JP5301969B2 - Switching power supply circuit and electronic device using the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bootstrap type switching supply circuit of low cost, for higher oscillation frequency and wider range of input voltage. <P>SOLUTION: The switching supply circuit includes a switching element 1, a drive circuit 2 for driving the switching element 1, a bootstrap circuit to supply power to the drive circuit 2, and a constant voltage circuit 3 for acquiring a constant voltage by stepping down an input voltage V<SB>IN</SB>. The bootstrap circuit includes a mode (mode to turn off switch SW2) for boosting with a voltage outputted from a constant voltage circuit 3, and a mode (mode to turn on switch SW2) for boosting with the input voltage V<SB>IN</SB>. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、ブートストラップ回路を有するスイッチング電源回路及びそれを用いた電子機器に関する。   The present invention relates to a switching power supply circuit having a bootstrap circuit and an electronic apparatus using the same.

電力変換効率の向上は、省エネルギ化、バッテリーの長寿命化、発熱の低減などの効果があり、スイッチング電源回路の最重要課題である。また、近年の省エネルギ化の促進により、スイッチング電源回路が電力を供給する機器の低電圧化が進み、2.5V系、1.5V系など低い電圧のものが一般的となっている。その反面、スイッチング電源回路の入力電圧は低電圧から高電圧まで幅広く使用され、機器に必要な電流は上昇する傾向にある。スイッチング電源回路においては、スイッチング電源回路が電力を供給する機器の電流上昇に比例してスイッチング素子のオン抵抗による電力損失が増加し、このスイッチング素子のオン抵抗による電力損失が電力変換効率を低減させる主な要因となっている。したがって、スイッチング電源回路においては、いかにスイッチング素子のオン抵抗を低減させるかが重要な課題となっている。   Improvement of power conversion efficiency has the effects of energy saving, long battery life and reduced heat generation, and is the most important issue for switching power supply circuits. Further, with the recent promotion of energy saving, the voltage of devices supplied with power by the switching power supply circuit has been reduced, and those having a low voltage such as 2.5V system and 1.5V system are common. On the other hand, the input voltage of the switching power supply circuit is widely used from a low voltage to a high voltage, and the current required for the device tends to increase. In the switching power supply circuit, the power loss due to the on-resistance of the switching element increases in proportion to the increase in the current of the device that supplies the power, and the power loss due to the on-resistance of the switching element reduces the power conversion efficiency. It is the main factor. Therefore, in the switching power supply circuit, how to reduce the on-resistance of the switching element is an important issue.

また、外付け部品(コイル、コンデンサ)の部品サイズ縮小化に向け、発振周波数の高周波化が望まれている。   Further, in order to reduce the component size of external components (coils, capacitors), it is desired to increase the oscillation frequency.

スイッチング素子のオン抵抗はスイッチング素子のサイズを大きくする事で低減されるが、サイズの増加はコストの増加につながるため必要最低限に抑えなければならない。また、スイッチング素子としてNチャンネルMOSFETまたはNPNトランジスタとPチャンネルMOSFETまたはPNPトランジスタとを比較した場合、NチャンネルMOSFETまたはNPNトランジスタの方がPチャンネルMOSFETまたはPNPトランジスタよりもチップサイズを低減できるので好ましい。しかしながら、NチャンネルMOSFETまたはNPNトランジスタをドライブするためにはブートストラップ回路が必要となり、ブートストラップ回路を安価に構成する事が求められている。   The on-resistance of the switching element is reduced by increasing the size of the switching element. However, the increase in size leads to an increase in cost, and must be minimized. Further, when an N-channel MOSFET or NPN transistor is compared with a P-channel MOSFET or PNP transistor as a switching element, the N-channel MOSFET or NPN transistor is preferable because the chip size can be reduced more than the P-channel MOSFET or PNP transistor. However, in order to drive an N-channel MOSFET or NPN transistor, a bootstrap circuit is required, and it is required to configure the bootstrap circuit at a low cost.

特開平5―304768号公報(第1図)JP-A-5-304768 (FIG. 1) 特開2000−92822号公報JP 2000-92822 A 特開2007−195361号公報(第1図)JP 2007-195361 A (FIG. 1)

ここで、従来のブートストラップ型スイッチング電源回路の一構成例を図15に示す。図15に示す従来のブートストラップ型スイッチング電源回路は、ブートストラップ用ダイオードBD1及びブートストラップ用コンデンサBC1によって構成されるブートストラップ回路を備えている。   Here, FIG. 15 shows a configuration example of a conventional bootstrap type switching power supply circuit. The conventional bootstrap switching power supply circuit shown in FIG. 15 includes a bootstrap circuit configured by a bootstrap diode BD1 and a bootstrap capacitor BC1.

当該ブートストラップ回路では、端子T1に印加される入力電圧VINがスイッチング素子であるNチャンネルMOSFET1(以下、スイッチング素子1という)のゲート耐圧を超えない値であれば、スイッチング素子1がオフのとき、端子T2の電圧VOUTは−VF(VFはツェナーダイオードZD1の順方向電圧)となり、端子T3の電圧VBはVIN−VF1(VF1はブートストラップ用ダイオードBD1の順方向電圧)となり、入力電圧VINが印加されている端子T1からブートストラップ用ダイオードBD1を介してブートストラップ用コンデンサBC1に電流が流れ、ブートストラップ用コンデンサBC1が充電される。 In the bootstrap circuit, when the input voltage V IN applied to the terminal T1 is a value that does not exceed the gate breakdown voltage of the N-channel MOSFET 1 (hereinafter referred to as switching element 1) that is a switching element, the switching element 1 is off. The voltage V OUT at the terminal T2 is −V F (V F is the forward voltage of the Zener diode ZD1), and the voltage V B at the terminal T3 is V IN −V F1 (V F1 is the forward voltage of the bootstrap diode BD1). The current flows from the terminal T1 to which the input voltage V IN is applied to the bootstrap capacitor BC1 through the bootstrap diode BD1, and the bootstrap capacitor BC1 is charged.

そして、スイッチング素子1がオンになると、端子T2の電圧VOUTは−VFからVIN−VDS(VDSはスイッチング素子1のドレイン−ソース間電圧)に上昇し、この上昇分だけ端子T3の電圧VBも上昇する。これにより、スイッチング素子1にゲート駆動信号を供給するドライブ回路2の駆動電圧のレベルが高くなり、ゲート駆動信号のレベルを高くすることができる。 When the switching element 1 is turned on, the voltage V OUT of the terminal T2 -V F from V IN -V DS (V DS is the drain of the switching element 1 - source voltage) rises, only the rise terminals T3 The voltage V B increases. Thereby, the level of the drive voltage of the drive circuit 2 that supplies the gate drive signal to the switching element 1 is increased, and the level of the gate drive signal can be increased.

このような構成の図15に示す従来のブートストラップ型スイッチング電源回路では、入力電圧VINの変動に応じて端子T3の電圧VBひいてはスイッチング素子1を制御するゲート駆動信号のレベルが変動する。また、図15に示す従来のブートストラップ型スイッチングは降圧チョッパレギュレータであるため、入力電圧VINの範囲が低電圧から高電圧まで幅広い。しかしながら、入力電圧VINが高ければブートストラップ電圧(2VIN+VF−VF1−VDS)ひいてはスイッチング素子1を制御するゲート駆動信号のレベルも高くなるので、スイッチング素子1のゲート耐圧を超えないように入力電圧VINの上限を設定する必要があった。尚、図15に示すようにスイッチング素子1、ブートストラップ用ダイオードBD1、ドライブ回路2、及びドライブ回路2に供給する制御信号を生成する制御信号生成回路が1チップ化されたIC100で実現されている場合、通常スイッチング素子1はLDMOS(Laterally Diffused MOS)で構成されておりそのゲート耐圧は10V以下であることが多い。 In the conventional bootstrap type switching power supply circuit shown in FIG. 15 having such a configuration, the voltage V B at the terminal T3 and the level of the gate drive signal for controlling the switching element 1 fluctuate according to the fluctuation of the input voltage V IN . Further, since the conventional bootstrap type switching shown in FIG. 15 is a step-down chopper regulator, the input voltage V IN has a wide range from a low voltage to a high voltage. However, if the input voltage V IN is high, the bootstrap voltage (2V IN + V F −V F1 −V DS ) and the level of the gate drive signal for controlling the switching element 1 also increase, so that the gate breakdown voltage of the switching element 1 is not exceeded. Thus, it was necessary to set the upper limit of the input voltage V IN . As shown in FIG. 15, the switching element 1, the bootstrap diode BD1, the drive circuit 2, and a control signal generation circuit for generating a control signal to be supplied to the drive circuit 2 are realized by a single chip IC 100. In this case, the switching element 1 is usually composed of LDMOS (Laterally Diffused MOS), and its gate breakdown voltage is often 10 V or less.

