern is shielded by the second light-shielding conductive layer 54b and is not irradiated to the first photosensitive layer 56a. As a result, similar to the above-described embodiment, the photosensitive layers 56a and 56b can be simultaneously exposed on both sides with different patterns with high accuracy. Further, the transparent conductors 40 and 45, the second intermediate layer 66, the second extraction conductor 48, and the second protective layer 67 similar to those in the above-described embodiment can be obtained. In addition, since the light-shielding conductive layer 54b is not formed on the first transparent conductive layer 52a, in the illustrated example, the first intermediate layer 61, the first extraction conductor 43, and the first conductive layer are formed on the first transparent conductor 40. The protective layer 66 is not formed.

さらに、上述した実施の形態において、積層体(ブランクス)50において、基材フィルム32の両側に透明導電層52a,52bおよび被覆導電層54a,54bがそれぞれ設けられている例を示したが、これに限られない。基材フィルム32の一つの面上のみに透明導電層および被覆導電層が設けられているようにしてもよい。この場合、基材フィルム32の一つの面上に、上述した実施の形態のセンサ電極36a,37aおよび取出配線36b,37bが得られるようになる。なお、この変形例において、上述した感光層を露光する工程S3では、積層体50の一つの側のみから露光光が照射され得る。そして、この変形例において、被覆導電層は遮光性を有していない材料からも構成され得る。   Furthermore, in embodiment mentioned above, although the laminated body (blanks) 50 showed the example by which the transparent conductive layers 52a and 52b and the covering conductive layers 54a and 54b were each provided in the both sides of the base film 32, this was shown. Not limited to. The transparent conductive layer and the coated conductive layer may be provided only on one surface of the base film 32. In this case, the sensor electrodes 36a and 37a and the extraction wirings 36b and 37b of the above-described embodiment can be obtained on one surface of the base film 32. In this modification, the exposure light can be irradiated from only one side of the stacked body 50 in the above-described step S3 of exposing the photosensitive layer. In this modification, the coated conductive layer can be made of a material that does not have a light shielding property.

さらに、上述した実施の形態において、第1透明導電体40の第1センサ部41はライン部41aと膨出部41bとを有し、第2透明導電体45の第2センサ部46はライン部46aと膨出部46bとを有している例を示した。また、上述した実施の形態において、膨出部41b,46bが平面視略正方形形状に形成されている例を示した。しかしながら、これに限られず、一例として、膨出部41b,46bが、平面視において、正方形以外の菱形等の四角形形状、さらには、多角形形状や円形状等であってもよい。また、センサ部41,46が、膨出部41b,46bを有さず、直線状の輪郭を有するようにしてもよい。   Further, in the above-described embodiment, the first sensor portion 41 of the first transparent conductor 40 has the line portion 41a and the bulging portion 41b, and the second sensor portion 46 of the second transparent conductor 45 is the line portion. The example which has 46a and the bulging part 46b was shown. Further, in the above-described embodiment, the example in which the bulging portions 41b and 46b are formed in a substantially square shape in plan view is shown. However, the present invention is not limited thereto, and as an example, the bulging portions 41b and 46b may have a quadrangular shape such as a rhombus other than a square, a polygonal shape, a circular shape, or the like in plan view. Moreover, the sensor parts 41 and 46 may not have the bulging parts 41b and 46b but may have a linear outline.

さらに、上述した実施の形態において、第1透明導電体40の第1センサ部41と、第2透明導電体45の第2センサ部46とが、同一に構成される例を示したが、これに限られない。例えば、図11に示すように、第2透明導電体45の第2センサ部46の線幅w2が、保護カバー12(観察者側面)からより近い位置に配置された第1透明導電体40の第1センサ部41の線幅w1よりも太くなるようにしてもよい。このような例によれば、外部導体5が保護カバー12へ接触した際に、保護カバー12(観察者側面)から比較的に遠い位置に配置された第2透明導電体45の第2センサ部46と、当該外部導体5と、の間でコンデンサを安定して形成することができるようになる。また、保護カバー12に接触する外部導体5と第1透明導電体40の第1センサ部41との間で形成されるコンデンサの静電容量と比較して、保護カバー12に接触する外部導体5と第2透明導電体45の第2センサ部46との間で形成されるコンデンサの静電容量が低くなってしまうことを防止することができる。これにより、外部導体5の保護カバー12への接触位置(タッチ位置)を、第1透明導電体40の第1センサ部41だけでなく、第2透明導電体45の第2センサ部46によっても、極めて感度良く正確に検出することが可能となる。なお、図11に示す変形例において、その他の部分の構成については、上述した実施の形態と同様に構成され得る。図11において、上述した実施の形態と同一に構成され得る部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。   Further, in the above-described embodiment, the example in which the first sensor unit 41 of the first transparent conductor 40 and the second sensor unit 46 of the second transparent conductor 45 are configured in the same manner has been described. Not limited to. For example, as shown in FIG. 11, the line width w2 of the second sensor portion 46 of the second transparent conductor 45 of the first transparent conductor 40 disposed closer to the protective cover 12 (observer side surface). You may make it thicker than the line width w1 of the 1st sensor part 41. FIG. According to such an example, when the outer conductor 5 comes into contact with the protective cover 12, the second sensor portion of the second transparent conductor 45 disposed at a position relatively far from the protective cover 12 (observer side surface). The capacitor can be formed stably between the outer conductor 46 and the outer conductor 5. Further, the outer conductor 5 in contact with the protective cover 12 is compared with the capacitance of the capacitor formed between the outer conductor 5 in contact with the protective cover 12 and the first sensor portion 41 of the first transparent conductor 40. And the second sensor portion 46 of the second transparent conductor 45 can be prevented from lowering the capacitance of the capacitor. Thereby, the contact position (touch position) of the outer conductor 5 to the protective cover 12 is not only determined by the first sensor part 41 of the first transparent conductor 40 but also by the second sensor part 46 of the second transparent conductor 45. Thus, it becomes possible to detect with extremely high sensitivity and accuracy. In addition, in the modification shown in FIG. 11, about the structure of another part, it can comprise similarly to embodiment mentioned above. In FIG. 11, parts that can be configured in the same way as the above-described embodiment are given the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted.

また、上述した実施の形態における取出配線36b,37bにおいて、透明導電体40,45と取出導電体43,48との間に中間層61,66が介在される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、透明導電体40,45と取出導電体43,48との間の密着力が十分に大きい場合、若しくは、透明導電体40,45と取出導電体43,48との間の密着力がさほど必要とされないなどの場合には、中間層61,66を設けずに、取出導電体43,48を直接に透明導電体40,45に密着させてもよい。   Moreover, in the extraction wirings 36b and 37b in the above-described embodiment, an example in which the intermediate layers 61 and 66 are interposed between the transparent conductors 40 and 45 and the extraction conductors 43 and 48 has been shown. However, the present invention is not limited to this, and when the adhesion between the transparent conductors 40 and 45 and the extraction conductors 43 and 48 is sufficiently large, or the transparent conductors 40 and 45 and the extraction conductors 43 and 48. In such a case, the extraction conductors 43 and 48 may be directly adhered to the transparent conductors 40 and 45 without providing the intermediate layers 61 and 66.

さらに、上述した実施の形態における取出配線36b,37bにおいて、取出導電体43,48上に保護層62,67が設けられている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、取出導電体43,48の耐酸化性、耐水性などが十分に大きい場合、若しくは、取出導電体43,48の耐酸化性、耐水性などがさほど必要とされないなどの場合には、取出導電体43,48上に保護層62,67を設けなくともよい。   Furthermore, the example in which the protective layers 62 and 67 are provided on the extraction conductors 43 and 48 in the extraction wirings 36b and 37b in the above-described embodiment is shown. However, the present invention is not limited to this, and when the extraction conductors 43 and 48 have sufficiently large oxidation resistance, water resistance, or the like, or the extraction conductors 43, 48 need much oxidation resistance, water resistance, etc. If not, the protective layers 62 and 67 may not be provided on the extraction conductors 43 and 48.

また、上述した実施の形態における遮光導電層54a,54bのエッチング工程(工程S5,S11)において、中間層61,66と取出導電体43,48と保護層62,67とを含む遮光導電層54a,54bが1種類のエッチング液によりエッチングされる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67を形成する材料に応じた2または3種類のエッチング液を用いて、段階的に中間層61,66、取出導電体43,48および保護層62,67をエッチングしてもよい。   Further, in the etching process (steps S5 and S11) of the light shielding conductive layers 54a and 54b in the above-described embodiment, the light shielding conductive layer 54a including the intermediate layers 61 and 66, the extraction conductors 43 and 48, and the protective layers 62 and 67. , 54b shows an example of being etched by one kind of etching solution. However, the present invention is not limited to this, and the intermediate layers 61 and 66, the extraction conductors 43 and 48, and the protective layers 62 and 67 may be intermediated step by step using two or three types of etching solutions depending on the material forming the protective layers 62 and 67. The layers 61 and 66, the extraction conductors 43 and 48, and the protective layers 62 and 67 may be etched.

