JP5316627B2 - 波長変換素子の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施の形態における波長変換素子を概略的に示す斜視図である。始めに、図1を参照して、本実施の形態における波長変換素子10aを説明する。
本実施の形態における波長変換素子は、図1または図2に示す実施の形態1の波長変換素子10a、10bとほぼ同様である。また、第1の結晶11のみ極性を有しており、第2の結晶12は極性を有していなくてもよい。
図8は、本実施の形態における波長変換素子を概略的に示す斜視図である。図8に示すように、本実施の形態における波長変換素子10dは、基本的には図1に示す実施の形態1の波長変換素子10aと同様の構成を備えているが、第2の結晶がアモルファス結晶16である点において異なる。アモルファス結晶16の屈折率は、第1の結晶11の屈折率と実質的に差がなく、400〜800nmの波長での第1の結晶11の屈折率との差が0.001以上0.1以下であることが好ましい。
本発明例1および2の波長変換素子は、基本的には実施の形態1にしたがって製造した。具体的には、まず、本発明例1および2の下地基板21として、主表面22aが(001)面であるAlN単結晶基板およびAl0.5Ga0.5N単結晶基板をそれぞれ準備した。
本発明例1、2の波長変換素子について、入射光として波長が1064nmのNd−YAGレーザー(ネオジウム・ヤグレーザー)を、第1および第2の結晶11、12の界面14に垂直になるように光導波路13に入射した。その結果、532nmの波長の出射光102が出射された。
Claims (1)
- 光導波路を有し、前記光導波路の一方端側から入射した入射光の波長を変換して前記光導波路の他方端側から出射光を出射させる波長変換素子の製造方法であって、
第1の結晶を成長させる工程と、
前記第1の結晶の表面に規則的に配列した2以上の凸部を形成する工程と、
前記第1の結晶の前記表面上に、前記第1の結晶の屈折率との差が実質的にないアモルファス結晶である第2の結晶を成長させる工程とを備え、
前記第2の結晶を成長させる工程では、前記光導波路に沿って前記第1および第2の結晶の分極方向が周期的に反転する分極反転構造を形成し、前記分極反転構造は前記入射光に対して擬似位相整合条件を満たすように、前記第1および第2の結晶を形成する、波長変換素子の製造方法。
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