JP5406475B2 - Heat treatment equipment - Google Patents

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Description

この発明は、液晶表示パネル用ガラス基板等の基板を加熱または冷却して熱処理する熱処理装置に関する。   The present invention relates to a heat treatment apparatus that heats or cools a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display panel.

このような熱処理装置としては、洗浄後の基板に脱水処理、密着強化処理、冷却処理を行う脱水ベークユニットや、基板へのフォトレジストの塗布後に溶剤成分を加熱することで化学変化を生じせしめるプリベークユニット、あるいは、基板の現像処理後に脱水処理やテーパー形成処理を行うポストベークユニット等がある。   Such heat treatment apparatuses include a dehydration bake unit that performs dehydration processing, adhesion strengthening processing, and cooling processing on a cleaned substrate, and pre-baking that causes a chemical change by heating a solvent component after applying a photoresist to the substrate. There is a unit, or a post-bake unit that performs a dehydration process or a taper forming process after the substrate is developed.

このような熱処理装置は、その上方に載置された基板を加熱または冷却して熱処理する熱処理プレートと、この熱処理プレートを貫通して昇降し、基板を熱処理プレート上の熱処理位置と熱処理プレートから離隔した搬入搬出位置との間で昇降させる支持ピンとを備える。   Such a heat treatment apparatus includes a heat treatment plate that heats or cools a substrate placed thereon and heat-treats the substrate, moves up and down through the heat treatment plate, and separates the substrate from the heat treatment position and the heat treatment plate. And a support pin that moves up and down between the loading and unloading positions.

ところで、このような熱処理装置において、支持ピンが下降することにより基板を搬入搬出位置から熱処理位置まで下降させるときに、基板の下面が水平状体となっていると、基板の下面と熱処理プレートとの間に存在する空気の存在により基板が浮遊した状態となって、基板に位置ずれが生じる場合がある。また、支持ピンが上昇することにより基板を熱処理位置から搬入搬出位置まで上昇させるときにも、基板の下面が水平状体となっていると、基板の下面と熱処理プレートとの間に空気が容易には侵入しないことから、基板が損傷する場合がある。   By the way, in such a heat treatment apparatus, when the substrate is lowered from the loading / unloading position to the heat treatment position by lowering the support pins, if the bottom surface of the substrate is a horizontal body, In some cases, the substrate is in a floating state due to the presence of air existing between the substrate and the substrate is displaced. In addition, when the substrate is raised from the heat treatment position to the loading / unloading position by raising the support pins, if the lower surface of the substrate is a horizontal body, air is easily generated between the lower surface of the substrate and the heat treatment plate. The substrate may be damaged because it does not enter the substrate.

このため、従来の熱処理装置においては、基板をわずかに撓ませた状態で支持するため、支持ピンによる基板の支持高さが基板の中央部では低く、基板の端縁付近では高くなるように、各支持ピンの高さを調整している。   For this reason, in the conventional heat treatment apparatus, in order to support the substrate in a slightly bent state, the support height of the substrate by the support pins is low in the central portion of the substrate, and high in the vicinity of the edge of the substrate. The height of each support pin is adjusted.

ところで、このような構成を採用した場合には、支持ピンが下降した状態においては、基板の端縁付近に配置された支持ピンの上端を熱処理プレートの表面付近に配置した場合には、基板の中央部付近に配置された支持ピンの上端は熱処理プレートの表面より低い位置に配置されることになる。一般に、熱処理装置においては、熱処理プレート上の基板の温度分布は均一であることが好ましい。しかしながら、基板の中央部付近に配置された支持ピンの上端は熱処理プレートの表面より低い位置に配置された場合には、支持ピンと基板下面との間に形成された空間の作用により、温度分布が不均一になるという問題がある。   By the way, when such a configuration is adopted, in a state where the support pins are lowered, when the upper ends of the support pins arranged near the edge of the substrate are arranged near the surface of the heat treatment plate, The upper end of the support pin arranged near the center is arranged at a position lower than the surface of the heat treatment plate. In general, in the heat treatment apparatus, it is preferable that the temperature distribution of the substrate on the heat treatment plate is uniform. However, when the upper end of the support pin disposed near the center of the substrate is disposed at a position lower than the surface of the heat treatment plate, the temperature distribution is caused by the action of the space formed between the support pin and the lower surface of the substrate. There is a problem of non-uniformity.

このため、特許文献1に記載の基板処理装置においては、支持ピンが下降した状態においても、基板の中央部付近に配置された支持ピンの上端が熱処理プレートの表面付近に配置されるように、基板の中央部付近に配置された支持ピンを、かさ上げ部材と熱処理プレートとは別に配設した固定プレートとにより支持する構成を採用している。
特開2006−332587号公報
For this reason, in the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, even when the support pins are lowered, the upper ends of the support pins arranged near the center of the substrate are arranged near the surface of the heat treatment plate. A configuration is employed in which a support pin disposed near the center of the substrate is supported by a fixed plate disposed separately from the raising member and the heat treatment plate.
JP 2006-332587 A

上述した特許文献1に記載された構成においては、支持ピンが下降した状態において、支持ピンが熱処理プレートとは別に配設された支持部材により支持される構成となっている。このため、熱処理プレートによる発熱の影響で、支持部材や熱処理プレートが変形した場合には、支持ピンが下降したときの支持ピンの上端の高さが熱処理プレートの表面に対して変動することになる。このため、全ての支持ピンの上端が熱処理プレートの表面付近に配置されるように、予め支持ピンの高さ位置を調整していた場合には、一部の支持ピンの上端が熱処理プレートの表面より上方に突出したり、熱処理プレートの表面より下方に配置されたりする現象が発生する。   In the configuration described in Patent Document 1 described above, the support pin is supported by a support member disposed separately from the heat treatment plate in a state where the support pin is lowered. For this reason, when the support member or the heat treatment plate is deformed due to the heat generated by the heat treatment plate, the height of the upper end of the support pin when the support pin is lowered varies with respect to the surface of the heat treatment plate. . For this reason, when the height positions of the support pins are adjusted in advance so that the upper ends of all the support pins are arranged near the surface of the heat treatment plate, the upper ends of some of the support pins are A phenomenon occurs that it protrudes further upward or is disposed below the surface of the heat treatment plate.