なお、以上において上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。   In addition, although the some modification with respect to embodiment mentioned above was demonstrated above, naturally, it is also possible to apply combining several modifications suitably.

以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail using an Example, this invention is not limited to this Example.

実施例1
本発明によるタッチパネルセンサ30の基材フィルム32について、フィルム本体33、熱硬化型アクリル樹脂からなるアンダーコート層71,76、五酸化ニオブ(Nb)からな高屈折率層72,77、および二酸化珪素(SiO)からなる低屈折率層73,78の光屈折率および厚みを測定した。また、本発明によるタッチパネルセンサ30のITOからなる透明導電体40,45の光屈折率(実数部nおよび吸収項k)および厚みを測定した。結果を表2に示す。なお、光屈折率の測定は、光波長380nm〜780nmの範囲内で光波長を5nm刻みで変化させながら行った。また、後述するシミュレーションにおいて用いるため、大気における光屈折率(実数部nおよび吸収項k)を測定した。結果をあわせて表2に示す。

Figure 0005413304
Example 1
About the base film 32 of the touch panel sensor 30 according to the present invention, a film body 33, undercoat layers 71 and 76 made of thermosetting acrylic resin, high refractive index layers 72 and 77 made of niobium pentoxide (Nb 2 O 5 ), And the optical refractive index and thickness of the low refractive index layers 73 and 78 made of silicon dioxide (SiO 2 ) were measured. Further, the optical refractive index (real part n and absorption term k) and thickness of the transparent conductors 40 and 45 made of ITO of the touch panel sensor 30 according to the present invention were measured. The results are shown in Table 2. The light refractive index was measured while changing the light wavelength in 5 nm increments within the light wavelength range of 380 nm to 780 nm. In addition, the optical refractive index (real part n and absorption term k) in the atmosphere was measured for use in the simulation described later. The results are shown in Table 2.
Figure 0005413304

表2に示すように、光屈折率が高い層、すなわち高屈折率層72,77および透明導電体40,45においては、光波長によって光屈折率が大きく変化していた。光波長に対して、高屈折率層72,77および透明導電体40,45の光屈折率(実数部n)をプロットした結果を図13に示す。図13に示すように、光波長が400nmから550nmになると、透明導電体40,45において光屈折率が0.15だけ小さくなっており、高屈折率層72,77において光屈折率が0.18だけ小さくなっていた。また光波長が550nmから780nmになると、透明導電体40,45において光屈折率が0.12だけ小さくなっており、高屈折率層72,77において光屈折率が0.07だけ小さくなっていた。すなわち、400〜550nmでは透明導電体40,45の屈折率変化より高屈折率層72,77の屈折率変化が大きく、550〜780nmでは高屈折率層72,77の屈折率変化より透明導電体40,45の屈折率変化が大きかった。   As shown in Table 2, in the layer having a high light refractive index, that is, the high refractive index layers 72 and 77 and the transparent conductors 40 and 45, the light refractive index greatly changed depending on the light wavelength. FIG. 13 shows the result of plotting the optical refractive index (real part n) of the high refractive index layers 72 and 77 and the transparent conductors 40 and 45 against the optical wavelength. As shown in FIG. 13, when the light wavelength is changed from 400 nm to 550 nm, the optical refractive index is reduced by 0.15 in the transparent conductors 40 and 45, and the optical refractive index is 0. 5 in the high refractive index layers 72 and 77. It was only 18 smaller. Further, when the light wavelength is changed from 550 nm to 780 nm, the optical refractive index is decreased by 0.12 in the transparent conductors 40 and 45, and the optical refractive index is decreased by 0.07 in the high refractive index layers 72 and 77. . That is, the refractive index change of the high refractive index layers 72 and 77 is larger than the refractive index change of the transparent conductors 40 and 45 at 400 to 550 nm, and the transparent conductor is higher than the refractive index change of the high refractive index layers 72 and 77 at 550 to 780 nm. The refractive index change of 40 and 45 was large.

測定された基材フィルム32の各層の厚みおよび光屈折率と、透明導電体40,45の厚みおよび光屈折率とに基づいて、シミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差を求めた。またシミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域におけるb*を求めた。以下、詳細について説明する。   Based on the measured thickness and light refractive index of each layer of the base film 32 and the thickness and light refractive index of the transparent conductors 40 and 45, in a region where the transparent conductors 40 and 45 are provided by simulation. The difference between the light reflectance and transmittance values and the light reflectance and transmittance values in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided was determined. Moreover, b * in the area | region in which the transparent conductors 40 and 45 are provided was calculated | required by simulation. Details will be described below.

(シミュレーション条件)
透明導電体40,45が設けられている領域に関しては、以下の層構成を仮定してシミュレーションを行った。
フィルム本体(出射側媒質)/アンダーコート層/高屈折率層/低屈折率層/透明導電体/大気(入射側媒質)
この場合、後述するように、フィルム本体の屈折率、アンダーコート層の屈折率および厚み、高屈折率層の屈折率および厚み、低屈折率層の屈折率および厚み、透明導電体の屈折率および厚みを適宜変化させながらシミュレーションを行った。なお、すべてのシミュレーションにおいて、光の入射角度を0度(垂直入射)に設定した。
(Simulation conditions)
With respect to the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided, the simulation was performed assuming the following layer structure.
Film body (output side medium) / undercoat layer / high refractive index layer / low refractive index layer / transparent conductor / atmosphere (incident side medium)
In this case, as described later, the refractive index of the film body, the refractive index and thickness of the undercoat layer, the refractive index and thickness of the high refractive index layer, the refractive index and thickness of the low refractive index layer, the refractive index of the transparent conductor and The simulation was performed while appropriately changing the thickness. In all simulations, the incident angle of light was set to 0 degree (normal incidence).

透明導電体40,45が設けられていない領域に関しては、以下の層構成を仮定してシミュレーションを行った。
フィルム本体(出射側媒質)/アンダーコート層/高屈折率層/低屈折率層/大気(入射側媒質)
その他の条件は、透明導電体40,45が設けられている領域に関するシミュレーションの条件と略同一であるので、詳細な説明は省略する。
With respect to the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided, simulation was performed assuming the following layer structure.
Film body (output side medium) / undercoat layer / high refractive index layer / low refractive index layer / atmosphere (incident side medium)
The other conditions are substantially the same as the simulation conditions related to the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided, and thus detailed description thereof is omitted.

(評価項目1 反射率)
透明導電体40,45が設けられている領域および透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射スペクトルをシミュレーションにより求めた。結果を図14Aに示す。図14Aに示すように、光波長380nm〜780nmの範囲内において、光の反射スペクトルの周期的な乱れ(ハンチング)が見られた。このようなハンチングは、基材フィルム32の各層間、および基材フィルム32と透明導電体40,45との間での薄膜干渉に起因していると考えられる。
(Evaluation item 1 reflectance)
The reflection spectrum of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided and in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided was obtained by simulation. The results are shown in FIG. 14A. As shown in FIG. 14A, periodic disturbance (hunting) of the reflection spectrum of light was observed in the light wavelength range of 380 nm to 780 nm. Such hunting is considered to be caused by thin film interference between each layer of the base film 32 and between the base film 32 and the transparent conductors 40 and 45.

透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射スペクトルと、透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射スペクトルとの差(反射率差)を図14Bに示す。ここで、反射率差=(透明導電体40,45が設けられていない領域における反射率)−(透明導電体40,45が設けられている領域における反射率)となっている。図14Bに示すように、反射率差についても、光波長380nm〜780nmの範囲内においてハンチングが見られた。このハンチングは、図14Bに示すように、反射率差が0%となる線(図14Bにおいて符号81で示す点線)をほぼ中心線として生じていた。また、波長が短いほどハンチングの振幅が大きくなるのが確認された。   FIG. 14B shows the difference (reflectance difference) between the light reflection spectrum in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided and the light reflection spectrum in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided. Here, reflectance difference = (reflectance in a region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided) − (reflectance in a region where the transparent conductors 40 and 45 are provided). As shown in FIG. 14B, hunting was also observed in the light wavelength range of 380 nm to 780 nm for the difference in reflectance. As shown in FIG. 14B, this hunting is generated with a line having a reflectance difference of 0% (dotted line indicated by reference numeral 81 in FIG. 14B) as a substantially center line. It was also confirmed that the shorter the wavelength, the larger the hunting amplitude.

