JP2013098353A - 薄膜太陽電池モジュールの製造方法および検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】薄膜太陽電池モジュールにおける集積セルストリング間の分離不良の有無を簡便にかつ高い精度でより確実に判別できるようにする。
【解決手段】封止材１６０による封止後であって第１集積セルストリング１１０と第２集積セルストリング１２０とを直列接続する前に、第１集積セルストリング１１０に接続された引き出し用端子１１３，１１４のうちから選択された一方の極性の端子と、第２集積セルストリング１２０に接続された引き出し用端子１２３，１２４のうちから選択された上記一方の極性とは異なる他方の極性の端子との間に電圧を印加することにより、第１集積セルストリング１１０と第２集積セルストリング１２０との間の絶縁抵抗値を測定し、これに基づいて良品であるか不良品であるかの判別を行なう。
【選択図】図１９

Description

本発明は、薄膜太陽電池モジュールの製造方法および検査方法に関し、特に、分離ラインを挟んで並行配置された複数の集積セルストリングを直列に接続することで高電圧の出力が可能とされた薄膜太陽電池モジュールの製造方法および検査方法に関する。

高電圧を出力することができる薄膜太陽電池モジュールとして、特開２００２−２８９８８５号公報（特許文献１）に開示の薄膜太陽電池モジュールが知られている。当該特許文献１に開示の薄膜太陽電池モジュールにあっては、透明基板上に複数のセルが行列状に配置されて設けられており、各列に含まれるセルが封止材の内部において直列に接続されることで列数に応じた数の集積セルストリングが形成され、さらにこれら集積セルストリングが封止材の外部において直列に接続されることですべてのセルが直列に接続された構成が採用されている。

上記構成の薄膜太陽電池モジュールにあっては、複数の集積セルストリングが、各列が延びる方向（以下、単に列方向とも称する）に沿って形成された分離ラインを挟んで各行が延びる方向（以下、単に行方向とも称する）において隣り合うように並行して配置されることになる。当該分離ラインは、透明基板上に積層形成された一対の電極層および光電変換層を一括して分断するようにスクライブ加工が施されることで形成される。

特開２００２−２８９８８５号公報

上述した構成の薄膜太陽電池モジュールにおいては、上記分離ラインにより、隣り合う集積セルストリング間が確実に電気的に絶縁されていることが重要になる。仮に、当該分離ラインによる絶縁が不十分である場合には、不良箇所を介して集積セルストリング間に短絡が生じることになり、出力電圧の大幅な低下が生じる不具合が生じるばかりでなく、当該不良箇所において異常発熱が発生し、場合によっては薄膜太陽電池モジュールに破損が生じる不具合の原因となってしまう。

ここで、上記不良が発生するケースとしては、スクライブ加工における分断が不十分である場合や、スクライブ加工およびその後に実施される工程において当該分離ライン近傍に異物が付着してしまう場合、あるいは封止工程において当該分離ライン近傍にボイドが生じてしまう場合等が主として考えられる。

そのため、当該問題を解決するためには、封止工程後において上述した不良箇所の有無を判別し、不良箇所が含まれているものについては、これを不良品として取り扱うことが必要になる。これにより、上述した如くの分離不良を含まない良品である仕掛品のみを峻別して薄膜太陽電池モジュールを製作することができるため、高い信頼性を有する薄膜太陽電池モジュールの提供が可能になる。

上記不良箇所の有無を判別する一つの方法として、外観検査（たとえば目視検査や画像解析を利用した検査等）によってこれを行なうことが考えられる。しかしながら、当該外観検査を採用した場合には、作業が極めて煩雑になるばかりでなく、高い精度で不良箇所の有無の判別を行なうことが困難になるため、製品の信頼性の向上には必ずしもつながらない問題が生じてしまう。

一方、従来、封止工程後であって製品出荷前にソーラシミュレータ等を用いて薄膜太陽電池モジュールの性能を評価する電気検査が実施されている。当該電気検査を実施することとすれば、検査段階において出力電圧が低いことが確認されることにより、上述した分離不良が生じている可能性の有無が判別可能となるため、当該事象が確認された仕掛品（または製品）を不良品として取り扱うことが可能になる。

しかしながら、上述した不良には、製造段階において既に短絡が顕在化している不良モードのみならず、製造段階において短絡が未だ顕在化しておらず、製品出荷後の使用段階において短絡が顕在化する不良モードも含まれる。そのため、上記電気検査のみを実施した場合には、後者の不良モードが発生しているものについてはこれを当該検査段階において判別することができないこととなってしまう。したがって、上記電気検査を実施したのみでは、製品の信頼性の向上には必ずしもつながらない問題があった。

したがって、本発明は、上述した問題点を解決すべくなされたものであり、集積セルストリング間の分離不良の有無を簡便にかつ高い精度でより確実に判別することができ、これにより高い信頼性の薄膜太陽電池モジュールを製造することができる薄膜太陽電池モジュールの製造方法を提供することを目的とする。

また、本発明は、集積セルストリング間の分離不良の有無を簡便にかつ高い精度でより確実に判別することができる薄膜太陽電池モジュールの検査方法を提供することを目的とする。

本発明に基づく薄膜太陽電池モジュールの製造方法は、透明基板上において封止材によって封止されるとともに、分離ラインを挟んで隣り合うように配設されかつ直列に接続されてなる第１集積セルストリングおよび第２集積セルストリングを備えた薄膜太陽電池モジュールの製造方法であって、以下の工程（Ａ）ないし（Ｅ）を備えている。
（Ａ）直列接続された複数のセルを含む上記第１集積セルストリングおよび直列接続された複数のセルを含む上記第２集積セルストリングのそれぞれに正端子および負端子からなる一対の引き出し用端子を接続する工程。
（Ｂ）上記第１集積セルストリングおよび上記第２集積セルストリングに接続された上記引き出し用端子の各々の端部が上記封止材から露出した状態となるように、上記第１集積セルストリングおよび上記第２集積セルストリングを上記封止材によって封止する工程。
（Ｃ）上記第１集積セルストリングに接続された上記一対の引き出し用端子のうちから選択された一方の極性の端子の露出した端部と、上記第２集積セルストリングに接続された上記一対の引き出し用端子のうちから選択された上記一方の極性とは異なる他方の極性の端子の露出した端部との間に電圧を印加することにより、上記第１集積セルストリングと上記第２集積セルストリングとの間の絶縁抵抗値を測定する工程。
（Ｄ）測定された絶縁抵抗値と予め定めた閾値とを比較することにより、良品であるか不良品であるかを判別する工程。
（Ｅ）良品であると判別された場合に、上記第１集積セルストリングに接続された負端子の露出した端部と、上記第２集積セルストリングに接続された正端子の露出した端部とを結線することにより、上記第１集積セルストリングおよび上記第２集積セルストリングを直列に接続する工程。

