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Stand der Technik
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Die
Erfindung betrifft eine Lasereinrichtung mit mindestens zwei schichtartig übereinander
angeordneten und als Kantenemitter ausgebildeten monolithisch integrierten
und optisch miteinander gekoppelten Halbleiterlasern.
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Eine
derartige Lasereinrichtung ist bereits aus der
DE 10 2006 061 532 A1 bekannt.
Die bekannte Lasereinrichtung hat den Nachteil, dass sie nur für
den Pulsbetrieb, speziell nur für verhältnismäßig
kurze Pulsdauern im Nanosekundenbereich, geeignet ist, weil bereits
bei Pulsdauern im Mikrosekundenbereich eine zu starke Erwärmung
der Lasereinrichtung erfolgt, die zur Ausbildung eines in der Regel nichtkonstanten
Temperaturprofils entlang einer Schichtdickenkoordinate der Lasereinrichtung
führt. Das bedeutet, dass solche Laserschichten, die näher an
einer Wärmesenke angeordnet sind, eine niedrigere Temperatur
aufweisen, als solche Laserschichten, die weiter entfernt angeordnet
sind von der Wärmesenke. Das nichtkonstante Temperaturprofil
führt zu unerwünschten Änderungen in
dem Brechungsindex einzelner Komponenten der Lasereinrichtung. Insbesondere
bei optisch gekoppelten Strukturen sind derartige Variationen des
Brechungsindex über der Schichtdickenkoordinate unerwünscht,
da sie die Effizienz der optischen Kopplung beeinträchtigen.
Infolgedessen ergeben sich insbesondere vergrößerte Abstrahlwinkel
im Fernfeld und höhere intrinsische Verluste.
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Offenbarung der Erfindung
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Demgemäß ist
es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Lasereinrichtung der
eingangs genannten Art dahingehend zu verbessern, dass die mit dem
sich während des Betriebs einstellenden unsymmetrischen
Temperaturprofil einhergehenden Nachteile vermieden werden.
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Diese
Aufgabe wird bei der Lasereinrichtung der eingangs genannten Art
erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass
mindestens ein weiterer Halbleiterlaser vorgesehen ist, der nicht
mit einem benachbarten Halbleiterlaser optisch gekoppelt ist.
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Dies
ergibt den Vorteil, dass auch trotz verhältnismäßig
starker Unsymmetrien eines Temperaturprofils mindestens ein weiterer
Hableiterlaser in der Lasereinrichtung im Sinne einer Leistungssteigerung
bezüglich der optischen Ausgangsleistung vorgesehen werden
kann, der aufgrund der Unsymmetrien jedoch nur unzureichend mit
einem benachbarten Halbleiterlaser gekoppelt werden könnte.
Die erfindungsgemäß vorgesehenen nicht gekoppelten Halbleiterlaser
weisen vorteilhaft eine günstige Intensitätsverteilung
im Fernfeld auf, weil sie nicht der temperaturbedingt suboptimalen
optischen Kopplung unterliegen.
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Durch
die erfindungsgemäße Kombination von mehreren
optisch miteinander gekoppelten und mindestens einem nicht optisch
gekoppelten Halbleiterlaser kann somit eine Lasereinrichtung mit
großer optischer Ausgangsleistung bei gleichzeitig günstiger Intensitätsverteilung
im Fernfeld realisiert werden. Im Gegensatz zu herkömmlichen
Lasereinrichtungen ist dieser Vorteil insbesondere auch dann noch
gegeben, wenn sich eine ungleichmäßige Temperaturverteilung
in der Lasereinrichtung ergibt.
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Dadurch
ist es vorteilhaft möglich, Lasereinrichtungen herzustellen,
die im Gegensatz zu den bekannten Systemen auch bei Pulsdauern der
erzeugten Laserstrahlung im Mikrosekundenbereich oder sogar im Millisekundenbereich
und der damit einhergehenden Eigenerwärmung effizient arbeiten.
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Die
Anordnung der optisch nicht miteinander gekoppelten Halbleiterlaser
in dem Stapelaufbau der Lasereinrichtung wird erfindungsgemäß vorteilhaft
so gewählt, dass sie in Schichtdickenbereichen angeordnet
sind, in denen bei Betrieb verhältnismäßig hohe
Temperaturgradienten über der Schichtdicke auftreten.
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Eine
weitere, besonders einfache Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Lasereinrichtung ist dadurch gekennzeichnet, dass ein Schichtaufbau der
Lasereinrichtung in zwei aneinander angrenzende Schichtdickenbereiche
unterteilt ist, wobei ein erster Schichtdickenbereich Halbleiterlaser
aufweist, die jeweils mit benachbarten Halbleiterlasern desselben Schichtdickenbereichs
optisch gekoppelt sind, und wobei ein zweiter Schichtdickenbereich
Halbleiterlaser aufweist, die nicht mit benachbarten Halbleiterlasern,
insbesondere desselben Schichtdickenbereichs, optisch gekoppelt
sind. Besonders bevorzugt erfolgt die Unterteilung der Schichtdickenbereiche
in Abhängigkeit von einem für einen Betrieb der
Lasereinrichtung erwarteten Temperaturverlauf über der Schichtdickenkoordinate.
