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Die
Erfindung betrifft einen kantenemittierenden Halbleiterlaser mit
mehreren monolithisch integrierten Laserdioden gemäß dem Oberbegriff
des Patentanspruchs 1.
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Zum
Erreichen hoher optischer Ausgangsleistungen bei kantenemittierenden
Halbleiterlasern ist es bekannt, mehrere Laserdioden in einem Schichtstapel
monolithisch zu integrieren. Beispielsweise ist aus der Druckschrift
US 5,212,706 ein kantenmittierender
Halbleiterlaser bekannt, bei dem mehrere Laserdioden monolithisch übereinander
abgeschieden sind und die Laserdioden mittels Tunnelübergängen miteinander
verbunden sind.
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Die
vergleichsweise große
Dicke des Schichtstapels eines derartigen kantenemittierenden Halbleiterasers
mit mehreren monolithisch integrierten Laserdioden wirkt sich nachteilig
auf die Wärmeleitung
aus. Die Wärmeabfuhr
der von den Laserdioden erzeugten Wärme ist daher im Vergleich
zu einem einfachen Halbleiterlaser erschwert.
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Weiterhin
kann das Problem bestehen, dass die aktiven Zonen der übereinander
angeordneten Laserdioden beim Betrieb des kantenemittierenden Halbleiterlasers
zumindest geringfügig
unterschiedliche Temperaturen aufweisen. Dies kann zu unerwünschten
Differenzen der Emissionswellenlängen der
einzelnen Laserdioden führen.
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Da
bei einem kantenmittierenden Halbleiterlaser mit mehreren monolithisch
integrierten Laserdioden ein vergleichsweise dicker Schichtstapel
abgeschieden wird, ist die Herstellung vergleichsweise aufwändig.
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Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen kantenemittierenden
Halbleiterlaser mit mehreren monolithisch integrierten Laserdioden
anzugeben, der sich insbesondere durch eine verbesserte Wärmeabfuhr
der von den einzelnen Laserdioden erzeugten Wärme, einen verringerten Temperaturunterschied
der aktiven Zonen der Laserdioden und einen vergleichsweise geringen
Herstellungsaufwand auszeichnet.
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Diese
Aufgabe wird durch einen kantenemittierenden Halbleiterlaser mit
den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
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Bei
einem kantenemittierenden Halbleiterlaser, der mehrere monolithisch
integrierte Laserdioden enthält,
wobei jede Laserdiode eine aktive Zone enthält, sind die aktiven Zonen
jeweils zwischen Wellenleiterschichten angeordnet, wobei die Wellenleiterschichten
an einer von der aktiven Zone abgewandten Seite jeweils an eine
Mantelschicht angrenzen. Die Mantelschichten umfassen innere Mantelschichten,
die oberhalb einer untersten aktiven Zone und unterhalb einer obersten
aktiven Zone angeordnet sind, und äußere Mantelschichten, die unterhalb der
untersten aktiven Zone oder oberhalb der obersten aktiven Zone angeordnet
sind. Die inneren Mantelschichten weisen eine geringere Dicke auf
als die äußeren Mantelschichten.
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Bei
dem kantenemittierenden Halbleiterlaser sind also die aktiven Schichten
jeweils in Wellenleiterschichten eingebettet, wodurch die von den
aktiven Zonen der Laserdioden emittierte Laserstrahlung in lateraler
Richtung geführt
wird. Der Wellenleiter entsteht durch einen Brechungsindexsprung
zwischen den Wellenleiterschichten und den angrenzenden Mantelschichten,
wobei die Mantelschichten typischerweise einen geringeren Brechungsindex
als die Wellenleiterschichten aufweisen. Aufgrund der endlichen
Brechungsindexdifferenz dringt das Strahlungsfeld des Halbleiterlasers
aber zumindest teilweise in die Mantelschichten ein. Zur Verminderung
von Absorptionsverlusten in den an die Mantelschichten angrenzenden
Schichten, beispielsweise einem Aufwachsubstrat oder Kontaktschichten,
sind die Mantelschichten bei herkömmlichen Halbleiterlasern vergleichsweise
dicke Schichten mit einer Dicke von typischerweise etwa 1 μm bis 2 μm.
