JP5291648B2 - 窒化物結晶の製造装置及び製造方法 - Google Patents
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Description
前記フラックスおよび前記原料を収容するためのルツボ、
ルツボを収容する反応容器、
反応容器を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器であって、反応容器を収容する収容空間を形成する本体、この本体の開口を閉塞する蓋、および反応容器を加熱する発熱体を備えている圧力容器、および
蓋を本体から離して収容空間に反応容器を収容するときに、本体と蓋との間の空隙に乾燥気体を流す気体供給手段
を備えていることを特徴とする。
さらには、本発明は、フラックスおよび原料を収容するルツボ、
前記ルツボを収容する反応容器、および
前記反応容器を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器であって、前記反応容器を収容する収容空間を形成する本体、この本体の開口を閉塞する蓋、および前記反応容器を加熱する発熱体を備えている圧力容器
を使用して窒化物結晶を製造する方法であって、
前記蓋を前記本体から離して前記収容空間に前記反応容器を収容するときに、前記本体と前記蓋との間の空隙に乾燥気体を流す気体供給工程;および
前記ルツボ内の前記フラックスおよび前記原料を加熱および加圧することによって前記窒化物結晶を育成する育成工程
を有することを特徴とする、窒化物結晶の製造方法である。
すなわち、フラックスおよび原料を収容したルツボを反応容器内に収容し、反応容器を圧力容器内に収容し、高圧下で加熱する。この際には、窒素を含む雰囲気ガスを所定圧力に圧縮し、圧力容器内に供給し、圧力容器内の全圧および窒素分圧を制御する。
GaN、AlN、InN、これらの混晶(AlGaInN)、BN。
図1は、本発明の一実施形態に係る育成装置を模式的に示す図であり、図2は、図1の装置を模式的に示す上面図である。
図7の例では、蓋3の所定箇所に開口4が形成されており、各開口4の内側に封止手段5が固定されている。図8の例では、各開口4の外側に封止手段5Aが固定されている。各容器は、封止手段5、5Aによって、反応容器1、1A外の雰囲気からは気密に封止されている。この状態で反応容器1、1Aをグローブボックスから取り出し、次いでそのまま圧力容器内に設置する。
(GaNテンプレートの作成)
図3、4、7を参照しつつ説明した方法に従い、GaN単結晶を育成した。
具体的には、直径2インチ、厚さ1mmのc面サファイア基板の表面に、GaN低温バッファ層を500℃で50nmの厚さに成膜した後、厚さ3ミクロンのGaN薄膜をMOCVD法により成膜した。
アルゴン雰囲気のグローブボックス内で、内径φ70mmのアルミナルツボ9の底面中央に種結晶基板としてφ2インチGaNテンプレートを配置した。さらに金属ナトリウム、金属ガリウム、炭素を原料としてGa/Na比27mol%となる比率でルツボ9内に充填した。このルツボにアルミナ製の蓋を載せた。このルツボ9を反応容器1に収容した。容器1の材質はステンレススチールとした。開口4は2箇所設けた。各開口の直径は2mmとした。厚さ100μmのアルミニウム製テープ5(直径約4〜5mm)を蓋3の裏側に貼り付け、各開口4を塞いだ。
育成実験の前日に、育成温度以上である875℃で真空状態で加熱し、真空を引き続けながら冷却を行った。翌朝には、炉は125℃まで冷めていた。次いで、炉のコンディションを測定するために、窒素ガスにて約0.2MPa程度加圧し、1時間後に大気圧までガスを放出させながら、露点と酸素濃度を測定した。このときの露点は-65℃、酸素濃度は1ppm以下であった。
次いで、圧力容器の蓋13を開け、グローブボックスから反応容器1を取り出し、本体11内に設置した。このとき、除湿された乾燥大気(露点:-40℃)を300L/ minでエアーカーテンのように供給管20から噴出させた。反応容器の設置にかかった時間は20分であった。設置後、蓋13を締め、真空ポンプにて50分真空引きを行った。到達真空度は0.03Paであった。
次いで、純度99.99%の窒素ガス(露点-80℃、酸素濃度<1ppm)を用いて炉内を昇圧して、4.1MPaとした。その後、870℃になるまで昇温し、圧力調整弁にて熱膨張にて設定圧力以上となった余分なガスを放出し、設定圧力を保持した。放出されたガスを露点計と酸素濃度計にて測定したところ、露点は-58℃(水分量14ppm)、酸素濃度は1.5ppmであった。870℃に到達した後、溶液を静置もしくは、強制撹拌を行いながら100時間保持することにより結晶成長させた。その後30時間かけて室温まで徐冷した。冷却後、結晶育成炉から育成容器を取り出し、エタノールを用いて、フラックスを除去し、成長した窒化ガリウム結晶板を回収した。
この窒化ガリウム結晶板は、大きさはφ2インチであり、厚さは約1.0mmであり、無色透明であった。
この結晶板の断面観察をしたところ、着色部位は見られず、研磨することで、厚さ0.5mmの無色透明な結晶板を作成することが出来た。この結晶板の不純物量をSIMSにより測定したところ、酸素は6×1016atoms/cm3であった。ナトリウム、炭素は検出されなかった。基板中央のXRC半値幅は(0002)反射が120秒、(10-12)反射が150秒であり、燐酸:硫酸=3:1の混合液を用いて250℃・140分エッチングしたときのエッチピット密度(EPD)は5×105/cm2であった。ホール測定により、電子移動度900cm2/Vs、比抵抗0.2Ω・cm、キャリア濃度6×1016atoms/cm3であり、低キャリア濃度、高移動度であった。
