JP5306355B2 - ビーム放射デバイスの製造方法およびビーム放射デバイス - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 122
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 25
- 230000009191 jumping Effects 0.000 claims description 24
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 3
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
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- H01S2301/00—Functional characteristics
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- H01S2301/00—Functional characteristics
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
- H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Description
Claims (17)
- ビーム放射デバイス(1)の製造方法であって、
当該方法は以下のステップを有している:すなわち、
a)遠距離場における、ガウス状の放出特性よりも高い均一性を有している放出特性を設定するステップ;
b)前記ビーム放射デバイス(1)の主要放出方向に対して垂直に延在する方向における、前記ビーム放射デバイス(1)に対する屈折率プロファイルを前記設定された放出特性から求めるステップ;
c)前記デバイス(1)が前記事前に定められた屈折率プロファイルを有するように、前記デバイス(1)に対する構造を求めるステップ;および
d)前記事前に定められた構造に従って、前記ビーム放射デバイス(1)を構成するステップ、
とを有している、
ことを特徴とする、ビーム放射デバイスの製造方法。 - ステップb)において、
・遠距離場における前記設定されている放出特性から、属する近接場を求め、
当該近接場から、前記ビーム放射デバイス(1)に対する前記屈折率プロファイルを求める、請求項1記載の方法。 - 前記ビーム放射デバイス(1)は半導体層列を伴う半導体(2)を有しており、当該半導体層列は、ビーム形成のために設けられたアクティブ領域(21)を有しており、
ステップd)において、前記前記半導体層列を伴う半導体(2)を析出し、前記屈折率プロファイルを、適切な材料組成によって、前記半導体(2)の半導体層列に対する析出方向に沿って構成する、請求項1または2記載の方法。 - 遠距離場における前記放出特性を、相互に傾斜または垂直に延在している2つの軸に沿って設定し、ステップb)において、前記主要放出方向に対して垂直に、かつ前記屈折率プロファイルに対して垂直に別の屈折率プロファイルを求め、ステップc)において、前記デバイス(1)の構造を求め、前記デバイスは、前記事前に定められた別の屈折率プロファイルを有している、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- ビーム放射デバイスであって、
ビームを形成するために設けられたアクティブ領域(21)を備えており、
主要放出方向と、当該主要放出方向に対して垂直な屈折率プロファイルを有しており、
当該屈折率プロファイルは次のように構成されている、すなわち、当該屈折率プロファイルに基づいて、前記デバイスの作動中に形成されるビームの放出特性が遠距離場において、アクティブ領域(21)に対して設定された間隔で、ガウス状の放出特性よりも高い均一性を有しているように構成されている、
ことを特徴とするビーム放射デバイス。 - ビーム放射デバイスであって、
ビームを形成するために設けられたアクティブ領域(21)を備えており、
主要放出方向を有しており、
前記アクティブ領域の両側に場形成層(22)が配置されており、当該場形成層(22)によって、前記主要放出方向に対して垂直に屈折率プロファイルが構成され、当該屈折率プロファイルは、前記アクティブ領域(21)の両側で、それぞれ跳躍的な移行部(24)を有しており、ここでは各屈折率はアクティブ領域(21)から見て増大しており、
前記アクティブ領域(21)の方を向いていない、場形成層(22)の面には、それぞれ1つのカバー層(26)が配置されており、当該カバー層(26)は、前記場形成層(22)の屈折率よりも低い屈折率を有している
ことを特徴とするビーム放射デバイス。 - 前記放出特性は遠距離場(100)において強度経過特性を有しており、当該強度経過特性には、前記強度経過特性の曲線の下方に延在している、最大面積(101)を備えた矩形が割り当てられており、当該矩形は、遠距離場の強度経過特性の曲線の下方の面積全体の少なくとも50%を占める、請求項5または6記載のビーム放射デバイス。
- 前記放出特性は遠距離場(100)において強度経過特性を有しており、当該強度経過特性には、前記強度経過特性の曲線の下方に延在している、最大面積(101)を備えた矩形が割り当てられており、当該矩形は、遠距離場の強度経過特性の曲線の下方の面積全体の少なくとも60%を占める、請求項5または6記載のビーム放射デバイス。
- 前記少なくとも1つの場形成層(22)は、部分領域(221)および別の部分領域(222)を有しており、
前記部分領域(221)および前記別の部分領域(222)における屈折率はそれぞれ、前記アクティブ領域(21)からの距離が増大するとともに低減し、
前記部分領域(221)および前記別の部分領域(222)は、前記アクティブ領域(21)の同じ面に配置されている、請求項6記載のビーム放射デバイス。 - 前記跳躍的な移行部(24)は、前記部分領域(221)と前記別の部分領域(222)との間に配置されている、請求項9記載のビーム放射デバイス。
- 前記屈折率は、前記跳躍的な移行部(24)の両側で、前記アクティブ領域(21)から見て、連続的に低減する、請求項9または10記載のビーム放射デバイス。
- 前記デバイス(1)は、半導体層列を備えた半導体(2)を有しており、
