JP5321942B2

JP5321942B2 - 電子回路基板の製造方法およびその電子回路基板

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Publication number: JP5321942B2
Application number: JP2008049931A
Authority: JP
Inventors: 英二山口; 明丹羽
Original assignee: Sintokogio Ltd
Current assignee: Sintokogio Ltd
Priority date: 2008-02-29
Filing date: 2008-02-29
Publication date: 2013-10-23
Anticipated expiration: 2028-02-29
Also published as: JP2009206443A

Description

本発明は、産業機械や車等に使用されるインバータやコンバータ等のパワーデバイス用、ＬＥＤ用、センサー用などの電子回路基板の製造において、電極を形成することを目的として、前もって形成されている貫通孔あるいは有底の止り穴に導電性金属粒子を付着堆積させて前記貫通孔あるいは止り穴を導電性金属粒子で充填せしめ電極あるいは配線など（以下「導電体」という）を形成する方法、およびその方法を用いて製造された電子回路基板に関するものである。

従来の電子回路基板の導電体を形成する方法には数多くの方法があり、以下にその代表的な方法を説明する。

第１の方法に「鍍金法」があって、例えば厚さが約１μｍ、材質がＮｉ−Ｐからなる鍍金膜を形成した後、Ｃｕなどの導電性が優れている金属をその厚さを数μｍ〜数十μｍとした鍍金層を形成する方法であり、これに関連する技術として非特許文献１が開示されている。

第２の方法に「ガスデポジション法」があって、金属超微粒子生成室中を不活性ガス雰囲気にしたうえで、アーク加熱、誘導加熱、抵抗加熱、レーザー加熱などを利用して高温で金属を溶解、蒸発させ、粒子直径が数十〜数百オングストロームの金属超微粒子を生成し、該金属超微粒子を金属超微粒子生成室と膜形成室の圧力差により搬送管を通じて膜形成室に導入し、搬送管の先端部に取り付けられたノズルから高速噴射させることによって皮膜を形成あるいは堆積させる方法であり、これに関連する技術として特許文献１が開示されている。

第３の方法に「エアロゾルデポジション法」があって、皮膜形成あるいは堆積させる微粒子にセラミックスを用いることが基本とされている本法は、エアロゾルチャンバーにて気体と攪拌・混合された粒子径が０．０５〜２μｍのセラミックス微粒子のエアロゾルを、予め真空ポンプで減圧された成膜チャンバー内にて噴射速度が数百ｍ／ｓｅｃとなるように微小開口（１．５〜４ｍｍ^２）のノズルを用いて回路基板に高速で衝突させて付着堆積させる方法であり、その詳細については非特許文献２に開示され、前記付着堆積させる微粒子に導電性金属粒子を用いた実施例が特許文献２に開示されている。

また、第４の方法に「ペースト法」があって、貫通孔あるいは止り穴を確実に充填して塞ぐには、その内壁に導電性ペーストを付し焼き付けて内壁導体膜を形成したのち、更に導電性ペーストを充填して焼成する方法であり、前記特許文献２にその他の方法として開示されている。

前記、従来の各種方法には、次のような問題点がある。

第１の方法である「鍍金法」においては、その鍍金層形成のプロセスが基材の表面から重ねられて成長していくために、貫通孔や有底の止り穴を塞ぐには、鍍金層の成長が貫通穴あるいは止り穴の中心部に向かって徐々に小さくなると共にメッキ液の循環が悪くなって気孔が発生し確実に充填することができない。また、高価なパラジウム原料を使用することや廃液処理が必要なことから製造コストが高くなる。

第２の方法である「ガスデポジション法」においては、高価な不活性雰囲気ガスと加熱蒸発装置が必要で装置全体を密閉容器内に配置しなければならないことから製造コストおよび設備費が高価となり、また、付着堆積させる金属粒子の粒子径に関し、該金属粒子は溶解・蒸発させて生成されたものであるために数十〜数百オングストロームの超微粒子であることから、貫通孔あるいは止り穴を確実に塞ぐにはその付着堆積時間を要するもので、高温域での使用においては、金属粒子がノズル内に付着し易くトラブルを誘発することが多い。

第３の方法である「エアロゾルデポジション法」においては、真空ポンプを用いて減圧する成膜チャンバーや密閉チャンバーを介して基材を搬送する基板搬送装置が必要であることから設備費が高価となり、また、付着堆積させる金属粒子を均一にエアロゾル化するために、その粒子径を０．０５〜２μｍ（非特許文献２に記載されている）程度の微粒子にする必要があるから、前記「ガスデポジション法」より付着堆積時間を短くすることできるが、貫通孔あるいは止り穴を確実に塞ぐには、未だ付着堆積時間を要し満足できるものではない。

第４の方法である「ペースト法」により貫通孔あるいは止り穴を確実に塞ぐためには、前記のように内壁導体膜を形成したのちに導電性ペーストを充填して焼き付けをするからその製造工程に手間を要するものであり、前記内壁導体膜と充填導体との境界部分で亀裂が発生することがあり、さらに本法は導電性ペーストを用いることから、気孔が発生し易くデバイス化するための研磨加工後に、前記気孔が起因して欠けが生ずる、等の問題点がある。

