JP5397415B2 - Solar cell module - Google Patents

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Description

本発明は、太陽電池用インターコネクタ及びその製造方法、並びに太陽電池用インターコネクタを用いた太陽電池モジュールに関する。 The present invention relates to a solar cell interconnector, a method for manufacturing the same, and a solar cell module using the solar cell interconnector .

太陽電池は、無尽蔵な太陽エネルギーを直接的に電気エネルギーに変換する発電方式であるため、エネルギー問題を大幅に軽減する技術として、近年技術開発が活発になり、市場も大きく伸びている。   Since the solar cell is a power generation method that directly converts infinite solar energy into electric energy, technological development has recently become active as a technology for greatly reducing energy problems, and the market has greatly increased.

現在主流となっている太陽電池モジュールでは、サイズが数10cm角程度の単結晶又は多結晶シリコンの基板を用いた太陽電池セルを並べて、これらを電気導線で接続して集電する形態を採っている。基板と電気導線との接続は半田による溶融液相接合が主流であり、電気導線としては、半田で被覆された平角の銅線が集電用のインターコネクタとして用いられる。インターコネクタは、太陽電池セルと、銀又はアルミニウムペーストを塗布し焼成して形成した電極を介して半田接続される。   In the solar cell modules which are currently mainstream, solar cells using a single crystal or polycrystalline silicon substrate having a size of several tens of centimeters are arranged, and these are connected by electric conductors to collect current. Yes. For the connection between the substrate and the electric conducting wire, melt liquid phase bonding using solder is the mainstream, and as the electric conducting wire, a rectangular copper wire covered with solder is used as an interconnector for collecting current. The interconnector is solder-connected to the solar battery cell via an electrode formed by applying and baking silver or aluminum paste.

特開2006−80217号公報JP 2006-80217 A 特開2008−21831号公報JP 2008-21831 A 特開2008−168339号公報JP 2008-168339 A

遠藤裕寿、他、日立電線:2007年、26巻1号、p15Hirotoshi Endo, et al., Hitachi Cable: 2007, Vol. 26, No. 1, p15

太陽電池モジュールは、エネルギーデバイスであることから、インターコネクタ自体の断面積、インターコネクタと太陽電池セルとの接続面積も、電流量に相応した面積が必要である。一方、平角銅線の幅を大きくした場合、太陽光はインターコネクタで反射し、この部分が影になるため、太陽電池セルの発電効率を低減させる原因になっている。   Since the solar cell module is an energy device, the cross-sectional area of the interconnector itself and the connection area between the interconnector and the solar cell also need an area corresponding to the amount of current. On the other hand, when the width of the rectangular copper wire is increased, sunlight is reflected by the interconnector and this portion becomes a shadow, which is a cause of reducing the power generation efficiency of the solar battery cell.

多結晶シリコンの基板を用いた太陽電池の場合、インターコネクタの主たる材料である銅の熱膨張係数は、太陽電池セルの主たる構造体であるシリコンのそれに比較して約5倍である。そのため、昇温して液相接合してから室温に冷却する時に熱応力が生じ、太陽電池セルを変形、破損させる原因となっている(非特許文献1を参照)。近年におけるシリコン材料の逼迫もあり、太陽電池セルに使用されるシリコン基板の厚みの低減が図られ、現在厚み180μmのシリコン基板も使用されるようになってきており、熱応力による太陽電池セルの破損問題は、大きな問題になっている。   In the case of a solar cell using a polycrystalline silicon substrate, the thermal expansion coefficient of copper, which is the main material of the interconnector, is about five times that of silicon, which is the main structure of the solar cell. Therefore, when the temperature is raised and liquid phase bonding is performed and then cooled to room temperature, thermal stress is generated, which causes deformation and breakage of the solar battery cell (see Non-Patent Document 1). In recent years, due to the tightness of silicon materials, the thickness of silicon substrates used in solar cells has been reduced, and silicon substrates with a thickness of 180 μm are now being used. The corruption problem has become a big problem.

この問題を解決するために、インターコネクタの0.2%耐力(降伏応力)を軽減し、より柔らかくなるように改質する試みがなされている(非特許文献1を参照)。しかしながら、通常の焼鈍による軟化では、今後の厳しい使用状況に対応することが困難であると予想され、インターコネクタの構造や実装構造の改良や集合組織の制御によって、対応することが提案されている(特許文献1〜3を参照)。特許文献1は、インターコネクタの長さ方向に波打ち構造を設け、その蛇腹部分で応力を逃がすものである。特許文献2は、太陽電池セルの電極の長さ方向に対して、任意の間隔で電極を形成しない非接続部を設け、非接触部分に対面するインターコネクタにノッチを加えることで、応力を緩和するものである。また、特許文献3では、導体中心部の結晶方位(めっき線軸方位)が、(211)方位に30%以上の割合で配向させることによって、0.2%耐力を低減し、そのばらつきを小さくすることができるとされている。   In order to solve this problem, an attempt has been made to reduce the 0.2% yield strength (yield stress) of the interconnector so as to make it softer (see Non-Patent Document 1). However, it is expected that softening by normal annealing will be difficult to cope with the severe usage situation in the future, and it has been proposed to respond by improving the interconnector structure and mounting structure and controlling the texture. (See Patent Documents 1 to 3). In Patent Document 1, a wavy structure is provided in the length direction of an interconnector, and stress is released at the bellows portion. Patent Document 2 provides a non-connecting portion that does not form electrodes at arbitrary intervals in the length direction of the electrode of the solar battery cell, and relieves stress by adding a notch to the interconnector that faces the non-contacting portion. To do. Further, in Patent Document 3, the crystal orientation (plating line axis orientation) at the center of the conductor is oriented at a ratio of 30% or more to the (211) orientation, thereby reducing the 0.2% proof stress and reducing the variation. It is supposed to be possible.

上記の技術のうち、インターコネクタの構造による応力緩和手法は有効な手段であると考えられる。しかしながら、特許文献1の方法では、必要なインターコネクタが長くなり、材料費、電気抵抗値が高くなるという問題がある。特許文献1,2の方法では、接合面積が小さくなることによる接続抵抗の増加があり、また、ノッチ部分の電気抵抗値が増すという問題がある。   Of the above techniques, the stress relaxation technique based on the structure of the interconnector is considered to be an effective means. However, the method of Patent Document 1 has a problem that a necessary interconnector becomes long, and material cost and electrical resistance value increase. In the methods of Patent Documents 1 and 2, there is an increase in connection resistance due to a reduction in junction area, and there is a problem that the electrical resistance value of the notch portion increases.

インターコネクタを太陽電池セル等の半導体基板に実装する際には、熱風、加熱押さえ治具、半田ごて等でインターコネクタからセル電極方向に圧力をかけて、半田付けを行う。この時、半田の供給が十分でないと、全面に渡って溶着されず、太陽電池セルで発生した電子・ホールを集電することができなかったり、局所的に発熱して太陽電池セルを破損させる場合がある。従って、半田を十分に供給する必要があるが、銀、又はアルミニウム等のペーストで形成された太陽電池セル上の電極とインターコネクタとのクリアランスが適当でなかったり、部分的に小さかったりした場合、溶融半田がインターコネクタの幅方向にはみ出し、場合によっては太陽電池セル上の電極よりもはみ出す。これにより、受光面積を減少させ、発電効率が低下するという問題がある。   When the interconnector is mounted on a semiconductor substrate such as a solar battery cell, soldering is performed by applying pressure from the interconnector toward the cell electrode with hot air, a heating holding jig, a soldering iron or the like. At this time, if the supply of solder is not sufficient, the entire surface is not welded, and the electrons and holes generated in the solar cell cannot be collected, or the solar cell is damaged due to local heat generation. There is a case. Therefore, it is necessary to supply a sufficient amount of solder, but if the clearance between the electrode on the photovoltaic cell formed of a paste of silver or aluminum and the interconnector is not appropriate or partially small, Molten solder protrudes in the width direction of the interconnector, and in some cases protrudes beyond the electrodes on the solar cells. Accordingly, there is a problem that the light receiving area is reduced and the power generation efficiency is lowered.

本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、平角の電気導線部とその接合対象(例えば、シリコンに代表される半導体基板)との間隔、即ち接合後の表面層のうちの接合層の厚みを一定に保ち、電気的に均一で良好な接合を得ると共に、電気導線部の材料(例えば銅)と接合対象の材料(例えば、シリコンに代表される半導体)との熱膨張差に起因する、半田による実装後に生じる熱応力及び熱歪みを低減して、接合対象の反り・割れの発生を抑止し、平角導線を太陽電池モジュールのインターコネクタに適用した場合に当該インターコネクタに起因する発電効率の低下を抑止する平角導線及びその製造方法、並びに太陽電池モジュールを提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, the electrical conductor portion and the bonding target (e.g., a semiconductor substrate typified by silicon) of the rectangular distance between, i.e. in the surface layer after bonding While maintaining a uniform thickness of the bonding layer , it is possible to obtain an electrically uniform and good bond, and thermal expansion between the material of the electrical conductor (for example, copper) and the material to be bonded (for example, a semiconductor represented by silicon) Reduces the thermal stress and thermal distortion that occurs after solder mounting due to the difference, suppresses the warping and cracking of the object to be joined, and applies the flat conductor to the interconnector of the solar cell module. It aims at providing the flat conducting wire which suppresses the fall of the power generation efficiency resulting from it, its manufacturing method, and a solar cell module.

