JP5280739B2 - Image display device - Google Patents

Image display device Download PDF

Info

Publication number
JP5280739B2
JP5280739B2 JP2008152942A JP2008152942A JP5280739B2 JP 5280739 B2 JP5280739 B2 JP 5280739B2 JP 2008152942 A JP2008152942 A JP 2008152942A JP 2008152942 A JP2008152942 A JP 2008152942A JP 5280739 B2 JP5280739 B2 JP 5280739B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
signal
pixels
electrode
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008152942A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2009300592A (en
Inventor
卓英 倉永
亨 河野
秋元  肇
景山  寛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd, Japan Display Inc filed Critical Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd
Priority to JP2008152942A priority Critical patent/JP5280739B2/en
Priority to US12/480,804 priority patent/US8207918B2/en
Publication of JP2009300592A publication Critical patent/JP2009300592A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5280739B2 publication Critical patent/JP5280739B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To allow uniform display even when a relation between the gate voltage and the drain current of a thin film transistor shows hysteresis characteristics. <P>SOLUTION: In the first half of a set period, reset switch element of all pixels are turned on to cause control electrodes of driving transistor of all pixels to converge to a prescribed voltage, and a step signal in a first voltage level is supplied from a step signal generation circuit to each signal line. In the latter half of the set period, reset switch elements of all pixels are turned off, and a step signal in a second voltage level different from the first signal level is supplied from the step signal generation circuit to each signal line, and a voltage exceeding a second supply voltage or a voltage exceeding a voltage range supplied from a signal driving part is input to control electrodes of driving transistors of all pixels as a voltage for characteristic value setting. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、有機EL素子などを用いた画像表示装置に係り、特に、低電圧化、高精細化において高画質表示の可能な画像表示装置に関する。   The present invention relates to an image display device using an organic EL element and the like, and more particularly to an image display device capable of high-quality display at a low voltage and high definition.

従来表示装置の主流であったCRTに代わり、近年、フラットディスプレイ装置の需要が増大している。特に、有機EL(Electro Luminescence)素子(OLED;Oganic Light Emitting Diode)を用いた表示装置は、消費電力、軽さ、薄さ、動画特性、視野角などの点で優れており、開発、実用化も進んでいる。
有機EL素子を用いた画像表示装置における、画像信号の画素への書き込み方式には、電圧プログラム方式と電流プログラム方式がある。書き込み速度の速い、電圧プログラム方式を用いた技術は、例えば、下記特許文献1、非特許文献1等に記載されている。
前述の特許文献1、および非特許文献1に記載された画像表示装置において、より素子数、配線数を少なくし、高精細化を可能とした技術として、下記、特許文献2に記載の技術が知られている。
この特許文献2では、信号線と記録容量との間のスイッチを排除し、1フレーム期間を書き込み期間と発光期間に分ける。各画素への信号書き込み時に、有機EL素子に電流を流す薄膜トランジスタ(以下、駆動TFTという)のゲート電極とドレイン電極をショートさせることでゲート電圧を一定に収束させ、このリセット動作による収束電圧と信号線に印加された信号電圧の差電圧を記憶容量に保持させる。発光期間においては、全信号線に三角波電圧を入力することで全画素一斉に発光させる。
In recent years, demand for flat display devices has increased in place of CRTs that have been the mainstream of conventional display devices. In particular, display devices using organic EL (Electro Luminescence) elements (OLEDs) are excellent in terms of power consumption, lightness, thinness, video characteristics, viewing angle, etc., and are developed and put into practical use. Is also progressing.
In an image display device using an organic EL element, there are a voltage program method and a current program method for writing image signals to pixels. A technique using a voltage program method with a high writing speed is described in, for example, Patent Document 1 and Non-Patent Document 1 below.
In the image display devices described in Patent Document 1 and Non-Patent Document 1, the technology described in Patent Document 2 below is available as a technology that can reduce the number of elements and the number of wirings and achieve high definition. Are known.
In Patent Document 2, the switch between the signal line and the recording capacity is eliminated, and one frame period is divided into a writing period and a light emission period. When writing a signal to each pixel, the gate voltage and the drain electrode of a thin film transistor (hereinafter referred to as a driving TFT) that sends current to the organic EL element are short-circuited so that the gate voltage is uniformly converged. The difference voltage between the signal voltages applied to the lines is held in the storage capacity. In the light emission period, all pixels are caused to emit light simultaneously by inputting a triangular wave voltage to all signal lines.

この特許文献2において、低電力化により電源電圧を低くした場合、リセット動作において駆動TFTに流れる電流が小さくなるため、収束時間が長くなり、すべての画素の駆動TFTのゲート電圧が一定に揃わないという問題点がある。この問題点のため、信号書き込み時の駆動TFTのゲート電圧が定まらないために、駆動TFTのゲート電圧−ドレイン電流特性が定まらず、残像が発生する。
この書き込み不足の問題点を解決する技術として、下記の非特許文献2に記載されている技術が知られている。
この非特許文献2と、特許文献2との違いは、信号書き込み時に初期電圧を画素外部より駆動TFTのゲート電極にプリチャージする系が設けてある点である。信号書き込み時に初期電圧をプリチャージすることで、駆動TFTのゲート電圧を一定に揃え、すべての駆動TFTを同じ特性で用いることができる。これにより残像は解消される。
In Patent Document 2, when the power supply voltage is lowered by reducing the power, the current flowing through the drive TFT in the reset operation becomes small, so the convergence time becomes long and the gate voltages of the drive TFTs of all the pixels are not uniform. There is a problem. Because of this problem, since the gate voltage of the driving TFT at the time of signal writing is not determined, the gate voltage-drain current characteristic of the driving TFT is not determined, and an afterimage occurs.
As a technique for solving the problem of insufficient writing, a technique described in Non-Patent Document 2 below is known.
The difference between Non-Patent Document 2 and Patent Document 2 is that a system for precharging the initial voltage from the outside of the pixel to the gate electrode of the driving TFT at the time of signal writing is provided. By precharging the initial voltage at the time of signal writing, the gate voltages of the driving TFTs can be made constant and all the driving TFTs can be used with the same characteristics. As a result, the afterimage is eliminated.

なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
特開2003−5709号公報 特開2003−122301号公報 Digest of Technical Papers, SID98 p.p.11-14 Digest of Technical Papers, SID07 p.p.1382-1385
As prior art documents related to the invention of the present application, there are the following.
JP 2003-5709 A JP 2003-122301 A Digest of Technical Papers, SID98 pp11-14 Digest of Technical Papers, SID07 pp1382-1385

前述の特許文献1,2、あるいは、非特許文献1,2に記載されている画像表示装置では、低電力化、高精細化によりスメアが生じる場合がある。この問題について、図13ないし図15を用いて説明する。
薄膜トランジスタ(以下、TFTという)は、ゲート電圧−ドレイン電流の関係がヒステリシス特性を示す場合がある。
このヒステリシス特性について図13を用いて説明する。
TFTのゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)の関係は、ゲート絶縁膜(GI)にトラップされるキャリア(CAP)の数によって異なる。
図13(a)に示すような、ゲート絶縁膜(GI)にトラップされるキャリア(CAP)数が多い状態Aでは、TFTのゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)の関係は図13(c)の特性Aに従う。
一方、図13(b)に示すような、ゲート絶縁膜(GI)にトラップされるキャリア数(CAP)が少ない状態Bでは、TFTのゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)の関係は図13(c)の特性Bに従う。
また、トラップされたキャリア(CAP)の放出により、トラップされたキャリア(CAP)の数が少なくなると、ゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)の関係は、特性Aから特性Bへと遷移する。したがって、トラップされたキャリア(CAP)数が少なくなると、特性Aと特性Bの間の領域Cにしたがって動作する場合がある。
なお、図13は、p型のTFTの特性を示しており、横軸のゲート電圧(Vg)は、ソース電圧に対して負電圧であることを示している。また、Gはゲート電極である。
In the image display devices described in Patent Documents 1 and 2 or Non-Patent Documents 1 and 2, smear may occur due to low power and high definition. This problem will be described with reference to FIGS.
In a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT), the gate voltage-drain current relationship may exhibit hysteresis characteristics.
This hysteresis characteristic will be described with reference to FIG.
The relationship between the gate voltage (Vg) and the drain current (Id) of the TFT varies depending on the number of carriers (CAP) trapped in the gate insulating film (GI).
In the state A where the number of carriers (CAP) trapped in the gate insulating film (GI) is large as shown in FIG. 13A, the relationship between the TFT gate voltage (Vg) -drain current (Id) is as shown in FIG. According to characteristic A of c).
On the other hand, in the state B where the number of carriers (CAP) trapped in the gate insulating film (GI) is small as shown in FIG. 13B, the relationship between the gate voltage (Vg) -drain current (Id) of the TFT is shown in FIG. According to characteristic B of 13 (c).
Further, when the number of trapped carriers (CAP) decreases due to the emission of trapped carriers (CAP), the relationship between the gate voltage (Vg) and the drain current (Id) transitions from the characteristic A to the characteristic B. . Therefore, when the number of trapped carriers (CAP) decreases, the operation may be performed according to the region C between the characteristics A and B.
Note that FIG. 13 shows the characteristics of the p-type TFT, and the gate voltage (Vg) on the horizontal axis is negative with respect to the source voltage. G is a gate electrode.

ゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)の関係にヒステリシス特性を持つ、p型TFTのゲート電極に入力する信号が、図14(a)に示すように、Vg1の電圧からVg0の電圧に変化する場合のように、Vg1の電圧を印加する時間(ton)が長いほど、Vg1の電圧とVg0との電位差(ΔVg)が大きいほど、ゲート絶縁膜(GI)にトラップされるキャリア(CAP)数が多くなり、ゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)の関係は時間が経過しても、図14(b)に示すように、特性Aに近い特性を保つ。
一方、ゲート電極に入力する信号が、図14(c)に示すように、Vg2の電圧からVg0の電圧に変化する場合のように、Vg2の電圧を印加する時間(ton)が短いほど、Vg2の電圧とVg0との電位差(ΔVg)が小さいほど、ゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)の関係は、図14(d)に示すように、速やかに特性Bに近づく。なお、図14において、Id0は、ゲート電圧がVg0の時のドレイン電流である。
前述の特許文献2においては、電源電圧に対して、リセット動作時の駆動TFTのゲート電極の収束電圧が電源電圧に対して十分に低いため(即ち、ゲート・ソース間電圧(Vgs)が充分大きいため)に、すべての駆動TFTは、図14(b)に示す特性C1のような、特性Aに近い特性で動作する。
また、前述の非特許文献2において、書き込み時に駆動TFTのゲート電極にプリチャージする初期電圧を下げることで、駆動TFTの特性を、図14(b)に示す特性C1に保ったまま、電源電圧を下げる、もしくは、プリチャージ時間を短くすることができる。
A signal input to the gate electrode of the p-type TFT having a hysteresis characteristic in the relationship of gate voltage (Vg) -drain current (Id) changes from a voltage of Vg1 to a voltage of Vg0 as shown in FIG. The number of carriers (CAP) trapped in the gate insulating film (GI) increases as the time (ton) for applying the voltage Vg1 is longer and the potential difference (ΔVg) between the voltage Vg1 and Vg0 is larger. The relationship between the gate voltage (Vg) and the drain current (Id) maintains a characteristic close to the characteristic A as shown in FIG.
On the other hand, as the signal input to the gate electrode changes from the voltage Vg2 to the voltage Vg0 as shown in FIG. 14C, the shorter the time (ton) for applying the voltage Vg2, the shorter Vg2 is. The smaller the potential difference (ΔVg) between the voltage Vg0 and the voltage Vg0, the faster the relationship between the gate voltage (Vg) and the drain current (Id) approaches the characteristic B as shown in FIG. In FIG. 14, Id0 is a drain current when the gate voltage is Vg0.
In the above-mentioned Patent Document 2, since the convergence voltage of the gate electrode of the driving TFT at the reset operation is sufficiently lower than the power supply voltage with respect to the power supply voltage (that is, the gate-source voltage (Vgs) is sufficiently large). Therefore, all the driving TFTs operate with characteristics close to the characteristic A, such as the characteristic C1 shown in FIG.
Further, in the above-mentioned Non-Patent Document 2, by reducing the initial voltage precharged to the gate electrode of the driving TFT at the time of writing, the power supply voltage is maintained while maintaining the characteristics of the driving TFT at the characteristic C1 shown in FIG. Or the precharge time can be shortened.