シミュレーションにより求めた反射スペクトルから、XYZ表色系における等色関数を用いて、透明導電体40,45が設けられている領域および透明導電体40,45が設けられていない領域各々について、XYZ表色系におけるY値を求めた。具体的な算出方法はJIS Z8701に規定されており、ここでの詳細な説明は省略する。この際、色の表示に用いる標準の光の分光分布として、標準の光Cの分光分布を用いた。次に、透明導電体40,45が設けられている領域におけるY値と、透明導電体40,45が設けられていない領域におけるY値との差(以下、ΔY(反射))を求めた。結果、ΔY(反射)が0.0576%となっていた。   From the reflection spectrum obtained by simulation, using the color matching function in the XYZ color system, the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided and the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided are respectively shown in the XYZ table. The Y value in the color system was determined. A specific calculation method is defined in JIS Z8701, and detailed description thereof is omitted here. At this time, the spectral distribution of standard light C was used as the spectral distribution of standard light used for color display. Next, the difference (hereinafter referred to as ΔY (reflection)) between the Y value in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided and the Y value in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided was obtained. As a result, ΔY (reflection) was 0.0576%.

(評価項目2 透過率)
透明導電体40,45が設けられている領域および透明導電体40,45が設けられていない領域における光の透過スペクトルをシミュレーションにより求めた。結果を図15Aに示す。図15Aに示すように、光波長380nm〜780nmの範囲内において、光の反射スペクトルの場合と同様に、光の透過スペクトルのハンチングが見られた。
(Evaluation item 2 transmittance)
The transmission spectrum of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided and the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided was obtained by simulation. The results are shown in FIG. 15A. As shown in FIG. 15A, in the light wavelength range of 380 nm to 780 nm, hunting of the light transmission spectrum was observed as in the case of the light reflection spectrum.

透明導電体40,45が設けられていない領域における光の透過スペクトルと、透明導電体40,45が設けられている領域における光の透過スペクトルとの差(透過率差)を図15Bに示す。ここで、透過率差=(透明導電体40,45が設けられていない領域における透過率)−(透明導電体40,45が設けられている領域における透過率)となっている。図15Bに示すように、透過率差についても、光波長380nm〜780nmの範囲内においてハンチングが見られた。このハンチングは、図15Bに示すように、0%線81をほぼ中心線として生じていた。また、波長が短いほどハンチングの振幅が大きくなるのが確認された。   FIG. 15B shows the difference (transmittance difference) between the light transmission spectrum in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided and the light transmission spectrum in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided. Here, transmittance difference = (transmittance in a region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided) − (transmittance in a region where the transparent conductors 40 and 45 are provided). As shown in FIG. 15B, hunting was also observed within the light wavelength range of 380 nm to 780 nm for the transmittance difference. As shown in FIG. 15B, this hunting occurred with the 0% line 81 being substantially the center line. It was also confirmed that the shorter the wavelength, the larger the hunting amplitude.

シミュレーションにより求めた透過スペクトルから、XYZ表色系(JIS Z8701参照)における等色関数を用いて、透明導電体40,45が設けられている領域および透明導電体40,45が設けられていない領域各々について、XYZ表色系におけるY値を求めた(JIS Z8701参照)。この際、色の表示に用いる標準の光の分光分布として、標準の光Cの分光分布を用いた。次に、透明導電体40,45が設けられている領域におけるY値と、透明導電体40,45が設けられていない領域におけるY値との差(以下、ΔY(透過))を求めた。結果、ΔY(透過)は0.0247%となっていた。   A region where the transparent conductors 40 and 45 are provided and a region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided using the color matching function in the XYZ color system (see JIS Z8701) from the transmission spectrum obtained by simulation. For each, the Y value in the XYZ color system was determined (see JIS Z8701). At this time, the spectral distribution of standard light C was used as the spectral distribution of standard light used for color display. Next, the difference (hereinafter referred to as ΔY (transmission)) between the Y value in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided and the Y value in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided was obtained. As a result, ΔY (transmission) was 0.0247%.

(評価項目3 b*)
透明導電体40,45が設けられている領域におけるXYZ表色系のX値、Y値およびZ値(JIS Z8701参照)を用いて、透明導電体40,45が設けられている領域について、L*a*b*表色系における色座標b*を求めた。具体的な算出方法はJIS Z8729に規定されており、ここでの詳細な説明は省略する。結果、b*は−0.142となっていた。
(Evaluation item 3 b *)
Using the X value, Y value, and Z value (see JIS Z8701) of the XYZ color system in the region where the transparent conductors 40, 45 are provided, the region where the transparent conductors 40, 45 are provided The color coordinate b * in the * a * b * color system was determined. A specific calculation method is defined in JIS Z8729, and a detailed description thereof is omitted here. As a result, b * was −0.142.

本実施例によれば、タッチパネルセンサ30は、上記の表2に示す光屈折率および厚みを有する各層からなる基材フィルム32と、基材フィルム32の面32a,32b上に所定のパターンで設けられた透明導電体40,45と、からなっている。このため、光波長380nm〜780nmの範囲内における、反射率差および透過率差のハンチングを、0%線81をほぼ中心線として生じさせることができた。これによって、上述のように、ΔY(反射)、ΔY(透過)およびb*の絶対値の値を十分に小さくすることができた。このことにより、透明導電体40,45のパターンがタッチパネルセンサ30の使用者から視認されるのを防ぐことができた。   According to the present embodiment, the touch panel sensor 30 is provided in a predetermined pattern on the base film 32 composed of each layer having the refractive index and thickness shown in Table 2 above, and the surfaces 32a and 32b of the base film 32. Transparent conductors 40 and 45 formed. For this reason, the hunting of the difference in reflectance and the difference in transmittance within the light wavelength range of 380 nm to 780 nm could be generated with the 0% line 81 being substantially the center line. As a result, as described above, the absolute values of ΔY (reflection), ΔY (transmission), and b * can be made sufficiently small. This could prevent the pattern of the transparent conductors 40 and 45 from being visually recognized by the user of the touch panel sensor 30.

比較例1
高屈折率層72,77の光屈折率を波長に依らず一定としたこと以外は、実施例1と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差を求めた。高屈折率層72,77の光屈折率の値としては、2.0、2.4、または2.183(実施例1における高屈折率層の、波長550nmでの光屈折率の値に等しい)を用いた。
Comparative Example 1
The reflection of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided by simulation in the same manner as in Example 1 except that the light refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is constant regardless of the wavelength. The difference between the value of the transmittance and the transmittance and the value of the reflectance and transmittance of the light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided was obtained. The value of the optical refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is 2.0, 2.4, or 2.183 (equivalent to the value of the optical refractive index of the high refractive index layer in Example 1 at a wavelength of 550 nm). ) Was used.

(評価項目1 反射率)
透明導電体40,45が設けられている領域および透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射スペクトルをシミュレーションにより求めた。次に、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射スペクトルと、透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射スペクトルとの差(反射率差)を求めた。結果を図16Aに示す。また比較のため、高屈折率層72,77の光屈折率を波長に依らず2.183にした場合の反射率差と、上述の実施例1の場合の反射率差と、をあわせて図16Bに示す。
(Evaluation item 1 reflectance)
The reflection spectrum of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided and in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided was obtained by simulation. Next, the difference (reflectance difference) between the light reflection spectrum in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided and the light reflection spectrum in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided was obtained. . The results are shown in FIG. 16A. For comparison, the difference in reflectance when the refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is 2.183 regardless of the wavelength and the difference in reflectance in the case of Example 1 described above are shown together. Shown in 16B.

図16Aに示すように、高屈折率層72,77の光屈折率を波長に依らず2.4とした場合、短波長の領域においては0%線81をほぼ中心線として反射率差のハンチングが生じていたが、長波長の領域においては反射率差のハンチングの中心線が0%線81よりも上となっていた。また図16Aおよび図16Bに示すように、高屈折率層72,77の光屈折率を波長に依らず2.183とした場合、長波長の領域においては0%線81をほぼ中心線として反射率差のハンチングが生じていたが、短波長の領域においては反射率差のハンチングの中心線が0%線81よりも下となっていた。また、高屈折率層72,77の光屈折率を波長に依らず2.0とした場合、光波長380nm〜780nmの全域にわたって、反射率差のハンチングの中心線が0%線81よりも下となっていた。   As shown in FIG. 16A, when the optical refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is set to 2.4 regardless of the wavelength, the hunting of the reflectance difference is performed with the 0% line 81 being substantially the center line in the short wavelength region. However, in the long wavelength region, the hunting center line of the difference in reflectance was higher than the 0% line 81. Further, as shown in FIGS. 16A and 16B, when the refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is 2.183 regardless of the wavelength, the 0% line 81 is reflected as a substantially center line in the long wavelength region. Although the ratio difference hunting occurred, the center line of the reflectance difference hunting was below the 0% line 81 in the short wavelength region. Further, when the optical refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is set to 2.0 regardless of the wavelength, the center line of the hunting of the reflectance difference is lower than the 0% line 81 over the entire optical wavelength range of 380 nm to 780 nm. It was.