この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、熱処理プレート等が変形した場合においても、支持ピンの上端が熱処理プレートの表面付近に正確に配置することが可能な熱処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and provides a heat treatment apparatus capable of accurately arranging the upper end of a support pin near the surface of a heat treatment plate even when the heat treatment plate or the like is deformed. For the purpose.

請求項1に記載の発明は、その上方に載置された基板を加熱または冷却して熱処理する熱処理プレートと、熱処理すべき基板の下面中央部付近に対向する位置に配置され、前記熱処理プレートを貫通した状態で昇降可能な第1支持ピンと、前記第1支持ピンの上端が前記熱処理プレートの上面付近に配置されるように、前記第1支持ピンを前記熱処理プレートの下面より吊り下げ支持する第1吊り下げ支持機構と、熱処理すべき基板の下面における前記第1支持ピンより外側の位置に配置され、前記熱処理プレートを貫通した状態で昇降可能な第2支持ピンと、前記第2支持ピンの上端が前記熱処理プレートの上面付近に配置されるように、前記第2支持ピンを前記熱処理プレートの下面より吊り下げ支持する第2吊り下げ支持機構と、前記第2支持ピンと当接した後に、前記第1支持ピンと当接することにより、前記第1支持ピンの上端と前記第2支持ピンの上端とが前記熱処理プレートの表面より上方に配置され、基板が中央部が低くその外側が高くなるように支持される基板支持位置まで、前記第1支持ピンと前記第2支持ピンとを上昇させる昇降機構と、を備え、前記第1支持ピンおよび前記第2支持ピンはそれぞれフランジ部を有し、前記第1吊り下げ支持機構および前記第2吊り下げ支持機構は、前記熱処理プレートの下面に固定される吊り下げ部材と、前記フランジ部を支持する支持部と、を有し、前記支持部は、前記第1支持ピンおよび前記第2支持ピンの上端が前記熱処理プレートの上面付近に配置されるように調整されていることを特徴とする。 The invention according to claim 1 is disposed at a position facing a heat treatment plate that heats or cools a substrate placed thereon by heating or cooling, and near the center of the lower surface of the substrate to be heat-treated. A first support pin that can be lifted and lowered in a penetrating state, and a first support pin that is suspended and supported from the lower surface of the heat treatment plate so that an upper end of the first support pin is disposed near the upper surface of the heat treatment plate. 1 suspension support mechanism, a second support pin disposed at a position outside the first support pin on the lower surface of the substrate to be heat-treated and capable of moving up and down while penetrating the heat treatment plate, and an upper end of the second support pin A second hanging support mechanism for hanging and supporting the second support pin from the lower surface of the heat treatment plate, so that is disposed near the upper surface of the heat treatment plate, 2 After contacting the support pins, by contacting the first support pins, the upper ends of the first support pins and the upper ends of the second support pins are disposed above the surface of the heat treatment plate, and the substrate is in the center portion. And a lift mechanism that raises the first support pin and the second support pin to a substrate support position that is supported so that the outside of the first support pin and the second support pin are high. The first support pin and the second support pin are respectively The first suspension support mechanism and the second suspension support mechanism include a suspension member fixed to a lower surface of the heat treatment plate, and a support portion that supports the flange portion. The support portion is adjusted so that upper ends of the first support pin and the second support pin are arranged near the upper surface of the heat treatment plate .

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記第1吊り下げ支持機構および前記第2吊り下げ支持機構と、前記熱処理プレートとの間に、断熱部材を介在させた。   According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, a heat insulating member is interposed between the first hanging support mechanism, the second hanging support mechanism, and the heat treatment plate.

請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の発明において、前記支持部は、前記吊り下げ部材に形成された長孔に、ねじにより固定されている。 According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, the support portion is fixed to a long hole formed in the hanging member with a screw.

請求項4に記載の発明は、その上方に載置された基板を加熱または冷却して熱処理する熱処理プレートと、熱処理すべき基板の下面中央部付近に対向する位置に配置され、前記熱処理プレートを貫通した状態で昇降可能な第1支持ピンと、前記第1支持ピンの上端が前記熱処理プレートの上面付近に配置されるように、前記第1支持ピンを前記熱処理プレートの下面より吊り下げ支持する第1吊り下げ支持機構と、熱処理すべき基板の下面における前記第1支持ピンより外側の位置に配置され、前記熱処理プレートを貫通した状態で昇降可能な第2支持ピンと、前記第2支持ピンの上端が前記熱処理プレートの上面付近に配置されるように、前記第2支持ピンを前記熱処理プレートの下面より吊り下げ支持する第2吊り下げ支持機構と、前記第2支持ピンと当接した後に、前記第1支持ピンと当接することにより、前記第1支持ピンの上端と前記第2支持ピンの上端とが前記熱処理プレートの表面より上方に配置され、基板が中央部が低くその外側が高くなるように支持される基板支持位置まで、前記第1支持ピンと前記第2支持ピンとを上昇させる昇降機構と、を備え、前記第1支持ピンおよび前記第2支持ピンは、各々、複数本配設されるとともに、前記昇降機構は、前記複数の第1支持ピンおよび前記複数の第2支持ピンに当接可能な複数の当接部を備え、前記複数の当接部のうちの少なくとも一部は、前記第1支持ピンまたは前記第2支持ピンに当接する昇降位置と、前記第1支持ピンまたは前記第2支持ピンには当接しない退避位置との間を移動可能である。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a heat treatment plate that heats or cools a substrate placed thereon, and a heat treatment plate that is disposed at a position facing the vicinity of the center of the lower surface of the substrate to be heat treated. A first support pin that can be lifted and lowered in a penetrating state, and a first support pin that is suspended and supported from the lower surface of the heat treatment plate so that an upper end of the first support pin is disposed near the upper surface of the heat treatment plate. 1 suspension support mechanism, a second support pin disposed at a position outside the first support pin on the lower surface of the substrate to be heat-treated and capable of moving up and down while penetrating the heat treatment plate, and an upper end of the second support pin A second hanging support mechanism for hanging and supporting the second support pin from the lower surface of the heat treatment plate, so that is disposed near the upper surface of the heat treatment plate, 2 After contacting the support pins, by contacting the first support pins, the upper ends of the first support pins and the upper ends of the second support pins are disposed above the surface of the heat treatment plate, and the substrate is in the center portion. An elevating mechanism that raises the first support pin and the second support pin to a substrate support position that is supported so that the outer side of the first support pin and the second support pin are high. Each of the plurality of elevating mechanisms includes a plurality of abutting portions that can abut on the plurality of first support pins and the plurality of second support pins. At least a part of them is movable between an elevating position that contacts the first support pin or the second support pin and a retracted position that does not contact the first support pin or the second support pin. is there.

