JP5375856B2 - 光学装置およびその製造方法 - Google Patents

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Description

この発明は、シリコン基板やSOI基板を加工して形成される光学装置およびその製造方法に関する。
従来、この種の光学装置として、例えば流体の圧力を光学式に検出する光学式圧力センサが知られている。図9は、その光学式圧力センサを示す説明図であり、(a)は平面図、(b)は正面図、(c)は(b)の一部拡大図、(d)は(c)のA−A矢視断面図である。
この光学式圧力センサ50は、光導波路51を備えており、光導波路51の両端には光ファイバ52,53が接続されている。光導波路51の光路の途中には、ブラッググレーティング(Bragg Grating)55が形成されている。ブラッググレーティング55は、凹部(溝)および凸部を交互に形成した周期的構造を有し、一定の波長の光のみを反射または透過させる機能を有する。
光導波路51は、シリコン基板56の一方の基板面に接着層59によって接着されている。シリコン基板56の他方の基板面には、ガラス基板54が接着されている。シリコン基板56およびガラス基板54からなる部分であって、ブラッググレーティング55の裏面に対応する部分には、検出対象となる流体が流入する受圧室57が形成されている。その受圧室57のうち、ブラッググレーティング55の裏面に対応する部分には、シリコン基板56を薄肉にすることにより、ダイヤフラム58が形成されている。なお、光学式圧力センサ50を使用する際には、光ファイバ52には発光素子(図示せず)が接続され、光ファイバ53には受光素子が接続される。
そして、受圧室57に流入している流体の圧力が変化すると、ダイヤフラム58が上下方向に変位し、ブラッググレーティング55の凹凸の周期性が変化する。すると、発光素子から光導波路51に出射され、ブラッググレーティング55にて全反射していた光の一部がブラッググレーティング55を透過し、受光素子によって受光される。そして、その受光素子により受光された光の強度などに基づいて流体の圧力を検出する。
Technical Digest of 16th International Conference on Optical Fiber Sensors(2003)(p.694-697) 特開2000−221085号公報
しかし、上述した従来の光学式圧力センサは、光導波路51を接着層59によってシリコン基板56に接着した構造であるため、ダイヤフラム58に印加された圧力が接着層59によって緩衝されてしまうため、圧力の検出精度に劣るという問題がある。
また、ブラッググレーティング55の複数の凹部(溝)および凸部は、エキシマレーザなどのレーザによって1つずつ加工するため、製造効率が低いという問題もある。
さらに、複数の計測ポイントで流体の圧力を検出するような場合は、発光素子および光学式圧力センサ50のセットを計測ポイントの数だけ使用しなければならないため、コストがかかるという問題もある。
この発明は、上記の各問題を解決するため、光学式圧力センサなどの光学装置の検出精度および製造効率を高めることを第1の目的とし、計測ポイントが複数存在するような用途における製造コストを低くすることを第2の目的とする。
請求項1に記載の発明では、シリコン基板(2)の一方の基板面をエッチングおよび熱酸化することにより形成された光学装置(70)であって、酸化シリコンによりレンズ形状に形成されており、かつ、回折格子の機能を有する間隙(71a)が内部に形成されており、自身を透過する光のビーム形状をレンズ効果で変化させつつ、その変化した光を、前記各間隔で規定される方向に複数の分割光として出射するように構成されてなり、
前記一方の基板面における前記各分割光の進行方向には、前記一方の基板面をエッチングおよび熱酸化することにより形成された酸化シリコンからなる光学素子(3)が前記分割光を入射するようにそれぞれ配置されてなり、
前記各光学素子(3)は、前記一方の基板面をエッチングおよび熱酸化することにより形成された光導波路であり、
前記各光導波路(3)は、前記一方の基板面をエッチングおよび熱酸化することにより形成されたブラッググレーティング(4)を光路の途中にそれぞれ有し、かつ、力学量の印加によって変位する変位部であって、前記シリコン基板(2)の他方の基板面のうち、前記ブラッググレーティングの裏面に対応する部分をエッチングすることにより形成された変位部(6)をそれぞれ有することを特徴としている。
ここで、請求項1における「レンズ」とは、両凸レンズ、両凹レンズ、平凸型または凹凸型のシリンドリカルレンズ、円柱レンズ、メニスカスレンズなどの各種のレンズを含み、コリメート、集光、拡散、分光、偏光などのレンズ効果を出すことができるものを意味する。
請求項2に記載の発明では、請求項1に記載の光学装置において、前記変位部は、圧力を受けて変位するダイアフラム(6)であることを特徴としている。