これに対して、図16Bにおいて実線で示す本発明の高屈折率層72,77によれば、光波長380nm〜780nmのほぼ全域にわたって、0%線81をほぼ中心線として反射率差のハンチングが生じていた。すなわち、表2に示すように、波長550nmの光に対する高屈折率層72,77の光屈折率を約2.18とし、波長400nmの光に対する高屈折率層72,77の光屈折率を約2.36とすることにより、0%線81をほぼ中心線として、反射率差のハンチングを生じさせることができた。このように本発明の高屈折率層72,77により、反射率差のハンチングが0%線81をほぼ中心線として生じるようにすることができたことについては、様々な理由が考えられる。すなわち、高屈折率層72,77の屈折率については、図16Aに示す様に、短波長領域では、高屈折率層72,77の屈折率が2.4と高く、長波長領域では、高屈折率層72,77の屈折率は2.183に近い数値を有するのが反射率差の観点で好ましい。400〜550nmの波長領域では、高屈折率層72,77の屈折率の波長依存性が透明導電体40,45のそれより大きく、550〜780nmでは、高屈折率層72,77の屈折率の波長依存性は透明導電体40,45のそれより小さいのが好ましいと考えられる。そして、この様な屈折率の波長依存性を有する高屈折率層72,77を用いることにより、透明導電体40,45の屈折率の波長依存性に起因する反射率差の波長依存性を適切に補正することが出来たと考えられる。   On the other hand, according to the high refractive index layers 72 and 77 of the present invention indicated by the solid line in FIG. 16B, the hunting of the reflectance difference is performed with the 0% line 81 as a substantially center line over almost the entire light wavelength range of 380 nm to 780 nm. It was happening. That is, as shown in Table 2, the refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 for light with a wavelength of 550 nm is about 2.18, and the refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 for light with a wavelength of 400 nm is about. By setting it to 2.36, it was possible to cause hunting of the difference in reflectance with the 0% line 81 being substantially the center line. As described above, various reasons can be considered that the high refractive index layers 72 and 77 of the present invention can cause the hunting of the difference in reflectance to occur with the 0% line 81 as a substantially center line. That is, as shown in FIG. 16A, the refractive indexes of the high refractive index layers 72 and 77 are as high as 2.4 in the short wavelength region and as high as 2.4 in the long wavelength region. The refractive indexes of the refractive index layers 72 and 77 are preferably close to 2.183 from the viewpoint of the difference in reflectance. In the wavelength region of 400 to 550 nm, the wavelength dependency of the refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is larger than that of the transparent conductors 40 and 45, and in the wavelength range of 550 to 780 nm, the refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is higher. It is considered that the wavelength dependency is preferably smaller than that of the transparent conductors 40 and 45. Then, by using the high refractive index layers 72 and 77 having such a wavelength dependency of the refractive index, the wavelength dependency of the reflectance difference caused by the wavelength dependency of the refractive index of the transparent conductors 40 and 45 is appropriately set. It is thought that it was possible to correct it.

(評価項目2 透過率)
透明導電体40,45が設けられている領域および透明導電体40,45が設けられていない領域における光の透過スペクトルをシミュレーションにより求めた。次に、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の透過スペクトルと、透明導電体40,45が設けられている領域における光の透過スペクトルとの差(透過率差)を求めた。結果を図17Aに示す。また比較のため、高屈折率層72,77の光屈折率を波長に依らず2.183にした場合の透過率差と、上述の実施例1の場合の透過率差と、をあわせて図17Bに示す。
(Evaluation item 2 transmittance)
The transmission spectrum of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided and the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided was obtained by simulation. Next, the difference (transmittance difference) between the light transmission spectrum in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided and the light transmission spectrum in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided was obtained. . The results are shown in FIG. 17A. For comparison, the transmittance difference when the optical refractive index of the high-refractive index layers 72 and 77 is 2.183 regardless of the wavelength and the transmittance difference in the case of Example 1 described above are shown together. Shown in 17B.

図17Aおよび図17Bに示すように、高屈折率層72,77の光屈折率を波長に依らず2.183とした場合、長波長の領域においては0%線81をほぼ中心線として透過率差のハンチングが生じていたが、短波長の領域においては透過率差のハンチングの中心線が0%線81よりも上となっていた。また、高屈折率層72,77の光屈折率を波長に依らず2.0とした場合、光波長380nm〜780nmの全域にわたって、透過率差のハンチングの中心線が0%線81よりも上となっていた。また、高屈折率層72,77の光屈折率を波長に依らず2.4とした場合、光波長380nm〜780nmのほぼ全域にわたって、透過率差のハンチングの中心線が0%線81よりも下となっていた。   As shown in FIGS. 17A and 17B, when the optical refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is 2.183 regardless of the wavelength, the transmittance is obtained with the 0% line 81 being substantially the center line in the long wavelength region. Although the difference hunting occurred, the center line of the transmittance difference hunting was above the 0% line 81 in the short wavelength region. Further, when the light refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is set to 2.0 regardless of the wavelength, the center line of the transmittance difference hunting is higher than the 0% line 81 over the entire light wavelength range of 380 nm to 780 nm. It was. Further, when the optical refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is set to 2.4 regardless of the wavelength, the hunting center line of the transmittance difference over the almost entire optical wavelength range of 380 nm to 780 nm is more than the 0% line 81. It was below.

これに対して、図17Bにおいて実線で示す本発明の高屈折率層72,77によれば、光波長380nm〜780nmのほぼ全域にわたって、0%線81をほぼ中心線として透過率差のハンチングが生じていた。すなわち、表2に示すように、波長550nmの光に対する高屈折率層72,77の光屈折率を約2.18とし、波長400nmの光に対する高屈折率層72,77の光屈折率を約2.36とすることにより、0%線81を中心線として、透過率差のハンチングを生じさせることができた。このように本発明の高屈折率層72,77により、透過率差のハンチングが0%線81をほぼ中心線として生じるようにすることができたことについては、様々な理由が考えられる。すなわち、高屈折率層72,77の屈折率については、図17Aに示す様に、短波長領域では、高屈折率層72,77の屈折率が2.4と高く、長波長領域では、高屈折率層72,77の屈折率は2.183に近い数値を有するのが透過率差の観点で好ましい。400〜550nmの波長領域では、高屈折率層72,77の屈折率の波長依存性が透明導電体40,45のそれより大きく、550〜780nmでは、高屈折率層72,77の屈折率の波長依存性は透明導電体40,45のそれより小さいのが好ましいと考えられる。そして、この様な屈折率の波長依存性を有する高屈折率層72,77を用いることにより、透明導電体40,45の屈折率の波長依存性に起因する透過率差の波長依存性を適切に補正することが出来たと考えられる。   On the other hand, according to the high refractive index layers 72 and 77 of the present invention shown by the solid line in FIG. It was happening. That is, as shown in Table 2, the refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 for light with a wavelength of 550 nm is about 2.18, and the refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 for light with a wavelength of 400 nm is about. By setting it to 2.36, it was possible to cause hunting of the transmittance difference with the 0% line 81 as the center line. As described above, various reasons can be considered that the high refractive index layers 72 and 77 of the present invention enable the hunting of the transmittance difference to be generated with the 0% line 81 being substantially the center line. That is, as shown in FIG. 17A, the refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is as high as 2.4 in the short wavelength region and as high as 2.4 in the long wavelength region. The refractive indexes of the refractive index layers 72 and 77 are preferably close to 2.183 from the viewpoint of transmittance difference. In the wavelength region of 400 to 550 nm, the wavelength dependency of the refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is larger than that of the transparent conductors 40 and 45, and in the wavelength range of 550 to 780 nm, the refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 is higher. It is considered that the wavelength dependency is preferably smaller than that of the transparent conductors 40 and 45. Then, by using such high refractive index layers 72 and 77 having the wavelength dependency of the refractive index, the wavelength dependency of the transmittance difference due to the wavelength dependency of the refractive index of the transparent conductors 40 and 45 is appropriately set. It is thought that it was possible to correct it.

実施例2
高屈折率層72,77の光屈折率(実数部)を、表2に示す光屈折率から、光波長380nm〜780nmの全域にわたって一律に+0.3、+0.21、+0.2、+0.1、−0.1、−0.14、−0.2、−0.25または−0.3としたこと以外は、実施例1と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差(ΔY(反射)およびΔY(透過))を求めた。またシミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域におけるb*を求めた。結果を図18に示す。
Example 2
The optical refractive indexes (real part) of the high refractive index layers 72 and 77 are uniformly +0.3, +0.21, +0.2, +0... From the optical refractive index shown in Table 2 over the entire light wavelength range of 380 nm to 780 nm. The transparent conductors 40 and 45 were simulated by simulation in the same manner as in Example 1 except that -0.1, -0.14, -0.2, -0.25, or -0.3. The difference (ΔY (reflection) and ΔY () between the reflectance and transmittance of light in the provided region and the reflectance and transmittance of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided. Transmission)). Moreover, b * in the area | region in which the transparent conductors 40 and 45 are provided was calculated | required by simulation. The results are shown in FIG.