請求項に記載の発明は、請求項に記載の発明において、前記複数の当接部のうちの少なくとも一部を、前記昇降位置と前記退避位置の間で移動させる駆動手段を備える。 According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect of the invention, the driving unit moves at least a part of the plurality of contact portions between the lifted position and the retracted position.

請求項1から請求項5に記載の発明によれば、熱処理プレート等が変形した場合においても、支持ピンの上端を熱処理プレートの表面付近に正確に配置することが可能となる。 According to the first to fifth aspects of the invention, even when the heat treatment plate or the like is deformed, the upper end of the support pin can be accurately arranged near the surface of the heat treatment plate.

請求項2に記載の発明によれば、熱処理プレートの熱エネルギーが第1吊り下げ支持機構および第2吊り下げ支持機構に吸収されることを防止することができ、熱処理プレートの温度分布が不均一となることを防止することが可能となる。   According to the second aspect of the present invention, the heat energy of the heat treatment plate can be prevented from being absorbed by the first suspension support mechanism and the second suspension support mechanism, and the temperature distribution of the heat treatment plate is not uniform. Can be prevented.

請求項に記載の発明によれば、基板に対する面取りに対応して、必要な支持ピンのみを昇降させることが可能となる。 According to the fourth aspect of the present invention, it is possible to raise and lower only the necessary support pins in correspondence with the chamfering on the substrate.

請求項に記載の発明によれば、昇降する支持ピンの選択を自動的に実行することが可能となる。 According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to automatically execute selection of the support pin that moves up and down.

以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1および図2は、この発明の第1実施形態に係る熱処理装置の要部を示す側面概要図である。ここで、図1は各支持ピン2が下降した状態を示し、図2は各支持ピン2が上昇した状態を示している。なお、図1においては、複数の支持ピン2のうちの3本のみを図示しており、図2においては、複数の支持ピン2のうちの3本のみを実線で、他の支持ピン2の先端を仮想線で図示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 are schematic side views showing the main part of the heat treatment apparatus according to the first embodiment of the present invention. Here, FIG. 1 shows a state where each support pin 2 is lowered, and FIG. 2 shows a state where each support pin 2 is raised. In FIG. 1, only three of the plurality of support pins 2 are illustrated, and in FIG. 2, only three of the plurality of support pins 2 are indicated by solid lines, The tip is illustrated by a virtual line.

この熱処理装置は、大型の矩形状の液晶表示パネル用ガラス基板(以下、単に「基板」という)1に対して熱処理を行うものであり、チャンバー4内に配置された熱処理プレート3と、樹脂製のハウジング39により案内された状態で熱処理プレート3を貫通して昇降する複数の支持ピン2と、これらの支持ピン2を吊り下げた状態で支持する吊り下げ支持機構と、後述する支持ピン2の下端部14と当接する当接部31を備え、支持ピン2を昇降させる昇降架5とを備える。昇降架5は、図示しないエアシリンダの駆動により昇降する。   This heat treatment apparatus heat-treats a large-sized rectangular liquid crystal display panel glass substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) 1, and includes a heat treatment plate 3 disposed in a chamber 4 and a resin A plurality of support pins 2 that go up and down through the heat treatment plate 3 while being guided by the housing 39, a suspension support mechanism that supports the support pins 2 in a suspended state, and a support pin 2 that will be described later. An abutting portion 31 that abuts the lower end portion 14 is provided, and an elevating rack 5 that elevates and lowers the support pin 2 is provided. The elevator 5 is raised and lowered by driving an air cylinder (not shown).

この熱処理プレート3は、例えば、アルミニウム等の伝熱性が良好な金属材料によって形成され、その内部に加熱手段としてのヒータを備える。なお、この熱処理プレート3の表面には、アルミナ、マテアタイト等の低伝熱部材から構成された複数個の球体が配設されている。この球体の上端は、熱処理プレート3の上面より微少量だけ突出する状態で配設されており、基板1と熱処理プレート3の表面との間にいわゆるプロキシミティギャップと称される微小間隔を保った状態で、基板1を熱処理プレート3の球体上に載置、支持して、この基板1を加熱するように構成されている。なお、基板1を熱処理プレート3の表面と直接接触する状態で熱処理プレート3上に載置してもよい。   This heat treatment plate 3 is formed of, for example, a metal material having good heat conductivity, such as aluminum, and includes a heater as a heating means therein. A plurality of spheres made of a low heat transfer member such as alumina or material are arranged on the surface of the heat treatment plate 3. The upper end of the sphere is arranged so as to protrude by a small amount from the upper surface of the heat treatment plate 3, and a so-called proximity gap called a proximity gap is maintained between the substrate 1 and the surface of the heat treatment plate 3. In this state, the substrate 1 is placed on and supported on the sphere of the heat treatment plate 3, and the substrate 1 is heated. Note that the substrate 1 may be placed on the heat treatment plate 3 in direct contact with the surface of the heat treatment plate 3.

図3は、支持ピン2等を示す拡大図である。   FIG. 3 is an enlarged view showing the support pins 2 and the like.

支持ピン2は、樹脂製の先端部11と金属製の基部12とから構成される。基部12の下端には、フランジ13が配設されており、このフランジ13における基部12とは逆側には、上述した下端部14が付設されている。   The support pin 2 includes a resin tip portion 11 and a metal base portion 12. A flange 13 is disposed at the lower end of the base portion 12, and the lower end portion 14 described above is attached to the flange 13 on the side opposite to the base portion 12.