Die erfindungsgemäße Einteilung in die unterschiedlichen
Schichtdickenbereiche ermöglicht eine besonders einfache
Fertigung der Lasereinrichtung, bei der die eine optische Kopplung
benachbarter Halbleiterlaser bestimmenden Fertigungsparameter nur
einmal, nämlich in dem Übergangsbereich zwischen
den beiden Schichtdickenbereichen, verändert werden müssen.
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Eine
bezogen auf die Schichtickenkoordinate abwechselnde Vorsehung von
optisch miteinander gekoppelten und nicht optisch miteinander gekoppelten
Halbleiterlasern ist ebenfalls denkbar.
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Bei
einer weiteren sehr vorteilhaften Erfindungsvariante ist vorgesehen,
dass ein erster Brechungsindexverlauf eines ersten Halbleiterlasers über
einer Schichtdickenkoordinate und bezogen auf eine Referenztemperatur
verschieden ist von einem entsprechenden zweiten Brechungsindexverlauf
eines zweiten Halbleiterlasers. Die erfindungsgemäße, hinsichtlich
des Brechungsindexverlaufes unterschiedliche, Auslegung verschiedener
Halbleiterlaser bezogen auf die Referenztemperatur ermöglicht
vorteilhaft eine Kompensation der störenden Effekte eines
unsymmetrischen bzw. nichtkonstanten Temperaturprofils über
die gesamte Lasereinrichtung.
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Besonders
bevorzugt wird unter Anwendung des erfindungsgemäßen
Prinzips der Brechungsindexverlauf unterschiedlicher Halbleiterlaser
der Lasereinrichtung – bezogen auf die Referenztemperatur,
beispielsweise Raumtemperatur – so voneinander verschieden
gewählt, dass sich während eines Betriebs der
Lasereinrichtung und einer sich hierbei einstellenden nichtkonstanten Temperaturverteilung über
der Schichtdickenkoordinate effektiv möglichst geringe
Variationen bzw. Unsymmetrien bezüglich des Brechungsindex
der einzelnen Halbleiterlaser ergeben. D. h., eine temperaturbedingte
Variation des Brechungsindex entlang der Schichtdickenkoordinate
in der Lasereinrichtung kann unter Anwendung des erfindungsgemäßen
Prinzips durch geeignete „Vorhaltung” des Brechungsindex
in ausgewählten Bereichen der Lasereinrichtung zumindest
teilweise und zumindest für einen gewissen Temperaturbereich kompensiert
werden. Auf diese Weise kann ein Betrieb insbesondere der optisch
miteinander gekoppelten Halbleiterlaser optimiert werden.
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Bei
einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Lasereinrichtung ist vorgesehen, dass ein über eine Schichtdicke
eines ersten Halbleiterlasers gemittelter Brechungsindex bezogen auf
die Referenztemperatur von einem über eine Schichtdicke
eines zweiten Halbleiterlasers gemittelten Brechungsindex bezogen
auf die Referenztemperatur verschieden ist. Erfindungsgemäß ist
erkannt worden, dass eine die optische Kopplung benachbarter Halbleiterlaser
beeinträchtigende Deformation der entsprechenden Lasermoden
im Wesentlichen von einem über die Schichtdicke des betreffenden
Halbleiterlasers gemittelten Brechungsindex abhängt und somit
entsprechend beeinflusst werden kann. Dadurch ergibt sich eine vereinfachte
Herstellung der erfindungsgemäßen Lasereinrichtung,
weil vorwiegend auf die Einhaltung eines vorgegebenen gemittelten
Brechungsindex zu achten ist und dementsprechend z. B. schichtintern
lokale Variationen des Brechungsindex in gewissen Grenzen zugelassen
werden können.
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Bei
einer weiteren sehr vorteilhaften Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Lasereinrichtung ist vorgesehen, dass ein über die Schichtdicke
des Halbleiterlasers gemittelter Brechungsindex in Abhängigkeit
der Anordnung des betreffenden Halbleiterlasers innerhalb der Lasereinrichtung,
insbesondere in Abhängigkeit einer räumlichen
Entfernung zu einem Substrat und/oder einer Wärmesenke,
gewählt ist, wodurch eine entsprechend präzise
Kompensation von thermisch bedingten Variationen des Brechungsindex
in unterschiedlichen Halbleiterlasern der Lasereinrichtung erzielt
werden kann.
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Eine
besonders präzise Kompensation ist einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung zufolge ferner dann gegeben, wenn der Brechungsindex
der Lasereinrichtung, insbesondere von die Halbleiterlaser bildenden
Komponenten, sich zumindest abschnittsweise kontinuierlich über
der Schichtdickenkoordinate ändert, um einem sich während
des Betriebs der Lasereinrichtung einstellenden nichtkonstanten
Temperaturprofil Rechnung zu tragen.
