JP5367630B2 - 太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、および太陽電池パネルの製造方法 - Google Patents

太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、および太陽電池パネルの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、および太陽電池パネルの製造方法に関するものである。
従来の太陽電池パネルは、特開2008−109041号公報(特許文献1)に示される構造を有している。特許文献1に示される太陽電池パネルの一例に注目し、その端部近傍の拡大断面図を図18に示す。太陽電池パネル100は、主表面2uを有する透明絶縁基板2と、透明絶縁基板2の主表面2uに順次積層された透明電極層3、半導体光電変換層4、および裏面電極層5とを含む。太陽電池パネル100は、透明絶縁基板2の外周近傍に透明絶縁基板2の主表面2uが露出する外周絶縁領域21を有する。
特開2008−109041号公報
図18に示したような構造は各層を成膜した後に、一般的に用いられているレーザやブラスト等によってパターニングすることによって作製される。この構造は、作製した後に樹脂(図示せず)および保護フィルムで全体を封止される。
外周絶縁領域21においては、図18に示したように、透明絶縁基板2の主表面2uが直接露出しており、主表面2uの上には何もない状態となっているべきである。しかし、実際には、図19に示すように、パターニング時の何らかの材料の残渣23が外周絶縁領域21に残っていることがあり得る。
樹脂で全体が封止される場合には、このような残渣23もともに封止されることになる。このような場合、樹脂や保護フィルムや端子ボックス接続後に、最終の絶縁耐圧性を評価する試験を行い合格品のみを出荷することになり、結局不良品も封止工程までいくことになる。
したがって、このような不良品のリークを避けるためには、外周絶縁領域21が形成された後に、一度検査装置にて検査を行うことが有効である。完成品の前に外周絶縁領域の主表面における残渣の有無を検査することにより、モジュール部材の材料が無駄にならないようにすることが可能である。
製造中に絶縁耐圧試験で不合格になった太陽電池パネルの基板の解析を行なったが、絶縁不良になるような原因が無い基板があることが分かった。又、再度太陽電池パネル検査装置にて検査したところ絶縁状態は良好であることが分かった。そして、原因を究明した結果、太陽電池パネル検査装置内の絶対水分量(本明細書中では水分量と記載)およびラインの水分量との因果関係に注目し、本発明に至った。
そこで、本発明は、太陽電池パネルの外周絶縁領域における絶縁状態を正確に検査するための太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、および太陽電池パネルの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に基づく太陽電池パネル検査装置は、透明絶縁基板の主表面に順次積層された透明電極層、光電変換層、および裏面電極層を含み、上記透明絶縁基板の外周近傍に上記透明絶縁基板の上記主表面が露出する外周絶縁領域を有する太陽電池パネルに対して、上記外周絶縁領域の絶縁性能を検査するための太陽電池パネル検査装置であって、検査対象の太陽電池パネルを収容する筐体と、上記裏面電極層に当接させるための第1端子と、上記外周絶縁領域の外周端近傍に当接させるための第2端子と、を有し、上記第1端子と上記第2端子との端子間にそれぞれ電圧を印加するための電圧印加部と、上記電圧印加部によって電圧を印加した上記第1端子と上記第2端子との間に流れる電流を検出する電流検出部と、上記筐体内の絶対水分量を14.3g/m以下に減少させる手段と、を備え、上記絶縁性能の検査は、上記太陽電池パネルはシステム電圧1000Vであり、上記太陽電池パネルに6000Vの電圧を印加して電流値が50μA未満であれば合格と判断する
