JP2012068862A - 半導体記憶制御装置 - Google Patents
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- G06F2212/7208—Multiple device management, e.g. distributing data over multiple flash devices
Abstract
【解決手段】複数の半導体記憶ドライブが接続され、情報処理装置から論理アドレスが指定されて書き込みが要求されたデータを半導体記憶ドライブへ書き込む半導体記憶制御装置は、所定の単位毎の第1データと、所定の数の第1データを用いて計算され当該所定の数の第1データの誤りを訂正するために使われる冗長情報とを異なる半導体記憶ドライブに各々書き込む書き込み制御部と、半導体記憶ドライブの諸元の情報を用いて第1テーブルを記憶する第1テーブル記憶領域を構築する構築部と、所定の数の第1データ及び冗長情報を関連付けるための識別情報と、半導体記憶ドライブに書き込まれた所定の数の第1データの各物理アドレス及び論理アドレスと、冗長情報の物理アドレスとを対応付けられた第1テーブルを第1テーブル記憶領域に記憶させるテーブル制御部とを備える。
【選択図】 図1
Description
まず、本実施の形態に係る半導体記憶制御装置のハードウェア構成について図1を用いて説明する。本実施の形態の半導体記憶制御装置であるRAIDコントローラ50には、サーバ100と複数の半導体記憶装置(SSD)60がそれぞれインタフェースを介して接続される。インタフェースとは、Fibre ChannelやSAS、iSCSI等である。RAIDコントローラ50は、サーバ通信部51と、コントローラ52と、デバイス制御部53と、メモリ54とを有する。また、図示しないが、RAIDコントローラ50には、システムプログラムを記憶する不揮発メモリが搭載される。更に、RAIDコントローラ50には、情報を表示する表示部が接続されても良い。
次に、半導体記憶制御装置の第2の実施の形態について説明する。なお、上述の第1の実施の形態と共通する部分については、同一の符号を使用して説明したり、説明を省略したりする。
なお、本発明は前記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、前記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。また、以下に例示するような種々の変形が可能である。
51 サーバ通信部
52 コントローラ
53 デバイス制御部
54 メモリ
70 サーバ通信制御部
71 バッファ制御部
71a タイミング制御部
72 アドレス変換部
72a 変換制御部
72b ブロック番号変換部
72c ページ番号変換部
73 管理テーブル構築部
74 デバイス制御部
75 データバッファ
76 管理テーブル
76a 1段目アドレス変換テーブル
76b 2段目アドレス変換テーブル
76c 3段目アドレス変換テーブル
80 管理テーブル記憶部
100 サーバ
Claims (6)
- 複数の半導体記憶ドライブが接続され、情報処理装置から論理アドレスが指定されて書き込みが要求されたデータを前記半導体記憶ドライブへ書き込む半導体記憶制御装置であって、
前記データは、1つ以上の所定の単位の第1データを有し、
所定の単位毎の前記第1データと、所定の数の前記第1データを用いて計算され当該所定の数の第1データの誤りを訂正するために使われる冗長情報とを異なる半導体記憶ドライブに各々書き込む書き込み制御部と、
前記論理アドレスと、前記半導体記憶ドライブにおいて前記データが各々書き込まれる位置を示す物理アドレスとの対応関係と、前記所定の数の前記第1データ及び前記冗長情報を関連付けるための識別情報とを示すための第1テーブルを記憶する第1テーブル記憶領域を、前記半導体記憶ドライブの諸元の情報を用いて構築する構築部と、
前記識別情報と、前記書き込み制御部が前記半導体記憶ドライブに書き込んだ所定の数の前記第1データの各前記物理アドレス及び前記論理アドレスと、前記冗長情報が書き込まれる位置を示す物理アドレスとを対応付けられた前記第1テーブルを前記第1テーブル記憶領域に記憶させるテーブル制御部とを備える