しかしながら、前述の非特許文献2において、さらに電源電圧を下げたとき、もしくは高精細化によってプリチャージ時間が短くなったとき、駆動TFTの特性は、図14(d)に示す特性Bに近づき、特性C2のような特性Aと特性Bの遷移領域にて駆動TFTが動作する場合がある。
このとき、例えば、画面中央部のみに黒、その他の部分に白を表示させた場合、書き込み期間に、図15(a)における、aないしfの画素に、画像信号を書き込むときの駆動TFTのゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)の関係は、図15(b)、(c)に示すように、画素によって異なる。
信号線12A上の画素bと、信号線12B上の画素eにおいては、発光期間において、駆動TFTがオンとなる時間の違い(画素bの発光時間が、画素eの発光時間よりも長い)により、ゲート絶縁膜(GI)にトラップされるキャリア数が異なり、駆動TFTは違った特性を示す。
また、信号線12B上の画素fおいては、黒領域を書き込む際に信号線電圧が下がり、それに伴い、画素fの駆動TFTのゲート電圧(Vg)も下がる。よって、画素fにおいては、信号線12A上の画素cとは発光期間において駆動TFTがオンとなる時間が同じにもかかわらず、ゲート絶縁膜(GI)にトラップされるキャリア数が異なり、書き込み時の駆動TFTの特性は異なる。よって、この駆動TFTの特性の違いにより、スメアが発生する。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイン電流の関係がヒステリシス特性を示す場合においても均一な表示が可能となる画像表示装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
However, in the above-mentioned Non-Patent Document 2, when the power supply voltage is further lowered, or when the precharge time is shortened due to high definition, the characteristics of the driving TFT approach the characteristics B shown in FIG. In some cases, the driving TFT operates in a transition region between the characteristic A and the characteristic B such as the characteristic C2.
At this time, for example, when black is displayed only in the central portion of the screen and white is displayed in other portions, the driving TFT for writing image signals to the pixels a to f in FIG. The relationship between the gate voltage (Vg) and the drain current (Id) varies depending on the pixel as shown in FIGS.
In the pixel b on the signal line 12A and the pixel e on the signal line 12B, due to the difference in the time during which the driving TFT is turned on in the light emission period (the light emission time of the pixel b is longer than the light emission time of the pixel e). The number of carriers trapped in the gate insulating film (GI) is different, and the driving TFT exhibits different characteristics.
Further, in the pixel f on the signal line 12B, the signal line voltage decreases when writing the black region, and accordingly, the gate voltage (Vg) of the driving TFT of the pixel f also decreases. Therefore, in the pixel f, the number of carriers trapped in the gate insulating film (GI) is different from that of the pixel c on the signal line 12A in spite of the same time during which the driving TFT is turned on during the light emission period. The driving TFTs have different characteristics. Therefore, smear occurs due to the difference in characteristics of the driving TFT.
The present invention has been made to solve the problems of the prior art, and an object of the present invention is to enable uniform display even when the gate voltage-drain current relationship of the thin film transistor exhibits hysteresis characteristics. An image display apparatus is provided.
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明は、画素に信号電圧を印加する前に、駆動TFTのゲート電圧に、十分な順方向のバイアス電圧を印加することで、すべての画素の駆動TFTを図14(b)に示す特性C1に揃え、特性Aに近い特性で駆動させるものである。
具体的な構成は、以下の通りである。
(1)それぞれ自発光素子を有する複数の画素と、前記各画素に画像信号を入力する複数の信号線と、前記各信号線に前記画像信号を供給する駆動回路と、前記各信号線にステップ信号を供給するステップ信号生成回路とを備え、前記各画素は、前記画像信号に基づき前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタと、前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続される容量素子と、前記駆動トランジスタの制御電極と第2電極との間に接続されるリセットスイッチ素子とを有し、前記駆動トランジスタの第1電極は、第1電源電圧に接続され、前記自発光素子の他端は、第2電源電圧に接続される画像表示装置であって、1フレーム期間内に、設定期間と、前記設定期間に連続し前記各画素に前記画像信号を書き込む書込期間とを有し、前記設定期間の前半の期間に、前記全画素の前記リセットスイッチ素子をオンとして、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極を所定の電圧に収束させ、かつ、前記ステップ信号生成回路から前記各信号線に第1電圧レベルのステップ信号を供給し、前記設定期間の後半の期間に、前記全画素の前記リセットスイッチ素子をオフし、かつ、前記ステップ信号生成回路から前記各信号線に前記第1信号レベルとは異なる第2電圧レベルのステップ信号を供給して、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極に特性値設定用電圧として、前記第2電源電圧を越える電圧、あるいは、前記信号駆動部から供給される電圧範囲を越える電圧を入力する。
Of the inventions disclosed in this application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
In the present invention, before applying a signal voltage to the pixels, a sufficient forward bias voltage is applied to the gate voltage of the driving TFT, so that the driving TFTs of all the pixels have the characteristic C1 shown in FIG. And driven with characteristics close to the characteristics A.
The specific configuration is as follows.
(1) A plurality of pixels each having a self-luminous element, a plurality of signal lines for inputting an image signal to each pixel, a drive circuit for supplying the image signal to each signal line, and a step for each signal line Each of the pixels includes a driving transistor that drives the self-luminous element based on the image signal, a corresponding signal line of the plurality of signal lines, and a driving transistor. A capacitive element connected between the control electrode and a reset switch element connected between the control electrode and the second electrode of the drive transistor, wherein the first electrode of the drive transistor is a first power source; The other end of the self-luminous element is connected to a second power supply voltage. The image display device is connected to a second power supply voltage. A write period for writing image signals, and during the first half of the set period, the reset switch elements of all the pixels are turned on, and the control electrodes of the drive transistors of all the pixels are converged to a predetermined voltage. And supplying a step signal of a first voltage level from the step signal generation circuit to each signal line, turning off the reset switch elements of all the pixels in the latter half of the setting period, and the step A step signal having a second voltage level different from the first signal level is supplied from the signal generation circuit to each of the signal lines, and a characteristic value setting voltage is supplied to the control electrodes of the driving transistors of all the pixels as the second voltage level. A voltage exceeding the power supply voltage or a voltage exceeding the voltage range supplied from the signal driver is input.

(2)それぞれ自発光素子を有する複数の画素と、前記各画素に画像信号を入力する複数の信号線と、前記各画素にリファレンス電圧を入力する複数のリファレンス線と、前記各信号線に前記画像信号を供給する駆動回路と、前記各信号線にステップ信号を供給するステップ信号生成回路とを備え、前記各画素は、前記画像信号に基づき前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタと、前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続される容量素子と、前記複数のリファレンス電圧線の中の対応するリファレンス電圧線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続されるリファレンススイッチ素子とを有し、前記駆動トランジスタの第1電極は、第1電源電圧に接続され、前記自発光素子の他端は、第2電源電圧に接続される画像表示装置であって、1フレーム期間内に、設定期間と、前記設定期間に連続し前記各画素に前記画像信号を書き込む書込期間とを有し、前記設定期間の前半の期間に、前記全画素の前記リファレンススイッチ素子をオンとして、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極に所定の電圧を入力し、かつ、前記ステップ信号生成回路から前記各信号線に第1電圧レベルのステップ信号を供給し、前記設定期間の後半の期間に、前記全画素の前記リファレンススイッチ素子をオフし、かつ、前記ステップ信号生成回路から前記各信号線に前記第1信号レベルとは異なる第2電圧レベルのステップ信号を供給して、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極に特性値設定用電圧として、前記第2電源電圧を越える電圧、あるいは、前記信号駆動部から供給される電圧範囲を越える電圧を入力する。 (2) A plurality of pixels each having a self-luminous element, a plurality of signal lines for inputting an image signal to each pixel, a plurality of reference lines for inputting a reference voltage to each pixel, and the signal lines A drive circuit that supplies an image signal; and a step signal generation circuit that supplies a step signal to each of the signal lines. Each of the pixels includes a drive transistor that drives the self-luminous element based on the image signal; A capacitive element connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and the control electrode of the driving transistor, a corresponding reference voltage line of the plurality of reference voltage lines, and a control electrode of the driving transistor, A first switch electrode connected to a first power supply voltage, and the other end of the self-luminous element. An image display device connected to the second power supply voltage, and having a set period and a write period for writing the image signal to each pixel in succession to the set period within one frame period, In the first half of the set period, the reference switch elements of all the pixels are turned on, a predetermined voltage is input to the control electrodes of the drive transistors of all the pixels, and each signal line from the step signal generation circuit Is supplied with a step signal of a first voltage level, and the reference switch elements of all the pixels are turned off during the latter half of the set period, and the first signal is supplied from the step signal generation circuit to each signal line. A step signal of a second voltage level different from the level is supplied, and the second power supply voltage is applied as a characteristic value setting voltage to the control electrodes of the drive transistors of all the pixels. Voltage obtain or inputs a voltage exceeding the voltage range supplied from the signal driver.

