JP5392888B2 - 近接場テラヘルツ光検出器 - Google Patents
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Description
特にテラヘルツ光を用いた画像形成技術(以下、「THzイメージング技術」という)は、テラヘルツ光が可視光では不透明な物質を適度に透過すること、光子エネルギーがmeVという様々な物質・材料の重要なエネルギー領域に属すること、等の特有の特性を有することから、人体検査や材料評価などの分野で強力な計測ツールとなることが期待されている。
特に、THzイメージング技術では、テラヘルツ光の波長が可視光等と比較して長く、かつ空間分解能は回折限界により波長の1/2程度に制限されるため、空間分解能が可視光等と比較して低い問題点がある。
「近接場光」とは、物体の表面に極めて薄くまとわりついている光であり、通常の光のように空間中を伝播しない特性を有する。例えばブリズム内の全反射点において、全反射される光が境界面から空気側に滲みだしていることが知られておい、この空気側に滲みだした光を近接場光又はエバネッセント光(Evanescent light)と呼ぶ。
しかし、近接場光は、通常の光のように空間中を伝播しないため、回折限界を生じない特性がある。そこで、近接場光を用いることで回折限界を超える分解能を有する顕微鏡が可能となる。
アパーチャ型では、導波路を用いてテラヘルツ光を微小開口に集光させ、微小開口で近接場光を形成し、この近接場光に近接した対象物を透過する近接場光を検出器で検出し、これから対象物の画像を形成している。
また、アパーチャレス型では、探針の先端にテラヘルツ光を照射し、その先端に近接場光を形成し、この近接場光に近接した対象物を透過又は反射する近接場光を検出器で検出し、これから対象物の画像を形成している。
また、近接場光を利用しているにも係わらず、その分解能は波長の1/4程度にすぎず、1桁以上高い分解能は安定して得られなかった。
該半導体チップの表面を覆う絶縁被膜と、
該絶縁被膜の表面を覆いテラヘルツ光を遮光可能な導電性被膜とを備え、
前記導電性被膜は、最大寸法がテラヘルツ光の波長よりも1桁以上短いアパーチャを有し、
さらに、導電性被膜と半導体チップの間に平面状の1対の導電性プローブを備え、該導電性プローブは、前記絶縁被膜により導電性被膜から絶縁され、かつ内側の先端部が前記アパーチャの内側に位置しており、
前記導電性プローブが、前記半導体チップの表面に沿って密着して設けられ、かつ先端部がテラヘルツ光の波長よりも1桁以上短い間隔で対向して位置し、
前記導電性プローブによりアパーチャ近傍の電界分布が変化して、大きな電場引込み効果が生じ、近接場の電場分布が空間的に変調され、導電性プローブの先端部を超える遠方まで伸びる、ことを特徴とする近接場テラヘルツ光検出器が提供される。
更に、前記1対の導電性プローブを挟んでその長さ方向外側に間隔を開けて位置し、半導体チップの表面に密着して設けられた導電性のソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極とドレイン電極の間に一定の電流を流してその間の電圧変化を検出する電圧計測器を備える。
更に、前記カーボンナノチューブの長さ方向両端に接続し、半導体基板の表面に密着して設けられた導電性のソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極とドレイン電極の間に一定の電圧を印加してその間の電流変化を検出する電流計測器を備える。
そのため、導電性被膜のアパーチャに向けてテラヘルツ光を照射しても、回折限界により波長の長いテラヘルツ光はアパーチャを通過できず、近接場光がアパーチャ近傍に局在する状態となる。
また、アパーチャの最大寸法は、テラヘルツ光の波長よりも1桁以上短く設定でき、この寸法で近接場光による対象物の分解能が決まるので、分解能をテラヘルツ光の波長の1/10以下まで高めることができることが実験により確認された。
HEMT(High Electron Mobility Transistor:高電子移動度トランジスタ)は、2次元電子ガス(「2DEG」と略称する)を利用したトランジスタであり、変調ドープにより、2次元電子ガスが形成され、電子移動速度が大きい特徴がある。従って、ソースからドレインに流れる電子電流を、高い電子移動速度を利用して高速に制御することができる。
なお「2次元電子ガス」とは、半導体と絶縁体あるいは異種半導体どうしの接合界面で界面に沿って運動する電子、すなわち、2次元平面にのみ運動量をもつ希薄な電子をいう。
この図に示すように、本発明の近接場テラヘルツ光検出器10は、半導体チップ12、1対の導電性プローブ14、ソース電極15及びドレイン電極16、絶縁被膜18、導電性被膜20を備える。
この例で、半導体チップ12は、表面から一定の位置(距離)に2次元電子ガス13が形成された上述した高電子移動度トランジスタ(HEMT)である。なお、図1におけるゲート、ソース及びドレインがないHEMTをここでは半導体チップ12と呼ぶ。