また、上記本発明に基づく薄膜太陽電池モジュールの製造方法にあっては、上記第１集積セルストリングと上記第２集積セルストリングとの間の絶縁抵抗値を測定する際に印加される電圧の大きさが、上記セルの１つ当たりのダイオード特性としての順方向オン電圧値に１つ分の集積セルストリングに含まれるセルの数を乗じた値以上の大きさであることが好ましい。

また、上記本発明に基づく薄膜太陽電池モジュールの製造方法は、上述した工程（Ａ）ないし（Ｅ）に加え、さらに以下の工程（Ｆ）を備えていてもよい。
（Ｆ）上記第１集積セルストリングと上記第２集積セルストリングとの間の絶縁抵抗値を測定する工程（すなわち、上記工程（Ｃ））に先立って、上記第１集積セルストリングに接続された一対の引き出し用端子の露出した端部間に定電流を印加してその際に生じる出力電圧値を取得することにより、上記第１集積セルストリングとこれに接続された一対の引き出し用端子との間に接続不良があるか否かを判別するとともに、上記第２集積セルストリングに接続された一対の引き出し用端子の露出した端部間に定電流を印加してその際に生じる出力電圧値を取得することにより、上記第２集積セルストリングとこれに接続された一対の引き出し用端子との間に接続不良があるか否かを判別する工程。

本発明に基づく薄膜太陽電池モジュールの検査方法は、直列接続された複数のセルを含む第１集積セルストリングおよび直列接続された複数のセルを含む第２集積セルストリングが透明基板上において封止材によって封止されるとともに、上記第１集積セルストリングおよび上記第２集積セルストリングのそれぞれに設けられた一対の正端子および負端子からなる引き出し用端子が上記封止材から外部に引き出された状態において、上記第１集積セルストリングに接続された上記一対の引き出し用端子のうちから選択された一方の極性の端子の露出した端部と、上記第２集積セルストリングに接続された上記一対の引き出し用端子のうちから選択された上記一方の極性とは異なる他方の極性の端子の露出した端部との間に電圧を印加することにより、上記第１集積セルストリングと上記第２集積セルストリングとの間の絶縁抵抗値を測定し、測定された絶縁抵抗値と予め定めた閾値とを比較することにより、良品であるか不良品であるかを判別するものである。

また、上記本発明に基づく薄膜太陽電池モジュールの検査方法にあっては、上記第１集積セルストリングと上記第２集積セルストリングとの間の絶縁抵抗値を測定する際に印加される電圧の大きさが、上記セルの１つ当たりのダイオード特性としての順方向オン電圧値に１つ分の集積セルストリングに含まれるセルの数を乗じた値以上の大きさであることが好ましい。

また、上記本発明に基づく薄膜太陽電池モジュールの検査方法にあっては、上記第１集積セルストリングと上記第２集積セルストリングとの間の絶縁抵抗値を測定するに先立って、上記第１集積セルストリングに接続された一対の引き出し用端子の露出した端部間に定電流を印加してその際に生じる出力電圧値を取得することにより、上記第１集積セルストリングとこれに接続された一対の引き出し用端子との間に接続不良があるか否かを判別するとともに、上記第２集積セルストリングに接続された一対の引き出し用端子の露出した端部間に定電流を印加してその際に生じる出力電圧値を取得することにより、上記第２集積セルストリングとこれに接続された一対の引き出し用端子との間に接続不良があるか否かを判別することが好ましい。

本発明によれば、集積セルストリング間の分離不良の有無を簡便にかつ高い精度でより確実に判別することができ、これにより高い信頼性の薄膜太陽電池モジュールを製造することができる薄膜太陽電池モジュールの製造方法を提供することが可能になる。

また、本発明によれば、集積セルストリング間の分離不良の有無を簡便にかつ高い精度でより確実に判別することができる薄膜太陽電池モジュールの検査方法を提供することが可能になる。

本発明の実施の形態における薄膜太陽電池モジュールの製造方法が適用される薄膜太陽電池モジュールの模式背面図である。 図１中に示すＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図である。 図１中に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った模式断面図である。 本発明の実施の形態における薄膜太陽電池モジュールの製造方法を示すフローチャートである。 図４に示すセル工程における第１工程を示す模式断面図である。 図４に示すセル工程における第２工程を示す模式断面図である。 図４に示すセル工程における第３工程を示す模式断面図である。 図４に示すセル工程における第４工程を示す模式断面図である。 図４に示すセル工程における第５工程を示す模式断面図である。 図４に示すセル工程における第６工程を示す模式断面図である。 図４に示すセル工程における第７工程を示す模式断面図である。 図４に示すセル工程における第８工程を示す模式平面図である。 図４に示すセル工程における第９工程を示す模式平面図である。 図４に示すモジュール工程における第１工程を示す模式背面平面図である。 図４に示すモジュール工程における第２工程を示す模式背面図である。 図４に示すモジュール工程における第３工程を示す模式背面図である。 図４に示すモジュール工程における第４工程を示す模式背面図である。 図４に示すモジュール工程における第５工程を示す模式背面図である。 図４に示すモジュール工程における第６工程を示す模式背面図である。 図４に示すモジュール工程における第７工程を示す模式背面図である。 図４に示すモジュール工程における第８工程を示す模式背面図である。 本発明の実施の形態における薄膜太陽電池モジュールの製造方法が適用される他の薄膜太陽電池モジュールの模式背面図である。 単位太陽電池セルのダイオード特性としての順方向オン電圧値の決定方法を説明するためのグラフである。

以下、本発明の実施の形態について、図を参照して詳細に説明する。以下に示す実施の形態においては、同一のまたは共通する部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。また、以下において説明する各部の個数や量等は、特に記載がある場合を除き、これらの具体的な個数や量等に限定されるものではない。