この支持ピン2は、熱処理プレート3に穿設された孔部に装着されるハウジング39内に遊嵌され、上下方向に移動可能となっている。このハウジング39におけるフランジ部17は、吊り下げ部材15の支持部18とともに、ねじ21により熱処理プレート3の下面に固定される。吊り下げ部材15の下端には、支持ピン2に配設されたフランジ13をその下面から支持するための支持部19が配設されている。このため、支持ピン2は、吊り下げ部材15や支持部19等からなる吊り下げ支持機構の作用により、熱処理プレート3の下面より吊り下げ支持される。なお、符号16は、吊り下げ部材15の位置を規制するための変形防止用サポートである。   The support pin 2 is loosely fitted in a housing 39 mounted in a hole formed in the heat treatment plate 3 and can move in the vertical direction. The flange portion 17 in the housing 39 is fixed to the lower surface of the heat treatment plate 3 by screws 21 together with the support portion 18 of the suspension member 15. At the lower end of the suspension member 15, a support portion 19 for supporting the flange 13 disposed on the support pin 2 from its lower surface is disposed. For this reason, the support pin 2 is suspended and supported from the lower surface of the heat treatment plate 3 by the action of the suspension support mechanism including the suspension member 15 and the support portion 19. Reference numeral 16 denotes a deformation preventing support for restricting the position of the suspension member 15.

支持部19は、吊り下げ部材15に形成された長孔24を利用して、ねじ23により吊り下げ部材19に固定されている。このため、支持部19の高さ位置は、ねじ23により長孔24のサイズ内で調整することが可能となっている。これにより、支持部19の高さ位置を吊り下げ部材15に対して変更することで、支持ピン2の上端の位置を変更することが可能となる。   The support portion 19 is fixed to the suspension member 19 with a screw 23 using a long hole 24 formed in the suspension member 15. For this reason, the height position of the support portion 19 can be adjusted within the size of the long hole 24 by the screw 23. Thereby, it becomes possible to change the position of the upper end of the support pin 2 by changing the height position of the support part 19 with respect to the suspension member 15.

ハウジング39におけるフランジ部17および吊り下げ部材15と、熱処理プレート3との間には、断熱材22が介在している。この断熱材22の作用により、熱処理プレート3の熱エネルギーが吊り下げ支持機構に吸収されることを防止することができ、熱処理プレート3の温度分布が不均一となることを防止することが可能となる。   A heat insulating material 22 is interposed between the flange portion 17 and the suspension member 15 in the housing 39 and the heat treatment plate 3. The action of the heat insulating material 22 can prevent the heat energy of the heat treatment plate 3 from being absorbed by the suspension support mechanism, and can prevent the temperature distribution of the heat treatment plate 3 from becoming uneven. Become.

図4は支持ピン2の下端部14と当接する当接部31を支持ピン2およびそのフランジ13とともに示す平面図であり、図5はその側面図である。   FIG. 4 is a plan view showing the contact portion 31 that contacts the lower end portion 14 of the support pin 2 together with the support pin 2 and its flange 13, and FIG. 5 is a side view thereof.

支持ピン2の下端部14と当接して支持ピン2を昇降させるための当接部31は、昇降架5に対して、ねじ33により固定されている。この当接部31は、ねじ33を緩めることにより、図4および図5に示す位置から、ねじ33の軸芯を中心に90度回転させることができる。このため、この当接部31は、図4および図5に示す支持ピン2の下端部14に当接する昇降位置と支持ピン2の下端部14には当接しない退避位置との間を移動可能となっている。   An abutting portion 31 for abutting the lower end portion 14 of the support pin 2 to raise and lower the support pin 2 is fixed to the elevating rack 5 with a screw 33. The contact portion 31 can be rotated 90 degrees around the axis of the screw 33 from the position shown in FIGS. 4 and 5 by loosening the screw 33. For this reason, this contact part 31 is movable between the raising / lowering position which contacts the lower end part 14 of the support pin 2 shown in FIG. 4 and FIG. It has become.

再度図1および図2を参照して、図1に示す3本の支持ピン2のうち、基板1の下面中央部付近に対向する位置に配置された中央の支持ピン2における基部12の長さは、この支持ピン2より外側に配置された支持ピン2の基部12の長さより短くなっている。このため、中央の支持ピン2における下端部14の位置は、外側に配置された支持ピン2の下端部14の位置より上方に配置される。そして、各支持ピン2の上端は熱処理プレート3の上面付近に配置されるように、各吊り下げ支持機構における支持部19の位置が調整されている。   Referring to FIGS. 1 and 2 again, the length of the base 12 in the central support pin 2 disposed at a position facing the vicinity of the central portion of the lower surface of the substrate 1 among the three support pins 2 shown in FIG. Is shorter than the length of the base 12 of the support pin 2 disposed outside the support pin 2. For this reason, the position of the lower end part 14 in the center support pin 2 is arranged above the position of the lower end part 14 of the support pin 2 arranged outside. And the position of the support part 19 in each suspension support mechanism is adjusted so that the upper end of each support pin 2 may be arrange | positioned near the upper surface of the heat processing plate 3. FIG.

このため、図1に示すように、昇降架5が当接部31とともに下降したときには、各支持ピン2の上端は熱処理プレート3の上面付近に配置されている。この状態で基板1を熱処理することにより、支持ピン2と基板1の下面との間に形成された空間の作用で温度分布が不均一になるという問題の発生を防止することが可能となる。   For this reason, as shown in FIG. 1, when the elevator 5 is lowered together with the contact portion 31, the upper end of each support pin 2 is disposed near the upper surface of the heat treatment plate 3. By heat-treating the substrate 1 in this state, it is possible to prevent the occurrence of the problem that the temperature distribution becomes non-uniform due to the action of the space formed between the support pins 2 and the lower surface of the substrate 1.