本発明の太陽電池用モジュールは、太陽電池セルを構成する半導体基板と、前記半導体基板の表面上に形成された電極と、前記電極と接続された太陽電池用インターコネクタとを備え、前記太陽電池用インターコネクタは、平角の電気導線部と、前記電気導線部の幅広の両面を覆い、一方の面の厚みが10μm〜40μmの表面層とを有しており、前記表面層は、半田内に前記半田よりも融点の高い最大径が10μm〜40μmの粒状のフィラーが分散された材料からなり、前記一方の面を覆う部分が前記フィラーのうちの前記最大径のものにより規定された一定の厚みとされ、前記幅広の他方の面を覆う部分が前記一方の面を覆う部分よりも前記半田の量が少なく前記フィラーの存在により表面に凹凸が形成されており、前記太陽電池用インターコネクタの前記表面層の前記一方の面を介して、前記電気導線部と前記電極とが電気的に接続され、前記表面層の前記他方の面が前記電気導線部の受光面側で前記電極との非接続部位となるSolar cell module of the present invention includes a semiconductor substrate constituting a solar cell, an electrode formed on a surface of the semiconductor substrate, and the interconnector connected solar cell and the electrode, the solar cell The interconnector has a flat electrical conductor portion and a wide surface of the electrical conductor portion, and has a surface layer with a thickness of 10 μm to 40 μm on one surface. It is made of a material in which a granular filler having a maximum diameter higher than that of the solder and having a maximum diameter of 10 μm to 40 μm is dispersed, and a portion covering the one surface is defined by the maximum diameter of the filler. and it is, the are formed uneven surface due to the presence of less the filler amount of the solder than the other part covering the parts the one surface covering the surface of the wide, in for the solar cell Through the one surface of the surface layer of the over connector, the said electrical conductor portion electrode are electrically connected, and the electrode and the other surface of the surface layer in the light-receiving surface side of the electric wire portion It becomes a non-connection part .

本発明によれば、平角の電気導線部とその接合対象(例えば、シリコンに代表される半導体基板)との間隔、即ち表面層の厚みを一定に保ち、電気的に均一で良好な接合を得ると共に、電気導線部の材料(例えば銅)と接合対象の材料(例えば、シリコンに代表される半導体)との熱膨張差に起因する、半田による実装後に生じる熱応力及び熱歪みを低減して、接合対象の反り・割れの発生を抑止すること、平角導線を太陽電池モジュールのインターコネクタに適用した場合に当該インターコネクタに起因する発電効率の低下を抑止することが実現する。   According to the present invention, the gap between the flat electrical conductor portion and the object to be joined (for example, a semiconductor substrate typified by silicon), that is, the thickness of the surface layer is kept constant, and an electrically uniform and satisfactory joining is obtained. At the same time, the thermal stress and thermal strain generated after mounting by solder due to the difference in thermal expansion between the material of the electrical conductor portion (for example, copper) and the material to be joined (for example, a semiconductor typified by silicon) are reduced, It is possible to suppress the occurrence of warpage and cracking of the joining target, and to suppress the decrease in power generation efficiency caused by the interconnector when the flat conducting wire is applied to the interconnector of the solar cell module.

本実施形態による平角導線の構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the flat conducting wire by this embodiment. 本実施形態による平角導線の製造するための装置構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the apparatus structure for manufacturing the flat conducting wire by this embodiment. 本実施形態による平角導線の製造するための他の装置構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the other apparatus structure for manufacturing the flat conducting wire by this embodiment. 本実施形態による平角導線をインターコネクタとして実装した太陽電池モジュールの概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of the solar cell module which mounted the flat conducting wire by this embodiment as an interconnector. 図4におけるインターコネクタの長手方向とする直交する断面の様子を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the mode of the cross section orthogonal to the longitudinal direction of the interconnector in FIG.

以下、平角導線及びその製造方法、並びに太陽電池モジュールの具体的な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、本実施形態による平角導線は、太陽電池モジュール以外のもの、例えばLSI、LED等の小型の半導体デバイスに使用される半導体実装材料にも適用可能である。   Hereinafter, specific embodiments of a rectangular conductive wire, a method for manufacturing the same, and a solar cell module will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the flat conducting wire according to the present embodiment can be applied to semiconductor mounting materials used for small semiconductor devices such as LSIs and LEDs other than solar cell modules.

図1は、本実施形態による平角導線の構成を示す概略断面図であり、平角導線の長手方向に直交する断面を示している。
この平角導線は、平角の電気導線部、ここでは銅線部1と、銅線部1の少なくとも幅広面の1面、ここでは表面全面を覆う表面層2とを備えて構成されている。電気導線部としては、銅を材料とする銅線部1以外に、銅合金を材料するもの、或いはアルミニウム、銀等、その他の電気良導材料が用いられる。ここで、幅広面とは、銅線部1の表面のうち、銅線部1の長手方向に直交する断面において幅の広い辺を含む面を言う。
表面層2は、半田めっき2a内に当該半田よりも融点の高い材質の粒状のフィラー2bが分散されてなるものである。表面層2は、平角導線の接合対象に応じて、銅線部1の幅広面の1面又は2面のみに形成しても良い。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a flat conducting wire according to the present embodiment, and shows a cross section orthogonal to the longitudinal direction of the flat conducting wire.
This flat conducting wire comprises a flat electric conducting wire portion, here a copper wire portion 1, and a surface layer 2 covering at least one wide surface of the copper wire portion 1, here the entire surface. As the electrical conductor portion, in addition to the copper wire portion 1 made of copper, a material made of a copper alloy, or other electrically conductive material such as aluminum or silver is used. Here, the wide surface means a surface including a wide side in a cross section orthogonal to the longitudinal direction of the copper wire portion 1 in the surface of the copper wire portion 1.
The surface layer 2 is formed by dispersing granular fillers 2b made of a material having a melting point higher than that of the solder in the solder plating 2a. The surface layer 2 may be formed on only one or two of the wide surfaces of the copper wire portion 1 depending on the object to be joined with the flat wire.

半田めっき2aの半田としては、Pb−Sn共晶半田、Sn−Ag−Cu系の鉛フリーの半田をはじめ、種類を問わず用いることができる。
フィラー2bとしては、上記の半田より融点が高く、平角導線の実装時(平角導線が接合対象に接合された時)にスペーサとして機能するのであれば特に材質を問わない。フィラー2bの材質が銅、アルミニウム、銀等の金属であれば、電気抵抗値が低く、表面層2の電気抵抗値を下げるという利点がある。フィラー2bの材質がステンレス、アルミナ、シリカ等であれば、熱膨張係数が半田より小さく、例えばシリコンと銅の間の値であるため、実装後に表面層2が熱応力の緩和層として作用する。フィラー2bの材質がセラミックスの場合には、フィラー2bの表面にチタン又はタングステン等の活性金属をコーティングすることにより、半田めっき2aとの濡れ性が向上するという効果が得られる。
As the solder of the solder plating 2a, Pb—Sn eutectic solder, Sn—Ag—Cu-based lead-free solder, and other types can be used.
The filler 2b may be made of any material as long as it has a melting point higher than that of the above-described solder and functions as a spacer when the flat conductor is mounted (when the flat conductor is joined to the joining object). If the material of the filler 2b is a metal such as copper, aluminum or silver, there is an advantage that the electrical resistance value is low and the electrical resistance value of the surface layer 2 is lowered. If the material of the filler 2b is stainless steel, alumina, silica or the like, the thermal expansion coefficient is smaller than that of solder, for example, a value between silicon and copper, so that the surface layer 2 acts as a thermal stress relaxation layer after mounting. When the material of the filler 2b is ceramics, the effect of improving the wettability with the solder plating 2a can be obtained by coating the surface of the filler 2b with an active metal such as titanium or tungsten.