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Dadurch,
dass bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterlaser
die zwischen der untersten aktiven Zone und der obersten aktiven
Zone angeordneten inneren Mantelschichten eine geringere Dicke aufweisen
als die äußeren Mantelschichten,
die beispielsweise zwischen einem Substrat und der untersten aktiven
Zone und zwischen der obersten aktiven Zone und einer zur elektrischen
Kontaktierung vorgesehenen Kontaktschicht angeordnet sind, vermindert sich
die Dicke des Schichtstapels aus den mehreren Laserdioden. Aufgrund
der verringerten Schichtdicken der inneren Mantelschichten wird
auch der thermische Widerstand dieser Schichten kleiner, wodurch
eine effizientere Kühlung
des kantenemittierenden Halbleiterlasers ermöglicht wird. Weiterhin weisen
die inneren Mantelschichten aufgrund der verringerten Schichtdicken
auch einen kleineren elektrischen Widerstand auf, wodurch ebenfalls
die Erwärmung
des kantenemittierenden Halbleiterlasers im Betrieb reduziert wird.
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Weiterhin
wird die zur Abscheidung des Schichtstapels erforderliche Abscheidezeit
aufgrund der verringerten Schichtdicken der inneren Mantelschichten
verkürzt,
wodurch der Zeit- und Materialbedarf vermindert werden und somit
die Herstellungskosten reduziert werden.
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Aufgrund
des verminderten thermischen Widerstands der inneren Mantelschichten
sind die Temperaturunterschiede zwischen den mehreren aktiven Zonen
geringer, als wenn die inneren Mantelschichten mit der gleichen
Dicke wie die äußeren Mantelschichten
abgeschieden würden.
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Weiterhin
werden durch die verringerten Schichtdicken der inneren Mantelschichten
auch innerhalb des Schichtstapels auftretende Verspannungen vermindert.
Die durch die verringerten Schichtdicken der inneren Mantelschichten
geringeren auftretenden Verspannungen ermöglichen vorteilhaft die monolithische
Integration einer größeren Anzahl
von Laserdioden als bei herkömmlichen
kantenemittierenden Halbleiterlasern mit mehreren monolithisch integrierten
Laserdioden. Insbesondere kann der kantenemittierende Halbleiterlaser
vier oder mehr Laserdioden, besonders bevorzugt sogar fünf oder mehr
Laserdioden aufweisen.
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Weiterhin
wird durch die vergleichsweise geringe Dicke der inneren Mantelschichten
die Stromaufweitung innerhalb des Schichtstapels vermindert, d.h.
der Stromfluss durch den Schichtstapel erfolgt im Wesentlichen durch
einen Bereich des Schichtstapels, der mit einer vorzugsweise strukturierten Kontaktschicht
versehen ist. Beispielsweise kann der Stromfluss mittels eines streifenförmig strukturierten Kontakts
auf einen streifenförmigen
Bereich des Schichtstapels eingrenzt werden. Die Laserschwelle wird
dadurch vorteilhaft reduziert.
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Bei
einer vorteilhaften Ausführungsform
der Erfindung sind die inneren Mantelschichten um mindestens einen
Faktor 2 dünner
als die äußeren Mantelschichten.
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Bevorzugt
sind die inneren Mantelschichten um mindestens einen Faktor 5, besonders
bevorzugt sogar um einen Faktor 10 dünner als die äußeren Mantelschichten.
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Die
inneren Mantelschichten weisen bevorzugt jeweils eine Dicke von
300 nm oder weniger auf. Besonders bevorzugt beträgt die Dicke
der inneren Mantelschichten sogar 100 nm oder weniger. Die Dicke
der inneren Mantelschichten ist also vorteilhaft wesentlich geringer
als die Dicke der Mantelschichten bei herkömmlichen kantenemittierenden
Halbleiterlasern, die etwa 1 μm
bis 2 μm
beträgt.