電子回路基板に形成された貫通孔あるいは止り穴に導電性金属粒子を付着堆積させる従来の技術について、非特許文献１および２、特許文献１および２を用いて説明したが、いずれの方法においても前記のように種々の問題点があり、その中でも最も重要な貫通孔あるいは止り穴に導電性金属粒子を付着堆積させ充填することについて、その付着堆積時間を要し、あるいは確実に付着堆積ができない等の問題点があり、これらの問題点を一掃して生産性を向上させた導電体の形成方法が望まれている。
表面技術：Ｖｏｌ．４４、Ｎｏ．１０，１９９３表面科学：Ｖｏｌ．２５、Ｎｏ．１０、ｐｐ．６３５−６４１、２００４、「エアロゾルデポジション法とその応用」明渡純特開２００３−３４７４５３特開２００５−２４４００５

本発明は、前記の事情に鑑みてこれら問題点を一掃し、電子回路基板に前もって形成した貫通孔あるいは止り穴に導電性金属粒子を効率よく付着堆積させて導電体を確実に形成することができる方法およびその方法で製造された電子回路基板を提供することにある。

電子回路基板に形成された貫通孔または有底の止り穴に、コールドスプレー装置を用いて導電性金属粒子を付着堆積させて電極または配線となる導電体を形成するようにした電子回路基板の製造方法において、
前記コールドスプレー装置の噴射ノズルの噴射口中心線の前方に、前記電子回路基板の裏面を合わせ面とし、該電子回路基板を保持するとともに、必要に応じて該電子回路基板を加熱できるように加熱ヒーターを内蔵した基板保持部を配置し、
流量を噴射ノズルの噴射口の単位断面積当たりに換算して１０〜４０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ^２に調整した圧力気体に、平均粒子径が２〜３０μｍの前記導電性金属粒子を混合調製した混合気体を、前記電子回路基板の貫通孔、または止り穴に噴射することによって、該導電性金属粒子が電子回路基板の貫通孔、または止り穴の内部に形成される圧力気体の反流、あるいは淀み部を通過して前記貫通孔、または止り穴に到達し付着堆積して形成された導電体の空隙率を５％未満にした、電子回路基板の製造方法を第１の発明とする。
以上

前記第１の発明に記載の圧力気体を、空気、窒素、ヘリウム、のいずれかにした電子回路基板の製造方法を第２の発明とする。

前記第１または第２の発明に記載の導電性金属粒子の材質を、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、の単一粒子、またはこれら２種類以上の合金粒子、または混合粒子、のいずれかにした電子回路基板の製造方法を第３の発明とする。

前記第１乃至請求項３のいずれかの発明に記載の電子回路基板の材質を、セラミックスにした電子回路基板の製造方法を第４の発明とする。

前記第４の発明に記載のセラミックスの材質を、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、酸化ジルコニウムのいずれかにした電子回路基板の製造方法を第５の発明とし、さらに、前記第１乃至請求項５のいずれかの発明に記載の電子回路基板の製造方法を用いて製造された電子回路基板を第６の発明とする。

本発明は、電子回路基板の導電体の形成方法にコールドスプレー法を採用し、導電性金属粒子を混合して噴射する圧力気体の温度を２０〜４００℃に限定することにより、導電性金属粒子が付着堆積して形成された導電体内に酸化物が生成されることがなくなるので、導電性能を低下させることなく且つ密着力を向上させて確実に導電体を形成できるもので、さらに熱衝撃による電子回路基板が割れなどの不良品を無くすることができる。

また、噴射する導電性金属粒子の平均粒子径を２〜３０μｍとしその最小粒子径を２μｍ以上とすることにより、該導電性金属粒子が電子回路基板の貫通孔または止り穴内に形成される圧力気体の淀み部を容易に突き抜けて、圧力気体の反流によって跳ね返されたりすることなく電子回路基板の貫通孔または止り穴に的確に到達して付着堆積が容易となる。

また、混合気体に使用する圧力気体の流量の設定基準を、噴射ノズルの形状・大きさが異なっても導電性金属粒子の噴射速度（圧力）が一定の条件で設定ができるようにするために噴射ノズルの噴射口の単位面積当たり流量を１０〜４０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ ^２として、その最大流量を４０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ^２とすることにより前記最大粒子径の３０μｍの導電性金属粒子を前記２５０〜１２００ｍ／ｓｅｃの速度範囲内で噴射することができ、導電性金属粒子の割れ、マスク材の損耗、さらには電子回路基板の割れ・欠けによる不良品の発生を防止することができる。

