JP5292848B2

JP5292848B2 - Component built-in substrate and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP5292848B2
Application number: JP2008042120A
Authority: JP
Inventors: 元昭谷
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2007-02-27
Filing date: 2008-02-22
Publication date: 2013-09-18
Anticipated expiration: 2028-02-22
Also published as: JP2008244459A

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit board including a built-in component for easily realizing higher reliability and also provide a method for manufacturing the same circuit board including a built-in component. <P>SOLUTION: CSP14 is fixed on a base circuit board 1 using a bonding agent. A composite sheet formed by attaching insulating sheets 2 and 3 is adhered to the front surface of the base circuit board 1 with the insulating sheet 2 located at the lower side. As the insulating sheets 2 and 3, a thermosetting epoxy resin sheet in the semi-hardened state (stage B) including inorganic filler is used. In addition, the composite sheet is formed thicker than CSP14. Next, resin included in the composite sheet is hardened. Fusing viscosity at the adhering temperature of the composite sheet as a whole is preferably set to 5,000 poise or less. Thereafter, a via 12d is exposed by polishing the surface layer part of the insulating sheet 3. Since an amount of inorganic filler contained in the insulating sheet 3 is almost equal to that of the existing sheet, the amount of wear of a grind stone or the like used for the polishing process is also almost equal to that in the existing polishing process. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子部品を内蔵した部品内蔵基板及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a component-embedded substrate that incorporates an electronic component and a manufacturing method thereof.

電子機器に対する小型化、高性能化及び低価格化等の要求に伴い、近年、プリント配線板の微細化及び多層化、並びにプリント配線板内での電子部品の高密度化が急速に進められている。また、半導体チップ等の電子部品を内蔵した多層配線基板の開発も行われている。例えば、ベアチップ又はチップサイズパッケージ（ＣＳＰ：Chip Size Package）を内蔵した多層配線基板が開発されている。このような多層配線基板は部品内蔵基板とよばれる。 In recent years, along with demands for downsizing, high performance, and low prices for electronic devices, miniaturization and multilayering of printed wiring boards and high density of electronic components in printed wiring boards have been rapidly advanced. Yes. In addition, development of multilayer wiring boards incorporating electronic components such as semiconductor chips is also underway. For example, a multilayer wiring board incorporating a bare chip or a chip size package (CSP) has been developed. Such a multilayer wiring board is called a component built-in board.

ベアチップとＣＳＰとを比較すると、ＣＳＰに、検査が容易であり、破壊され難く、正常なものの供給が容易という利点がある。ＣＳＰには、図６に示すように、基板１１０、回路部１１１及び再配線部１１２が設けられている。回路部１１１は基板１１０の表面にトランジスタ等の半導体素子が形成されて構成されている。回路部１１１の表面に端子１１１ａが形成され、端子１１１ａ及び回路部１１１が絶縁膜１１２ｅにより覆われている。また、絶縁膜１１２ｅには、端子１１１ａに接続されたビア１１２ａが形成されている。絶縁膜１１２ｅに再配線１１２ｃが形成されている。再配線部１１２は、再配線１１２ｃ及びビア１１２ｂから構成されている。そして、再配線１１２ｃが封止膜１１２ａにより封止されている。なお、封止膜１１２ａには、再配線１１２ｃに接続されたビア１１２ｄが形成されている。なお、ビアはポストと呼ばれることもある。封止膜１１２ａとしては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、酸化シリコン、酸化アルミニウム、又は酸化タンタル等からなる膜が用いられている。このようなＣＳＰは、ウェハレベルＣＳＰとよばれることもある。 Comparing the bare chip and the CSP, the CSP has the advantage that it is easy to inspect, is not easily destroyed, and is easy to supply a normal one. As shown in FIG. 6, the CSP is provided with a substrate 110, a circuit unit 111, and a rewiring unit 112. The circuit unit 111 is configured by forming a semiconductor element such as a transistor on the surface of the substrate 110. A terminal 111a is formed on the surface of the circuit portion 111, and the terminal 111a and the circuit portion 111 are covered with an insulating film 112e. In addition, a via 112a connected to the terminal 111a is formed in the insulating film 112e. A rewiring 112c is formed in the insulating film 112e. The rewiring unit 112 includes a rewiring 112c and a via 112b. The rewiring 112c is sealed with a sealing film 112a. Note that a via 112d connected to the rewiring 112c is formed in the sealing film 112a. A via is sometimes called a post. As the sealing film 112a, a film made of an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, a novolac resin, silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, or the like is used. Such a CSP is sometimes called a wafer level CSP.

ここで、ＣＳＰを内蔵する部品内蔵基板を製造する従来の方法について説明する。このような方法としては、種々のものがあるが、ある一つの方法では、先ず、ＣＳＰをベース基板上にフェースアップの状態で固定する。次に、ガラス繊維に熱硬化性樹脂が含浸されて構成された絶縁シートをＣＳＰ側からベース基板の表面に貼り付ける。この時、絶縁シートのＣＳＰと重なり合う部分には、予め開口部を形成しておく必要がある。これは、絶縁シートをそのまま貼り付けた場合には、ガラス繊維によりＣＳＰが覆われてしまうからである。 Here, a conventional method for manufacturing a component-embedded substrate incorporating a CSP will be described. There are various kinds of such methods. In one method, first, the CSP is fixed face-up on the base substrate. Next, an insulating sheet constituted by impregnating glass fiber with a thermosetting resin is attached to the surface of the base substrate from the CSP side. At this time, it is necessary to previously form an opening in the portion of the insulating sheet that overlaps the CSP. This is because the CSP is covered with glass fiber when the insulating sheet is pasted as it is.

上述の従来の方法では、ＣＳＰ用の開口加工が必要とされるが、このような開口加工を省略可能にする方法もある。図７Ａ及び図７Ｂは、部品内蔵基板を製造する従来の方法の一例を工程順に示す図である。ＣＳＰ用の開口加工を不要とする従来の方法では、絶縁シートとして、シリカ等のフィラーが含有され、ガラス繊維が含まれていないものを使用する。即ち、先ず、図７Ａに示すように、ベース基板１０１上に、基板１１０、回路部１１１及び再配線部１１２を備えたＣＳＰ１０４を固定し、その上から、フィラーを含むがガラス繊維を含まない絶縁シート１０２を貼り付ける。フィラーの含有量は２０質量％程度である。そして、絶縁シート１０２を硬化させる。 In the above-described conventional method, opening processing for CSP is required, but there is a method in which such opening processing can be omitted. 7A and 7B are diagrams showing an example of a conventional method for manufacturing a component-embedded substrate in the order of steps. In the conventional method which does not require the opening process for CSP, an insulating sheet containing a filler such as silica and containing no glass fiber is used. That is, first, as shown in FIG. 7A, a CSP 104 including a substrate 110, a circuit unit 111, and a rewiring unit 112 is fixed on a base substrate 101, and an insulating material containing filler but not glass fiber is formed thereon. A sheet 102 is pasted. The filler content is about 20% by mass. Then, the insulating sheet 102 is cured.

次に、図７Ｂに示すように、絶縁シート１０２にビア１１２ｄまで達するビアホール１０３を形成する。次いで、ビアホール１０３内及び絶縁シート１０２上に、選択的に配線を形成する。そして、絶縁シートの形成及び配線の形成を繰り返すことにより、多層配線構造のビルドアップ部品内蔵基板を完成させる。 Next, as shown in FIG. 7B, a via hole 103 reaching the via 112d is formed in the insulating sheet. Next, wiring is selectively formed in the via hole 103 and on the insulating sheet 102. Then, by repeating the formation of the insulating sheet and the formation of the wiring, the built-in component built-in substrate having a multilayer wiring structure is completed.

しかしながら、この従来の方法では、ＣＳＰ１０４の熱膨張率がシリコンの熱膨張率とほぼ等しい３〜４ｐｐｍ／℃であるのに対し、絶縁シートの熱膨張率はこれよりも１０倍以上大きい。このため、熱膨張率の相違に基づいて応力が発生しやすく、高い信頼性を得ることが困難である。応力が発生すると、ＣＳＰ１０４と絶縁シート１０２との間で剥がれが生じたり、ＣＳＰ１０４内の半導体素子が誤動作したりする。また、部品内蔵基板に反りが生じることもある。 However, in this conventional method, the thermal expansion coefficient of the CSP 104 is 3 to 4 ppm / ° C. which is substantially equal to the thermal expansion coefficient of silicon, whereas the thermal expansion coefficient of the insulating sheet is 10 times larger than this. For this reason, stress is easily generated based on the difference in thermal expansion coefficient, and it is difficult to obtain high reliability. When stress is generated, peeling occurs between the CSP 104 and the insulating sheet 102, or a semiconductor element in the CSP 104 malfunctions. Further, the component built-in substrate may be warped.

