JP5388976B2 - 半導体記憶制御装置 - Google Patents
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Description
まず、本実施の形態に係る半導体記憶制御装置のハードウェア構成について図1を用いて説明する。本実施の形態の半導体記憶制御装置であるRAIDコントローラ50には、サーバ100と複数の半導体記憶装置(SSD)60がそれぞれインタフェースを介して接続される。インタフェースとは、Fibre ChannelやSAS、iSCSI等である。RAIDコントローラ50は、サーバ通信部51と、コントローラ52と、デバイス制御部53と、メモリ54とを有する。また、図示しないが、RAIDコントローラ50には、システムプログラムを記憶する不揮発メモリが搭載される。更に、RAIDコントローラ50には、情報を表示する表示部が接続されても良い。
次に、半導体記憶制御装置の第2の実施の形態について説明する。なお、上述の第1の実施の形態と共通する部分については、同一の符号を使用して説明したり、説明を省略したりする。
なお、本発明は前記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、前記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。また、以下に例示するような種々の変形が可能である。
51 サーバ通信部
52 コントローラ
53 デバイス制御部
54 メモリ
70 サーバ通信制御部
71 バッファ制御部
71a タイミング制御部
72 アドレス変換部
72a 変換制御部
72b ブロック番号変換部
72c ページ番号変換部
73 管理テーブル構築部
74 デバイス制御部
75 データバッファ
76 管理テーブル
76a 1段目アドレス変換テーブル
76b 2段目アドレス変換テーブル
76c 3段目アドレス変換テーブル
80 管理テーブル記憶部
100 サーバ
Claims (5)
- 複数の半導体記憶ドライブが接続され、情報処理装置から論理アドレスが指定されて書き込みが要求されたデータを前記半導体記憶ドライブへ書き込む半導体記憶制御装置であって、
前記データは、1つ以上の所定の単位の第1データを有し、
前記論理アドレスと、前記半導体記憶ドライブにおいて前記データが各々書き込まれる位置を示す物理アドレスと、所定の数の前記第1データ、および、前記所定の数の前記第1データを用いて計算され当該所定の数の前記第1データの誤りを訂正するために使われる冗長情報から構成される誤り訂正符号に対応する各前記半導体記憶ドライブの記憶領域の組を識別する識別情報と、の対応関係を示す第1テーブルを記憶する第1テーブル記憶領域を、前記半導体記憶ドライブの諸元の情報を用いて構築する構築部と、
前記論理アドレスが指定された前記第1データの書き込みを要求する書き込みコマンドを一時的に記憶するデータバッファと、
前記データバッファに記憶された前記第1データが前記所定の数に到達した場合、前記所定の数の前記第1データを用いて、前記冗長情報を算出する冗長情報算出部と、
前記データバッファに記憶された前記第1データが前記所定の数に到達した場合、書き込み対象となる前記組を識別する前記識別情報を決定する決定部と、
前記データバッファに記憶された前記第1データが前記所定の数に到達した場合、前記決定部により決定された前記識別情報により識別される前記組に対して、前記データバッファに記憶された前記所定の数の前記第1データおよび前記冗長情報算出部により算出された前記冗長情報から構成される前記誤り訂正符号の書き込みを行う書き込み制御部と、
前記書き込み制御部による書き込みが行われる前記所定の数の前記第1データごとに、前記論理アドレスと、前記書き込み制御部によって当該第1データが書き込まれた何れかの前記半導体記憶ドライブの前記物理アドレスと、前記決定部により決定された前記識別情報とを対応付けて得られる前記第1テーブルを前記第1テーブル記憶領域に記憶させるテーブル制御部と、
前記半導体記憶ドライブから前記データ及び前記冗長情報のうち少なくとも一方を読み出す制御部であって、所定の単位毎の第2データを前記半導体記憶ドライブから読み出し、当該第2データに誤りがある場合、前記第1テーブルを参照して、当該第2データと関連付けられた他の第2データ及び前記冗長情報を読み出して、前記他の第2データ及び前記冗長情報を用いて、前記第2データを復元する読み出し制御部と、