この状態から、昇降架5が当接部31とともに上昇したときには、支持ピン2の長さの差異により、外側に配置された支持ピン2における下端部14が最初に当接部31に当接し、しかる後、中央に配置された支持ピン2の下端部14が当接部31に当接する。そしてこの状態でさらに昇降架5が当接部31とともに上昇すれば、図2に示すように、支持ピン2による基板1の支持高さが、基板1の中央部では低く、基板1の端縁付近では高くなることになり、基板1はわずかに撓んだ形で支持されることになる。   From this state, when the lifting rack 5 rises together with the contact portion 31, due to the difference in length of the support pin 2, the lower end portion 14 of the support pin 2 disposed on the outside first contacts the contact portion 31, Thereafter, the lower end portion 14 of the support pin 2 disposed in the center comes into contact with the contact portion 31. If the elevator 5 further rises together with the contact portion 31 in this state, as shown in FIG. 2, the support height of the substrate 1 by the support pins 2 is low at the center portion of the substrate 1, and the edge of the substrate 1 In the vicinity, the height becomes high, and the substrate 1 is supported in a slightly bent form.

このような構成を採用することにより、支持ピン2が下降するときに、基板1の下面と熱処理プレート3との間に存在する空気の存在により基板1が浮遊した状態となって基板1に位置ずれが生じたり、支持ピン2が上昇するときに、基板1の下面と熱処理プレート3との間に空気が容易には侵入しないことから基板1が損傷することを、有効に防止することが可能となる。   By adopting such a configuration, when the support pin 2 is lowered, the substrate 1 floats due to the presence of air existing between the lower surface of the substrate 1 and the heat treatment plate 3, and is positioned on the substrate 1. It is possible to effectively prevent the substrate 1 from being damaged because the air does not easily enter between the lower surface of the substrate 1 and the heat treatment plate 3 when the displacement occurs or the support pins 2 rise. It becomes.

また、各支持ピン2が熱処理プレート3の下面より吊り下げ支持する構成であることから、熱処理プレート3が変形した場合においても、支持ピン2はその変形に追従して移動することから、支持ピン2の上端を熱処理プレート3の表面付近に正確に配置することが可能となる。   Further, since each support pin 2 is supported by being suspended from the lower surface of the heat treatment plate 3, even when the heat treatment plate 3 is deformed, the support pin 2 moves following the deformation. 2 can be accurately arranged near the surface of the heat treatment plate 3.

図1に示す3本の支持ピン2のうち、基板1の下面中央部付近に対向する位置に配置された中央の支持ピン2は、この発明における第1支持ピンとして機能し、この支持ピン2を吊り下げ支持する吊り下げ支持機構は、この発明の第1吊り下げ支持機構として機能する。また、図1に示す3本の支持ピン2のうち外側に配置された2本の支持ピン2は、この発明における第2支持ピンとして機能し、この支持ピン2を吊り下げ支持する吊り下げ支持機構は、この発明の第2吊り下げ支持機構として機能する。また、同様に、中央の支持ピン2と当接する当接部31は、この発明における第1当接部として機能し、外側に配置された2本の支持ピン2に当接する当接部31は、この発明における第2当接部として機能する。   Of the three support pins 2 shown in FIG. 1, the central support pin 2 disposed at a position facing the vicinity of the center of the lower surface of the substrate 1 functions as the first support pin in the present invention. The suspension support mechanism that supports the suspension functions as the first suspension support mechanism of the present invention. Further, the two support pins 2 arranged on the outer side among the three support pins 2 shown in FIG. 1 function as the second support pins in the present invention, and the suspension support for supporting the support pins 2 by suspension. The mechanism functions as the second suspension support mechanism of the present invention. Similarly, the contact portion 31 that contacts the central support pin 2 functions as the first contact portion in the present invention, and the contact portion 31 that contacts the two support pins 2 arranged on the outside is This functions as the second contact portion in the present invention.

図6は、支持ピン2の配置を示す平面図である。   FIG. 6 is a plan view showing the arrangement of the support pins 2.

この図6に示し、また、図2において仮想線で示すように、熱処理プレート3の長手方向(図2および図6における左右方向)には、支持ピン2が9列配置されており、支持ピン2の総本数は36本となっている。図7に示すように8面取りの基板1を処理するときには、基板1の有効領域と支持ピン2とが当接しないように、36本の支持ピン2のうち、支持ピン2ABおよび2Aが使用される。これに対して、図8に示すように6面取りの基板1を処理するときには、基板1の有効領域と支持ピン2とが当接しないように、36本の支持ピン2のうち、支持ピン2ABおよび2Bが使用される。   As shown in FIG. 6 and indicated by phantom lines in FIG. 2, nine rows of support pins 2 are arranged in the longitudinal direction of the heat treatment plate 3 (left and right directions in FIGS. 2 and 6). The total number of 2 is 36. As shown in FIG. 7, when processing the 8-chamfered substrate 1, the support pins 2AB and 2A out of the 36 support pins 2 are used so that the effective area of the substrate 1 and the support pins 2 do not come into contact with each other. The On the other hand, when processing the 6-chamfered substrate 1 as shown in FIG. 8, the support pin 2AB among the 36 support pins 2 is provided so that the effective area of the substrate 1 and the support pin 2 do not contact each other. And 2B are used.

このときには、使用されない支持ピン2に対応する吊り下げ支持機構の当接部31は、図4および図5に示す位置からねじ33の軸芯を中心に90度回転させることで、支持ピン2の下端部14には当接しない退避位置に移動する。なお、当接部31を回転させることで当接部を昇降位置から退避位置に移動させる代わりに、ねじ33を除去して当接部31自体を昇降架5から取り外すことにより、当接部31を退避位置に移動させてもよい。また、いずれの場合においても、退避位置に移動させる当接部31を明示するため、当接部31に特殊な色やマークを付して、作業ミスを防止するようにすればよい。   At this time, the abutment portion 31 of the suspension support mechanism corresponding to the support pin 2 that is not used is rotated 90 degrees around the axis of the screw 33 from the position shown in FIGS. It moves to a retracted position where it does not contact the lower end 14. Instead of moving the contact portion from the lift position to the retracted position by rotating the contact portion 31, the contact portion 31 can be removed from the lift 5 by removing the screw 33 and removing the contact portion 31 itself. May be moved to the retracted position. In any case, in order to clearly indicate the contact portion 31 to be moved to the retracted position, a special color or mark may be attached to the contact portion 31 to prevent an operation error.