上記目的を達成するため、本発明に基づく太陽電池パネルの検査方法は、透明絶縁基板の主表面に順次積層された透明電極層、光電変換層、および裏面電極層を含み、上記透明絶縁基板の外周近傍に上記透明絶縁基板の上記主表面が露出する外周絶縁領域を有する太陽電池パネルに対して、上記外周絶縁領域の絶縁性能を検査するため、上記に記載の太陽電池パネル検査装置を用いた太陽電池パネル検査方法であって、検査対象の太陽電池パネル周囲の雰囲気の絶対水分量を14.3g/m以下に減少させる工程と、該絶対水分量を減少させる工程の後に、上記裏面電極層と上記外周絶縁領域の外周端近傍との間に流れる電流を検出する工程と、を含む。
上記目的を達成するため、本発明に基づく太陽電池パネルの製造方法は、透明絶縁基板に設けられた透明電極層に、光電変換層および裏面電極層を積層する工程と、上記透明絶縁基板の外周近傍に積層された上記透明電極層、上記光電変換層および上記裏面電極層を除去して、外周絶縁領域を形成する工程と、上記透明絶縁基板周囲の雰囲気の絶対水分量を14.3g/m3以下に減少させる工程と、該絶対水分量を減少させる工程の後に、上
記裏面電極層と上記外周絶縁領域の外周端近傍との間に流れる電流を検出して、上記外周絶縁領域の絶縁性能を検査する工程と、を含み、上記外周絶縁領域の絶縁性能を検査する工程は、上記太陽電池パネル検査方法を用いた太陽電池パネル検査方法である。
上記目的を達成するため、本発明に基づく太陽電池パネルは、上述の太陽電池パネルの検査方法または上述の太陽電池パネルの製造方法を用いて製造される。
本発明によれば、端子間に電圧を印加して流れる電流量を正確に検査することができ、太陽電池パネルの外周絶縁領域における絶縁状態を正確に検査することができる。したがって、太陽電池パネルの生産性の向上を図ることが可能となる。
実施の形態1における太陽電池パネル検査装置の構成を示す図である。 太陽電池パネルの断面構造を示す図である。 実施の形態1における太陽電池パネル検査装置において、端子が太陽電池パネルの外周絶縁領域に位置する場合の部分拡大断面図である。 一定湿度(50%)に対する各温度と水分量との関係を表す図である。 実施の形態2における太陽電池パネル検査装置および上流側装置の構成を示す図である。 実施例1における太陽電池パネル検査装置における端子の位置を示す平面図である。 実施例1における太陽電池パネル検査装置と太陽電池パネルとの位置関および印加電圧を説明する断面図である。 6000V印加時に生じる漏れ電流と水分量との関係を表す図である。 実施例1における太陽電池パネルの製造工程を説明するための第1工程断面模式図である。 実施例1における太陽電池パネルの製造工程を説明するための第2工程断面模式図である。 実施例1における太陽電池パネルの製造工程を説明するための第3工程断面模式図である。 実施例1における太陽電池パネルの製造工程を説明するための第4工程断面模式図である。 実施例1における太陽電池パネルの製造工程を説明するための第5工程断面模式図である。 実施例1における太陽電池パネルの製造工程を説明するための第6工程断面模式図である。 実施例1における太陽電池パネルの製造工程を説明するための第7工程断面模式図である。 実施例1における太陽電池パネルの製造工程を説明するための第8工程断面模式図である。 実施例1における太陽電池パネルの製造工程を説明するための第9工程断面模式図である。 太陽電池パネルの断面構造を示す第1の図である。 太陽電池パネルの断面構造を示す第2の図である。
本発明に基づいた各実施の形態における太陽電池パネル検査装置、太陽電池パネルの検査方法、太陽電池パネルの製造方法、および太陽電池パネルについて、以下、図を参照しながら説明する。なお、以下に示す実施の形態および実施例は一例であり、種々の形態および実施例での実施が本発明の範囲内で可能である。
また、以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
(実施の形態1)
(太陽電池パネル検査装置50の構成)
図1に示すように、本実施の形態における太陽電池パネル検査装置50の構成の一例について説明する。この太陽電池パネル検査装置50の検査対象である太陽電池パネル100は、図2に示すように、主表面2uを有する透明絶縁基板2と、透明絶縁基板2の主表面2uに順次積層された透明電極層3、半導体光電変換層4および裏面電極層5とを含み、透明絶縁基板2の外周近傍に透明絶縁基板2の主表面2uが露出する外周絶縁領域21を有している。太陽電池パネル検査装置50は、このような太陽電池パネル100に対して、外周絶縁領域21の絶縁性能を検査するための検査装置である。
