JP7473271B2 - 小さい広がり角を有するvcselレーザー装置、チップおよびlidarシステム用光源 - Google Patents
小さい広がり角を有するvcselレーザー装置、チップおよびlidarシステム用光源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7473271B2 JP7473271B2 JP2023510465A JP2023510465A JP7473271B2 JP 7473271 B2 JP7473271 B2 JP 7473271B2 JP 2023510465 A JP2023510465 A JP 2023510465A JP 2023510465 A JP2023510465 A JP 2023510465A JP 7473271 B2 JP7473271 B2 JP 7473271B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- bragg reflector
- divergence angle
- laser device
- vcsel laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 61
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 35
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 34
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 11
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 7
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- -1 GaAsP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3].[AlH3] VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
- G01S7/4814—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of transmitters alone
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1025—Extended cavities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18322—Position of the structure
- H01S5/18327—Structure being part of a DBR
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
- G01S7/4814—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of transmitters alone
- G01S7/4815—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of transmitters alone using multiple transmitters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1021—Coupled cavities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18322—Position of the structure
- H01S5/1833—Position of the structure with more than one structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18358—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] containing spacer layers to adjust the phase of the light wave in the cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18383—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with periodic active regions at nodes or maxima of light intensity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
- H01S5/18388—Lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3095—Tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3415—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers containing details related to carrier capture times into wells or barriers
- H01S5/3416—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers containing details related to carrier capture times into wells or barriers tunneling through barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
- H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/16—Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
- H01S2301/163—Single longitudinal mode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/18—Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Description
相互援用および優先権説明
下部ブラッグ反射層と、
前記下部ブラッグ反射層の一方側に位置する活性層と、
前記活性層の下部ブラッグ反射層から離れる一方側に位置する上部ブラッグ反射層と、を含む小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置であって、
前記活性層の内部または外部に、発光領域を定義するための開口を有する電流狭窄層が設けられ、
前記下部ブラッグ反射層と前記活性層との間、および前記上部ブラッグ反射層と前記活性層との間の少なくとも一方に、キャビティ延長層が設けられ、