入力電圧VINの設定に関する上記問題点を解消することができるブートストラップ型スイッチング電源回路が特許文献1で提案されている。特許文献1で提案されているブートストラップ型スイッチング電源回路は、ゲート駆動回路と入力電源端子との間に定電圧回路を設けることによって、ゲート駆動回路からスイッチング素子(出力パワートランジスタ) のゲートに供給されるゲート駆動電圧を、入力電源端子に印加される入力電圧の値にかかわらず一定値としている。しかしながら、ゲート駆動回路と入力電源端子との間に設けられる定電圧回路がスイッチング素子(出力パワートランジスタ)のソース電圧を基準とした定電圧回路となっているため、特許文献1で提案されているブートストラップ型スイッチング電源回路は非常に複雑な回路構成となっている。 Patent Document 1 proposes a bootstrap type switching power supply circuit that can solve the above-mentioned problems relating to the setting of the input voltage V IN . The bootstrap type switching power supply circuit proposed in Patent Document 1 is supplied from the gate drive circuit to the gate of the switching element (output power transistor) by providing a constant voltage circuit between the gate drive circuit and the input power supply terminal. The gate drive voltage to be applied is a constant value regardless of the value of the input voltage applied to the input power supply terminal. However, since the constant voltage circuit provided between the gate drive circuit and the input power supply terminal is a constant voltage circuit based on the source voltage of the switching element (output power transistor), it is proposed in Patent Document 1. The bootstrap type switching power supply circuit has a very complicated circuit configuration.

また、特許文献1で提案されているブートストラップ型スイッチング電源回路よりも定電圧回路の構成を簡易化したブートストラップ型スイッチング電源回路の構成を図16に示す。尚、図16において図15と同一の部分には同一の符号を付す。   FIG. 16 shows a configuration of a bootstrap switching power supply circuit in which the configuration of the constant voltage circuit is simplified as compared with the bootstrap type switching power supply circuit proposed in Patent Document 1. In FIG. 16, the same parts as those in FIG.

図16に示す従来のブートストラップ型スイッチング電源回路は、GNDを基準とした定電圧回路3とブートストラップ用ダイオードBD1とブートストラップ用コンデンサBC1とによって構成されるブートストラップ回路を備えている。定電圧回路3は、入力電圧VINを降圧して定電圧VCを生成する。 The conventional bootstrap type switching power supply circuit shown in FIG. 16 includes a bootstrap circuit including a constant voltage circuit 3 based on GND, a bootstrap diode BD1, and a bootstrap capacitor BC1. The constant voltage circuit 3 steps down the input voltage V IN and generates a constant voltage V C.

図16に示す従来のブートストラップ型スイッチング電源回路では、スイッチング素子1がオフのとき、端子T2の電圧VOUTは−VFとなり、端子T3の電圧VBはVC−VF1となり、定電圧回路3からブートストラップ用ダイオードBD1を介してブートストラップ用コンデンサBC1に電流が流れ、ブートストラップ用コンデンサBC1が充電される。そして、スイッチング素子1がオンになると、端子T2の電圧VOUTは−VFからVIN−VDSに上昇し、この上昇分だけ端子T3の電圧VBも上昇する。これにより、スイッチング素子1にゲート駆動信号を供給するドライブ回路2の駆動電圧のレベルが高くなり、ゲート駆動信号のレベルを高くすることができる。 In the conventional bootstrap switching power supply circuit shown in FIG. 16, when the switching element 1 is off, the voltage V OUT at the terminal T2 is −V F , the voltage V B at the terminal T3 is V C −V F1 , and a constant voltage A current flows from the circuit 3 to the bootstrap capacitor BC1 via the bootstrap diode BD1, and the bootstrap capacitor BC1 is charged. When the switching element 1 is turned on, the voltage V OUT of the terminal T2 rises from -V F to V IN -V DS, also increases the voltage V B of the rise only terminal T3. Thereby, the level of the drive voltage of the drive circuit 2 that supplies the gate drive signal to the switching element 1 is increased, and the level of the gate drive signal can be increased.

図16に示す従来のブートストラップ型スイッチング電源回路では、GNDを基準とした定電圧回路3を用いているので、回路構成が簡単である。また、図16に示す従来のブートストラップ型スイッチング電源回路では、スイッチング素子1がオンのとき、端子T3の電圧VBがVC+VIN+VF−VF1−VDSとなり、ドライブ回路2の両端電圧がVC+VF−VF1となるので、スイッチング素子1を制御するゲート駆動信号が入力電圧VINに依存しない。 In the conventional bootstrap type switching power supply circuit shown in FIG. 16, since the constant voltage circuit 3 based on GND is used, the circuit configuration is simple. Further, in the conventional bootstrap switching power supply circuit shown in FIG. 16, when the switching element 1 is on, the voltage V B at the terminal T3 becomes V C + V IN + V F −V F1 −V DS , and both ends of the drive circuit 2 Since the voltage is V C + V F −V F1 , the gate drive signal for controlling the switching element 1 does not depend on the input voltage V IN .

端子T3−T2間の電圧(VB−VOUT)がドライブ回路2の耐圧(通常5V系を使用)を越えないように、定電圧回路3から出力される定電圧VCをドライブ回路2の耐圧の上限に設定する。しかしながら、広範囲(例えば4.5V〜40V等)の入力電圧VINにて図16に示す従来のブートストラップ型スイッチング電源回路を使用したい場合、入力電圧VINが定電圧回路3から出力される定電圧VCの設定値を下回ると問題が生じる。例えば、定電圧回路3から出力される定電圧VCを5Vに設計した場合に入力電圧VINとして4.5Vが供給されると、定電圧回路3の出力電圧が4V以下となってしまい(図17参照)、ドライブ回路2に供給される電圧はブートストラップ用ダイオードBDの順方向電圧降下分を考慮すると4Vよりも更に低くなってしまう。その結果としてスイッチング素子1のゲートに低い電圧しか供給できなくなるため、スイッチング素子1のオン抵抗が低くなり、効率が低下する。入力電圧VINが定電圧回路3から出力される定電圧VCの設定値を下回っても、スイッチング素子1のオン抵抗が十分に小さくなるようにするためには、スイッチング素子1のサイズを大きく設計しなければならず、コストの増大を招く。 The constant voltage V C output from the constant voltage circuit 3 is applied to the drive circuit 2 so that the voltage between the terminals T3 and T2 (V B −V OUT ) does not exceed the withstand voltage of the drive circuit 2 (usually using a 5V system). Set to the upper limit of pressure resistance. However, when it is desired to use the conventional bootstrap type switching power supply circuit shown in FIG. 16 with an input voltage V IN in a wide range (for example, 4.5 V to 40 V, etc.), the input voltage V IN is output from the constant voltage circuit 3. A problem arises when the voltage V C falls below the set value. For example, when the constant voltage V C output from the constant voltage circuit 3 is designed to be 5 V and the input voltage V IN is supplied with 4.5 V, the output voltage of the constant voltage circuit 3 becomes 4 V or less ( The voltage supplied to the drive circuit 2 is further lower than 4 V in consideration of the forward voltage drop of the bootstrap diode BD. As a result, since only a low voltage can be supplied to the gate of the switching element 1, the on-resistance of the switching element 1 is lowered and the efficiency is lowered. In order to reduce the on-resistance of the switching element 1 sufficiently even when the input voltage V IN falls below the set value of the constant voltage V C output from the constant voltage circuit 3, the size of the switching element 1 is increased. It has to be designed, resulting in an increase in cost.

また、ドライブ回路2に対して低い電圧しか供給できなければ、ドライブ回路2のドライブ能力も制限され、5A以上等の大電流に対応したサイズの大きいスイッチング素子(パワートランジスタ)1をドライブすることが不可能となる。また、発振周波数の高周波化に対してもスイッチングの立ち上がり時間、立ち下がり時間、遅延時間が遅くなりスイッチング動作ができなくなる。   If only a low voltage can be supplied to the drive circuit 2, the drive capability of the drive circuit 2 is limited, and a large switching element (power transistor) 1 corresponding to a large current of 5 A or more can be driven. It becomes impossible. In addition, even when the oscillation frequency is increased, the switching rise time, fall time, and delay time are delayed, and the switching operation cannot be performed.

尚、特許文献3で提案されているスイッチング電源は、スイッチング素子(パワートランジスタ)のソース電位に応じてブートストラップ回路内のスイッチをオン/オフ制御しており、ブートストラップ回路に供給される電源電圧と、スイッチング素子(パワートランジスタ)のドレインに供給される電源電圧とが互いに異なるスイッチング電源、すなわち2電源タイプのスイッチング電源である。したがって、特許文献3で提案されているスイッチング電源は、上記において検討してきた1電源のブートストラップ型スイッチング電源回路に適用できるものではない。   Note that the switching power supply proposed in Patent Document 3 controls on / off of the switch in the bootstrap circuit according to the source potential of the switching element (power transistor), and the power supply voltage supplied to the bootstrap circuit. And a switching power supply in which the power supply voltages supplied to the drains of the switching elements (power transistors) are different from each other, that is, a dual power supply type switching power supply. Therefore, the switching power supply proposed in Patent Document 3 is not applicable to the single power supply bootstrap switching power supply circuit that has been studied above.

また、昨今の低価格化に対応するため、スイッチング素子(パワートランジスタ)を含めた1チップブートストラップチョッパレギュレータを提供するためには、バイポーラ技術(エピ工程を含む)を必要とするブートストラップ用ダイオードと、パワートランジスタとして用いられているLDMOSトランジスタと、その他の回路部を構成するCMOS(Complementary MOS)トランジスタとを、単一のウェハ内に生成するBiCDMOS(Bipolar Complementary Double-diffused MOS)プロセスが必要となり、パワートランジスタをディスクリート部品にしなくて済む反面、1チップブートストラップチョッパレギュレータが高価になっている。また、高速発振に対応すべく、ブートストラップ用ダイオードをショットキーバリアダイオードとするためには、さらに高価なプロセスが必要となる。   In addition, in order to provide a one-chip bootstrap chopper regulator including a switching element (power transistor) in order to cope with the recent price reduction, a bootstrap diode that requires bipolar technology (including an epi process) And a BiCDMOS (Bipolar Complementary Double-diffused MOS) process for generating an LDMOS transistor used as a power transistor and a CMOS (Complementary MOS) transistor constituting another circuit section in a single wafer is required. However, the power transistor does not need to be a discrete component, but the one-chip bootstrap chopper regulator is expensive. Further, in order to use a bootstrap diode as a Schottky barrier diode in order to cope with high-speed oscillation, a more expensive process is required.