また、熱膨張率を調整するために絶縁シート１０２のフィラー含有量を高めると、ビアホール１０３を形成しにくくなってしまう。ビアホール１０３の形成は主にレーザ加工により行われているが、フィラー含有量が高くなると、その分だけ多くのレーザを照射する必要がでてくるため、ビア１１２ｄ及び回路部１１１等にダメージが生じやすくなる。この結果、高い信頼性を得ることが困難である。 Further, if the filler content of the insulating sheet 102 is increased in order to adjust the coefficient of thermal expansion, it becomes difficult to form the via hole 103. The via hole 103 is mainly formed by laser processing. However, if the filler content is high, it is necessary to irradiate more lasers accordingly, so that the via 112d and the circuit unit 111 are damaged. It becomes easy. As a result, it is difficult to obtain high reliability.

特開２００５−３２７９８４号公報JP 2005-327984 A 特開昭５７−７１４７号公報JP 57-7147 A 特開２００４−２２１４１７号公報JP 2004-221417 A 特開２００４−２２１４１８号公報JP 2004-221418 A

本発明の目的は、高い信頼性を容易に得ることができる部品内蔵基板及びその製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a component-embedded substrate that can easily obtain high reliability and a method for manufacturing the same.

本願発明者は、上記課題を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。 As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventor has come up with the following aspects of the invention.

部品内蔵基板には、基板と、前記基板上に、接続端子を上向きにして固定された電子部品と、フィラーを含有する樹脂から構成され、前記電子部品の側面を覆うと共に、前記接続端子を露出する絶縁層とが設けられている。そして、前記絶縁層には、前記絶縁層の表面側に位置する第１の絶縁シートと、前記第１の絶縁シートよりも前記基板側に位置し、前記基板の熱膨張率と前記絶縁層の熱膨張率との差により前記基板に生じる応力を緩和する第２の絶縁シートとが含まれている。前記第１の絶縁シートの表面は、前記接続端子が露出するまで研磨されている。 The parts products embedded substrate, and the substrate, on the substrate, an electronic component is fixed to the connection terminal facing upward, is composed of a resin containing a filler, covers the side surface of the electronic component, the connecting terminal An exposed insulating layer is provided. Then, the insulating layer, the a first insulating sheet positioned on the surface side of the insulating layer located on the substrate side of the first insulating sheet, the thermal expansion coefficient of the substrate and the insulating layer And a second insulating sheet that relieves stress generated in the substrate due to a difference from the coefficient of thermal expansion. The surface of the first insulating sheet is polished until the connection terminal is exposed.

第１の部品内蔵基板の製造方法では、基板上に、接続端子を上向きにして電子部品を固定し、その後、フィラーを含有する樹脂から構成され、前記電子部品の側面を覆う絶縁層を前記電子部品の上方から前記基板上に貼り付ける。そして、前記絶縁層の表面を前記接続端子が露出するまで研磨する。前記絶縁層が、前記絶縁層の表面側に位置する第１の絶縁シートと、前記第１の絶縁シートよりも前記基板側に位置し、前記第１の絶縁シートよりも前記フィラーの含有量が高く、前記電子部品よりも薄い第２の絶縁シートとを含んでいる。 In the manufacturing method of the first component-embedded board, on a substrate, a connection terminal facing upward to fix the electronic component, then, is composed of a resin containing a filler, an insulation layer will covering the side surface of the electronic component The electronic component is pasted on the substrate from above . Then, the surface of the insulating layer is polished until the connection terminal is exposed. The insulating layer is positioned on the substrate side of the first insulating sheet and the first insulating sheet positioned on the surface side of the insulating layer, and the filler content is higher than that of the first insulating sheet. A second insulating sheet that is taller and thinner than the electronic component .

第２の部品内蔵基板の製造方法では、基板上に、接続端子を上向きにして電子部品を固定し、その後、フィラーを含有する樹脂から構成され、前記電子部品の側面を覆う絶縁層を前記電子部品の上方から前記基板上に貼り付ける。そして、前記絶縁層の表面を前記接続端子が露出するまで研磨する。前記絶縁層が、前記絶縁層の表面側に位置し、無機フィラーを含有する第１の絶縁シートと、前記第１の絶縁シートよりも前記基板側に位置し、ゴム系樹脂フィラーを含有し、前記電子部品よりも薄い第２の絶縁シートとを有している。 In the second component-embedded board fabrication method, on a substrate, a connection terminal facing upward to fix the electronic component, then, is composed of a resin containing a filler, said insulation layer covering a side surface of the electronic component Affixing on the substrate from above the electronic component . Then, the surface of the insulating layer is polished until the connection terminal is exposed. The insulating layer is located on the surface side of the insulating layer, the first insulating sheet containing an inorganic filler, and located on the substrate side of the first insulating sheet , containing a rubber-based resin filler , The second insulating sheet is thinner than the electronic component .

これらの部品内蔵基板等によれば、電子部品の側面を覆う絶縁層中のフィラーの含有量が適切に規定されているため、高い信頼性を得ることができると共に、その加工も容易である。 According to these component-embedded substrates and the like, since the filler content in the insulating layer covering the side surface of the electronic component is appropriately defined, high reliability can be obtained and the processing is easy.

以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings.

（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係る部品内蔵基板の構造を示す断面図である。 (First embodiment)
First, the first embodiment will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a component-embedded substrate according to the first embodiment.

第１の実施形態では、ガラス繊維強化樹脂剤を硬化させて得られたガラスエポキシ基板等のベース基板１の上下に、接着剤を用いてＣＳＰ１４が固定されている。ＣＳＰ１４には、基板１０、回路部１１、再配線部１２、ビア１２ｄ及び封止膜１２ａが設けられている。基板１０、回路部１１、再配線部１２、ビア１２ｄ及び封止膜１２ａの構成は、基板１１０、回路部１１１、再配線部１１２、ビア１１２ｄ及び封止膜１１２ａの構成と同様である。即ち、基板１０としては、例えばシリコン基板が用いられている。回路部１１の表面に端子１１ａが形成され、端子１１ａ及び回路部１１が絶縁膜１２ｅにより覆われている。また、絶縁膜１２ｅには、端子１１ａに接続されたビア１２ａが形成されている。絶縁膜１２ｅとしては、例えばポリイミド膜が用いられている。絶縁膜１２ｅに再配線１２ｃが形成されている。再配線部１２は、再配線１２ｃ及びビア１２ｂから構成されている。そして、再配線１２ｃが封止膜１２ａにより封止されている。封止膜１２ａには、再配線１２ｃに接続されたビア１２ｄが形成されている。なお、ベース基板１として、銅箔等の金属箔又は銅板等の金属板を用いてもよい。ビア１２ｄは外部との接続用の接続端子として用いられる。 In the first embodiment, CSPs 14 are fixed on the upper and lower sides of a base substrate 1 such as a glass epoxy substrate obtained by curing a glass fiber reinforced resin agent using an adhesive. The CSP 14 is provided with a substrate 10, a circuit unit 11, a rewiring unit 12, a via 12d, and a sealing film 12a. The configurations of the substrate 10, the circuit unit 11, the rewiring unit 12, the via 12d, and the sealing film 12a are the same as the configurations of the substrate 110, the circuit unit 111, the rewiring unit 112, the via 112d, and the sealing film 112a. That is, as the substrate 10, for example, a silicon substrate is used. A terminal 11a is formed on the surface of the circuit unit 11, and the terminal 11a and the circuit unit 11 are covered with an insulating film 12e. The insulating film 12e is formed with a via 12a connected to the terminal 11a. For example, a polyimide film is used as the insulating film 12e. A rewiring 12c is formed in the insulating film 12e. The rewiring unit 12 includes a rewiring 12c and a via 12b. The rewiring 12c is sealed with the sealing film 12a. A via 12d connected to the rewiring 12c is formed in the sealing film 12a. As the base substrate 1, a metal foil such as a copper foil or a metal plate such as a copper plate may be used. The via 12d is used as a connection terminal for connection to the outside.