前記キャビティ延長層の内部には、少なくとも1つの共振キャビティが含まれ、前記共振キャビティの少なくとも1つが前記キャビティ延長層の内部のライトフィールド強度を向上させるために用いられる、小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置を提供する。
下部ブラッグ反射層20と、
下部ブラッグ反射層20の一方側に位置する活性層40と、
活性層40の下部ブラッグ反射層20から離れる一方側に位置する上部ブラッグ反射層60と、を含み、活性層40の内部または近傍に、発光領域を定義するための開口を有する電流狭窄層50が設けられ、
そのうち、下部ブラッグ反射層20と活性層40との間の、および上部ブラッグ反射層60と活性層40との間の少なくとも一方に、キャビティ延長層30が設けられ、
キャビティ延長層30の内部には、キャビティ延長層30の内部のライトフィールド強度を向上させるための共振キャビティ70が少なくとも1つ含まれる。
下部ブラッグ反射層20には、高低屈折率に応じて交互に設けられた、光学的厚さが1/4発振波長のリフレクタが複数含まれ、
上部ブラッグ反射層60には、高低屈折率に応じて交互に設けられた、光学的厚さが1/4発振波長のリフレクタが複数含まれ、
中部ブラッグ反射層31には、高低屈折率に応じて交互に設けられた、光学的厚さが1/4発振波長のリフレクタが複数含まれる。
或いは、レーザーの光出射面または主光出射面は、上部ブラッグ反射層60の活性層40から離れる一方側に位置し、下部ブラッグ反射層20の反射率が上部ブラッグ反射層60の反射率よりも大きい。
Claims (29)
- 下部ブラッグ反射層(20)と、
前記下部ブラッグ反射層(20)の一方側に位置する活性層(40)と、
前記活性層(40)の下部ブラッグ反射層(20)から離れる一方側に位置する上部ブラッグ反射層(60)と、を含む、小さい広がり角を有する垂直共振器面発光型(VCSEL)レーザー装置であって、
前記活性層(40)の内部または外部に、発光領域を定義するための開口を有する電流狭窄層(50)が設けられ、
前記下部ブラッグ反射層(20)と前記活性層(40)との間、および前記上部ブラッグ反射層(60)と前記活性層(40)との間の少なくとも一方に、キャビティ延長層(30)が設けられ、
前記キャビティ延長層(30)の内部には、前記キャビティ延長層(30)の内部のライトフィールド強度を向上させるための共振キャビティ(70)が少なくとも1つ含まれ、
前記小さい広がり角とは、20度よりも小さい広がり角であり、
前記キャビティ延長層(30)には、アルミニウム・ガリウム・ヒ素材料層およびガリウム砒素材料層の2種の屈折率が異なる材料層から積層して形成されるか、或いは高アルミニウム成分のアルミニウム・ガリウム・ヒ素材料層および低アルミニウム成分のアルミニウム・ガリウム・ヒ素材料層の2種の屈折率が異なる材料層から積層して形成された中部ブラッグ反射層(31)が含まれ、各々の材料層の光学的厚さが1/4発振波長であり、又は、前記キャビティ延長層(30)には、2種の屈折率が異なる誘電体材料層から積層して形成された中部ブラッグ反射層(31)が含まれ、各々の材料層の光学的厚さが1/4発振波長であり、
前記共振キャビティ(70)のうちの少なくとも1つの共振キャビティ(70)は、前記キャビティ延長層(30)の内部でライトフィールド強度が最も強くなる、
小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記キャビティ延長層(30)の内部に含まれる共振キャビティ(70)の数は、1つであり、
前記共振キャビティ(70)から前記活性層(40)に向かう方向において、前記共振キャビティ(70)から前記活性層(40)までのライトフィールド強度のピーク値が徐々に減少する、
請求項1に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記キャビティ延長層(30)の内部に含まれる共振キャビティ(70)の数が複数であり、複数の共振キャビティ(70)のうちの少なくとも1つの共振キャビティ(70)の内部のライトフィールドの最大ピーク値が活性層(40)のライトフィールドの最大ピーク値よりも大きい、
請求項1に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 各々の共振キャビティ(70)の光学的厚さが1/2発振波長の整数倍である、
請求項1に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記電流狭窄層(50)には、酸化層が含まれ、
前記酸化層は、エピタキシャル成長する高Al成分のAlGaAsであり、前記酸化層における外側被酸化領域に絶縁したアルミナ膜層が形成され、前記酸化層における未酸化領域に電流注入が効果的である発光領域が形成されている、
請求項1に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記電流狭窄層(50)の数が少なくとも1つであり、
前記電流狭窄層(50)と最も近い定在波ライトフィールドの節との光路距離が1/10発振波長よりも小さく、前記電流狭窄層(50)が前記活性層(40)の外側に位置する場合、前記活性層(40)に垂直な方向に沿って前記活性層(40)の一方側から2つの波長範囲内に位置し、
前記活性層(40)には、少なくとも1つの量子井戸が含まれ、各々の前記量子井戸と最も近い定在波ライトフィールドの腹との光路距離が1/5発振波長よりも小さく、
前記活性層(40)には、1つ以上の量子井戸が含まれる場合、1組の量子井戸全体の中心位置と最も近い定在波ライトフィールドの腹との光路距離が1/10発振波長よりも小さい、
請求項1に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記電流狭窄層(50)が定在波ライトフィールドの腹に位置し、前記量子井戸が定在波ライトフィールドの節に位置する、
請求項6に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記活性層(40)に垂直な方向において、前記電流狭窄層(50)から前記活性層(40)までの距離が、各々の共振キャビティ(70)から前記活性層(40)までの距離よりも小さい、
請求項1に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記活性層(40)に垂直な方向において、各々の共振キャビティ(70)の前記活性層(40)からの長さが、前記キャビティ延長層(30)の厚さの1/2よりも大きい、
請求項8に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記キャビティ延長層(30)には、中部ブラッグ反射層(31)が含まれ、
前記下部ブラッグ反射層(20)には、高低屈折率に応じて交互に設けられた、光学的厚さが1/4発振波長のリフレクタが複数含まれ、
前記上部ブラッグ反射層(60)には、高低屈折率に応じて交互に設けられた、光学的厚さが1/4発振波長のリフレクタが複数含まれ、
前記中部ブラッグ反射層(31)には、高低屈折率に応じて交互に設けられた、光学的厚さが1/4発振波長のリフレクタが複数含まれる、