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Bei
einer Ausbildung eines Substrats der Lasereinrichtung aus Galliumarsenid
kann beispielsweise durch eine Einstellung eines Aluminiumgehalts entsprechender
Schichten der Lasereinrichtung – beispielsweise im Rahmen
eines Epitaxie-Fertigungsprozesses – der Brechungsindex
der betreffenden Schichten beeinflusst werden. Der Aluminiumgehalt
in den die Lasereinrichtung bildenden Schichten kann vorteilhaft
während der Fertigung so eingestellt werden, dass sich
bei der angestrebten Betriebstemperatur der Lasereinrichtung, die
i. d. R. von den vorgesehenen Pulsdauern und dem Kühlsystem
abhängt, das für den Betrieb, insbesondere die
optische Kopplung, optimale Brechungsindexprofil ergibt. Dies führt
u. a. dazu, dass die erfindungsgemäße Lasereinrichtung
bei der Referenztemperatur, die üblicherweise geringer
ist als die Betriebstemperatur, ein nichtkonstantes Brechungsindexprofil
aufweist, welches mit dem nichtkonstanten Temperaturprofil während
des Betriebs der Lasereinrichtung korrespondiert. D. h., die Lasereinrichtung
wird erfindungsgemäß – z. B. bezogen
auf Raumtemperatur – bewusst unsymmetrisch hinsichtlich
ihres Brechungsindexverlaufs ausgelegt, damit sie bei der von der
Raumtemperatur abweichenden Betriebstemperatur bzw. einem entsprechenden
nichtkonstanten Temperaturprofil den gewünschten, vorzugsweise
symmetrischen bzw. konstanten Brechungsindexverlauf aufweist.
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Eine
besonders einfach realisierbare Erfindungsvariante ist dadurch gekennzeichnet,
dass der Brechungsindex einer Schicht eines ersten Halbleiterlasers
zumindest abschnittsweise um einen vorgebbaren, vorzugsweise konstanten,
Wert von dem Brechungsindex einer korrespondierenden Schicht eines
weiteren Halbleiterlasers abweicht.
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Eine
weitere sehr vorteilhafte Variante der erfindungsgemäßen
Lasereinrichtung sieht vor, dass die Halbleiterlaser eine unterschiedliche
Anzahl von Quantenfilmen aufweisen, wodurch ebenfalls eine Beeinflussung
eines über den jeweiligen Halbleiterlaser gemittelten Brechungsindex
möglich ist.
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Aufgrund
ihrer hohen Effizienz auch bei der Erzeugung von Laserpulsen mit
Pulsdauern im Mikro- oder sogar Millisekundenbereich eignet sich
die erfindungsgemäße Lasereinrichtung ganz besonders zur
Erzeugung von Pumpstrahlung zum optischen Pumpen von weiteren Lasersystemen,
insbesondere von Festkörperlasern mit passiver Güteschaltung.
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Besonders
bevorzugt wird die erfindungsgemäße Lasereinrichtung
dazu eingesetzt, in einem Pulsbetrieb Laserimpulse mit Pulsdauern
von mindestens etwa zwei Mikrosekunden, vorzugsweise mindestens
etwa zehn Mikrosekunden, zu erzeugen.
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Weitere
Merkmale, Anwendungsmöglichkeiten und Vorteile der Erfindung
ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen
der Erfindung, die in den Figuren der Zeichnung dargestellt sind.
Dabei bilden alle beschriebenen oder dargestellten Merkmale für
sich oder in beliebiger Kombination den Gegenstand der Erfindung, unabhängig
von ihrer Zusammenfassung in den Patentansprüchen oder
deren Rückbeziehung sowie unabhängig von ihrer
Formulierung bzw. Darstellung in der Beschreibung bzw. in der Zeichnung.
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In
der Zeichnung zeigt:
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1a einen
Brechungsindexverlauf über einer Schichtdickenkoordinate
einer herkömmlichen Lasereinrichtung;
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1b ein
Temperaturprofil über der Schichtdickenkoordinate der Lasereinrichtung
gemäß 1a bei
einem Pulsbetrieb mit Pulsdauern im Nanosekundenbereich;
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1c eine
Intensitätsverteilung der durch die Lasereinrichtung gemäß
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1a erzeugten
Laserstrahlung im Fernfeld;
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2a einen
Brechungsindexverlauf einer herkömmlichen Lasereinrichtung,
wie er sich bei einem Pulsbetrieb mit Pulsdauern im Mikrosekundenbereich
ergibt;
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2b ein
Temperaturprofil aufgetragen über der Schichtdickenkoordinate
für die Lasereinrichtung gemäß 2a;
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2c eine
Intensitätsverteilung der durch die Lasereinrichtung gemäß 2a erzeugten
Laserstrahlung im Fernfeld;
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3a bis 5a jeweils
einen Brechungsindexverlauf über einer Schichtdickenkoordinate
gemäß der vorliegenden Erfindung;
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3b bis 5b den
Brechungsindexverläufen der 3a bis 5a entsprechende
Temperaturprofile;
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3c bis 5c den
Brechungsindexverläufen in den 3a bis 5a entsprechende
Intensitätsverteilungen im Fernfeld;
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6, 7 einen
Brechungsindexverlauf über der Schichtdickenkoordinate
gemäß weiterer Ausführungsformen; und
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8 eine
schematische Darstellung einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Lasereinrichtung.