2次元電子ガス13の表面からの距離は、後述の実施例では約60nmであるが、60nm未満でも60nm以上でもよい。
後述の実施例において、導電性プローブ14は、100nm厚のAu薄膜である。なお、導電性プローブ14は1対に限定されず、絶縁被膜18により導電性被膜20から絶縁され、かつ先端部14aがアパーチャ21(後述する)の内側に位置するかぎりで、1つでも、3つ以上でもよい。
後述の実施例において、ソース電極15及びドレイン電極16は、120nm厚のAuGe/Ni/Auの合金膜である。
後述の実施例において、絶縁被膜18は、50nm厚のSiO2被膜である。
後述の実施例において、導電性被膜20は、200nm厚のAu薄膜である。
後述の実施例において、アパーチャ21は、直径8μmの円形穴であり、導電性プローブ14の先端部14aの間隔は、2〜3μmである。なお、アパーチャ21は円形穴に限定されず、矩形穴でもその他の形状であってもよい。
図2に示した近接場テラヘルツ光検出器10を以下の方法で製造した。
(1)GaAs/AlGaAsヘテロ構造ウェハから、長さ3mm,幅2mmの半導体チップ12を切り出した。このウェハは、77K(300K)において、電子移動度18(0.5)m2/Vs,シート電子密度4.4(11)×1015m−2の特性を有する。
(2)2次元電子ガス13は、通常のフォトリソグラフィとウェットエッチングにより、長さ1mm,幅0.1mmの矩形形状に形成した。
(3)2つの電極(ソース電極15及びドレイン電極16)は、120nm厚のAuGe/Ni/Auの合金膜からなり、半導体チップ12の両端と1対の導電性プローブ14を挟んでその長さ方向外側に積層させた。2つの電極は、チップの長さ方向両端まで延ばし、アニールすることで2次元電子ガスに対するオーミックな電極になる。
(4)次いで、チップ表面を、1対の導電性プローブ14(100nm厚のAu薄膜)、絶縁被膜18(50nm厚のSiO2被膜)、アパーチャ21のある導電性被膜20(200nm厚のAu薄膜、直径8μmの円形穴)で順に被覆した。
(5)2つの電極は、それぞれを電線で電圧計測器22に接続した。
図4(A)(B)において、GaAs/AlGaAs単一ヘテロ構造基板の表面上にプローブ14が蒸着されており、その上はSiO2の絶縁膜18を挟んでアパーチャ21のある導電性被膜20で覆われている。
この素子では、近接場光2をすぐ間近にある検出器(2次元電子ガス13の抵抗変化)で直接的に検出する。そのため、従来の近接場プローブを用いて透過あるいは散乱されたTHz光を離れた位置で検出器により検出する場合に比べて、far field光の影響を受けず、高効率な検出が可能となる。
図5は、図2のアパーチャ近傍の電界分布の解析結果である。この数値解析は、有限要素に基づく周知の電界解析用ソフトウェアを用いて行った。なおこの数値解析は、テラヘルツ光1の波長を波長200μmとして計算した。
図5(A)は、本発明のアパーチャ近傍の電界分布であり、図5(B)は、図4(C)の比較例の場合のアパーチャ近傍の電界分布である。なお、この図は実際の解析結果に基づき、電界強度の強い範囲(すなわち検出可能な電界強度の範囲)を破線で示している。
図5(A)と図5(B)の比較から、本発明の場合(図5(A))には、プローブ14の存在によって近接場2の電場分布が空間的に変調され、遠方(半導体チップ12の内部)まで伸びていることがわかる。
製造した本発明の検出器10と比較例の検出器(図4(C)参照)を4Heで13Kに冷却保持したクライスタット(低温保持装置)内に取付け、Mylarシートからなる光学窓を通してサンプルにテラヘルツ光を照射した。
テラヘルツ光の光源として、CO2ガスレーザで励起されたテラヘルツガスレーザを用いた。このテラヘルツガスレーザの出力は10mWであった。
テラヘルツ光はレンズで集光し、サンプルに照射した。また、光学窓は可視光を遮断するために、黒いポリエチレンフィルタで覆った。
テラヘルツ光の焦点寸法は約1mm2であり、サンプルに照射されたテラヘルツ光の強度は約630μW/mm2と見積られる。
本発明の検出器10と比較例の2DEG(2次元電子ガス)を通して、80μAの一定電流を流し、その間の電圧変化を検出した。
なお、サンプルとして、透過部50μm幅/不透過部80μm幅のLine&Space試料を用い、検出器の表面から一定の位置に保持して検出器をサンプルの表面に沿って移動し、テラヘルツ光の透過強度分布を測定した。
図6(A)はテラヘルツ光の波長λが118.8μmの場合、図6(B)はテラヘルツ光の波長λが214.6μmの場合である。各図において、横軸はTHz−NI deviceの位置、すなわちTHz−NI deviceの移動距離、縦軸はテラヘルツ光の透過強度である。なおテラヘルツ光の透過強度は、2次元電子ガスの電圧変化に相当する。
また、各図において、下側のほぼ水平な直線データは、アパーチャのみの比較例の検出器のデータであり、上側の周期的に変化しているデータは、本発明の検出器10のデータである。