本発明は、上記の状況に鑑み、発振周波数の高周波化及び入力電圧の広範囲化を図ることができる安価なブートストラップ型スイッチング電源回路及びそれを用いた電子機器を提供することを目的とする。   In view of the above situation, an object of the present invention is to provide an inexpensive bootstrap type switching power supply circuit capable of increasing the oscillation frequency and widening the input voltage and an electronic device using the same.

上記目的を達成するために本発明に係るスイッチング電源回路は、スイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動するドライブ回路と、前記ドライブ回路に電源供給するためのブートストラップ回路と、入力電圧を降圧して定電圧を得る定電圧回路とを備え、前記ブートストラップ回路が、前記定電圧回路から出力される電圧によってブートするモードと、前記入力電圧によってブートするモードを含む複数の動作モードを有する構成である。   To achieve the above object, a switching power supply circuit according to the present invention includes a switching element, a drive circuit for driving the switching element, a bootstrap circuit for supplying power to the drive circuit, and a step-down input voltage. A constant voltage circuit for obtaining a constant voltage, wherein the bootstrap circuit has a plurality of operation modes including a mode for booting with a voltage output from the constant voltage circuit and a mode for booting with the input voltage. .

このような構成によると、入力電圧が低下した場合にブートストラップ回路が動作モードを変更し、ドライブ回路への供給電圧の低下及びスイッチング素子のオン抵抗の増加を抑えることができるので、発振周波数の高周波化及び入力電圧の広範囲化を図ることができる。また、回路構成が簡単であり、スイッチング素子のサイズを大きくする必要がないので、低コスト化を図ることができる。   According to such a configuration, the bootstrap circuit can change the operation mode when the input voltage decreases, and the decrease in the supply voltage to the drive circuit and the increase in the on-resistance of the switching element can be suppressed. Higher frequency and wider input voltage can be achieved. In addition, since the circuit configuration is simple and there is no need to increase the size of the switching element, the cost can be reduced.

また、前記ブートストラップ回路が、アノードに前記定電圧回路から出力される電圧が供給される第1のブートストラップ用ダイオードと、アノードに前記入力電圧が供給される第2のブートストラップ用ダイオードとを備えるようにしてもよい。   The bootstrap circuit includes a first bootstrap diode whose anode is supplied with a voltage output from the constant voltage circuit, and a second bootstrap diode whose anode is supplied with the input voltage. You may make it prepare.

また、外部から入力される外部制御信号により、前記ブートストラップ回路が、前記複数の動作モードから一つのモードを選択するようにしてもよい。   Further, the bootstrap circuit may select one mode from the plurality of operation modes by an external control signal input from the outside.

また、前記入力電圧を検出する入力電圧検出回路を備え、前記入力電圧検出回路によって検出された前記入力電圧が設定電圧より大きい場合は、前記ブートストラップ回路が、前記定電圧回路から出力される電圧によってブートするモードを選択し、前記入力電圧検出回路によって検出された前記入力電圧が設定電圧以下である場合は、前記ブートストラップ回路が、前記定電圧回路から出力される電圧によってブートするモード以外のモードを選択するようにしてもよい。   A voltage output from the constant voltage circuit when the input voltage detected by the input voltage detection circuit is greater than a set voltage. If the input voltage detected by the input voltage detection circuit is equal to or lower than a set voltage, the bootstrap circuit is in a mode other than the mode in which the boot is driven by the voltage output from the constant voltage circuit. A mode may be selected.

また、前記ブートストラップ回路が、前記第1のブートストラップ用ダイオードの代わりに第1のLDMOSを備え、前記第2のブートストラップ用ダイオードの代わりに第2のLDMOSを備えるようにしてもよい。   The bootstrap circuit may include a first LDMOS instead of the first bootstrap diode, and may include a second LDMOS instead of the second bootstrap diode.

また、前記第1のLDMOSのゲート及びソースに前記定電圧回路の出力電圧が供給され、前記第2のLDMOSのゲート及びソースに前記入力電圧が供給され、前記第1のLDMOS及び前記第2のLDMOSのドレインが前記ドライブ回路に接続されており、前記第1のLDMOSのゲート及びソースとバックゲートとの接続/遮断の切り替え、前記第1のLDMOSのドレインとバックゲートとの接続/遮断の切り替え、前記第2のLDMOSのゲート及びソースとバックゲートとの接続/遮断の切り替え、並びに前記第2のLDMOSのドレインとバックゲートとの接続/遮断の切り替えが可能であるようにしてもよい。   The output voltage of the constant voltage circuit is supplied to the gate and source of the first LDMOS, the input voltage is supplied to the gate and source of the second LDMOS, and the first LDMOS and the second LDMOS The drain of the LDMOS is connected to the drive circuit, switching between connection / disconnection between the gate and source of the first LDMOS and the back gate, and switching between connection / disconnection between the drain and the back gate of the first LDMOS. The connection / disconnection between the gate and the source of the second LDMOS and the back gate and the connection / disconnection between the drain and the back gate of the second LDMOS may be switched.

また、前記入力電圧検出回路が、前記入力電圧と前記設定電圧との大小関係を比較するための比較回路を備えてもよい。   The input voltage detection circuit may include a comparison circuit for comparing the magnitude relationship between the input voltage and the set voltage.

また、前記複数の動作モードが、前記スイッチング電源回路の出力電圧によってブートするモードを備えるようにしてもよい。この場合、前記入力電圧検出回路が、前記入力電圧と前記設定電圧との大小関係を比較するための第1の比較回路と、前記定電圧回路の出力電圧と前記スイッチング電源回路の出力電圧との大小関係を比較するための第2の比較回路とを備えるようにしてもよい。   Further, the plurality of operation modes may include a mode in which booting is performed by an output voltage of the switching power supply circuit. In this case, the input voltage detection circuit compares the first comparison circuit for comparing the magnitude relationship between the input voltage and the set voltage, the output voltage of the constant voltage circuit, and the output voltage of the switching power supply circuit. You may make it provide the 2nd comparison circuit for comparing magnitude relationship.

また、上記目的を達成するために本発明に係る電子機器は、上記いずれかの構成のスイッチング電源回路を備えるようにしている。   In order to achieve the above object, an electronic apparatus according to the present invention includes a switching power supply circuit having any one of the above configurations.

本発明によると、入力電圧が低下した場合にブートストラップ回路が動作モードを変更し、ドライブ回路への供給電圧の低下及びスイッチング素子のオン抵抗の増加を抑えることができるので、発振周波数の高周波化及び入力電圧の広範囲化を図ることができる。また、回路構成が簡単であり、スイッチング素子のサイズを大きくする必要がないので、低コスト化を図ることができる。   According to the present invention, when the input voltage decreases, the bootstrap circuit changes the operation mode, and it is possible to suppress a decrease in the supply voltage to the drive circuit and an increase in the on-resistance of the switching element. In addition, the input voltage can be widened. In addition, since the circuit configuration is simple and there is no need to increase the size of the switching element, the cost can be reduced.

本発明の実施形態について図面を参照して以下に説明する。本発明の第一実施形態に係るブートストラップ型スイッチング電源回路を図1に示す。尚、図1において、図16と同一の部分には同一の符号を付す。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. A bootstrap type switching power supply circuit according to the first embodiment of the present invention is shown in FIG. In FIG. 1, the same parts as those in FIG. 16 are denoted by the same reference numerals.

図1に示すスイッチング電源回路は、スイッチング電源IC100と、外付け部品であるブートストラップ用コンデンサBC1、コイルL1、ショットキーバリアダイオードSBD1、抵抗R1、抵抗R2、及び出力コンデンサC1と、出力端子TOとを備えるチョッパレギュレータである。 The switching power supply circuit shown in FIG. 1 includes a switching power supply IC100, a bootstrap capacitor BC1, which is an external component, a coil L1, a Schottky barrier diode SBD1, a resistor R1, a resistor R2, an output capacitor C1, and an output terminal T O. A chopper regulator.

スイッチング電源IC100の内部構成について以下に説明する。スイッチング電源IC100は、端子T1〜T4と、スイッチング素子1と、ドライブ回路2と、定電圧VC(例えば、5[V]のDC電圧)を出力する定電圧回路3と、電流検出部4と、メインロジック生成部5と、レベルシフト回路6と、ブートストラップ用ダイオードBD1及びBD2と、スイッチDW2とを備えている。 The internal configuration of the switching power supply IC 100 will be described below. The switching power supply IC 100 includes terminals T1 to T4, a switching element 1, a drive circuit 2, a constant voltage circuit 3 that outputs a constant voltage V C (for example, a DC voltage of 5 [V]), a current detection unit 4, and the like. The main logic generator 5, the level shift circuit 6, bootstrap diodes BD1 and BD2, and a switch DW2.