図18に示すように、表2に示す高屈折率層72,77の光屈折率からの変位量が波長によらず一律で−0.26〜+0.22の範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が1%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。また、表2に示す高屈折率層72,77の光屈折率からの変位量が波長によらず一律で−0.12〜+0.11の範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が0.5%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ30において、好ましくは、波長550nmの光に対する高屈折率層72,77の光屈折率が2.18+0.22/−0.26の範囲内となっており、波長400nmの光に対する高屈折率層72,77の光屈折率が2.36+0.22/−0.26の範囲内となっている。より好ましくは、波長550nmの光に対する高屈折率層72,77の光屈折率が2.18+0.11/−0.12の範囲内となっており、波長400nmの光に対する高屈折率層72,77の光屈折率が2.36+0.11/−0.12の範囲内となっている。このことにより、透明導電体40,45のパターンがタッチパネルセンサ30の使用者から視認されるのを防ぐことができる。   As shown in FIG. 18, when the amount of displacement from the optical refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 shown in Table 2 is uniformly within the range of −0.26 to +0.22 regardless of the wavelength, ΔY (reflection) and ΔY (transmission) were 1% or less, and the absolute value of b * was 1.5 or less. Further, when the amount of displacement from the optical refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 shown in Table 2 is uniformly within the range of −0.12 to +0.11 regardless of the wavelength, ΔY (reflection) and ΔY (transmission) was 0.5% or less, and the absolute value of b * was 1.5 or less. Therefore, in the touch panel sensor 30 according to the present invention, preferably, the light refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 with respect to light having a wavelength of 550 nm is in the range of 2.18 + 0.22 / −0.26, and the wavelength is 400 nm. The light refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 for the light of 2.36 + 0.22 / −0.26 is in the range. More preferably, the optical refractive index of the high refractive index layers 72 and 77 for light having a wavelength of 550 nm is in the range of 2.18 + 0.11 / −0.12, and the high refractive index layers 72 and 77 for light having a wavelength of 400 nm. 77 has a refractive index of 2.36 + 0.11 / −0.12. This can prevent the pattern of the transparent conductors 40 and 45 from being visually recognized by the user of the touch panel sensor 30.

実施例3
高屈折率層72,77の厚みを、0、2、4、4.8、4.9、5、6、7、7.2、8または10nmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差(ΔY(反射)およびΔY(透過))を求めた。またシミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域におけるb*を求めた。結果を図19に示す。
Example 3
Except that the thickness of the high refractive index layers 72 and 77 is 0, 2, 4, 4.8, 4.9, 5, 6, 7, 7.2, 8 or 10 nm, it is the same as in Example 1. By simulation, the values of the reflectance and transmittance of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided and the reflectance and transmittance of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided are obtained. The difference from the value (ΔY (reflection) and ΔY (transmission)) was determined. Moreover, b * in the area | region in which the transparent conductors 40 and 45 are provided was calculated | required by simulation. The results are shown in FIG.

図19に示すように、高屈折率層72,77の厚みが3.6〜8.3nmの範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が1%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。また、高屈折率層72,77の厚みが4.9〜7.1nmの範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が0.5%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ30において、好ましくは、高屈折率層72,77の厚みが3.6〜8.3nmの範囲内となっており、より好ましくは、高屈折率層72,77の厚みが4.9〜7.1nmの範囲内となっている。このことにより、透明導電体40,45のパターンがタッチパネルセンサ30の使用者から視認されるのを防ぐことができる。   As shown in FIG. 19, when the thicknesses of the high refractive index layers 72 and 77 are in the range of 3.6 to 8.3 nm, ΔY (reflection) and ΔY (transmission) become 1% or less, The absolute value of b * was 1.5 or less. Further, when the thickness of the high refractive index layers 72 and 77 is in the range of 4.9 to 7.1 nm, ΔY (reflection) and ΔY (transmission) are 0.5% or less, and b * The absolute value was 1.5 or less. Therefore, in the touch panel sensor 30 according to the present invention, preferably, the thickness of the high refractive index layers 72 and 77 is in the range of 3.6 to 8.3 nm, and more preferably, the high refractive index layers 72 and 77. The thickness is in the range of 4.9 to 7.1 nm. This can prevent the pattern of the transparent conductors 40 and 45 from being visually recognized by the user of the touch panel sensor 30.

実施例4
透明導電体40,45の光屈折率(実数部)を、表2に示す光屈折率から、光波長380nm〜780nmの全域にわたって一律に+0.3、+0.2、+0.13、+0.1、+0.08、−0.1、−0.2、−0.25または−0.3としたこと以外は、実施例1と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差(ΔY(反射)およびΔY(透過))を求めた。またシミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域におけるb*を求めた。結果を図20に示す。
Example 4
The light refractive index (real part) of the transparent conductors 40 and 45 is uniformly +0.3, +0.2, +0.13, +0.1 from the light refractive index shown in Table 2 over the entire light wavelength range of 380 nm to 780 nm. , +0.08, -0.1, -0.2, -0.25, or -0.3, transparent conductors 40 and 45 are provided by simulation in the same manner as in Example 1. The difference between the reflectance and transmittance of light in the region where the light is transmitted and the reflectance and transmittance of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided (ΔY (reflection) and ΔY (transmission)) ) Moreover, b * in the area | region in which the transparent conductors 40 and 45 are provided was calculated | required by simulation. The results are shown in FIG.

図20に示すように、表2に示す透明導電体40,45の光屈折率からの変位量が波長によらず一律で−0.25〜+0.13の範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が1%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。また、表2に示す透明導電体40,45の光屈折率からの変位量が波長によらず一律で−0.08〜+0.07の範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が0.5%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ30において、好ましくは、波長550nmの光に対する透明導電体40,45の光屈折率が1.97+0.13/−0.25の範囲内となっており、波長400nmの光に対する透明導電体40,45の光屈折率が2.12+0.13/−0.25の範囲内となっている。より好ましくは、波長550nmの光に対する透明導電体40,45の光屈折率が1.97+0.07/−0.08の範囲内となっており、波長400nmの光に対する透明導電体40,45の光屈折率が2.12+0.07/−0.08の範囲内となっている。このことにより、透明導電体40,45のパターンがタッチパネルセンサ30の使用者から視認されるのを防ぐことができる。   As shown in FIG. 20, when the amount of displacement from the optical refractive index of the transparent conductors 40 and 45 shown in Table 2 is uniformly within the range of −0.25 to +0.13 regardless of the wavelength, ΔY (Reflection) and ΔY (transmission) were 1% or less, and the absolute value of b * was 1.5 or less. Further, when the amount of displacement from the optical refractive index of the transparent conductors 40 and 45 shown in Table 2 is uniformly within the range of −0.08 to +0.07 regardless of the wavelength, ΔY (reflection) and ΔY (Transmission) was 0.5% or less, and the absolute value of b * was 1.5 or less. Accordingly, in the touch panel sensor 30 according to the present invention, the optical refractive index of the transparent conductors 40 and 45 with respect to light having a wavelength of 550 nm is preferably in the range of 1.97 + 0.13 / −0.25, and the wavelength of 400 nm. The light refractive index of the transparent conductors 40 and 45 with respect to light is in the range of 2.12 + 0.13 / −0.25. More preferably, the optical refractive index of the transparent conductors 40 and 45 with respect to light with a wavelength of 550 nm is in the range of 1.97 + 0.07 / −0.08, and the transparent conductors 40 and 45 with respect to light with a wavelength of 400 nm The optical refractive index is in the range of 2.12 + 0.07 / −0.08. This can prevent the pattern of the transparent conductors 40 and 45 from being visually recognized by the user of the touch panel sensor 30.

実施例5
透明導電体40,45の厚みを、0、5、8、10、12.5、15、16、17、18、19、20、20.5、22.5または25nmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差(ΔY(反射)およびΔY(透過))を求めた。またシミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域におけるb*を求めた。結果を図21に示す。
Example 5
Implementation was performed except that the thickness of the transparent conductors 40 and 45 was set to 0, 5, 8, 10, 12.5, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 20.5, 22.5, or 25 nm. Similar to Example 1, the values of the reflectance and transmittance of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided and the reflection of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided are obtained by simulation. The difference (ΔY (reflection) and ΔY (transmission)) between the rate and the value of transmittance was determined. Moreover, b * in the area | region in which the transparent conductors 40 and 45 are provided was calculated | required by simulation. The results are shown in FIG.

