JP5305571B2 - プラズマ処理方法および装置におけるセグメント化されてバイアスされる周縁電極 - Google Patents
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Description
12 真空処理チャンバ
14 ウェハ支持体(基板支持体)
15 半導体ウェハ(半導体基板)
20 イオン化スパッタ材料源
22 環状ターゲット
32 RF電源
40 周縁バイアス制御システム
50 バイアス電極
50a バイアスリング
50b 電極
50c 円筒状リング
51 セグメント
52 セグメント
60 コントローラ
61 円筒状セグメント
70 コントローラ
Claims (18)
- 半導体用プラズマ処理装置における非一様性を低減させるためのシステムであって、
基板支持体を囲み得る寸法のものとされ、かつ、前記基板支持体に近接した位置において前記基板支持体の外周縁回りにおいて分割された少なくとも3個という複数のセグメントから形成された、リング形状電極と;
この電極の前記各セグメントに対して接続された電気エネルギー供給源と;
この電気エネルギー供給源に対して接続されたコントローラと;
を具備し、
前記コントローラが、前記電極の前記各セグメントを順次的に励起するようにして電気エネルギーを供給するようにプログラムされており、
これにより、前記基板支持体に近接した位置において前記基板支持体の外周縁回りにおける基板の非一様性の処理に影響を与え得るものとされていることを特徴とするシステム。 - 請求項1記載のシステムにおいて、
前記コントローラが、前記電極の前記各セグメントに対して印加されるエネルギーの負荷サイクルを変更し得るようにプログラムされていることを特徴とするシステム。 - 請求項1記載のシステムにおいて、
前記コントローラが、前記基板支持体の周囲において、複数のサイクルにわたって、複数のセグメントを順次的に励起し得るようにプログラムされていることを特徴とするシステム。 - 請求項1記載のシステムにおいて、
前記電気エネルギー供給源が、前記電極の前記各セグメントに対して接続されたRF電源を備えていることを特徴とするシステム。 - 請求項1記載のシステムにおいて、
前記電気エネルギー供給源が、前記電極の前記各セグメントに対して選択的に接続可能とされたRF電源を備えていることを特徴とするシステム。 - 請求項1記載のシステムにおいて、
前記電極が、互いに絶縁されておりかつ前記基板支持体を囲んでいる4個〜6個のセグメントを備えていることを特徴とするシステム。 - 請求項6記載のシステムにおいて、
前記電極が、環状ディスクであることを特徴とするシステム。 - 請求項6記載のシステムにおいて、
前記電極が、円筒体であることを特徴とするシステム。 - 請求項8記載のシステムにおいて、
前記セグメントが、メッシュから形成されていることを特徴とするシステム。 - iPVD装置であって、
請求項1記載のシステムを備えていることを特徴とするiPVD装置。 - 半導体基板の処理装置であって、
真空処理チャンバと;
このチャンバ内に配置されたスパッタリングターゲットと;
前記チャンバに対して連結された高密度プラズマ源と;
前記チャンバ内に配置された基板支持体と;
この基板支持体を囲んでおり、かつ、前記基板支持体に近接した位置において前記基板支持体の外周縁回りにおいて分割された少なくとも3個という複数のセグメントから形成された、リング形状電極と;
この電極の前記各セグメントに対して接続された電気エネルギー供給源と;
この電気エネルギー供給源に対して接続されかつ前記電極の前記各セグメントを順次的に励起するように構成されたコントローラと;
を具備していることを特徴とする装置。 - 請求項11記載の装置において、
前記コントローラが、前記電極の前記各セグメント励起するようにプログラムされ、
これにより、前記基板支持体の周縁回りにおける基板の非一様性の処理に影響を与え得るものとされ、
これにより、基板の処理において方位的な非一様性を低減させ得るものとされていることを特徴とする装置。 - イオン化物理的気相蒸着プロセスにおいてフィルムの方位的非一様性を改良するための方法であって、
基板支持体に近接した位置において基板支持体の外周縁回りにおいて分割された複数のセグメントによって基板支持体を囲み;
各セグメントに対して電気的エネルギーを順次的に印加することによって、各セグメントを周期的に励起する;
ことを特徴とする方法。 - 請求項13記載の方法において、
前記セグメントとして、少なくとも3個のセグメントを設け、
前記セグメントの前記励起に際しては、複数のサイクルの各々において順次的に各セグメントをバイアスすることを特徴とする方法。 - 請求項13記載の方法において、
前記セグメントに対してエネルギーを供給するに際しての負荷サイクルを制御し、
これにより、基板の方位的非一様性を低減させることを特徴とする方法。 - 請求項15記載の方法において、
前記負荷サイクルの前記制御に際しては、様々なセグメントに対して互いに異なる態様で電気エネルギーを供給し、
これにより、基板の方位的非一様性を低減させることを特徴とする方法。 - 請求項13記載の方法において、
基板に対して、一連をなす成膜プロセスとエッチングプロセスとを順次的に行うことを特徴とする方法。 - 請求項13記載の方法において、
様々なセグメントに対して互いに異なる態様で電気エネルギーを供給し、
これにより、基板の方位的非一様性を低減させることを特徴とする方法。
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