図１は、本発明の実施の形態における薄膜太陽電池モジュールの製造方法が適用される薄膜太陽電池モジュールの模式背面図である。また、図２は、図１中に示すＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図であり、図３は、図１中に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った模式断面図である。まず、これら図１ないし図３を参照して、本発明の実施の形態における薄膜太陽電池モジュールの製造方法が適用される薄膜太陽電池モジュール１Ａについて説明する。なお、図２および図３においては、図１において示すフレーム１８０およびリード線１１３，１２３等の図示は省略している。

図１に示す薄膜太陽電池モジュール１Ａは、平面視略矩形状の単位太陽電池セル１０７Ａ，１０７Ｂ（以下、単にセルとも称する）が１２行２列となるように透明基板としてのガラス基板１００上に設けられてなるものである。ここで、図中に示す左側の列に含まれるように配置された１２個のセル１０７Ａによって第１集積セルストリング１１０が構成されており、図中に示す右側の列に含まれるように配置された残る１２個のセル１０７Ｂによって第２集積セルストリング１２０が構成されている。

なお、符号１０７ａ１，１０７ｂ１にて示す部位は、これら部位に隣接するセル１０７Ａ，１０７Ｂに含まれる後述する透明電極層１０１から外部に向けての電気的な取り出しを行なうための電極取り出し部であり、当該電極取り出し部１０７ａ１，１０７ｂ１は、厳密な意味においてはセルには相当しない。しかしながら、以下においては、当該電極取り出し部１０７ａ１，１０７ｂ１についても隣接するセル１０７Ａ，１０７Ｂの一部と見なすことにより、これらが第１集積セルストリング１１０および第２集積セルストリング１２０に含まれるものとして説明を行なうこととする。

図２および図３に示すように、薄膜太陽電池モジュール１Ａは、前面（受光面）側に位置するガラス基板１００と、ガラス基板１００の背面側に設けられた透明電極層（表面側電極層）１０１と、透明電極層１０１の背面側に設けられた光電変換層１０３と、光電変換層１０３の背面側に設けられた裏面電極層１０５とを含んでいる。裏面電極層１０５は、その背面側に設けられた封止材１６０によって覆われている。

図２に示すように、透明電極層１０１、光電変換層１０３および裏面電極層１０５には、一括して列方向（図１中における縦方向）に沿って延びる第５分離ライン１５０が設けられている。当該第５分離ライン１５０は、上述した第１集積セルストリング１１０と第２集積セルストリング１２０とを分断するものであり、当該第５分離ライン１５０を挟んで第１集積セルストリング１１０および第２集積セルストリング１２０が並行して配置されている。

また、図１に示すように、透明電極層１０１、光電変換層１０３および裏面電極層１０５には、第１集積セルストリング１１０および第２集積セルストリング１２０を取り囲むようにガラス基板１００の周縁に沿って第４分離ライン１０８が設けられている。当該第４分離ライン１０８は、第１集積セルストリング１１０および第２集積セルストリング１２０と、その外側に位置する周囲領域とを分断するものである。

図３に示すように、第１集積セルストリング１１０に含まれる透明電極層１０１、光電変換層１０３および裏面電極層１０５は、それぞれ所定の形状にパターニングされており、これによりこれら透明電極層１０１、光電変換層１０３および裏面電極層１０５のそれぞれには、行方向（図１中における横方向）に沿って延びる第１分離ライン１０２、第２分離ライン１０４および第３分離ライン１０６が設けられている。

透明電極層１０１に設けられた第１分離ライン１０２は、光電変換層１０３によって埋め込まれている。光電変換層１０３に設けられた第２分離ライン１０４は、裏面電極層１０５によって埋め込まれている。また、裏面電極層１０５に設けられた第３分離ライン１０６は、封止材１６０によって埋め込まれている。

第２分離ライン１０４によって分断された個々の光電変換層１０３は、第１分離ライン１０２によって分断された個々の透明電極層１０１と、第３分離ライン１０６によって分断された個々の裏面電極層１０５とによって挟まれた状態にあり、透明電極層１０１とこれに隣り合う裏面電極層１０５とは、光電変換層１０３を分断する第２分離ライン１０４を埋め込むように構成された部分の裏面電極層１０５（当該部分の裏面電極層１０５は、特にコンタクトラインと称される）を介して接続されている。

これにより、個々の光電変換層１０３が、裏面電極層１０５および透明電極層１０１を介して相互に接続された状態となり、第１集積セルストリング１１０に含まれる１２個のセル１０７Ａが、直列に接続されることになる。なお、その詳細な説明は省略するが、第２集積セルストリング１２０に含まれる１２個のセル１０７Ｂについても、同様の態様により、直列に接続されている。

図１に示すように、第１集積セルストリング１１０に含まれるセル１０７Ａのうち、列方向の一方の端部に位置するセルに含まれる電極取り出し部１０７ａ１には、バスバー１１１が半田付け等によって接続されており、列方向の他方の端部に位置するセル１０７ａ２には、バスバー１１２が半田付け等によって接続されている。また、バスバー１１１の所定位置には、半田付け等によってリード線１１３が接続されており、バスバー１１２の所定位置には、半田付け等によってリード線１１４が接続されている。

一方、第２集積セルストリング１２０に含まれるセル１０７Ｂのうち、列方向の一方の端部に位置するセルに含まれる電極取り出し部１０７ｂ１には、バスバー１２１が半田付け等によって接続されており、列方向の他方の端部に位置するセル１０７ｂ２には、バスバー１２２が半田付け等によって接続されている。また、バスバー１２１の所定位置には、半田付け等によってリード線１２３が接続されており、バスバー１２２の所定位置には、半田付け等によってリード線１２４が接続されている。

上述したバスバー１１１，１１２，１２１，１２２と、上述したリード線１１３，１１４，１２３，１２４の上記バスバー１１１，１１２，１２１，１２２に取付けられた方の端部とは、いずれも封止材１６０によって封止されており、上述したリード線１１３，１１４，１２３，１２４の上記バスバー１１１，１１２，１２１，１２２に取付けられていない方の端部は、封止材１６０の外部に引き出されることで露出している。なお、リード線１１３，１１４，１２３，１２４の各々は、耐熱性を有する絶縁フィルムによって覆われている。

ここで、上述したバスバー１１１およびこれに接続されたリード線１１３が、第１集積セルストリング１１０に接続された一対の引き出し用端子のうちの正端子に相当し、上述したバスバー１１２およびこれに接続されたリード線１１４が、第１集積セルストリング１１０に接続された一対の引き出し用端子のうちの負端子に相当する。また、上述したバスバー１２１およびこれに接続されたリード線１２３が、第２集積セルストリング１２０に接続された一対の引き出し用端子のうちの正端子に相当し、上述したバスバー１２２およびこれに接続されたリード線１２４が、第２集積セルストリング１２０に接続された一対の引き出し用端子のうちの負端子に相当する。