請求項1に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記中部ブラッグ反射層(31)は、半波長周期毎の高低屈折率コントラストが、下部ブラッグ反射層(20)の対応する半波長周期毎の高低屈折率コントラスト、および上部ブラッグ反射層(60)の対応する半波長周期毎の高低屈折率コントラストのうちの少なくとも一方よりも低い、
請求項10に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記キャビティ延長層(30)には、1つの共振キャビティ(70)および2組の中部ブラッグ反射層(31)が含まれ、
2組の中部ブラッグ反射層(31)のうちの1組が共振キャビティ(70)と下部ブラッグ反射層(20)との間に位置し、2組の中部ブラッグ反射層(31)のうちの他の1組が共振キャビティ(70)と活性層(40)との間に位置する、
請求項10に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 共振キャビティ(70)と下部ブラッグ反射層(20)との間に位置する中部ブラッグ反射層(31)の反射率が、共振キャビティ(70)と活性層(40)との間に位置する中部ブラッグ反射層(31)の反射率よりも小さい、
請求項12に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 2組の中部ブラッグ反射層(31)には、同じ高低屈折率で交互に分布する材料が用いられ、共振キャビティ(70)と下部ブラッグ反射層(20)との間に位置する中部ブラッグ反射層(31)の周期数が共振キャビティ(70)と活性層(40)との間に位置する中部ブラッグ反射層(31)の周期数よりも少ない、
請求項13に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記共振キャビティ(70)の屈折率が、中部ブラッグ反射層(31)における共振キャビティ(70)に接触する箇所の屈折率と異なる、
請求項10に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - レーザーの光出射面は、前記下部ブラッグ反射層(20)の前記活性層(40)から離れる一方側に位置し、前記上部ブラッグ反射層(60)の反射率が下部ブラッグ反射層(20)の反射率よりも大きく、
或いは、レーザーの光出射面は、上部ブラッグ反射層(60)の前記活性層(40)から離れる一方側に位置し、前記下部ブラッグ反射層(20)の反射率が上部ブラッグ反射層(60)の反射率よりも大きい、
請求項10に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記光出射面の一方側に集積され、ファーフィールドの広がり角を低下させるためのマイクロレンズをさらに含む、
請求項16に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記中部ブラッグ反射層(31)の厚さと、前記中部ブラッグ反射層(31)の半波長周期毎の高低屈折率コントラストとが負の相関となる、
請求項10に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 各々の共振キャビティ(70)には、材料が異なるサブ層が複数含まれる、
請求項1に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記活性層(40)には、少なくとも2つのサブ活性層が含まれ、
各々の前記サブ活性層は、少なくとも1つの前記量子井戸を含み、隣り合う2つのサブ活性層同士がトンネル結合(80)で連結され、前記トンネル結合(80)と最も近い定在波ライトフィールドの節との光路距離が1/10発振波長よりも小さい、
請求項6に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 各々の前記サブ活性層の少なくとも一方側に、前記キャビティ延長層(30)、およびキャビティ延長層(30)内に設けられた共振キャビティ(70)を有する、
請求項20に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 各々のサブ活性層に、最も多く1つの電流狭窄層(50)が存在し、前記トンネル結合(80)が定在波ライトフィールドの節に位置する、
請求項20に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記上部ブラッグ反射層(60)、下部ブラッグ反射層(20)およびキャビティ延長層(30)の少なくとも一方の材料が、誘電体材料である、
請求項1に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記上部ブラッグ反射層(60)、下部ブラッグ反射層(20)およびキャビティ延長層(30)の少なくとも一方の材料が、半導体材料である、
請求項1に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記下部ブラッグ反射層(20)がN型半導体層であり、前記上部ブラッグ反射層(60)がP型半導体層であり、
或いは、前記下部ブラッグ反射層(20)がP型半導体層であり、前記上部ブラッグ反射層(60)がN型半導体層である、
請求項24に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記下部ブラッグ反射層(20)の活性層(40)から離れる一方側に位置する基板(10)をさらに含み、
前記基板(10)の材料は、GaAsまたはSiを含む、
請求項1に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 前記上部ブラッグ反射層(60)の活性層(40)から離れる一方側に位置する透明頂板(10’)をさらに含み、
前記透明頂板(10’)の材料は、サファイア、石英、ガラスまたは透明重合体を含む、
請求項1に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置。 - 複数の請求項1~27のいずれか一項に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置を含む小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置チップであって、
複数の前記小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置は、平面アレイ配列として構成され、
前記平面アレイ配列は、規則的な配列、またはランダムな配列、またはアドレッシングのための複数のサブアレイである、
小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置チップ。 - 少なくとも1つの請求項1~27のいずれか一項に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置、または少なくとも1つの請求項28に記載の小さい広がり角を有するVCSELレーザー装置チップを含む、