(3)(1)または(2)において、前記ステップ信号生成回路は、前記ステップ信号の前記1電圧レベルと前記第2電圧レベルのいずれか一方の電圧レベルと、前記ステップ信号の前記第1電圧レベルと前記第2電圧レベルのステップ幅を変更可能である。
(4)(1)または(2)において、前記駆動トランジスタは、p型の電界効果トランジスタであり、前記自発光素子のカソード電極は、前記第2電源電圧に接続され、前記ステップ信号は、前記第1電圧レベルがHighレベル、前記第2電圧レベルがLowレベルであり、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極に入力される特性値設定用電圧は、前記第2電源電圧よりも低電位の電圧、あるいは、前記信号駆動部から供給される電圧範囲の中で最も低電位の電圧よりも低電位の電圧である。
(5)(1)または(2)において、前記駆動トランジスタは、n型の電界効果トランジスタであり、前記自発光素子のアノード電極は、前記第2電源電圧に接続され、前記ステップ信号は、前記第1電圧レベルがLowレベル、前記第2電圧レベルがHighレベルであり、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極に入力される特性値設定用電圧は、前記第2電源電圧よりも高電位の電圧、あるいは、前記信号駆動部から供給される電圧範囲の中で最も高電位の電圧よりも高電位の電圧である。
(3) In (1) or (2), the step signal generation circuit includes the voltage level of either the first voltage level or the second voltage level of the step signal, and the first voltage of the step signal. The level and the step width of the second voltage level can be changed.
(4) In (1) or (2), the drive transistor is a p-type field effect transistor, the cathode electrode of the self-luminous element is connected to the second power supply voltage, and the step signal is The first voltage level is High level, the second voltage level is Low level, and the characteristic value setting voltage input to the control electrodes of the drive transistors of all the pixels is lower than the second power supply voltage. The voltage or a voltage having a lower potential than the lowest potential voltage in the voltage range supplied from the signal driver.
(5) In (1) or (2), the drive transistor is an n-type field effect transistor, an anode electrode of the self-luminous element is connected to the second power supply voltage, and the step signal is The first voltage level is the Low level, the second voltage level is the High level, and the characteristic value setting voltage input to the control electrodes of the drive transistors of all the pixels is higher than the second power supply voltage. The voltage or a voltage having a higher potential than the highest voltage in the voltage range supplied from the signal driver.

(6)それぞれ自発光素子を有する複数の画素と、前記各画素に画像信号を入力する複数の信号線と、前記各信号線に前記画像信号を供給する駆動回路とを備え、前記各画素は、前記画像信号に基づき前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタと、前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続される容量素子とを有し、前記駆動トランジスタは、p型の電界効果トランジスタであり、前記駆動トランジスタの第1電極は、第1電源電圧に接続され、前記自発光素子のカソード電極は、第2電源電圧に接続される画像表示装置であって、1フレーム期間内に、設定期間と、前記設定期間に連続し前記各画素に前記画像信号を書き込む書込期間とを有し、電源回路と、複数の電圧入力線とを有し、前記各画素は、前記複数の電圧入力線の中の対応する電圧入力線と前記自発光素子の一端との間に接続されるリファレンススイッチ素子を有し、前記設定期間に、前記全画素の前記リファレンススイッチ素子をオンとして、前記電源回路から前記各電圧入力線に前記第2電源電圧よりも低電位の電圧を供給することにより、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極に特性値設定用電圧として、前記第2電源電圧よりも低電位の電圧を入力する。 (6) A plurality of pixels each having a self-luminous element, a plurality of signal lines for inputting an image signal to each pixel, and a drive circuit for supplying the image signal to each signal line, A drive transistor that drives the self-luminous element based on the image signal, and a capacitive element connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and a control electrode of the drive transistor, The drive transistor is a p-type field effect transistor, the first electrode of the drive transistor is connected to a first power supply voltage, and the cathode electrode of the self-luminous element is connected to a second power supply voltage. The device includes a set period and a write period in which the image signal is written to each pixel in succession to the set period within one frame period, and includes a power supply circuit and a plurality of voltage input lines. And before Each pixel has a reference switch element connected between a corresponding voltage input line of the plurality of voltage input lines and one end of the self-luminous element, and the reference of all the pixels is set during the setting period. By turning on the switch element and supplying a voltage having a lower potential than the second power supply voltage from the power supply circuit to the voltage input lines, a characteristic value setting voltage is applied to the control electrodes of the drive transistors of all the pixels. A voltage having a lower potential than the second power supply voltage is input.

(7)それぞれ自発光素子を有する複数の画素と、前記各画素に画像信号を入力する複数の信号線と、前記各信号線に前記画像信号を供給する駆動回路とを備え、前記各画素は、前記画像信号に基づき前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタと、前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続される容量素子とを有し、前記駆動トランジスタは、n型の電界効果トランジスタであり、前記駆動トランジスタの第1電極は、第1電源電圧に接続され、前記自発光素子のアノード電極は、第2電源電圧に接続される画像表示装置であって、1フレーム期間内に、設定期間と、前記設定期間に連続し前記各画素に前記画像信号を書き込む書込期間とを有し、電源回路と、複数の電圧入力線とを有し、前記各画素は、前記複数の電圧入力線の中の対応する電圧入力線と前記自発光素子の一端との間に接続されるリファレンススイッチ素子を有し、前記設定期間に、前記全画素の前記リファレンススイッチ素子をオンとして、前記電源回路から前記各電圧入力線に前記第2電源電圧よりも高電位の電圧を供給することにより、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極に特性値設定用電圧として、前記第2電源電圧よりも高電位の電圧を入力する。
(8)(6)または(7)において、前記信号線は、前記電圧入力線を兼用し、前記各画素の前記リファレンススイッチ素子は、前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記自発光素子の一端との間に接続される。
(7) A plurality of pixels each having a self-luminous element, a plurality of signal lines for inputting an image signal to each pixel, and a drive circuit for supplying the image signal to each signal line, A drive transistor that drives the self-luminous element based on the image signal, and a capacitive element connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and a control electrode of the drive transistor, The drive transistor is an n-type field effect transistor, the first electrode of the drive transistor is connected to a first power supply voltage, and the anode electrode of the self-luminous element is connected to a second power supply voltage. The device includes a set period and a write period in which the image signal is written to each pixel in succession to the set period within one frame period, and includes a power supply circuit and a plurality of voltage input lines. And before Each pixel has a reference switch element connected between a corresponding voltage input line of the plurality of voltage input lines and one end of the self-luminous element, and the reference of all the pixels is set during the setting period. By turning on the switch element and supplying a voltage having a higher potential than the second power supply voltage from the power supply circuit to the voltage input lines, a characteristic value setting voltage is applied to the control electrodes of the drive transistors of all the pixels. A voltage having a higher potential than the second power supply voltage is input.
(8) In (6) or (7), the signal line also serves as the voltage input line, and the reference switch element of each pixel is connected to the corresponding signal line in the plurality of signal lines. It is connected between one end of the light emitting element.