封止材１６０から引き出されたリード線１１３，１１４，１２３，１２４の端部は、封止材１６０の背面側において集められ、これら端部に端子ボックス１７０Ａが取付けられている。端子ボックス１７０Ａの内部においては、第１集積セルストリング１１０の負端子に相当するリード線１１４の端部と、第２集積セルストリング１２０の正端子に相当するリード線１２３の端部とが接続線１７１によって結線されており、第１集積セルストリング１１０の正端子に相当するリード線１１３の端部および第２集積セルストリング１２０の負端子に相当するリード線１２４の端部が、それぞれ外部接続用の一対の出力端子（不図示）に接続されている。

また、フレーム１８０は、ガラス基板１００を支持するとともに封止材１６０の背面側の部分を覆うように設けられている。なお、上述した端子ボックス１７０Ａは、フレーム１８０の背面において外部に露出するように当該フレーム１８０に取付けられている。

図４は、本発明の実施の形態における薄膜太陽電池モジュールの製造方法を示すフローチャートである。また、図５ないし図１３は、図４に示すセル工程における第１ないし第９工程をそれぞれ示す模式断面図であり、図１４ないし図２１は、図４に示すモジュール工程における第１ないし第８工程を示す模式背面図である。次に、これら図４ないし図２１を参照して、本実施の形態における薄膜太陽電池モジュールの製造方法について説明する。

図４に示すように、本実施の形態における薄膜太陽電池モジュールの製造方法は、セル工程ＳＴ１００と、モジュール工程ＳＴ２００とを備える。モジュール工程ＳＴ２００は、セル工程ＳＴ１００が終了した後に実施される。

図４に示すように、セル工程ＳＴ１００は、第１工程ＳＴ１０１〜第１０工程ＳＴ１１０を主として含んでいる。以下、セル工程ＳＴ１００に含まれる第１工程ＳＴ１０１〜第１０工程ＳＴ１１０について順に詳説する。なお、上述した電極取り出し部１０７ａ１，１０７ｂ１は、セル１０７Ａ，１０７Ｂを製作するための以下において説明するセル工程ＳＴ１００とは一部異なる処理が施されることで製作されることになるが、ここでは理解を容易とするために、当該異なる処理についてはその説明は省略する。

図４および図５に示すように、第１工程ＳＴ１０１においては、ガラス基板１００が準備される。ガラス基板１００としては、透明性および絶縁性を有する板状のガラスが好適に使用できる。

図４および図６に示すように、第２工程ＳＴ１０２においては、たとえば熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等を用いてガラス基板１００上に透明電極層１０１が成膜される。透明電極層１０１としては、たとえばＳｎＯ₂（酸化錫）膜やＩＴＯ（インジウム錫酸化）膜等が好適に使用できる。

図４および図７に示すように、第３工程ＳＴ１０３においては、たとえばレーザスクライブ法等を用いて透明電極層１０１の一部が除去されることで複数の第１分離ライン１０２が形成され、これにより透明電極層１０１が複数個に分断される。使用するレーザ光としては、たとえばＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザの基本波（波長１０６４ｎｍ）等が好適に利用できる。

図４および図８に示すように、第４工程ＳＴ１０４においては、たとえばプラズマＣＶＤ法等を用いて透明電極層１０１上に光電変換層１０３が成膜される。光電変換層１０３としては、半導体薄膜が使用でき、たとえば非晶質シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された積層膜等が好適に使用できる。また、その際、第１分離ライン１０２は、光電変換層１０３によって埋め込まれることになる。

図４および図９に示すように、第５工程ＳＴ１０５においては、たとえばレーザスクライブ法等を用いて光電変換層１０３の一部が除去されることで複数の第２分離ライン１０４が形成され、これにより光電変換層１０３が複数個に分断される。使用するレーザ光としては、たとえばＹＡＧレーザの第２高調波（５３２ｎｍ）等が好適に利用できる。

図４および図１０に示すように、第６工程ＳＴ１０６においては、たとえばマグネトロンスパッタ法あるいは電子ビーム蒸着法等を用いて光電変換層１０３上に裏面電極層１０５が成膜される。裏面電極層１０５としては、たとえばＺｎＯ（酸化亜鉛）膜／Ａｇ（銀）膜やＺｎＯ膜／Ａｌ（アルミニウム）膜、ＩＴＯ膜／Ａｇ膜、ＳｎＯ₂膜／Ａｇ膜等が好適に利用できる。また、その際、第２分離ライン１０４は、裏面電極層１０５によって埋め込まれることになり、これにより上述したコンタクトラインが形成される。

図４および図１１に示すように、第７工程ＳＴ１０７においては、たとえばレーザスクライブ法等を用いて裏面電極層１０５の一部が除去されることで複数の第３分離ライン１０６が形成され、これにより裏面電極層１０５が複数個に分断される。使用するレーザ光としては、たとえばＹＡＧレーザの第２高調波（５３２ｎｍ）等が好適に利用できる。

図４および図１２に示すように、第８工程ＳＴ１０８においては、たとえばレーザスクライブ法あるいはブラスト加工法等を用いてガラス基板１００の周縁に沿って透明電極層１０１、光電変換層１０３および裏面電極層１０５の一部が除去されることで第４分離ライン１０８が形成される。なお、レーザスクライブ法を使用する場合のレーザ光としては、たとえばＹＡＧレーザの基本波（１０６４ｎｍ）等が好適に利用できる。

これにより、図１２に示すように、ガラス基板１００上には、複数のセルセグメント１０７と、電極取り出し部１０７ａ１，１０７ｂ１となる部位とが形成されることになるとともに、当該第４分離ライン１０８によってこれら部位が、その外側に位置する周囲領域との間で絶縁されることになる。

図４および図１３に示すように、第９工程ＳＴ１０９においては、たとえばレーザスクライブ法あるいはブラスト加工法等を用いて複数のセルセグメント１０７および電極取り出し部１０７ａ１，１０７ｂ１となる部位が行方向（図１３中における横方向）において２分割されるように、列方向（図１３中における縦方向）に沿って第５分離ライン１５０が形成される。なお、レーザスクライブ法を使用する場合のレーザ光としては、たとえばＹＡＧレーザの基本波（１０６４ｎｍ）等が好適に利用できる。