そして、ＣＳＰ１４の周囲において、ベース基板１上に絶縁シート２が貼り付けられている。絶縁シート２の厚さは、ＣＳＰ１４の厚さよりも薄い。ＣＳＰ１４の厚さは、例えば０．３ｍｍ程度であり、絶縁シート２の厚さは、例えば０．２ｍｍ程度である。ＣＳＰ１４の平面形状は、例えば一辺の長さが５ｍｍの正方形である。また、絶縁シート２は、６０質量％程度の無機フィラーを含む樹脂から構成されているが、ガラス繊維等の繊維は含まれていない。 An insulating sheet 2 is attached on the base substrate 1 around the CSP 14. The insulating sheet 2 is thinner than the CSP 14. The thickness of the CSP 14 is, for example, about 0.3 mm, and the thickness of the insulating sheet 2 is, for example, about 0.2 mm. The planar shape of the CSP 14 is a square having a side length of 5 mm, for example. Moreover, although the insulating sheet 2 is comprised from resin containing about 60 mass% inorganic filler, fibers, such as glass fiber, are not contained.

更に、絶縁シート２上に絶縁シート３が貼り付けられている。絶縁シート３の厚さは、ＣＳＰ１４の厚さから絶縁シート２の厚さを減じて得られた厚さとほぼ一致する。即ち、絶縁シート３の厚さは、例えば０．１ｍｍ程度である。また、絶縁シート３は、２０質量％程度の無機フィラーを含む樹脂から構成されているが、ガラス繊維等の繊維は含まれていない。つまり、絶縁シート３には、絶縁シート２よりも少量の無機フィラーが含まれている。なお、近年、主に使用されている絶縁シートの無機フィラーの含有量は２０質量％程度である。 Furthermore, the insulating sheet 3 is affixed on the insulating sheet 2. The thickness of the insulating sheet 3 substantially matches the thickness obtained by subtracting the thickness of the insulating sheet 2 from the thickness of the CSP 14. That is, the thickness of the insulating sheet 3 is about 0.1 mm, for example. Moreover, although the insulating sheet 3 is comprised from resin containing about 20 mass% inorganic filler, fibers, such as glass fiber, are not contained. That is, the insulating sheet 3 contains a smaller amount of inorganic filler than the insulating sheet 2. In recent years, the content of the inorganic filler in the insulating sheet mainly used is about 20% by mass.

絶縁シート２及び３に含有されている無機フィラーは、それが含まれていない場合と比較して絶縁シート２及び３の熱膨張率を下げる作用を有している。 The inorganic filler contained in the insulating sheets 2 and 3 has an effect of lowering the thermal expansion coefficient of the insulating sheets 2 and 3 as compared with the case where it is not included.

また、絶縁シート３上に多層配線構造の引き回し配線層４が形成されている。引き回し配線層４には、ビア１２ｄ等に接続された引き回し配線（図示せず）が形成されている。引き回し配線層４は、ベース基板１の裏面側にも形成されている。そして、一方の引き回し配線層４の表面から、他方の引き回し配線層４の表面まで貫通するスルーホール５が形成されており、その内側面にめっき層６が形成されている。更に、引き回し配線層４の表面には、複数のバンプ７が形成されている。 In addition, a lead wiring layer 4 having a multilayer wiring structure is formed on the insulating sheet 3. In the routing wiring layer 4, routing wiring (not shown) connected to the vias 12 d and the like is formed. The routing wiring layer 4 is also formed on the back side of the base substrate 1. A through hole 5 penetrating from the surface of one routing wiring layer 4 to the surface of the other routing wiring layer 4 is formed, and a plating layer 6 is formed on the inner surface thereof. Furthermore, a plurality of bumps 7 are formed on the surface of the routing wiring layer 4.

このように構成された部品内蔵基板では、従来の絶縁シートよりも、無機フィラーの含有量が高く、熱膨張率がシリコンのものに近い絶縁シート２がＣＳＰ１４の周囲に存在しているため、熱膨張率の相違に起因する応力の発生及びこれに伴う信頼性の低下が抑制される。部品内蔵基板の反りも抑制される。また、このような絶縁シート２によってＣＳＰ１４が完全に覆われている場合には、その加工が困難であるが、本実施形態では、絶縁シート２がＣＳＰ１４よりも薄く、絶縁シート２上には、無機フィラーの含有量が従来のものと同程度の絶縁シート３が位置しているため、加工は容易なままである。 In the component-embedded substrate configured as described above, the insulating sheet 2 having a higher inorganic filler content and a thermal expansion coefficient close to that of silicon is present around the CSP 14 than the conventional insulating sheet. Generation of stress due to the difference in expansion coefficient and the accompanying decrease in reliability are suppressed. Warpage of the component built-in board is also suppressed. In addition, when the CSP 14 is completely covered with such an insulating sheet 2, the processing is difficult, but in this embodiment, the insulating sheet 2 is thinner than the CSP 14, and the insulating sheet 2 is Since the insulating sheet 3 having the same content of the inorganic filler as the conventional one is positioned, the processing remains easy.

次に、上述のような部品内蔵基板を製造する方法について説明する。図２Ａ乃至図２Ｄは、第１の実施形態に係る部品内蔵基板を製造する方法を工程順に示す断面図である。 Next, a method for manufacturing the component-embedded substrate as described above will be described. 2A to 2D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the component-embedded substrate according to the first embodiment in the order of steps.

先ず、図２Ａに示すように、ベース基板１上に、接着剤を用いてＣＳＰ１４を固定する。次いで、絶縁シート２及び３を貼り合わせて構成された複合シートを、絶縁シート２を下側にしてベース基板１の表面に貼り付ける。なお、絶縁シート２及び３としては、無機フィラーを含んだ半硬化状態（Ｂステージ）の熱硬化性エポキシ樹脂シートを用いる。複合シートの貼り付けは、例えば真空ラミネータ又は真空プレス装置を用いて行うことができる。また、複合シートの厚さは、ＣＳＰ１４の厚さよりも厚くしておく。次いで、複合シートに含まれる樹脂を硬化させる。なお、複合シート全体の貼り付け温度での溶融粘度は、５０００ｐｏｉｓｅ以下であることが好ましい。ＣＳＰ１４を包含しやすくするためである。 First, as shown in FIG. 2A, the CSP 14 is fixed on the base substrate 1 using an adhesive. Next, a composite sheet formed by bonding the insulating sheets 2 and 3 is bonded to the surface of the base substrate 1 with the insulating sheet 2 facing down. As the insulating sheets 2 and 3, a thermosetting epoxy resin sheet in a semi-cured state (B stage) containing an inorganic filler is used. The composite sheet can be attached using, for example, a vacuum laminator or a vacuum press apparatus. Further, the thickness of the composite sheet is made larger than the thickness of the CSP 14. Next, the resin contained in the composite sheet is cured. In addition, it is preferable that the melt viscosity in the bonding temperature of the whole composite sheet is 5000 poise or less. This is to facilitate inclusion of the CSP 14.

このような貼り付けの結果、図２Ｂに示すように、絶縁シート２がＣＳＰ１４の周囲に位置するようになる。なお、複合シートの溶融粘度が低いため、ＣＳＰ１４上の絶縁シート２及び３は薄くなる。また、絶縁シート２中の無機フィラーがＣＳＰ１４の周囲まで流動することもあり、この場合には、ＣＳＰ１４上は、ほぼ絶縁シート３により占められる。 As a result of such pasting, the insulating sheet 2 comes to be positioned around the CSP 14 as shown in FIG. 2B. In addition, since the melt viscosity of the composite sheet is low, the insulating sheets 2 and 3 on the CSP 14 are thinned. In addition, the inorganic filler in the insulating sheet 2 may flow to the periphery of the CSP 14. In this case, the insulating sheet 3 is almost occupied on the CSP 14.

その後、図２Ｃに示すように、絶縁シート３の表層部を研磨することにより、ビア１２ｄを露出させる。絶縁シート３の無機フィラーの含有量は従来のものと同程度であるため、研磨に使用される砥石等の磨耗量は従来と同程度である。なお、ＣＳＰ１４上に絶縁シート２が残存していたとしても、その量は僅かであるため、研磨量に及ぶ影響は無視しうる程度である。 Thereafter, as shown in FIG. 2C, the surface layer portion of the insulating sheet 3 is polished to expose the via 12d. Since the content of the inorganic filler in the insulating sheet 3 is about the same as the conventional one, the amount of wear of the grindstone used for polishing is about the same as the conventional one. Even if the insulating sheet 2 remains on the CSP 14, the amount of the insulating sheet 2 is so small that the influence on the polishing amount is negligible.