請求項3に記載の発明では、請求項2に記載の光学装置において、被測定対象となる流体が流入する受圧室(5)が前記他方の基板面に形成されており、その受圧室の底面が前記ダイアフラム(6)に形成されていることを特徴としている。
請求項4に記載の発明では、請求項1に記載の光学装置において、前記変位部(6)は、温度の変化に応じて変位するものであることを特徴としている。
ここで、請求項4における「温度の変化に応じて変位するもの」とは、例えばシリコンや酸化シリコンにより形成されたものを含む意味であり、ブラッググレーティングが形成されている部分の裏面に相当する部分を含むものである。
なお、上記括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
請求項1に記載の発明によれば、自身を透過する光のビーム形状をレンズ効果で変化させつつ、その変化した光を、回折格子として機能する縮小された各間隔で規定される方向に複数の分割光として出射するブロックを製造することができる。
従って、必要な分割光の数に対応する間隙が形成されるようにブロックを製造することにより、レンズ効果で変化されたビーム形状の分割光を必要な数だけ出射する光学装置を製造することができる。
請求項1に記載の発明によれば、一方の基板面をエッチングおよび熱酸化することにより、分割光を入射する光学素子をそれぞれ各分割光の進行方向にそれぞれ形成することができるため、各光学素子を別工程で製造して配置する構成の光学装置よりも製造効率を高めることができ、かつ、製造コストを低くすることができる。
請求項1に記載の発明によれば、ブロックから出射された分割光を入射する各光学素子は、一方の基板面をエッチングおよび熱酸化することにより形成された光導波路であるため、ブロックと同じ製造工程を経て作ることができる。
従って、別の製造工程にて製造した複数の光導波路を一方の基板面上に配置する構成のようにブロックおよび各光導波路の位置決めを行う必要がない。
請求項1に記載の発明によれば、ブラッググレーティングを光路の途中に有する各光導波路は、一方の基板面をエッチングおよび熱酸化することにより形成されたものであるため、ブロックと同じ製造工程を経て一括して作ることができる。
従って、別の製造工程にて製造した複数の光導波路を一方の基板面上に配置する構成のようにブロックおよび各光導波路の位置決めを行う必要がない。
また、別の製造工程にて複数の光導波路を製造し、さらに各光導波路にそれぞれブラッググレーティングをレーザなどで加工する必要がないため、ブラッググレーティングを有する複数の光導波路および回折格子の機能を有するブロックの製造効率を高めることができる。
請求項2に記載の発明によれば、変位部が、圧力を受けて変位するダイアフラムである場合は、各光導波路ごとに形成された各ダイアフラムに印加された各圧力をそれぞれ高精度で検出することができる光学装置を実現することができる。また、その光学装置の製造効率を高めることができる。
請求項3に記載の発明によれば、被測定対象となる流体が流入する受圧室を他方の基板面に形成し、その受圧室の底面をダイアフラムに形成するため、各光導波路ごとに受圧室とは別個にダイアフラムを形成する必要がないので製造効率を高めることができる。
請求項4に記載の発明によれば、変位部は、温度の変化に応じて変位するものであるため、変位部、または変位部近傍の温度を各光導波路ごとに高精度で検出することができる光学装置を実現することができる。また、その光学装置の製造効率を高めることができる。
第1実施形態に係る光学式圧力センサの主要構造を示す説明図であり、(a)は光学式圧力センサの平面図、(b)は(a)のA−A矢視断面図、(c)はブラッググレーティングの拡大図である。 光学式圧力センサ1の製造工程を示す説明図であり、(a)は光導波路3を形成するためのエッチングマスクの平面図、(b)は(a)の一部拡大図、(c)は熱酸化後の光導波路3の平面図である。 光学式圧力センサ1の製造工程を示す説明図であり、(a)は図2(b)のA−A矢視断面図およびB−B矢視断面図、(b)はDRIE工程終了後のA−A矢視断面図およびB−B矢視断面図、(c)はエッチングマスク除去後のA−A矢視断面図およびB−B矢視断面図、(d)は熱酸化後のA−A矢視断面図およびB−B矢視断面図を示す。 光学式圧力センサ1の製造工程を示す説明図であり、(a)はエッチングマスクを配置した状態の断面図、(b)は受圧室が形成された状態の断面図、(c)はエッチングマスクが除去された状態の断面図である。 第2実施形態に係る光学式圧力センサの斜視図である。 図5の一部を拡大して示す平面図である。 図5に示す光学式圧力センサの製造方法の説明図であり、(a)はエッチングマスクの平面図、(b)は熱酸化後の光学式圧力センサの平面図である。 図5に示す光学式圧力センサに備えられた光学素子の製造方法の説明図であり、(a)はエッチングマスクが施された光学素子の斜視図、(b)は(a)のA−A矢視断面図、(c)はエッチングされた状態の断面図、(d)はエッチングマスクが除去された状態の断面図、(e)は熱酸化後の断面図である。 従来の光学式圧力センサを示す説明図であり、(a)は平面図、(b)は正面図、(c)は(b)の一部拡大図、(d)は(c)のA−A矢視断面図である。