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明の画像表示装置によれば、薄膜トランジスタのヒステリシス特性に起因する表示異常のない均一な表示が可能となる。
The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
According to the image display device of the present invention, uniform display without display abnormality due to the hysteresis characteristic of the thin film transistor is possible.

以下、本発明の有機EL表示装置に適用した実施例を図面を参照して詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
[実施例1]
図1は、本発明の実施例1の有機EL表示装置の全体構成を示す図である。図1に示すように、有機EL表示パネルの表示領域内には複数の画素1がマトリクス状に設けられる。
画素1には、信号線12、リセット線7、点灯スイッチ線21、および電源線6がそれぞれ入力される。
リセット線7は、ゲート駆動部8に接続される。また、点灯スイッチ線21は、オア回路42に接続される。オア回路42には、ゲート駆動部8から出力される走査出力線40と、点灯制御線41が入力される。
このゲート駆動部8の構成は、一般に良く知られているシフトレジスタ回路であるため、ここではその詳細な説明は省略する。
信号線12は、薄膜トランジスタで構成される信号線選択スイッチ素子11を介して、信号駆動部9に接続される。信号駆動部9には、外部から信号入力線10を介して画像信号が供給される。
信号駆動部9と、有機EL表示パネルとの間には、ステップ信号入力線15、三角波入力線16、ステップ信号選択スイッチ制御線17、三角波選択スイッチ制御線18、信号線選択スイッチ制御線19が延在している。
信号駆動部9から延びる信号線12にはこれらの出力が、薄膜トランジスタで構成される信号線選択スイッチ素子11、三角波選択スイッチ素子13、および、ステップ信号選択スイッチ素子14によって時間差で印加される。
Hereinafter, embodiments applied to the organic EL display device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
In all the drawings for explaining the embodiments, parts having the same functions are given the same reference numerals, and repeated explanation thereof is omitted.
[Example 1]
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of an organic EL display device according to Embodiment 1 of the present invention. As shown in FIG. 1, a plurality of pixels 1 are provided in a matrix in the display area of the organic EL display panel.
A signal line 12, a reset line 7, a lighting switch line 21, and a power supply line 6 are input to the pixel 1, respectively.
The reset line 7 is connected to the gate driver 8. The lighting switch line 21 is connected to the OR circuit 42. A scanning output line 40 and a lighting control line 41 output from the gate drive unit 8 are input to the OR circuit 42.
Since the configuration of the gate driver 8 is a generally well-known shift register circuit, a detailed description thereof is omitted here.
The signal line 12 is connected to the signal driver 9 via a signal line selection switch element 11 formed of a thin film transistor. An image signal is supplied to the signal driver 9 from the outside via a signal input line 10.
Between the signal driving unit 9 and the organic EL display panel, there are a step signal input line 15, a triangular wave input line 16, a step signal selection switch control line 17, a triangular wave selection switch control line 18, and a signal line selection switch control line 19. It is extended.
These outputs are applied to the signal line 12 extending from the signal driver 9 with a time difference by a signal line selection switch element 11, a triangular wave selection switch element 13, and a step signal selection switch element 14 formed of thin film transistors.

また、実際には画素1は、有機EL表示パネルの表示領域内に多数個配置されるが、図面の簡略化のために図1では、4画素のみを記載してある。また、後述するように画素1には、他にも共通接地線が配線されているが、これらの記載は省略してある。
各画素1には、発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子という。)2が設けられており、有機EL素子1のカソード電極は共通接地線に接続される。
また、アノード電極は、n型薄膜トランジスタで構成される点灯制御スイッチ素子20と、p型薄膜トランジスタ(以下、駆動TFTという。)4を介して電源線6に接続される。
また、駆動TFT4のゲート電極は、記憶容量3を介して信号線12に接続され、駆動TFT4のドレイン電極とゲート電極との間には、薄膜トランジスタで構成されるリセットスイッチ素子5が設けられる。
なお、リセットスイッチ素子5のゲート電極は、リセット線7に接続される。また、点灯制御スイッチ素子20のゲート電極は、点灯スイッチ線21に接続される。
画素1、ゲート駆動部8、信号駆動部9等の各回路は全て、半導体層として、一般に良く知られている低温多結晶シリコン層を有する低温多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いて構成され、これらの薄膜トランジスタは、ガラス基板上に形成される。
また、低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ、あるいは、有機EL素子1の製造方法などに関しては、一般に報告されているものと大きな相違はないため、ここではその説明は省略する。
In practice, a large number of pixels 1 are arranged in the display area of the organic EL display panel. However, in order to simplify the drawing, only four pixels are shown in FIG. As will be described later, other common ground lines are also wired to the pixel 1, but these descriptions are omitted.
Each pixel 1 is provided with an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as an organic EL element) 2 as a light emitting element, and the cathode electrode of the organic EL element 1 is connected to a common ground line.
The anode electrode is connected to the power supply line 6 through a lighting control switch element 20 composed of an n-type thin film transistor and a p-type thin film transistor (hereinafter referred to as a drive TFT) 4.
The gate electrode of the drive TFT 4 is connected to the signal line 12 via the storage capacitor 3, and a reset switch element 5 formed of a thin film transistor is provided between the drain electrode and the gate electrode of the drive TFT 4.
Note that the gate electrode of the reset switch element 5 is connected to the reset line 7. The gate electrode of the lighting control switch element 20 is connected to the lighting switch line 21.
Each circuit such as the pixel 1, the gate driving unit 8, and the signal driving unit 9 is configured by using a low-temperature polycrystalline silicon thin film transistor having a generally known low-temperature polycrystalline silicon layer as a semiconductor layer. Is formed on a glass substrate.
In addition, the manufacturing method of the low-temperature polycrystalline silicon thin film transistor or the organic EL element 1 is not greatly different from that generally reported, and the description thereof is omitted here.