図6乃至図8に示す36本の支持ピン2のうち中央部の支持ピン2ABは、この発明に係る第1支持ピンを構成し、その他の支持ピン2A、2Bは、この発明に係る第2支持ピンを構成する。但し、支持ピン2A、2Bは、基板1における左右両端側に配置されるものほどその長さが長く設定されている。このため、図2に示すように、支持ピン2による基板1の支持高さが、基板1の中央部では低く、基板1の端縁付近に近づくほど高くなることになり、基板1はわずかに撓んだ形で支持されることになる。   Of the 36 support pins 2 shown in FIGS. 6 to 8, the central support pin 2AB constitutes the first support pin according to the present invention, and the other support pins 2A, 2B correspond to the second support pin 2 according to the present invention. Configure the support pin. However, the lengths of the support pins 2A and 2B are set longer as they are arranged on the left and right ends of the substrate 1. For this reason, as shown in FIG. 2, the support height of the substrate 1 by the support pins 2 is low at the central portion of the substrate 1 and increases as it approaches the edge of the substrate 1, and the substrate 1 is slightly It will be supported in a bent shape.

なお、上述した実施形態においては、図2および図6に示すように、熱処理プレート3の長手方向(図2および図6における左右方向)における中央部の支持ピン2を第1支持ピンとして短くし、この支持ピン2の外側に配置された支持ピン2を第2支持ピンとして長く設定している。しかしながら、基板1の中心部に位置する支持ピン2を第1支持ピンとし、基板1の外周部に位置する支持ピン2を第2支持ピンとすることにより、基板1を、基板1の中央部が低く端縁部が高いすり鉢状に支持してもよい。   In the embodiment described above, as shown in FIGS. 2 and 6, the support pin 2 at the center in the longitudinal direction of the heat treatment plate 3 (left and right direction in FIGS. 2 and 6) is shortened as the first support pin. The support pin 2 arranged outside the support pin 2 is set long as the second support pin. However, by using the support pin 2 positioned at the center of the substrate 1 as a first support pin and the support pin 2 positioned at the outer periphery of the substrate 1 as a second support pin, the substrate 1 is placed at the center of the substrate 1. It may be supported in a mortar shape with a low end edge.

次のこの発明の他の実施形態について説明する。図9は、この発明の第2実施形態に係る熱処理装置の当接部35付近を示す平面図である。   Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 9 is a plan view showing the vicinity of the contact portion 35 of the heat treatment apparatus according to the second embodiment of the present invention.

上述した第1実施形態においては、当接部31を手動で回転させ、あるいは、取り外すことにより、当接部31を昇降位置と退避位置の間で移動させている。これに対して、この実施形態においては、昇降架に配設されたエアシリンダ34の駆動により、当接部35を昇降位置と退避位置の間で移動させている。   In the first embodiment described above, the contact portion 31 is moved between the lift position and the retracted position by manually rotating or removing the contact portion 31. On the other hand, in this embodiment, the contact portion 35 is moved between the lifted position and the retracted position by driving the air cylinder 34 disposed on the lift rack.

すなわち、図9(a)に示すように、エアシリンダ34のシリンダロッドが縮んだ状態においては、当接部35は支持ピン2の下方から退避した退避位置に配置される。この状態においては、昇降架5が昇降しても支持ピン2は昇降しない。これに対して、図9(b)に示すように、エアシリンダ34のシリンダロッドが延びた状態においては、当接部35は支持ピンの下方の昇降位置に配置される。この状態において昇降架5が昇降した場合には、当接部35が支持ピン2の下端部14と当接することにより、支持ピン2も昇降する。このため、使用する支持ピン2の選択を、自動的に実行することが可能となる。   That is, as shown in FIG. 9A, when the cylinder rod of the air cylinder 34 is contracted, the contact portion 35 is disposed at the retracted position retracted from below the support pin 2. In this state, the support pin 2 does not move up and down even when the elevator 5 is raised and lowered. On the other hand, as shown in FIG. 9B, in the state where the cylinder rod of the air cylinder 34 is extended, the contact portion 35 is disposed at the lift position below the support pin. In this state, when the lifting rack 5 is raised and lowered, the support pin 2 is also raised and lowered by the contact portion 35 coming into contact with the lower end portion 14 of the support pin 2. For this reason, selection of the support pin 2 to be used can be automatically executed.

次に、この発明のさらに他の実施形態について説明する。図10は、この発明の第3実施形態に係る熱処理装置の当接部32付近を示す平面図である。   Next, still another embodiment of the present invention will be described. FIG. 10 is a plan view showing the vicinity of the contact portion 32 of the heat treatment apparatus according to the third embodiment of the present invention.

上述した第1実施形態においては、支持ピン2の長さを中央部とその外側で異ならせることにより、支持ピン2による基板1の支持高さが、基板1の中央部では低く基板1の端縁付近に近づくほど高くなるようにしている。これに対して、この実施形態においては、支持ピン2の長さは同一とし、当接部31、32による当接位置を基板1の中央部とその外側で異ならせることにより、支持ピン2による基板1の支持高さが、基板1の中央部では低く基板1の端縁付近に近づくほど高くなるようにしている。   In the first embodiment described above, the length of the support pins 2 is different between the center portion and the outside thereof, so that the support height of the substrate 1 by the support pins 2 is low at the center portion of the substrate 1 and the end of the substrate 1 is. It gets higher as it gets closer to the edge. On the other hand, in this embodiment, the lengths of the support pins 2 are the same, and the contact positions of the contact portions 31 and 32 are different between the central portion of the substrate 1 and the outside thereof, so that the support pins 2 The support height of the substrate 1 is low in the central portion of the substrate 1 so as to increase as it approaches the edge of the substrate 1.