以上のように、本発明のコールドスプレー法による導電体の形成方法は、従来のこの種金属粒子の付着堆積をする方法として代表されるエアロゾルデポジジョン法と比較して、付着堆積させようとする導電性金属粒子の粒子径が２〜３０μｍの大粒子径を採用可能にしたこと、および噴射ノズルの開口面積（７〜７８．５ｍｍ^２／直径：３〜１０ｍｍ）を大きくした各種形状の超音速ノズルを用いることができること、導電性金属粒子の材料費・設備費等の製造コストを低減したこと、電子回路基板の絶縁性、耐熱性、熱伝導性、耐食性、加工性などを優れたものにし、酸化物が介在しない導電体を形成できるようにしたことから、導電性に優れ且つ剥離しない強固な導電体を形成した電子回路基板を生産性を向上させて製造できるものである。なお、本発明の電子回路基板は、形成された導電体が前記のように導電性に優れていることから、基板自体を放熱する作用効果もあって、電子回路基板の性能維持が発揮できるものである。

本発明を実施するために必要なコールドスプレー装置と、その電子回路基板に穿接する貫通孔および止り穴の最良の実施形態について、図面を用いて説明する。

図１は、本発明に採用したコールドスプレー装置を示すもので、該コールドスプレー装置１は、圧力気体供給装置２と加熱装置３、および圧力気体と導電性金属粒子の混合部４、導電性金属粒子の粉粒体供給装置５、および混合気体の噴射ノズル６を基本構成とし、前記混合部４には、圧力気体の温度と圧力を制御するためにその測定信号を図示しない制御手段に出力する温度センサー７と圧力センサー８が設けられている。１１は、前記導電性金属粒子を付着堆積させる電子回路基板１０を固定する基板保持部であって、前記導電性金属粒子の付着堆積をさらに均一にさせる必要がある場合に、該基板保持部１１の内部に加熱ヒータ１２を適宜設ければより好ましいものとなる。

なお、前記噴射ノズル６の噴射口の形状、寸法については、各種形状のものが開発されているが、ノズル内の混合気体流路形状が噴射口の出口に向けて広がる逆円錐形状を成した通称ラバルノズルと云われている超音速噴射ノズルを用いることが好ましい。
前記、圧力気体供給装置２から供給された圧力気体は、その圧力を制御設定する圧力調整器９で調節されたのち加熱装置３で加熱される。加熱された圧力気体は、混合部４において、キャリアガスを通過するようにした粉粒体供給装置５により供給される導電性金属粒子と混合され噴射ノズル６より噴射される。その結果、噴射ノズル６の噴射口が向けられた電子回路基板の貫通孔あるいは止り穴に前記導電性金属粒子が付着堆積して導電体を形成することができる。

図２は、電子回路基板１０の貫通孔１３の縦断面形状が異なる３実施形態（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を示すもので、電子回路基板１０に貫通孔１３を穿設する面には、該貫通孔１３の位置を開口としたマスク材１４を貼付して穿設する。図示した前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の３実施形態の違いは、電子回路基板１０の厚さ（１００〜１５００μｍ前後）とその加工方法（ドリル加工、超音波加工、ブラスト加工等）が異なることによるもので、（ａ）、（ｂ）は、電子回路基板１０の一面から穿設された場合の加工形態を示し、（ｃ）は、電子回路基板１０の両面から穿設された場合の加工形態を示すもので、電子回路基板１０の厚さが厚い場合は（ｃ）の加工形態となる。なお、貫通孔１３の大きさは、直径が数十〜数百μｍが殆んどであるが、本発明に係る貫通孔１３の形状、寸法は前記に限定されるものではない。

図３は、有底の止り穴１５の縦断面形状が異なる３実施形態（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を示すもので、電子回路基板１０に止り穴１５を穿設する面には、該止り穴１５の位置を開口としたマスク材１４を貼付して穿設する。図示した前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の３実施形態の違いは、電子回路基板１０の厚さ（１００〜１５００μｍ前後）とその加工方法（ドリル加工、超音波加工、ブラスト加工等）が異なることによる加工形態を示す。なお、止り穴１５の大きさは、直径が数十〜数百μｍ、深さについても数十〜数百μｍが殆どであるが、本発明に係る止り穴１５の形状、寸法は前記に限定されるものではない。

次に、本発明の第１の発明に記載の電子回路基板の導電体の形成方法に大きな影響を及ぼす圧力気体の温度についての最良の実施形態について説明する。

導電性金属粒子と混合して混合気体を調製する圧力気体の温度に関し、４００℃を超えた温度域では、混合された導電性金属粒子が酸化されて酸化物が生成し、該導電性金属粒子が付着堆積して形成された導電体内に前記酸化物が介在することになって密着力が低下（剥離）し確実に導電体が形成できない、あるいは熱衝撃によって電子回路基板が割れるなどの不良品が発生すること、また、導電体内に酸化物が介在するから導電性能が低下して電子回路基板としての性能を低下させる等の致命的問題を抱えることになる。また、２０℃未満の温度域では、混合気体の導電性金属粒子径が後述する付着堆積に適した粒子径であっても噴射速度を速める効果が認められず、圧力気体の温度は２０℃以上であれば良いものであって、前記混合気体の温度は、２０〜４００℃が最適である。