<第1実施形態>
この発明の実施形態に係る光学装置およびその製造方法について図を参照して説明する。
この実施形態では、光学装置として光学式圧力センサについて説明する。図1は、この実施形態に係る光学式圧力センサの主要構造を示す説明図であり、(a)は光学式圧力センサの平面図、(b)は(a)のA−A矢視断面図、(c)は(b)に示すブラッググレーティングの拡大図である。なお、前述した従来の光学式圧力センサと共通の構成および機能については説明を省略する。
[光学式圧力センサの主要構造]
この光学式圧力センサ1は、シリコン基板2の一方の基板面に形成された光導波路3と、他方の基板面に形成された受圧室5と、この受圧室5の底部に形成されたダイアフラム6とを備える。つまり、1つのシリコン基板に光導波路3、受圧室5およびダイアフラム6が一体形成されている。
これにより、受圧室5に流入した流体の圧力により、ダイアフラム6が上下方向などに変位すると、その変位が正確かつ直接的にブラッググレーティング4に伝達される。
従って、流体の圧力を高精度に、かつ、応答性良く検出することができる。
なお、流体とは、水などの液体および空気などの気体の他、ガソリンおよび空気の混合気体、半流動体、超臨界流体、粒状物が集合した流体などを含む意味である。
シリコン基板2の他方の基板面には、ガラス基板9が接合されている。ガラス基板9には、受圧室5と連通する流入口10が上下方向に貫通形成されている。被検出対象の流体は、流入口10を通って受圧室5に導入され、その導入された流体の圧力変動に応じてダイアフラム6が上下方向などに変位する。この実施形態では、ガラス基板9の対向する各端部が受圧室5に突出することにより、受圧室5の一部を構成しているが、ガラス基板9の各端部と受圧室5の下面の各開口端とが一致するように構成してもよい。この場合は、受圧室5は、シリコン基板2のみによって構成されることになる。
光導波路3の一端には光ファイバ7が、他端には光ファイバ8がそれぞれ接続されている。図示しないが、光ファイバ7には、光導波路3へ光を出射するレーザダイオードなどの発光素子が配置されており、光ファイバ8には、ブラッググレーティング4を透過した光を受光するフォトダイオードなどの受光素子が配置されている。
光導波路3の製造方法については後で詳述するが、光導波路3は、シリコン基板2の一方の基板面をエッチングおよび熱酸化することにより形成されている。つまり、光導波路3は、熱酸化されることにより透明のガラスに変化するとともに膨張するシリコンの性質を利用して形成されている。
光導波路3は、その光路の途中にブラッググレーティング4を有する。ブラッググレーティング4は、シリコン基板2の一方の基板面をエッチングおよび熱酸化することにより形成されている。ブラッググレーティング4は、光導波路3を形成する製造工程と同じ製造工程において、光導波路3の内部に作り込まれる。つまり、ブラッググレーティング3も、熱酸化されることにより透明のガラスに変化するとともに膨張するシリコンの性質を利用して形成されている。
図1(c)に示すように、ブラッググレーティング4は、空気層4aおよびガラス層4bを光の進行方向と直交するように交互に周期的に配置することにより構成されている。光の進行方向に沿った長さを幅と定義すると、この実施形態では、空気層4aの幅L1は、その空気層4aを透過する光の波長の1/4に設定されており、ガラス層4bの幅L2は、そのガラス層4bを過する光の波長の1/4に設定されている。
これにより、各幅L1,L2が変化しない状態では、ブラッググレーティング4に入射した光は、所定のガラス層4bによって総て入射方向に反射される。
つまり、各幅L1,L2が変化し、ブラッググレーティング4の周期が変化すると、その変化した周期に対応した波長の光のみがブラッググレーティング4を透過する。
従って、ブラッググレーティング4を透過し、受光素子によって受光された光の強度などに基づいて、ダイアフラム6を変位させた流体の圧力を検出することができる。
また、上記の数値1/4をそれぞれ1/2に設定すると、ブラッググレーティング4に入射した光は、総てブラッググレーティング4を透過する。
つまり、各幅L1,L2が変化し、ブラッググレーティング4の周期が変化すると、その変化した周期に対応した波長の光のみがブラッググレーティング4で反射される。
従って、ブラッググレーティング4を透過し、受光素子によって受光された光の強度などに基づいて、ダイアフラム6を変位させた流体の圧力を検出することができる。
[光学式圧力センサの製造方法]
次に、上記光学式圧力センサ1の製造方法について図2ないし図4を参照して説明する。