本実施形態による平角導線では、表面層2を構成するフィラー2bの融点が半田めっき2aのそれよりも高い。平角導線の実装時の処理温度を半田めっき2aの融点以上でフィラー2bの融点よりも低く設定することにより、半田めっき2aの溶融時にフィラー2bは溶融しない。そのため、当該実装時において、フィラー2bが銅線部1と接合対象との間でスペーサとして機能し、銅線部1と接合対象との間の距離がフィラー2bのうち最大径のもので規定され、表面層2の厚みが一定値に保たれる。即ち、銅線部1と接合対象との間の距離、即ち半田めっき2aの厚みとして所望する値と等しい最大径のフィラー2bを用いて表面層2を形成することにより、容易且つ正確に半田めっき2aの厚みを制御することができる。   In the flat conducting wire according to the present embodiment, the melting point of the filler 2b constituting the surface layer 2 is higher than that of the solder plating 2a. By setting the processing temperature at the time of mounting the flat conductive wire to be equal to or higher than the melting point of the solder plating 2a and lower than the melting point of the filler 2b, the filler 2b is not melted when the solder plating 2a is melted. Therefore, at the time of the mounting, the filler 2b functions as a spacer between the copper wire part 1 and the object to be joined, and the distance between the copper wire part 1 and the object to be joined is defined by the largest diameter of the fillers 2b. The thickness of the surface layer 2 is kept at a constant value. That is, by forming the surface layer 2 using the filler 2b having the maximum diameter equal to a desired value as the distance between the copper wire portion 1 and the object to be joined, that is, the thickness of the solder plating 2a, solder plating is easily and accurately performed. The thickness of 2a can be controlled.

平角導線が実装された際の半田めっき2aの厚み、即ち表面層2の厚みは、後述するように例えば10μm〜40μmの範囲内の値であることが望ましい。平角導線の実装後における表面層2の厚みは、フィラー2の最大径で規定されることから、フィラー2は、その最大径が10μm〜40μmの間の値であることが望ましい。フィラー2bの粒径分布は、特に規定するものではないが、分球して粒径分布を狭くしておく方が、スペーサとして好ましい。但し、偶発的に極めて少ない確率でこれよりも大きな径のフィラーが混在しても構わない。例えば、直径分布が正規分布に従うような場合、フィラーの直径分布の3σ上限を最大径とする(σ:標準偏差)。ふるいにかけられた上限の直径がカットされているフィラーの場合、その上限の径が最大径であるが、小さい方から数えて例えば99.85%のフィラーの直径を最大径とし、偶発的にそれよりも大きな直径のフィラーが混入していても問題ない。 The thickness of the solder plating 2a when the flat wire is mounted, that is, the thickness of the surface layer 2 is preferably a value within a range of 10 μm to 40 μm, for example, as will be described later. The thickness of the surface layer 2 after mounting of the flat conductor, since it is defined by the maximum diameter of the filler 2 b, the filler 2 b, it is preferable that the maximum diameter has a value between 10Myuemu~40myuemu. The particle size distribution of the filler 2b is not particularly specified, but it is preferable as the spacer to spheroidize and narrow the particle size distribution. However, a filler having a larger diameter than this may be mixed with an extremely small probability. For example, when the diameter distribution follows a normal distribution, the upper limit of 3σ of the diameter distribution of the filler is set as the maximum diameter (σ: standard deviation). In the case of a filler whose upper limit diameter that has been sieved is cut, the upper limit diameter is the maximum diameter. For example, 99.85% of the filler diameter counted from the smallest is the maximum diameter. There is no problem even if a filler having a larger diameter is mixed.

図2は、本実施形態による平角導線の製造するための装置構成を示す模式図である。
この製造装置は、溶融めっき法と呼ばれる技術に適用されるものである。図2(a)に示すように、溶融した半田めっき2aを収容する溶融半田めっき浴21と、平角の銅線部1の供給を規定する銅線ガイド22と、半田めっき2aに供給するフィラー2bを収容するフィラーホッパー23と、フィラー2bの供給路となるフィラーガイド24とを備えている。
FIG. 2 is a schematic view showing a device configuration for manufacturing the rectangular conducting wire according to the present embodiment.
This manufacturing apparatus is applied to a technique called a hot dipping method. As shown in FIG. 2 (a), a molten solder plating bath 21 that accommodates molten solder plating 2a, a copper wire guide 22 that regulates the supply of a flat copper wire portion 1, and a filler 2b that is supplied to the solder plating 2a. And a filler guide 24 serving as a supply path for the filler 2b.

図2(a)の製造装置を用いて本実施形態による平角導線を製造するには、銅線ガイド22を駆動して、銅線部1を溶融半田めっき浴21の溶融した半田めっき2a内に通線して銅線部1の面に半田めっき2aを供給する。銅線ガイド22により、半田めっき2aが供給された銅線部1を外部へ送出する。銅線部1の外部への送出直後に、フィラーホッパー23からフィラーガイド24を通ってフィラー2bを、銅線部1を覆う半田めっき2aに接触させて供給する。フィラー2bを含有する半田めっき2aを冷却し、完全凝固させる。以上により、銅線部1の面に表面層2が形成され、平角導線が作製される。   In order to manufacture the flat conducting wire according to the present embodiment using the manufacturing apparatus of FIG. 2A, the copper wire guide 22 is driven and the copper wire portion 1 is placed in the molten solder plating 2a of the molten solder plating bath 21. The solder plating 2a is supplied to the surface of the copper wire portion 1 through the wires. The copper wire part 22 supplied with the solder plating 2a is sent out by the copper wire guide 22. Immediately after delivery to the outside of the copper wire part 1, the filler 2 b is supplied from the filler hopper 23 through the filler guide 24 in contact with the solder plating 2 a covering the copper wire part 1. The solder plating 2a containing the filler 2b is cooled and completely solidified. By the above, the surface layer 2 is formed in the surface of the copper wire part 1, and a flat conducting wire is produced.

ここで、図2(b)に示すように、製造装置に銅線部1を圧接する圧接ローラー25を設けても良い。この場合、例えば矢印方向に回転する圧接ローラー25により、フィラー2bが供給された半田めっき2aを銅線部1に強制的に圧接する。これにより、半田めっき2aを確実に所望の厚みに規制することができる。その後、フィラー2bを含有する半田めっき2aを冷却し、完全凝固させることで表面層2が形成され、平角導線が作製される。   Here, as shown in FIG. 2B, a pressure contact roller 25 for pressing the copper wire portion 1 may be provided in the manufacturing apparatus. In this case, for example, the solder plating 2a supplied with the filler 2b is forcibly pressed against the copper wire portion 1 by the pressing roller 25 rotating in the direction of the arrow. Thereby, the solder plating 2a can be reliably regulated to a desired thickness. Thereafter, the solder plating 2a containing the filler 2b is cooled and solidified completely, whereby the surface layer 2 is formed, and a flat conductor is produced.

図3は、本実施形態による平角導線の製造するための他の装置構成を示す模式図である。
この製造装置は、エアロゾル或いはコールドスプレーと呼ばれる技術に適用されるものであって、半田粉とフィラーとの混合物30を生成する混合物チャンバー31と、混合物を銅線部1に供給するためのノズル32とを備えている。
FIG. 3 is a schematic view showing another apparatus configuration for manufacturing the flat conducting wire according to the present embodiment.
This manufacturing apparatus is applied to a technique called aerosol or cold spray, and includes a mixture chamber 31 for generating a mixture 30 of solder powder and filler, and a nozzle 32 for supplying the mixture to the copper wire portion 1. And.

図3の製造装置を用いて本実施形態による平角導線を製造するには、銅線部1を例えば矢印の方向に走行させ、混合物チャンバー31で生成された半田粉とフィラーとの混合物30を、ノズル32から固相状態のまま高速で銅線部1の面に供給する。これにより、銅線部1に表面層2が形成され、平角導線が作製される。
なお、図3の例では、銅線部1の各幅広面に対応して混合物チャンバー31及びノズル32を設置したが、例えば一方の混合物チャンバー31及びノズル32のみを設置することで、銅線部1の一方の幅広面のみに混合物30を供給し、表面層2をすることができる。
In order to manufacture the flat conducting wire according to the present embodiment using the manufacturing apparatus of FIG. 3, the copper wire portion 1 is made to travel in the direction of the arrow, for example, and the mixture 30 of the solder powder and filler generated in the mixture chamber 31 is From the nozzle 32, it supplies to the surface of the copper wire part 1 at high speed with a solid state. Thereby, the surface layer 2 is formed in the copper wire part 1, and a flat conducting wire is produced.
In the example of FIG. 3, the mixture chamber 31 and the nozzle 32 are installed corresponding to each wide surface of the copper wire portion 1, but for example, by installing only one mixture chamber 31 and the nozzle 32, the copper wire portion The surface layer 2 can be formed by supplying the mixture 30 to only one of the wide surfaces.

図4は、本実施形態による平角導線をインターコネクタとして実装した太陽電池モジュールの概略構成を示す斜視図である。図5は、図4におけるインターコネクタの長手方向とする直交する断面の様子を示す概略断面図である。
この太陽電池モジュールは、図4に示すように、併設された複数の太陽電池セル11と、各太陽電池セル11の表面上に形成された電極12と電気的に接続されるインターコネクタ13とを備えている。インターコネクタ13として本実施形態による平角導線が適用されている。インターコネクタ13は、電極12を介して各太陽電池セル11を集電する。
FIG. 4 is a perspective view showing a schematic configuration of a solar cell module in which the flat conducting wire according to the present embodiment is mounted as an interconnector. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a state of a cross section orthogonal to the longitudinal direction of the interconnector in FIG.
As shown in FIG. 4, this solar cell module includes a plurality of solar cells 11 provided side by side and an interconnector 13 that is electrically connected to electrodes 12 formed on the surface of each solar cell 11. I have. As the interconnector 13, the flat conducting wire according to the present embodiment is applied. The interconnector 13 collects each solar battery cell 11 through the electrode 12.