端子T1は、電流検出部4を介してスイッチング素子1のドレインと、スイッチSW2を介してブートストラップ用ダイオード2のカソードと、定電圧回路3の入力端とに接続される。定電圧回路3の出力端はブートストラップ用ダイオードD1のカソードに接続されている。そして、ブートストラップ用ダイオードD2のアノード及びブートストラップ用ダイオードD1のアノードが端子T3に接続され、スイッチング素子1のソースが端子T2に接続されている。   The terminal T1 is connected to the drain of the switching element 1 via the current detector 4, the cathode of the bootstrap diode 2 via the switch SW2, and the input terminal of the constant voltage circuit 3. The output terminal of the constant voltage circuit 3 is connected to the cathode of the bootstrap diode D1. The anode of the bootstrap diode D2 and the anode of the bootstrap diode D1 are connected to the terminal T3, and the source of the switching element 1 is connected to the terminal T2.

メインロジック生成部5は、発振器51と、インバータゲート52と、基準電圧源53と、コンパレータ54及び55と、フリップフロップ56と、NANDゲート57とによって構成されており、端子T4の電圧VFB及び電流検出部4の電流検出信号に基づいてロジック信号を生成する。 The main logic generation unit 5 includes an oscillator 51, an inverter gate 52, a reference voltage source 53, comparators 54 and 55, a flip-flop 56, and a NAND gate 57. The main logic generation unit 5 includes the voltage V FB and the voltage at the terminal T4. A logic signal is generated based on the current detection signal of the current detection unit 4.

レベルシフト回路6及びドライブ回路2は、それぞれ端子T3と端子T2との間の電圧(VB−VOUT)を駆動電圧としている。レベルシフト回路6はメインロジック生成部5から出力されたロジック信号をレベルシフトしてドライブ回路2に送出する。ドライブ回路2はレベルシフト回路6から出力された信号に応じてゲート駆動信号を生成しそのゲート駆動信号をスイッチング素子1のゲートに送出する。 The level shift circuit 6 and the drive circuit 2 each use a voltage (V B −V OUT ) between the terminal T3 and the terminal T2 as a drive voltage. The level shift circuit 6 level-shifts the logic signal output from the main logic generation unit 5 and sends it to the drive circuit 2. The drive circuit 2 generates a gate drive signal according to the signal output from the level shift circuit 6 and sends the gate drive signal to the gate of the switching element 1.

続いて、外付け部品の構成について以下に説明する。ブートストラップ用コンデンサBC1の一端が端子T3に接続され、ブートストラップ用コンデンサBC1の他端、コイルL1の一端、及びショットキーバリアダイオードSBD1のカソードが端子T2に接続される。ショットキーバリアダイオードSBD1のアノードがグランド電位に接続される。コイルL1の他端は、抵抗R1の一端、及び出力コンデンサC1の一端、及び出力電圧VOを出力する端子TOに接続される。抵抗R1の他端は、端子T4及び抵抗R2の一端に接続される。抵抗R2の他端及び出力コンデンサC1の他端はグランド電位に接続される。 Next, the configuration of the external parts will be described below. One end of the bootstrap capacitor BC1 is connected to the terminal T3, and the other end of the bootstrap capacitor BC1, one end of the coil L1, and the cathode of the Schottky barrier diode SBD1 are connected to the terminal T2. The anode of the Schottky barrier diode SBD1 is connected to the ground potential. The other end of the coil L1 is connected to one end of a resistor R1, one end of an output capacitor C1, and a terminal T O that outputs an output voltage V O. The other end of the resistor R1 is connected to the terminal T4 and one end of the resistor R2. The other end of the resistor R2 and the other end of the output capacitor C1 are connected to the ground potential.

図1に示すスイッチング電源回路のブートストラップ回路は、定電圧回路3と、ブートストラップ用ダイオードBD1と、スイッチSW2と、ブートストラップ用ダイオードBD2と、ブートストラップ用コンデンサBC1とによって構成されている。   The bootstrap circuit of the switching power supply circuit shown in FIG. 1 includes a constant voltage circuit 3, a bootstrap diode BD1, a switch SW2, a bootstrap diode BD2, and a bootstrap capacitor BC1.

入力電圧VINが定電圧回路3の定電圧VC以上である場合、定電圧回路3から出力される電圧は定電圧VCとなる。一方、入力電圧VINが定電圧回路3の定電圧VC未満である場合、定電圧回路3から出力される電圧は定電圧VC未満、さらには入力電圧VIN未満となる。そこで、入力電圧VINが設定電圧(定電圧回路3が定電圧VCの出力を維持できる入力電圧であって、レベルシフト回路6及びドライブ回路2の耐圧を越えない電圧、例えば6V)より大きい場合は、スイッチSW2をオフにして、定電圧回路3から出力される電圧によってブートするようにし、逆に、入力電圧VINが設定電圧以下である場合は、スイッチSW2をオンにして、入力電圧VINによってブートするようにする。 When the input voltage V IN is equal to or higher than the constant voltage V C of the constant voltage circuit 3, the voltage output from the constant voltage circuit 3 is the constant voltage V C. On the other hand, when the input voltage V IN is less than the constant voltage V C of the constant voltage circuit 3, the voltage output from the constant voltage circuit 3 is less than the constant voltage V C and further less than the input voltage V IN . Therefore, the input voltage V IN is larger than the set voltage (the input voltage at which the constant voltage circuit 3 can maintain the output of the constant voltage V C and does not exceed the withstand voltage of the level shift circuit 6 and the drive circuit 2, for example, 6 V). In this case, the switch SW2 is turned off and booting is performed with the voltage output from the constant voltage circuit 3. Conversely, when the input voltage V IN is equal to or lower than the set voltage, the switch SW2 is turned on and the input voltage is Boot with V IN .

スイッチSW2をオフにして、定電圧回路3から出力される定電圧VCによってブートするようにすると、端子T3と端子T2との間の電圧(VB−VOUT)はVC−VF1+Vfとなる。ただし、VfはショットキーバリアダイオードSBD1の順方向電圧である。この端子T3と端子T2との間の電圧(VB−VOUT)を、レベルシフト回路6及びドライブ回路2内のトランジスタの耐圧(例えば5V)を越えない範囲でできる限り高い電圧に設定することにより、スイッチング素子1のゲート電圧を高く設定することができ、スイッチング素子1のオン抵抗が小さくなり、効率が向上する。また、端子T3と端子T2との間の電圧(VB−VOUT)を、レベルシフト回路6及びドライブ回路2内のトランジスタの耐圧(例えば5V)を越えない範囲でできる限り高い電圧に設定することにより、レベルシフト回路6及びドライブ回路2の遅延時間が抑制されるとともに、スイッチング素子1の立上り、立下り時間が早くなり、発振周波数の高周波化への対応が可能となる。 When the switch SW2 is turned off to boot with the constant voltage V C output from the constant voltage circuit 3, the voltage (V B −V OUT ) between the terminal T3 and the terminal T2 is V C −V F1 + V. f . V f is the forward voltage of the Schottky barrier diode SBD1. The voltage (V B −V OUT ) between the terminal T3 and the terminal T2 is set as high as possible within a range not exceeding the breakdown voltage (for example, 5V) of the transistors in the level shift circuit 6 and the drive circuit 2. Thus, the gate voltage of the switching element 1 can be set high, the on-resistance of the switching element 1 is reduced, and the efficiency is improved. Further, the voltage (V B −V OUT ) between the terminal T3 and the terminal T2 is set as high as possible within a range not exceeding the breakdown voltage (for example, 5 V) of the transistors in the level shift circuit 6 and the drive circuit 2. As a result, the delay time of the level shift circuit 6 and the drive circuit 2 is suppressed, and the rise time and fall time of the switching element 1 are shortened, thereby making it possible to cope with higher oscillation frequencies.

一方、スイッチSW2をオンにして、入力電圧VINによってブートするようにすると、端子T3と端子T2との間の電圧(VB−VOUT)はVIN−VF2+Vfとなり、定電圧回路3から出力される電圧によってブートするよりも、端子T3と端子T2との間の電圧(VB−VOUT)の低下を抑えることができる。 On the other hand, when the switch SW2 is turned on to boot by the input voltage V IN , the voltage (V B −V OUT ) between the terminal T3 and the terminal T2 becomes V IN −V F2 + V f , and the constant voltage circuit Rather than booting with the voltage output from 3, the voltage (V B −V OUT ) between the terminal T3 and the terminal T2 can be suppressed from decreasing.

以上のような動作により、発振周波数の高周波化及び入力電圧の広範囲化を図ることができる。また、定電圧回路の構成が簡単であるため、安価である。   With the above operation, it is possible to increase the oscillation frequency and widen the input voltage. Further, since the configuration of the constant voltage circuit is simple, it is inexpensive.

次に、本発明の第二実施形態に係るブートストラップ型スイッチング電源回路を図2に示す。尚、図2において、図1と同一の部分には同一の符号を付す。   Next, a bootstrap type switching power supply circuit according to the second embodiment of the present invention is shown in FIG. In FIG. 2, the same parts as those in FIG.

図2に示すスイッチング電源回路では、図1に示すスイッチング電源回路において端子T1とブートストラップ用ダイオードBD2のアノードとの間に設けられていたスイッチSW2をブートストラップ用ダイオードBD2のカソードと端子T3との間に設け、さらに、スイッチSW1をブートストラップ用ダイオードBD1のカソードと端子T3との間に設けた構成である。   In the switching power supply circuit shown in FIG. 2, the switch SW2 provided between the terminal T1 and the anode of the bootstrap diode BD2 in the switching power supply circuit shown in FIG. 1 is connected between the cathode of the bootstrap diode BD2 and the terminal T3. Further, the switch SW1 is provided between the cathode of the bootstrap diode BD1 and the terminal T3.