続いて、図２Ｄに示すように、ベース基板１の裏面側についても、ＣＳＰ１４の固定、絶縁シート２及び３の貼り付け、並びにビア１２ｄの露出を行う。 Subsequently, as shown in FIG. 2D, the CSP 14 is fixed, the insulating sheets 2 and 3 are attached, and the vias 12 d are exposed on the back side of the base substrate 1.

次いで、図２Ｅに示すように、ベース基板１の表裏面の双方において、絶縁シート３上に多層配線構造の引き回し配線層４を形成する。ここで、引き回し配線層４を形成する方法について説明する。図３Ａ乃至図３Ｎは、引き回し配線層４を形成する方法を工程順に示す断面図である。 Next, as shown in FIG. 2E, a lead wiring layer 4 having a multilayer wiring structure is formed on the insulating sheet 3 on both the front and back surfaces of the base substrate 1. Here, a method of forming the routing wiring layer 4 will be described. 3A to 3N are cross-sectional views showing a method of forming the routing wiring layer 4 in the order of steps.

絶縁シート３の研磨後には、上述のように、ビア１２ｄが露出している（図３Ａ）。この状態において、先ず、図３Ｂに示すように、無電解めっき法により、めっき用のシード層２１を全面に形成する。シード層２１としては、例えば銅層を形成する。 After the insulating sheet 3 is polished, the via 12d is exposed as described above (FIG. 3A). In this state, first, as shown in FIG. 3B, a seed layer 21 for plating is formed on the entire surface by electroless plating. For example, a copper layer is formed as the seed layer 21.

次いで、図３Ｃに示すように、配線を形成する予定の領域を開口するレジストパターン３１をシード層２１上に形成する。 Next, as shown in FIG. 3C, a resist pattern 31 is formed on the seed layer 21 to open a region where wiring is to be formed.

その後、図３Ｄに示すように、レジストパターン３１から露出しているシード層２１上に、電気めっき法により、厚さが３０μｍ程度の金属膜２２を形成する。金属膜２２としては、例えば銅膜を形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 3D, a metal film 22 having a thickness of about 30 μm is formed on the seed layer 21 exposed from the resist pattern 31 by electroplating. For example, a copper film is formed as the metal film 22.

続いて、図３Ｅに示すように、レジストパターン３１を除去する。更に、図３Ｆに示すように、金属膜２２から露出しているシード層２１を、例えばスプレーエッチングにより除去する。この結果、シード層２１及び金属膜２２からなる配線が形成される。 Subsequently, as shown in FIG. 3E, the resist pattern 31 is removed. Further, as shown in FIG. 3F, the seed layer 21 exposed from the metal film 22 is removed by, for example, spray etching. As a result, a wiring composed of the seed layer 21 and the metal film 22 is formed.

次いで、図３Ｇに示すように、半硬化状態（Ｂステージ）の熱硬化性エポキシ樹脂シート等の絶縁シート２３を全面に貼り付ける。絶縁シート２３の貼り付けは、例えば真空ラミネータ又は真空プレス装置等を用いて行うことができる。この貼り付けに際しては、例えば、温度を１３０℃〜１５０℃とし、貼り付け圧力を０．９ＭＰａ〜１ＭＰａとし、貼り付け時間を１．５分間〜３分間とする。その後、大気圧下で１５０℃〜２００℃（例えば１７０℃）のキュアを３０分間〜２時間（例えば１時間）行う。この結果、絶縁シート２３が硬化する。 Next, as shown in FIG. 3G, an insulating sheet 23 such as a thermosetting epoxy resin sheet in a semi-cured state (B stage) is attached to the entire surface. The insulating sheet 23 can be attached using, for example, a vacuum laminator or a vacuum press device. In this pasting, for example, the temperature is set to 130 ° C. to 150 ° C., the pasting pressure is set to 0.9 MPa to 1 MPa, and the pasting time is set to 1.5 minutes to 3 minutes. Thereafter, curing at 150 ° C. to 200 ° C. (for example, 170 ° C.) is performed for 30 minutes to 2 hours (for example, 1 hour) under atmospheric pressure. As a result, the insulating sheet 23 is cured.

続いて、図３Ｈに示すように、炭酸ガスレーザ又はＵＶ−ＹＡＧレーザ等を用いて、絶縁シート２３に金属膜２２まで達する孔（ビアホール）２４を形成する。孔２４の直径は、例えば６０μｍ程度とする。次いで、デスミア処理を行うことにより、孔２４の内部のスミアを除去する。 Subsequently, as shown in FIG. 3H, a hole (via hole) 24 reaching the metal film 22 is formed in the insulating sheet 23 using a carbon dioxide laser or a UV-YAG laser. The diameter of the hole 24 is, for example, about 60 μm. Subsequently, the smear inside the hole 24 is removed by performing a desmear process.

その後、図３Ｉに示すように、無電解めっき法により、めっき用のシード層２５を孔２４内及び絶縁シート２３上に形成する。シード層２５としては、例えば銅層を形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 3I, a seed layer 25 for plating is formed in the hole 24 and on the insulating sheet 23 by electroless plating. For example, a copper layer is formed as the seed layer 25.

続いて、図３Ｊに示すように、配線を形成する予定の領域を開口するレジストパターン３２をシード層２５上に形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 3J, a resist pattern 32 is formed on the seed layer 25 to open a region where wiring is to be formed.

次いで、図３Ｋに示すように、レジストパターン３２から露出しているシード層２５上に、電気めっき法により、厚さが３０μｍ程度の金属膜２６を形成する。金属膜２６としては、例えば銅膜を形成する。 Next, as shown in FIG. 3K, a metal film 26 having a thickness of about 30 μm is formed on the seed layer 25 exposed from the resist pattern 32 by electroplating. As the metal film 26, for example, a copper film is formed.

その後、図３Ｌに示すように、レジストパターン３２を除去する。更に、図３Ｍに示すように、金属膜２６から露出しているシード層２５を、例えばスプレーエッチングにより除去する。この結果、シード層２５及び金属膜２６からなる配線が形成される。 Thereafter, as shown in FIG. 3L, the resist pattern 32 is removed. Further, as shown in FIG. 3M, the seed layer 25 exposed from the metal film 26 is removed by, for example, spray etching. As a result, a wiring composed of the seed layer 25 and the metal film 26 is formed.

その後、絶縁シート２３、孔２４、シード層２５及び金属膜２６の形成等を繰り返すことにより、図３Ｎに示すように、引き回し配線層４を形成することができる。 Thereafter, by repeating the formation of the insulating sheet 23, the hole 24, the seed layer 25, the metal film 26, and the like, the lead wiring layer 4 can be formed as shown in FIG. 3N.

このようにして引き回し配線層４を形成した後には、一方の引き回し配線層４の表面から、他方の引き回し配線層４の表面まで貫通するスルーホール５を形成し、その内側面にめっき層６を形成する。スルーホール５は、例えばドリル加工により形成することができる。更に、引き回し配線層４の表面に、複数の開口部を備えたソルダレジスト層（図示せず）を形成し、ソルダレジスト層の開口部内に複数のバンプ７を形成する。 After the routing wiring layer 4 is formed in this way, a through hole 5 penetrating from the surface of one routing wiring layer 4 to the surface of the other routing wiring layer 4 is formed, and the plating layer 6 is formed on the inner surface thereof. Form. The through hole 5 can be formed by drilling, for example. Further, a solder resist layer (not shown) having a plurality of openings is formed on the surface of the routing wiring layer 4, and a plurality of bumps 7 are formed in the openings of the solder resist layer.

このような部品内蔵基板の製造方法によれば、無機フィラーの含有量が高い絶縁シート２の加工は必要とされないため、複合シートの加工が容易である。また、絶縁シート３にビアを形成する必要がないため、ビア１２ｄへの多くのレーザの照射が回避され。また、ビア１２ｄが露出した状態でのデスミア処理が不要となる。 According to such a method for manufacturing a component-embedded substrate, processing of the insulating sheet 2 having a high content of inorganic filler is not required, so that processing of the composite sheet is easy. Further, since there is no need to form vias in the insulating sheet 3, irradiation of many lasers to the vias 12d is avoided. Further, the desmear process with the via 12d exposed is not required.