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1a zeigt
einen Verlauf eines Brechungsindex n der Komponenten einer herkömmlichen
Lasereinrichtung mit insgesamt drei schichtartig übereinander
angeordneten als Kantenemitter ausgebildeten monolithisch integrierten
Halbleiterlasern 110, 120, 130.
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Der
Brechungsindexverlauf n ist aufgetragen über einer Schichtdickenkoordinate
x, die einer Wachstumsrichtung eines epitaktischen Fertigungsprozesses
entspricht, bei dem einzelne Komponenten 110, 120, 130 der
herkömmlichen Lasereinrichtung nacheinander schichtweise
in an sich bekannter Weise auf ein Substrat aufgewachsen werden.
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Bei
der in 1a veranschaulichten Struktur ist
links des ersten Halbleiterlasers 110 ein vorliegend nicht
abgebildetes Galliumarsenid-Substrat angeordnet, und rechts des
dritten Halbleiterlasers 130 befindet sich eine ebenfalls
nicht abgebildete Wärmesenke.
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Zusätzlich
zu dem Brechungsindexverlauf n zeigt 1a auch
einen entsprechenden Verlauf des Quadrats E2 der
elektrischen Feldstärke in der Lasereinrichtung, der ebenfalls über
der Schichtdickenkoordinate x aufgetragen ist.
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Wie
aus 1a ersichtlich ist, weisen die insgesamt drei
Halbleiterlaser, die den Schichtbereichen 110, 120, 130 entsprechen,
jeweils denselben Brechungsindexverlauf n auf. Dabei umgeben Wellenleiterbereiche 112a, 112b mit
einem Brechungsindex n0 eine nicht näher bezeichnete aktive
Zone, die beispielsweise einen Quantenfilm aufweist und einen größeren
Brechungsindex besitzt als die Wellenleiterbereiche 112a, 112b.
Die weiteren Halbleiterlaser 120, 130 besitzen
einen identischen Aufbau und sind von benachbarten Halbleiterlasern
jeweils getrennt durch Tunneldioden 140, die zwischen Barriereschichten 150 mit
niedrigem Brechungsindex eingebettet sind.
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Ein
sich bei einem Pulsbetrieb der Lasereinrichtung einstellendes Temperaturprofil,
d. h. der Temperaturverlauf in der Lasereinrichtung aufgetragen über
der Schichtdickenkoordinate x, ist in 1b angegeben.
Die Temperatur T ist wie aus 1b ersichtlich über
die gesamte Schichtdicke der Lasereinrichtung konstant, weil vorliegend
nur Pulsdauern im Nanosekundenbereich mit hinreichend langen Pulspausen
verwendet werden, wodurch ein entsprechend geringer Wärmeeintrag
in die Lasereinrichtung erfolgt. Daher weist die gesamte Lasereinrichtung
die Umgebungstemperatur, beispielsweise Raumtemperatur, auf.
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1c zeigt
eine Intensitätsverteilung I aufgetragen über
dem Winkel θ, wie sie sich im Fernfeld der herkömmlichen
Lasereinrichtung ergibt. Etwa 95% der als Laserstrahlung abgestrahlten
Energie liegen in einem Winkelbereich Δθ von 60°,
so dass ein effizienter Betrieb gegeben ist.
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2a zeigt
einen Brechungsindexverlauf n der bereits unter Bezugnahme auf die 1a bis 1c beschriebenen
herkömmlichen Lasereinrichtung, wie er sich bei einem Betrieb
mit Pulsdauern im Mikrosekundenbereich ergibt. Aufgrund der im Vergleich
zu dem Szenario gemäß 1a wesentlich größeren
Pulsdauern ergibt sich eine nicht mehr vernachlässigbare
Erwärmung der herkömmlichen Lasereinrichtung,
was auch aus dem Temperaturprofil T gemäß 2b ersichtlich
ist. Eine maximale Temperatur herrscht etwa im Bereich der Lasereinrichtungen 110, 120,
während in dem Bereich der Lasereinrichtung 130 eine
verhältnismäßig geringe Temperatur herrscht,
was darauf zurückzuführen ist, dass sich die Lasereinrichtung 130 in
räumlicher Nähe zu der bereits erwähnten
Wärmsenke, wie beispielsweise einem Kühlkörper,
befindet.
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Aufgrund
des nunmehr nichtkonstanten Temperaturprofils T gemäß 2b ergibt
sich eine von der Schichtdickenkoordinate x abhängige Veränderung
des Brechungsindex n der verschiedenen Halbleiterlaser 110, 120, 130,
vgl. 2a. D. h. während des Pulsbetriebs mit
Pulsdauern im Mikrosekundenbereich haben die drei Halbleiterlaser 110, 120, 130 keine
identischen Brechungsindexverläufe n mehr, wie dies bei
dem Szenario gemäß 1a mit nur
unwesentlicher Erwärmung der Fall war. Durch die individuellen
Abweichungen des Brechungsindex n der Halbleiterlaser 110, 120, 130 werden
die betreffenden Lasermoden entsprechend deformiert, und es sind
keine optimalen Bedingungen mehr für die optische Kopplung
der Halbleiterlaser 110, 120, 130 gegeben.
Dies ist auch an der unsymmetrischen Verteilung des Quadrats E2 der elektrischen Feldstärke aus 2a abzulesen.
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Dementsprechend
erhöht sich auch der Winkelbereich Δθ (2c),
in dem etwa 95% der abgestrahlten Energie auftreten, nachteilig
auf etwa 81°.
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Erfindungsgemäß ist
daher vorgesehen, dass anstelle von jeweils miteinander optisch
gekoppelten Halbleiterlasern mindestens ein Halbleiterlaser 130 vorgesehen
ist, der nicht mit einem benachbarten Halbleiterlaser 120 optisch
gekoppelt ist.
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8 zeigt
schematisch eine Seitenansicht einer Ausführungsform der
erfindungsgemäßen Lasereinrichtung 100,
bei der drei als Kantenemitter ausgebildete Halbleiterlaser 110, 120, 130 in
einer Stapelanordnung monolithisch integriert übereinander
geschichtet sind. Benachbarte Halbeiterlaser 110, 120 sind
hierbei in an sich bekannter Weise über eine Tunneldiode 140 miteinander
verbunden, um eine elektrische Versorgung der Halbleiterlaser 110, 120, 130 zu
ermöglichen. Entsprechende Elektroden an den Oberflächen
der Lasereinrichtung 100 sind nicht abgebildet.
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Das
nachstehend beschriebene erfindungsgemäße Prinzip
kann generell auf Lasereinrichtungen mit einer beliebigen Anzahl
gestapelter Kantenemitter angewandt werden, ist der Übersichtlichkeit halber
nachfolgend jedoch anhand einer Lasereinrichtung 100 mit
drei gestapelten Halbleiterlasern 110, 120, 130 erläutert.
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Die
ebenfalls in 8 gezeigte Ortskoordinate x
gibt eine Wachstumsrichtung eines epitaktischen Fertigungsprozesses
an, bei dem die einzelnen Komponenten der Lasereinrichtung 100 nacheinander
schichtweise in an sich bekannter Weise auf ein Substrat 102,
beispielsweise ein GaAs-Substrat, aufgewachsen werden.
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Die
Lasereinrichtung 100 weist in an sich bekannter Weise angeordnete
Barriereschichten 150 auf, die die optische Kopplung benachbarter
Halbleiterlaser 110, 120 steuern und gleichzeitig
dafür sorgen, dass das Strahlungsfeld im Bereich der Tunneldiode 140 einen
vorgebbaren Schwellwert nicht überschreitet, um die intrinsischen
Verluste in dem der Tunneldiode 140 zugeordneten Schichtbereich
gering zu halten.
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Die
Halbleiterlaser 110, 120, 130 weisen
die in 8 durch die Doppelpfeile x1, x2, x3 angedeuteten
Schichtdicken auf, und die von ihnen emittierte Laserstrahlung ist
durch den Blockpfeil 200 symbolisiert.
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In
dem in 8 oberen Bereich der Lasereinrichtung 100 ist
eine Wärmesenke 104 angeordnet, die beispielsweise
mit einer Kühlvorrichtung, wie z. B. einem Peltierelement,
verbunden sein kann und der Kühlung der Lasereinrichtung 100 dient.
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Eine
Brechungsindexprofil n der erfindungsgemäßen Lasereinrichtung 100 ist
in 3a abgebildet. Bei dieser Ausführungsform
ist das Brechungsindexprofil n der Lasereinrichtung 100 vorteilhaft
so gewählt, dass eine optische Kopplung zwischen den Halbleiterlasern 110, 120,
nicht aber zwischen den Halbleiterlasern 120, 130 gegeben
ist. Dies wird vorliegend dadurch bewirkt, dass die Barriereschichten 150' zwischen
den nicht optisch gekoppelten Halbleiterlasern 120, 130 eine
größere Schichtdicke, gemessen entlang der Schichtdickenkoordinate
x, aufweisen als die Barriereschichten 150 zwischen den optisch
gekoppelten Halbleiterlasern 110, 120. Alternativ
oder ergänzend zu der gesteigerten Schichtdicke der Barriereschichten 150' kann
für die Ausbildung der Barriereschichten 150' zum
Zwecke der optischen Entkopplung auch ein niedrigerer Brechungsindex
als in den herkömmlich ausgebildeten Barriereschichten 150 verwendet
werden.
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D.
h., die Barriereschicht 150' zur Realisierung der erfindungsgemäßen
optischen Entkopplung kann sich insbesondere hinsichtlich ihrer
Schichtdicke und/oder ihres Brechungsindex von der herkömmlichen
Barriereschicht 150 unterscheiden.
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Infolge
der erfindungsgemäßen gezielten Entkopplung des
Halbleiterlasers 130 kann darin nur eine Lasermode anschwingen,
deren günstige Fernfeldverteilung in 3c abgebildet
ist.
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Durch
die erfindungsgemäße Kombination optisch gekoppelter
Halbleiterlaser 110, 120 mit dem optisch nicht
gekoppelten Halbleiterlaser 130 ist trotz des nichtkonstanten
Temperaturprofils T, vgl. 3b, ein
effizienter Betrieb der Lasereinrichtung 100 möglich,
weil die Problematik von Unsymmetrien des Brechungsindex n hinsichtlich
der optischen Kopplung zwischen den Halbleiterlasern 120, 130 aufgrund
der fehlenden optischen Kopplung nicht auftritt
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Die 4a, 5a zeigen
zwei mögliche Moden, die in dem Bereich der optisch gekoppelten Halbleiterlaser 110, 120 gemäß 3a auftreten können,
vgl. auch das sich jeweils ergebende Fernfeld in den 4c, 5c.
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Durch
die im Vergleich zu der Schichtgrenze 120, 130 geringen,
jedoch nicht verschwindenden, Temperaturdifferenzen im Bereich der
Halbleiterlaser 110, 120 (4b, 5b)
können beide gezeigten Moden anschwingen. Allerdings fallen
die Effizienzverluste durch ein unterschiedlich starkes Lichtfeld
E2 in den Bereichen 110, 120 nicht
so stark aus, wie dies im Bereich größerer Temperaturunterschiede
und damit i. d. R. größerer Brechungsindexunterschiede
gegeben ist. Die beiden Moden haben typischerweise voneinander abweichende
Fernfeldwinkel von etwa 65°, 4c, und
etwa 55°, 5c. Sofern beide Moden mit gleicher
Intensität schwingen, ist ein Fernfeldwinkel von etwa 60° zu
erwarten, was bei der Auslegung der Wellenleiterschichten der Halbleiterlaser 110, 120 zu
berücksichtigen ist.
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Möglich
ist auch, die Struktur so auszulegen, dass nur die in 5a abgebildete
Mode hinreichend kleine intrinsische Verluste hat und somit nur
diese Mode anschwingt. Dazu ist beispielsweise eine gesteigerte
optische Kopplung oder eine dickere Tunneldiodenschicht 140 vorzusehen.
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Eine
weitere vorteilhafte Erfindungsvariante sieht vor, dass ein erster
Brechungsindexverlauf eines ersten Halbleiterlasers 110 über
der Schichtdickenkoordinate x und bezogen auf eine Referenztemperatur
verschieden ist von einem entsprechenden zweiten Brechungsindexverlauf
eines zweiten Halbleiterlasers 120. Durch diese erfindungsgemäße Variation
des Brechungsindexverlaufs zwischen unterschiedlichen Halbleiterlasern 110, 120 der
Lasereinrichtung ist vorteilhaft eine weitgehende Kompensation des
vorstehend beschriebenen, von herkömmlichen Lasereinrichtungen
bekannten, Effekts der Beeinflussung des Brechungsindexverlaufs
aufgrund des Temperaturprofils möglich.
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6 zeigt
einen Brechungsindexverlauf n der optisch miteinander gekoppelten
Halbleiterlaser 110, 120 einer entsprechenden
Ausführungsform der Lasereinrichtung 100, wie
er sich unter Einfluss von Temperatureffekten während eines
Pulsbetriebs mit Pulsdauern im Mikrosekundenbereich ergibt. Der
erfindungsgemäß entkoppelte weitere Halbleiterlaser 130 (3a)
ist in 6 der Übersichtlichkeit halber nicht
abgebildet.
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Neben
dem Verlauf des Brechungsindex n der Lasereinrichtung 100 über
der Schichtdickenkoordinate x des Epitaxie-Fertigungsprozesses ist
in 6 auch die Lichtverteilung über der Schichtdickenkoordinate
x in Form des Quadrats E2 der elektrischen
Feldstärke in der Lasereinrichtung 100 angegeben.
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Jeder
Halbleiterlaser 110, 120 weist eine aktive Zone 111, 121 mit
einem Quantenfilm oder dergleichen auf. Die aktive Zone 111, 121 ist
jeweils von einem Wellenleiter 112a, 112b bzw.
im Falle des weiteren Halbleiterlasers 120 von Wellenleitern 122a, 122b umgeben.
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Außenseitig
des Wellenleiterbereichs 112a ist eine Mantelschicht 101 angeordnet,
deren Brechungsindex kleiner ist als der Brechungsindex des Wellenleiterbereichs 112a.
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Mittig
zu den Halbleiterlasern 110, 120 ist eine Tunneldiode 140 angeordnet,
die zwischen den bereits unter Bezugnahme auf 8 beschriebenen Barriereschichten 150 liegt.
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Die
Barriereschichten 150 beeinflussen die Lichtverteilung
E2 in der Lasereinrichtung 100 vorteilhaft
so, dass eine optische Kopplung zwischen der in dem ersten Wellenleiter 112a, 112b geführten
Strahlung mit der in dem zweiten Wellenleiter 122a, 122b geführten
Strahlung möglich ist. Gleichzeitig verhindern die Barriereschichten 150 vorteilhaft
eine allzu starke Ausdehnung des Lichtfelds in die zwischen den
Halbleiterlasern 110, 120, 130 liegenden
Bereiche, so dass u. a. die Absorption durch die Tunneldioden 140 gering
ist.
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Erfindungsgemäß ist
der Brechungsindexverlauf n der Halbleiterlaser 110, 120 – bezogen
auf eine Referenztemperatur – unterschiedlich voneinander
gewählt.
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Dadurch
wird vorteilhaft dem nichtkonstanten Temperaturprofil T (3b)
Rechnung getragen, das sich während des Betriebs der Lasereinrichtung 100 in
einem Pulsbetrieb mit Pulsdauern im Mikrosekundenbereich ergibt.
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Durch
die erfindungsgemäße Auswahl des Brechungsindexverlaufs
n werden vorteilhaft Temperatureinflüsse auf den Brechungsindexverlauf
derart kompensiert, dass ein jeweils über die Schichtdicken x1,
x2 (8) der Halbleiterlaser 110, 120 gemittelter Brechungsindex – unter
Berücksichtigung des Temperatureinflusses – einen
gewünschten Wert annimmt.
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Die
erfindungsgemäße Modifikation des Brechungsindexverlaufs
der Halbleiterlaser 110, 120 erfolgt wie aus 6 ersichtlich
bei der vorliegenden Ausführungsform durch die Vorsehung
besonderer Bereiche 112a', 112b', 122a', 122b',
deren Brechungsindex etwas geringer gewählt ist als der
Brechungsindex der sie umgebenden weiteren Wellenleiterbereiche 112a, 112b, 122a, 122b.
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Hierdurch
wird der in dem Bereich des Halbleiterlasers 120 bei Betrieb
verstärkten Erwärmung, vgl. das Temperaturprofil
T aus 3b, derart entgegengewirkt,
dass sich für den Halbleiterlaser 120 unter Einwirkung
der höheren Temperatur ein gemittelter Brechungsindex ergibt,
der in etwa dem gemittelten Brechungsindex des nicht in demselben
Maße temperaturbeaufschlagten Halbleiterlasers 110 entspricht.
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Dadurch
kann vorteilhaft die optische Kopplung zwischen den Halbleiterlasern 110, 120 verbessert
werden, so dass zusätzlich zu der erfindungsgemäßen
Vorsehung nicht optisch gekoppelter Halbleiterlaser 130 auch
in dem Bereich der optisch gekoppelten Halbleiterlaser 110, 120 eine
verbesserte Fernfeldcharakteristik erzielbar ist.
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Obwohl
durch die erfindungsgemäße Konfiguration der Halbleiterlaser 110, 120 mit
nichtkonstantem Brechungsindexverlauf n vorliegend eine Fernfeldverteilung
mit zwei Hauptmaxima erhalten wird, liegen etwa 95% der betrachteten
Strahlungsleistung in einem vorgegebenen Winkelbereich Δθ = 60°,
so dass die erfindungsgemäße Lasereinrichtung 100 besonders
bevorzugt im Bereich von high-power-Laseranwendungen zum Einsatz
kommt, die nicht unbedingt ein einzelnes Hauptmaximum erfordern,
sondern vielmehr allein eine hohe Konzentration der Strahlungsleistung
in dem vorgegebenen Winkelbereich Δθ. Daher eignet
sich die erfindungsgemäße Lasereinrichtung 100 insbesondere
zur Anwendung in laserbasierten Zündsystemen für
Brennkraftmaschinen, speziell als Pumplichtquelle zum optischen
Pumpen von weiteren Lasereinrichtungen wie z. B. passiv gütegeschalteten
Festkörperlasern, die in Laserzündkerzen angeordnet
sind.
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Die
erfindungsgemäße Lasereinrichtung 100 ist
bevorzugt in Form eines AlGaAs-Systems realisiert, wobei die aktiven
Zonen 111, 121, 131 GaAsP und/oder InAlGaAs
aufweisen.
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7 zeigt
einen Brechungsindexverlauf n der optisch miteinander gekoppelten
Halbleiterlaser 110, 120 einer weiteren Ausführungsform
der Lasereinrichtung 100, bei dem die erfindungsgemäße
Modifikation des über die jeweiligen Halbleiterlaser 110, 120 gemittelten
Brechungsindex dadurch erfolgt, dass die aktiven Zonen 111, 121 jeweils über
unterschiedliche viele Quantenfilme verfügen. Da die Einführung
des weiteren Quantenfilms in der aktiven Zone 111 zu einer
starken Erhöhung des mittleren Brechungsindex des Halbleiterlasers 110 führt,
ist es vorteilhaft, gleichzeitig den Brechungsindex in dem umgebenden
Wellenleiter 112a, 112b zu reduzieren. Die hierfür
beispielsweise erforderliche Erhöhung des Aluminiumgehalts
des die Wellenleiter 112a, 112b bildenden Materials
liegt im einstelligen Prozentbereich und kann im Rahmen herkömmlicher epitaktischer
Fertigungsprozesse gut eingestellt werden.
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Es
ist ferner vorteilhaft, den Brechungsindex der die Tunneldioden 140 umgebenden
Barriere- bzw. Mantelschichten 150 zu erhöhen.
Auch die Lage der Quantenfilme relativ zu den sie umgebenden Wellenleitern 112a, 112b kann
erfindungsgemäß modifiziert werden, um temperaturbedingte
Verzerrungen des Brechungsindexprofils n für einen vorgebbaren
Betriebstemperaturbereich zu kompensieren.
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Die
vorstehend beschriebenen Maßnahmen ermöglichen
eine weitgehende Kompensation der unsymmetrischen temperaturbedingten
Beeinflussung des Brechungsindexprofils n über die optisch miteinander
gekoppelten Halbleiterlaser 110, 120, was zu einer
im wesentlichen symmetrischen Lichtfeldverteilung E2 darin
bei Betriebstemperatur und damit zu dem bereits beschriebenen günstigen
Fernfeld führt.
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Der
erfindungsgemäß optisch nicht gekoppelte Halbleiterlaser 130 kann
einen zu den Halbleiterlasern 110, 120 vergleichbaren
oder auch einen abweichenden Brechzahlverlauf aufweisen.
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Weitere
Maßnahmen zur erfindungsgemäßen Beeinflussung
des Brechungsindexverlaufs n im Sinne einer Kompensation von Temperatureffekten können
umfassen: Vorsehung unterschiedlicher Schichtdicken für
die Wellenleiterbereiche 112a, 112b, 122a, 122b, 132a, 132b,
die Barriereschichten 150, 150' sowie die Zugabe
weiterer Komponenten wie z. B. Phosphor bei der Fertigung der Lasereinrichtung 100,
um das Brechungsindexprofil n zu verändern.
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Die
vorstehenden erfindungsgemäßen Maßnahmen
lassen sich auch miteinander kombinieren und sind generell auch
auf Lasereinrichtungen mit mehr als drei Halbleiterlasern 110, 120, 130 anwendbar.
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Eine
bezogen auf die Schichtickenkoordinate x abwechselnde Vorsehung
von optisch miteinander gekoppelten Halbleiterlasern 110, 120 und
nicht optisch miteinander gekoppelten Halbleiterlasern 130 ist
ebenfalls denkbar.
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Neben
einer kontinuierlichen Veränderung des Brechungsindex n über
der Schichtdickenkoordinate x, die eine sehr präzise Einstellung
des Aluminium- oder sonstigen den Brechungsindex n beeinflussenden
Fremdstoffgehalts, erfordert, kann z. B. ein bestimmter Abschnitt 112a' (6)
einer Wellenleiterschicht 112a mit einem veränderten
Brechungsindex ausgebildet werden, um den erfindungsgemäßen
Effekt zu erzielen.
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Eine
weitere, besonders einfache Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Lasereinrichtung 100 ist dadurch gekennzeichnet, dass ein Schichtaufbau
der Lasereinrichtung 100 in zwei aneinander angrenzende
Schichtdickenbereiche B1, B2 (8) unterteilt
ist, wobei ein erster Schichtdickenbereich B1 Halbleiterlaser 110, 120 aufweist,
die jeweils mit benachbarten Halbleiterlasern desselben Schichtdickenbereichs
optisch gekoppelt sind, und wobei ein zweiter Schichtdickenbereich
B2 Halbleiterlaser 130 aufweist, die nicht mit benachbarten Halbleiterlasern,
insbesondere desselben Schichtdickenbereichs, optisch gekoppelt
sind. Besonders bevorzugt erfolgt die Unterteilung der Schichtdickenbereiche
in Abhängigkeit von einem für einen Betrieb der
Lasereinrichtung 100 erwarteten Temperaturverlauf T über
der Schichtdickenkoordinate x. Die erfindungsgemäße
Einteilung in die unterschiedlichen Schichtdickenbereiche B1, B2
ermöglicht eine besonders einfache Fertigung der Lasereinrichtung 100,
bei der die eine optische Kopplung benachbarter Halbleiterlaser 110, 120 bestimmenden
Fertigungsparameter nur einmal, nämlich in dem Übergangsbereich
zwischen den beiden Schichtdickenbereichen B1, B2, verändert
werden müssen.
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Optisch
von ihren Nachbarn entkoppelte Halbleiterlaser 130 werden
bevorzugt in solchen Bereichen der Lasereinrichtung 100 vorgesehen,
in denen bei Betrieb große Temperaturänderungen über der
Schichtdickenkoordinate x vorhanden sind.
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Aufgrund
ihrer hohen Effizienz auch bei der Erzeugung von Laserpulsen mit
Pulsdauern im Mikro- oder sogar Millisekundenbereich eignet sich
die erfindungsgemäße Lasereinrichtung 100 ganz
besonders zur Erzeugung von Pumpstrahlung 200 zum optischen
Pumpen von weiteren Lasersystemen, insbesondere von Festkörperlasern
mit passiver Güteschaltung.
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Besonders
bevorzugt wird die erfindungsgemäße Lasereinrichtung 100 dazu
eingesetzt, in einem Pulsbetrieb Laserimpulse mit Pulsdauern von mindestens
etwa zwei Mikrosekunden, vorzugsweise mindestens etwa zehn Mikrosekunden,
zu erzeugen, insbesondere um Festkörperlaser von Laserzündkerzen
optisch zu pumpen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - DE 102006061532
A1 [0002]