レーザーレーダLIDARシステム用光源。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202163249998P | 2021-09-29 | 2021-09-29 | |
US63/249,998 | 2021-09-29 | ||
CN202111335318.1 | 2021-11-11 | ||
CN202111335318.1A CN115882335B (zh) | 2021-09-29 | 2021-11-11 | 具有小发散角的vcsel激光器、芯片及用于lidar系统的光源 |
PCT/CN2022/083263 WO2023050740A1 (zh) | 2021-09-29 | 2022-03-28 | 具有小发散角的vcsel激光器、芯片及用于lidar系统的光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023547011A JP2023547011A (ja) | 2023-11-09 |
JP7473271B2 true JP7473271B2 (ja) | 2024-04-23 |
Family
ID=85756829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023510465A Active JP7473271B2 (ja) | 2021-09-29 | 2022-03-28 | 小さい広がり角を有するvcselレーザー装置、チップおよびlidarシステム用光源 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240030682A1 (ja) |
EP (1) | EP4290710A1 (ja) |
JP (1) | JP7473271B2 (ja) |
KR (1) | KR20230048047A (ja) |
CN (1) | CN115882335B (ja) |
GB (1) | GB2618958A (ja) |
TW (1) | TWI805427B (ja) |
WO (1) | WO2023050740A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024045607A1 (zh) * | 2022-09-02 | 2024-03-07 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 巨腔面发射激光器 |
CN117175349B (zh) * | 2023-11-02 | 2024-01-23 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102255240A (zh) | 2011-06-02 | 2011-11-23 | 中国科学院半导体研究所 | 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构 |
CN102651536A (zh) | 2012-05-28 | 2012-08-29 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 多叠层隧道级联半导体激光器 |
CN110429473A (zh) | 2019-08-06 | 2019-11-08 | 中国科学院半导体研究所 | 垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
US20200403376A1 (en) | 2018-03-15 | 2020-12-24 | Trumpf Photonic Components Gmbh | Vertical cavity surface emitting laser device with integrated tunnel junction |
US20210057888A1 (en) | 2017-12-28 | 2021-02-25 | Princeton Optronics, Inc. | Structured light projection system including narrow beam divergence semiconductor sources |
US20210057883A1 (en) | 2017-12-28 | 2021-02-25 | Princeton Optronics, Inc. | Narrow beam divergence semiconductor sources |
US20210281049A1 (en) | 2018-08-13 | 2021-09-09 | Ams Sensors Asia Pte. Ltd. | Low divergence vertical cavity surface emitting lasers, and modules and host devices incorporating the same |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6898215B2 (en) * | 2001-04-11 | 2005-05-24 | Optical Communication Products, Inc. | Long wavelength vertical cavity surface emitting laser |
JP5998701B2 (ja) * | 2012-07-23 | 2016-09-28 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
JP2014086565A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
CN105518951B (zh) * | 2013-07-03 | 2018-06-01 | 英菲尼斯有限责任公司 | 用于扫频源光学相干层析成像系统的波长可调谐垂直腔面发射激光器 |
JP5954469B1 (ja) * | 2015-02-25 | 2016-07-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
KR20200079362A (ko) * | 2018-12-24 | 2020-07-03 | 광전자 주식회사 | 고도핑 방출영역을 가지는 고효율 산화형 vcsel 및 그 제조 방법 |
CN109412019B (zh) * | 2018-12-29 | 2024-01-26 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 | 延长腔面光源vcsel及其应用 |
-
2021
- 2021-11-11 CN CN202111335318.1A patent/CN115882335B/zh active Active
-
2022
- 2022-03-28 KR KR1020237005158A patent/KR20230048047A/ko unknown
- 2022-03-28 EP EP22874141.9A patent/EP4290710A1/en active Pending