この図から、アパーチャのみ(下側データ)の場合と比べて、アパーチャ+プローブ(上側データ)では、明確なプロファイルが観測でき、計算結果から予想される大きな電場引き込み効果を確認することができた。
この図から、本発明の検出器10の空間分解能は、テラヘルツ光の波長λが118.8μm、214.6μmの両方の場合において約9μmであり、テラヘルツ光の波長には依存しないことがわかる。
また、この約9μmの値は、214.6μmの波長の約24分の1に相当し、アパーチャ径にほぼ一致する。これらの事実から、本発明の検出器10は、テラヘルツ光の波長に依存せず、回折限界を突破した近接場THzイメージングが実現されたことを示している。
ここでは、波長よりも十分小さなサイズのアパーチャ部に発生した近接場2の電場分布(本来は一部分に局在している)をプローブ先端で遠方まで伸ばし、そこからすぐ下(60nm下)にある2次元電子ガス13の抵抗変化により読み取る仕組みになっている。この素子では、近接場光2をすぐ間近にある検出器(2次元電子ガス13の抵抗変化)で直接的に検出することができる。そのため、従来の近接場プローブを用いて透過あるいは散乱された電磁波を遠方の検出器で読み出す場合に比べて、far field光の影響を受けず、高効率な検出が期待できる。
この例において、半導体チップ12は、半導体基板24とカーボンナノチューブ25からなる。半導体基板24は、例えばSi基板である。またカーボンナノチューブ25は、半導体基板24の表面に位置し、テラヘルツ光の近接場光により表面に沿う長さ方向の電気抵抗が変化する特性を有する。
更に、この例において、導電性のソース電極26及びドレイン電極27と電流計測器28を備える。
ソース電極26及びドレイン電極27は、この例では、カーボンナノチューブ25の長さ方向両端に接続し、半導体基板24の表面に密着して設けられる。
また、電流計測器28は、ソース電極26とドレイン電極27の間に一定の電圧を印加し、その間の電流変化を検出する。
その他の構成は、第2実施形態と同様である。
10 近接場テラヘルツ光検出器(検出器)、
12 半導体チップ(HEMT、半導体基板)、
13 2次元電子ガス(2DEG)、
14 導電性プローブ、14a 先端部、
15 ソース電極、16 ドレイン電極、
18 絶縁被膜、20 導電性被膜、
21 アパーチャ、22 電圧計測器、
24 半導体基板(Si基板)、
25 カーボンナノチューブ、
26 ソース電極、27 ドレイン電極、
28 電流計測器
Claims (4)
- 外部からのテラヘルツ光で内部に発生する近接場光により表面に沿う長さ方向の電気抵抗が変化する半導体チップと、
該半導体チップの表面を覆う絶縁被膜と、
該絶縁被膜の表面を覆いテラヘルツ光を遮光可能な導電性被膜とを備え、
前記導電性被膜は、最大寸法がテラヘルツ光の波長よりも1桁以上短いアパーチャを有し、
さらに、導電性被膜と半導体チップの間に平面状の1対の導電性プローブを備え、該導電性プローブは、前記絶縁被膜により導電性被膜から絶縁され、かつ内側の先端部が前記アパーチャの内側に位置しており、
前記導電性プローブが、前記半導体チップの表面に沿って密着して設けられ、かつ先端部がテラヘルツ光の波長よりも1桁以上短い間隔で対向して位置し、
前記導電性プローブによりアパーチャ近傍の電界分布が変化して、大きな電場引込み効果が生じ、近接場の電場分布が空間的に変調され、導電性プローブの先端部を超える遠方まで伸びる、ことを特徴とする近接場テラヘルツ光検出器。 - 前記半導体チップは、表面から一定の位置に2次元電子ガスが形成された高電子移動度トランジスタ(HEMT)であり、
更に、前記1対の導電性プローブを挟んでその長さ方向外側に間隔を開けて位置し、半導体チップの表面に密着して設けられた導電性のソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極とドレイン電極の間に一定の電流を流してその間の電圧変化を検出する電圧計測器を備える、ことを特徴とする請求項1に記載の近接場テラヘルツ光検出器。 - 前記半導体チップは、半導体基板と、該半導体基板の表面に位置し、テラヘルツ光の近接場光により表面に沿う長さ方向の電気抵抗が変化するカーボンナノチューブとからなり、
更に、前記カーボンナノチューブの長さ方向両端に接続し、半導体基板の表面に密着して設けられた導電性のソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極とドレイン電極の間に一定の電圧を印加してその間の電流変化を検出する電流計測器を備える、ことを特徴とする請求項1に記載の近接場テラヘルツ光検出器。 - 前記半導体チップ、ソース電極及びドレイン電極、導電性プローブ、絶縁被膜、および導電性被膜は、この順に一体に成形され集積化される、ことを特徴とする請求項2又は3のいずれかに記載の近接場テラヘルツ光検出器。
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