すなわち、この実施形態においては、図1および図2に示す支持ピン2の長さを同一とする。そして、図1および図2に示す中央部の支持ピン以外の支持ピンを図3に示す当接部31により支持する。また、図1および図2に示す中央部の支持ピン2を、図10に示すように、当接部31に比べて支持ピン2の下端部14との当接位置が昇降架5よりも下方に配置された当接部32により支持する。これにより、支持ピン2の長さを同一とした状態で、支持ピン2による基板1の支持高さが、基板1の中央部では低く基板1の端縁付近に近づくほど高くなるように設定することが可能となる。   That is, in this embodiment, the lengths of the support pins 2 shown in FIGS. 1 and 2 are the same. Then, support pins other than the central support pin shown in FIGS. 1 and 2 are supported by the abutment portion 31 shown in FIG. 3. Further, the contact position of the central support pin 2 shown in FIG. 1 and FIG. 2 with the lower end portion 14 of the support pin 2 is lower than the elevator frame 5 as compared with the contact portion 31 as shown in FIG. It supports by the contact part 32 arrange | positioned in this. Thus, the height of the support 1 supported by the support pin 2 is set so that the support pin 2 has the same length and is lower in the center of the substrate 1 and closer to the edge of the substrate 1. It becomes possible.

なお、上述した実施形態においては、全ての当接部31が支持ピン2に当接する昇降位置と支持ピン2には当接しない退避位置との間を移動可能となっている。しかしながら、全ての当接部31を移動可能に構成する必要はない。例えば、上述した実施形態において、図7に示す8面取りと図8に示す6面取りとの2形態で基板を熱処理する場合には、中央部に位置する支持ピン2ABに当接する当接部31は固定されていてもよい。   In the above-described embodiment, all the abutting portions 31 are movable between a lift position where the abutting portion 31 abuts on the support pin 2 and a retreat position where the abutting portion 31 does not abut on the support pin 2. However, it is not necessary to make all the contact portions 31 movable. For example, in the above-described embodiment, when the substrate is heat-treated in two forms of the eight chamfers shown in FIG. 7 and the six chamfers shown in FIG. 8, the contact part 31 that contacts the support pin 2AB located at the center is It may be fixed.

すなわち、基板1に対する面取り状態に応じて、基板の下面中央部付近に対向する位置に配置された第1支持ピンと当接する当接部31を移動させてもよいし、第1支持ピンより外側の位置に配置された第2支持ピンに当接する当接部31の一部または全部を固定してもよい。どの支持ピン2に当接する当接部31を移動させるかは、基板1に対する面取りの形態に応じて変更すればよい。   That is, according to the chamfered state with respect to the substrate 1, the contact portion 31 that contacts the first support pin disposed at a position facing the vicinity of the central portion of the lower surface of the substrate may be moved, or may be moved outside the first support pin. A part or all of the abutting portion 31 that abuts on the second support pin arranged at the position may be fixed. What support pin 2 is in contact with which the contact portion 31 is moved may be changed according to the form of chamfering on the substrate 1.

この発明の第1実施形態に係る熱処理装置の要部を示す側面概要図である。It is a side surface schematic diagram which shows the principal part of the heat processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. この発明の第1実施形態に係る熱処理装置の要部を示す側面概要図である。It is a side surface schematic diagram which shows the principal part of the heat processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 支持ピン2等を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the support pin 2 grade | etc.,. 支持ピン2の下端部14と当接する当接部31を支持ピン2およびそのフランジ13とともに示す平面図である。It is a top view which shows the contact part 31 contact | abutted with the lower end part 14 of the support pin 2 with the support pin 2 and its flange 13. FIG. 支持ピン2の下端部14と当接する当接部31を支持ピン2およびそのフランジ13とともに示す側面図である。It is a side view which shows the contact part 31 contact | abutted with the lower end part 14 of the support pin 2 with the support pin 2 and its flange 13. FIG. 支持ピン2の配置を示す平面図である。3 is a plan view showing the arrangement of support pins 2. FIG. 8面取りの基板1を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the board | substrate 1 of 8 chamfering. 6面取りの基板1を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the board | substrate 1 of 6 chamfering. この発明の第2実施形態に係る熱処理装置の当接部35付近を示す平面図である。It is a top view which shows the contact part 35 vicinity of the heat processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. この発明の第3実施形態に係る熱処理装置の当接部32付近を示す平面図である。It is a top view which shows the contact part 32 vicinity of the heat processing apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

1 基板
2 支持ピン
3 熱処理プレート
4 チャンバー
5 昇降架
11 先端部
12 基部
13 フランジ
14 下端部
15 吊り下げ部材
18 支持部
22 断熱材
24 長孔
31 当接部
32 当接部
33 ねじ
34 エアシリンダ
35 当接部
39 ハウジング
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 2 Support pin 3 Heat processing plate 4 Chamber 5 Lifting frame 11 Tip part 12 Base part 13 Flange 14 Lower end part 15 Suspension member 18 Support part 22 Heat insulating material 24 Long hole 31 Contact part 32 Contact part 33 Screw 34 Air cylinder 35 Contact part 39 housing

Claims (5)