図21に示すように、透明導電体40,45の厚みが12〜23nmの範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が1%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。また、透明導電体40,45の厚みが12〜20nmの範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が0.5%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ30において、好ましくは、透明導電体40,45の厚みが12〜23nmの範囲内となっており、より好ましくは、透明導電体40,45の厚みが12〜20nmの範囲内となっている。このことにより、透明導電体40,45のパターンがタッチパネルセンサ30の使用者から視認されるのを防ぐことができる。   As shown in FIG. 21, when the thickness of the transparent conductors 40 and 45 is in the range of 12 to 23 nm, ΔY (reflection) and ΔY (transmission) are 1% or less, and the absolute value of b * Was 1.5 or less. When the thickness of the transparent conductors 40 and 45 is in the range of 12 to 20 nm, ΔY (reflection) and ΔY (transmission) are 0.5% or less, and the absolute value of b * is 1. It was 5 or less. Accordingly, in the touch panel sensor 30 according to the present invention, the thickness of the transparent conductors 40 and 45 is preferably in the range of 12 to 23 nm, and more preferably the thickness of the transparent conductors 40 and 45 is 12 to 20 nm. It is within the range. This can prevent the pattern of the transparent conductors 40 and 45 from being visually recognized by the user of the touch panel sensor 30.

実施例6
低屈折率層73,78の光屈折率を、光波長380nm〜780nmの全域にわたって一律に1.2、1.3、1.31、1.38、1.4、1.46、1.5、1.53、1.6、1.66、1.7、1.8または2.0としたこと以外は、実施例1と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差(ΔY(反射)およびΔY(透過))を求めた。またシミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域におけるb*を求めた。結果を図22に示す。
なお表2から明らかなように、二酸化珪素(SiO)などからなる低屈折率層73,78における光屈折率の波長依存性は、透明導電体40,45または高屈折率層72,77における光屈折率の波長依存性に比べて小さい。従って本実施例においては、上述のように、低屈折率層73,78の光屈折率を、光波長380nm〜780nmの全域にわたって一律の値とした。
Example 6
The light refractive index of the low refractive index layers 73 and 78 is uniformly 1.2, 1.3, 1.31, 1.38, 1.4, 1.46, 1.5 over the entire light wavelength range of 380 nm to 780 nm. , 1.53, 1.6, 1.66, 1.7, 1.8, or 2.0, transparent conductors 40 and 45 are provided by simulation in the same manner as in Example 1. The difference between the reflectance and transmittance of light in the region where the light is transmitted and the reflectance and transmittance of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided (ΔY (reflection) and ΔY (transmission)) ) Moreover, b * in the area | region in which the transparent conductors 40 and 45 are provided was calculated | required by simulation. The results are shown in FIG.
As is apparent from Table 2, the wavelength dependence of the light refractive index in the low refractive index layers 73 and 78 made of silicon dioxide (SiO 2 ) or the like is different in the transparent conductors 40 and 45 or the high refractive index layers 72 and 77. Smaller than the wavelength dependence of the photorefractive index. Therefore, in this embodiment, as described above, the light refractive indexes of the low refractive index layers 73 and 78 are set to uniform values over the entire light wavelength range of 380 nm to 780 nm.

図22に示すように、低屈折率層73,78の光屈折率が1.30〜1.67の範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が1%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。また、低屈折率層73,78の光屈折率が1.37〜1.67の範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が0.5%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ30において、好ましくは、低屈折率層73,78の光屈折率が1.30〜1.67の範囲内となっており、より好ましくは、低屈折率層73,78の光屈折率が1.37〜1.67の範囲内となっている。このことにより、透明導電体40,45のパターンがタッチパネルセンサ30の使用者から視認されるのを防ぐことができる。   As shown in FIG. 22, when the light refractive indexes of the low refractive index layers 73 and 78 are in the range of 1.30 to 1.67, ΔY (reflection) and ΔY (transmission) are 1% or less. At the same time, the absolute value of b * was 1.5 or less. Further, when the optical refractive index of the low refractive index layers 73 and 78 is in the range of 1.37 to 1.67, ΔY (reflection) and ΔY (transmission) are 0.5% or less, and b The absolute value of * was 1.5 or less. Therefore, in the touch panel sensor 30 according to the present invention, the low refractive index layers 73 and 78 preferably have a light refractive index in the range of 1.30 to 1.67, and more preferably, the low refractive index layer 73, The light refractive index of 78 is in the range of 1.37 to 1.67. This can prevent the pattern of the transparent conductors 40 and 45 from being visually recognized by the user of the touch panel sensor 30.

実施例7
低屈折率層73,78の厚みを、0、20、27、40、42、48、50、60、64、68、70、85または100nmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差(ΔY(反射)およびΔY(透過))を求めた。またシミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域におけるb*を求めた。結果を図23に示す。
Example 7
Except that the thickness of the low refractive index layers 73 and 78 was 0, 20, 27, 40, 42, 48, 50, 60, 64, 68, 70, 85, or 100 nm, By simulation, the light reflectance and transmittance values in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided, and the light reflectance and transmittance values in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided, and Difference (ΔY (reflection) and ΔY (transmission)) was obtained. Moreover, b * in the area | region in which the transparent conductors 40 and 45 are provided was calculated | required by simulation. The results are shown in FIG.

図23に示すように、低屈折率層73,78の厚みが41〜87nmの範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が1%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。また、低屈折率層73,78の厚みが49〜86nmの範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が0.5%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ30において、好ましくは、低屈折率層73,78の厚みが41〜87nmの範囲内となっており、より好ましくは、低屈折率層73,78の厚みが49〜86nmの範囲内となっている。このことにより、透明導電体40,45のパターンがタッチパネルセンサ30の使用者から視認されるのを防ぐことができる。   As shown in FIG. 23, when the thicknesses of the low refractive index layers 73 and 78 are in the range of 41 to 87 nm, ΔY (reflection) and ΔY (transmission) become 1% or less, and the absolute value of b * The value was 1.5 or less. When the thicknesses of the low refractive index layers 73 and 78 are in the range of 49 to 86 nm, ΔY (reflection) and ΔY (transmission) are 0.5% or less, and the absolute value of b * is 1. .5 or less. Accordingly, in the touch panel sensor 30 according to the present invention, the thickness of the low refractive index layers 73 and 78 is preferably in the range of 41 to 87 nm, and more preferably the thickness of the low refractive index layers 73 and 78 is 49 to 49. It is in the range of 86 nm. This can prevent the pattern of the transparent conductors 40 and 45 from being visually recognized by the user of the touch panel sensor 30.

実施例8
アンダーコート層71,76の光屈折率を、光波長380nm〜780nmの全域にわたって一律に1.3、1.36、1.4、1.41、1.43、1.47、1.5、1.55、1.58、1.6、1.66、1.7、1.8または2.0としたこと以外は、実施例1と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差(ΔY(反射)およびΔY(透過))を求めた。またシミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域におけるb*を求めた。結果を図24に示す。
なお表2から明らかなように、アクリル樹脂などからなるアンダーコート層71,76における光屈折率の波長依存性は、透明導電体40,45または高屈折率層72,77における光屈折率の波長依存性に比べて小さい。従って本実施例においては、上述のように、アンダーコート層71,76の光屈折率を、光波長380nm〜780nmの全域にわたって一律の値とした。
Example 8
The light refractive index of the undercoat layers 71 and 76 is uniformly 1.3, 1.36, 1.4, 1.41, 1.43, 1.47, 1.5, over the entire light wavelength range of 380 nm to 780 nm. The transparent conductors 40 and 45 were simulated by simulation in the same manner as in Example 1 except that the values were 1.55, 1.58, 1.6, 1.66, 1.7, 1.8, or 2.0. The difference between the reflectance and transmittance of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided and the difference between the reflectance and transmittance of light in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided (ΔY (reflection) and ΔY (Transmission)). Moreover, b * in the area | region in which the transparent conductors 40 and 45 are provided was calculated | required by simulation. The results are shown in FIG.
As is clear from Table 2, the wavelength dependence of the optical refractive index in the undercoat layers 71 and 76 made of acrylic resin or the like is the wavelength of the optical refractive index in the transparent conductors 40 and 45 or the high refractive index layers 72 and 77. Small compared to dependency. Therefore, in this embodiment, as described above, the light refractive index of the undercoat layers 71 and 76 is set to a uniform value over the entire light wavelength range of 380 nm to 780 nm.