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Die äußeren Mantelschichten
weisen jeweils eine Dicke von 500 nm oder mehr, oder bevorzugt von
1 μm oder
mehr auf. Durch die vergleichsweise dicken äußeren Mantelschichten wird
eine Absorption der emittierten Laserstrahlung in einem Substrat, das
beispielsweise zum Aufwachsen des Schichtstapels verwendet wird,
und in einer Kontaktschicht, die zum Beispiel an einer dem Substrat
gegenüber
liegenden Oberfläche
des Schichtstapels zur elektrischen Kontaktierung des kantenemittierenden
Halbleiterlasers aufgebracht ist, vermindert.
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Der
kantenemittierende Halbleiterlaser kann beispielsweise zwei oder
drei Laserdioden aufweisen. Insbesondere ist es aber auch möglich, dass
der kantenemittierende Halbleiterlaser vier oder mehr, bevorzugt
sogar fünf
oder mehr Laserdioden aufweist. Die Anordnung einer Vielzahl von
monolithisch integrierten Laserdioden in dem Schichtstapel des kantenemittierenden
Halbleiterlasers wird durch die verringerte Dicke der inneren Mantelschichten
erleichtert, da durch die geringeren Dicken Schichtspannungen vermindert
sind, die bei einer Vielzahl von monolithisch integrierten Laserdioden
zu einer Beeinträchtigung
der Schichtqualität
oder sogar zur Zerstörung
des Schichtstapels führen
könnten.
Außerdem
werden Abweichungen der Emissionswellenlängen der einzelnen Laserdioden,
die in dem Schichtstapel durch geringfügig verschiedene Temperaturen
der einzelnen aktiven Zonen auftreten könnten, durch die vergleichsweise
dünnen
inneren Mantelschichten vermindert.
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Die
aktiven Zonen der mehreren Laserdioden weisen bevorzugt eine Quantentopfstruktur,
insbesondere eine Einfach-Quantentopfstruktur,
auf. Weiterhin kann die Quantentopfstruktur auch eine Mehrfach-Quantentopfstruktur
sein. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst im Rahmen der Anmeldung
jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss ("confinement") eine Quantisierung ihrer
Energiezustände
erfahren. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantentopfstruktur
keine Angabe über
die Dimensionalität
der Quantisierung. Sie umfasst somit u.a. Quantentröge, Quantendrähte und
Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
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Bei
einer bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung unterscheiden sich die Einfach- oder Mehrfach- Quantentopfstrukturen
der mehreren aktiven Zonen in ihren Schichtdicken und/oder ihren
Materialzusammensetzungen voneinander. Auf diese Weise kann zum
Beispiel ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem breitbandigen
Emissionsspektrum realisiert werden.
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Bei
einer besonders bevorzugten Ausführungsform
unterscheiden sich die Einfach- oder Mehrfach-Quantentopfstrukturen
der mehreren aktiven Zonen in ihren Schichtdicken und/oder ihren
Materialzusammensetzungen derart voneinander, dass eine durch Temperaturunterschiede
der mehreren aktiven Zonen bedingte Differenz zwischen den Wellenlängen der
von den mehreren aktiven Zonen emittierten Strahlung verringert
oder sogar ganz kompensiert wird. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn
ein Laserstrahl mit sehr geringer spektraler Breite erwünscht ist,
und trotz der bereits aufgrund der verringerten Dicke der inneren
Mantelschichten reduzierten Temperaturunterschiede zwischen den verschiedenen
aktiven Zonen noch geringfügige
temperaturbedingte Abweichungen zwischen den Emissionswellenlängen der
aktiven Zonen bestehen würden.
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Bei
einer bevorzugten Ausführungsform
sind die Laserdioden durch Tunnelübergänge miteinander verbunden.
Das Modenspektrum und damit die Intensitätsverteilung in Abhängigkeit
von dem Abstrahlwinkel wird durch die Tunnelübergänge, welche für die emittierte
Strahlung absorbierend wirken, beeinflusst. Aufgrund der im Vergleich
zu herkömmlichen Halbleiterlasern
verringerten Schichtdicke der inneren Mantelschichten kann nicht
ausgeschlossen werden, dass die Strahlqualität des kantenemittierenden Halbleiterlasers
durch eine Kopplung der Strahlung der mehreren aktiven Zonen beeinflusst
wird.
