JP5391383B2 - 表面に元素薄膜が存在する微小体の識別法 - Google Patents
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Description
(1)1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む層状構造で被覆された微小体を識別する方法であって、
上記微小体に電子線を照射する工程、
上記層状構造からの反射電子量を測定する工程、および
上記反射電子量により上記微小体を識別する工程、
を含む、方法。
(2)1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む層状構造で被覆された1種または2種以上の微小体を1種または2種以上の標的分子の標識として使用する方法であって、
上記微小体を上記標的分子に固定する工程、
上記微小体に電子線を照射する工程、
上記層状構造からの反射電子量を測定する工程、および
上記反射電子量により上記微小体を識別する工程、
を含む、方法。
(4)上記層状構造が、上記微小体表面上に積層された1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体の薄膜から構成されている、上記(1)〜(3)のいずれかに記載の方法。
(5)上記薄膜の各々の厚さが、約1 nmから約1ミクロンの範囲である、上記(4)に記載の方法。
(6)上記薄膜が、抵抗加熱式蒸着法、化学気相成長法、または物理気相成長法により形成されたものである、上記(5)に記載の方法。
(7)上記微小体が、1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む層状構造で被覆された微粒子、ブロック状の構造体、結晶成長した微小構造物、生体分子、または有機分子である、上記(1)〜(6)のいずれかに記載の方法。
(8)上記微小体のサイズが、約5nmから約100ミクロンの範囲である、上記(7)に記載の方法。
(9)上記電子線を照射する工程が、
上記照射する電子線の加速電圧を適宜設定または変化させることによって、上記電子線の上記層状構造への層間方向における到達距離を適宜設定または変化させ、それにより、上記1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体の所望の層からの反射電子を検出可能とすることを含み、
上記反射電子量により上記微小体を識別する工程が、
上記層状構造の所定の層からの反射電子量の特徴、または上記層状構造の複数の層からの反射電子量の特徴により、上記微小体を識別することを含む、
上記(1)〜(8)のいずれかに記載の方法。
(10)上記電子線を照射する工程が、
上記電子線の加速電圧を、約0.1kVから約30 kVの範囲内の所定の値に設定するか、またはその範囲内で変化させることを含む、
上記(9)に記載の方法。
(11)上記層状構造が、1個または2個以上の基準層(reference layer)と、1個または2個以上の可変層(variable layer)とを備え、
上記基準層は他の層状構造と共通する元素から構成され、
上記可変層は他の層状構造と区別できる異なる元素または異なる元素の組合せから構成されている、
上記(1)〜(10)のいずれかに記載の方法。
(12)上記基準層が上記層状構造の最も外側表面に形成され、上記基準層の内側に上記可変層が形成されており、上記基準層に標的分子を固定化可能である、上記(11)に記載の方法。
(13)1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む層状構造で被覆された微小体であって、上記微小体に対して照射された電子線の反射電子量に基づいて上記微小体を識別する方法に使用するための、微小体。
(14)上記層状構造が、1個または2個以上の基準層(reference layer)と、1個または2個以上の可変層(variable layer)とを備え、
上記基準層は他の層状構造と共通する元素から構成され、
上記可変層は他の層状構造と区別できる異なる元素または異なる元素の組合せから構成されている、
上記(13)に記載の微小体。
(15)上記基準層が上記層状構造の最も外側表面に形成され、上記基準層の内側に上記可変層が形成されており、上記基準層に標的分子を固定化可能である、上記(14)に記載の微小体。
(16)上記微小体が、1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む層状構造で被覆された微粒子、ブロック状の構造体、結晶成長した微小構造物、生体分子、または有機分子である、上記(13)〜(15)のいずれかに記載の微小体。
(17)約5nmから約100ミクロンの範囲のサイズである、上記(13)〜(16)のいずれかに記載の微小体。
(18)上記層状構造が、上記1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体の薄膜で構成されている、上記(13)〜(17)のいずれかに記載の微小体。