第２の発明に記載の導電性金属粒子、およびその平均粒子径と噴射速度、および前記圧力気体の流量の関係、およびその流量の設定条件に関する最良の実施形態について順を追って説明する。

導電性金属粒子は、ガスアトマイズ法、水アトマイズ法、湿式法、電解法などの各種製造方法によって造粒されたものを使用することができるが、金属粒子の表面は酸化が少なく清浄であること、および粉粒体供給装置を用いて供給されるものであるから流動性に優れていることが好ましく、その平均粒子径は、生産性を向上させるために従来の付着堆積法で用いられている粒子径より大粒径とする必要があり、その平均粒子径は２〜３０μｍであることが好ましい。ここで平均粒子径とは、体積基準粒子分布で累積値５０％の粒子径を示す。

導電性金属粒子の平均粒子径が２μｍ未満では、後述する混合気体の適切な噴射速度（２５０〜１２００ｍ／ｓｅｃ）の高速域に達しているが確実に導電体が付着堆積できていない。これは、金属粒子の慣性力が小さいため、該金属粒子が圧力気体の反流によって跳ね返されたり、圧力気体が貫通孔または止り穴に停滞して形成される淀み部を突き抜けて基板の貫通孔または止り穴に到達することが難しく付着効率が低下したものと推察される。また、平均粒子径が３０μｍを超える場合、貫通孔または止り穴の付着堆積部に空隙部が多く見られ確実な付着堆積はできていない。これは、前記導電性金属粒子の質量が大きいために圧力気体によって十分加速されずその噴射速度が２５０ｍ／ｓｅｃ以下となっている。従って、導電性金属粒子の平均粒子径は、２〜３０μｍが最適である。

圧力を０．５〜３ＭＰａの範囲に調整した圧力気体の流量が１０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ^２以下では、当該導電性金属粒子を付着堆積させるに適切な前記平均粒子径（２〜３０μｍ）であっても適切な噴射速度の下限値（２５０ｍ／ｓｅｃ以上）に到達せず確実に導電体が付着堆積できない。逆にその流量が４０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ^２以上では導電性金属粒子の割れ、マスク材の損耗、さらには電子回路基板の割れ・欠けによる不良品が発生する。従って、圧力気体の流量は、１０〜４０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ^２が最適である。

ここで、前記圧力気体の流量設定条件を噴射ノズルの噴射口の単位断面積当たりとした理由について説明する。

電子回路基板の厚さは１．５ｍｍ以下の薄板であり、前記電子回路基板に導電性粒子を付着堆積させて導電体を形成する方法として本発明が採用したコールドスプレー法は、噴射ノズルから噴射した混合気体の超音速流の失速を防ぐために、噴射ノズルの噴射口と導電性粒子を付着堆積させる電子回路基板との距離が１０〜５０ｍｍ程度という至近距離に設定される。このため高速の混合気体が電子回路基板に衝突した衝撃によって電子回路基板に割れや欠けが生じ易い問題がある。また、貫通孔または有底の止まり穴のような凹部に衝突した混合気体流の圧力気体がその凹部に停滞して円滑に流出し難いため、連続して噴射される混合気体が乱流して該混合気体中の導電性金属粒子が付着堆積し難く導電体の形成ができない問題が発生する。

前記の混合気体の噴射による衝撃と凹部に形成される圧力気体の淀み部や反流の影響を低減するためには、電子回路基板に衝突する混合気体流の圧力気体の流量と流速を減少させる必要があるが、単に流量や流速を減少させただけでは、導電性金属粒子の噴射速度も減少して導電体の形成ができない。そこで本発明者らは、電子回路基板に生じる割れや凹部に形成される混合気体流の圧力気体の淀み部が、単位面積当たりの圧力気体の流量に大きく関連していることを見出し、該混合気体流の圧力気体の流速を維持しながら上記の問題点を解決する最適な条件を設定するために成されたものである。

第３の発明に記載の前記圧力気体に関しては、混合して噴射する導電性金属粒子が付着堆積させるに適切な前記噴射速度となる圧力気体として空気、窒素、ヘリウムの中から適宜選択すれば良いもので、例えば、生産性を最重要として導電性金属粒子の粒子径が前記２〜３０μｍの範囲において大きい粒子を使用する場合は比重が小さなヘリウムを選択するのが有効であり、逆にコスト面を考慮して粒子径が小さい導電性金属粒子を使用する場合の圧力気体は空気であっても問題がない。

第４の発明に記載の前記導電性金属粒子の材質に関しては、電気抵抗率が低く且つ軟質で容易に塑性変形する材質が好適であって、具体的にはＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、などの1種類、または１種類以上からなる混合粒子、または合金粒子が好ましいが、本発明はこれらに限定されるものではなく、電極として要求される特性を満たすＰｔ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗなどの1種類、または１種類以上からなる混合粒子、または合金粒子であっても良い。

第５の発明、および第６の発明に記載の前記電子回路基板の材質に関しては、樹脂等を用いることができるが、絶縁性、耐熱性、熱伝導性、耐食性、加工性などに優れている基材としてセラミックスを選定することができ、その中でもアルミナ、窒化アルミ、窒化珪素、炭化珪素、酸化ジルコニウムなどが好適である。