再び、図1を参照して、この太陽電池パネル検査装置50は、筐体51と、裏面電極層5に当接させるための第1端子31と、外周絶縁領域21の外周端近傍に当接させるための第2端子32と、第1端子31および第2端子32を上下方向および左右方向に起こす機構(図示せず)と、第1端子31および第2端子32の間にそれぞれ電圧を印加するための電圧印加部34と、電圧印加部34によって電圧を印加した第1端子31および第2端子32の間に流れる電流を検出する電流検出部35(たとえば、絶縁耐圧試験機)と、筐体51内の水分量を管理する手段36(たとえば、温湿度センサー)と、太陽電池パネル100を搬送する手段39(たとえば、コンベヤー)とを備えている。
筐体51内部においては、検査対象となる太陽電池パネル100が収納された状態で、水分量を管理する手段36によりその太陽電池パネル100周囲の雰囲気の水分量を管理することができ、水分量を減少させる手段37によりその太陽電池パネル100周囲の雰囲気の水分量を減少させることができる。
電圧印加部34と電流を検出する電流検出部35は、一体型でも構わない。水分量を管理する手段36と、筐体51内の水分量を減少させる手段37も一体型のものでも構わない。また、水分量を管理する手段36は、必ずしも装置構成上なくても構わない。たとえば、水分量を減少させる手段37の動作が確認できることにより、筺体51内の水分量の減少が確認できる場合等が挙げられる。
また、図1に示す第1端子31および第2端子32とは別に、図3に示すように第1端子31と第2端子32の間に第3端子33(複数でも可能)があっても構わない。組合せにより、C1,C2,C3のそれぞれに電圧を印加することができる。ただし、第3端子33の数を多くしすぎると構造が複雑になってしまう。また、外周絶縁領域の幅に対して第3端子33と第1端子31の隙間、および第3端子33と第2端子32との間隙をうまく配置するためには、第3端子33の数をあまり多くしすぎると不都合である。このようなことを考慮すると、現実的には、上記1以上の第3端子33の数は、2以下であることが好ましい。
水分量を管理する手段36は1つ以上あれば構わないし、好ましくは筐体51内の対角線上の位置に2ヶ所あると良い。筐体51内の水分量を管理する方法としては、湿度・温度をモニタリングすることにより、水分量を正確に把握することが可能となる。たとえば、図4に示したように、同じ湿度50%であった場合でも、温度が30℃の場合、水分量は15.05g/mであり、温度が25℃の場合、水分量は11.42g/mとなり水分量の相違が生じる。
また、太陽電池パネル(薄膜太陽電池)の製造ラインでは、温度管理もある幅を有して(約5℃程度)おり、さらに湿度管理をしていないのが一般的な製造環境である。従って、それぞれの温度により湿度を管理することにより、正確な筐体51内の水分量を把握することができる。その際、温度ごとに湿度の上限を決めて管理を行なうことにより、測定を正確に行なうことが可能である。
より、簡単な管理方法として、温度管理の上限値がわかっているのであれば、温度が高いほど同じ湿度であれば、水分量が高いので、温度の上限値での湿度を管理しておけば、測定を正しく行なうことが可能となる。
筐体51内の水分量としては、好ましくは14.3g/m以下、より好ましくは12.5g/m以下である。
筐体51内の水分量を減少させる手段としては、筐体51内に乾燥エアーにて置換することにより、筐体51内の水分量を減少させることが可能である。その際、たとえば、温度25℃、湿度50%が上限値だとすれば、温度28℃、湿度45%以上になれば、乾燥エアーを導入するなどの制御を行えば、ランニングコスト低減が可能となる。
他の水分量を減少させる手段としては、除湿機にて装置内の水分量を低減すればよい。この際、たとえば、温度28℃、湿度50%が上限値だとすれば、温度28℃、湿度45%以上になれば、除湿機が運転開始するなどの制御を行なえば、ランニングコスト低減が可能となる。