図2は、本実施例の有機EL表示装置のタイミングチャートを示す図である。
図2の下側に示すように、本実施例では、1フレーム期間内に、書込期間と、発光期間と、設定期間とを有し、書込期間に各画素1に画像信号を書き込み、発光期間に全画素を点灯させて表示を行う。画像視信号の書き込みは、1表示ライン単位、即ち、リセット線7毎に行なわれる。
以下、各期間の動作について説明する。
[書込期間]
「書込期間」においては、信号線選択スイッチ制御線19により信号線選択スイッチ素子11がオンとなる。また、ゲート駆動部8が、1表示ライン単位に各行の複数の画素1を順次走査し、これと同期して、信号駆動部9から信号線選択スイッチ素子11を介してアナログ画像信号を信号線12に書き込む。
以下、ゲート駆動部8によって選択された、任意の表示ラインの画素1の「書込み期間」における動作について説明する。
書き込み期間内に、書き込みが選択された画素1の記憶容量3の一端には、時刻T1から時刻T4に亘って信号線12を介して信号電圧が印加される。
次に、時刻T2で、リセットスイッチ素子5と点灯制御スイッチ素子20とがオンとなり、これにより、駆動TFT4はゲート電極とドレイン電極とが接続されたダイオード接続になる。
FIG. 2 is a diagram illustrating a timing chart of the organic EL display device according to the present embodiment.
As shown in the lower side of FIG. 2, in this embodiment, there is a writing period, a light emitting period, and a setting period in one frame period, and an image signal is written to each pixel 1 in the writing period. During the light emission period, all pixels are turned on for display. The image viewing signal is written for each display line, that is, for each reset line 7.
Hereinafter, the operation in each period will be described.
[Writing period]
In the “writing period”, the signal line selection switch element 11 is turned on by the signal line selection switch control line 19. Further, the gate driving unit 8 sequentially scans the plurality of pixels 1 in each row for each display line, and in synchronization therewith, an analog image signal is sent from the signal driving unit 9 via the signal line selection switch element 11 to the signal line. 12 is written.
Hereinafter, an operation in the “writing period” of the pixel 1 of an arbitrary display line selected by the gate driving unit 8 will be described.
During the writing period, a signal voltage is applied to one end of the storage capacitor 3 of the pixel 1 selected for writing through the signal line 12 from time T1 to time T4.
Next, at time T2, the reset switch element 5 and the lighting control switch element 20 are turned on, whereby the driving TFT 4 becomes a diode connection in which the gate electrode and the drain electrode are connected.

次に、時刻T3で、点灯制御スイッチ素子20がオフすると、駆動TFT4と有機EL素子2とは強制的に電流オフ状態になるが、このとき、駆動TFT4のゲート電極とドレイン電極はリセットスイッチ素子5で短絡されているため、記憶容量3の一端でもある、駆動TFT4のゲート電極の電圧は、電源線6の電圧(Vdd)よりしきい値電圧(Vth)だけ低い電圧(Vdd−Vth)に自動的にリセットされる。
なおこのとき、記憶容量3の他端には、信号線12から、Vsのアナログ画像信号が入力されている。
次に、時刻T4で、リセットスイッチ素子5がオフすると、記憶容量3の両端の電位差はこのまま記憶容量3に記憶される。即ち、記憶容量3の信号線側に、「書込期間」で書込まれたVsのアナログ画像信号と等しい電圧が入力した際には、駆動TFT4のゲート電極の電圧V(g)は、電源線6の電圧よりしきい値電圧(Vth)だけ低い電圧(Vdd−Vth)に強制的に設定されることになる。
このとき、記憶容量3の信号線側に入力する電圧値が、Vsのアナログ画像信号よりも高ければ駆動TFT4はオフ状態であり、記憶容量3の信号線側に入力する電圧値が、Vsのアナログ画像信号よりも低ければ駆動TFT4はオン状態となる。但し、他の行の画素を走査している期間は、当該画素の点灯制御スイッチ素子20は常時オフ状態であるから、信号線12のアナログ画像信号の高低にかかわらず、有機EL素子1が点灯することはない。
アナログ画像信号の画素1への書込みはこのように行毎に順次行われ、全ての画素への書込みが終了した時点で1フレームの「書込期間」は終了する。
Next, when the lighting control switch element 20 is turned off at time T3, the drive TFT 4 and the organic EL element 2 are forcibly turned off. At this time, the gate electrode and the drain electrode of the drive TFT 4 are the reset switch elements. 5, the voltage of the gate electrode of the driving TFT 4, which is also one end of the storage capacitor 3, is a voltage (Vdd−Vth) lower than the voltage (Vdd) of the power supply line 6 by the threshold voltage (Vth). It is automatically reset.
At this time, an analog image signal of Vs is input from the signal line 12 to the other end of the storage capacitor 3.
Next, when the reset switch element 5 is turned off at time T4, the potential difference between both ends of the storage capacitor 3 is stored in the storage capacitor 3 as it is. That is, when a voltage equal to the analog image signal of Vs written in the “writing period” is input to the signal line side of the storage capacitor 3, the voltage V (g) of the gate electrode of the drive TFT 4 is The voltage is forcibly set to a voltage (Vdd−Vth) lower than the voltage of the line 6 by a threshold voltage (Vth).
At this time, if the voltage value input to the signal line side of the storage capacitor 3 is higher than the analog image signal of Vs, the driving TFT 4 is in an OFF state, and the voltage value input to the signal line side of the storage capacitor 3 is Vs. If it is lower than the analog image signal, the driving TFT 4 is turned on. However, since the lighting control switch element 20 of the pixel is always in an off state during the period of scanning the pixels in another row, the organic EL element 1 is lit regardless of the level of the analog image signal of the signal line 12. Never do.
The writing of the analog image signal to the pixel 1 is sequentially performed for each row in this way, and the “writing period” of one frame ends when the writing to all the pixels is completed.