これにより、図１３に示すように、ガラス基板１００上には、直列に接続された複数のセル１０７Ａを含む第１集積セルストリング１１０と、直列に接続された複数のセル１０７Ｂを含む第２集積セルストリング１２０とが形成されることになるとともに、当該第５分離ライン１５０によってこれら第１集積セルストリング１１０と第２集積セルストリング１２０とが分断されることになる。

図４に示すように、第１０工程ＳＴ１１０においては、電気検査が実施される。当該電気検査には、第１集積セルストリング１１０内において隣り合うセル１０７Ａ間に分離不良および導通不良が発生していないかという検査や、第２集積セルストリング１２０内において隣り合うセル１０７Ｂ間に分離不良および導通不良が発生していないかといった検査、第１集積セルストリング１１０と第２集積セルストリング１２０との間に分離不良が発生していないかといった検査、ソーラシミュレータ等を用いた第１集積セルストリング１１０および第２集積セルストリング１２０の交流微弱白色電流−直流電圧特性（いわゆるＩＶ特性）が所望のものとなっているかといった検査等が含まれる。

当該電気検査を実施することにより、後述するモジュール工程ＳＴ２００において仕掛品に不良品が混入することが防止可能になる。なお、不良品については、場合によってはリペア等を行なってその修復を行なうことも可能である。

一方、図４に示すように、モジュール工程ＳＴ２００は、第１工程ＳＴ２０１〜第９工程ＳＴ２０９を主として含んでいる。以下、モジュール工程２００に含まれる第１工程ＳＴ２０１〜第９工程ＳＴ２０９について順に詳説する。

図４および図１４に示すように、第１工程ＳＴ２０１においては、電極取り出し部１０７ａ１と、第１集積セルストリング１１０に含まれるセル１０７ａ２と、電極取り出し部１０７ｂ１と、第２集積セルストリング１２０に含まれるセル１０７ｂ２とのそれぞれに、たとえば半田付け等によってバスバー１１１，１１２，１２１，１２２が接続されることで取付けられる。

図４および図１５に示すように、第２工程ＳＴ２０２においては、バスバー１１１，１１２，１２１，１２２のそれぞれに、たとえば半田付け等によってリード線１１３，１１４，１２３，１２４が接続されることで取付けられる。

なお、上述したモジュール工程ＳＴ２００の第１工程ＳＴ２０１および第２工程ＳＴ２０２が、前述の工程（Ａ）に相当する。

図４および図１６に示すように、第３工程ＳＴ２０３においては、ラミネート処理が施されることにより、ガラス基板１００の背面側に位置する第１集積セルストリング１１０および第２集積セルストリング１２０が封止材１６０（裏面保護フィルム）によって封止される。このとき、リード線１１３，１１４，１２３，１２４のバスバー１１１，１１２，１２１，１２２に取付けられていない方の端部は、いずれも封止材１６０から露出した状態となるようにされる。封止材１６０としては、たとえばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）樹脂が好適に使用できる。

なお、上述したモジュール工程ＳＴ２００の第３工程ＳＴ２０３が、前述の工程（Ｂ）に相当する。

図４および図１７に示すように、第４工程ＳＴ２０４においては、第１集積セルストリング１１０と、これに接続されたバスバー１１１，１１２と、さらにこれに接続されたリード線１１３，１１４との導通検査（第１導通検査）が実施される。

具体的には、図１７に示すように、第４工程ＳＴ２０４においては、一対のプローブ２０１，２０２間に接続された検査対象物に対して所定の大きさの定電流を印加しつつ、これにより当該一対のプローブ２０１，２０２間に生じる電位差を測定可能な接続不良検査装置２００を準備し、当該接続不良検査装置２００の一対のプローブ２０１，２０２をリード線１１３，１１４の露出した端部にそれぞれ接続し、所定の定電流を印加することでその際の第１集積セルストリング１１０の出力電圧値を測定する。

当該導通検査において、測定された出力電圧値が所望の大きさである場合には、第１集積セルストリング１１０、バスバー１１１，１１２およびリード線１１３，１１４が導通不良なく正しく接続されていると判別することができ、測定された出力電圧値が所望の大きさに達していない場合には、第１集積セルストリング１１０、バスバー１１１，１１２およびリード線１１３，１１４の接続に導通不良が生じていると判別することが可能になる。ここで、当該導通不良が生じていると判別された場合には、当該仕掛品を不良品として取り扱うこともできるし、場合によってはリペア等を行なってその修復を行なうことも可能である。

図４および図１８に示すように、第５工程ＳＴ２０５においては、第２集積セルストリング１２０と、これに接続されたバスバー１２１，１２２と、さらにこれに接続されたリード線１２３，１２４との導通検査（第２導通検査）が実施される。

具体的には、図１８に示すように、第５工程ＳＴ２０５においては、上述した接続不良検査装置２００の一対のプローブ２０１，２０２をリード線１２３，１２４の露出した端部にそれぞれ接続し、所定の定電流を印加してその際の第２集積セルストリング１２０の出力電圧値を測定する。

当該導通検査において、測定された出力電圧値が所望の大きさである場合には、第２集積セルストリング１２０、バスバー１２１，１２２およびリード線１２３，１２４が導通不良なく正しく接続されていると判別することができ、測定された出力電圧値が所望の大きさに達していない場合には、第２集積セルストリング１２０、バスバー１２１，１２２およびリード線１２３，１２４の接続に導通不良が生じていると判別することが可能になる。ここで、当該導通不良が生じていると判別された場合には、当該仕掛品を不良品として取り扱うこともできるし、場合によってはリペア等を行なってその修復を行なうことも可能である。

なお、上述したモジュール工程ＳＴ２００の第４工程ＳＴ２０４および第５工程ＳＴ２０５が、前述の工程（Ｆ）に相当する。

図４および図１９に示すように、第６工程ＳＴ２０６においては、第１集積セルストリング１１０と第２集積セルストリング１２０とが、これらの間に位置する第５分離ライン１５０によって電気的に十分に絶縁されているか否かの分離不良検査が実施される。当該分離不良検査は、第１集積セルストリング１１０と第２集積セルストリング１２０との間の絶縁抵抗値を測定することで行なわれる。