より、簡単な水分量を減少させる手段として、筐体51内に乾燥剤をいれ、湿度がある一定値以上になれば、筐体51内より警告音が発せられ、乾燥剤を交換するシステムを有していれば良い。乾燥剤としては、物理的吸着であるシリカゲル系乾燥剤、化学的吸着である塩化カルシウム系乾燥時剤、酸化マグネシウム系乾燥剤が使用できる。水分量が高い場合は、吸湿に優れた化学的吸着である乾燥剤を使用することが好ましい。
また、装置の筐体51内の湿度、温度または水分量が規定値以上である場合、装置内にて基板が待機し、規定値未満の温度・湿度または水分量になるまで測定を実行しない方が、装置の前のコンベヤー等で待機するより好ましい。
(実施の形態2)
(太陽電池パネル検査装置50Aおよび上流側装置52の構成)
図5に示すように、本実施の形態に使用する太陽電池パネル検査装置50A、および太陽電池パネル100の搬送方向からみて上流側に設置される上流側装置52の構成の一例について説明する。この太陽電池パネル検査装置50Aは、図2に示した、主表面2uを有する透明絶縁基板2と、透明絶縁基板2の主表面2uに順次積層された透明電極層3、半導体光電変換層4、および裏面電極層5とを含み、透明絶縁基板2の外周近傍に透明絶縁基板2の主表面2uが露出する外周絶縁領域21を有する太陽電池パネル100に対して、外周絶縁領域21の絶縁性能を検査するための検査装置である。
この太陽電池パネル検査装置50Aは、筐体51Aと、少なくとも裏面電極層5に当接させるための第1端子31と、外周絶縁領域21の外周端近傍に当接させるための第2端子32と、第1端子31および第2端子32を上下方向および左右方向に起こす機構(図示せず)と、第1端子31および第2端子32の間にそれぞれ電圧を印加するための電圧印加部34と、電圧印加部34によって電圧を印加した第1端子31および第2端子32の間に流れる電流を検出する電流検出部35(たとえば、耐電圧・絶縁抵抗試験機)と、筐体51A内の水分量を管理する手段36(たとえば、温湿度センサー)と、太陽電池パネル100を搬送する手段39(たとえば、コンベヤー)とを備えている。
筐体51内部においては、検査対象となる太陽電池パネル100が収納された状態で、水分量を管理する手段36によりその太陽電池パネル100周囲の雰囲気の水分量を管理することができ、水分量を減少させる手段37によりその太陽電池パネル100周囲の雰囲気の水分量を減少させることができる。
電圧印加部34と電流を検出する電流検出部35は、一体型でも構わない。水分量を管理する手段36と、筐体51内の水分量を減少させる手段37も一体型のものでも構わない。また、水分量を管理する手段36は、必ずしも装置構成上なくても構わない。たとえば、水分量を減少させる手段37の動作が確認できることにより、筺体51内の水分量の減少が確認できる場合等が挙げられる。
また、図5に示す第1端子31および第2端子32とは別に、図3に示したような、第1端子31と第2端子32の間に第三の端子33(複数でも可能)があっても構わない。組合せにより、C1,C2,C3のそれぞれに電圧を印加することができる。ただし、第3端子33の数を多くしすぎると構造が複雑になってしまう。また、外周絶縁領域の幅に対して第3端子33と第1端子31の隙間、および第3端子33と第2端子32との間隙をうまく配置するためには、第3端子33の数をあまり多くしすぎると不都合である。このようなことを考慮すると、現実的には、上記1以上の第3端子33の数は、2以下であることが好ましい。
太陽電池パネル100Aの搬送方向からみて上流側直前に設置される上流側装置52(たとえば、搬送コンベヤー)の筐体53内には、筐体53内の水分量を管理する手段36A(たとえば、温湿度センサー)と、筐体53内の水分量を減少させる手段37A(たとえば、乾燥エアー、除湿機、乾燥剤)を備えている。また、筐体53内には、水分量を管理する手段36Aおよび水分量を減少させる手段37Aを制御する制御部38Aと、太陽電池パネル100Aを搬送する手段39A(たとえば、コンベヤー)が収容されている。