第７の発明に記載の電子回路基板の外形寸法は、２〜４インチ角または円形、厚さが１．５ｍｍ以下が一般的であり、導電体を形成するために前もってドリル加工、超音波加工、ブラスト加工などを用いて穿設されている貫通孔または止り穴の大きさは直径が数十〜数百μｍ、止り穴においては、その深さが１００〜１５００μｍであるが、前記の形状、寸法に限定されるものではない。

本発明に係る導電体の形成状態、電子回路基板の割れの有無、マスク材の損傷状況、総合評価を評価検討して、前記評価検討の結果を基に導電性金属粒子の平均粒子径、噴射ノズル／噴射口の単位断面積当りの圧力気体の流量、導電性金属粒子の噴射速度、圧力気体の種類（空気、窒素、ヘリウム）についての好適な条件を見出すことを目的として実施した試験１を詳細に説明する。

＜試験１＞
本試験１を実施するにあたり、図１に示すコールドスプレー装置と、水アトマイズ法で造粒した平均粒子径が０．５〜４０μｍの純Ｃｕ粒子からなる導電性金属粒子と、外形寸法が２インチ角、厚さ０．７ｍｍのアルミナ製板材にドリル加工によって直径が３００μｍのストレートの貫通孔（図２−（ａ）の形態）を穿設した電子回路基板と、外形寸法が前記と同一でブラスト加工によって開口部の直径が１８０μｍ、深さが２００μｍの有底の止り穴（図３−（ｃ）の形態）を穿設した電子回路基板を準備した。

前記コールドスプレー装置の調整・設定については、導電性金属粒子の供給量を１０ｇ／ｍｉｎ、圧力気体の加熱温度を３００℃、噴射ノズルと電子回路基板の間の距離を２０ｍｍとし、噴射ノズルにラバルノズルを採用し、その噴射口の直径が３〜８ｍｍの噴射ノズルと圧力が０．５〜１．０ＭＰａの圧力気体とを選択組合せて、前記圧力気体の流量が１０〜４０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ^２となるように調整し、前記電子回路基板に穿設された貫通孔あるいは止り穴に前記Ｃｕ粒子からなる導電性金属粒子を、温度が３００℃の前記圧力気体と混合して噴射し付着堆積させた。

また、マスク材は、ウレタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂を採用し、前記貫通孔を形成する場合はドリル加工後にマスク材を電子回路基板に接着し、前記有底の止り穴を形成する場合は、マスク材を電子回路基板に接着したのちブラスト加工によって止り穴を形成した。なお、マスク材の厚さは１００μｍである。

以上、実施した試験１において、導電性金属粒子の平均粒子径、圧力気体の種類、噴射ノズルの噴射口の単位断面面積当りの圧力気体の流量、導電性金属粒子の噴射速度を変化させて、その違いにより付着堆積した導電体の形成状態について、次に示す評価基準に基づいて調査した。その結果を表１に示す。

なお、導電性金属粒子の噴射速度は、粒子画像流速測定装置
ＰａｒｔｉｃｌｅＩｍａｇｅＶｅｌｏｃｉｍｅｔｒｙ（西華産業製）によって測定し、導電体の形成状態についての評価基準は、形成された導電体の空隙率が１％未満を「◎」、１〜５％を「○」、５％以上を「△」、導電体が完全に形成できなかったものを「×」を付記した。なお、空隙率が５％未満であれば電気抵抗率、強度の両面から実用上の問題無く使用可能であるが、空隙率が５％を超えると導電体の密着強度が低下して研磨等の後加工工程において欠けが発生するため、前記のような評価基準とした。

マスク材の損傷状態については、損傷が極めて少ないものを「軽微」、損傷しているが支障が無い程度を「少」、マスク材が部分的に消失してしまった大きな損傷を「大」として表記した。

総合評価の基準は、前記導電体の形成状態が“◎”で電子回路基板の割れが無く、且つ前記マスク材の損傷が“軽微”な場合を「◎」、電子回路基板の割れは無いものの導電体の形成状態が“○”またはマスク材の損傷が“少”に該当する場合を「○」、導電体の形成状態が“△”または“×”もしくは電子回路基板の割れが発生した場合は全て「×」として表記し、その結果を次の表１に示す。

表１より得られた本発明の導電性金属粒子の平均粒子径、噴射ノズルの噴射口／単位断面積当りの圧力気体の流量、導電性金属粒子の噴射速度、圧力気体の種類（空気、窒素、ヘリウム）に関する好適な条件を次に示す。

〔導電性金属粒子の平均粒子径〕
平均粒子径が２μｍ未満の場合には、該導電性金属粒子の噴射速度は速いものの付着堆積が確実でなく導電体が形成できていない（比較例１）、もしくは導電体が形成できても該導電体の空隙率が高い（比較例２）結果となった。また、平均粒子径が３０μｍを超える場合には、該導電性金属粒子の噴射速度が２５０ｍ／ｓｅｃに到達せず、導電性金属粒子が付着堆積せず導電体を形成することができなかった（比較例３、４）。従って、導電性金属粒子の平均粒子径は２〜３０μｍの範囲が好適であった。