図2は、光学式圧力センサ1の製造工程を示す説明図であり、(a)は光導波路3を形成するためのエッチングマスクの平面図、(b)は(a)の一部拡大図、(c)は熱酸化後の光導波路3の平面図である。図3は、光学式圧力センサ1の製造工程を示す説明図であり、(a)は図2(b)のA−A矢視断面図およびB−B矢視断面図、(b)はDRIE工程終了後のA−A矢視断面図およびB−B矢視断面図、(c)はエッチングマスク除去後のA−A矢視断面図およびB−B矢視断面図、(d)は熱酸化後のA−A矢視断面図およびB−B矢視断面図を示す。図4は、受圧室の製造工程を示す説明図であり、(a)はエッチングマスクを配置した状態の断面図、(b)は受圧室が形成された状態の断面図、(c)はエッチングマスクが除去された状態の断面図である。なお、図2(b)は各工程において共通に使用する。
(マスクパターニング)
最初に、図2(a)に示すように、光導波路3およびブラッググレーティング4を形成するためのエッチングマスク11をシリコン基板2の一方の基板面にパターニングする。エッチングマスク11には、横長の複数の第1開口部11aと、縦長の複数の第2開口部11bとがそれぞれ開口形成されている。各第1開口部11aは、後のDRIE(ディープ反応性イオンエッチング)工程において第1トレンチ21を形成するための開口部であり、各第2開口部11bは、第2トレンチ31を形成するための開口部である。
各第1開口部11aは、光導波路3の内部を進行する光の進行方向に沿って形成されており、所定間隔置きに相互に平行に配置されている。各第2開口部11bは、光の進行方向と直交する姿勢で形成されており、所定間隔置きに相互に平行に配置されている。
また、シリコンは熱酸化により膨張する性質を有するため、その膨張率(例えば、2.2)を考慮してエッチングマスク11をパターニングする。例えば、各第1開口部11aの光の進行方向と直交する開口幅と、各第2開口部11bの光の進行方向に沿った開口幅は、目標の幅となるように、膨張率を計算に入れた幅に設定する。
(DRIE)
次に、エッチングマスク11が配置された一方の基板面からDRIEを行う。これにより、図3(b)に示すように、各第1開口部11aに対応する部分には、第1トレンチ21がそれぞれ形成され、各第1トレンチ21の間には、第1構造体20がそれぞれ形成される。また、各第2開口部11bに対応する部分には、第2トレンチ31がそれぞれ形成され、各第2トレンチ31の間には、第2構造体30がそれぞれ形成される。
各第1構造体20および各第2構造体30の縦断面形状は、それぞれアスペクト比の高い(例えば、アスペクト比50)構造体に形成される。つまり、エッチングされたシリコン基板2の一方の基板面を平面視すると、光の進行方向に沿って複数の深い溝が相互に平行に走っているように見え、各溝が走る方向の途中に、それら各溝と直交する複数の深くて短い溝が相互に平行に配置されているように見える。
なお、RIEなどの他のエッチング手法でも凹凸形状を形成可能であるが、上記のようにアスペクト比の高い凹凸を形成するためにはDRIEを用いるのが望ましい。
(エッチングマスク除去)
次に、図3(c)に示すように、エッチングマスク11を除去する。エッチングマスク11の除去には、エッチング、フォトリソグラフィなどの手法を用いることができる。
(熱酸化)
次に、各第1構造体20および各第1トレンチ21からなる部分と、各第2構造体30および各第2トレンチ31からなる部分とを熱酸化し、各構造体を透明ガラス化する。これにより、シリコンにより形成された各第1構造体20はそれぞれ酸化シリコンに置き換わって透明ガラス化され、各第1トレンチ21は、熱酸化により膨張した第1構造体20、つまり酸化シリコンにより形成された第1構造体20aによってそれぞれ埋め込まれる。これにより、ガラス製の光導波路3が完成する。
このとき、各第1トレンチ21は、隣接する第1構造体20の膨張によってそれぞれ幅方向に縮小され、酸化された第1構造体20a間に空隙として残留する。図3(d)では、その縮小された第1トレンチ21を破線で示している。
光導波路3を構成するコア層(光閉じ込め領域)およびクラッド層は、縮小された第1トレンチ21の形状および大きさによって形成領域が変化する。例えば、光の進行方向に沿った上部(図3(d)に示す光導波路3の断面のうち上部)がコア層3aとして機能し、下部(図3(d)に示す光導波路3の断面のうち下部)がクラッド層3bとして機能する。
このように、熱酸化によるシリコンの膨張を利用して各第1トレンチ21の内部を酸化シリコンで埋め込む方法であるため、その熱膨張を考慮して、第1構造体20および第1トレンチ21の各幅、つまりエッチングマスク11の第1開口部11aの開口幅および第1開口部11aの配置間隔を設定する。
また、熱酸化により、各第2構造体30が膨張するため、各第2トレンチ31の各幅はそれぞれ幅方向に縮小する。酸化シリコンに置き換えられ、透明ガラス化した各第2構造体(ガラス層)4bおよび縮小された各第2トレンチ(空気層)4aによりブラッググレーティング4が構成される。