その上方に載置された基板を加熱または冷却して熱処理する熱処理プレートと、
熱処理すべき基板の下面中央部付近に対向する位置に配置され、前記熱処理プレートを貫通した状態で昇降可能な第1支持ピンと、
前記第1支持ピンの上端が前記熱処理プレートの上面付近に配置されるように、前記第1支持ピンを前記熱処理プレートの下面より吊り下げ支持する第1吊り下げ支持機構と、
熱処理すべき基板の下面における前記第1支持ピンより外側の位置に配置され、前記熱処理プレートを貫通した状態で昇降可能な第2支持ピンと、
前記第2支持ピンの上端が前記熱処理プレートの上面付近に配置されるように、前記第2支持ピンを前記熱処理プレートの下面より吊り下げ支持する第2吊り下げ支持機構と、
前記第2支持ピンと当接した後に、前記第1支持ピンと当接することにより、前記第1支持ピンの上端と前記第2支持ピンの上端とが前記熱処理プレートの表面より上方に配置され、基板が中央部が低くその外側が高くなるように支持される基板支持位置まで、前記第1支持ピンと前記第2支持ピンとを上昇させる昇降機構と、を備え、
前記第1支持ピンおよび前記第2支持ピンはそれぞれフランジ部を有し、
前記第1吊り下げ支持機構および前記第2吊り下げ支持機構は、前記熱処理プレートの下面に固定される吊り下げ部材と、前記フランジ部を支持する支持部と、を有し、
前記支持部は、前記第1支持ピンおよび前記第2支持ピンの上端が前記熱処理プレートの上面付近に配置されるように調整されていることを特徴とする熱処理装置。
A heat treatment plate for heat treatment by heating or cooling the substrate placed thereon; and
A first support pin which is disposed at a position facing the vicinity of the central portion of the lower surface of the substrate to be heat-treated, and can be lifted and lowered while penetrating the heat-treatment plate;
A first suspension support mechanism that suspends and supports the first support pin from the lower surface of the heat treatment plate such that an upper end of the first support pin is disposed near the upper surface of the heat treatment plate;
A second support pin disposed at a position outside the first support pin on the lower surface of the substrate to be heat-treated, and capable of moving up and down while penetrating the heat treatment plate;
A second hanging support mechanism for hanging and supporting the second support pin from the lower surface of the heat treatment plate such that the upper end of the second support pin is disposed near the upper surface of the heat treatment plate;
After contacting the second support pin, by contacting the first support pin, the upper end of the first support pin and the upper end of the second support pin are disposed above the surface of the heat treatment plate, and the substrate is An elevating mechanism that raises the first support pin and the second support pin to a substrate support position that is supported so that the center portion is low and the outside thereof is high ,
Each of the first support pin and the second support pin has a flange portion,
The first suspension support mechanism and the second suspension support mechanism include a suspension member fixed to the lower surface of the heat treatment plate, and a support portion that supports the flange portion,
The heat treatment apparatus is characterized in that the support portion is adjusted so that upper ends of the first support pin and the second support pin are arranged near an upper surface of the heat treatment plate .
請求項1に記載の熱処理装置において、
前記第1吊り下げ支持機構および前記第2吊り下げ支持機構と、前記熱処理プレートとの間に、断熱部材を介在させた熱処理装置。
The heat treatment apparatus according to claim 1,
A heat treatment apparatus in which a heat insulating member is interposed between the first suspension support mechanism, the second suspension support mechanism, and the heat treatment plate.
請求項1または請求項2に記載の熱処理装置において、In the heat treatment apparatus according to claim 1 or 2,
前記支持部は、前記吊り下げ部材に形成された長孔に、ねじにより固定されている熱処理装置。The said support part is the heat processing apparatus currently fixed to the long hole formed in the said suspension member with the screw | thread.
その上方に載置された基板を加熱または冷却して熱処理する熱処理プレートと、
熱処理すべき基板の下面中央部付近に対向する位置に配置され、前記熱処理プレートを貫通した状態で昇降可能な第1支持ピンと、
前記第1支持ピンの上端が前記熱処理プレートの上面付近に配置されるように、前記第1支持ピンを前記熱処理プレートの下面より吊り下げ支持する第1吊り下げ支持機構と、
熱処理すべき基板の下面における前記第1支持ピンより外側の位置に配置され、前記熱処理プレートを貫通した状態で昇降可能な第2支持ピンと、
前記第2支持ピンの上端が前記熱処理プレートの上面付近に配置されるように、前記第2支持ピンを前記熱処理プレートの下面より吊り下げ支持する第2吊り下げ支持機構と、
前記第2支持ピンと当接した後に、前記第1支持ピンと当接することにより、前記第1支持ピンの上端と前記第2支持ピンの上端とが前記熱処理プレートの表面より上方に配置され、基板が中央部が低くその外側が高くなるように支持される基板支持位置まで、前記第1支持ピンと前記第2支持ピンとを上昇させる昇降機構と、を備え、
前記第1支持ピンおよび前記第2支持ピンは、各々、複数本配設されるとともに、前記昇降機構は、前記複数の第1支持ピンおよび前記複数の第2支持ピンに当接可能な複数の当接部を備え、
前記複数の当接部のうちの少なくとも一部は、前記第1支持ピンまたは前記第2支持ピンに当接する昇降位置と、前記第1支持ピンまたは前記第2支持ピンには当接しない退避位置との間を移動可能である熱処理装置。
A heat treatment plate for heat treatment by heating or cooling the substrate placed thereon; and
A first support pin which is disposed at a position facing the vicinity of the central portion of the lower surface of the substrate to be heat-treated, and can be lifted and lowered while penetrating the heat-treatment plate;
A first suspension support mechanism that suspends and supports the first support pin from the lower surface of the heat treatment plate such that an upper end of the first support pin is disposed near the upper surface of the heat treatment plate;
A second support pin disposed at a position outside the first support pin on the lower surface of the substrate to be heat-treated, and capable of moving up and down while penetrating the heat treatment plate;
A second hanging support mechanism for hanging and supporting the second support pin from the lower surface of the heat treatment plate such that the upper end of the second support pin is disposed near the upper surface of the heat treatment plate;
After contacting the second support pin, by contacting the first support pin, the upper end of the first support pin and the upper end of the second support pin are disposed above the surface of the heat treatment plate, and the substrate is An elevating mechanism that raises the first support pin and the second support pin to a substrate support position that is supported so that the center portion is low and the outside thereof is high,
A plurality of the first support pins and the second support pins are provided, respectively, and the elevating mechanism has a plurality of contacts that can contact the plurality of first support pins and the plurality of second support pins. A contact portion,
At least a part of the plurality of abutting portions includes a lift position that abuts on the first support pin or the second support pin, and a retreat position that does not abut on the first support pin or the second support pin. Heat treatment equipment that can move between
請求項に記載の熱処理装置において、
前記複数の当接部のうちの少なくとも一部を、前記昇降位置と前記退避位置の間で移動させる駆動手段を備える熱処理装置。
The heat treatment apparatus according to claim 4 , wherein
The heat processing apparatus provided with the drive means which moves at least one part of these contact parts between the said raising / lowering position and the said retracted position.
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