(19)上記薄膜の各々の厚さが、約1 nmから約1ミクロンの範囲であり、かつオングストローム単位で厳密に制御されて形成されている、上記(18)に記載の微小体。
(20)上記(1)〜(12)のいずれかに記載の方法に使用するための、上記(13)〜(19)のいずれかに記載の微小体。
(21)1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む層状構造で被覆された1種または2種以上の微小体を含むキットであって、上記微小体に対して照射された電子線の反射電子量に基づいて上記微小体を識別する方法に使用するための、標的分子識別用微小体キット。
(22)上記(13)〜(20)のいずれかに記載の微小体を1種または2種以上含む、標的分子識別用微小体キット。
(23)使用説明書をさらに含む、上記(21)または(22)に記載の標的分子識別用微小体キット。
(24)上記(13)〜(20)のいずれかに記載の微小体の製造方法であって、
微小体の表面に1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む元素を順次蒸着させて、上記元素の薄膜の層状構造を形成する工程を含む、方法。
(25)上記薄膜が、抵抗加熱式蒸着法、化学気相成長法、または物理気相成長法により形成される、上記(24)に記載の方法。
本発明は、1つの実施形態において、1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む層状構造で被覆された微小体を識別する方法を提供する。この方法は、
微小体に電子線を照射する工程、
層状構造からの反射電子量を測定する工程、および
反射電子量により微小体を識別する工程、
を含む。
微小体を標的分子に固定する工程、
微小体に電子線を照射する工程、
層状構造からの反射電子量を測定する工程、および
反射電子量により微小体を識別する工程、
を含む。
本明細書中、「遷移金属」とは、遷移元素を意味し、周期表の3族から11族の元素をいうものとする。本発明に使用する「遷移金属」としては、原子番号43番を除く21番から79番までの遷移金属が好ましい。
本明細書中、「半導体」という用語は、当該分野で通常用いられる意味(「室温における電気伝導率σが、金属と絶縁体の中間の103〜10−10S/cm程度である物質」(岩波 理化学辞典 第5版、1998 岩波書店))で用いられる。本発明において使用する「半導体」としては、例えば、Si、Se、Teなどが好ましい。
本発明はまた、別の実施形態において、1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む層状構造で被覆された微小体を提供する。この微小体は、該微小体に対して照射された電子線の反射電子量に基づいてその微小体を識別する方法に使用されることができる。
本発明はさらに別の実施形態において、1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む層状構造で被覆された1種または2種以上の微小体を含む、標的分子識別用微小体キットを提供する。このキットは、微小体に対して照射された電子線の反射電子量に基づいてその微小体を識別する方法において使用されることができる。本発明のキットは、本発明の微小体を1種または2種以上含むことができる。さらに本発明のキットは、使用説明書を含むことができる。本発明のキットは、典型的には、上記本発明の微小体の識別方法または標識(タグ)としての該微小体の使用方法において使用される。
本発明はさらに別の実施形態において、本発明の微小体の製造方法を提供する。この方法は、任意の素材(例:ポリスチレンビーズ、ガラスビーズ、シリコン小片、酸化亜鉛結晶等)からなる「微小体」の表面に1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む元素を順次蒸着させて、上記元素の薄膜の層状構造を形成する工程を含む。この薄膜は、典型的には、抵抗加熱式蒸着法、化学気相成長法、または物理気相成長法により形成される。なかでも、扱いが容易で膜厚をオングストローム単位で厳密に制御することができる抵抗加熱式蒸着装置による方法が好ましい。
(1)原子番号43番を除く79番までの遷移金属、
(2)原子番号13,31,32,33,49,50,51,81,82,83番の金属、および
(3)原子番号14,34,52番の半導体
である。
電子銃13−1から発せられた電子線13−2の電子が微小体1,2,3,4,5に衝突した際、微小体から2次電子13−3および反射電子13−4が放出される。この2次電子を検出器13−5、反射電子を検出器13−6で捕捉する。検出器13−5で検出された2次電子をもとに、2次電子線画像が得られ、微小体の位置と大きさが特定される。検出器13−6で検出された反射電子をもとに、反射電子線画像が得られ、微小体の位置と大きさおよび材質が特定される。2次電子線画像は反射電子線画像に比べて高分解能かつ高速に得られるため、微小体の位置と大きさを詳しく調べる際に反射電子画像と適宜併用するのがよい。
Claims (19)
- 1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む層状構造で被覆された1種または2種以上の微小体を1種または2種以上の標的分子の標識として使用する方法であって、