入力電圧VINが設定電圧(定電圧回路3が定電圧VCの出力を維持できる入力電圧であって、レベルシフト回路6及びドライブ回路2の耐圧を越えない電圧、例えば6V)より大きい場合は、スイッチSW1をオンにし、スイッチSW2をオフにし、入力電圧VINが設定電圧以下である場合は、スイッチSW1をオフにし、スイッチSW2をオンにする。このような動作により、図2に示すスイッチング電源回路は、図1に示すスイッチング電源回路と同様の効果を奏することができる。 When the input voltage V IN is higher than the set voltage (the input voltage that allows the constant voltage circuit 3 to maintain the output of the constant voltage V C and does not exceed the withstand voltage of the level shift circuit 6 and the drive circuit 2, for example, 6 V). The switch SW1 is turned on, the switch SW2 is turned off, and when the input voltage V IN is equal to or lower than the set voltage, the switch SW1 is turned off and the switch SW2 is turned on. With such an operation, the switching power supply circuit shown in FIG. 2 can achieve the same effects as the switching power supply circuit shown in FIG.

ここで、図1に示すスイッチング電源回路の具体例、すなわちスイッチSW2のオン/オフを制御するスイッチ制御部を含む構成例を図3に示す。尚、図3において、図1と同一の部分には同一の符号を付す。   Here, FIG. 3 shows a specific example of the switching power supply circuit shown in FIG. 1, that is, a configuration example including a switch control unit that controls ON / OFF of the switch SW2. In FIG. 3, the same parts as those in FIG.

図3においては、端子T5、インバータゲート7、及びインバータゲート8が、スイッチ制御部に該当しており、最も安価なスイッチ制御部となる。図3に示す構成によると、端子T5に例えばHighレベルの信号、Lowレベルの信号のいずれかを入力することで、入力電圧VINと定電圧回路3の出力電圧のどちらによってブートするかを外部から選択することができる。したがって、入力使用条件を考慮し、ユーザーが、入力電圧VINと定電圧回路3の出力電圧のどちらによってブートするかを選択することができる。入力電圧VINによってブートする場合は、スイッチSW2をオンにし、定電圧回路3の出力電圧によってブートする場合は、スイッチSWをオフにする。
In FIG. 3, the terminal T5, the inverter gate 7 and the inverter gate 8 correspond to the switch control unit and are the cheapest switch control unit. According to the configuration shown in FIG. 3, for example, by inputting either a high level signal or a low level signal to the terminal T5, it is determined whether the boot is performed by the input voltage V IN or the output voltage of the constant voltage circuit 3. You can choose from. Therefore, in consideration of the input usage conditions, the user can select whether to boot by the input voltage V IN or the output voltage of the constant voltage circuit 3. When booting the input voltage V IN turns on the switch SW2, when booting the output voltage of the constant voltage circuit 3 turns off the switch SW 2.

次に、図1に示すスイッチング電源回路の他の具体例、すなわちスイッチSW2のオン/オフを制御するスイッチ制御部を含む他の構成例を図4に示す。尚、図4において、図1と同一の部分には同一の符号を付す。   Next, FIG. 4 shows another specific example of the switching power supply circuit shown in FIG. 1, that is, another configuration example including a switch control unit that controls on / off of the switch SW2. In FIG. 4, the same parts as those in FIG.

図4においては、入力電圧検出回路9が、スイッチ制御部に該当しており、入力電圧VINの検出結果に応じて、入力電圧VINと定電圧回路3の出力電圧のどちらによってブートするかを選択している。 Or in FIG. 4, the input voltage detection circuit 9, which correspond to the switch control unit, in accordance with the detection result of the input voltage V IN, boots by either of the input voltage V IN and the output voltage of the constant voltage circuit 3 Is selected.

入力電圧検出回路9の一例を図5に示す。図5に示す入力電圧検出回路は、抵抗91及び92と、ヒステリシスコンパレータ93と、基準電圧源94と、インバータゲート95及び96とを備えており、基準電圧源94の基準電圧VREFと入力電圧VINの分圧VDとをヒステリシスコンパレータ93が比較して、入力電圧VINが設定電圧(定電圧回路3が定電圧VCの出力を維持できる入力電圧であって、レベルシフト回路6及びドライブ回路2の耐圧を越えない電圧、例えば6V)以下になれば、インバータゲート96がHighレベルの信号を出力してスイッチSW2(図5において不図示)をオンにする。 An example of the input voltage detection circuit 9 is shown in FIG. The input voltage detection circuit shown in FIG. 5 includes resistors 91 and 92, a hysteresis comparator 93, a reference voltage source 94, and inverter gates 95 and 96. The reference voltage V REF of the reference voltage source 94 and the input voltage are provided. the divided V D of the V iN and compares hysteresis comparator 93, the input voltage V iN is set voltage (constant-voltage circuit 3 and an input voltage which can maintain the output of the constant voltage V C, the level shift circuit 6 and When the voltage does not exceed the breakdown voltage of the drive circuit 2 (for example, 6 V) or less, the inverter gate 96 outputs a high level signal to turn on the switch SW2 (not shown in FIG. 5).

上述した図4に示すスイッチング電源回路において、入力電圧VINが設定電圧より高い場合の端子T3の電圧VBと端子T2の電圧VOUTの各波形及びスイッチSW2とスイッチング素子1の状態は図6に示すようになり、入力電圧VINが設定電圧より低い場合の端子T3の電圧VBと端子T2の電圧VOUTの各波形及びスイッチSW2とスイッチング素子1の状態は図7に示すようになる。 In the switching power supply circuit shown in FIG. 4, the waveforms of the voltage V B at the terminal T3 and the voltage V OUT at the terminal T2 and the states of the switch SW2 and the switching element 1 when the input voltage V IN is higher than the set voltage are shown in FIG. The waveforms of the voltage V B at the terminal T3 and the voltage V OUT at the terminal T2 and the states of the switch SW2 and the switching element 1 when the input voltage V IN is lower than the set voltage are as shown in FIG. .

上述した図1〜図4に示すスイッチング電源回路では、ダイオード素子であるブートストラップ用ダイオードを用いていたが、ダイオード素子であるブートストラップ用ダイオードに代えてLDMOSを用いることで、ダイオードが不要になりエピ、埋め込みの工程を削減することができるため、安価なプロセスで製造可能となる。また、ダイオード素子であるブートストラップ用ダイオードに代えてLDMOSを用いることで、高速応答にも対応可能となる。さらに、LDMOSはスイッチを兼ねることもできるため、スイッチSW1やSW2を削減しコスト削減を図ることも可能である。   In the switching power supply circuit shown in FIGS. 1 to 4 described above, a bootstrap diode that is a diode element is used. However, by using an LDMOS instead of a bootstrap diode that is a diode element, a diode becomes unnecessary. Since the steps of epi and embedding can be reduced, it is possible to manufacture by an inexpensive process. Further, by using an LDMOS instead of a bootstrap diode that is a diode element, it is possible to cope with a high-speed response. Furthermore, since the LDMOS can also serve as a switch, it is possible to reduce the cost by reducing the switches SW1 and SW2.

LDMOSは、例えば図8に示すような断面構造を有する、高中耐圧ドレイン電圧及び低オン抵抗の実現が可能な素子であり、一般的にドレイン耐圧は大きいが、ゲート耐圧及びソース耐圧は低い。したがって、ブートストラップにより高い電圧となる電圧VB(図6及び図7参照)がかかる端子T3にはLDMOSのドレインを接続する。 The LDMOS is an element having a cross-sectional structure as shown in FIG. 8 and capable of realizing a high and medium breakdown voltage drain voltage and a low on-resistance. Generally, the drain breakdown voltage is large, but the gate breakdown voltage and the source breakdown voltage are low. Therefore, the drain of the LDMOS is connected to the terminal T3 to which the voltage V B (see FIGS. 6 and 7) that becomes a high voltage due to the bootstrap is applied.

ブートストラップ用ダイオードをLDMOSに代えた図3に示すスイッチング電源回路の変形例を図9に示し、ブートストラップ用ダイオードをLDMOSに代えた図4に示すスイッチング電源回路の変形例を図10に示す。   FIG. 9 shows a modification of the switching power supply circuit shown in FIG. 3 in which the bootstrap diode is replaced with LDMOS, and FIG. 10 shows a modification of the switching power supply circuit shown in FIG. 4 in which the bootstrap diode is replaced with LDMOS.

図9及び図10に示すスイッチング電源回路では、LDMOS101のドレインを端子T3に接続し、LDMOS101のゲート及びソースを定電圧回路3の出力側に接続し、バックゲート制御回路10によりLDMOS101のバックゲートを制御する。LDMOS101のバックゲートがスイッチSW3を介してゲート及びソースに接続されスイッチSW4を介してドレインに接続されている。   In the switching power supply circuit shown in FIGS. 9 and 10, the drain of the LDMOS 101 is connected to the terminal T3, the gate and source of the LDMOS 101 are connected to the output side of the constant voltage circuit 3, and the back gate of the LDMOS 101 is connected by the back gate control circuit 10. Control. The back gate of the LDMOS 101 is connected to the gate and source via the switch SW3 and is connected to the drain via the switch SW4.

また、図9及び図10に示すスイッチング電源回路では、LDMOS102のドレインを端子T3に接続し、LDMOS102のゲート及びソースを端子T1に接続し、バックゲート制御回路10によりLDMOS102のバックゲートを制御する。LDMOS102のバックゲートがスイッチSW5を介してゲート及びソースに接続されスイッチSW6を介してドレインに接続されている。   In the switching power supply circuit shown in FIGS. 9 and 10, the drain of the LDMOS 102 is connected to the terminal T3, the gate and source of the LDMOS 102 are connected to the terminal T1, and the back gate control circuit 10 controls the back gate of the LDMOS 102. The back gate of the LDMOS 102 is connected to the gate and source via the switch SW5, and is connected to the drain via the switch SW6.