複数の前記半導体記憶ドライブのうち少なくとも1つの第1半導体記憶ドライブが第2半導体記憶ドライブに変更された場合、当該第2半導体記憶ドライブの諸元の情報を用いて、所定の条件に基づいて、前記第1半導体記憶ドライブに記憶されたデータを前記第2半導体ドライブに復元するか否かを決定する第2決定部と、を備え、
前記読み出し制御部は、前記第1半導体記憶ドライブに記憶されたデータを前記第2半導体ドライブに復元すると決定された場合、前記第1テーブルを参照して、前記第1半導体記憶ドライブに記憶された所定の単位毎の第2データと関連付けられた他の第2データ及び前記冗長情報を読み出して、前記他の第2データ及び前記冗長情報を用いて、前記第2データを復元し、
前記書き込み制御部は、復元された前記第2データを前記第2半導体記憶ドライブに書き込み、
前記テーブル制御部は、前記書き込み制御部が前記第1半導体記憶ドライブに書き込んだ前記第2データの物理アドレスを前記第1テーブル記憶領域に記憶させることにより、前記第1テーブルを更新する
ことを特徴とする半導体記憶制御装置。 - 前記第1テーブルは、前記論理アドレスと、前記識別情報と、前記論理アドレスに対応する前記第1データが書き込まれる前記記憶領域を有する前記半導体記憶ドライブに割り当てられたドライブ番号と、前記論理アドレスに対応する前記第1データが書き込まれる、前記記憶領域内のページ領域を識別するページ番号とが対応付けられた第1アドレス変換テーブル、および、前記識別情報と、前記組に属する各前記半導体記憶ドライブの前記記憶領域を識別するブロック番号と、が対応付けられた第2アドレス変換テーブルから構成され、
前記テーブル制御部は、前記書き込み制御部による書き込みが行われる前記所定の数の前記第1データごとに、前記論理アドレスと、前記決定部により決定された前記識別情報と、前記書き込み制御部によって当該第1データが書き込まれた何れかの前記半導体記憶ドライブに対応する前記ドライブ番号と、前記書き込み制御部によって当該第1データが書き込まれた何れかの前記半導体記憶ドライブの前記記憶領域内の前記ページ領域を識別する前記ページ番号と、を対応付けて前記第1アドレス変換テーブルに記憶させる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶制御装置。 - 前記諸元の情報は、ブロックサイズを少なくとも示し、
前記構築部は、更に、前記第2半導体記憶ドライブの諸元の情報によって示されるブロックサイズが、前記他の第2データが記憶されている他の半導体記憶ドライブのブロックサイズと異なる場合、前記第1半導体記憶ドライブの第1物理アドレス及び前記第2半導体記憶ドライブの第2物理アドレスの対応関係を示す第2テーブルを記憶する第2テーブル記憶領域を構築し、
前記第2半導体記憶ドライブの諸元の情報によって示されるブロックサイズが、前記他の第2データが記憶されている他の半導体記憶ドライブのブロックサイズと異なる場合、各前記ブロックサイズに応じて、前記第1物理アドレスを前記第2物理アドレスに変換する第1変換部を更に備え、
前記テーブル制御部は、前記第1テーブル記憶領域に記憶されている前記第1物理アドレスと前記第2物理アドレスとを対応付けた前記第2テーブルを前記第2テーブル記憶領域に記憶させる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶制御装置。 - 前記諸元の情報は、ページサイズを少なくとも示し、
前記構築部は、更に、前記第2半導体記憶ドライブの諸元の情報によって示されるページサイズが、前記他の第2データが記憶されている他の半導体記憶ドライブのページサイズと異なる場合、前記第1半導体記憶ドライブの第1物理アドレス及び前記第2半導体記憶ドライブの第2物理アドレスの対応関係を示す第2テーブルを記憶する第2テーブル記憶領域を構築し、
前記第2半導体記憶ドライブの諸元の情報によって示されるページサイズが、前記他の第2データが記憶されている他の半導体記憶ドライブのページサイズと異なる場合、各前記ページサイズに応じて、前記第1物理アドレスを前記第2物理アドレスに変換する第1変換部を更に備え、
前記テーブル制御部は、前記第1テーブル記憶領域に記憶されている前記第1物理アドレスと前記第2物理アドレスとを対応付けた前記第2テーブルを前記第2テーブル記憶領域に記憶させる
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶制御装置。 - 前記所定の単位は、ページであり、
前記第1データは、ページ毎のデータである、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶制御装置。
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