JP5382589B2 - Ga2O3系単結晶の導電率制御方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 57
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 108
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 43
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 41
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 21
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 11
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011962 puddings Nutrition 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Description
(1)n型導電性を示すβ−Ga2O3基板の製作および導電率制御
基板がn型導電性を示すためには、基板中のGaがn型ドーパントと置換される必要がある。Gaがn型ドーパントと置換されるガリウム置換型n型ドーパントとして、Si、Hf、Ge、Sn、TiおよびZrが挙げられる。
n型導電性を示す薄膜は、PLD(Pulsed Laser Deposition)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法、MOCVD(Metal Organic Vapor Deposition)法、スパッタ法等の物理的気相成長法、熱CVD(Chemical Vapor Deposition)、プラズマCVD等の化学的気相成長法等により形成することができる。
p型導電性を示す薄膜は、PLD法、MBE法、MOCVD法等の物理的気相成長法、熱CVD、プラズマCVD等の化学的気相成長法等により成膜することができる。
Gaがp型ドーパントと置換されるガリウム置換型p型ドーパントとして、H、Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Mn、Fe、Co、Ni、Pd、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Tl、Pb等が挙げられる。酸素がp型ドーパントと置換される酸素置換型p型ドーパントとして、P等が挙げられる。
電極は、オーミック接触が得られる材料で形成される。例えば、n型導電性を示す薄膜あるいは基板には、Au、Al、Ti、Sn、Ge、In、Ni、Co、Pt、W、Mo、Cr、Cu、Pb等の金属単体、これらのうち少なくとも2種の合金(例えば、Au−Ge合金)、これらを2層構造に形成するもの(例えば、Al/Ti、Au/Ni、Au/Co)、あるいはITOを用いる。p型導電性を示す薄膜あるいは基板には、Au、Al、Be、Ni、Pt、In、Sn、Cr、Ti、Zn等の金属単体、これらのうち少なくとも2種の合金(例えば、Au−Zn合金、Au−Be合金)、これらを2層構造に形成するもの (例えば、Ni/Au)あるいはITOを用いる。
(イ)ドーパント濃度を制御することにより、抵抗率およびキャリア濃度を変えることができるため、所望のキャリア濃度を有する薄膜や基板を製作することができる。
(ロ)発光素子1の基板抵抗が小さくなり、順方向電圧Vfが小さくなる。
(ハ)n型β−Ga2O3基板50は、導電性を有するため、基板の上下から電極を取り出す垂直型の構造をとることができるので、層構成、製造工程の簡素化を図ることができる。
(ニ)発光光は、透明電極4を透過して上方に出射する出射光70として外部に射出する他、n型β−Ga2O3基板50の下面の方に向う発光光71は、例えば、n側電極37あるいは接着剤81により反射させられて上方に出射するため、出射光70のみを出射するものと比べて、発光強度が増大する。
絶縁型基板は、以下のように製作する。まず、n型導電性を示す基板の製造方法と同様に、FZ法による。すなわち、β−Ga2O3種結晶と不純物としてのSi濃度の低い高純度のβ−Ga2O3多結晶素材とを別個に準備し、石英管中でβ−Ga2O3種結晶とp型ドーパントであるMg、BeまたはZnを含むβ−Ga2O3多結晶素材とを接触させてその部位を加熱し、β−Ga2O3種結晶とβ−Ga2O3多結晶素材との接触部分で両者を溶融する。溶解したβ−Ga2O3多結晶素材をβ−Ga2O3種結晶とともに結晶化させると、β−Ga2O3種結晶上にMgを含むβ−Ga2O3単結晶が生成される。次に、このβ−Ga2O3単結晶に切断等の加工を施すことにより、絶縁性を示す基板が得られる。ここで、Mgの添加量が、0.01mol%および0.05mol%のとき、得られた基板の抵抗値は、1000MΩ以上であり、絶縁性を示した。BeおよびZnを添加したときもβ−Ga2O3単結晶は、絶縁性を示した。
(イ)p型ドーパントを添加することにより絶縁性を有する薄膜や基板を製作することができるため、β−Ga2O3系単結晶でMIS構造の発光素子を製作することがで得きる。
(ロ)この発光素子1は、発光素子1の基板抵抗が小さくなり、順方向電圧Vfが小さくなる。
(ハ)活性層52を形成するβ−Ga2O3系単結晶が有する広いバンドギャップにより短波長、例えば、260nmの発光が可能となる。
(ニ)絶縁型β−Ga2O3基板55およびn型β−AlGaO3クラッド層51は、β−Ga2O3を主体に構成されているので、バッファ層を不要にすることが可能となり、結晶性の高いn型層を形成することができる。
(ホ)絶縁型β−Ga2O3基板55が、発光領域で透過性が高いので、光の取り出し効率を高くすることができる。
(ヘ)発光光は、透明電極4を透過して上方に出射する出射光70として外部に射出する他、絶縁型β−Ga2O3基板55の下面の方に向う発光光71は、例えば、接着剤81により反射させられて上方に出射する。従って、発光光71が直接外部に出射するのと比べて、発光強度が増大する。