水分量を減少させる手段37Aは、太陽電池パネル検査装置50Aの水分量を減少させる手段37と兼用でも構わない。太陽電池パネル検査装置50Aと上流側に設置される装置52とに対して、両方の筐体51A,53内の水分量を同時に管理し、水分量を減少させる手段をもつ構成としても構わない。また、より好ましくは、上流側装置52よりもさらに搬送方向の上流側に位置する、たとえば、太陽電池パネルの外周絶縁領域21を形成する装置の後流側から太陽電池パネル検査装置50Aの間にあるすべての搬送コンベヤーや、その他の装置にも、水分量を管理する機能および水分量を減少させる機能があれば良い。
(実施例1)
以下、図9から図17を参照して、本発明の光電変換装置の製造方法の一例として、実施の形態1における太陽電池パネル検査装置50を用いた太陽電池パネルの検査方法を製造工程に含む太陽電池パネルの製造方法、およびその太陽電池パネルを用いた薄膜太陽電池の製造方法について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
まず、図9の模式的断面図に示すように、透明絶縁基板2上に透明導電膜3である酸化錫を熱CVD法により形成する。透明導電膜3の形成方法としては、たとえば従来からスパッタリング法、蒸着法、またはイオンプレーティング法などを用いることができる。
ここで、透明絶縁基板2としては、ガラス基板(サイズ1000mm×1400mm、厚み4mm)を用いた。その他、たとえば、ポリイミド樹脂などの透明樹脂を含む樹脂基板、またはこれらの基板の複数を積層した基板などの光を透過させることができる透光性基板を用いることができる。
また、透明導電膜3としては、その他、たとえば、ITO(Indium Tin Oxide)膜、若しくはZnO(酸化亜鉛)膜の単層、またはこれらを複数重ね合わせた複数層などの光を透過させることができるとともに導電性である膜を用いることができる。透明導電膜3が複数層から構成される場合には、すべての層が同一の材料から形成されていてもよく、少なくとも1層が他と異なる材料から形成されていてもよい。
なお、ここでは、透明絶縁基板2に透明導電膜3を形成する工程から説明したが、予め透明導電膜3が形成された透明絶縁基板2を用いても良く、その場合には、製造方法に透明電極膜3の形成工程が含まれないことになる。
次に、図10の模式的断面図に示すように、透明導電膜3を分離する直線状の第1の分離溝11をYAGレーザ光の基本波を用いて形成した。なお、レーザスクライブ法による第1の分離溝11の形成に用いられるレーザ光としては、その他、たとえば、YVOレーザ光の基本波やファイバーレーザなどを用いることができる。
次に、図11の模式的断面図に示すように、純水を用いて超音波洗浄を行なった後、第1の分離溝11が形成された透明導電膜2上に光電変換層4をプラズマCVD法を用いて形成した。
光電変換層4としては、半導体光電変換層を用いることができ、透明絶縁基板2側から、アモルファスシリコン薄膜からなるp層、i層、およびn層をこの順に積層したトップセル(第1光電変換層)と、トップセル上に、微結晶シリコン薄膜からなるp層、i層、およびn層をこの順に積層したボトムセル(第2光電変換層)とを成膜した。
また、光電変換層4としては、その他、たとえば、透明絶縁基板2側から、アモルファスシリコン薄膜からなるp層、i層、およびn層をこの順に積層したトップセル(第1光電変換層)と、トップセル上に、アモルファスシリコン薄膜からなるp層、i層およびn層をこの順に積層したミドルセル(第2光電変換層)と、ミドルセル上に、微結晶シリコン薄膜からなるp層、i層およびn層をこの順に積層したボトムセル(第3光電変換層)と、をたとえばプラズマCVD法により積層してもよい。なお、光電変換層の数をこれ以上とすることもできる。
第1光電変換層から第3光電変換層の各光電変換層は、全て同種のシリコン系半導体からなってもよく、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。第1光電変換層から第3光電変換層の各光電変換層は、それぞれ、p型半導体層、i型半導体層、およびn型半導体層を含んでおり、各半導体層は、シリコン系半導体からなってもよい。