前記アクティブ領域は前記半導体(2)内に構成されており、前記屈折率プロファイルは前記半導体(2)の半導体層の主要延在方向に対して垂直に延在している、請求項5から11までのいずれか1項記載のビーム放射デバイス。 - 前記主要放出方向に対して垂直に、かつ前記屈折率プロファイルに対して垂直に、別の屈折率プロファイルを有しており、当該別の屈折率プロファイルは、切り欠き(4)によって構成され、当該切り欠きは、前記別の屈折率プロファイルに沿って前記半導体(2)内へ延在している、請求項5から12までのいずれか1項記載のビーム放射デバイス。
- 別のアクティブ領域(27)を有しており、当該別のアクティブ領域は、ビーム形成のために設けられている、請求項5から13までのいずれか1項記載のビーム放射デバイス。
- 前記アクティブ領域(21)と前記別のアクティブ領域(27)との間にトンネル領域(28)が構成されており、
前記アクティブ領域(21)において形成されたビームと、前記別のアクティブ領域(27)において形成されたビームは、共通の横断的な光学モードを有しており、前記トンネル領域(28)は前記横断的光学モードの結合点内に配置されている、請求項14記載のビーム放射デバイス。 - 前記跳躍的な移行部(24)は、前記アクティブ領域(21)と前記別のアクティブ領域(27)との間に配置されている、請求項14または15記載のビーム放射デバイス。
- 前記別のアクティブ領域(27)の両側に、別の場形成層(23)が配置されており、前記屈折率プロファイルは、前記別のアクティブ領域の両側でそれぞれ別の跳躍的な移行部(25)を有しており、ここで各屈折率は別のアクティブ領域(27)から見て増大している、請求項14記載のビーム放射デバイス。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007045499.8 | 2007-09-24 | ||
DE102007045499 | 2007-09-24 | ||
DE102007051315.3A DE102007051315B4 (de) | 2007-09-24 | 2007-10-26 | Strahlungsemittierendes Bauelement |
DE102007051315.3 | 2007-10-26 | ||
PCT/DE2008/001377 WO2009039808A2 (de) | 2007-09-24 | 2008-08-18 | Verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauelements und strahlungsemittierendes bauelement |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010541214A JP2010541214A (ja) | 2010-12-24 |
JP2010541214A5 JP2010541214A5 (ja) | 2012-04-12 |
JP5306355B2 true JP5306355B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=40384460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010526145A Expired - Fee Related JP5306355B2 (ja) | 2007-09-24 | 2008-08-18 | ビーム放射デバイスの製造方法およびビーム放射デバイス |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8576889B2 (ja) |
EP (1) | EP2191548B1 (ja) |
JP (1) | JP5306355B2 (ja) |
KR (1) | KR101431306B1 (ja) |
CN (1) | CN101809834B (ja) |
DE (1) | DE102007051315B4 (ja) |
TW (1) | TWI460947B (ja) |
WO (1) | WO2009039808A2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007061458A1 (de) | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und strahlungsemittierendes Bauelement |
DE102009026530A1 (de) * | 2009-05-28 | 2010-12-02 | Robert Bosch Gmbh | Lasereinrichtung |
DE102009026526A1 (de) * | 2009-05-28 | 2010-12-02 | Robert Bosch Gmbh | Lasereinrichtung |
DE102009041934A1 (de) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kantenemittierender Halbleiterlaser |
CN103872579B (zh) * | 2014-03-28 | 2016-08-24 | 江苏华芯半导体科技有限公司 | 改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法 |
CN104600562B (zh) * | 2015-02-03 | 2017-08-29 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 808nm平顶光场大功率激光器 |
US11025031B2 (en) * | 2016-11-29 | 2021-06-01 | Leonardo Electronics Us Inc. | Dual junction fiber-coupled laser diode and related methods |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5073041A (en) | 1990-11-13 | 1991-12-17 | Bell Communications Research, Inc. | Integrated assembly comprising vertical cavity surface-emitting laser array with Fresnel microlenses |
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JPH09232692A (ja) * | 1996-02-16 | 1997-09-05 | Lucent Technol Inc | 半導体レーザ装置 |