〔噴射ノズルの噴射口／単位断面積当りの圧力気体の流量〕
圧力気体の流量が１０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ^２に満たない場合には、導電性金属粒子の平均粒子径が前記の好適範囲（２〜３０μｍ）内であっても噴射速度が２５０ｍ／ｓｅｃに到達せず、導電性金属粒子が付着堆積せず導電体を形成することができなかった（比較例６、８）。また、圧力気体の流量が４０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ^２を超える場合には、電子回路基板や平均粒子径が大きい導電性金属粒子が割れたり、マスク材の損傷がやや増大する傾向であった（比較例５、７、９）。従って、１０〜４０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ^２の範囲が好適である。

〔導電性金属粒子の噴射速度〕
導電性金属粒子の噴射速度は、その平均粒子径、圧力気体の種類、および前記圧力気体の流量が相互に関係して決定されるが、２５０ｍ／ｓｅｃに満たない場合は、電子回路基板の貫通孔あるいは止り穴に衝突する導電性金属粒子の速度が遅いため、該導電性金属粒子を付着堆積させることができず導電体を形成することができなかった（比較例３、４、６、８）。次に、いずれも好適な導電性金属粒子の平均粒子径を２〜３０μｍ、圧力気体の流量を１０〜４０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ^２の条件下で、導電性金属粒子の噴射速度を２５０ｍ／ｓｅｃ以上にして徐々に速めた各噴射速度における導電体の形成状態、電子回路基板の割れの有無、マスク材の損傷状態をチェックした結果、２５０〜３５０ｍ／ｓｅｃにおいては、電子回路基板の割れが無く、マスク材の損傷も軽微であって問題は無かったが導電体の形成状態に若干の空隙率が認められた（実施例１−１３）。次に、圧力気体の種類を前記において用いていた空気からヘリウムに変更し、導電性金属粒子の噴射速度をさらに速めて導電体の形成状態、電子回路基板の割れの有無、マスク材の損傷状態をチェックした結果、６００ｍ／ｓｅｃを超えると、電子回路基板の割れが無く導電体の形成状態も良好であったが、マスク材の損傷がやや増大する傾向が認められた（実施例１−５、１−７、１−１０、１−１２）。このような結果から、導電性金属粒子の噴射速度の上限値については、圧力気体にヘリウムを用いその流量を前記の好適範囲の最大量である４０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ^２にして得られた１１１８ｍ／ｓｅｃ（実施例１−５）が実用上の上限値である。従って、２５０〜１２００ｍ／ｓｅｃが好適であって、３５０〜６００ｍ／ｓｅｃがさらに好ましい。

〔圧力気体の種類〕
本発明に用いることができる圧力気体には、空気、窒素、ヘリウムがあって、空気および窒素の違いについて検討した結果、導電性金属粒子の噴射速度、導電体の形成状態、電子回路基板の割れの有無、マスク材の損傷状態等のチェック項目がすべて同等の結果（実施例１−８、１−９）であったのでどちらを選択してもよいが、ヘリウムを用いた場合（実施例１−５、１−７、１−１０、１−１２）は、導電性金属粒子の噴射速度が大幅に増大したことから、導電性金属粒子の噴射速度が加速され難い平均粒子径が比較的大きい導電性金属粒子を使用する場合には効果的である。

以上より、本発明は、電子回路基板に貫通孔または止り穴を前もって穿設し、該貫通孔または止り穴に導電性金属粒子を付着堆積させて導電体（電極または配線）を形成するには、導電性金属粒子の平均粒子径が２〜３０μｍ、圧力気体の流量が１０〜４０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ^２とし、導電性金属粒子の噴射速度が２５０〜１２００ｍ／ｓｅｃの範囲内であれば、導電体形成部の形状（貫通孔または止り穴）を問わず電子回路基板が割れることなく導電体を確実に形成することができる。

次に、本発明に係る導電体の形成状態、導電体の酸化の有無、電子回路基板の割れの有無、総合評価を評価検討して、前記評価検討の結果を基に導電性金属粒子の材質、電子回路基板の材質、圧力気体の温度についての好適な条件を見出すことを目的として実施した試験２を詳細に説明する。

＜試験２＞
本発明の導電性金属粒子の平均粒子径、噴射ノズルの噴射口／単位断面積当りの圧力気体の流量、導電性金属粒子の噴射速度、圧力気体の選択、について検討した本試験２を実施するにあたり、前記試験１と同様の図１に示すコールドスプレー装置と、夫々の平均粒子径が１０μｍであって水アトマイズ法により製造したＣｕ、ガスアトマイズ法により製造したＡｌ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、湿式還元法により製造したＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、からなる導電性金属粒子と、厚さが０．５ｍｍの窒化アルミ製板材、厚さが０．６５ｍｍの窒化珪素製板材、厚さが０．５ｍｍの炭化珪素製板材、厚さが０．６ｍｍの酸化ジルコニウム製板材からなり夫々の外形寸法が直径３インチ共通の電子回路基板にブラスト加工によって開口部直径２１０μｍ、深さ２４０μｍの有底の止り穴（図３−（ｃ）の形態）を穿設して準備した。なお、前記止り穴をブラスト加工する際に使用したマスク材は、前記試験１に使用したものと同一の厚さが１００μｍ、ウレタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂製を使用した。