図24に示すように、アンダーコート層71,76の光屈折率が1.35〜1.67の範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が1%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。また、アンダーコート層71,76の光屈折率が1.44〜1.58の範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が0.5%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ30において、好ましくは、アンダーコート層71,76の光屈折率が1.35〜1.67の範囲内となっており、より好ましくは、アンダーコート層71,76の光屈折率が1.44〜1.58の範囲内となっている。このことにより、透明導電体40,45のパターンがタッチパネルセンサ30の使用者から視認されるのを防ぐことができる。   As shown in FIG. 24, when the light refractive index of the undercoat layers 71 and 76 is in the range of 1.35 to 1.67, ΔY (reflection) and ΔY (transmission) become 1% or less. The absolute value of b * was 1.5 or less. Moreover, when the optical refractive index of the undercoat layers 71 and 76 is in the range of 1.44 to 1.58, ΔY (reflection) and ΔY (transmission) are 0.5% or less, and b * The absolute value of was 1.5 or less. Therefore, in the touch panel sensor 30 according to the present invention, the light refractive index of the undercoat layers 71 and 76 is preferably in the range of 1.35 to 1.67, and more preferably, the undercoat layers 71 and 76 The optical refractive index is in the range of 1.44 to 1.58. This can prevent the pattern of the transparent conductors 40 and 45 from being visually recognized by the user of the touch panel sensor 30.

実施例9
アンダーコート層71,76の厚みを、0、100、200、500、600、900、950、1000、2000、3000、4000、5000または10000nmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体40,45が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差(ΔY(反射)およびΔY(透過))を求めた。またシミュレーションにより、透明導電体40,45が設けられている領域におけるb*を求めた。結果を図25に示す。
Example 9
Simulation was performed in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the undercoat layers 71 and 76 was 0, 100, 200, 500, 600, 900, 950, 1000, 2000, 3000, 4000, 5000, or 10,000 nm. Thus, the light reflectance and transmittance values in the region where the transparent conductors 40 and 45 are provided and the light reflectance and transmittance values in the region where the transparent conductors 40 and 45 are not provided. The difference (ΔY (reflection) and ΔY (transmission)) was determined. Moreover, b * in the area | region in which the transparent conductors 40 and 45 are provided was calculated | required by simulation. The results are shown in FIG.

図25に示すように、アンダーコート層71,76の厚みが600〜10000nmの範囲内となっている場合、ΔY(反射)およびΔY(透過)が0.5%以下になるとともに、b*の絶対値が1.5以下となっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ30において、好ましくは、アンダーコート層71,76の厚みが600〜10000nmの範囲内となっている。このことにより、透明導電体40,45のパターンがタッチパネルセンサ30の使用者から視認されるのを防ぐことができる。   As shown in FIG. 25, when the thickness of the undercoat layers 71 and 76 is in the range of 600 to 10000 nm, ΔY (reflection) and ΔY (transmission) are 0.5% or less, and b * The absolute value was 1.5 or less. Therefore, in the touch panel sensor 30 according to the present invention, the thickness of the undercoat layers 71 and 76 is preferably in the range of 600 to 10000 nm. This can prevent the pattern of the transparent conductors 40 and 45 from being visually recognized by the user of the touch panel sensor 30.

10 入出力装置
15 表示装置
20 タッチパネル装置
30 タッチパネルセンサ
32 基材フィルム
32a 面(一方の側の面)
32b 面(他方の側の面)
33 フィルム本体
36a 第1センサ電極
36b 第1取出配線
36c 検出制御部との接続端子部
37a 第2センサ電極
37b 第2取出配線
37c 検出制御部との接続端子部
40 第1透明導電体
41 第1センサ部
41a ライン部
41b 膨出部
42 第1接続部
43 第1取出導電体
45 第2透明導電体
46 第2センサ部
46a ライン部
46b 膨出部
47 第2接続部
48 第2取出導電体
50 積層体(ブランクス)
52a 第1透明導電層
52b 第2透明導電層
54a 第1遮光導電層(第1被覆導電層)
54b 第2遮光導電層(第2被覆導電層)
56a 第1感光層
56b 第2感光層
56c 第3感光層(さらなる感光層)
56d 第4感光層(さらなる感光層)
58a 第1マスク(第1フォトマスク)
58b 第2マスク(第2フォトマスク)
58c 第3マスク(第3フォトマスク)
58d 第4マスク(第4フォトマスク)
61 第1中間層
62 第1保護層
66 第2中間層
67 第2保護層
70 第1機能層
71 第1アンダーコート層
71a 面(一方の側の面)
72 第1高屈折率層
72a 面(一方の側の面)
73 第1低屈折率層
75 第2機能層
76 第2アンダーコート層
76b 面(他方の側の面)
77 第2高屈折率層
77b 面(他方の側の面)
78 第2低屈折率層
80 中間積層体
81 0%線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Input / output device 15 Display device 20 Touch panel device 30 Touch panel sensor 32 Base film 32a surface (surface on one side)
32b surface (surface on the other side)
33 Film body 36a First sensor electrode 36b First extraction wiring 36c Connection terminal portion 37a with detection control section Second sensor electrode 37b Second extraction wiring 37c Connection terminal section 40 with detection control section First transparent conductor 41 First Sensor part 41a Line part 41b Swelling part 42 First connection part 43 First extraction conductor 45 Second transparent conductor 46 Second sensor part 46a Line part 46b Swelling part 47 Second connection part 48 Second extraction conductor 50 Laminate (Blanks)
52a First transparent conductive layer 52b Second transparent conductive layer 54a First light-shielding conductive layer (first covering conductive layer)
54b Second light-shielding conductive layer (second covering conductive layer)
56a First photosensitive layer 56b Second photosensitive layer 56c Third photosensitive layer (further photosensitive layer)
56d Fourth photosensitive layer (further photosensitive layer)
58a First mask (first photomask)
58b Second mask (second photomask)
58c Third mask (third photomask)
58d Fourth mask (fourth photomask)
61 1st intermediate | middle layer 62 1st protective layer 66 2nd intermediate | middle layer 67 2nd protective layer 70 1st functional layer 71 1st undercoat layer 71a surface (surface of one side)
72 surface of first high refractive index layer 72a (surface on one side)
73 1st low refractive index layer 75 2nd functional layer 76 2nd undercoat layer 76b surface (surface of the other side)
77 second high refractive index layer 77b surface (surface on the other side)
78 Second Low Refractive Index Layer 80 Intermediate Laminate 8 10% Line

Claims (10)