このように、各第2構造体30は熱酸化により膨張するため、熱酸化後の第2構造体4bおよび第2トレンチ4aの各幅の目標値は、その熱膨張を考慮して設定する必要がある。このため、第2構造体30および第2トレンチ31の各幅、つまりエッチングマスク11の第2開口部11bの開口幅および第2開口部11bの配置間隔は、上記のような考慮をした上で設定する。
(ダイアフラムの形成)
次に、図4(a)に示すように、受圧室5の開口形状に対応した形状に形成されたエッチングマスク12を、シリコン基板2の他方の基板面であって、ブラッググレーティング4の裏面に対応する部分に配置する。また、シリコン基板2の一方の面に形成された光導波路3の上をレジスト材料などの保護材13によって覆う。
次に、水酸化カリウム(KOH)水溶液または水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液を用いたウエットエッチング、あるいはプラズマエッチングなどのドライエッチングを施すことにより、受圧室6を形成するとともに、その底部にダイアフラム6を形成する(図4(b))。
次に、エッチングマスク12および保護材13を除去する(図4(c))。そして、図1(b)に示したように、受圧室5に連通する流入口10が上下方向に貫通したガラス基板9をシリコン基板2の他方の基板面に接合する。
[第1実施形態の効果]
(1)以上のように、第1実施形態の光学式圧力センサ1およびその製造方法によれば、ブラッググレーティング4を有する光導波路3をシリコン基板2の一方の基板面に形成し、他方の基板面にダイアフラム6を形成することができる。
つまり、従来のように、光導波路が接着層によって基板面に接着された構造ではなく、同じシリコン基板2の一方の基板面にブラッググレーティング4が形成され、他方の基板面にダイアフラム6が形成された構造であるため、ダイアフラム6に印加された圧力が接着層によって緩衝されてしまうことがない。
従って、ダイアフラム6に印加された圧力を正確にブラッググレーティング4に伝達することができるため、ダイアフラム6に印加された圧力の検出精度を高めることができる。
(2)また、ブラッググレーティング4を有する光導波路3は、一方の基板面からのエッチングおよびエッチングされた部分の熱酸化により形成するため、従来のように、レーザによってブラッググレーティングを構成する凹部(溝)および凸部を1本ずつ形成する方法よりも製造効率を高めることができる。
(3)さらに、酸化シリコンに置き換えられた各第1構造体20aおよび縮小された各第1間隙21aからなる部分のうち、光の進行方向に沿った部分の一部がコア層として、他の一部がクラッド層としてそれぞれ機能するようにすることにより、光導波路3を正確に製造することができる。
(4)ダイアフラム6は、他方の基板面のうち、ブラッググレーティング4の裏面に対応する部分をエッチングすることにより形成するため、シリコン基板2以外の別部材を加工してダイアフラムを製造する方法よりも製造効率を高めることができ、かつ、製造コストを低くすることができる。
(5)被測定対象となる流体が流入する受圧室5を他方の基板面に形成し、その受圧室5の底面をダイアフラム6に形成するため、受圧室とは別個にダイアフラムを形成する必要がないので製造効率を高めることができる。
(6)シリコン基板2の他方の基板面からエッチングするだけで受圧室5およびダイアフラム6を形成することができるため、製造効率を高めることができる。
(7)DRIEにより、シリコン基板2の一方の基板面をエッチングすることにより、光導波路3およびブラッググレーティング4の基となる構造を作り、熱酸化を行うことにより、ブラッググレーティング4を有する光導波路3を作ることができる。
つまり、同じシリコン基板2に対してエッチングおよび熱酸化を行うだけでブラッググレーティング4を有する光導波路3を製造することができるため、光導波路を別工程で製造し、さらにその光導波路をレーザ加工してブラッググレーティングを形成する方法よりも製造効率を高めることができる。
(8)DRIE工程において、各第2構造体30および各第2トレンチ31を、それぞれ第1トレンチ21と垂直に交差するように形成するため、ブラッググレーティング4に入射する光の一部または全部を入射方向へ反射することができる。
(9)DRIE工程において第2構造体30および第2トレンチ31を交互に形成するため、第2構造体30および第2トレンチ31の各幅と、形成する各数とを変化させることにより、ブラッググレーティング4の周期を変化させることができるので、特定の波長の光のみがブラッググレーティング4を透過またはブラッググレーティング4にて反射するように変えることができる。
(10)光の進行方向に沿った長さを幅と定義した場合に、酸化シリコンに置き換えられた第2構造体(ガラス層)4bの幅L2が、その第2構造体4b内における透過光の波長の1/4となり、かつ、縮小された第2トレンチ(空気層)4aの幅L1が、その第2トレンチ4a内における透過光の波長の1/4となるように製造するため、ダイアフラム6が変位していない場合、つまりブラッググレーティング4の周期構造が変化していない場合にブラッググレーティング4に入射した光を全部入射方向へ反射することができる。