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Es
hat sich aber herausgestellt, dass die trotz der verringerten Schichtdicke
der inneren Mantelschichten erzielbare Strahlqualität für viele
Anwendungen eines kantenemittierenden Halbleiterlasers ausreichend
ist. Dies gilt insbesondere für
Anwendungen, bei denen eine vergleichsweise hohe integrale Strahlungsintensität erwünscht ist,
und das Strahlprofil nur eine untergeordnete Bedeutung hat. Ein
erfindungsgemäßer Halbleiterlaser
kann beispielsweise zum optischen Pumpen von Fasern eingesetzt werden.
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Um
eine durch die verringerten Dicken der Mantelschichten bedingte
Absorption von Laserstrahlung in den Tunnelübergängen zu vermindern, ist es
vorteilhaft, wenn die Tunnelübergänge mit
einer geringen Schichtdicke ausgeführt werden. Vorteilhaft weisen
die Tunnelübergänge eine
Schichtdicke von 40 nm oder weniger auf. Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn
die inneren Mantelschichten jeweils eine Dicke von mindestens 10
nm aufweisen. Bei einer noch weiteren Verminderung der Dicke der
inneren Mantelschichten würde
ansonsten eine erhebliche Absorption der von den aktiven Zonen emittierten
Laserstrahlung in den Tunnelübergängen stattfinden.
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Bei
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
sind die Wellenleiterschichten unterschiedlich dick und/oder unterscheiden
sich in ihren Materialzusammensetzungen. Auf diese Weise kann das
Modenspektrum des Halbleiterlasers beeinflusst werden. Insbesondere
kann durch eine geeignete Einstellung der Schichtdicken der Wellenleiterschichten
erreicht werden, dass die Laserstrahlung in einer gewünschten
Lasermode emittiert wird. Die Auswahl geeigneter Schichtdicken und/oder
Materialzusammensetzungen für
die Wellenleiterschichten und/oder die Mantelschichten erfolgt vorzugsweise anhand
von Simulationsrechnungen. Insbesondere kann durch eine geeignete
Auswahl der Schichtdicken und/oder der Materialzusammensetzungen
der Fernfeldwinkel, also der Winkel, unter dem die Laserstrahlung
im Fernfeld emittiert wird, verringert werden.
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Die
Erfindung wird im Folgenden anhand von zwei Ausführungsbeispielen im Zusammenhang
mit den 1 und 2 näher erläutert.
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Es
zeigen:
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1 eine
schematische grafische Darstellung eines Querschnitts durch einen
kantenemittierenden Halbleiterlaser gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung, und
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2 eine
grafische Darstellung des Strahlprofils eines kantenemittierenden
Halbleiterlasers gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung im Vergleich zu einem herkömmlichen kantenemittierenden
Halbleiterlaser.
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Das
in 1 dargestellte Ausführungsbeispiel eines kantenemittierenden
Halbleiterlasers gemäß der Erfindung
enthält
drei monolithisch integrierte Laserdioden 1, 2, 3.
Die Laserdioden 1, 2, 3 sind in einem
gemeinsamen Schichtstapel 5 enthalten, der beispielsweise
auf einem Substrat 9 aufgewachsen ist.
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Die
monolithisch integrierten Laserdioden 1, 2, 3 sind
durch Tunnelübergänge 4 miteinander
verbunden. Bei dem Ausführungsbeispiel
ist zwischen der untersten Laserdiode 1 und der nachfolgenden Laserdiode 2 ein
Tunnelübergang 4 enthalten.
Ein weiterer Tunnelübergang 4 ist
zwischen der Laserdiode 2 und der obersten Laserdiode 3 enthalten.
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Jede
der monolithisch integrierten Laserdioden enthält eine aktive Zone 11, 12, 13,
die insbesondere aus einer Quantentopfstruktur gebildet sein kann.