基材フィルムと、
基材フィルムの一方の側の面上にパターニングされた第1透明導電体と、を備え、
基材フィルムは、
透明なフィルム本体と、
フィルム本体の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1アンダーコート層と、
第1アンダーコート層の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1高屈折率層と、
第1高屈折率層の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1低屈折率層と、を有し、
第1透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第1高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ基材フィルムの第1低屈折率層および第1アンダーコート層の光屈折率よりも大きく、
第1高屈折率層は、その厚みが3.6〜8.3nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が、波長550nmの光に対して2.18+0.22/−0.26の範囲内となっており、波長400nmの光に対して2.36+0.22/−0.26の範囲内となっている
ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
A base film;
A first transparent conductor patterned on the surface on one side of the base film,
The base film is
A transparent film body,
A first undercoat layer provided on the surface of the film body on the first transparent conductor side;
A first high refractive index layer provided on a surface of the first undercoat layer on the first transparent conductor side;
A first low refractive index layer provided on the first transparent conductor side surface of the first high refractive index layer,
The optical refractive index of the first transparent conductor is smaller than the optical refractive index of the first high refractive index layer of the base film, and the optical refractive index of the first low refractive index layer and the first undercoat layer of the base film. Bigger than
The first high refractive index layer has a thickness in the range of 3.6 to 8.3 nm, and its optical refractive index is 2.18 + 0.22 / −0.26 for light having a wavelength of 550 nm. The touch panel sensor is characterized in that it is within a range of 2.36 + 0.22 / −0.26 with respect to light having a wavelength of 400 nm.
前記第1透明導電体は、その厚みが12〜23nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が、波長550nmの光に対して1.97+0.13/−0.25の範囲内となっており、波長400nmの光に対して2.12+0.13/−0.25の範囲内となっている
ことを特徴とする請求項1に記載のタッチパネルセンサ。
The first transparent conductor has a thickness in a range of 12 to 23 nm, and a light refractive index of 1.97 + 0.13 / −0.25 with respect to light having a wavelength of 550 nm. It is in the range of 2.12 + 0.13 / -0.25 with respect to the light of wavelength 400nm. The touch panel sensor of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
前記第1低屈折率層は、その厚みが41〜87nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が1.30〜1.67の範囲内となっている
ことを特徴とする請求項1または2に記載のタッチパネルセンサ。
The first low refractive index layer has a thickness in the range of 41 to 87 nm and an optical refractive index in the range of 1.30 to 1.67. The touch panel sensor according to 1 or 2.
第1アンダーコート層は、その厚みが600〜10000nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が1.35〜1.67の範囲内となっている
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のタッチパネルセンサ。
The first undercoat layer has a thickness in the range of 600 to 10000 nm and an optical refractive index in the range of 1.35 to 1.67. 4. The touch panel sensor according to any one of 3.
請求項1に記載のタッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体であって、
基材フィルムと、
基材フィルムの一方の側の面上に設けられた第1透明導電層と、を備え、
基材フィルムは、
透明なフィルム本体と、
フィルム本体の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1アンダーコート層と、
第1アンダーコート層の前記第1透明導電層側の面上に設けられた第1高屈折率層と、
第1高屈折率層の前記第1透明導電層側の面上に設けられた第1低屈折率層と、を有し、
第1透明導電層の光屈折率は、基材フィルムの第1高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ基材フィルムの第1低屈折率層および第1アンダーコート層の光屈折率よりも大きく、
第1高屈折率層は、その厚みが3.6〜8.3nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が、波長550nmの光に対して2.18+0.22/−0.26の範囲内となっており、波長400nmの光に対して2.36+0.22/−0.26の範囲内となっている
ことを特徴とする積層体。
A laminate used for producing the touch panel sensor according to claim 1,
A base film;
A first transparent conductive layer provided on the surface on one side of the base film,
The base film is
A transparent film body,
A first undercoat layer provided on the surface of the film body on the first transparent conductor side;
A first high refractive index layer provided on a surface of the first undercoat layer on the first transparent conductive layer side;
A first low refractive index layer provided on the first transparent conductive layer side surface of the first high refractive index layer,
The optical refractive index of the first transparent conductive layer is smaller than the optical refractive index of the first high refractive index layer of the base film, and the optical refractive index of the first low refractive index layer and the first undercoat layer of the base film. Bigger than
The first high refractive index layer has a thickness in the range of 3.6 to 8.3 nm, and its optical refractive index is 2.18 + 0.22 / −0.26 for light having a wavelength of 550 nm. The laminate is characterized in that it is in the range of 2.36 + 0.22 / −0.26 for light having a wavelength of 400 nm.
基材フィルムと、
基材フィルムの一方の側の面上にパターニングされた第1透明導電体と、
基材フィルムの他方の側の面上にパターニングされた第2透明導電体と、を備え、
基材フィルムは、
透明なフィルム本体と、
フィルム本体の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1アンダーコート層と、
第1アンダーコート層の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1高屈折率層と、
第1高屈折率層の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1低屈折率層と、
フィルム本体の前記第2透明導電体側の面上に設けられた第2アンダーコート層と、
第2アンダーコート層の前記第2透明導電体側の面上に設けられた第2高屈折率層と、
第2高屈折率層の前記第2透明導電体側の面上に設けられた第2低屈折率層と、を有し、
第1透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第1高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ基材フィルムの第1低屈折率層および第1アンダーコート層の光屈折率よりも大きく、
第2透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第2高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ基材フィルムの第2低屈折率層および第2アンダーコート層の光屈折率よりも大きく、
第1高屈折率層および第2高屈折率層は、その厚みが3.6〜8.3nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が、波長550nmの光に対して2.18+0.22/−0.26の範囲内となっており、波長400nmの光に対して2.36+0.22/−0.26の範囲内となっている
ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
A base film;
A first transparent conductor patterned on the surface of one side of the base film;
A second transparent conductor patterned on the surface of the other side of the base film,
The base film is
A transparent film body,
A first undercoat layer provided on the surface of the film body on the first transparent conductor side;
A first high refractive index layer provided on a surface of the first undercoat layer on the first transparent conductor side;
A first low refractive index layer provided on a surface of the first high refractive index layer on the first transparent conductor side;
A second undercoat layer provided on the surface of the film body on the second transparent conductor side;
A second high refractive index layer provided on the second transparent conductor side surface of the second undercoat layer;
A second low refractive index layer provided on the second transparent conductor side surface of the second high refractive index layer,
The optical refractive index of the first transparent conductor is smaller than the optical refractive index of the first high refractive index layer of the base film, and the optical refractive index of the first low refractive index layer and the first undercoat layer of the base film. Bigger than
The optical refractive index of the second transparent conductor is smaller than the optical refractive index of the second high refractive index layer of the base film, and the optical refractive index of the second low refractive index layer and the second undercoat layer of the base film. Bigger than
The first high refractive index layer and the second high refractive index layer have a thickness in the range of 3.6 to 8.3 nm, and the optical refractive index is 2.18 + 0 with respect to light having a wavelength of 550 nm. A touch panel sensor characterized by being within a range of .22 / −0.26 and being within a range of 2.36 + 0.22 / −0.26 with respect to light having a wavelength of 400 nm.
前記第1透明導電体および前記第2透明導電体は、その厚みが12〜23nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が、波長550nmの光に対して1.97+0.13/−0.25の範囲内となっており、波長400nmの光に対して2.12+0.13/−0.25の範囲内となっている
ことを特徴とする請求項6に記載のタッチパネルセンサ。
The first transparent conductor and the second transparent conductor have a thickness in the range of 12 to 23 nm, and have an optical refractive index of 1.97 + 0.13 / − with respect to light having a wavelength of 550 nm. The touch panel sensor according to claim 6, wherein the touch panel sensor is within a range of 0.25 and is within a range of 2.12 + 0.13 / −0.25 with respect to light having a wavelength of 400 nm.
前記第1低屈折率層および前記第2低屈折率層は、その厚みが41〜87nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が1.30〜1.67の範囲内となっている
ことを特徴とする請求項6または7に記載のタッチパネルセンサ。
The first low refractive index layer and the second low refractive index layer have a thickness in the range of 41 to 87 nm, and the optical refractive index in the range of 1.30 to 1.67. The touch panel sensor according to claim 6 or 7, wherein:
第1アンダーコート層および第2アンダーコート層は、その厚みが600〜10000nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が1.35〜1.67の範囲内となっている
ことを特徴とする請求項6乃至8のいずれかに記載のタッチパネルセンサ。
The first undercoat layer and the second undercoat layer have a thickness in the range of 600 to 10,000 nm and a light refractive index in the range of 1.35 to 1.67. The touch panel sensor according to claim 6.
請求項6に記載のタッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体であって、
基材フィルムと、
基材フィルムの一方の側の面上に設けられた第1透明導電層と、
基材フィルムの他方の側の面上に設けられた第2透明導電層と、を備え、
基材フィルムは、
透明なフィルム本体と、
フィルム本体の前記第1透明導電体側の面上に設けられた第1アンダーコート層と、
第1アンダーコート層の前記第1透明導電層側の面上に設けられた第1高屈折率層と、
第1高屈折率層の前記第1透明導電層側の面上に設けられた第1低屈折率層と、
フィルム本体の前記第2透明導電体側の面上に設けられた第2アンダーコート層と、
第2アンダーコート層の前記第2透明導電層側の面上に設けられた第2高屈折率層と、
第2高屈折率層の前記第2透明導電層側の面上に設けられた第2低屈折率層と、を有し、
第1透明導電層の光屈折率は、基材フィルムの第1高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ基材フィルムの第1低屈折率層および第1アンダーコート層の光屈折率よりも大きく、
第2透明導電層の光屈折率は、基材フィルムの第2高屈折率層の光屈折率よりも小さく、かつ基材フィルムの第2低屈折率層および第2アンダーコート層の光屈折率よりも大きく、
第1高屈折率層および第2高屈折率層は、その厚みが3.6〜8.3nmの範囲内となっており、かつその光屈折率が、波長550nmの光に対して2.18+0.22/−0.26の範囲内となっており、波長400nmの光に対して2.36+0.22/−0.26の範囲内となっている
ことを特徴とする積層体。
A laminate used for producing the touch panel sensor according to claim 6,
A base film;
A first transparent conductive layer provided on the surface of one side of the base film;
A second transparent conductive layer provided on the surface of the other side of the base film,
The base film is
A transparent film body,
A first undercoat layer provided on the surface of the film body on the first transparent conductor side;
A first high refractive index layer provided on a surface of the first undercoat layer on the first transparent conductive layer side;
A first low refractive index layer provided on a surface of the first high refractive index layer on the first transparent conductive layer side;
A second undercoat layer provided on the surface of the film body on the second transparent conductor side;
A second high refractive index layer provided on the second transparent conductive layer side surface of the second undercoat layer;
A second low refractive index layer provided on the second transparent conductive layer side surface of the second high refractive index layer,
The optical refractive index of the first transparent conductive layer is smaller than the optical refractive index of the first high refractive index layer of the base film, and the optical refractive index of the first low refractive index layer and the first undercoat layer of the base film. Bigger than
The optical refractive index of the second transparent conductive layer is smaller than the optical refractive index of the second high refractive index layer of the base film, and the optical refractive indexes of the second low refractive index layer and the second undercoat layer of the base film. Bigger than
The first high refractive index layer and the second high refractive index layer have a thickness in the range of 3.6 to 8.3 nm, and the optical refractive index is 2.18 + 0 with respect to light having a wavelength of 550 nm. A laminate that is within the range of .22 / −0.26 and is within the range of 2.36 + 0.22 / −0.26 with respect to light having a wavelength of 400 nm.
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