従って、ブラッググレーティング4を透過した光の強度などに基づいて、ダイアフラム6に印加された圧力を0から検出することができる。
<第2実施形態>
次に、この発明の第2実施形態に係る光学装置およびその製造方法ついて図5ないし図8を参照して説明する。
図5は、この実施形態に係る光学式圧力センサの斜視図であり、図6は、図5の一部を拡大して示す平面図である。図7は、図5に示す光学式圧力センサの製造方法の説明図であり、(a)はエッチングマスクの平面図、(b)は熱酸化後の光学式圧力センサの平面図である。図8は、図5に示す光学式圧力センサに備えられた光学素子の製造方法の説明図であり、(a)はエッチングマスクが施された光学素子の斜視図、(b)は(a)のA−A矢視断面図、(c)はエッチングされた状態の断面図、(d)はエッチングマスクが除去された状態の断面図、(e)は熱酸化後の断面図である。
[光学式圧力センサの主要構造]
図5に示すように、シリコン基板2の一方の基板面には、レーザダイオード素子(以下、LD素子と略す)64が搭載されており、このLD素子64の出射側には、LD素子64から出射されたレーザ光をコリメートする速軸用レンズとしての円柱レンズ62が搭載されている。LD素子64および円柱レンズ62は、それらを基板面上に位置決めするとともに、保持するための位置決め部材63によって位置決めされた状態で保持されている。
円柱レンズ62の出射側の基板面上には、遅軸用レンズとしての光学素子70が基板面と一体形成されている。光学素子70は、回折格子およびレンズの両方の機能を有する。図6に示すように、光学素子70は、回折格子としての第3トレンチ71aを内部に所定間隔で配置している。光学素子70は、各第3トレンチ71aにり規定される間隔で入射光を分割して出射する。この実施形態では、光学素子70は、円柱レンズ62から出射されたレーザ光(入射光)を0次光、+1次光および−1次光の3つの光に分割するとともに、それら分割された各分割光をそれぞれレンズ効果としてコリメートして出射する。この実施形態では、光学素子70は、入射面が平面で出射面が凸面の平凸型のシリンドリカルレンズの機能を有する。なお、図6では、入射光を3つに分割する構成を例示したが、2つ、または、4つ以上に分割することもできる。
光学素子70から出射された+1次光および−1次光の進行方向には、分割光を光導波路3の入射端へ反射するミラー61がそれぞれ基板面と一体形成されている。
各ミラー61によって反射された反射光の進行方向には、前述の第1実施形態の光導波路3がそれぞれ基板面上と一体形成されている。また、0次光の進行方向にも光導波路3が形成されている。
シリコン基板2の他方の基板面であって、各光導波路3に備えられた各ブラッググレーティング4の裏面に対応する部分には、それぞれ受圧室5が形成されており、各受圧室5の底部にはダイアフラム6がそれぞれ形成されている。また、各ダイアフラム6は、検出対象となる流体の流れに沿うように配置され、流体の複数箇所における圧力などを検出するように構成されている。
つまり、光学式圧力センサ60は、単一のLD素子64と、単一の円柱レンズ62と、単一の光学素子70と、複数のミラー61と、複数の光導波路3と、複数の受圧室5と、複数のダイアフラム6とから構成される。
[光学式圧力センサの製造方法]
(マスクパターニング)
最初に、図7(a)に示すように、位置決め部材63を形成するためのエッチングマスク63aと、光学素子70を形成するためのエッチングマスク73と、ミラー61を形成するためのエッチングマスク61bと、光導波路3を形成するためのエッチングマスク11とをシリコン基板2の一方の基板面にパターニングする。
図8(b)に示すように、光学素子70のエッチングマスク73は、次のエッチング工程において第3トレンチ71および第3構造体72を形成するための形状にパターニングする。
(DRIE)
次に、各エッチングマスクが配置された一方の基板面からDRIEを行う。これにより、基板面は、各エッチングマスクのパターンに対応した形状に加工される。光学素子70は、図8(c)に示すように、第3トレンチ71および第3構造体72が交互に配置された形状に加工される。各第3トレンチ71は、それぞれアスペクト比の高い(例えば、アスペクト比50)溝状に形成され、各第3構造体72は、それぞれアスペクト比の高い(例えば、アスペクト比50)柱状に形成される。
また、各光導波路3は、前述の第1実施形態において図3(b)に示した形状にそれぞれ形成される。また、エッチングマスク63aに対応する基板面上には、図5に示した位置決め部材63が形成され、エッチングマスク61bに対応する基板面上には、図5に示したミラー61が形成される。ミラー61は、シリコン基板2のエッチングされた面が鏡面となる特性を利用しており、そのエッチング面を反射面61a(図6)として用いる。