ことを特徴とする半導体記憶制御装置。 - 前記半導体記憶ドライブから前記データ及び前記冗長情報のうち少なくとも一方を読み出す制御部であって、所定の単位毎の第2データを前記半導体記憶ドライブから読み出し、当該第2データに誤りがある場合、前記第1テーブルを参照して、当該第2データと関連付けられた他の第2データ及び前記冗長情報を読み出して、前記他の第2データ及び前記冗長情報を用いて、前記第2データを復元する読み出し制御部を更に備える
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶制御装置。 - 複数の前記半導体記憶ドライブのうち少なくとも1つの第1半導体記憶ドライブが第2半導体記憶ドライブに変更された場合、当該第2半導体記憶ドライブの諸元の情報を用いて、所定の条件に基づいて、前記第1半導体記憶ドライブに記憶されたデータを前記第2半導体ドライブに復元するか否かを決定する決定部を更に備え、
前記読み出し制御部は、前記第1半導体記憶ドライブに記憶されたデータを前記第2半導体ドライブに復元すると決定された場合、前記第1テーブルを参照して、前記第1半導体記憶ドライブに記憶された所定の単位毎の第2データと関連付けられた他の第2データ及び前記冗長情報を読み出して、前記他の第2データ及び前記冗長情報を用いて、前記第2データを復元し、
前記書き込み制御部は、復元された前記第2データを前記第2半導体記憶ドライブに書き込み、
前記テーブル制御部は、前記書き込み制御部が前記第1半導体記憶ドライブに書き込んだ前記第2データの物理アドレスを前記第1テーブル記憶領域に記憶させることにより、前記第1テーブルを更新する
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶制御装置。 - 前記諸元の情報は、ブロックサイズを少なくとも示し、
前記構築部は、更に、前記第2半導体記憶ドライブの諸元の情報によって示されるブロックサイズが、前記他の第2データが記憶されている他の半導体記憶ドライブのブロックサイズと異なる場合、前記第1半導体記憶ドライブの第1物理アドレス及び前記第2半導体記憶ドライブの第2物理アドレスの対応関係を示す第2テーブルを記憶する第2テーブル記憶領域を構築し、
前記第2半導体記憶ドライブの諸元の情報によって示されるブロックサイズが、前記他の第2データが記憶されている他の半導体記憶ドライブのブロックサイズと異なる場合、各前記ブロックサイズに応じて、前記第1物理アドレスを前記第2物理アドレスに変換する第1変換部を更に備え、
前記テーブル制御部は、前記第1テーブル記憶領域に記憶されている前記第1物理アドレスと前記第2物理アドレスとを対応付けた前記第2テーブルを前記第2テーブル記憶領域に記憶させる
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶制御装置。 - 前記諸元の情報は、ページサイズを少なくとも示し、
前記構築部は、更に、前記第2半導体記憶ドライブの諸元の情報によって示されるページサイズが、前記他の第2データが記憶されている他の半導体記憶ドライブのページサイズと異なる場合、前記第1半導体記憶ドライブの第1物理アドレス及び前記第2半導体記憶ドライブの第2物理アドレスの対応関係を示す第2テーブルを記憶する第2テーブル記憶領域を構築し、
前記第2半導体記憶ドライブの諸元の情報によって示されるページサイズが、前記他の第2データが記憶されている他の半導体記憶ドライブのページサイズと異なる場合、各前記ページサイズに応じて、前記第1物理アドレスを前記第2物理アドレスに変換する第1変換部を更に備え、
前記テーブル制御部は、前記第1テーブル記憶領域に記憶されている前記第1物理アドレスと前記第2物理アドレスとを対応付けた前記第2テーブルを前記第2テーブル記憶領域に記憶させる
ことを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体記憶制御装置。 - 前記所定の単位は、ページであり、
前記第1データは、ページ毎のデータであり、
前記第1データを記憶するバッファを更に備え、
前記書き込み制御部は、前記バッファに記憶された前記第1データが所定の数に達したときに、当該所定の数の第1データ及び前記冗長情報を異なる半導体記憶ドライブに各々書き込む
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体記憶制御装置。
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