Die aktiven Zonen 11, 12, 13 sind jeweils
zwischen zwei Wellenleiterschichten 6 angeordnet, die jeweils
an die aktiven Zonen 11, 12, 13 angrenzen.
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In
jeder der monolithisch integrierten Laserdioden 1, 2, 3 grenzen
die Wellenleiterschichten 6, die die aktiven Zonen 11, 12, 13 umgeben,
jeweils an Mantelschichten 7, 8 an. Beispielsweise
enthält
die unterste Laserdiode 1 eine erste Mantelschicht 8, eine
auf der ersten Mantelschicht 8 angeordnete erste Wellenleiterschicht 6,
eine auf der ersten Wellenleiterschicht 6 angeordnete aktive
Zone 11, eine auf der aktiven Zone 11 angeordnete
zweite Wellenleiterschicht 6, und eine auf der zweiten
Wellenleiterschicht 6 angeordnete zweite Mantelschicht 7.
An die zweite Mantelschicht 7 der Laserdiode 1 schließt sich ein
Tunnelübergang 4 an,
auf dem die entsprechenden Schichten der zweiten Laserdiode 2 angeordnet sind.
Auf die Laserdiode 2 folgt die dritte Laserdiode 3,
wobei zwischen der Laserdiode 2 und der Laserdiode 3 ein
weiterer Tunnelübergang 4 angeordnet
ist.
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Bei
dem erfindungsgemäßen kantenemittierenden
Halbleiterlaser weisen die inneren Mantelschichten 7 eine
geringere Dicke auf als die äußeren Mantelschichten 8.
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Unter
den inneren Mantelschichten werden dabei diejenigen der innerhalb
des Schichtstapels 5 enthaltenen Mantelschichten 7 verstanden,
die oberhalb der aktiven Schicht 11 der untersten Laserdiode 1 und
unterhalb der aktiven Schicht 13 der obersten Laserdiode 3 angeordnet
sind.
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Die äußeren Mantelschichten 8 sind
erstens die Mantelschicht 8, die unterhalb der aktiven
Zone 11 der untersten Laserdiode 1 angeordnet
ist, und zweitens die Mantelschicht 8, die oberhalb der
aktiven Zone 13 der obersten Laserdiode 3 angeordnet ist.
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Die äußeren Mantelschichten 8 weisen
vorzugsweise eine Dicke zwischen einschließlich 500 nm und einschließlich 2 μm auf. Beispielsweise
können
die beiden äußeren Mantelschichten 8 jeweils etwa
1300 nm dick sein.
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Die
inneren Mantelschichten 7 weisen bevorzugt eine Dicke von
300 nm oder weniger auf, besonders bevorzugt von 100 nm oder weniger.
Beispielsweise können
die inneren Mantelschichten 7 jeweils eine Dicke von 50
nm aufweisen.
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Die
vergleichsweise geringen Schichtdicken der inneren Mantelschichten 7,
die insbesondere um ein Vielfaches dünner sind als die äußeren Mantelschichten 8,
haben den Vorteil, dass der thermische Widerstand des Schichtstapels 5 verringert
wird. Die von dem kantenemittierenden Halbleiterlaser erzeugte Wärme kann
daher effizient über
das Substrat 9 abgeführt
werden. Beispielsweise kann der kantenemittierende Halbleiterlaser
an einer Unterseite des Substrats 9 auf eine Wärmesenke
montiert sein.
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Weiterhin
werden durch die vergleichsweise dünnen inneren Mantelschichten 7 in
dem Schichtstapel 5 auftretende Verspannungen vermindert.
Beispielsweise ist eine Gesamtdicke des Schichtstapels 5 mit
den vier darin enthaltenen inneren Mantelschichten 7, die
jeweils eine Dicke von nur 50 nm aufweisen, um 5 μm dünner als
ein entsprechender Schichtstapel, bei dem die inneren Mantelschichten 7 mit
der gleichen Schichtdicke wie die äußeren Mantelschichten 8,
die zum Beispiel 1300 nm beträgt, ausgeführt wären.