[発光期間]
「発光期間」においては、ゲート駆動部8は停止し、点灯制御線41がHigh(以下、Hレベル)となるので、オア回路42と点灯スイッチ線21を介して、点灯制御スイッチ素子20のゲート電極にHレベルの電圧が入力されるので、全画素の点灯制御スイッチ素子20が一斉にオン状態となる。
このとき、三角波選択スイッチ制御線18により三角波選択スイッチ素子13がオンとなり、信号線12には、三角波入力線16から、図2に示す三角波電圧が入力される。
ここで、「発光期間」においては、点灯制御スイッチ素子20は常時オン状態にあるため、各画素1の有機EL素子2は、予め書込まれたVsのアナログ画像信号と信号線12に印加される三角波電圧との電圧関係によって、駆動TFT4により駆動される。
このとき、駆動TFT4の相互コンダクタンス(gm)が十分に大きければ、有機EL素子1は点灯/消灯とデジタル的に駆動されると見なすことができる。即ち、有機EL素子1は、予め書込まれたVsのアナログ画像信号値に依存した期間(例えば、図25のTsの期間)だけ、ほぼ一定の輝度で連続点灯し、この発光時間の変調は、視覚的には多階調の発光として認められる。
[Flash duration]
In the “light emission period”, the gate drive unit 8 stops and the lighting control line 41 becomes High (hereinafter, “H level”), so that the gate of the lighting control switch element 20 is connected via the OR circuit 42 and the lighting switch line 21. Since the H level voltage is input to the electrodes, the lighting control switch elements 20 of all the pixels are turned on simultaneously.
At this time, the triangular wave selection switch element 13 is turned on by the triangular wave selection switch control line 18, and the triangular wave voltage shown in FIG. 2 is input to the signal line 12 from the triangular wave input line 16.
Here, in the “light emission period”, since the lighting control switch element 20 is always on, the organic EL element 2 of each pixel 1 is applied to the Vs analog image signal and the signal line 12 written in advance. It is driven by the driving TFT 4 according to the voltage relationship with the triangular wave voltage.
At this time, if the mutual conductance (gm) of the driving TFT 4 is sufficiently large, it can be considered that the organic EL element 1 is digitally driven to turn on / off. That is, the organic EL element 1 is continuously lit at a substantially constant luminance only during a period (for example, the period of Ts in FIG. 25) that depends on the analog image signal value of Vs written in advance. Visually, it is recognized as multi-tone light emission.

このことは、例え、駆動TFT4の特性がばらついたとしても、基本的に何らの影響も受けることはない。ここで、図2に示す三角波電圧の振幅は、アナログ画像信号の信号振幅とほぼ一致させることが望ましい。
なお、本実施例では、発光の時間軸重心が発光階調に依存しないように左右対象の三角波電圧としたが、この三角波電圧に代えて、非対称の三角波電圧や、ガンマ特性変調に相当する非直線の三角波電圧、あるいは、複数の三角波電圧などを用いることも可能であり、それにより、それぞれ異なる視覚特性を得ることも可能である。
また、本実施例によれば各画素の記憶容量3に書込まれたアナログ画像信号の値によって有機EL素子1の発光期間を時間的にばらつきなく制御して階調表示を得ることができるため、画素間の表示特性ばらつきを十分に小さくすることができる。
また、各薄膜トランジスタは、本実施例では構成が簡単な単チャネルの薄膜トランジスタを用いたが、これらの薄膜トランジスタを、例えば、CMOS構成にすることも可能である。
また、ゲート駆動部8、信号駆動部9等からなる周辺駆動回路は、低温多結晶シリコン(ポリシリコン)薄膜トランジスタ回路で構成しているが、これらの周辺駆動回路あるいはその一部分を単結晶LSI(Large Scale Integrated circuit)回路で構成して実装するようにしてもよい。その場合に、駆動TFT4、リセットスイッチ素子5、および、点灯制御スイッチ素子20等は、それぞれ半導体層にアモルファスシリコンを用いるアモルファスシリコン薄膜トランジスタを用いてガラス基板上に構成するようにしてもよい。
For example, even if the characteristics of the driving TFT 4 vary, there is basically no influence on this. Here, it is desirable that the amplitude of the triangular wave voltage shown in FIG. 2 substantially matches the signal amplitude of the analog image signal.
In this embodiment, the right and left target triangular wave voltage is set so that the time axis center of light emission does not depend on the light emission gradation, but instead of this triangular wave voltage, an asymmetric triangular wave voltage or non-corresponding to gamma characteristic modulation is used. It is also possible to use a linear triangular wave voltage or a plurality of triangular wave voltages, thereby obtaining different visual characteristics.
In addition, according to the present embodiment, the gradation display can be obtained by controlling the light emission period of the organic EL element 1 with no temporal variation by the value of the analog image signal written in the storage capacitor 3 of each pixel. The display characteristic variation between pixels can be sufficiently reduced.
In addition, each thin film transistor uses a single-channel thin film transistor with a simple configuration in this embodiment, but these thin film transistors may have a CMOS configuration, for example.
The peripheral drive circuit including the gate drive unit 8 and the signal drive unit 9 is composed of a low-temperature polycrystalline silicon (polysilicon) thin film transistor circuit. The peripheral drive circuit or a part thereof is a single crystal LSI (Large LSI). (Scale Integrated circuit) may be configured and mounted. In that case, the drive TFT 4, the reset switch element 5, the lighting control switch element 20, and the like may be configured on a glass substrate using amorphous silicon thin film transistors that use amorphous silicon as a semiconductor layer.

[設定期間]
本実施例は、書込期間の前に、全画素の駆動TFT4の特性値を、図14(b)に示す特性C1に揃え、特性Aに近い特性で駆動させることを特徴とする。
1フレームの「設定期間」において、ゲート駆動部8は停止する。そして、時刻T5において、点灯制御線41がHレベルとなるので、オア回路42と点灯スイッチ線21を介して、点灯制御スイッチ素子20のゲート電極にHレベルの電圧が入力されるので、全画素の点灯制御スイッチ素子20が一斉にオン状態となる。同時に、リセット線7により、全画素のリセットスイッチ素子5をオンとする。これにより、駆動TFT4のゲート電圧(Vg)はVmに収束する。
このとき、ステップ信号選択スイッチ制御線17により、ステップ信号選択スイッチ素子14がオンとなり、信号線12には、ステップ信号発生部29からステップ信号入力線15を介して、Vstephの電圧が印加される。例えば、Vstephの電圧は、信号駆動部9より印加することのできる電圧の中の最も高電位の電圧、あるいは、電源線6の電圧である。
その後、全画素のリセットスイッチ素子5と点灯制御スイッチ素子20をオフとし、全画素の記憶容量3に、VmとVstephの差電圧を記憶させる。
次に、時刻T6において、信号線12に、ステップ信号発生部29からステップ信号入力線15を介して、Vsteplの電圧を印加する。例えば、Vsteplの電圧は、信号駆動部9より印加することのできる電圧の中の最も低電位の電圧、あるいは、共通接地線の電圧である。
記憶容量3には、VmとVstephの差電圧が保持されているため、駆動TFT4のゲート電圧(Vg)は、Vm−(Vsteph−Vstepl)となる。この電圧は、表示のために画素に印加される階調電圧の中の最低の電圧VL以下の電圧となる。
このように、本実施例では、発光後に全画素の駆動TFT4を図14(b)の特性C1に揃え、特性Aに近い特性で用いることができるので、駆動TFT4のヒステリシス特性に起因する表示異常のない均一な表示が可能となる。
なお、本実施例では、駆動TFT4と有機EL素子2が点灯制御スイッチ素子20を介して接続されていたが、点灯制御スイッチ素子20がなくても同様の効果は得られる。また、点灯制御スイッチ素子20が、電源線6と駆動TFT4のソース間に接続されていても、同様の効果が得られる。
[Setting period]
This embodiment is characterized in that, before the writing period, the characteristic values of the driving TFTs 4 of all the pixels are aligned with the characteristic C1 shown in FIG.
In the “set period” of one frame, the gate driver 8 stops. At time T5, since the lighting control line 41 becomes H level, an H level voltage is input to the gate electrode of the lighting control switch element 20 via the OR circuit 42 and the lighting switch line 21, so that all pixels The lighting control switch elements 20 are simultaneously turned on. At the same time, the reset switch elements 5 of all the pixels are turned on by the reset line 7. As a result, the gate voltage (Vg) of the driving TFT 4 converges to Vm.
At this time, the step signal selection switch control line 17 turns on the step signal selection switch element 14, and the voltage Vsteph is applied to the signal line 12 from the step signal generator 29 via the step signal input line 15. . For example, the voltage of Vsteph is the highest potential voltage among the voltages that can be applied from the signal driver 9 or the voltage of the power supply line 6.
Thereafter, the reset switch elements 5 and the lighting control switch elements 20 of all the pixels are turned off, and the difference voltage between Vm and Vsteph is stored in the storage capacitors 3 of all the pixels.
Next, at time T <b> 6, a voltage of Vstepl is applied to the signal line 12 from the step signal generator 29 via the step signal input line 15. For example, the voltage of Vstepl is the lowest potential voltage among the voltages that can be applied from the signal driver 9, or the voltage of the common ground line.
Since the storage capacitor 3 holds the difference voltage between Vm and Vsteph, the gate voltage (Vg) of the driving TFT 4 becomes Vm− (Vsteph−Vstepl). This voltage is equal to or lower than the lowest voltage VL among the gradation voltages applied to the pixels for display.
As described above, in this embodiment, the drive TFTs 4 of all the pixels are aligned with the characteristic C1 in FIG. 14B and can be used with characteristics close to the characteristic A after light emission. A uniform display without any problem is possible.
In this embodiment, the driving TFT 4 and the organic EL element 2 are connected via the lighting control switch element 20, but the same effect can be obtained without the lighting control switch element 20. Even if the lighting control switch element 20 is connected between the power supply line 6 and the source of the driving TFT 4, the same effect can be obtained.

