JP5386874B2 - 半導体ウェーハ周辺部の研磨装置及びその方法 - Google Patents
半導体ウェーハ周辺部の研磨装置及びその方法 Download PDFInfo
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Description
本発明の目的は、半導体ウェーハの片面又は表裏両面を保持することなく半導体ウェーハの周辺部を研磨し、その後の仕上げ研磨工程を不要にし得る半導体ウェーハ周辺部の研磨装置及びその方法を提供することにある。
請求項3に係る発明は、請求項1又は2に係る発明であって、研磨ローラが高硬度材料からなる軸芯とこの軸芯の周囲に設けられたエンジニアリングプラスチックとこのエンジニアリングプラスチックの周囲に設けられた研磨クロスとにより構成されたことを特徴とする。
請求項6に係る発明は、請求項5に係る発明であって、研磨ローラの周囲を研削した後、研磨ローラに接触回転して研磨される半導体ウェーハの数と少なくとも同数の周溝を研磨ローラに形成することを特徴とする。
請求項8に係る発明は、請求項4に係る発明であって、ウェーハキャリアに収容していた複数の半導体ウェーハをキャリアから取り出した状態で研磨ローラに接触回転させることを特徴とする。
図1及び図2に示すように、本発明の半導体ウェーハ周辺部の研磨装置10は、研磨スラリー11が貯留されて上方が開放したタンク12と、スラリー11の液面より上部が存在して、かつ水平にタンク12に設けられた研磨ローラ13と、研磨ローラ13とともに複数の半導体ウェーハ14をその表裏面をフリーな状態にして鉛直状態に保持する複数の回転ローラ16とを備える。研磨スラリー11は半導体ウェーハ14の周辺部を研磨するためのものであり、コロイダルシリカ(シリカゾル)などの遊離低粒を含むものが挙げられる。このスラリー11を貯留するタンク12は、細長の金属製もしくは樹脂製容器であって、研磨ローラ13はその長手方向の全長にわたってローラ13の一部がスラリー11の上部に存在して、かつ水平に設けられる。
図1に示すように、先ず、表裏面をフリーな状態にして複数の半導体ウェーハ14を所定の間隔をあけて鉛直方向に保持する。一般的に、複数の半導体ウェーハ14はウェーハキャリアに収容されているが、この周辺部の研磨はそのキャリアから取り出した状態で研磨される場合を示す。即ち、図示しないキャリアから取り出された複数の半導体ウェーハ14の保持は、5本の回転ローラ16により行われ、そのうちの2本が半導体ウェーハ14を下から支え、残りの3本がその半導体ウェーハ14を上から押さえる。その際、回転ローラ16の周溝16aにウェーハ14の周辺部を収容し、複数の回転ローラ16により上下から挟むことにより、複数の半導体ウェーハ14の全てを所定の間隔をあけた状態で鉛直状態に保持する。
11 研磨スラリー
12 タンク
13 研磨ローラ
13a 軸芯
13b エンジニアリングプラスチック
13c 研磨クロス
13d 周溝
14 半導体ウェーハ
16 回転ローラ
16a 周溝
17 シャワーノズル
18 超純水
21 ウェーハキャリア
21a,21b 収納側壁
21e,21f 凹溝
21g 下部開口
Claims (8)
- 研磨スラリーが貯留されて上方が開放したタンクと、
ローラの一部が前記スラリーの液面より上部に存在して、かつ水平に前記タンクに設けられた研磨ローラと、
前記研磨ローラと平行に設けられウェーハ周辺部形状に相応した形状の複数の周溝が所定の間隔をあけて形成され前記周溝にウェーハ周辺部を収容することにより前記研磨ローラとともに複数の半導体ウェーハを鉛直状態に保持する複数の回転ローラと、
前記研磨ローラを回転駆動する第1ローラ回転手段と、
前記複数の回転ローラを回転駆動する第2ローラ回転手段と、
前記研磨ローラに接触回転した直後の半導体ウェーハの周辺部に超純水を噴射するためのシャワーノズルと
を備え、
前記第1及び第2ローラ回転手段により前記研磨ローラ及び前記複数の回転ローラを回転駆動して前記ウェーハを円周方向に回転させることにより前記研磨ローラに保持された研磨スラリーで前記ウェーハの周辺部を研磨すると共に、研磨中、前記研磨ローラに接触回転した直後の半導体ウェーハの周辺部に前記シャワーノズルから超純水を噴射して前記半導体ウェーハに付着した研磨スラリーを除去する
ことを特徴とする半導体ウェーハ周辺部の研磨装置。 - 研磨ローラに接触回転して研磨される半導体ウェーハの数と少なくとも同数の周溝が前記研磨ローラに形成され、前記周溝の内面形状が前記ウェーハの所望の面取り形状に相応することを特徴とする請求項1記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨装置。
- 研磨ローラが高硬度材料からなる軸芯とこの軸芯の周囲に設けられたエンジニアリングプラスチックと前記エンジニアリングプラスチックの周囲に設けられた研磨クロスとにより構成されたことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨装置。
- 請求項1ないし3いずれか1項に記載の研磨装置を用いて、複数の半導体ウェーハをウェーハ表裏面をフリーな状態にして所定の間隔をあけて鉛直方向に保持し、前記タンクに貯留された研磨スラリーを保持して回転する前記研磨ローラに接触回転させて前記ウェーハの周辺部を研磨すると共に、
研磨中、前記研磨ローラに接触回転した直後の半導体ウェーハの周辺部に前記シャワーノズルから超純水を噴射して前記ウェーハに付着した研磨スラリーを除去する
ことを特徴とする半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。 - 研磨ローラに接触回転して研磨される半導体ウェーハの数と少なくとも同数の周溝が前記研磨ローラに形成され、前記周溝の内面形状が前記ウェーハの所望の面取り形状に相応する請求項4記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
- 研磨ローラの周囲を研削した後、前記研磨ローラに接触回転して研磨される半導体ウェーハの数と少なくとも同数の周溝を前記研磨ローラに形成することを特徴とする請求項5記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
- 複数の半導体ウェーハをウェーハキャリアに収容した状態で研磨ローラに接触回転させることを特徴とする請求項4記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
- ウェーハキャリアに収容していた複数の半導体ウェーハを前記キャリアから取り出した状態で研磨ローラに接触回転させることを特徴とする請求項4記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
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