太陽電池モジュールの断面状態を図5に示す。図5は、インターコネクタ13の長手方向とする直交する断面の様子を示す概略断面図である。
単結晶又は多結晶シリコンの基板からなる太陽電池セル11の表面及び裏面に、それぞれ電極12が形成されている。電極12は、その材料としては例えば、表面側(受光面側)には銀ペーストが、裏面側には銀、及びアルミニウムペーストが用いられ、当該金属ペーストを焼成して形成される。受光面は太陽光を受光するために、集電した電流を十分流すことができる範囲で、電極面積は極力小さくした方が良い。
The cross-sectional state of the solar cell module is shown in FIG. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a state of a cross section orthogonal to the longitudinal direction of the interconnector 13.
Electrodes 12 are respectively formed on the front surface and the back surface of the solar battery cell 11 made of a single crystal or polycrystalline silicon substrate. As the material of the electrode 12, for example, silver paste is used on the front surface side (light receiving surface side) and silver and aluminum paste are used on the back surface side. The electrode 12 is formed by firing the metal paste. Since the light receiving surface receives sunlight, the electrode area should be as small as possible within the range where the collected current can sufficiently flow.

インターコネクタ13は、上記した平角導線であって、平角の銅線部1と、銅線部1の少なくとも幅広面の1面を覆う表面層2とを有している。太陽電池セル11の表面に実装されたインターコネクタ13は、銅線部1の下側の幅広面及び上側の幅広面にそれぞれ表面層2が形成されており、銅線部1が電極12と下側の幅広面の表面層2の半田めっき2aで電気的及び機械的に接続されている。この表面層2のうち、太陽電池セル11上の電極12との接合層では、フィラー2bがスペーサとして機能し、表面層2の厚みが最大径のフィラー2bで規定されている。太陽電池セル11の裏面に実装されたインターコネクタ13は、銅線部1の上側の幅広面に表面層2の接合層が形成されており、銅線部1が電極12と表面層2の半田めっき2aで接続されている。この表面層2でも同様に、フィラー2bがスペーサとして機能し、表面層2の厚みが最大径のフィラー2bで規定されている。銅線部の一方の幅広面のみに表面層を形成したインターコネクタは、例えばバックコンタクト型の太陽電池モジュールのように、インターコネクタが一面でのみ実装される場合にも適用できる。 The interconnector 13 is a flat conductive wire as described above, and has a flat copper wire portion 1 and a surface layer 2 covering at least one of the wide surfaces of the copper wire portion 1. The interconnector 13 mounted on the surface of the solar battery cell 11 has the surface layer 2 formed on the lower wide surface and the upper wide surface of the copper wire portion 1, respectively. They are electrically and mechanically connected by solder plating 2a on the surface layer 2 of the wide surface on the side. Of the surface layer 2 , in the bonding layer with the electrode 12 on the solar battery cell 11 , the filler 2b functions as a spacer, and the thickness of the surface layer 2 is defined by the filler 2b having the maximum diameter. In the interconnector 13 mounted on the back surface of the solar battery cell 11, the bonding layer of the surface layer 2 is formed on the wide surface on the upper side of the copper wire portion 1, and the copper wire portion 1 is soldered between the electrode 12 and the surface layer 2. They are connected by plating 2a. Similarly, in the surface layer 2, the filler 2b functions as a spacer, and the thickness of the surface layer 2 is defined by the filler 2b having the maximum diameter. The interconnector in which the surface layer is formed only on one wide surface of the copper wire portion can also be applied to a case where the interconnector is mounted only on one surface, such as a back contact solar cell module.

太陽電池セル11の表面及び裏面にそれぞれEVA(エチレンビニルアセテート)接着層14が設けられてインターコネクタ13が封止される。表面(受光面)側のEVA接着層14は保護ガラス15で覆われ、裏面側のEVA接着層14には例えばバックフィルム16等が設けられる。   An EVA (ethylene vinyl acetate) adhesive layer 14 is provided on each of the front and back surfaces of the solar battery cell 11 to seal the interconnector 13. The EVA adhesive layer 14 on the front surface (light receiving surface) side is covered with a protective glass 15, and for example, a back film 16 is provided on the EVA adhesive layer 14 on the back surface side.

一般的に、太陽電池モジュールを作製する場合において、インターコネクタを半田付けする際に、半田は十分供給される方が望ましいが、半田の供給量が多過ぎると、半田が電極からはみ出して、受光面積の低下を来たす。インターコネクタと太陽電池セルとの接合長さは長く、しかも2次元的であるため、半田の厚みを長さ方向に均一に保つのは困難である。インターコネクタを実装する際に圧力の不均一等により、半田の間隔が小さくなった場合には、インターコネクタに予め被覆した層から供給される半田の量は一定であるため、半田が横方向にはみ出し、受光面積が小さくなる。また、半田の供給量が多過ぎると、半田は銅に比較して高いため、電気抵抗値が高くなる。更にこの場合、インターコネクタの高さが高くなるために、斜めから太陽光を受光する状況では、インターコネクタの影が受光面に大きく伸びる。以上の諸要因に起因して、インターコネクタ接続時の半田量が過多となると、太陽電池モジュールの発電効率が低下する。   In general, when manufacturing a solar cell module, it is desirable to supply enough solder when soldering the interconnector. However, if the amount of supplied solder is excessive, the solder will protrude from the electrodes and receive light. The area will decrease. Since the junction length between the interconnector and the solar battery cell is long and two-dimensional, it is difficult to keep the solder thickness uniform in the length direction. When the interval between the solders is reduced due to non-uniform pressure or the like when mounting the interconnector, the amount of solder supplied from the layer previously coated on the interconnector is constant, so the solder is laterally It protrudes and the light receiving area is reduced. On the other hand, if the supply amount of solder is too large, the solder has a higher electrical resistance value than copper, so that the electrical resistance value becomes high. Further, in this case, since the height of the interconnector is high, the shadow of the interconnector greatly extends to the light receiving surface in a situation where sunlight is received obliquely. If the amount of solder at the time of interconnector connection is excessive due to the above factors, the power generation efficiency of the solar cell module is reduced.

その一方で、半田の供給量が少ないと、半田を均一に供給することが困難となり、軟質な半田を介在させることによる、配線の銅と太陽電池セルのシリコンとの熱膨張差を緩和する作用が小さくなる。そのため、熱応力及び熱歪みが大きくなり、太陽電池セルの反り・割れが増長される。   On the other hand, if the supply amount of solder is small, it becomes difficult to supply the solder uniformly, and the effect of alleviating the thermal expansion difference between the copper of the wiring and the silicon of the solar cell by interposing a soft solder. Becomes smaller. Therefore, thermal stress and thermal strain increase, and warpage and cracking of the solar battery cell are increased.

本実施形態による太陽電池モジュールでは、インターコネクタ13の電極12との接合時に、半田めっき2aを溶融させてもフィラー2bは溶融せず、フィラー2bが銅線部1と電極12との間でスペーサとして機能し、銅線部1と電極12との間の距離がフィラー2bのうち最大径のもので規定され、表面層2のうちの接合層の厚みが所望する適度な一定値に保たれる。
表面層2の厚みを10μm〜40μmの範囲内の値、換言すればフィラー2としてその最大径が10μm〜40μmの間の範囲内の値のものを用いることにより、総合的に見て、上記した太陽電池モジュールの発電効率の低下及び太陽電池セルの反り・割れを抑止することができる。
In the solar cell module according to the present embodiment, the filler 2b is not melted even when the solder plating 2a is melted when the interconnector 13 is joined to the electrode 12, and the filler 2b is a spacer between the copper wire portion 1 and the electrode 12. The distance between the copper wire portion 1 and the electrode 12 is defined by the maximum diameter of the fillers 2b, and the thickness of the bonding layer of the surface layer 2 is maintained at a desired and appropriate constant value. .
By using the value of the thickness of the surface layer 2 in the range of 10 μm to 40 μm, in other words, the filler 2 b having the maximum diameter in the range of 10 μm to 40 μm, The reduction in power generation efficiency of the solar cell module and the warpage / cracking of the solar cell can be suppressed.