(ト)絶縁型β−Ga2O3基板55や各層51、52、54、56に酸化物系β−Ga2O3系単結晶を用いているため、高温の大気中でも安定に動作する発光素子を形成することができる。
(チ)プリント基板やリードフレームとの接続方法が、フリップチップ・ボンディングが可能となるので、発光領域からの発熱を効率よくプリント基板や、リードフレームに逃がすことができる。
2 n型β−Ga2O3基板
4 透明電極
5 電極
6 パッド電極
8 ワイヤ
9 接合層
37 n側電極
50 n型β−Ga2O3基板
51 n型AlGaO3クラッド層
52 β−Ga2O3活性層
53 p型β−Ga2O3クラッド層
54 p型β−Ga2O3コンタクト層
55 絶縁型β−Ga2O3基板
56 n型β−Ga2O3コンタクト層
58 ワイヤ
59 説合部
70 出射光
71 発光光
80 プリント基板
81 接着剤
Claims (3)
- n型半導体であるβ−Ga2O3系単結晶に所定のドーパントを添加することにより所望の抵抗率を得るβ−Ga2O3系単結晶の導電率制御方法であって、
前記所定のドーパントは、前記β−Ga2O3系単結晶を1×103Ωcm以上の絶縁体にするII族元素であることを特徴とするβ−Ga2O3系単結晶の導電率制御方法。 - 前記II族元素は、Mg、BeまたはZnであることを特徴とする請求項1記載のβ−Ga2O3系単結晶の導電率制御方法。
- 前記II族元素は、β−Ga2O3系単結晶に0.01mol%から0.05mol%の割合で添加されることを特徴とする請求項1記載のβ−Ga2O3系単結晶の導電率制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010255379A JP5382589B2 (ja) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | Ga2O3系単結晶の導電率制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010255379A JP5382589B2 (ja) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | Ga2O3系単結晶の導電率制御方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004042170A Division JP2005235961A (ja) | 2004-02-18 | 2004-02-18 | Ga2O3系単結晶の導電率制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011102235A JP2011102235A (ja) | 2011-05-26 |
JP5382589B2 true JP5382589B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=44192751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010255379A Expired - Lifetime JP5382589B2 (ja) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | Ga2O3系単結晶の導電率制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5382589B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5536920B1 (ja) | 2013-03-04 | 2014-07-02 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶基板、及びその製造方法 |
CN110828551A (zh) * | 2014-07-22 | 2020-02-21 | 株式会社Flosfia | 结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 |
US11624126B2 (en) | 2020-06-16 | 2023-04-11 | Ohio State Innovation Foundation | Deposition of single phase beta-(AlxGa1-x)2O3 thin films with 0.28< =x<=0.7 on beta Ga2O3(100) or (−201) substrates by chemical vapor deposition |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3679097B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2005-08-03 | 株式会社光波 | 発光素子 |
-
2010
- 2010-11-15 JP JP2010255379A patent/JP5382589B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011102235A (ja) | 2011-05-26 |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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A02 | Decision of refusal |
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|
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|
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