なお、上述の実施形態では、絶縁シート２及び３を複合化した複合シートを用いているが、無機フィラーを従来のものよりも多く含んだ単一の絶縁シートを用いることもできる。この場合、溶融粘度が５０００ｐｏｉｓｅであれば、貼り付け時に無機フィラーが沈降し、上述の実施形態で絶縁シート２が存在する領域内での含有量が増加し、絶縁シート３が存在する領域内での含有量が減少する。つまり、絶縁シート内で、下部における無機フィラーの含有量が高く、上部における無機フィラーの含有量が低い状態となる。この結果、上述の実施形態と同様の効果が得られる。 In the above-described embodiment, a composite sheet in which the insulating sheets 2 and 3 are combined is used. However, a single insulating sheet containing more inorganic filler than the conventional one can also be used. In this case, if the melt viscosity is 5000 poise, the inorganic filler settles at the time of application, the content in the region where the insulating sheet 2 exists in the above-described embodiment increases, and in the region where the insulating sheet 3 exists. The content of is reduced. That is, in the insulating sheet, the content of the inorganic filler in the lower part is high and the content of the inorganic filler in the upper part is low. As a result, the same effect as the above-described embodiment can be obtained.

また、フィラーの材料は特に限定されない。シリカ以外にも、絶縁シート２及び３の熱膨張率を下げる作用を有するものであれば、アルミナ、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、珪酸マグネシウム等を用いることができる。更に、ベース基板上に固定される電子部品も特に限定されない。ＣＳＰ以外にも、ベアチップ等を用いることができる。 The filler material is not particularly limited. In addition to silica, alumina, aluminum nitride, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, magnesium silicate, or the like can be used as long as it has an effect of lowering the thermal expansion coefficient of the insulating sheets 2 and 3. Furthermore, the electronic component fixed on the base substrate is not particularly limited. In addition to the CSP, a bare chip or the like can be used.

次に、第１の実施形態に関して実際に本願発明者が行った実験の内容及び結果について説明する。 Next, the contents and results of an experiment actually conducted by the present inventor regarding the first embodiment will be described.

（実験例Ｎｏ．１−１）
先ず、基板上に、シリカフィラーの含有量が６０質量％で厚さが０．２ｍｍの第１の絶縁シートとシリカフィラーの含有量が２０質量％で厚さが０．１ｍｍの第２の絶縁シートとからなる複合シートを、Ｂステージの状態で貼り付けた。この時、第１の絶縁シートを基板側にした。次に、複合シートを加熱により硬化させ、研削法により複合シートの表面を研磨した。そして、研削砥石を観察したところ、磨耗は生じていなかった。第１の絶縁シート及び第２の絶縁シートの硬化後の熱膨張率は、それぞれ、１８ｐｐｍ／℃、７０ｐｐｍ／℃であった。 (Experimental example No. 1-1)
First, a first insulating sheet having a silica filler content of 60% by mass and a thickness of 0.2 mm and a second insulating material having a silica filler content of 20% by mass and a thickness of 0.1 mm on the substrate. A composite sheet composed of the sheets was pasted in a B-stage state. At this time, the first insulating sheet was placed on the substrate side. Next, the composite sheet was cured by heating, and the surface of the composite sheet was polished by a grinding method. And when the grinding wheel was observed, no wear occurred. The thermal expansion coefficients after curing of the first insulating sheet and the second insulating sheet were 18 ppm / ° C. and 70 ppm / ° C., respectively.

（実験例Ｎｏ．１−２）
先ず、基板上に、シリカフィラーの含有量が４０質量％で厚さが０．３ｍｍの第３の絶縁シートを１３０℃でＢステージの状態で貼り付けた。第３の絶縁シートとしては、１３０℃での溶融粘度が２０００ｐｏｉｓｅのものを用いた。次に、第３の絶縁シートを加熱により硬化させ、切削法により第３の絶縁シートの表面の加工を行った。そして、切削バイトを観察したところ、磨耗は生じていなかった。第３の絶縁シートの硬化後のシート平均の熱膨張率は、４２ｐｐｍ／℃であった。硬化後の絶縁シートの断面を観察したところ、底部にフィラーが密集しており、上部にはフィラーがほとんど存在していなかった。 (Experimental example No. 1-2)
First, a third insulating sheet having a silica filler content of 40 mass% and a thickness of 0.3 mm was pasted on a substrate at 130 ° C. in a B-stage state. As the third insulating sheet, a sheet having a melt viscosity of 2000 poise at 130 ° C. was used. Next, the third insulating sheet was cured by heating, and the surface of the third insulating sheet was processed by a cutting method. When the cutting tool was observed, no wear was found. The sheet average thermal expansion coefficient after curing of the third insulating sheet was 42 ppm / ° C. When the cross section of the cured insulating sheet was observed, the fillers were dense at the bottom and almost no filler was present at the top.

（実験例Ｎｏ．１−３）
先ず、基板上に、シリカフィラーの含有量が４０質量％で厚さが０．３ｍｍの第４の絶縁シートを１３０℃でＢステージの状態で貼り付けた。第４の絶縁シートとしては、１３０℃での溶融粘度が８０００ｐｏｉｓｅのものを用いた。次に、第４の絶縁シートを加熱により硬化させ、実験例Ｎｏ．２と同じ条件下で切削法により第４の絶縁シートの表面の加工を行った。そして、切削バイトを観察したところ、著しい磨耗が生じていた。第４の絶縁シートの硬化後の熱膨張率は、４０ｐｐｍ／℃であった。硬化後の絶縁シートの断面を観察したところ、フィラーが膜厚方向に均一に分散していた。 (Experimental example No. 1-3)
First, a fourth insulating sheet having a silica filler content of 40 mass% and a thickness of 0.3 mm was pasted on a substrate at 130 ° C. in a B-stage state. As the fourth insulating sheet, a sheet having a melt viscosity of 8000 poise at 130 ° C. was used. Next, the fourth insulating sheet was cured by heating. The surface of the fourth insulating sheet was processed by the cutting method under the same condition as 2. When the cutting tool was observed, significant wear was found. The coefficient of thermal expansion after curing of the fourth insulating sheet was 40 ppm / ° C. When the cross section of the insulating sheet after curing was observed, the filler was uniformly dispersed in the film thickness direction.

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。図４は、第２の実施形態に係る部品内蔵基板の構造を示す断面図である。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment will be described. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of the component-embedded substrate according to the second embodiment.

第２の実施形態は、絶縁シート２の代わりに絶縁シート５２が用いられている点で第１の実施形態と相違している。他の構成は第１の実施形態と同様である。 The second embodiment is different from the first embodiment in that an insulating sheet 52 is used instead of the insulating sheet 2. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

絶縁シート５２の厚さは、絶縁シート２と同様に、ＣＳＰ１４の厚さよりも薄い。絶縁シート５２の厚さは、例えば０．２ｍｍ程度である。絶縁シート５２は、２０質量％〜３０質量％程度のゴム系樹脂フィラーを含む樹脂から構成されているが、ガラス繊維等の繊維及び無機フィラーは含まれていない。ゴム系樹脂フィラーは、それが含まれていない場合と比較して絶縁シート５２の弾性率を下げる作用を有している。 The thickness of the insulating sheet 52 is thinner than the thickness of the CSP 14 as with the insulating sheet 2. The thickness of the insulating sheet 52 is, for example, about 0.2 mm. The insulating sheet 52 is made of a resin containing about 20% by mass to 30% by mass of a rubber-based resin filler, but does not contain fibers such as glass fibers and inorganic fillers. The rubber-based resin filler has an effect of lowering the elastic modulus of the insulating sheet 52 as compared with the case where it is not included.

このように構成された部品内蔵基板では、従来の絶縁シートよりも弾性率が低い絶縁シート５２がＣＳＰ１４の周囲に存在しているため、例え、熱膨張率が大きい絶縁シート５２が変形したとしても、この変形に基づく応力は極めて小さなものとなる。つまり、第一の実施形態と同様に、熱膨張率の相違に起因する応力の発生が抑制され、これに伴う信頼性の低下も抑制される。部品内蔵基板の反りも抑制される。また、このような絶縁シート５２によってＣＳＰ１４が完全に覆われている場合には、その加工の際に研磨装置に目詰まりが生じたり、その後のデスミア処理の際の表面の粗化が困難になったりするが、本実施形態では、絶縁シート５２がＣＳＰ１４よりも薄く、絶縁シート５２上には、無機フィラーの含有量が従来のものと同程度の絶縁シート３が位置しているため、このような問題は生じない。 In the component-embedded substrate configured as described above, since the insulating sheet 52 having a lower elastic modulus than the conventional insulating sheet exists around the CSP 14, even if the insulating sheet 52 having a high thermal expansion coefficient is deformed, for example. The stress based on this deformation is extremely small. That is, similar to the first embodiment, the generation of stress due to the difference in the thermal expansion coefficient is suppressed, and the deterioration in reliability associated therewith is also suppressed. Warpage of the component built-in board is also suppressed. In addition, when the CSP 14 is completely covered with such an insulating sheet 52, the polishing apparatus is clogged during the processing, or it becomes difficult to roughen the surface during the subsequent desmear treatment. However, in the present embodiment, the insulating sheet 52 is thinner than the CSP 14, and the insulating sheet 3 having the same content of the inorganic filler as the conventional one is positioned on the insulating sheet 52. No problem arises.