JP3685925B2 (ja) | 1998-05-11 | 2005-08-24 | アンリツ株式会社 | スーパールミネッセントダイオード |
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JP4749582B2 (ja) | 2000-03-27 | 2011-08-17 | 忠 高野 | 半導体レーザ装置およびそれを用いた通信システム |
WO2001095446A1 (fr) | 2000-06-08 | 2001-12-13 | Nichia Corporation | Dispositif de laser a semi-conducteur et son procede de fabrication |
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DE10057698A1 (de) | 2000-11-21 | 2002-06-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Übereinander gestapelte Halbleiter-Diodenlaser |
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US6628694B2 (en) * | 2001-04-23 | 2003-09-30 | Agilent Technologies, Inc. | Reliability-enhancing layers for vertical cavity surface emitting lasers |
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GB2406968B (en) * | 2003-10-11 | 2006-12-06 | Intense Photonics Ltd | Control of output beam divergence in a semiconductor waveguide device |
TWI290402B (en) * | 2003-10-24 | 2007-11-21 | Ind Tech Res Inst | Edge-emitting laser with circular beam |
JP4206086B2 (ja) * | 2004-08-03 | 2009-01-07 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子を製造する方法 |
US20060054843A1 (en) | 2004-09-13 | 2006-03-16 | Electronic Design To Market, Inc. | Method and apparatus of improving optical reflection images of a laser on a changing surface location |
DE102006010728A1 (de) | 2005-12-05 | 2007-06-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement und Laservorrichtung |
-
2007
- 2007-10-26 DE DE102007051315.3A patent/DE102007051315B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-18 US US12/670,984 patent/US8576889B2/en active Active
- 2008-08-18 EP EP08801200.0A patent/EP2191548B1/de not_active Not-in-force
- 2008-08-18 KR KR1020107008961A patent/KR101431306B1/ko active IP Right Grant
- 2008-08-18 JP JP2010526145A patent/JP5306355B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-18 WO PCT/DE2008/001377 patent/WO2009039808A2/de active Application Filing
- 2008-08-18 CN CN2008801085071A patent/CN101809834B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-22 TW TW097136257A patent/TWI460947B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200917603A (en) | 2009-04-16 |
KR101431306B1 (ko) | 2014-09-22 |
DE102007051315B4 (de) | 2018-04-05 |
JP2010541214A (ja) | 2010-12-24 |
DE102007051315A1 (de) | 2009-04-02 |
CN101809834B (zh) | 2013-04-10 |
EP2191548B1 (de) | 2015-09-30 |
EP2191548A2 (de) | 2010-06-02 |
WO2009039808A2 (de) | 2009-04-02 |
WO2009039808A3 (de) | 2009-10-15 |
KR20100072048A (ko) | 2010-06-29 |
TWI460947B (zh) | 2014-11-11 |
CN101809834A (zh) | 2010-08-18 |
US8576889B2 (en) | 2013-11-05 |
US20100189153A1 (en) | 2010-07-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101228 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130527 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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