スイッチング素子1がオンである場合は、バックゲート制御回路10が、スイッチSW3及びSW5をオンにしスイッチSW4及びSW6をオフにして、LDMOS101及び102をオフにする。スイッチング素子1がオフであり且つ定電圧回路3から出力される電圧によってブートする場合は、バックゲート制御回路10が、スイッチSW4及びSW5をオンにしスイッチSW6及びSW6をオフにして、LDMOS101を逆方向にオンにし、LDMOS102をオフにする。スイッチング素子1がオフであり且つ入力電圧VINによってブートする場合は、バックゲート制御回路10が、スイッチSW3及びSW6をオンにしスイッチSW4及びSW5をオフにして、LDMOS101をオフにし、LDMOS102を逆方向にオンにする。 When the switching element 1 is on, the back gate control circuit 10 turns on the switches SW3 and SW5, turns off the switches SW4 and SW6, and turns off the LDMOSs 101 and 102. When the switching element 1 is off and boots with the voltage output from the constant voltage circuit 3, the back gate control circuit 10 turns on the switches SW4 and SW5, turns off the switches SW6 and SW6, and turns the LDMOS 101 in the reverse direction. The LDMOS 102 is turned off. When the switching element 1 is off and boots with the input voltage VIN , the back gate control circuit 10 turns on the switches SW3 and SW6, turns off the switches SW4 and SW5, turns off the LDMOS 101, and turns the LDMOS 102 in the reverse direction. Turn on.

バックゲート制御回路10は、スイッチング素子1がオンであるかオフであるかをブート部制御回路11の出力に基づいて認識している。また、バックゲート制御回路10は、インバータゲート7及び8の出力又は入力電圧検出回路9の出力に基づいて、定電圧回路3から出力される電圧によってブートするか入力電圧VINによってブートするかを決定している。尚、図10に示すスイッチング電源回路では、入力電圧VINが設定電圧(定電圧回路3が定電圧VCの出力を維持できる入力電圧であって、レベルシフト回路6及びドライブ回路2の耐圧を越えない電圧、例えば6V)より高い場合に定電圧回路3から出力される電圧によってブートし、入力電圧VINが設定電圧以下の場合に、入力電圧VINによってブートするようにしている。 The back gate control circuit 10 recognizes whether the switching element 1 is on or off based on the output of the boot unit control circuit 11. Further, the back gate control circuit 10 determines whether to boot with the voltage output from the constant voltage circuit 3 or with the input voltage V IN based on the output of the inverter gates 7 and 8 or the output of the input voltage detection circuit 9. Has been decided. In the switching power supply circuit shown in FIG. 10, the input voltage V IN is a set voltage (the constant voltage circuit 3 is an input voltage that can maintain the output of the constant voltage V C , and the withstand voltages of the level shift circuit 6 and the drive circuit 2 are reduced. beyond not voltage, for example, booting the voltage output from the constant-voltage circuit 3 is higher than 6V), if the input voltage V iN is set voltage or less, so that booting by the input voltage V iN.

上述した図10に示すスイッチング電源回路において、入力電圧VINが設定電圧より高い場合の端子T3の電圧VBと端子T2の電圧VOUTの各波形並びにスイッチSW3〜SW6とLDMOS101及び102とスイッチング素子1の状態は図11に示すようになり、入力電圧VINが設定電圧より低い場合の端子T3の電圧VBと端子T2の電圧VOUTの各波形並びにスイッチSW3〜SW6とLDMOS101及び102とスイッチング素子1の状態は図12に示すようになる。 In the switching power supply circuit shown in FIG. 10 described above, the waveforms of the voltage V B at the terminal T3 and the voltage V OUT at the terminal T2 when the input voltage V IN is higher than the set voltage, the switches SW3 to SW6, the LDMOSs 101 and 102, and the switching element. The state of 1 is as shown in FIG. 11. When the input voltage V IN is lower than the set voltage, the waveforms of the voltage V B at the terminal T3 and the voltage V OUT at the terminal T2 and the switches SW3 to SW6 and the LDMOSs 101 and 102 are switched. The state of the element 1 is as shown in FIG.

なお、スイッチSW3及びスイッチSW5はそれぞれPch電界効果トランジスタを用いることが可能であり、スイッチSW4及びスイッチSW6はそれぞれNch電界効果トランジスタを用いることが可能である。ただし、Pch電界効果トランジスタ、Nch電界効果トランジスタともに、ゲート、ソース、ドレイン全てにおいて高中耐圧でなければならない。   The switch SW3 and the switch SW5 can each use a Pch field effect transistor, and the switch SW4 and the switch SW6 can each use an Nch field effect transistor. However, both the Pch field effect transistor and the Nch field effect transistor must have a high and medium breakdown voltage in all of the gate, source, and drain.

スイッチSW3として用いるPch電界効果トランジスタ(以下、PchトランジスタS3という)、スイッチSW5として用いるPch電界効果トランジスタ(以下、PchトランジスタS5という)の各バックゲートは定電圧回路3の出力側に接続され、スイッチSW4として用いるNch電界効果トランジスタ(以下、NchトランジスタS4という)、スイッチSW6として用いるNch電界効果トランジスタ(以下、NchトランジスタS6という)の各バックゲートはGNDに接続される。そして、ドライブ回路2の出力信号(スイッチング素子1のゲート信号)と同期した信号を、PchトランジスタS3、PchトランジスタS5、NchトランジスタS4、NchトランジスタS6の各ゲートに供給する。   The back gates of the Pch field effect transistor (hereinafter referred to as Pch transistor S3) used as the switch SW3 and the Pch field effect transistor (hereinafter referred to as Pch transistor S5) used as the switch SW5 are connected to the output side of the constant voltage circuit 3, and the switch The back gates of the Nch field effect transistor (hereinafter referred to as Nch transistor S4) used as SW4 and the Nch field effect transistor (hereinafter referred to as Nch transistor S6) used as switch SW6 are connected to GND. Then, a signal synchronized with the output signal of the drive circuit 2 (the gate signal of the switching element 1) is supplied to each gate of the Pch transistor S3, Pch transistor S5, Nch transistor S4, and Nch transistor S6.

PchトランジスタS3、PchトランジスタS5、NchトランジスタS4、NchトランジスタS6の各ゲート信号が同期していると、PchトランジスタS3、PchトランジスタS5、NchトランジスタS4、NchトランジスタS6の状態が同時に切り替わる。この場合、PchトランジスタS3、PchトランジスタS5、NchトランジスタS4、NchトランジスタS6が同時オンする時間が生じてしまう。同時オンの時間は1ns以下と非常に短いが、その時間においてLDMOS101及び102のソース‐ドレイン間が貫通してしまい、スイッチング素子1がオンしているときに貫通すれば、定電圧回路3の出力電圧を電源電圧として用いている低耐圧系回路(6V以下)は破壊してしまう。したがって、PchトランジスタS3、PchトランジスタS5、NchトランジスタS4、NchトランジスタS6の各ゲート信号に同時オフ期間ができるように、遅延した信号(例えば、PchトランジスタS3のゲート信号に対してPchトランジスタS5のゲート信号を遅延させ、NchトランジスタS4のゲート信号に対してNchトランジスタS6のゲート信号を遅延させる)を用いて、低耐圧系回路(6V以下)の破壊を回避するとよい。   When the gate signals of Pch transistor S3, Pch transistor S5, Nch transistor S4, and Nch transistor S6 are synchronized, the states of Pch transistor S3, Pch transistor S5, Nch transistor S4, and Nch transistor S6 are switched simultaneously. In this case, a time occurs when the Pch transistor S3, the Pch transistor S5, the Nch transistor S4, and the Nch transistor S6 are simultaneously turned on. The simultaneous ON time is as short as 1 ns or less, but the source-drain of the LDMOSs 101 and 102 penetrates at that time, and if the switching element 1 is penetrated, the output of the constant voltage circuit 3 A low withstand voltage system circuit (6 V or less) using the voltage as the power supply voltage will be destroyed. Therefore, a delayed signal (for example, the gate of the Pch transistor S5 with respect to the gate signal of the Pch transistor S3 so that the gate signals of the Pch transistor S3, the Pch transistor S5, the Nch transistor S4, and the Nch transistor S6 can be simultaneously turned off). It is preferable to avoid destruction of the low withstand voltage system circuit (6 V or less) by delaying the signal and delaying the gate signal of the Nch transistor S6 with respect to the gate signal of the Nch transistor S4.

次に、本発明の第三実施形態に係るブートストラップ型スイッチング電源回路を図13に示す。尚、図13において、図2と同一の部分には同一の符号を付す。   Next, a bootstrap type switching power supply circuit according to a third embodiment of the present invention is shown in FIG. In FIG. 13, the same parts as those in FIG.