次に、上述のような部品内蔵基板を製造する方法について説明する。図５Ａ乃至図５Ｄは、第２の実施形態に係る部品内蔵基板を製造する方法を工程順に示す断面図である。 Next, a method for manufacturing the component-embedded substrate as described above will be described. 5A to 5D are cross-sectional views showing a method of manufacturing the component-embedded substrate according to the second embodiment in the order of steps.

先ず、図５Ａに示すように、ベース基板１上に、接着剤を用いてＣＳＰ１４を固定する。次いで、絶縁シート５２及び３を貼り合わせて構成された複合シートを、絶縁シート５２を下側にしてベース基板１の表面に貼り付ける。なお、絶縁シート５２及び３としては、夫々、ゴム系樹脂フィラー、無機フィラーを含んだ半硬化状態（Ｂステージ）の熱硬化性エポキシ樹脂シートを用いる。複合シートの貼り付けは、例えば真空ラミネータ又は真空プレス装置を用いて行うことができる。また、複合シートの厚さは、ＣＳＰ１４の厚さよりも厚くしておく。次いで、複合シートに含まれる樹脂を硬化させる。なお、複合シート全体の貼り付け温度での溶融粘度は、５０００ｐｏｉｓｅ以下であることが好ましい。ＣＳＰ１４を包含しやすくするためである。 First, as shown in FIG. 5A, the CSP 14 is fixed on the base substrate 1 using an adhesive. Next, a composite sheet configured by bonding the insulating sheets 52 and 3 is bonded to the surface of the base substrate 1 with the insulating sheet 52 facing down. As the insulating sheets 52 and 3, a thermosetting epoxy resin sheet in a semi-cured state (B stage) containing a rubber resin filler and an inorganic filler is used. The composite sheet can be attached using, for example, a vacuum laminator or a vacuum press apparatus. Further, the thickness of the composite sheet is made larger than the thickness of the CSP 14. Next, the resin contained in the composite sheet is cured. In addition, it is preferable that the melt viscosity in the bonding temperature of the whole composite sheet is 5000 poise or less. This is to facilitate inclusion of the CSP 14.

このような貼り付けの結果、図５Ｂに示すように、絶縁シート５２がＣＳＰ１４の周囲に位置するようになる。なお、複合シートの溶融粘度が低いため、ＣＳＰ１４上の絶縁シート５２及び３は薄くなる。また、絶縁シート５２中のゴム系樹脂フィラーがＣＳＰ１４の周囲まで流動することもあり、この場合には、ＣＳＰ１４上は、ほぼ絶縁シート３により占められる。 As a result of such affixing, the insulating sheet 52 is positioned around the CSP 14 as shown in FIG. 5B. In addition, since the melt viscosity of the composite sheet is low, the insulating sheets 52 and 3 on the CSP 14 are thinned. In addition, the rubber-based resin filler in the insulating sheet 52 may flow to the periphery of the CSP 14, and in this case, the CSP 14 is almost occupied by the insulating sheet 3.

その後、図５Ｃに示すように、絶縁シート３の表層部を研磨することにより、ビア１２ｄを露出させる。無機フィラーが少ない場合には砥石等の目に絶縁シート３の樹脂が入り込んで目詰まりが生じやすいが、絶縁シート３の無機フィラーの含有量は従来のものと同程度であるため、無機フィラーによりこのような目詰まりが回避される。なお、ＣＳＰ１４上に絶縁シート５２が残存していたとしても、その量は僅かであるため、目詰まりに及ぶ影響は無視しうる程度である。 Thereafter, as shown in FIG. 5C, the surface layer portion of the insulating sheet 3 is polished to expose the via 12d. When there are few inorganic fillers, the resin of the insulating sheet 3 enters into eyes such as a grindstone, and clogging is likely to occur. However, since the content of the inorganic filler in the insulating sheet 3 is about the same as the conventional one, Such clogging is avoided. Even if the insulating sheet 52 remains on the CSP 14, the amount of the insulating sheet 52 is so small that the influence on clogging is negligible.

続いて、図５Ｄに示すように、ベース基板１の裏面側についても、ＣＳＰ１４の固定、絶縁シート５２及び３の貼り付け、並びにビア１２ｄの露出を行う。 Subsequently, as shown in FIG. 5D, the CSP 14 is fixed, the insulating sheets 52 and 3 are attached, and the vias 12 d are also exposed on the back surface side of the base substrate 1.

次いで、図５Ｅに示すように、ベース基板１の表裏面の双方において、第１の実施形態と同様に、絶縁シート３上に多層配線構造の引き回し配線層４を形成する。 Next, as shown in FIG. 5E, the lead wiring layer 4 having a multilayer wiring structure is formed on the insulating sheet 3 on both the front and back surfaces of the base substrate 1 in the same manner as in the first embodiment.

その後、一方の引き回し配線層４の表面から、他方の引き回し配線層４の表面まで貫通するスルーホール５を形成し、その内側面にめっき層６を形成する。スルーホール５は、例えばドリル加工により形成することができる。更に、引き回し配線層４の表面に、複数の開口部を備えたソルダレジスト層（図示せず）を形成し、ソルダレジスト層の開口部内に複数のバンプ７を形成する。 Thereafter, a through hole 5 penetrating from the surface of one routing wiring layer 4 to the surface of the other routing wiring layer 4 is formed, and a plating layer 6 is formed on the inner surface thereof. The through hole 5 can be formed by drilling, for example. Further, a solder resist layer (not shown) having a plurality of openings is formed on the surface of the routing wiring layer 4, and a plurality of bumps 7 are formed in the openings of the solder resist layer.

このような部品内蔵基板の製造方法によれば、ゴム系樹脂フィラーを含有する絶縁シート５２の加工は必要とされないため、複合シートの加工が容易である。また、絶縁シート３にビアを形成する必要がないため、ビア１２ｄへの多くのレーザの照射が回避され。また、ビア１２ｄが露出した状態でのデスミア処理が不要となる。 According to such a method for manufacturing a component-embedded substrate, processing of the insulating sheet 52 containing the rubber-based resin filler is not required, so that processing of the composite sheet is easy. Further, since there is no need to form vias in the insulating sheet 3, irradiation of many lasers to the vias 12d is avoided. Further, the desmear process with the via 12d exposed is not required.

また、ゴム系樹脂フィラーの材料は特に限定されず、例えば、不飽和炭素結合、カルボニル基、アルコキシ基、シアノ基及び／又はアリール基を含むゴム系樹脂材料を用いることができる。また、ゴム系樹脂材料以外でも、弾性率を下げる作用を有する材料を用いることができる。 Moreover, the material of a rubber-type resin filler is not specifically limited, For example, the rubber-type resin material containing an unsaturated carbon bond, a carbonyl group, an alkoxy group, a cyano group, and / or an aryl group can be used. In addition to the rubber-based resin material, a material having an effect of lowering the elastic modulus can be used.

次に、第２の実施形態に関して実際に本願発明者が行った実験の内容及び結果について説明する。 Next, the contents and results of an experiment actually conducted by the present inventor regarding the second embodiment will be described.