光電変換層に含まれる各半導体層は、全て同種のシリコン系半導体からなってもよく、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。たとえば、p型半導体層とi型半導体層を非晶質シリコンで形成し、n型半導体層を微結晶シリコンで形成してもよい。また、たとえば、p型半導体層とn型半導体層をシリコンカーバイドまたはシリコンゲルマニウムで形成し、i型半導体層をシリコンで形成してもよい。
また、p型、i型およびn型の各半導体層は、1層構造であっても複数層構造であってもよい。複数層構造である場合は、各層は、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。なお、本明細書において、「非晶質シリコン」は「水素化非晶質シリコン」を含む概念であり、「微結晶シリコン」は「水素化微結晶シリコン」を含む概念である。
次に、図12の模式的断面図に示すように、太陽電池基板20の光電変換層4を分離する直線状の第2の分離溝12をYAGレーザ光の第2高調波を用いて形成した。YVOレーザ光の第2高調波などを用いても構わない。
次に、図13の模式的断面図に示すように、第2の分離溝12が形成された光電変換層4を覆うように裏面電極層5をスパッタリング法により、酸化亜鉛(ZnO)/Agを膜厚50nm/150nmで形成した。裏面電極層5の形成方法としては、その他、たとえば従来から公知の、蒸着法またはイオンプレーティング法などを用いることができる。
ここで、裏面電極層5としては、その他、たとえばAg(銀)層、Al(アルミニウム)層、またはこれらの層の積層体などの導電性を有する層を用いることができる。また、裏面電極層4は、光電変換層4側の表面に、たとえば、SnO膜、ITO膜、ZnO膜、若しくはこれらの膜に微量の不純物を添加した膜の単層、またはこれらを複数重ね合わせた複数層などの光を透過させることができるとともに、導電性である透明導電膜を有していることが薄膜太陽電池の変換効率を向上させる観点から好ましい。透明導電膜が複数層から構成される場合には、すべての層が同一の材料から形成されていてもよく、少なくとも1層が他と異なる材料から形成されていてもよい。
その後、図14の模式的断面図に示すように、光電変換層4および裏面電極層5を分離する直線状の第3の分離溝13をYAGレーザ光の第2高調波を用いて形成した。YVOレーザ光の第2高調波などを用いても構わない。
この際、第3分離溝13の形成においては、透明電極層3へのダメージを抑え、かつ第3分離溝13の形成後の裏面電極層5のバリの発生を抑制することが可能な形成条件を選択することが好ましい。
次に、図15の模式的断面図に示すように、外周絶縁領域21をYAGレーザ光の基本波を用いて形成した。その他、YVOレーザ光の基本波などを用いても構わない。その後、逆バイアス処理装置により、逆電圧を印加することにより、太陽電池セル内のリークを修復した。
次に、太陽電池パネル100の外周絶縁領域21の絶縁耐圧性を評価するために、実施の形態1に対応する太陽電池パネル検査装置50を用いて検査を行った。図6に示すように、太陽電池パネル検査装置50の第1端子31として円柱状のものを6本設けた。第2端子32は、検査対象となる太陽電池パネル100の外周に密接してこの外周を矩形状に取囲むように配置されている。第1端子31は、太陽電池パネル20の裏面電極層5の存在する領域の内側において、互いに対向する平行な2辺に沿う位置にそれぞれ配置されている。
図7に示すように、外周絶縁領域21の幅は12mmである。第1端子31と第2端子32との間には、6000Vの電圧を印加した。ここで、絶縁耐電圧特性とは、薄膜太陽電池の外周縁に取り付けられたフレームと薄膜太陽電池との間に所定の高電圧を印加しても、フレームと薄膜太陽電池との間で放電しない特性を意味する。
たとえば、日本工業規格(JIS)のC8991で定められた絶縁耐電圧試験によって所定の絶縁耐電圧性が得られているか調べることができる。システム電圧が1000Vの薄膜太陽電池モジュールの場合、国際規格では雷サージ耐圧6KVに対する絶縁耐電圧性が必要とされている。システム電圧1000Vの薄膜太陽電池である場合は6000Vの電圧を印加し、電流値が50μA未満であれば合格と判断する。
図8は、筐体50A内の水分量と、上述の条件化下において、太陽電池パネル100の絶縁耐電圧試験を行なった際の電流量との関係を示したグラフである。水分量は電流の流れる量の傾きが変化する14.3g/m以下にすることが好ましく、より好ましくは電流量が増加する変化点である12.5g/m以下で管理する。
筐体50A内が常に12.5g/mになるように温度24℃の場合は湿度57.5%以下、温度25℃の場合は湿度54.5%以下、温度26℃の場合は湿度51.5%以下、温度27℃の場合は湿度48.5%以下、温度28℃の場合は湿度46%以下になるように、水分量を管理する手段36Aおよび水分量を減少させる手段37Aを用いて制御部38Aにより管理し、太陽電池パネルが通常搬送している間、検査結果には異常なことになることは無かった。又、太陽電池パネル100を100枚抜き取り、1回目の測定結果と再測定の測定結果には差は見られなかった。次に、ソーラシミュレーター装置により、太陽電池パネル100の特性を測定した。
ここでは、筐体50A内部に検査対象となる太陽電池パネル100(透明絶縁基板2)が収納された状態で、水分量を管理する手段36Aによりその太陽電池パネル100(透明絶縁基板2)周囲の雰囲気の水分量を管理し、水分量を減少させる手段37Aによりその太陽電池パネル100(透明絶縁基板2)周囲の雰囲気の水分量を減少させることになる。
次に、図16の模式的断面図に示すように、裏面電極層5の表面上にそれぞれ、銀ペーストなどの導電性ペースト6を介して電流取り出し用電極7を形成した。その後、図17の模式的断面図に示すように、電極7の形成後の裏面電極層5の表面上に、上記の積層体の裏面側に透明なEVA(エチレンビニルアセテート)からなる透明接着材8を設置し、その後、PET(ポリエステル)/アルミニウム/PETの積層フィルムからなる裏面封止材9設置した後に、真空ラミネート装置によって、裏面封止材9と透明絶縁基板2とを接着した。
その後、太陽電池パネル100の裏面封止材9に端子ボックス(図示省略)を接着し、端子ボックス内をシリコーン樹脂で充填し、アルミニウムフレーム(図示省略)を取り付けることによって、太陽電池パネル100を用いた薄膜太陽電池100Aを完成させた。
上記のようにして作製した薄膜太陽電池100Aについては、上記の太陽電池パネル100の外周絶縁領域21に対応する箇所にアルミニウムフレームを取り付けた後に、アルミニウムフレームと薄膜太陽電池100Aの電極7との間に6000Vを印加し、絶縁耐電圧の最終試験を行った。その結果、全てのセルが合格となった。
(実施例2)
実施の形態2における太陽電池パネル検査装置50Aを用いた太陽電池パネルの検査方法を製造工程に含む太陽電池パネルの製造方法、およびその太陽電池パネルを用いた薄膜太陽電池の製造方法について説明する。説明は実施例1と異なる点のみ説明する。太陽電池パネル検査装置50Aの太陽電池パネル100の搬送方向からみて上流側にコンベヤーを有する上流側装置52を設け、この上流側装置52の筐体53の内部にも、水分量を管理する手段36Aおよび水分量を減少させる手段37Aを設けた。
上流側装置52に水分量を減少させる手段37Aを設けない場合では、太陽電池パネル検査装置50Aの後の工程にてトラブルが起き、太陽電池パネル100の搬送が滞留し、搬送ラインが停止した際に、検査が正確にできないことがあり、その原因として以下のことが考えられる。
太陽電池パネル検査装置50Aよりも前の工程において、水分量が高い場合には、太陽電池パネル100の外周絶縁領域21上に水分が吸着した場合、太陽電池パネル検査装置50Aの測定値に影響を与えた。おそらく、外周絶縁領域21上に吸着した水分が、除去されるまでに時間がかかるために、太陽電池パネル検査装置50A内だけでの水分量の管理では不十分であるためだと考えられる。
一方、上流側装置52の筐体53の内部にも、水分量を管理する手段36Aおよび水分量を減少させる手段37Aを設けることで、太陽電池パネル検査装置50Aの上流側に位置する上流側装置52の水分量を管理することにより、トラブル発生時でも測定を正確に行なうことができた。
なお、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態および実施例は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
2 透明絶縁基板、2u 主表面、3 透明電極層、4 半導体光電変換層、5 裏面電極層、6 導電性ペースト、7 電流取り出し用電極、8 透明接着材、9 裏面封止材、21 外周絶縁領域、31 第1端子、32 第2端子、33 第3端子、34 電圧印加部、35 電流検出部、36,36A 水分量を管理する手段、37,37A 水分量を減少させる手段、38,38A 制御部、39,39A 搬送する手段、50 太陽電池パネル検査装置、50A 太陽電池パネル検査装置、51 筐体、52 上流側装置、100 太陽電池パネル、100A 薄膜太陽電池。

Claims (9)

  1. 透明絶縁基板の主表面に順次積層された透明電極層、光電変換層、および裏面電極層を含み、前記透明絶縁基板の外周近傍に前記透明絶縁基板の前記主表面が露出する外周絶縁領域を有する太陽電池パネルに対して、前記外周絶縁領域の絶縁性能を検査するための太陽電池パネル検査装置であって、
    検査対象の太陽電池パネルを収容する筐体と、
    前記裏面電極層に当接させるための第1端子と、
    前記外周絶縁領域の外周端近傍に当接させるための第2端子と、を有し、
    前記第1端子と前記第2端子との端子間にそれぞれ電圧を印加するための電圧印加部と、
    前記電圧印加部によって電圧を印加した前記第1端子と前記第2端子との間に流れる電流を検出する電流検出部と、
    前記筐体内の絶対水分量を14.3g/m以下に減少させる手段と、
    を備え
    前記絶縁性能の検査は、前記太陽電池パネルに6000Vの電圧を印加して電流値が50μA未満であれば合格と判断する、太陽電池パネル検査装置。
  2. 前記絶対水分量を減少させる手段として、乾燥エアーを使用する、請求項1に記載の太陽電池パネル検査装置。
  3. 前記絶対水分量を減少させる手段として、除湿機を使用する、請求項1に記載の太陽電池パネル検査装置。
  4. 前記絶対水分量を減少させる手段として、乾燥剤を使用する、請求項1に記載の太陽電池パネル検査装置。
  5. 前記筐体内の絶対水分量を管理する手段をさらに備える、請求項1から4のいずれかに記載の太陽電池パネル検査装置。
  6. 前記絶対水分量を管理する手段として、前記筐体内の温度と湿度とを管理する、請求項5に記載の太陽電池パネル検査装置。
  7. 前記絶対水分量を管理する手段として、前記筐体内の最高温度時の湿度を管理する、請求項5または6に記載の太陽電池パネル検査装置。
  8. 透明絶縁基板の主表面に順次積層された透明電極層、光電変換層、および裏面電極層を含み、前記透明絶縁基板の外周近傍に前記透明絶縁基板の前記主表面が露出する外周絶縁領域を有する太陽電池パネルに対して、前記外周絶縁領域の絶縁性能を検査するため、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の太陽電池パネル検査装置を用いた太陽電池パネル検査方法であって、
    検査対象の太陽電池パネル周囲の雰囲気の絶対水分量を14.3g/m以下に減少させる工程と、
    該絶対水分量を減少させる工程の後に、前記裏面電極層と前記外周絶縁領域の外周端近傍との間に流れる電流を検出する工程と、を含む太陽電池パネルの検査方法。
  9. 透明絶縁基板に設けられた透明電極層に、光電変換層および裏面電極層を積層する工程と、
    前記透明絶縁基板の外周近傍に積層された前記透明電極層、前記光電変換層および前記裏面電極層を除去して、外周絶縁領域を形成する工程と、
    前記透明絶縁基板周囲の雰囲気の絶対水分量を14.3g/m以下に減少させる工程と、
    該絶対水分量を減少させる工程の後に、前記裏面電極層と前記外周絶縁領域の外周端近傍との間に流れる電流を検出して、前記外周絶縁領域の絶縁性能を検査する工程と、を含み、
    前記外周絶縁領域の絶縁性能を検査する工程は、請求項8に記載の太陽電池パネル検査方法を用いた太陽電池パネル検査方法である、
    太陽電池パネルの製造方法。
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