(エッチングマスク除去)
次に、各エッチングマスクを除去する。エッチングマスクの除去には、エッチング、フォトリソグラフィなどの手法を用いることができる。
(熱酸化)
次に、位置決め部材63およびミラー61など、熱酸化の対象とならない部分に酸化マスクを施した後、エッチングマスク73,11に対応する基板面上に形成された各構造体を熱酸化する。これにより、図8(e)に示すように、各第3構造体72はそれぞれ酸化シリコンに置き換わって透明ガラス化され、各第3トレンチ71は、酸化シリコンに置き換わった第3構造体72aによって幅方向に縮小され、縮小された第3トレンチ71aとなる。この縮小された各第3トレンチ71aが、回折格子として機能する。また、各エッチングマスク11に対応する部分には、前述の第1実施形態において図3(d)に示したように、光導波路3がそれぞれ形成される。
(ダイアフラムの形成)
次に、前述の第1実施形態において図4(a)に示したように、受圧室5の開口形状に対応した形状に形成されたエッチングマスク12を、シリコン基板2の他方の基板面であって、各ブラッググレーティング4の裏面に対応する部分にそれぞれ配置する。また、シリコン基板2の一方の面をレジスト材料などの保護材13によって覆う。
次に、水酸化カリウム(KOH)水溶液または水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液を用いたウエットエッチング、あるいはプラズマエッチングなどのドライエッチングを施すことにより、各受圧室6を形成するとともに、それらの各底部にダイアフラム6をそれぞれ形成する(図4(b))。
(LD素子および円柱レンズの搭載)
次に、一方の基板面上に形成された位置決め部材63を利用してLD素子64および円柱レンズ62をそれぞれ位置決めして基板面上に取付ける(図5)。
[第2実施形態の効果]
(1)以上のように、第2実施形態の光学式圧力センサ60およびその製造方法によれば、複数の測定点における流体の圧力を検出する複数の光学式圧力センサを1つのシリコン基板に一括して形成することができるため、個々に製造する方法よりも製造効率を高めることができる。
しかも、各光学式圧力センサは、前述の第1実施形態の光学式圧力センサ1と同じ構造であるため、複数の測定点における圧力を高精度に検出することができる。
(2)また、同じ製造工程により、レンズおよび回折格子の両方の機能を有する光学素子70と、この光学素子70から出射される各分割光の進行方向に配置される複数の光導波路3とを同じシリコン基板2に一括して製造することができる。
つまり、同じシリコン基板2の予め位置決めされた部分に光学素子70および各光導波路3を形成するため、光学素子および各光導波路3を個別に製造して組み合わせるものよりも、位置決め精度を高めることができる。
また、光学素子70および複数の光導波路3からなる光学式圧力センサ60の製造効率を高めることができる。
(3)さらに、光学素子70および各光導波路3と同じ製造工程により、各ミラー61を同じシリコン基板の基板面に形成することができる。
従って、各ミラー61を別の製造工程で製造し、シリコン基板2の基板面に配置する製造方法よりも位置決め精度および製造効率を高めることができる。
(4)各ミラー61は熱酸化しないため、その反射面61aが透明ガラス化し、分割光を正確に反射できなくなることがない。
(5)光学素子70の入射面に対して光を出射する単一の光源(LD素子64)を配置するだけで済むため、各光導波路3ごとに光源を配置する製造方法よりも製造効率を高めることができ、かつ、製造コストを低くすることができる。
(6)シリコン基板2のエッチングおよび熱酸化により、レンズおよび回折格子の両方の機能を有する光学素子を製造することができるため、レンズおよび回折格子を別個独立して製造し、それらを組み合わせる必要がない。
従って、レンズおよび回折格子を有する光学装置の製造効率を高めることができ、かつ、その製造コストを低くすることができる。
また、光学素子70単体でレンズおよび回折格子の機能を有するため、それらを別個独立して製造する場合のようにレンズおよび回折格子の位置決めをする必要がない。
(7)自身を透過する光のビーム形状をレンズ効果で変化させつつ、その変化した光を、回折格子として機能する縮小された各第3トレンチ71aの間隔で規定される方向に複数の分割光として出射する光学素子70を製造することができる。
従って、必要な分割光の数に対応する第3トレンチ71aが形成されるように光学素子70を製造することにより、レンズ効果で変化されたビーム形状の分割光を必要な数だけ出射する光学装置を製造することができる。
(8)ブラッググレーティング4を光路の途中に有する各光導波路3は、一方の基板面をエッチングおよび熱酸化することにより形成されたものであるため、光学素子70と同じ製造工程を経て一括して作ることができる。