圧力気体は窒素を用い、図１に示す加熱装置３によって加熱し、温度センサー７によって温度を測定した。圧力気体（窒素）の流量は２０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ^２、導電性金属粒子の供給量は１０ｇ／ｍｉｎとして一定条件とした。

評価項目である導電体の形成状態と電子回路基板の割れに関しての評価基準は、試験１と同一とし、導電体の酸化については、酸化による色調変化を外観観察から評価した。また、総合評価は、導電体の形成状態が“◎”であり電子回路基板の割れが無く、且つ酸化が無い場合を「◎」、電子回路基板の割れと酸化は無いものの導電体の形成状態が“○”に該当する場合を「○」、導電体の形成状態が“△”または“×”、もしくは電子回路基板の割れが発生した場合は「×」として表記し、その結果を次の表２に示す。

表２より、本発明の導電性金属粒子の材質、電子回路基板の材質、圧力気体の温度に関する好適な条件を次に示す。

〔導電性金属粒子の材質〕
導電性金属粒子に用いる金属粒子は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎの１種類以上含む合金粒子または混合粒子であればいずれも空隙部がなく緻密で確実な導電体が形成できた。前記金属粒子は、電気抵抗率が低く、耐酸化性に優れ、且つ軟質で塑性変形能が大きいため、本発明に用いる導電性金属粒子として好適である。

〔電子回路基板の材質〕
電子回路基板に用いる材質として、窒化アルミ、窒化珪素、炭化珪素、酸化ジルコニウムを用いて評価検討を実施したが、いずれも前記導電性金属粒子の付着堆積が良好にでき、緻密で確実な導電体の形成ができた。これらセラミックス材料は、試験１で用いたアルミナも含み、絶縁性、耐熱性、熱伝導性、耐食性、加工性などに優れていて、電子回路基板に用いる基材として好適である。

〔圧力気体の温度〕
圧力気体の温度が２０℃（常温：測定室温）の場合は、導電性金属粒子の付着堆積の状態に空隙箇所が若干見られたがその密着状態を保ち使用できる範囲であった（実施例２−１）。前記「実施例２−１」より、前記圧力気体の温度が２０℃以下であると、該圧力気体と混合されて噴射される導電性金属粒子が確実に付着堆積せず空隙箇所が増加して剥離することが予測できる。一方、圧力気体の温度が、４００℃を超えて４５０℃とした比較例１０では基板が熱衝撃によって割れると共に、酸化が急激に進行して導電体の空隙箇所が増加した。従って、圧力気体の温度は、「実施例２−１」〜「実施例２−１１」に示されるように、２０〜４００℃であれば電子回路基板が割れ、酸化がなく、確実に導電体が形成されるものであり、導電性金属粒子の融点の１／２以下の温度となるものである。

例えば、前記圧力気体の温度を導電性金属粒子の融点の１／２以上に設定すると、該導電性金属粒子が軟化あるいは酸化が徐々にではあるが開始し、導電性金属粒子の軟化が進行すれば噴射ノズル内に溶着して詰まらせるトラブルを誘発することがあり、導電性金属粒子の酸化が進行すれば該導電性金属粒子に酸化物が生成し付着堆積して形成された導電体内に前記酸化物が介在することになって密着力が低下（剥離）して確実に導電体が形成できない等の問題点が発生するので、融点が低い導電性金属粒子を使用する場合は、前記圧力気体の適正温度である２０〜４００℃の低温領域に設定する配慮が必要である。

次に、「比較例１１」に示す従来のペースト法、および「比較例１２」に示すエアロゾルデポジション法を新たに実施して製造された電子回路基板と、本発明のコールドスプレー法に関しては、前記試験１で実施した「実施例１−６」と試験２で実施した「実施例２−３」により製造された電子回路基板の電気抵抗率と導電性金属粒子の付着堆積の速度に関して検討した試験３について説明する。

＜試験３＞
ペースト法により製造した電子回路基板の導電体は、窒化アルミ製の電子回路基板に穿設した止り穴に市販のビアフィル用導電性銅ペーストを充填した後、６０℃で６０ｍｉｎ間乾燥し、その後、さらに１６０℃で６０ｍｉｎ間硬化処理を行って形成した。その電気抵抗率と単位面積当たりの導電性金属粒子／付着堆積の速度比の結果を次の表３の比較例１１に示す。