図13に示す本発明の第三実施形態に係るブートストラップ型スイッチング電源回路は、図2に示す本発明の第二実施形態に係るブートストラップ型スイッチング電源回路に、2ビットの外部制御信号を入力する端子T6及びT7と、端子TOに接続される端子T8と、カソードが端子T3に接続されるブートストラップ用ダイオードBD3と、ブートストラップ用ダイオードBD3のアノードと端子T8との間に設けられるスイッチSW7と、端子T6及びT7に入力された2ビットの外部制御信号に応じてスイッチSW1、SW2、及びSW7のいずれか一つをオンにするスイッチ制御回路12とを新たに設け、ブートストラップ用ダイオードBD1のカソードと端子T3との間に設けられていたスイッチSW1を定電圧回路3の出力側とブートストラップ用ダイオードBD1のアノードとの間に設けた構成である。 The bootstrap type switching power supply circuit according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 13 inputs a 2-bit external control signal to the bootstrap type switching power supply circuit according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. Terminals T6 and T7, a terminal T8 connected to the terminal T O , a bootstrap diode BD3 whose cathode is connected to the terminal T3, and a switch provided between the anode of the bootstrap diode BD3 and the terminal T8 SW7 and a switch control circuit 12 that turns on one of the switches SW1, SW2, and SW7 according to a 2-bit external control signal input to the terminals T6 and T7 are newly provided, and a bootstrap diode The switch SW1 provided between the cathode of the BD1 and the terminal T3 is connected to the output side of the constant voltage circuit 3. A structure provided between the anode of the bootstrap diode BD1.

図1に示す本発明の第一実施形態に係るブートストラップ型スイッチング電源回路や図2に示す本発明の第二実施形態に係るブートストラップ型スイッチング電源回路が、入力電圧VINと定電圧回路3の出力電圧のどちらによってブートするかを選択しているのに対して、図13に示す本発明の第三実施形態に係るブートストラップ型スイッチング電源回路は、入力電圧VINと定電圧回路3の出力電圧と出力電圧VOのいずれかによってブートするかを選択している。 Bootstrap switching power supply circuit according to a second embodiment of the present invention shown in the bootstrap switching power circuit and 2 according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1, the input voltage V IN and a constant voltage circuit 3 The bootstrap type switching power supply circuit according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 13 is different from the input voltage V IN and the constant voltage circuit 3. The boot is selected depending on either the output voltage or the output voltage V O.

このため、図13に示す本発明の第三実施形態に係るブートストラップ型スイッチング電源回路は、入力電圧VINが定電圧回路3から出力される定電圧VCの設定値を下回り、定電圧回路3の出力電圧が定電圧VCよりも少し下がり、出力電圧VOが定電圧回路3の出力電圧よりも大きくなる場合に好適である。例えば、定電圧回路3が定電圧VCを出力可能な入力電圧VINが得られる場合はスイッチSW1をオンにしスイッチSW2及びSWをオフにし、定電圧回路3が定電圧VCを出力可能な入力電圧VINが得られず、定電圧回路3の出力電圧が出力電圧VOよりも大きい場合はSW2をオンにしスイッチSW1及びSWをオフにし、定電圧回路3が定電圧VCを出力可能な入力電圧VINが得られず、定電圧回路3の出力電圧が出力電圧VOよりも大きくない場合はSWをオンにしスイッチSW1及びSW2をオフにするような2ビットの外部制御信号を端子T6及びT7に入力するとよい。
Therefore, in the bootstrap type switching power supply circuit according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 13, the input voltage V IN falls below the set value of the constant voltage V C output from the constant voltage circuit 3, and the constant voltage circuit This is suitable when the output voltage 3 is slightly lower than the constant voltage V C and the output voltage V O is larger than the output voltage of the constant voltage circuit 3. For example, when the input voltage V IN that allows the constant voltage circuit 3 to output the constant voltage V C is obtained, the switch SW 1 is turned on and the switches SW 2 and SW 7 are turned off, so that the constant voltage circuit 3 can output the constant voltage V C. Do input voltage V iN can not be obtained, when the output voltage of the constant voltage circuit 3 is greater than the output voltage V O turns off the switch SW1 and SW 7 to turn on SW2, the constant voltage circuit 3 and the constant voltage V C When the output voltage V IN that can be output is not obtained and the output voltage of the constant voltage circuit 3 is not greater than the output voltage V O, 2-bit external control that turns on the SW 7 and turns off the switches SW1 and SW2 A signal may be input to terminals T6 and T7.

尚、図1〜図4に示すスイッチング電源回路において、ダイオード素子であるブートストラップ用ダイオードに代えてLDMOSを用いることが可能であるのと同様に、図13に示す本発明の第三実施形態に係るブートストラップ型スイッチング電源回路においても、ダイオード素子であるブートストラップ用ダイオードBD1〜BDに代えてLDMOSを用いることが可能である。   In the switching power supply circuit shown in FIGS. 1 to 4, the LDMOS can be used in place of the bootstrap diode which is a diode element, and the third embodiment of the present invention shown in FIG. Also in such a bootstrap switching power supply circuit, LDMOS can be used in place of the bootstrap diodes BD1 to BD which are diode elements.

また、図13に示す本発明の第三実施形態に係るブートストラップ型スイッチング電源回路において、端子T6及びT7並びにスイッチ制御回路12に代えて、図14に示すスイッチ制御回路を設けるようにしてもよい。   Further, in the bootstrap type switching power supply circuit according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 13, a switch control circuit shown in FIG. 14 may be provided in place of the terminals T6 and T7 and the switch control circuit 12. .

スイッチSW1、SW2、及びSW7をHighレベルの制御信号でオンになり、Lowレベルの制御信号でオフになるスイッチとし、さらに、定電圧回路3が定電圧VCを出力可能な入力電圧VINが得られるときに、入力電圧VINの分圧VDが基準電圧VREFよりも大きくなり、定電圧回路3が定電圧VCを出力可能な入力電圧VINが得られないときに、入力電圧VINの分圧VDが基準電圧VREF以下になるように、入力電圧VINを分圧する分圧抵抗の抵抗値及び基準電圧VREFの値を設定すると、定電圧回路3が定電圧VCを出力可能な入力電圧VINが得られる場合はスイッチSW1をオンにしスイッチSW2及びSWをオフにする。定電圧回路3が定電圧VCを出力可能な入力電圧VINが得られず、定電圧回路3の出力電圧が出力電圧VOよりも大きい場合はSW2をオンにしスイッチSW1及びSWをオフにし、定電圧回路3が定電圧VCを出力可能な入力電圧VINが得られず、定電圧回路3の出力電圧が出力電圧VOよりも大きくない場合はSWをオンにしスイッチSW1及びSW2をオフにすることができる。
The switches SW1 , SW2 and SW7 are turned on by a high level control signal and turned off by a low level control signal. Further, an input voltage V IN at which the constant voltage circuit 3 can output a constant voltage V C is provided. When the divided voltage V D of the input voltage V IN becomes larger than the reference voltage V REF when the input voltage V IN is obtained, and the input voltage V IN that can output the constant voltage V C cannot be obtained, the input voltage V partial pressure V D of V iN so becomes equal to or lower than the reference voltage V REF, by setting the value of the resistance value and the reference voltage V REF of the voltage dividing resistors for dividing the input voltage V iN, the constant-voltage circuit 3 is constant voltage V when the input voltage V iN can output a C is obtained to turn off the switch SW2 and SW 7 to turn on the switch SW1. Constant voltage circuit 3 is not to obtain the input voltage V IN can output a constant voltage V C, the constant when the output voltage of the voltage circuit 3 is greater than the output voltage V O turns on the SW2 off switches SW1 and SW 7 If the input voltage V IN from which the constant voltage circuit 3 can output the constant voltage V C is not obtained and the output voltage of the constant voltage circuit 3 is not larger than the output voltage V O , the SW 7 is turned on and the switches SW1 and SW SW2 can be turned off.

本発明に係るスイッチング電源回路は、LED駆動回路を含むものである(例:抵抗R1をLEDに置き換える)。本発明に係るスイッチング電源回路は電子機器全般に搭載可能であるが、特に低コスト、小型化が必要な次に示す電子機器に用いると好適である。
・カーオーディオなどの車戴機器
・液晶テレビ等各種テレビ、DVDビデオなどのAV機器
・CD−ROM装置、CD−R装置、DVD装置などのパソコン周辺機器
・携帯電話機の液晶画面バックライト用LEDドライバ
上記好適例の中でも、光ストレージ装置、液晶テレビなどの電子機器が特に好適である。
The switching power supply circuit according to the present invention includes an LED driving circuit (for example, the resistor R1 is replaced with an LED). The switching power supply circuit according to the present invention can be mounted on all electronic devices, but is particularly suitable for use in the following electronic devices that require low cost and downsizing.
・ Vehicle equipment such as car audio ・ Various TVs such as LCD TVs, AV equipment such as DVD-Video ・ Computer peripherals such as CD-ROM devices, CD-R devices and DVD devices ・ LED drivers for LCD screen backlights of mobile phones Among the above preferred examples, electronic devices such as an optical storage device and a liquid crystal television are particularly suitable.