具体的には、図１９に示すように、第６工程ＳＴ２０６においては、一対のプローブ３０１，３０２間に接続された検査対象物に対して所定の大きさの電圧を印加しつつ、その際に検査対象物に流れる電流値を測定可能な分離不良検査装置３００を準備し、当該分離不良検査装置３００の一対のプローブ３０１，３０２をリード線１１３，１２４の露出した端部にそれぞれ接続し、所定の電圧を印加することでその際に発生する電流値を計測し、これに基づいて絶縁抵抗値を測定する。

当該分離不良検査においては、測定された絶縁抵抗値と予め定めた閾値とを比較することにより、第５分離ライン１５０によって第１集積セルストリング１１０と第２集積セルストリング１２０とが電気的に十分に絶縁されているか否かの判別が行なわれる。より具体的には、たとえば測定された絶縁抵抗値が予め定めた閾値以上である場合に、当該仕掛品が良品であると判別し、測定された絶縁抵抗値が予め定めた閾値未満である場合に、当該仕掛品が不良品であると判別する。

上記分離不良検査を実施することにより、第５分離ライン１５０の分離不良に起因する不良モードのうち、製造段階において既に短絡が顕在化している不良モードのみならず、製造段階において短絡が未だ顕在化しておらず、製品出荷後の使用段階において短絡が顕在化する不良モードについても、これをより確実に判別することが可能になるため、製品としての薄膜太陽電池モジュールに当該分離不良を含むものが混入することをより確実に防止できることになる。なお、不良品については、場合によってはリペア等を行なってその修復を行なうことも可能である。

ここで、上記分離不良検査において、リード線１１３，１２４間に印加される電圧の大きさは、好ましくは、単位太陽電池セル１０７Ａ，１０７Ｂの１つ当たりのダイオード特性としての順方向オン電圧値に１つ分の集積セルストリングに含まれるセルの数を乗じた値以上の所定の大きさとする。その場合に、集積セルストリングに含まれる単位太陽電池セル１０７Ａ，１０７Ｂの中に他のセルと比較した場合に著しく異なる特性を示すものが存在する場合には、当該異なる特性を示すセルを除外して残るセルのうちから代表的な特性を示すセルを選定し、その選定後のセルのダイオード特定としての順方向オン電圧値に１つ分の集積セルストリングに含まれるセルの数を乗じることで算出される電圧値以上の電圧値を、上述した印加すべき電圧の大きさに決定する。なお、順方向オン電圧値とは、順方向バイアス時において電流が急激に流れ易くなる電圧値のことである。

より詳細には、順方向オン電圧値は、図２３を参照して以下のように決定される。ここで、図２３は、単位太陽電池セルのダイオード特性としての順方向オン電圧値の決定方法を説明するためのグラフである。

単位太陽電池セルのＩＶ特性は、横軸に電流Ｖ［Ｖ］を取り、縦軸に電流Ｉ［Ａ］をとった場合に、典型的には図２３（Ａ）に示される如くに表わされる。当該ＩＶ特性に基づき、図２３（Ｂ）に示されるように、縦軸に電流Ｉ［Ａ］を電圧Ｖ［Ｖ］で２回微分したｄ²Ｉ／ｄＶ²を取ると、順方向バイアス下において当該ｄ²Ｉ／ｄＶ²にピークが現れる。このピークが現れる際の電圧値が、単位太陽電池セルのダイオード特性としての順方向オン電圧値に決定される。

上記のように、印加する電圧の大きさを所定の大きさに調節することにより、測定される絶縁抵抗値に、単位太陽電池セル１０７Ａ，１０７Ｂが有する短絡抵抗値が印加電圧が相違することによって変化してしまうことによる影響が加わることが排除できることになり、また分離不良に起因する異常発熱が生じてガラス基板１００が破損したり、セル１０７Ａ，１０７Ｂが発熱して破壊が生じたりすることが防止できる。また、異常発熱を抑制する観点からは、印加する電圧の大きさを必要以上に大きくしないことが重要である。

また、予め定める閾値の大きさとしては、製造する薄膜太陽電池モジュールの仕様や、分離不良検査の際に印加する電圧の大きさ、実機での不具合の状態と絶縁抵抗値との関係等を考慮して適宜設定すればよい。一例として、印加する電圧の大きさを２５０Ｖとした場合に、上記を考慮して絶縁抵抗値の閾値を１００ＭΩ（すなわち、電流値が０Ａ以上２．５μＡ以下）とすれば、分離不良の判別が高い精度で行なえることが確認されている。

また、上記分離不良検査においては、第１集積セルストリング１１０に接続された一対の引き出し用端子のうちから選択された一方の極性の端子と、第２集積セルストリング１２０に接続された一対の引き出し用端子のうちから選択された上記一方の極性とは異なる極性の端子との間に電圧が印加されればよく、したがって、上述したリード線１１３，１２４の組み合わせに代えて、リード線１１４，１２３の組み合わせを選択してこれらリード線１１４，１２３に電圧を印加することで第１集積セルストリング１１０と第２集積セルストリング１２０との間の絶縁抵抗値が測定されてもよい。

なお、上述したモジュール工程ＳＴ２００の第６工程ＳＴ２０６が、前述の工程（Ｃ）および（Ｄ）に相当する。

図４および図２０に示すように、第７工程ＳＴ２０７においては、リード線１１３，１１４，１２３，１２４の露出した端部に端子ボックス１７０Ａが取付けられる。これにより、接続線１７１によってリード線１１４およびリード線１２３が結線されるとともに、リード線１１３，１２４がそれぞれ外部接続用の一対の出力端子（不図示）に接続される。

なお、上述したモジュール工程ＳＴ２００の第７工程ＳＴ２０７が、前述の工程（Ｅ）に相当する。

図４および図２１に示すように、第８工程ＳＴ２０８においては、ガラス基板１００の前面（受光面）が露出するとともに、ガラス基板１００の周縁およびガラス基板１００の背面側に位置する封止材１６０が覆われるように、仕掛品にフレーム１８０が取付けられる。その際、端子ボックス１７０Ａは、フレーム１８０の背面において露出するように当該フレーム１８０に取付けられる。

図４に示すように、第９工程ＳＴ２０９においては、電気検査が実施される。当該電気検査は、製品としての特性評価を行なうために主としてソーラシミュレータ等が用いられ、直列接続された第１集積セルストリング１１０および第２集積セルストリング１２０の交流微弱白色電流−直流電圧特性（いわゆるＩＶ特性）が所望のものとなっているかといった検査等が実施される。

上述した各工程を経ることにより、図１ないし図３に示した薄膜太陽電池モジュール１Ａの製造が完了する。

以上において説明したように、本実施の形態における薄膜太陽電池モジュールの製造方法にあっては、端子ボックス１７０Ａを取付ける前であって封止材１６０による封止を行なった後に、未だ直列接続されていない第１集積セルストリング１１０と第２集積セルストリング１２０との間の絶縁抵抗値を測定することにより、第５分離ライン１５０の分離不良の有無を判別可能にしている。特に、当該製造方法を採用すれば、第５分離ライン１５０の分離不良に起因する不良モードのうち、製造段階において既に短絡が顕在化している不良モードのみならず、製造段階において短絡が未だ顕在化しておらず、製品出荷後の使用段階において短絡が顕在化する不良モードについても、これをより確実に判別することが可能になる。

したがって、本実施の形態における薄膜太陽電池モジュールの製造方法を採用することにより、非常に簡便にかつ高い精度でより確実に上記分離不良の有無を判別することが可能になり、製品としての薄膜太陽電池モジュールに当該分離不良を含むものが混入することをより確実に防止できるようになるため、高い信頼性の薄膜太陽電池モジュールを提供することが可能になる。

図２２は、本発明の実施の形態における薄膜太陽電池モジュールの製造方法が適用される他の薄膜太陽電池モジュールの模式背面図である。次に、この図２２を参照して、本発明の実施の形態における薄膜太陽電池モジュールの製造方法が適用される他の薄膜太陽電池モジュール１Ｂについて説明する。

図２２に示すように、薄膜太陽電池モジュール１Ｂは、上述した薄膜太陽電池モジュール１Ａに比べ、第１集積セルストリング１１０および第２集積セルストリング１２０に加え、さらにガラス基板１００上に複数のセル１０７Ｃが直列に接続されてなる第３集積セルストリング１３０を備えている。第１集積セルストリング１１０、第２集積セルストリング１２０および第３集積セルストリング１３０は、いずれも封止材１６０によって封止されている。なお、その詳細な説明は省略するが、第３集積セルストリング１３０に含まれるセル１０７Ｃが直列に接続される態様については、既に説明した第１集積セルストリング１１０および第２集積セルストリング１２０におけるそれと同様の態様である。

第２集積セルストリング１２０と第３集積セルストリング１３０との間には、第５分離ライン１５１が設けられている。第３集積セルストリング１３０に含まれるセル１０７Ｃのうち、列方向の一方の端部に位置するセルに含まれる電極取り出し部１０７ｃ１には、バスバー１３１が半田付け等によって接続されており、列方向の他方の端部に位置するセル１０７ｃ２には、バスバー１３２が半田付け等によって接続されている。また、バスバー１３１の所定位置には、半田付け等によってリード線１３３が接続されており、バスバー１３２の所定位置には、半田付け等によってリード線１３４が接続されている。

上述したバスバー１３１，１３２と、上述したリード線１３３，１３４の上記バスバー１３１，１３２に取付けられた方の端部とは、いずれも封止材１６０によって封止されており、上述したリード線１３３，１３４の上記バスバー１３１，１３２に取付けられていない方の端部は、封止材１６０の外部に引き出されることで露出している。なお、リード線１３３，１３４の各々は、耐熱性を有する絶縁フィルムによって覆われている。

封止材１６０から引き出されたリード線１１３，１１４，１２３，１２４，１３３，１３４の端部は、封止材１６０の背面側において集められ、これら端部に端子ボックス１７０Ｂが取付けられている。端子ボックス１７０Ｂの内部においては、第１集積セルストリング１１０の負端子に相当するリード線１１４の端部と、第２集積セルストリング１２０の正端子に相当するリード線１２３の端部とが接続線１７１によって結線されており、第２集積セルストリング１２０の負端子に相当するリード線１２４の端部と、第３集積セルストリング１３０の正端子に相当するリード線１３３の端部とが接続線１７２によって結線されており、さらに第１集積セルストリング１１０の正端子に相当するリード線１１３の端部および第３集積セルストリング１３０の負端子に相当するリード線１３４の端部が、それぞれ外部接続用の一対の出力端子（不図示）に接続されている。

上記構成の薄膜太陽電池モジュール１Ｂの製造の際にも、上述した本発明の実施の形態における薄膜太陽電池モジュールの製造方法に準じた製造方法を採用することにより、非常に簡便にかつ高い精度でより確実に上記分離不良の有無を判別することが可能になる。

すなわち、端子ボックス１７０Ｂを取付ける前であって封止材１６０による封止を行なった後に、リード線１１３とリード線１２４とに分離不良検査装置３００（図１９参照）の一対のプローブ３０１，３０２を接続することによって、未だ直列接続されていない第１集積セルストリング１１０と第２集積セルストリング１２０との間の絶縁抵抗値を測定することにより、第５分離ライン１５０の分離不良の有無を判別し、加えて、リード線１２３とリード線１３４とに分離不良検査装置３００の一対のプローブ３０１，３０２を接続することによって、未だ直列接続されていない第２集積セルストリング１２０と第３集積セルストリング１３０との間の絶縁抵抗値を測定することにより、第５分離ライン１５１の分離不良の有無を判別することとすれば、非常に簡便にかつ高い精度でより確実に上記分離不良の有無を判別することができる。

以上のように、薄膜太陽電池モジュールに設けられる集積セルストリングが複数であれば、本発明に基づいた薄膜太陽電池モジュールの製造方法の適用が可能であり、集積セルストリングの数は、特に限定されるものではない。

また、上述した本発明の実施の形態においては、分離不良検査に先立って接続不良検査についても行なうように構成した場合を例示したが、接続不良検査の実施は必須ではなく、場合によってはこれを省略することとしてもよい。ただし、接続不良が発生していた場合には、これを分離不良と峻別することが困難であるため、不良原因の特定の観点からは、これを実施することが好ましい。また、接続不良検査に先立って分離不良検査を行ない、分離不良検査において不良と判別された仕掛品のみについてさらに接続不良検査を行なうこととしてもよい。

また、上述した本発明の実施の形態においては、フレームを具備してなる薄膜太陽電池モジュールに本発明に係る製造方法を適用した場合を例示して説明を行なったが、当該フレームは必須の構成ではなく、フレームを具備しない薄膜太陽電池モジュールに本発明に係る製造方法を適用することも可能である。ここで、フレームを具備しない薄膜太陽電池モジュールとしては、たとえばガラス基板／透明電極層／光電変換層／裏面電極層／封止材／ガラス基板の積層体にて構成される、いわゆる合わせガラスタイプの薄膜太陽電池モジュール等が挙げられる。

なお、上述した本発明の実施の形態においては、薄膜太陽電池モジュールの具体的な製造方法を開示しつつ、当該製造方法に本発明を適用した場合を例示して説明を行なったが、本発明は、薄膜太陽電池モジュールの製造方法にその適用が限定されるものではなく、製造を伴わない単なる薄膜太陽電池モジュールの検査方法にも、当然にその適用が可能である。

このように、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって画定され、また特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。

１Ａ，１Ｂ 薄膜太陽電池モジュール、１００ ガラス基板、１０１ 透明電極層、１０２ 第１分離ライン、１０３ 光電変換層、１０４ 第２分離ライン、１０５ 裏面電極層、１０６ 第３分離ライン、１０７ セルセグメント、１０７Ａ，１０７Ｂ，１０７Ｃ，１０７ａ２，１０７ｂ２，１０７ｃ２ セル、１０７ａ１，１０７ｂ１，１０７ｃ１ 電極取り出し部、１０８ 第４分離ライン、１１０ 第１集積セルストリング、１１１，１１２ バスバー、１１３，１２３ リード線、１２０ 第２集積セルストリング、１２１，１２２ バスバー、１２３，１２４ リード線、１３０ 第３集積セルストリング、１３１，１３２ バスバー、１３３，１３４ リード線、１５０，１５１ 第５分離ライン、１６０ 封止材、１７０Ａ，１７０Ｂ 端子ボックス、１７１，１７２ 接続線、１８０ フレーム、２００ 接続不良検査装置、２０１，２０２ プローブ、３００ 分離不良検査装置、３０１，３０２ プローブ。

Claims (6)

1. 透明基板上において封止材によって封止されるとともに、分離ラインを挟んで隣り合うように配設されかつ直列に接続されてなる第１集積セルストリングおよび第２集積セルストリングを備えた薄膜太陽電池モジュールの製造方法であって、
   直列接続された複数のセルを含む前記第１集積セルストリングおよび直列接続された複数のセルを含む前記第２集積セルストリングのそれぞれに正端子および負端子からなる一対の引き出し用端子を接続する工程と、
   前記第１集積セルストリングおよび前記第２集積セルストリングに接続された前記引き出し用端子の各々の端部が前記封止材から露出した状態となるように、前記第１集積セルストリングおよび前記第２集積セルストリングを前記封止材によって封止する工程と、
   前記第１集積セルストリングに接続された前記一対の引き出し用端子のうちから選択された一方の極性の端子の露出した端部と、前記第２集積セルストリングに接続された前記一対の引き出し用端子のうちから選択された前記一方の極性とは異なる他方の極性の端子の露出した端部との間に電圧を印加することにより、前記第１集積セルストリングと前記第２集積セルストリングとの間の絶縁抵抗値を測定する工程と、
   測定された絶縁抵抗値と予め定めた閾値とを比較することにより、良品であるか不良品であるかを判別する工程と、
   良品であると判別された場合に、前記第１集積セルストリングに接続された負端子の露出した端部と、前記第２集積セルストリングに接続された正端子の露出した端部とを結線することにより、前記第１集積セルストリングおよび前記第２集積セルストリングを直列に接続する工程とを備えた、薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
2. 前記第１集積セルストリングと前記第２集積セルストリングとの間の絶縁抵抗値を測定する際に印加される電圧の大きさが、前記セルの１つ当たりのダイオード特性としての順方向オン電圧値に１つ分の集積セルストリングに含まれるセルの数を乗じた値以上の大きさである、請求項１に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
3. 前記第１集積セルストリングと前記第２集積セルストリングとの間の絶縁抵抗値を測定する工程に先立って、前記第１集積セルストリングに接続された一対の引き出し用端子の露出した端部間に定電流を印加してその際に生じる出力電圧値を取得することにより、前記第１集積セルストリングとこれに接続された一対の引き出し用端子との間に接続不良があるか否かを判別するとともに、前記第２集積セルストリングに接続された一対の引き出し用端子の露出した端部間に定電流を印加してその際に生じる出力電圧値を取得することにより、前記第２集積セルストリングとこれに接続された一対の引き出し用端子との間に接続不良があるか否かを判別する工程をさらに備えた、請求項１または２に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
4. 直列接続された複数のセルを含む第１集積セルストリングおよび直列接続された複数のセルを含む第２集積セルストリングが透明基板上において封止材によって封止されるとともに、前記第１集積セルストリングおよび前記第２集積セルストリングのそれぞれに設けられた一対の正端子および負端子からなる引き出し用端子が前記封止材から外部に引き出された状態において、前記第１集積セルストリングに接続された前記一対の引き出し用端子のうちから選択された一方の極性の端子の露出した端部と、前記第２集積セルストリングに接続された前記一対の引き出し用端子のうちから選択された前記一方の極性とは異なる他方の極性の端子の露出した端部との間に電圧を印加することにより、前記第１集積セルストリングと前記第２集積セルストリングとの間の絶縁抵抗値を測定し、測定された絶縁抵抗値と予め定めた閾値とを比較することにより、良品であるか不良品であるかを判別する、太陽電池モジュールの検査方法。
5. 前記第１集積セルストリングと前記第２集積セルストリングとの間の絶縁抵抗値を測定する際に印加される電圧の大きさが、前記セルの１つ当たりのダイオード特性としての順方向オン電圧値に１つ分の集積セルストリングに含まれるセルの数を乗じた値以上の大きさである、請求項４に記載の薄膜太陽電池モジュールの検査方法。
6. 前記第１集積セルストリングと前記第２集積セルストリングとの間の絶縁抵抗値を測定するに先立って、前記第１集積セルストリングに接続された一対の引き出し用端子の露出した端部間に定電流を印加してその際に生じる出力電圧値を取得することにより、前記第１集積セルストリングとこれに接続された一対の引き出し用端子との間に接続不良があるか否かを判別するとともに、前記第２集積セルストリングに接続された一対の引き出し用端子の露出した端部間に定電流を印加してその際に生じる出力電圧値を取得することにより、前記第２集積セルストリングとこれに接続された一対の引き出し用端子との間に接続不良があるか否かを判別する、請求項４または５に記載の薄膜太陽電池モジュールの検査方法。

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