エアロゾルデポジション法により製造した電子回路基板の導電体は、水アトマイズ法により造粒した平均粒子径が１．５μｍのＣｕ粒子からなる導電性粒子と、圧力０．２ＭＰａ、流量２０Ｌ／ｍｉｎとしたヘリウムガスを使用し、前記導電性粒子の供給量を１ｇ／ｍｉｎとし、噴射ノズルと電子回路基板間の距離を１５ｍｍにして形成した。その電気抵抗率と単位面積当たりの導電性金属粒子／付着堆積の速度比の結果を次の表３の比較例１２に示す。

〔電気抵抗率〕
実施例１−６および実施例２−３のコールドスプレー法によって形成された導電体の電気抵抗率は、純銅の電気抵抗率（１．７×１０^−８Ω・ｍ）に最も近く良好な特性であったが、比較例１１のペースト法によって形成された導電体の電気抵抗率は、純銅の約１００倍であった。この工法では空隙率が１０〜２０％であるため電気抵抗率の低下が著しい。また、比較例１２のエアロゾルデポジションによって形成された導電体の電気抵抗率は、純銅に近い値であったが、実施例１−６と比較すると１．４５倍であった。これは、使用する導電性金属粒子径が小さいため、その金属粒子が多数堆積して形成される界面の面積が大きくなり抵抗値が増加したとものと推察する。

〔単位面積当たりの導電性金属粒子／付着堆積の速度比〕
生産性の評価基準となる単位面積当たりの導電性金属粒子／付着堆積の速度比の評価は、実施例１−６の本発明のコールドスプレー法における単位面積当りの付着堆積の量を１００とし、従来技術のペースト法、およびエアロゾルデポジション法の付着堆積の量を単位面積当りに換算して算出した。前記の単位面積当りに換算して算出した理由は、エアロゾルデポジション法で使用可能な噴射ノズル／噴射口の断面積が、本発明のコールドスプレー法で使用する噴射ノズル／噴射口の断面積の１０分の１以下であるため、従来のエアロゾルデポジション法の導電性金属粒子／付着堆積の速度比をμｍ／ｍｉｎで測定すると、付着堆積された面積が微少であるにも関わらず付着堆積された厚さだけを評価することとなるので、実際の生産性を比較評価するには不適当となるので単位面積当たりに換算して比較した。その結果、本発明のコールドスプレー法による電子回路基板／導電性金属粒子の付着堆積（導電体の形成）の速度比は、従来のエアロゾルデポジション法の１０倍以上であり、広い面積すなわち複数の導電体を同時に効率良く処理することが可能であって、生産性を向上した方法であることが判明した。

本発明に採用したコールドスプレー装置の構成を示す説明図である。本発明より導電性粒子を付着堆積させて電極または配線の導電体を形成する電子回路基板の貫通孔の形状を示す断面図である。本発明より導電性粒子を付着堆積させて電極または配線の導電体を形成する電子回路基板の止り穴の形状を示す断面図である。

符号の説明

１コールドスプレー装置
２圧力気体供給装置
３加熱装置
４混合部
５粉粒体供給装置
６噴射ノズル
７温度センサー
８圧力センサー
９圧力調整器
１０電子回路基板
１１基板保持部
１２加熱ヒータ
１３貫通孔
１４マスク材
１５止り穴

Claims

電子回路基板に形成された貫通孔または有底の止り穴に、コールドスプレー装置を用いて導電性金属粒子を付着堆積させて電極または配線となる導電体を形成するようにした電子回路基板の製造方法において、
前記コールドスプレー装置の噴射ノズルの噴射口中心線の前方に、前記電子回路基板の裏面を合わせ面とし、該電子回路基板を保持するとともに、必要に応じて該電子回路基板を加熱できるように加熱ヒーターを内蔵した基板保持部を配置し、
流量を噴射ノズルの噴射口の単位断面積当たりに換算して１０〜４０Ｌ／ｍｉｎ・ｍｍ^２に調整した圧力気体に、平均粒子径が２〜３０μｍの前記導電性金属粒子を混合調製した混合気体を、前記電子回路基板の貫通孔、または止り穴に噴射することによって、該導電性金属粒子が電子回路基板の貫通孔、または止り穴の内部に形成される圧力気体の反流、あるいは淀み部を通過して前記貫通孔、または止り穴に到達し付着堆積して形成された導電体の空隙率を５％未満にした、ことを特徴とする電子回路基板の製造方法。
前記圧力気体を、空気、窒素、ヘリウム、のいずれかにしたことを特徴とする請求項1記載の電子回路基板の製造方法。
前記導電性金属粒子の材質を、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、の単一粒子、またはこれら２種類以上の合金粒子、または混合粒子、のいずれかにしたことを特徴とする請求項1または請求項２記載の電子回路基板の製造方法。
前記電子回路基板の材質を、セラミックスにしたことを特徴とする請求項1乃至請求項３のいずれか記載の電子回路基板の製造方法。
前記セラミックスの材質を、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、酸化ジルコニウムのいずれかにしたことを特徴とする請求項４記載の電子回路基板の製造方法。
前記請求項1乃至請求項５のいずれか記載の電子回路基板の製造方法を用いて製造された電子回路基板。