また、この太陽電池モジュールでは、太陽電池セル11の表面に実装されたインターコネクタ13の上側の幅広面にも表面層2が形成されている。
銅線部1の広幅面の両面の半田めっき2aにフィラー2bを分散させた場合、銅線部1の上面に供給された半田めっき2aの一部が、重力及び表面張力により銅線部1の下面に移動する。その結果、電極12との接合に供しない上面の表面層2では、フィラー2bの存在により凹凸が形成される。太陽電池セル11の表面(受光面)側は、入射した太陽光10がインターコネクタ13の上側の幅広面の凹凸によって乱反射し、その一部はEVA接着層14と保護ガラス15との界面、保護ガラス15と大気との界面で再反射し、太陽電池セル11に入光する。これにより、通常はインターコネクタによる反射で失われる光も電力として利用され、太陽電池モジュールの発電効率が更に向上する。
In this solar cell module, the surface layer 2 is also formed on the wide surface on the upper side of the interconnector 13 mounted on the surface of the solar cell 11.
When the filler 2b is dispersed in the solder plating 2a on both sides of the wide surface of the copper wire part 1, a part of the solder plating 2a supplied to the upper surface of the copper wire part 1 is caused by gravity and surface tension. Move to the bottom. As a result, unevenness is formed in the upper surface layer 2 that is not used for bonding to the electrode 12 due to the presence of the filler 2b. On the surface (light-receiving surface) side of the solar battery cell 11, the incident sunlight 10 is irregularly reflected by the unevenness of the wide surface on the upper side of the interconnector 13, and a part thereof is an interface between the EVA adhesive layer 14 and the protective glass 15, protection. The light is reflected again at the interface between the glass 15 and the atmosphere, and enters the solar battery cell 11. Thereby, the light normally lost by reflection by the interconnector is also used as electric power, and the power generation efficiency of the solar cell module is further improved.

以上説明したように、本実施形態によれば、半田に含有させた当該半田より融点の高い粒状のフィラーを分散させて表面層を形成する。これにより、フィラーにスペーサの役割を担わせ、太陽電池セル上の電極と平角の銅線部の表面との間隔を適度な一定に保ち、電気的に均一で良好な接合が得られる。それと共に、銅とシリコンの熱膨張差に起因する半田による実装後に生じる熱応力及び熱歪みを低減し、太陽電池セルの反り・割れを低減し、太陽電池セルと平角導線(インターコネクタ)との半田による電気的、機械的接合を良好にすることができる。半田の厚みより小さな径のフィラーを選択し、半田の熱膨張率を太陽電池セルに近づけることにより、半田による実装後に生じる熱応力及び熱歪みを低減し、太陽電池セルの反り・割れを低減し、太陽電池セルと平角導線との半田による電気的、機械的接合を良好にすることができる。   As described above, according to the present embodiment, the surface layer is formed by dispersing the granular filler having a melting point higher than that of the solder contained in the solder. Thereby, the filler plays the role of a spacer, the distance between the electrode on the solar battery cell and the surface of the flat copper wire portion is kept at an appropriate level, and an electrically uniform and good bonding is obtained. At the same time, it reduces the thermal stress and thermal strain generated after mounting by solder due to the difference in thermal expansion between copper and silicon, reduces the warpage and cracking of the solar cell, and reduces the solar cell and the flat conductor (interconnector). Electrical and mechanical joining by soldering can be improved. By selecting a filler with a diameter smaller than the thickness of the solder and bringing the coefficient of thermal expansion of the solder closer to that of the solar battery cell, thermal stress and thermal strain generated after mounting with solder are reduced, and warpage and cracking of the solar battery cell are reduced. In addition, it is possible to improve the electrical and mechanical joining of the solar battery cell and the flat conductive wire by soldering.

更に、太陽電池セル上の電極と平角導線の表面との間隔を適度な間隔に保つことにより、太陽電池セルと銅線部の間に十分且つ均一な溶融半田を保持することが可能となり、受光面への半田のはみ出しを防止し、太陽電池モジュールの発電効率の低下を防止することができる。また、平角導線との接合面の反対面が、フィラーの存在によって凹凸が生じ、受光面側の平角導線に入射する太陽光が乱反射し、乱反射光が太陽電池モジュールの保護ガラスの界面等で再反射し、太陽電池セルの受光面に入射することにより、発電効率が向上する。   Furthermore, by keeping the distance between the electrode on the solar battery cell and the surface of the flat wire at an appropriate distance, it becomes possible to hold a sufficient and uniform molten solder between the solar battery cell and the copper wire portion, and to receive light. It is possible to prevent the solder from protruding to the surface and to prevent the power generation efficiency of the solar cell module from decreasing. Also, the opposite surface of the joint surface with the flat conductor is uneven due to the presence of the filler, so that the sunlight incident on the flat conductor on the light receiving surface side is irregularly reflected, and the irregularly reflected light is regenerated at the protective glass interface of the solar cell module. The power generation efficiency is improved by reflecting and entering the light receiving surface of the solar battery cell.

以下、本発明の具体的な実施例について説明する。   Hereinafter, specific examples of the present invention will be described.

(実施例1)
本実施例では、ステンレスフィラー入り半田めっきの表面層を有する平角導線(インターコネクタ)の作製を行った。銅芯材はΦ1.5mmのタフピッチ銅性丸線を圧延にて厚み0.2mm、幅2mmとした平角の銅線部を使用した。この銅線部を40%の水素を含む窒素を流した600℃に加熱した環状炉に通線し、環状炉の銅線部の出口側を溶融半田めっき槽に挿入した状態で銅線部を出線し、溶融めっきした。半田材料として、Sn−3.0重量%Ag−0.5重量%Cuを使用し、溶融めっき槽の温度は300℃とした。溶融めっき槽を通過した銅線部は、銅線ガイドを使用して垂直方向に出湯するが、めっき槽の液面には、厚み0.3mm、幅2.4mmの角型の孔の開いた絞りダイスを設置し、この孔を通過して上方に移動する。絞りダイスを通過した直後の銅線部は半田が溶融した状態で乗っており、上方に移動するにつれて半田は冷却、凝固する。0.5mm/分の速さで通線する銅線部に被覆する半田の厚みは、板厚方向で片側25μmであり、これを比較材とした。これを試料Aとする。
Example 1
In this example, a rectangular conductor (interconnector) having a solder plated surface layer containing a stainless filler was prepared. As the copper core material, a rectangular copper wire portion having a thickness of 0.2 mm and a width of 2 mm by rolling a tough pitch copper round wire having a diameter of 1.5 mm was used. The copper wire portion was passed through an annular furnace heated to 600 ° C. in which nitrogen containing 40% hydrogen was passed, and the copper wire portion was inserted in the molten solder plating tank at the outlet side of the copper wire portion of the annular furnace. The wire was drawn out and hot-dip plated. As a solder material, Sn-3.0 wt% Ag-0.5 wt% Cu was used, and the temperature of the hot dipping bath was set to 300 ° C. The copper wire portion that has passed through the hot dipping bath is drained in the vertical direction using a copper wire guide, but a square hole having a thickness of 0.3 mm and a width of 2.4 mm is formed in the liquid surface of the plating bath. An aperture die is installed and moves upward through the hole. The copper wire portion immediately after passing through the drawing die rides in a state where the solder is melted, and the solder cools and solidifies as it moves upward. The thickness of the solder covering the copper wire portion that passes through at a speed of 0.5 mm / min was 25 μm on one side in the plate thickness direction, and this was used as a comparative material. This is designated as sample A.

一方、絞りダイス直上にステンレスフィラーを供給するフィーダーを設け、溶融した状態の半田の表面にステンレスフィラーを接触させ、直後の圧接ローラーでステンレスフィラーを半田めっき層内に圧入して平角導線を作製した。ステンレスフィラーは、ふるいによって分級されたもので、その最大径は20μmのものを使用した。0.5mm/分の速さで通線した結果、半田の厚みは25μm、半田内のステンレスフィラーの体積率は10%であった。このようにして作製した平角導線を試料Bとする。   On the other hand, a feeder for supplying a stainless steel filler was provided immediately above the drawing die, the stainless steel filler was brought into contact with the surface of the molten solder, and the stainless steel filler was press-fitted into the solder plating layer immediately after the press roller, thereby producing a rectangular conductor. . The stainless steel filler was classified by sieving, and the maximum diameter was 20 μm. As a result of wiring at a speed of 0.5 mm / min, the thickness of the solder was 25 μm, and the volume ratio of the stainless steel filler in the solder was 10%. The flat conducting wire thus produced is designated as sample B.

上記の平角導線を2本用い、一定の圧力で厚み200μm、150mm角の太陽電池セル上に平行に2列設けた幅3mmの銀ペーストを焼成してなる電極上にそれぞれ実装した。実装時には、半田の融点以上でステンレスフィラーの融点よりも低い温度で半田を溶融せて接合した。平角導線からはみ出す半田の横方向の長さ、及び太陽電池セルの反りを測定した。   Two flat conductive wires described above were used and mounted on electrodes made by firing silver paste having a width of 3 mm provided in parallel in two rows on a solar cell having a thickness of 200 μm and a 150 mm square at a constant pressure. At the time of mounting, the solder was melted and joined at a temperature higher than the melting point of the solder and lower than the melting point of the stainless filler. The lateral length of the solder protruding from the flat wire and the warpage of the solar battery cell were measured.