従って、別の製造工程にて製造した複数の光導波路3を一方の基板面上に配置する構成のように光学素子70および各光導波路3の位置決めを行う必要がない。
また、別の製造工程にて複数の光導波路3を製造し、さらに各光導波路3にそれぞれブラッググレーティング4をレーザなどで加工する必要がないため、ブラッググレーティングを有する複数の光導波路3および光学素子70の製造効率を高めることができる。
(9)被測定対象となる流体が流入する受圧室5を他方の基板面に形成し、その受圧室5の底面をダイアフラム6に形成するため、各光導波路3ごとに受圧室5とは別個にダイアフラム6を形成する必要がないので製造効率を高めることができる。
[その他の実施形態]
(1)ブラッググレーティング4を形成するための各第2構造体30および各第2トレンチ31を、それぞれ第1トレンチ21と斜めに交差するように製造することもできる。
このように製造することにより、ブラッググレーティング4に入射する光の一部または全部を光導波路3の側方外部へ反射させることが可能となる。
(2)ダイアフラム6に代えて、温度により変位する部分を形成することもできる。例えば、ダイアフラム6をそのまま用いることもできるし、ダイアフラム6の部分を金属により形成してもよい。また、ダイアフラム6の表面に金属膜を形成してもよい。さらに、ダイアフラム6を形成しないで、ブラッググレーティング4の裏面に相当する部分をそのまま変位部として用いることもできる。
これらの構成を適用した場合でも、温度に応じて変位する変位部がブラッググレーティング4の裏面に直接形成されるため、変位部、または変位部近傍の温度を高精度で検出することができる光学装置を実現することができる。また、その光学装置の製造効率を高めることができる。
(3)熱酸化されたミラー61の反射面61aに反射材を形成することもできる。この構成によれば、透明ガラス化された表層部分における分割光の屈折をなくすことができるため、反射光を正確に光導波路3に導くことができる。
(4)光学素子70を回折格子の機能のみを有するものに形成することもできる。
(5)第2実施形態の光学式圧力センサ60において、ミラー61を使用しないで、各分割光の進行方向に沿って各光導波路3をそれぞれ形成することもできる。
(6)第2実施形態の光学式圧力センサ60において、各光導波路3に代えて、フォトダイオードなどの受光素子を配置することもできる。
(7)各実施形態において、シリコン基板2に代えてSOI基板を用いることもでき、この場合も前述の各実施形態の効果と同じ効果を奏することができる。
1・・光学式圧力センサ、2・・シリコン基板、3・・光導波路、
4・・ブラッググレーティング、4a・・縮小された第2トレンチ、
4b・・縮小された第2構造体、5・・受圧室、6・・ダイアフラム、
7,8・・光ファイバ、9・・ガラス基板、
11,12,61b,63a,73・・エッチングマスク、20・・第1構造体、
20a・・酸化された第1構造体、21・・第1トレンチ、
21a・・縮小された第1トレンチ、30・・第2構造体、31・・第2トレンチ、
60・・光学式圧力センサ、61・・ミラー、62・・円柱レンズ、
63・・位置決め部材、64・・LD素子、70・・光学素子。

Claims (4)

  1. シリコン基板の一方の基板面をエッチングおよび熱酸化することにより形成された光学装置であって、酸化シリコンによりレンズ形状に形成されており、かつ、回折格子の機能を有する間隙が内部に形成されており、自身を透過する光のビーム形状をレンズ効果で変化させつつ、その変化した光を、前記各間隔で規定される方向に複数の分割光として出射するように構成されてなり、
    前記一方の基板面における前記各分割光の進行方向には、前記一方の基板面をエッチングおよび熱酸化することにより形成された酸化シリコンからなる光学素子が前記分割光を入射するようにそれぞれ配置されてなり、
    前記各光学素子は、前記一方の基板面をエッチングおよび熱酸化することにより形成された光導波路であり、
    前記各光導波路は、前記一方の基板面をエッチングおよび熱酸化することにより形成されたブラッググレーティングを光路の途中にそれぞれ有し、かつ、力学量の印加によって変位する変位部であって、前記シリコン基板の他方の基板面のうち、前記ブラッググレーティングの裏面に対応する部分をエッチングすることにより形成された変位部をそれぞれ有することを特徴とする光学装置。
  2. 前記変位部は、圧力を受けて変位するダイアフラムであることを特徴とする請求項1に記載の光学装置。
  3. 被測定対象となる流体が流入する受圧室が前記他方の基板面に形成されており、その受圧室の底面が前記ダイアフラムに形成されていることを特徴とする請求項2に記載の光学装置。
  4. 前記変位部は、温度の変化に応じて変位するものであることを特徴とする請求項1に記載の光学装置。
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