（実験例Ｎｏ．２−１）
先ず、シリコン基板の表面にトランジスタ等の半導体素子が形成されて構成された回路部を備えたＣＳＰを、最表面のビアが上側を向くようにして接着剤を用いて基板の片面上のみに固定した。ＣＳＰの厚さは０．３ｍｍであり、平面形状は一辺が５ｍｍの正方形である。また、基板の厚さは０．１ｍｍであり、平面形状は一辺が１０ｃｍの正方形である。基板はガラス繊維強化樹脂を硬化させた積層体からなる。次いで、基板上に、ゴム系樹脂フィラーの含有量が３０質量％で厚さが０．２ｍｍの第５の絶縁シートとシリカフィラーの含有量が３０質量％で厚さが０．１ｍｍの第６の絶縁シートとからなる複合シートを、Ｂステージの状態で貼り付けた。この時、第５の絶縁シートを基板側にした。その後、複合シートを加熱（１８０℃、１時間）により硬化させ、研削法により最表面のビアが露出するまで複合シートの表面を研磨した。そして、研削砥石を観察したところ、目詰まり及び磨耗は生じていなかった。第５の絶縁シート及び第６の絶縁シートの硬化後の弾性率は、それぞれ、１．２ＧＰａ、２．７ＧＰａであった。 (Experimental example No. 2-1)
First, a CSP provided with a circuit portion formed by forming a semiconductor element such as a transistor on the surface of a silicon substrate is fixed only on one side of the substrate with an adhesive so that the outermost via faces upward. did. The thickness of the CSP is 0.3 mm, and the planar shape is a square with a side of 5 mm. The thickness of the substrate is 0.1 mm, and the planar shape is a square having a side of 10 cm. The substrate is made of a laminate obtained by curing glass fiber reinforced resin. Next, on the substrate, a sixth insulating sheet having a rubber-based resin filler content of 30% by mass and a thickness of 0.2 mm and a silica filler content of 30% by mass and a thickness of 0.1 mm is provided. A composite sheet composed of the insulating sheet was attached in a B-stage state. At this time, the fifth insulating sheet was placed on the substrate side. Thereafter, the composite sheet was cured by heating (180 ° C., 1 hour), and the surface of the composite sheet was polished by a grinding method until the outermost via was exposed. And when the grinding wheel was observed, clogging and abrasion were not generated. The elastic modulus after curing of the fifth insulating sheet and the sixth insulating sheet was 1.2 GPa and 2.7 GPa, respectively.

続いて、図３Ａ〜図３Ｎに示す方法と同様にして、基板の両側に、配線層の数が３層ずつの引き回し配線層を形成した。そして、基板の反り量を測定したところ、１２５μｍであった。 Subsequently, in the same manner as the method shown in FIGS. 3A to 3N, a lead wiring layer having three wiring layers was formed on both sides of the substrate. And when the curvature amount of the board | substrate was measured, it was 125 micrometers.

（実験例Ｎｏ．２−２）
先ず、実験例Ｎｏ．２−１と同様にして、ＣＳＰを基板の片面上のみに固定した。但し、ＣＳＰの厚さは０．３５ｍｍであり、平面形状は一辺が５ｍｍの正方形である。また、基板の厚さは０．２ｍｍであり、平面形状は一辺が１５ｃｍの正方形である。次いで、基板上に、ゴム系樹脂フィラーの含有量が２０質量％で厚さが０．２ｍｍの第７の絶縁シートとシリカフィラーの含有量が２０質量％で厚さが０．１ｍｍの第８の絶縁シートとからなる複合シートを、Ｂステージの状態で貼り付けた。この時、第７の絶縁シートを基板側にした。その後、複合シートを加熱（１８０℃、１時間）により硬化させ、研削法により最表面のビアが露出するまで複合シートの表面を研磨した。そして、研削砥石を観察したところ、目詰まり及び磨耗は生じていなかった。第７の絶縁シート及び第８の絶縁シートの硬化後の弾性率は、それぞれ、１．６ＧＰａ、２．４ＧＰａであった。 (Experimental example No. 2-2)
First, Experimental Example No. In the same manner as in 2-1, the CSP was fixed only on one side of the substrate. However, the thickness of the CSP is 0.35 mm, and the planar shape is a square having a side of 5 mm. The thickness of the substrate is 0.2 mm, and the planar shape is a square with a side of 15 cm. Next, a seventh insulating sheet having a rubber-based resin filler content of 20% by mass and a thickness of 0.2 mm and a silica filler content of 20% by mass and a thickness of 0.1 mm are formed on the substrate. A composite sheet composed of the insulating sheet was attached in a B-stage state. At this time, the seventh insulating sheet was placed on the substrate side. Thereafter, the composite sheet was cured by heating (180 ° C., 1 hour), and the surface of the composite sheet was polished by a grinding method until the outermost via was exposed. And when the grinding wheel was observed, clogging and abrasion were not generated. The elastic modulus after curing of the seventh insulating sheet and the eighth insulating sheet was 1.6 GPa and 2.4 GPa, respectively.

続いて、図３Ａ〜図３Ｎに示す方法と同様にして、基板の両側に、配線層の数が３層ずつの引き回し配線層を形成した。そして、基板の反り量を測定したところ、１４５μｍであった。 Subsequently, in the same manner as the method shown in FIGS. 3A to 3N, a lead wiring layer having three wiring layers was formed on both sides of the substrate. And when the curvature amount of the board | substrate was measured, it was 145 micrometers.

（実験例Ｎｏ．２−３）
先ず、実験例Ｎｏ．２−１と同様にして、ＣＳＰを基板の片面上のみに固定した。次いで、基板上に、ゴム系樹脂フィラーの含有量が３０質量％で厚さが０．３ｍｍの第９の絶縁シートを、Ｂステージの状態で貼り付けた。その後、第９の絶縁シートを加熱（１８０℃、１時間）により硬化させ、研削法により最表面のビアが露出するまで複合シートの表面を研磨した。そして、基板の反り量を測定したところ、１００μｍと実験例Ｎｏ．２−１よりも小さかった。しかしながら、研削砥石を観察したところ、著しい目詰まりが生じていた。なお、第９の絶縁シートの硬化後の弾性率は１．４ＧＰａであった。 (Experimental example No. 2-3)
First, Experimental Example No. In the same manner as in 2-1, the CSP was fixed only on one side of the substrate. Next, a ninth insulating sheet having a rubber-based resin filler content of 30% by mass and a thickness of 0.3 mm was attached to the substrate in a B-stage state. Thereafter, the ninth insulating sheet was cured by heating (180 ° C., 1 hour), and the surface of the composite sheet was polished by a grinding method until the outermost via was exposed. And when the curvature amount of the board | substrate was measured, 100 micrometers and experiment example No. were measured. It was smaller than 2-1. However, when the grinding wheel was observed, significant clogging occurred. The elastic modulus after curing of the ninth insulating sheet was 1.4 GPa.

（実験例Ｎｏ．２−４）
先ず、実験例Ｎｏ．２−１と同様にして、ＣＳＰを基板の片面上のみに固定した。次いで、基板上に、シリカフィラーの含有量が３０質量％で厚さが０．３ｍｍの第１０の絶縁シートを、Ｂステージの状態で貼り付けた。その後、第１０の絶縁シートを加熱（１８０℃、１時間）により硬化させ、研削法により最表面のビアが露出するまで複合シートの表面を研磨した。そして、研削砥石を観察したところ、目詰まり及び磨耗は生じていなかった。しかしながら、基板の反り量を測定したところ、２００μｍと、引き回し配線層の形成の前でも実験例Ｎｏ．２−１よりも著しく大きかった。なお、第１０の絶縁シートの硬化後の弾性率は２．８ＧＰａであった。 (Experimental example No. 2-4)
First, Experimental Example No. In the same manner as in 2-1, the CSP was fixed only on one side of the substrate. Next, a tenth insulating sheet having a silica filler content of 30 mass% and a thickness of 0.3 mm was pasted on the substrate in a B-stage state. Thereafter, the tenth insulating sheet was cured by heating (180 ° C., 1 hour), and the surface of the composite sheet was polished by a grinding method until the outermost via was exposed. And when the grinding wheel was observed, clogging and abrasion were not generated. However, when the amount of warpage of the substrate was measured, it was 200 μm, and even before the formation of the routing wiring layer, the experimental example No. It was significantly larger than 2-1. In addition, the elasticity modulus after hardening of the 10th insulating sheet was 2.8 GPa.

なお、ベース基板上に固定される電子部品は特に限定されない。ＣＳＰ以外にも、ベアチップ等を用いることができる。検査が可能なベアチップをベース基板上に固定する場合には、フェースアップで固定したベアチップの外部接続電極側から、上述の各実施形態におけるものと同様の絶縁シートをラミネートし、ベアチップの外部接続電極全体を一旦被覆し、その後、研削によりこの接続電極を露出させてもよい。 The electronic component fixed on the base substrate is not particularly limited. In addition to the CSP, a bare chip or the like can be used. When fixing an inspectable bare chip on a base substrate, an insulating sheet similar to that in each of the above embodiments is laminated from the side of the bare chip external connection electrode fixed face-up, and the bare chip external connection electrode The whole may be covered once, and then this connection electrode may be exposed by grinding.