試料Aでは、局所的に半田が銅線部の横方向にはみ出し、その幅は、片側平均0.2mm、最大1mmに達し、半田は電極からはみ出して太陽電池受光面にまで広がっていた。一方、試料Bでは、半田の横方向へのはみ出し量は、片側平均0.05mm、最大0.1mmに留まった。   In sample A, the solder locally protruded in the lateral direction of the copper wire portion, the width reached an average of 0.2 mm on one side and a maximum of 1 mm, and the solder protruded from the electrode and spread to the light receiving surface of the solar cell. On the other hand, in the sample B, the amount of protrusion of the solder in the lateral direction was an average of 0.05 mm on one side and a maximum of 0.1 mm.

試料A,Bで銅線部の断面を比較すると、試料Bでは、太陽電池の電極と銅線部との距離がステンレスフィラーによって平均25μmに保たれ、半田は横方向に濡れ広がっていなかった。これに対して、試料Aでは、局所的に銅線部と電極との間に殆ど半田が存しない部分があり、当該部分では、半田が横方向に大きくはみ出していた。   Comparing the cross sections of the copper wire portions of Samples A and B, in Sample B, the distance between the electrode of the solar cell and the copper wire portion was maintained at an average of 25 μm by the stainless filler, and the solder did not spread laterally. On the other hand, in the sample A, there is a portion where the solder hardly exists locally between the copper wire portion and the electrode, and the solder protruded greatly in the lateral direction in the portion.

また、太陽電池セルの反りは、ステンレスフィラーを混入していない試料Aを用いたものが、平角導線を実装した側に3mm反っていたのに対し、ステンレスフィラーを混入した試料Bの平角導線を実装したものは、0.8mmであった。これは、半田リフロー時にステンレスフィラーが固相であったために、半田の凝固収縮が小さかったこと、ステンレスの熱膨張係数が小さいため、凝固後の熱収縮が小さかったこと、平角導線と太陽電池セルの間隔が一定の間隔を保っていたため、銅とシリコンの熱膨張係数の差に起因する熱歪みが緩和したことによるものである。   In addition, the warpage of the solar battery cell using the sample A not mixed with the stainless steel filler was warped 3 mm on the side where the flat wire was mounted, whereas the flat wire of the sample B mixed with the stainless steel filler was used. What was mounted was 0.8 mm. This is because the solidification shrinkage of the solder was small because the stainless steel filler was in a solid phase at the time of solder reflow, the thermal expansion coefficient of stainless steel was small, and the thermal shrinkage after solidification was small. This is because the thermal strain caused by the difference between the thermal expansion coefficients of copper and silicon was alleviated.

(実施例2)
本実施例では、銅フィラー入り半田めっきの表面層を有する平角導線(インターコネクタ)の作製を行った。銅芯材はΦ1.5mmのタフピッチ銅性丸線を圧延にて厚み0.2mm、幅2mmとした平角の銅線部を使用した。この銅線部を40%の水素を含む窒素を流した加熱した環状炉に通線し、環状炉の銅線部の出口側を溶融半田めっき槽に挿入した状態で銅線部を出線し、溶融めっきした。半田材料として、Sn−1.2重量%Ag−0.5重量%Cu-0.05重量%Ni合金を使用し、250℃に保たれた溶融めっき槽を通過した銅線部は、銅線ガイドを使用して垂直方向に出湯して上方に移動する。出湯直後の銅線部は半田が溶融した状態で乗っており、上方に移動するにつれて半田は冷却、凝固する。
(Example 2)
In this example, a rectangular conductive wire (interconnector) having a solder plated surface layer containing a copper filler was produced. As the copper core material, a rectangular copper wire portion having a thickness of 0.2 mm and a width of 2 mm by rolling a tough pitch copper round wire having a diameter of 1.5 mm was used. This copper wire portion was connected to a heated annular furnace in which nitrogen containing 40% hydrogen was passed, and the copper wire portion was led out with the outlet side of the copper wire portion of the annular furnace inserted in the molten solder plating tank. And hot dip plated. As the solder material, a Sn-1.2 wt% Ag-0.5 wt% Cu-0.05 wt% Ni alloy was used, and the copper wire portion that passed through the hot dipping bath maintained at 250 ° C. was a copper wire. Use a guide to pour out hot water and move upward. The copper wire portion immediately after the hot water rides in a state where the solder is melted, and the solder cools and solidifies as it moves upward.

銅フィラーの供給は、銅フィラーを供給するフィーダーを設け、溶融した状態の半田の表面に銅フィラーを接触させ、直後の圧接ローラーで銅フィラーを半田めっき層内に圧入した。銅フィラーは、ふるいによって分級されたもので、その最大径は5μm〜50μmの5水準のものを使用した。半田内の銅フィラーの体積率が20%、半田の厚みが銅フィラーの最大径になるように、フィーダー量、環状炉の温度、及び通線速さを調整し、銅フィラー入りの表面層を有する平角導線を作製した。このようにして作製した各平角導線を試料C〜Jとする。また、比較材として、銅フィラーを入れないで片側半田厚み40μmの平角導線を作製した。このようにして作製した平角導線を試料Kとする。   For supplying the copper filler, a feeder for supplying the copper filler was provided, the copper filler was brought into contact with the surface of the molten solder, and the copper filler was press-fitted into the solder plating layer with a press roller immediately after. The copper filler was classified by sieving, and the maximum diameter was five levels of 5 μm to 50 μm. Adjust the amount of feeder, the temperature of the annular furnace, and the wire speed so that the volume fraction of the copper filler in the solder is 20% and the thickness of the solder is the maximum diameter of the copper filler. A flat rectangular wire having the above structure was produced. The flat conductor wires thus produced are designated as samples C to J. Further, as a comparative material, a rectangular conductor wire having a one-side solder thickness of 40 μm was prepared without adding a copper filler. The flat conductor wire thus produced is designated as sample K.

上記の平角導線を2本用い、一定の圧力で厚み190μm、170mm角の太陽電池セル上に平行に2列設けた3mm×5mmサイズの銀ペーストを焼成してなる電極上にそれぞれ実装した。実装時には、半田の融点以上で銅フィラーの融点よりも低い温度で半田を溶融せて接合した。実装した平角導線の長さは太陽電池セルと同じ170mmであり、太陽電池セル上の電極の中心線に沿って実装した。太陽電池セルと平角導線とを、実装する長さ方向に5mmずらして接合した。接合後、平角導線からはみ出す半田を観察し、太陽電池セルの反り・クラックの状態を測定した。
その結果を以下の表1に示す。
Two flat conductive wires were used, and each was mounted on an electrode formed by firing silver paste having a size of 3 mm × 5 mm provided in parallel in two rows on a solar cell having a thickness of 190 μm and a 170 mm square at a constant pressure. At the time of mounting, the solder was melted and joined at a temperature higher than the melting point of the solder and lower than the melting point of the copper filler. The length of the mounted flat conducting wire was 170 mm, which was the same as that of the solar battery cell, and was mounted along the center line of the electrode on the solar battery cell. The solar battery cell and the flat conducting wire were joined while being shifted by 5 mm in the mounting length direction. After joining, the solder protruding from the flat wire was observed, and the state of warpage / crack of the solar cell was measured.
The results are shown in Table 1 below.

Figure 0005397415
Figure 0005397415

半田のはみ出しの評価は、平角導線を実装した後、平角導線の長さ方向に直角な方向に濡れ広がった程度で評価した。○は、電極と半田が濡れたことを意味し、フィレットは形成されるが、横方向の濡れ広がりは均一で銀電極の幅に収まっている状態であったものである。△は、半田が局所的にはみ出しているが、その横方向の広がりの最大のものが、電極の幅3mm以内に収まっている状態とした。×は、半田が局所的にはみ出し、電極を超え、太陽電池セルの受光面にまで広がってしまったものとした。   The solder protrusion was evaluated based on the degree of wet spreading in the direction perpendicular to the length direction of the flat wire after mounting the flat wire. ○ means that the electrode and the solder were wetted, and the fillet was formed, but the lateral wetting spread was uniform and within the width of the silver electrode. Δ indicates that the solder protrudes locally, but the maximum lateral spread is within 3 mm of the electrode width. In the case of ×, the solder protruded locally, exceeded the electrode, and spread to the light receiving surface of the solar battery cell.

また、クラックの評価は、平角導線と太陽電池セルとの接合部断面を研磨して光学顕微鏡で観察して、次のよう評価した。○は、クラックが観察されなかったもの、△は半田内で局所的にクラックの発生が認められたもの、×は大きなクラックが発生し太陽電池セルと平角導線とが部分的に剥離が生じているものとした。   Moreover, the evaluation of the crack was evaluated as follows by polishing the cross section of the joint portion between the flat conducting wire and the solar battery cell and observing it with an optical microscope. ○ indicates that no cracks were observed, Δ indicates that cracks were locally generated in the solder, and × indicates that large cracks occurred and the solar cells and the rectangular conductors were partially separated. It was supposed to be.