前記微小体を前記標的分子に固定する工程、
前記微小体に電子線を照射する工程、
前記層状構造からの反射電子量を測定する工程、および
前記反射電子量により前記微小体を識別する工程、
を含み、
前記層状構造が、1個または2個以上の基準層と、1個または2個以上の可変層とを備え、
前記標的分子を固定化可能な元素から構成された前記基準層の1個が前記層状構造の最も外側表面に形成され、
前記可変層は他の微小体と区別できる異なる元素または異なる元素の組合せから構成されている、
方法。 - 前記層状構造において、前記可変層の層の数、各層を構成する元素の種類および/または各層の厚さ、またはそれらの組合せを前記微小体毎に変化させることにより、前記微小体毎に異なる前記可変層からの反射電子量を示すものとし、それによって、該反射電子量に基づいて1つの微小体を他の微小体から識別可能なものとする、請求項1に記載の方法。
- 前記層状構造が、前記微小体表面上に積層された1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体の薄膜から構成されている、請求項1または2に記載の方法。
- 前記薄膜の各々の厚さが、約1 nmから約1ミクロンの範囲である、請求項3に記載の方法。
- 前記薄膜が、抵抗加熱式蒸着法、化学気相成長法、または物理気相成長法により形成されたものである、請求項4に記載の方法。
- 前記微小体が、1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む層状構造で被覆された、微粒子、ブロック状の構造体、結晶成長した微小構造物、生体分子、または有機分子である、請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- 前記微小体のサイズが、約5nmから約100ミクロンの範囲である、請求項6に記載の方法。
- 前記電子線を照射する工程が、
前記照射する電子線の加速電圧を適宜設定または変化させることによって、前記電子線の前記層状構造への層間方向における到達距離を適宜設定または変化させ、それにより、前記1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体の所望の層からの反射電子を検出可能とすることを含み、
前記反射電子量により前記微小体を識別する工程が、
前記層状構造の前記可変層からの反射電子量の特徴、または前記層状構造の複数の層からの反射電子量の特徴により、前記微小体を識別することを含む、
請求項1〜7のいずれかに記載の方法。 - 前記電子線を照射する工程が、
前記電子線の加速電圧を、約0.1kVから約30 kVの範囲内の所定の値に設定するか、またはその範囲内で変化させることを含む、
請求項8に記載の方法。 - 微小体に対して照射された電子線の反射電子量に基づいて前記微小体を識別する方法に使用するための、1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む層状構造で被覆された微小体であって、
前記層状構造が、1個または2個以上の基準層と、1個または2個以上の可変層とを備え、
標的分子を固定化可能な元素から構成された前記基準層の1個が前記層状構造の最も外側表面に形成され、
前記可変層は他の微小体と区別できる異なる元素または異なる元素の組合せから構成されている、微小体。 - 前記微小体が、1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む層状構造で被覆された微粒子、ブロック状の構造体、結晶成長した微小構造物、生体分子、または有機分子である、請求項10に記載の微小体。
- 約5nmから約100ミクロンの範囲のサイズである、請求項10または11に記載の微小体。
- 前記層状構造が、前記1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体の薄膜で構成されている、請求項10〜12のいずれかに記載の微小体。
- 前記薄膜の各々の厚さが、約1 nmから約1ミクロンの範囲であり、かつオングストローム単位で厳密に制御されて形成されている、請求項13に記載の微小体。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の方法に使用するための、請求項10〜14のいずれかに記載の微小体。
- 請求項10〜15のいずれかに記載の微小体を1種または2種以上含む、標的分子識別用微小体キット。
- 使用説明書をさらに含む、請求項16に記載の標的分子識別用微小体キット。
- 請求項10〜15のいずれかに記載の微小体の製造方法であって、
微小体の表面に1種または2種以上の金属、遷移金属、または半導体を含む元素を順次蒸着させて、前記元素の薄膜の層状構造を形成する工程を含む、方法。 - 前記薄膜が、抵抗加熱式蒸着法、化学気相成長法、または物理気相成長法により形成される、請求項18に記載の方法。
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