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Weiterhin
haben die dünnen
inneren Mantelschichten 7 den Vorteil, dass die aktiven
Zonen 11, 12, 13 der Laserdioden 1, 2, 3 einen
vergleichsweise geringen Abstand aufweisen. Dadurch werden Temperaturunterschiede
der aktiven Zonen 11, 12, 13, die zu
Differenzen in den Emissionswellenlängen führen könnten, vorteilhaft vermindert.
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Aufgrund
der zuvor genannten Vorteile der dünneren inneren Wellenleiterschichten 7 kann
der Schichtstapel 5 auch eine größere Anzahl Laserdioden als
drei aufweisen. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn eine
hohe Strahlungsleistung erwünscht
ist.
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Aufgrund
der vergleichsweise dünnen
inneren Mantelschichten 7 ist es möglich, dass ein Teil der in
den aktiven Zonen 11, 12, 13 emittierten
Strahlung in die Bereiche der Tunnelübergänge 4 eindringt. Um
dadurch auftretende Absorptionsverluste gering zu halten, sind die
inneren Mantelschichten 7 vorzugsweise nicht dünner als
10 nm. Weiterhin ist es zur Vermeidung von Absorptionsverlusten
in den Tunnelübergängen 4 vorteilhaft,
auch die Tunnelübergänge vergleichsweise
dünn auszuführen. Insbesondere
kann die Dicke der Tunnelübergänge 40 nm oder
weniger betragen.
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Die
aktiven Zonen 11, 12, 13 der Laserdioden 1, 2, 3 sind
vorteilhaft als Einfach- oder Mehrfach-Quantentopfstruktur ausgeführt. Derartige Quantentopfstrukturen
enthalten zum Beispiel eine Vielzahl von alternierenden Schichten,
deren Materialzusammensetzung und Schichtdicken in Abhängigkeit
von der erwünschten
Emissionswellenlänge
des Halbleiterlasers ausgewählt
werden.
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Bei
einer Ausführungsform
der Erfindung unterscheiden sich die Quantentopfstrukturen in ihren Schichtdicken
und/oder ihrer Materialzusammensetzung voneinander. Auf diese Weise
kann zum Beispiel erreicht werden, dass die mehreren monolithisch
integrierten Laserdioden 1, 2, 3 verschiedene Emissionswellenlängen aufweisen.
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Alternativ
ist es auch möglich,
dass sich die Quantentopfstrukturen in ihren Schichtdicken und/oder
ihren Materialzusammensetzungen derart voneinander unterscheiden,
dass aufgrund verschiedener Temperaturen der aktiven Zonen 11, 12, 13 der einzelnen
Laserdioden 1, 2, 3 bedingte Unterschiede in
der Emissionswellenlänge
verringert oder sogar ganz kompensiert werden.
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Bei
einer weiteren vorteilhaften Variante weisen die Wellenleiterschichten 6 verschiedene Schichtdicken
und/oder Materialzusammensetzungen auf. Die jeweiligen Schichtdicken
der Wellenleiterschichten 6 können beispielsweise derart
modifiziert werden, dass der Halbleiterlaser in einer gewünschten
Lasermode anschwingt. Die jeweils erforderlichen Schichtdicken für die Wellenleiterschichten 6 können vor
der Abscheidung des Schichtstapels 5 jeweils anhand von
Simulationsrechnungen bestimmt werden. Durch eine Modifizierung
der Dicke der Wellenleiterschichten 6 ist es auch möglich, einen
Abstrahlwinkel des kantenemittierenden Halbleiterlasers zu verändern.
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Das
Substrat 9 ist vorzugsweise ein leitendes Substrat, beispielsweise
ein dotiertes Halbleitersubstrat. Insbesondere kann das Substrat 9 ein
n-dotiertes Substrat sein. Das Substrat 9 stellt dabei
vorteilhaft einen ersten elektrisch leitenden Kontakt für den kantenemittierenden
Halbleiterlaser dar. Ein weiterer elektrischer Kontakt 14 ist
zum Beispiel auf eine dem Substrat gegenüberliegende Oberfläche des Schichtstapels 5 aufgebracht.