試料C、D、I、Jでは、電極の幅3mm近くまで半田が広がったものが認められたが、全ての平角導線で、電極からのはみ出しは観察されなかった。一方、銅フィラーを使用していない平角導線では、半田が広がり、太陽電池セルの受光面まで達していた。これは、銅フィラーの効果である。特に、表面層の厚みが10μm〜40μmの場合、良好であった。銅フィラーが小さい試料でややはみ出したのは、接合時に銅フィラーが流動してしまったためと考えられる。また、半田が厚い場合には、横方向に濡れ広がり易いが、銅フィラーがあることによって、これが抑制されたとみることができる。   In Samples C, D, I, and J, it was recognized that the solder spread to the width of the electrode close to 3 mm, but no protrusion from the electrode was observed in all the rectangular wires. On the other hand, in the flat conductive wire using no copper filler, the solder spreads and reaches the light receiving surface of the solar battery cell. This is the effect of the copper filler. In particular, it was favorable when the thickness of the surface layer was 10 μm to 40 μm. The reason why the copper filler slightly protruded in the sample was considered that the copper filler flowed during the joining. Further, when the solder is thick, it tends to wet and spread in the lateral direction, but it can be considered that this is suppressed by the presence of the copper filler.

反り量は銅フィラーの最大径に依存し、銅フィラーの最大径が10μm〜40μmの場合に反り量が小さく、クラックも観察されず健全な接合が可能であった。銅フィラーの最大径が10μmより小さい場合には、銅線とシリコンの距離が小さ過ぎ、リフロー後の熱収縮量差による熱応力を緩和できなかった結果、半田及び太陽電池セルにクラックが生じた。しかし、銅フィラーの近傍でクラックが止められており、クラックの進展を抑制できることが判った。   The amount of warpage depends on the maximum diameter of the copper filler, and when the maximum diameter of the copper filler is 10 μm to 40 μm, the amount of warpage is small, and cracks are not observed, and sound bonding is possible. When the maximum diameter of the copper filler was less than 10 μm, the distance between the copper wire and silicon was too small and the thermal stress due to the difference in thermal shrinkage after reflow could not be relieved, resulting in cracks in the solder and solar cells. . However, it was found that cracks were stopped in the vicinity of the copper filler, and the progress of cracks could be suppressed.

一方、銅フィラーの最大径が40μmより大きい場合には、銅線部に半田を加えた厚みが大きくなるために、リフロー後の熱収縮量差による熱応力が大きくなり、太陽電池セルにクラックが生じた。特に、銅フィラーを含有させていない試料Kでは、太陽電池セルと銀電極界面とで剥離が生じてしまった。界面に印加される熱応力が最も大きかったためと考えられる。   On the other hand, when the maximum diameter of the copper filler is larger than 40 μm, the thickness of the copper wire portion added with solder increases, so the thermal stress due to the difference in thermal shrinkage after reflow increases, and cracks occur in the solar cells. occured. In particular, in sample K not containing a copper filler, peeling occurred between the solar battery cell and the silver electrode interface. This is probably because the thermal stress applied to the interface was the largest.

次に、太陽電池セルから5mmはみ出した平角導線の端部と、平角導線と接合されていない露出した電極面との間で電気抵抗値を測定した。その結果、銅フィラーを含有する表面層を有する平角導線を実装した接合部位を跨いだ電気抵抗値が、銅フィラーを含有させないで実装した接合部位を跨いだ電気抵抗値よりも低い値を示した。これは、銅が半田より良導体であることから、銅フィラーを経由しても電流が流れることによって、接合部位の電気抵抗値を下げる効果による。また、銅フィラーを含有させていない平角導線の電気抵抗値が高い理由は、接合部位に剥離が生じていたことにより、電流の流れが妨げられたためである。接合部位の電気抵抗値は、表面層の厚みが10μm〜40μmの場合、最も低かったが、これも応力緩和の機構により、クラックの導入が抑制され、接合部が健全であったためである。即ち、銅フィラーを用いることで表面層の電気抵抗値が低下することが明らかになった。   Next, the electrical resistance value was measured between the end portion of the flat conducting wire protruding 5 mm from the solar battery cell and the exposed electrode surface not joined to the flat conducting wire. As a result, the electrical resistance value straddling the joint portion where the flat conductor having the surface layer containing the copper filler was mounted was lower than the electric resistance value straddling the joint portion mounted without containing the copper filler. . This is because copper is a better conductor than solder, so that an electric current flows even through a copper filler, thereby lowering the electrical resistance value of the joint portion. In addition, the reason why the electrical resistance value of the rectangular conducting wire not containing the copper filler is high is that the flow of electric current is hindered due to the occurrence of peeling at the joint portion. The electrical resistance value at the joint part was the lowest when the thickness of the surface layer was 10 μm to 40 μm, but this was also because the introduction of cracks was suppressed by the stress relaxation mechanism and the joint part was sound. That is, it has been clarified that the electrical resistance value of the surface layer is lowered by using the copper filler.

銅線部に半田を加えた厚みが大きくなると、太陽光が斜めから入った時の影が長くなる。受光面が遮光されることにより、太陽電池モジュールの発電効率が低下させるため、銅フィラーの最大径は、この点からも10μm〜40μmの間が最も望ましい範囲と言える。   As the thickness of the copper wire portion with the solder increases, the shadow when sunlight enters obliquely becomes longer. Since the light-receiving surface is shielded from light, the power generation efficiency of the solar cell module is lowered. Therefore, the maximum diameter of the copper filler can be said to be the most desirable range from 10 μm to 40 μm from this point.

(実施例3)
本実施例では、フィラーの材質をそれぞれアルミニウム、銀、ニッケル、アルミナ、シリカとする半田めっきの表面層を有する各平角導線(インターコネクタ)の作製を、溶融めっき法及びエアロゾル法で行った。銅芯材はΦ1.5mmのタフピッチ銅性丸線を圧延にて厚み0.15mm、幅2mmとした平角の銅線部を使用した。
(Example 3)
In this example, each rectangular conductive wire (interconnector) having a solder plating surface layer with aluminum, silver, nickel, alumina, and silica as the filler material was produced by a hot dipping method and an aerosol method. As the copper core material, a rectangular copper wire portion having a thickness of 0.15 mm and a width of 2 mm was obtained by rolling a tough pitch copper round wire having a diameter of 1.5 mm.

溶融めっき法による試料は次のようにして作製した。銅線部を40%の水素を含む窒素を流した加熱した環状炉に通線し、環状炉の銅線部の出口側を溶融半田めっき槽に挿入した状態で銅線部を出線し、溶融めっきした。半田材料として、Sn−3.0重量%Ag−0.5重量%Cu合金を使用し、250℃に保たれた溶融めっき槽を通過した銅線部は、銅線ガイドを使用して垂直方向に出湯して上方に移動する。出湯直後の銅線部は半田が溶融した状態で乗っており、上方に移動するにつれて半田は冷却、凝固する。   A sample by a hot dipping method was prepared as follows. The copper wire portion was connected to a heated annular furnace in which nitrogen containing 40% hydrogen was passed, and the copper wire portion was led out in a state where the outlet side of the copper wire portion of the annular furnace was inserted into the molten solder plating tank, Hot-dip plated. As the solder material, Sn-3.0 wt% Ag-0.5 wt% Cu alloy was used, and the copper wire portion that passed through the hot dipping bath maintained at 250 ° C. was perpendicular to the copper wire guide. Move to the hot water. The copper wire portion immediately after the hot water rides in a state where the solder is melted, and the solder cools and solidifies as it moves upward.

フィラーの供給は、フィラーを供給するフィーダーを設け、溶融した状態の半田の表面にフィラーを接触させ、直後の圧接ローラーでフィラーを半田めっき層内に圧入した。
フィラーは、ふるいによって分級されたもので、その最大径は25μmのものを使用した。アルミナフィラー及びシリカフィラーは、蒸着法によって約0.05μmのTiがコーティングされているものを使用した。半田内のフィラーの体積率が15%、半田の厚みが30μmになるように、フィーダー量、環状炉の温度、及び通線速さを調整し、各フィラー入りの表面層を有する平角導線を作製した。このようにして作製した各平角導線を試料L〜Pとする。また比較材として、フィラーを入れないで片側半田厚み30μmの平角導線を作製した。このようにして作製した平角導線を試料Qとする。
For supplying the filler, a feeder for supplying the filler was provided, the filler was brought into contact with the surface of the molten solder, and the filler was press-fitted into the solder plating layer with a press roller immediately after.
The filler was classified by a sieve, and the maximum diameter was 25 μm. As the alumina filler and the silica filler, those coated with about 0.05 μm Ti by vapor deposition were used. Adjusting the amount of feeder, the temperature of the annular furnace, and the wire speed so that the volume ratio of the filler in the solder is 15% and the thickness of the solder is 30 μm, and a rectangular conductor having a surface layer containing each filler is produced. did. The flat conductor wires thus produced are designated as samples L to P. Further, as a comparative material, a rectangular conductor wire having a one-side solder thickness of 30 μm was prepared without adding a filler. The flat conducting wire thus produced is designated as sample Q.