反応容器設置時に用いる乾燥大気の流量を減らして、150L / minとする以外は、実施例1と同様に結晶育成を行った。真空引きを50分した時点での到達真空度は0.04Paまで到達した。昇温時に放出されたガスの露点を測定したところ、-51℃(水分量34ppm)であった。
反応容器の設置時に用いる乾燥気体の露点を-20℃とした以外は、実施例1と同様に結晶育成を行った。真空引きを50分おこなった時点での到達真空度は0.04Paであった。昇温時に放出されたガスの露点と酸素濃度を測定したところ、露点-42℃(水分量101ppm)、酸素濃度1.5ppmであった。
窒化ガリウム結晶板を回収したところ、窒化ガリウム結晶板は、大きさはφ2インチであり、厚さは約1.0mmであり、茶色を呈していた。
反応容器の設置時にドライエアーを用いないこと以外は、実施例1と同様に結晶育成を行った。炉の大気開放前の露点と酸素濃度は、実施例1とほぼ同じであった。真空引きを50分した時点での到達真空度は0.5Paであった。昇温時に放出されたガスの露点、酸素濃度を測定したところ、-35℃(水分量220ppm)、酸素1.5ppmであった。
Claims (14)
- フラックスおよび原料を含む溶液を使用して窒化物結晶を製造する装置であって、
前記フラックスおよび前記原料を収容するためのルツボ、
前記ルツボを収容する反応容器、
前記反応容器を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器であって、前記反応容器を収容する収容空間を形成する本体、この本体の開口を閉塞する蓋、および前記反応容器を加熱する発熱体を備えている圧力容器、および
前記蓋を前記本体から離して前記収容空間に前記反応容器を収容するときに、前記本体と前記蓋との間の空隙に乾燥気体を流す気体供給手段
を備えていることを特徴とする、窒化物結晶の製造装置。 - 前記本体が側壁と底壁とを有しており、前記気体供給手段が前記底壁に設けられており、この気体供給手段から前記収容空間へと供給された前記気体が前記空隙へと流れることを特徴とする、請求項1記載の装置。
- 前記本体が側壁と底壁とを有しており、前記気体供給手段が前記側壁の上端部に設けられており、前記気体供給手段から前記乾燥気体を前記空隙へと流すことを特徴とする、請求項1記載の装置。
- 前記本体が側壁と底壁とを有しており、前記気体供給手段が前記本体の外側に設けられており、前記気体供給手段から前記乾燥気体を前記空隙へと流すことを特徴とする、請求項1記載の装置。
- 前記気体供給手段が気体供給管であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の装置。
- 前記気体供給手段が複数の気体供給口を備えていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の装置。
- 前記反応容器に開口が設けられており、この開口を気密封止し、前記窒化物結晶の育成時の加熱および加圧条件下において前記開口を前記雰囲気に連通させる封止手段を備えていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一つの請求項に記載の装置。
- フラックスおよび原料を収容するルツボ、
前記ルツボを収容する反応容器、および
前記反応容器を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器であって、前記反応容器を収容する収容空間を形成する本体、この本体の開口を閉塞する蓋、および前記反応容器を加熱する発熱体を備えている圧力容器
を使用して窒化物結晶を製造する方法であって、
前記蓋を前記本体から離して前記収容空間に前記反応容器を収容するときに、前記本体と前記蓋との間の空隙に乾燥気体を流す気体供給工程;および
前記ルツボ内の前記フラックスおよび前記原料を加熱および加圧することによって前記窒化物結晶を育成する育成工程
を有することを特徴とする、窒化物結晶の製造方法。 - 前記本体が側壁と底壁とを有しており、前記乾燥気体を供給する気体供給手段が前記底壁に設けられており、この気体供給手段から前記収容空間へと供給された前記気体が前記空隙へと流れることを特徴とする、請求項8記載の方法。
- 前記本体が側壁と底壁とを有しており、前記乾燥気体を供給する気体供給手段が前記側壁の上端部に設けられており、前記気体供給手段から前記乾燥気体を前記空隙へと流すことを特徴とする、請求項8記載の方法。
- 前記本体が側壁と底壁とを有しており、前記乾燥気体を供給する気体供給手段が前記本体の外側に設けられており、前記気体供給手段から前記乾燥気体を前記空隙へと流すことを特徴とする、請求項8記載の方法。
- 前記乾燥気体を供給する気体供給手段が気体供給管であることを特徴とする、請求項8〜11のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記乾燥気体を供給する気体供給手段が複数の気体供給口を備えていることを特徴とする、請求項8〜12のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記反応容器に開口が設けられており、この開口を気密封止し、前記窒化物結晶の育成時の加熱および加圧条件下において前記開口を前記雰囲気に連通させる封止手段を備えていることを特徴とする、請求項8〜13のいずれか一つの請求項に記載の方法。
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