は、本発明の第一実施形態に係るブートストラップ型スイッチング電源回路の構成を示す図である。These are figures which show the structure of the bootstrap type | mold switching power supply circuit which concerns on 1st embodiment of this invention. は、本発明の第二実施形態に係るブートストラップ型スイッチング電源回路の構成を示す図である。These are figures which show the structure of the bootstrap type | mold switching power supply circuit which concerns on 2nd embodiment of this invention. は、図1に示すスイッチング電源回路の具体例を示す図である。These are figures which show the specific example of the switching power supply circuit shown in FIG. は、図1に示すスイッチング電源回路の他の具体例を示す図である。These are figures which show the other specific example of the switching power supply circuit shown in FIG. は、入力電圧検出回路の一例を示す図である。These are figures which show an example of an input voltage detection circuit. は、入力電圧が設定電圧より高い場合の各部電圧波形及び各素子の状態を示す図である。These are figures which show the state of each part voltage waveform and each element in case an input voltage is higher than a setting voltage. は、入力電圧が設定電圧より低い場合の各部電圧波形及び各素子の状態を示す図である。These are figures which show the state of each part voltage waveform and each element in case an input voltage is lower than a setting voltage. は、LDMOSの断面構造を示す図である。These are figures which show the cross-section of LDMOS. は、ブートストラップ用ダイオードをLDMOSに代えた図3に示すスイッチング電源回路の変形例を示す図である。These are figures which show the modification of the switching power supply circuit shown in FIG. 3 which replaced the diode for bootstrap with LDMOS. は、ブートストラップ用ダイオードをLDMOSに代えた図4に示すスイッチング電源回路の変形例を示す図である。These are figures which show the modification of the switching power supply circuit shown in FIG. 4 which replaced the diode for bootstrap with LDMOS. は、入力電圧が設定電圧より高い場合の各部電圧波形及び各素子の状態を示す図である。These are figures which show the state of each part voltage waveform and each element in case an input voltage is higher than a setting voltage. は、入力電圧が設定電圧より低い場合の各部電圧波形及び各素子の状態を示す図である。These are figures which show the state of each part voltage waveform and each element in case an input voltage is lower than a setting voltage. は、本発明の第三実施形態に係るブートストラップ型スイッチング電源回路の構成を示す図である。These are figures which show the structure of the bootstrap type | mold switching power supply circuit which concerns on 3rd embodiment of this invention. は、スイッチ制御回路の一例を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a switch control circuit. は、従来のブートストラップ型スイッチング電源回路の一構成例を示す図である。These are figures which show the example of 1 structure of the conventional bootstrap type | mold switching power supply circuit. は、従来のブートストラップ型スイッチング電源回路の他の構成例を示す図である。These are figures which show the other structural example of the conventional bootstrap type | mold switching power supply circuit. は、定電圧回路の入出力電圧特性を示す図である。These are figures which show the input-output voltage characteristic of a constant voltage circuit.

符号の説明Explanation of symbols

1 スイッチング素子
2 ドライブ回路
3 定電圧回路
4 電流検出部
5 メインロジック生成部
6 レベルシフト回路
7、8 インバータゲート
9 入力電圧検出回路
10 バックゲート制御回路
11 ブート部制御回路
12 スイッチ制御回路
51 発振器
52 インバータゲート
53 基準電圧源
54、55 コンパレータ
56 フリップフロップ
57 NANDゲート
91、92 抵抗
93 ヒステリシスコンパレータ
94 基準電圧源
95、96 インバータゲート
100 スイッチング電源IC
101、102 LDMOS
BC1 ブートストラップ用コンデンサ
BD1〜BD3 ブートストラップ用ダイオード
C1 出力コンデンサ
L1 コイル
R1、R2 抵抗
SBD1 ショットキーバリアダイオード
SW1〜SW7 スイッチ
T1〜T8 端子
O 出力端子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Switching element 2 Drive circuit 3 Constant voltage circuit 4 Current detection part 5 Main logic generation part 6 Level shift circuit 7, 8 Inverter gate 9 Input voltage detection circuit 10 Back gate control circuit 11 Boot part control circuit 12 Switch control circuit 51 Oscillator 52 Inverter gate 53 Reference voltage source 54, 55 Comparator 56 Flip-flop 57 NAND gate 91, 92 Resistor 93 Hysteresis comparator 94 Reference voltage source 95, 96 Inverter gate 100 Switching power supply IC
101, 102 LDMOS
BC1 Bootstrap capacitor BD1 to BD3 Bootstrap diode C1 Output capacitor L1 Coil R1, R2 Resistor SBD1 Schottky barrier diode SW1 to SW7 Switch T1 to T8 terminal T O Output terminal

Claims (9)

スイッチング素子と、
前記スイッチング素子を駆動するドライブ回路と、
前記ドライブ回路に電源供給するためのブートストラップ回路と、
入力電圧を降圧して定電圧を得る定電圧回路とを備え、
前記ブートストラップ回路が、前記定電圧回路から出力される電圧によってブートするモードと、前記入力電圧によってブートするモードを含む複数の動作モードを有し、
前記ブートストラップ回路が、アノードに前記定電圧回路から出力される電圧が供給される第1のブートストラップ用ダイオードと、アノードに前記入力電圧が供給される第2のブートストラップ用ダイオードとを備えることを特徴とするスイッチング電源回路。
A switching element;
A drive circuit for driving the switching element;
A bootstrap circuit for supplying power to the drive circuit;
And a constant voltage circuit that obtains a constant voltage by stepping down the input voltage,
The bootstrap circuit, the a mode to boot the voltage output from the constant voltage circuit, have a plurality of operation modes including a mode to boot by said input voltage,
The bootstrap circuit includes a first bootstrap diode whose anode is supplied with a voltage output from the constant voltage circuit, and a second bootstrap diode whose anode is supplied with the input voltage. A switching power supply circuit.
外部から入力される外部制御信号により、前記ブートストラップ回路が、前記複数の動作モードから一つのモードを選択する請求項1に記載のスイッチング電源回路。The switching power supply circuit according to claim 1, wherein the bootstrap circuit selects one mode from the plurality of operation modes by an external control signal input from the outside. 前記入力電圧を検出する入力電圧検出回路を備え、An input voltage detection circuit for detecting the input voltage;
前記入力電圧検出回路によって検出された前記入力電圧が設定電圧より大きい場合は、前記ブートストラップ回路が、前記定電圧回路から出力される電圧によってブートするモードを選択し、When the input voltage detected by the input voltage detection circuit is larger than a set voltage, the bootstrap circuit selects a mode for booting with a voltage output from the constant voltage circuit,
前記入力電圧検出回路によって検出された前記入力電圧が設定電圧以下である場合は、前記ブートストラップ回路が、前記定電圧回路から出力される電圧によってブートするモード以外のモードを選択する請求項1に記載のスイッチング電源回路。2. The bootstrap circuit selects a mode other than a mode for booting with a voltage output from the constant voltage circuit when the input voltage detected by the input voltage detection circuit is equal to or lower than a set voltage. The switching power supply circuit described.
前記ブートストラップ回路が、前記第1のブートストラップ用ダイオードの代わりに第1のLDMOSを備え、前記第2のブートストラップ用ダイオードの代わりに第2のLDMOSを備える請求項1に記載のスイッチング電源回路。2. The switching power supply circuit according to claim 1, wherein the bootstrap circuit includes a first LDMOS instead of the first bootstrap diode, and includes a second LDMOS instead of the second bootstrap diode. . 前記第1のLDMOSのゲート及びソースに前記定電圧回路の出力電圧が供給され、前記第2のLDMOSのゲート及びソースに前記入力電圧が供給され、前記第1のLDMOS及び前記第2のLDMOSのドレインが前記ドライブ回路に接続されており、The output voltage of the constant voltage circuit is supplied to the gate and source of the first LDMOS, the input voltage is supplied to the gate and source of the second LDMOS, and the first LDMOS and the second LDMOS The drain is connected to the drive circuit;
前記第1のLDMOSのゲート及びソースとバックゲートとの接続/遮断の切り替え、前記第1のLDMOSのドレインとバックゲートとの接続/遮断の切り替え、前記第2のLDMOSのゲート及びソースとバックゲートとの接続/遮断の切り替え、並びに前記第2のLDMOSのドレインとバックゲートとの接続/遮断の切り替えが可能である請求項4に記載のスイッチング電源回路。Switching between connection / disconnection between the gate and source of the first LDMOS and the back gate, switching between connection / disconnection between the drain and the back gate of the first LDMOS, and gate / source and back gate of the second LDMOS 5. The switching power supply circuit according to claim 4, wherein connection / disconnection of the second LDMOS and connection / disconnection of the drain and back gate of the second LDMOS can be switched.
前記入力電圧検出回路が、前記入力電圧と前記設定電圧との大小関係を比較するための比較回路を備える請求項3に記載のスイッチング電源回路。The switching power supply circuit according to claim 3, wherein the input voltage detection circuit includes a comparison circuit for comparing a magnitude relationship between the input voltage and the set voltage. 前記複数の動作モードが、前記スイッチング電源回路の出力電圧によってブートするモードを備える請求項1〜6のいずれか1項に記載のスイッチング電源回路。The switching power supply circuit according to any one of claims 1 to 6, wherein the plurality of operation modes include a mode of booting with an output voltage of the switching power supply circuit. 前記複数の動作モードが、前記スイッチング電源回路の出力電圧によってブートするモードを備え、The plurality of operation modes include a mode of booting with an output voltage of the switching power supply circuit,
前記入力電圧検出回路が、前記入力電圧検出回路が、前記入力電圧と前記設定電圧との大小関係を比較するための第1の比較回路と、前記定電圧回路の出力電圧と前記スイッチング電源回路の出力電圧との大小関係を比較するための第2の比較回路とを備える請求項3に記載のスイッチング電源回路。  The input voltage detection circuit includes: a first comparison circuit for comparing a magnitude relationship between the input voltage and the set voltage; the output voltage of the constant voltage circuit; and the switching power supply circuit. The switching power supply circuit according to claim 3, further comprising a second comparison circuit for comparing a magnitude relationship with the output voltage.
請求項1〜8のいずれか1項に記載のスイッチング電源回路を備えることを特徴とする電子機器。An electronic apparatus comprising the switching power supply circuit according to claim 1.
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