Insbesondere kann es sich bei der Kontaktschicht 14 um
eine p-Kontaktschicht handeln.
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Das
Substrat 9, auf dem der Schichtstapel 5 aufgewachsen
ist, ist vorzugsweise mit einer Pufferschicht 10 versehen,
die hinsichtlich der Schichtqualität und der Gitterkonstante eine
zum epitaktischen Aufwachsen des Schichtstapels 12, der
die Laserdioden 1, 2, 3 enthält, geeignete
Aufwachsoberfläche ausbildet.
Die Pufferschicht 10 kann beispielsweise eine Dicke von
etwa 500 nm aufweisen.
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Die
Materialauswahl für
den Schichtstapel 5, insbesondere für die darin enthaltenen aktiven
Zonen 13, 14, 15, erfolgt anhand der
gewünschten
Emissionswellenlänge
des Halbleiterlasers. Der Schichtstapel 5 basiert vorzugsweise
auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial, insbesondere auf
einem Arsenid-, Nitrid- oder Phosphidverbindungshalbleitermaterial.
Beispielsweise kann der Schichtstapel 5 InxAlyGa1-x-yN, InxAlyGa1-x-yP
oder InxAlyGa1-x-yAs, jeweils mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1, enthalten. Dabei muss das
III-V-Verbindungshalbleitermaterial nicht
zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach einer der
obigen Formeln aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe
sowie zusätzliche
Bestandteile aufweisen, die die physikalischen Eigenschaften des
Materials im wesentlichen nicht ändern.
Der Einfachheit halber beinhalten obige Formeln jedoch nur die wesentlichen
Bestandteile des Kristallgitters, auch wenn diese teilweise durch
geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.
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In 2 ist
das Strahlprofil (Kurve 15) eines Ausführungsbeispiels eines kantenemittierenden Halbleiterlasers
gemäß der Erfindung,
bei dem die inneren Mantelschichten eine Dicke von nur 150 nm aufweisen,
im Vergleich zum Strahlprofil (Kurve 16) eines herkömmlichen
Halbleiterlasers, bei dem die inneren Mantelschichten eine Schichtdicke
von 1,35 μm
aufweisen, dargestellt. Aufgetragen ist jeweils die Intensität I im Fernfeld
des Halbleiterlasers (in willkürlichen
Einheiten) gegenüber
dem zur Hauptabstrahlrichtung gemessenen Abstrahlwinkel α.
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Der
herkömmliche
Halbleiterlaser weist ein einziges Intensitätsmaximum in der Hauptstrahlrichtung,
also bei α =
0° auf.
Dagegen weist das Strahlprofil des erfindungsgemäßen Halbleiterlasers zwei ausgeprägte Intensitätsmaxima
auf, die beidseitig der Hauptstrahlrichtung bei einem Winkel α von jeweils
etwa 15° auftreten.
Durch die geringen Dicken der inneren Mantelschichten ändert sich
also das Strahlprofil im Fernfeld im Vergleich zu einem herkömmlichen
Halbleiterlaser mit vergleichsweise dicken inneren Wellenleiterschichten.
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Ein
derartiges Strahlprofil kann für
Anwendungen, in den eine geringe Strahlbreite erwünscht ist,
nachteilig sein. Es hat sich aber herausgestellt, dass die integrale
Intensität,
die insgesamt in einen Abstrahlwinkelbereich von 50° emittiert
wird, bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterlaser
größer ist
als bei dem herkömmlichen
Halbleiterlaser mit vergleichsweise dicken Wellenleiterschichten.
Der erfindungsgemäße Halbleiterlaser
eignet sich daher insbesondere für
Anwendungen, bei denen die integrale Intensität eine größere Bedeutung hat als das
Strahlprofil.
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Die
Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele
beschränkt. Vielmehr
umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination
von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in
den Patentansprüchen
beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst
nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben
ist.