また、接続端子には、スタッドバンプ、めっきバンプ、はんだバンプ等の突起端子も含まれる。特に、ベアチップの場合は、電極部に直接上記スタッドバンプ、めっきバンプ、はんだバンプ等の突起端子を形成してもよいし、電極部と電気的に接続された部分に、上記スタッドバンプ、めっきバンプ、はんだバンプ等の突起端子を形成してもよい。更に、基板上に固定される電子部品の数は特に限定されず、１個のみでもよく、複数個であってもよい。 Further, the connection terminals include protruding terminals such as stud bumps, plating bumps, solder bumps and the like. In particular, in the case of a bare chip, a protruding terminal such as the stud bump, plating bump, or solder bump may be directly formed on the electrode portion, or the stud bump or plating bump may be formed on a portion electrically connected to the electrode portion. A protruding terminal such as a solder bump may be formed. Further, the number of electronic components fixed on the substrate is not particularly limited, and may be one or more.

第１の実施形態に係る部品内蔵基板の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the component built-in board | substrate concerning 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る部品内蔵基板を製造する方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the method of manufacturing the component built-in substrate which concerns on 1st Embodiment. 図２Ａに引き続き、部品内蔵基板を製造する方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the method of manufacturing a component built-in board following FIG. 2A. 図２Ｂに引き続き、部品内蔵基板を製造する方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the method of manufacturing a component built-in board following FIG. 2B. 図２Ｃに引き続き、部品内蔵基板を製造する方法を示す断面図である。FIG. 2D is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the component-embedded substrate, following FIG. 2C. 図２Ｄに引き続き、部品内蔵基板を製造する方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the method of manufacturing a component built-in board following FIG. 2D. 引き回し配線層４を形成する方法を示す断面図である。5 is a cross-sectional view showing a method of forming a lead wiring layer 4; FIG. 図３Ａに引き続き、引き回し配線層４を形成する方法を示す断面図である。FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating a method of forming the lead wiring layer 4 following FIG. 3A. 図３Ｂに引き続き、引き回し配線層４を形成する方法を示す断面図である。FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating a method for forming the lead wiring layer 4 subsequent to FIG. 3B. 図３Ｃに引き続き、引き回し配線層４を形成する方法を示す断面図である。FIG. 3C is a cross-sectional view illustrating a method for forming the routing wiring layer 4 subsequent to FIG. 3C. 図３Ｄに引き続き、引き回し配線層４を形成する方法を示す断面図である。FIG. 3D is a cross-sectional view showing a method for forming the lead wiring layer 4 following FIG. 3D. 図３Ｅに引き続き、引き回し配線層４を形成する方法を示す断面図である。3E is a cross-sectional view illustrating a method of forming the lead wiring layer 4 following FIG. 3E. 図３Ｆに引き続き、引き回し配線層４を形成する方法を示す断面図である。3F is a cross-sectional view illustrating a method of forming the lead wiring layer 4 subsequent to FIG. 3F. 図３Ｇに引き続き、引き回し配線層４を形成する方法を示す断面図である。FIG. 3G is a cross-sectional view illustrating a method for forming the lead wiring layer 4 subsequent to FIG. 3G. 図３Ｈに引き続き、引き回し配線層４を形成する方法を示す断面図である。FIG. 3C is a cross-sectional view illustrating a method for forming the routing wiring layer 4 subsequent to FIG. 3H. 図３Ｉに引き続き、引き回し配線層４を形成する方法を示す断面図である。FIG. 3C is a cross-sectional view illustrating a method for forming the lead wiring layer 4 subsequent to FIG. 3I. 図３Ｊに引き続き、引き回し配線層４を形成する方法を示す断面図である。FIG. 3C is a cross-sectional view illustrating a method for forming the routing wiring layer 4 subsequent to FIG. 3J. 図３Ｋに引き続き、引き回し配線層４を形成する方法を示す断面図である。FIG. 3C is a cross-sectional view illustrating a method for forming the lead wiring layer 4 subsequent to FIG. 3K. 図３Ｌに引き続き、引き回し配線層４を形成する方法を示す断面図である。FIG. 3C is a cross-sectional view illustrating a method of forming the lead wiring layer 4 subsequent to FIG. 3L. 図３Ｍに引き続き、引き回し配線層４を形成する方法を示す断面図である。FIG. 3C is a cross-sectional view illustrating a method for forming the lead wiring layer 4 subsequent to FIG. 3M. 第２の実施形態に係る部品内蔵基板の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the component built-in board | substrate concerning 2nd Embodiment. 第２の実施形態に係る部品内蔵基板を製造する方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the method of manufacturing the component built-in board which concerns on 2nd Embodiment. 図５Ａに引き続き、部品内蔵基板を製造する方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the method of manufacturing a component built-in board following FIG. 5A. 図５Ｂに引き続き、部品内蔵基板を製造する方法を示す断面図である。FIG. 5B is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing the component-embedded substrate, following FIG. 5B. 図５Ｃに引き続き、部品内蔵基板を製造する方法を示す断面図である。FIG. 5C is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing the component-embedded substrate, following FIG. 5C. 図５Ｄに引き続き、部品内蔵基板を製造する方法を示す断面図である。FIG. 5D is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing the component-embedded substrate, following FIG. 5D. ＣＳＰの構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of CSP. 部品内蔵基板を製造する従来の方法の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the conventional method of manufacturing a component built-in board | substrate. 図７Ａに引き続き、部品内蔵基板を製造する従来の方法の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the conventional method of manufacturing a component built-in board following FIG. 7A.

Explanation of symbols

１：ベース基板
２、３、５２：絶縁シート
４：引き回し配線層
５：スルーホール
６：めっき層
７：バンプ
１０：基板
１１：回路部
１２：再配線部
１３：接続端子
１４：ＣＳＰ
２１、２６：絶縁シート
２２、２７：ビアホール
２３：シード層
２４：レジストパターン
２５：めっき膜 1: Base substrate 2, 3, 52: Insulation sheet 4: Leading wiring layer 5: Through hole 6: Plating layer 7: Bump 10: Substrate 11: Circuit portion 12: Rewiring portion 13: Connection terminal 14: CSP
21, 26: Insulating sheet 22, 27: Via hole 23: Seed layer 24: Resist pattern 25: Plating film

Claims

A substrate,
On the substrate, an electronic component fixed with the connection terminal facing upward,
It is composed of a resin containing a filler, has an insulating layer that covers the side surface of the electronic component and exposes the connection terminal,
The insulating layer is
A first insulating sheet located on the surface side of the insulating layer;
Located on the substrate side of the first insulation sheet, it has a second insulating sheet to alleviate the stress generated in the substrate due to the difference between the thermal expansion coefficient of the insulating layer and the thermal expansion coefficient of the substrate ,
The component-embedded substrate , wherein the surface of the first insulating sheet is polished until the connection terminals are exposed .

The component-embedded substrate according to claim 1 , wherein the second layer has a content of the filler higher than that of the first layer.

The component-embedded substrate according to claim 1 , wherein the first layer contains an inorganic filler, and the second layer contains a rubber-based resin filler.

The component-embedded substrate according to claim 2 , wherein the content of the filler is higher in a region where the distance from the surface of the insulating layer is larger.

Fixing the electronic component on the board with the connection terminal facing upward;
Is composed of a resin containing a filler, and a step of attaching the insulation layer will covering the side surface of the electronic component from above of the electronic component on the substrate,
Polishing the surface of the insulating layer until the connection terminals are exposed , and
The insulating layer is
A first insulating sheet located on the surface side of the insulating layer;
A second insulating sheet that is positioned closer to the substrate than the first insulating sheet, has a higher filler content than the first insulating sheet, and is thinner than the electronic component. A method of manufacturing a component-embedded substrate.

Fixing the electronic component on the board with the connection terminal facing upward;
Is composed of a resin containing a filler, and a step of attaching the insulation layer covering the side surfaces of the electronic component from above of the electronic component on the substrate,
Polishing the surface of the insulating layer until the connection terminals are exposed , and
The insulating layer is
A first insulating sheet located on the surface side of the insulating layer and containing an inorganic filler;
Than said first insulating sheet positioned on the substrate side and contains a rubber-based resin filler, a manufacturing method of a component-embedded substrate and having a thin second insulating sheet than the electronic component.