- 2022-03-28 US US18/039,335 patent/US20240030682A1/en active Pending
- 2022-03-28 JP JP2023510465A patent/JP7473271B2/ja active Active
- 2022-03-28 GB GB2313725.0A patent/GB2618958A/en active Pending
- 2022-03-28 WO PCT/CN2022/083263 patent/WO2023050740A1/zh active Application Filing
- 2022-06-29 TW TW111124362A patent/TWI805427B/zh active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102255240A (zh) | 2011-06-02 | 2011-11-23 | 中国科学院半导体研究所 | 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构 |
CN102651536A (zh) | 2012-05-28 | 2012-08-29 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 多叠层隧道级联半导体激光器 |
US20210057888A1 (en) | 2017-12-28 | 2021-02-25 | Princeton Optronics, Inc. | Structured light projection system including narrow beam divergence semiconductor sources |
US20210057883A1 (en) | 2017-12-28 | 2021-02-25 | Princeton Optronics, Inc. | Narrow beam divergence semiconductor sources |
US20200403376A1 (en) | 2018-03-15 | 2020-12-24 | Trumpf Photonic Components Gmbh | Vertical cavity surface emitting laser device with integrated tunnel junction |
US20210281049A1 (en) | 2018-08-13 | 2021-09-09 | Ams Sensors Asia Pte. Ltd. | Low divergence vertical cavity surface emitting lasers, and modules and host devices incorporating the same |
CN110429473A (zh) | 2019-08-06 | 2019-11-08 | 中国科学院半导体研究所 | 垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2618958A8 (en) | 2024-01-10 |
GB2618958A (en) | 2023-11-22 |
WO2023050740A1 (zh) | 2023-04-06 |
GB202313725D0 (en) | 2023-10-25 |
TW202315252A (zh) | 2023-04-01 |
EP4290710A1 (en) | 2023-12-13 |
TWI805427B (zh) | 2023-06-11 |
CN115882335B (zh) | 2023-12-12 |
US20240030682A1 (en) | 2024-01-25 |
JP2023547011A (ja) | 2023-11-09 |
KR20230048047A (ko) | 2023-04-10 |
CN115882335A (zh) | 2023-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7473271B2 (ja) | 小さい広がり角を有するvcselレーザー装置、チップおよびlidarシステム用光源 | |
US9160138B2 (en) | Light-emitting element array | |
JP7453489B2 (ja) | 波長変換装置及び発光装置 | |
US9082909B2 (en) | Optical device including three coupled quantum well structure | |
JP7212882B2 (ja) | 垂直共振器型発光素子 | |
US20230126297A1 (en) | Semiconductor laser and lidar system comprising the semiconductor laser | |
US11984703B2 (en) | Surface emitting laser device and a light emitting device including the same | |
CN115882334B (zh) | 具有小发散角的vcsel激光器、芯片及用于lidar系统的光源 | |
CN1910796A (zh) | 半导体激光器 | |
JP7473272B2 (ja) | 小さい広がり角を有するvcselレーザー装置、チップ、およびlidarシステム用光源 | |
CN114552380A (zh) | 谐振腔、激光单元及芯片和激光器及形成方法、激光雷达 | |
WO2024045607A1 (zh) | 巨腔面发射激光器 | |
WO2023149520A1 (ja) | フォトニック結晶面発光レーザ素子 | |
JPH1154846A (ja) | 共振型面発光素子 | |
US11509117B2 (en) | Light emitting element | |
KR20170062434A (ko) | 반도체 발광소자 | |
CN117691463A (zh) | 一种巨腔面发射激光器 | |
KR20160070047A (ko) | 반도체 발광소자 | |
CN115395367A (zh) | 一种椭圆形多台面激光器结构 | |
KR101630371B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
CN118198860A (zh) | 具有琴弦式多量子阱有源层结构的氮化镓基垂直腔面发射激光器 | |
KR20180023933A (ko) | 반도체 발광소자 | |
KR20160073362A (ko) | 반도체 발광소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240404 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7473271 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |