JP5350440B2 - アクティブポストディストーション線形化を有する増幅器 - Google Patents
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Description
g2は、2次非線形性の強度を定義する係数である。
・ζ2:N−FET330の2次非線形性によって乗じられたN−FET310の2次非線形性によって生成された歪み成分
・ζ3:N−FET330の3次非線形性によって生成された歪み成分
アクティブポストディストーション線形化を有する場合は、項ζ1、ζ2及びζ3は、N−FET330によってアクティブに生成され、N−FET310からの項ζM1を除去するために用いられる。
・1850乃至1990MHzのパーソナル通信システム(PCS)バンド
・1710乃至1880MHzのデジタルセルラーシステム(DCS)バンド
・890乃至960MHzのGSM900バンド
・1920乃至2170MHzの第3世代移動通信システム2000(IMT−2000)バンド
・1574.4乃至1576.4MHzの全地球測位システム(GPS)バンド
本明細書において説明される増幅器及びその他の線形化されたアクティブ回路は、集積回路(IC)、RF集積回路(RFIC)、特定用途向け集積回路(ASIC)、プリント基板(PCB)、電子デバイス等の内部に実装することができる。これらの線形化されたアクティブ回路は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)、NチャネルMOS(N−MOS)、PチャネルMOS(P−MOS)、バイポーラ接合トランジスタ(BJT)、バイポーラCMOS(BiCMOS)、珪素ゲルマニウム(SiGe)、ガリウムヒ素(GaAs)等の様々なICプロセス技術によって製造することができる。
Claims (20)
- 誘導子に電気的に結合されて入力信号を受信及び増幅するために動作可能な第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタに電気的に結合されて中間信号を生成するため及び出力信号を提供するために動作可能な第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタに電気的に結合されて前記中間信号を受信するため及び前記第1のトランジスタによって生成された歪み成分を除去するのに用いられる歪み成分を生成するために動作可能な第3のトランジスタと、を具備し、
前記第1のトランジスタのトランスコンダクタンスをg1としたときに、前記第2のトランジスタのトランスコンダクタンスはg1/αで定義されるとともに、前記第3のトランジスタのトランスコンダクタンスはg1/βで定義され、ここにおいて、前記αは、前記第1のトランジスタのサイズと前記第2のトランジスタのサイズの比であり、前記βは、前記第1のトランジスタのサイズと前記第3のトランジスタのサイズの比であり、前記αは、前記第1のトランジスタによって生成された前記歪み成分を除去するために選択され、前記βは、利得損失を低減させるために選択される集積回路。 - 前記第1及び第2のトランジスタは、カスコード対として結合される請求項1に記載の集積回路。
- 前記第3のトランジスタは、前記第1のトランジスタによって生成された3次歪み成分を除去するために用いられる歪み成分を生成するために動作可能である請求項1に記載の集積回路。
- 前記第2及び第3のトランジスタに電気的に結合されて負荷分離を提供するために動作可能な第4のトランジスタをさらに具備する請求項1に記載の集積回路。
- 前記第3のトランジスタは、前記第2のトランジスタのドレインに電気的に結合されたドレインを有する請求項1に記載の集積回路。
- 前記第3のトランジスタは、前記第1のトランジスタのドレインに電気的に結合されたドレインを有する請求項1に記載の集積回路。
- 前記βは、1よりも大きい、請求項1に記載の集積回路。
- 前記第1、第2、及び第3のトランジスタは、Nチャネルフィールド効果トランジスタ(N−FET)である請求項1に記載の集積回路。
- 前記第1、第2、及び第3のトランジスタは、Pチャネルフィールド効果トランジスタ(P−FET)である請求項1に記載の集積回路。
- 前記第1、第2、及び第3のトランジスタは、バイポーラ接合トランジスタ(BJT)である請求項1に記載の集積回路。
- 前記第1、第2、及び第3のトランジスタは、低雑音増幅器(LNA)を形成する請求項1に記載の集積回路。
- 前記第1及び第2のトランジスタに電気的に結合され、前記第1、第2、及び第3のトランジスタによって形成される増幅器に関する利得制御を提供するために動作可能な利得制御回路をさらに具備する請求項1に記載の集積回路。
- 前記利得制御回路は、
前記第1のトランジスタに電気的に結合された第4のトランジスタと、
前記第4のトランジスタと前記第2のトランジスタとの間において電気的に結合されたキャパシタと、を具備する請求項12に記載の集積回路。 - 前記利得制御回路は、
前記第1のトランジスタに電気的に結合された第4のトランジスタと、
前記第4のトランジスタと前記第2のトランジスタとの間において電気的に結合された少なくとも1つの抵抗器と、を具備する請求項12に記載の集積回路。 - 前記入力信号は、符号分割多重接続(CDMA)信号である請求項1に記載の集積回路。
- ソースディジェネレーションを提供するために動作可能な誘導子と、
前記誘導子に電気的に結合されたソースと、入力信号を受け取るゲートと、を有する第1のトランジスタであって、信号増幅を提供するために動作可能な第1のトランジスタと、
出力信号を提供するドレインと、前記第1のトランジスタのドレインに電気的に結合されたソースと、を有する第2のトランジスタであって、中間信号を生成するために動作可能な第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの前記ソースに電気的に結合されたゲートを有する第3のトランジスタであって、前記中間信号を受信するため及び前記第1のトランジスタによって生成された歪み成分を除去するのに用いられる歪み成分を生成するために動作可能な第3のトランジスタと、を具備し、
前記第1のトランジスタのトランスコンダクタンスをg1としたときに、前記第2のトランジスタのトランスコンダクタンスはg1/αで定義されるとともに、前記第3のトランジスタのトランスコンダクタンスはg1/βで定義され、ここにおいて、前記αは、前記第1のトランジスタのサイズと前記第2のトランジスタのサイズの比であり、前記βは、前記第1のトランジスタのサイズと前記第3のトランジスタのサイズの比であり、前記αは、前記第1のトランジスタによって生成された前記歪み成分を除去するために選択され、前記βは、利得損失を低減させるために選択される増幅器。 - 前記第3のトランジスタのドレインに電気的に結合されたソースと、前記第2のトランジスタの前記ドレインに電気的に結合されたドレインと、を有する第4のトランジスタをさらに具備する請求項16に記載の増幅器。
- 無線デバイス用受信機であって、
低雑音増幅器(LNA)であって、
ソースディジェネレーションを提供するために動作可能な誘導子と、
前記誘導子に電気的に結合されたソースを有し、信号増幅を提供するために動作可能な第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのドレインに電気的に結合されたソースを有し、中間信号を生成するために動作可能な第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの前記ソースに電気的に結合されたゲートを有する第3トランジスタであって、前記中間信号を受信するため及び前記第1のトランジスタによって生成された歪み成分を除去するのに用いられる歪み成分を生成するために動作可能な第3のトランジスタと、を具備する低雑音増幅器(LNA)と、
前記第1のトランジスタのゲートに電気的に結合されて前記LNAに関する入力信号を受信する入力インピーダンス整合回路と、
前記第2のトランジスタのドレインに電気的に結合されて前記LNAに関する出力信号を提供する出力インピーダンス整合回路と、を具備し、
前記第1のトランジスタのトランスコンダクタンスをg1としたときに、前記第2のトランジスタのトランスコンダクタンスはg1/αで定義されるとともに、前記第3のトランジスタのトランスコンダクタンスはg1/βで定義され、ここにおいて、前記αは、前記第1のトランジスタのサイズと前記第2のトランジスタのサイズの比であり、前記βは、前記第1のトランジスタのサイズと前記第3のトランジスタのサイズの比であり、前記αは、前記第1のトランジスタによって生成された前記歪み成分を除去するために選択され、前記βは、利得損失を低減させるために選択される、無線デバイス用受信機。 - 前記LNAは、前記第3のトランジスタのドレインに電気的に結合されたソースと、前記第2のトランジスタの前記ドレインに電気的に結合されたドレインと、を有する第4のトランジスタをさらに具備する請求項18に記載の無線デバイス用受信機。
- 前記LNAは、前記第1及び第2のトランジスタに電気的に結合されて前記LNAに関する利得制御を提供するために動作可能な利得制御回路をさらに具備する請求項18に記載の無線デバイス用受信機。
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JP5296809B2 (ja) * | 2009-01-13 | 2013-09-25 | パナソニック株式会社 | 可変利得増幅器およびそれを備えた高周波信号受信装置 |
US7876158B2 (en) * | 2009-04-24 | 2011-01-25 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | High gain stacked cascade amplifier with current compensation to reduce gain compression |
TWM377794U (en) * | 2009-09-18 | 2010-04-01 | Princeton Technology Corp | Low noise amplifier and radio frequency signal receiving system |
US8138835B2 (en) * | 2010-02-11 | 2012-03-20 | Qualcomm, Incorporated | Wide band LNA with noise canceling |
US8842582B2 (en) * | 2010-06-04 | 2014-09-23 | Qualcomm Incorporated | Reducing power consumption by taking advantage of superior in-circuit duplexer performance |
US8570106B2 (en) | 2011-05-13 | 2013-10-29 | Qualcomm, Incorporated | Positive feedback common gate low noise amplifier |
US8373503B1 (en) * | 2011-12-12 | 2013-02-12 | Linear Technology Corporation | Third order intermodulation cancellation for RF transconductors |
CN102571014B (zh) * | 2012-02-10 | 2014-03-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种电压型自动增益控制电路 |
US8970304B2 (en) * | 2013-01-11 | 2015-03-03 | Qualcomm Incorporated | Hybrid amplifier |
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KR101719313B1 (ko) * | 2015-06-19 | 2017-04-05 | (주)에프씨아이 | 멀티밴드를 위한 고선형 특성을 갖는 저잡음 증폭기 |
US10003451B2 (en) * | 2015-10-08 | 2018-06-19 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Dual-input, high power handling, power combining LNA for full duplex communications systems |
CN112075059A (zh) * | 2018-03-30 | 2020-12-11 | 苹果公司 | 自评估高频、带宽和动态范围蜂窝极性发射信号保真 |
TWI643449B (zh) * | 2018-04-27 | 2018-12-01 | 立積電子股份有限公司 | 放大器 |
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Family Cites Families (17)
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JPS56116311A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-12 | Sony Corp | High frequency amplifying circuit |
JPS57164602A (en) | 1981-04-03 | 1982-10-09 | Nippon Gakki Seizo Kk | Amplifier |
US4720685A (en) * | 1986-09-02 | 1988-01-19 | Tektronix, Inc. | FET transconductance amplifier with improved linearity and gain |
JPH04245707A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-02 | Nec Corp | 歪補償回路 |
JPH0897644A (ja) | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Clarion Co Ltd | J−fet増幅回路 |
US5497123A (en) | 1994-12-23 | 1996-03-05 | Motorola, Inc. | Amplifier circuit having high linearity for cancelling third order harmonic distortion |
AU772636B2 (en) * | 1998-09-22 | 2004-05-06 | Qualcomm Incorporated | High efficiency switched gain power amplifier |
KR100281647B1 (ko) | 1998-12-01 | 2001-02-15 | 정선종 | 능동소자 발룬을 이용한 소신호 선형성 향상을 위한 알에프 집적회로 |
IL144811A (en) | 2000-08-11 | 2005-12-18 | Ibm | Amplifier with suppression of harmonics |
JP2002111412A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 増幅回路 |
US6801089B2 (en) * | 2001-05-04 | 2004-10-05 | Sequoia Communications | Continuous variable-gain low-noise amplifier |
US6680647B2 (en) * | 2001-12-13 | 2004-01-20 | Agilent Technologies, Inc. | Low noise amplifier circuit with phase matched switch topology |
US7042027B2 (en) * | 2002-08-30 | 2006-05-09 | Micron Technology, Inc. | Gated lateral thyristor-based random access memory cell (GLTRAM) |
US7015753B2 (en) * | 2003-06-02 | 2006-03-21 | Edo Communications And Countermeasures Systems Inc. | Digital signal processing based implementation of a feed forward amplifier |
JP2005124175A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増幅装置および周波数変換装置 |
US7853235B2 (en) | 2004-02-11 | 2010-12-14 | Qualcomm, Incorporated | Field effect transistor amplifier with linearization |
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