エアロゾル法によるインターコネクタの作製は次のような方法で行った。銅芯材は、溶融めっきで使用したものと同じものを使用したが、半田の被覆を施す前に、アセトンで脱脂を行った。
アルミナフィラーは、溶融めっきで作製したアルミナフィラーの、Tiをコーティングする前の同じ粒径のものを使用した。半田は、溶融めっきに使用した半田と同じ成分で、粒度35μmのものを使用した。これらの粉体をアルミナフィラーの体積率が15%になるように混合したものをエアロゾル噴射用原料とした。
Fabrication of the interconnector by the aerosol method was performed by the following method. The copper core material used was the same as that used in hot dipping, but was degreased with acetone before the solder coating was applied.
As the alumina filler, an alumina filler prepared by hot dip plating and having the same particle diameter before coating with Ti was used. The solder used was the same component as the solder used for hot dipping and had a particle size of 35 μm. A mixture of these powders so that the volume fraction of alumina filler was 15% was used as an aerosol injection raw material.

エアロゾルによる被覆時の作動ガスには窒素ガスを使用し、作動温度150℃、圧力2MPa、銅線部の送線速さを100mm/sで、銅線部の片面ずつ、片側35μmの膜厚になるようにして、両面を成膜した。このようにして作製した平角導線を試料Rとした。
また、比較材として、アルミナを含有しない半田原料を使用して平角導線を作製した。このようにして作製した平角導線を試料Sとした。
Nitrogen gas is used as the working gas when coating with aerosol, the operating temperature is 150 ° C., the pressure is 2 MPa, the wire feeding speed of the copper wire is 100 mm / s, and the thickness of each side of the copper wire is 35 μm on one side. Thus, both sides were formed into a film. The rectangular conductor wire thus produced was designated as Sample R.
Further, as a comparative material, a rectangular conductive wire was produced using a solder raw material not containing alumina. The flat conductor wire thus produced was designated as Sample S.

上記の平角導線を2本用い、一定の圧力で厚み190μm、170mm角の太陽電池セル上に平行に2列設けた3mm×5mmサイズの銀ペーストを焼成してなる電極上にそれぞれ実装した。実装時には、半田の融点以上で各フィラーの融点よりも低い温度で半田を溶融せて接合した。実装した平角導線の長さは太陽電池セルと同じ170mmであり、太陽電池セル上の銀電極の中心線に沿って実装した。太陽電池セルと平角導線とを、実装する長さ方向に5mmずらして接合した。接合後、平角導線からはみ出す半田を観察し、太陽電池セルの反り・クラックの状態を測定した。
その結果を表2に示す。半田のはみ出し、及びクラックの評価は実施例2と同じである。
Two flat conductive wires were used, and each was mounted on an electrode formed by firing silver paste having a size of 3 mm × 5 mm provided in parallel in two rows on a solar cell having a thickness of 190 μm and a 170 mm square at a constant pressure. At the time of mounting, the solder was melted and joined at a temperature higher than the melting point of the solder and lower than the melting point of each filler. The length of the mounted flat conducting wire was 170 mm, which was the same as that of the solar battery cell, and was mounted along the center line of the silver electrode on the solar battery cell. The solar battery cell and the flat conducting wire were joined while being shifted by 5 mm in the mounting length direction. After joining, the solder protruding from the flat wire was observed, and the state of warpage / crack of the solar cell was measured.
The results are shown in Table 2. Evaluation of solder protrusion and cracks is the same as in Example 2.

Figure 0005397415
Figure 0005397415

半田のはみ出し及びクラックは、フィラーが含有されているものとされていないもので大きく異なった。アルミナフィラーを含有した表面層を有する平角導線、シリカフィラーを含有した表面層を有する平角導線を実装した後の、太陽電池セルの反りは極めて小さく、クラックの発生も認められなかった。これは、アルミナ及びシリカの熱膨張係数が小さいため、接合部分の熱収縮が小さくなってシリコンに近づいたため、接合界面での熱応力が小さくなったことに起因する。即ち、アルミナ、シリカのフィラーを用いると熱応力の緩和層として作用することが判った。     The solder protrusions and cracks differed greatly depending on whether the filler was contained or not. After mounting a flat conductor having a surface layer containing an alumina filler and a flat conductor having a surface layer containing a silica filler, the warpage of the solar battery cell was extremely small, and no cracks were observed. This is because the thermal expansion coefficient of alumina and silica is small, so that the thermal contraction of the joint portion becomes small and approaches to silicon, so that the thermal stress at the joint interface is small. That is, it has been found that when an alumina or silica filler is used, it acts as a thermal stress relaxation layer.

次に、太陽電池セルから5mmはみ出した平角導線の端部と、平角導線と接合されていない露出した電極面との間で電気抵抗値を測定した。その結果、アルミニウム、銀をフィラーとして含有させた表面層を有する平角導線の電気抵抗値が最も低かった。これは、アルミニウム、銀が半田に比較して良導体であることから、フィラーを経由しても電流が流れるためである。また、フィラーを含有させていない表面層を有する平角導線の電気抵抗値が最も高かった。これは、クラックの発生で電極が部分的に剥離してしまったためである。即ち、アルミニウム、銀のフィラーを用いると表面層の電気抵抗値が低下することが明らかになった。   Next, the electrical resistance value was measured between the end portion of the flat conducting wire protruding 5 mm from the solar battery cell and the exposed electrode surface not joined to the flat conducting wire. As a result, the electrical resistance value of the flat wire having the surface layer containing aluminum and silver as a filler was the lowest. This is because aluminum and silver are good conductors compared to solder, so that current flows even through the filler. Moreover, the electrical resistance value of the flat wire having the surface layer not containing the filler was the highest. This is because the electrode was partially peeled off due to the occurrence of cracks. That is, it has been clarified that when the aluminum or silver filler is used, the electrical resistance value of the surface layer is lowered.

1 銅線部
2 表面層
2a 半田めっき
2b フィラー
10 太陽光
11 太陽電池セル
12 電極
13 インターコネクタ
14 EVA接着層
15 保護ガラス
16 バックフィルム
21 溶融半田めっき浴
22 銅線ガイド
23 フィラーホッパー
24 フィラーガイド
25 圧接ローラー
30 半田粉とフィラーとの混合物
31 混合物チャンバー
32 ノズル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Copper wire part 2 Surface layer 2a Solder plating 2b Filler 10 Sunlight 11 Solar cell 12 Electrode 13 Interconnector 14 EVA adhesion layer 15 Protective glass 16 Back film 21 Molten solder plating bath 22 Copper wire guide 23 Filler hopper 24 Filler guide 25 Pressure roller 30 Mixture 31 of solder powder and filler 31 Mixture chamber 32 Nozzle

Claims (1)

太陽電池セルを構成する半導体基板と、
前記半導体基板の表面上に形成された電極と、
前記電極と接続された太陽電池用インターコネクタと
備え
前記太陽電池用インターコネクタは、
平角の電気導線部と、
前記電気導線部の幅広の両面を覆い、一方の面の厚みが10μm〜40μmの表面層と
を有しており、
前記表面層は、半田内に前記半田よりも融点の高い最大径が10μm〜40μmの粒状のフィラーが分散された材料からなり、前記一方の面を覆う部分が前記フィラーのうちの前記最大径のものにより規定された一定の厚みとされ、前記幅広の他方の面を覆う部分が前記一方の面を覆う部分よりも前記半田の量が少なく前記フィラーの存在により表面に凹凸が形成されており、
前記太陽電池用インターコネクタの前記表面層の前記一方の面を介して、前記電気導線部と前記電極とが電気的に接続され、前記表面層の前記他方の面が前記電気導線部の受光面側で前記電極との非接続部位となることを特徴とする太陽電池モジュール。
A semiconductor substrate constituting a solar battery cell;
An electrode formed on the surface of the semiconductor substrate;
And a interconnector for a solar cell connected to said electrode,
The solar cell interconnector is
A flat electrical conductor,
A surface layer having a thickness of 10 μm to 40 μm, covering both wide surfaces of the electrical conductor portion;
Have
The surface layer is made of a material in which a granular filler having a maximum diameter of 10 μm to 40 μm having a melting point higher than that of the solder is dispersed in the solder, and a portion covering the one surface has the maximum diameter of the filler. It is a constant thickness defined by the thing, the part covering the other surface of the wide is less uneven than the part covering the one surface, the surface is uneven due to the presence of the filler,
The electrical conductor portion and the electrode are electrically connected via the one surface of the surface layer of the solar cell interconnector, and the other surface of the surface layer is a light receiving surface of the electrical conductor portion. A solar cell module, wherein the solar cell module is a non-connected portion with the electrode on the side .
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