[実施例2]
図3は、本発明の実施例2の有機EL表示装置の全体構成を示す図である。
本実施例は、設定期間にリファレンススイッチ素子22をオンとして、全画素の駆動TFT4のゲート電極に、リファレンス電圧線23から、VLの電圧を印加する点で、前述の実施例1と相違するが、残余の点は前述の実施と同じであるので、再度の詳細な説明は省略する。
図4は、本実施例の有機EL表示装置のタイミングチャートを示す図である。本実施例において、「書込期間」、「発光期間」の動作は、前述の実施例1と同じであり、本実施例は、「設定期間」の動作が前述の実施例1と異なっている。
本実施例では、発光期間の設定期間の時刻T7において、リセット線7および点灯スイッチ線21により、全画素のリセットスイッチ素子5、および点灯制御スイッチ素子20をオフとする。
同時に、リファレンス線25により、全画素のリファレンススイッチ素子22をオンとして、全画素の駆動TFT4のゲート電極に、VLの電圧を印加する。このとき、ステップ信号選択スイッチ制御線17により、ステップ信号選択スイッチ素子14がオンとなり、信号線12には、ステップ信号発生部29からステップ信号入力線15を介して、Vstephの電圧が印加される。例えば、Vstephの電圧は、信号駆動部9より印加することのできる電圧の中の最も高電位の電圧、あるいは、電源線6の電圧である。
[Example 2]
FIG. 3 is a diagram showing an overall configuration of an organic EL display device according to Example 2 of the present invention.
The present embodiment is different from the first embodiment in that the reference switch element 22 is turned on during the set period and a voltage of VL is applied from the reference voltage line 23 to the gate electrodes of the drive TFTs 4 of all the pixels. The remaining points are the same as in the above-described implementation, and thus detailed description thereof is omitted.
FIG. 4 is a diagram showing a timing chart of the organic EL display device of the present embodiment. In this embodiment, the operations of “writing period” and “light emission period” are the same as those of the first embodiment, and this embodiment is different from the first embodiment in the operation of “setting period”. .
In this embodiment, the reset switch element 5 and the lighting control switch element 20 of all the pixels are turned off by the reset line 7 and the lighting switch line 21 at time T7 of the light emission period setting period.
At the same time, the reference switch elements 22 of all the pixels are turned on by the reference line 25, and the voltage VL is applied to the gate electrodes of the driving TFTs 4 of all the pixels. At this time, the step signal selection switch control line 17 turns on the step signal selection switch element 14, and the voltage Vsteph is applied to the signal line 12 from the step signal generator 29 via the step signal input line 15. . For example, the voltage of Vsteph is the highest potential voltage among the voltages that can be applied from the signal driver 9 or the voltage of the power supply line 6.

その後、リファレンススイッチ素子22をオフとすることにより、全画素の記憶容量3には、VLとVstephの差電圧が記憶される。
次に、時刻T8において、信号線12に、ステップ信号発生部29からステップ信号入力線15を介して、Vsteplの電圧を印加する。例えば、Vsteplの電圧は、信号駆動部9より印加することのできる電圧の中の最も低電位の電圧、あるいは、共通接地線の電圧である。
このとき、記憶容量3には、VLとVstephの差電圧が保持されているため、駆動TFT4のゲート電圧(Vg)は、VL−(Vsteph−Vstepl)となる。
この電圧は、表示のために画素に印加される階調電圧の中の最低の電圧値VL以下の電圧であり、前述の実施例1におけるVm−(Vsteph−Vstepl)よりも低い電圧とすることができる。
このように、本実施例では、発光後に、全画素の駆動TFT4を、図14(b)の特性C1に揃え、特性Aに近い特性で用いることができるので、駆動TFT4のヒステリシスに起因する表示異常のない均一な表示を行うことが可能である。
Thereafter, by turning off the reference switch element 22, the difference voltage between VL and Vsteph is stored in the storage capacitors 3 of all the pixels.
Next, at time T <b> 8, a voltage of Vstepl is applied to the signal line 12 from the step signal generation unit 29 via the step signal input line 15. For example, the voltage of Vstepl is the lowest potential voltage among the voltages that can be applied from the signal driver 9, or the voltage of the common ground line.
At this time, since the storage capacitor 3 holds the difference voltage between VL and Vsteph, the gate voltage (Vg) of the driving TFT 4 becomes VL− (Vsteph−Vstepl).
This voltage is a voltage equal to or lower than the lowest voltage value VL among the gradation voltages applied to the pixels for display, and is a voltage lower than Vm− (Vsteph−Vstepl) in the first embodiment. Can do.
As described above, in this embodiment, after the light emission, the drive TFTs 4 of all the pixels can be aligned with the characteristic C1 of FIG. 14B and can be used with characteristics close to the characteristic A. Therefore, the display caused by the hysteresis of the drive TFT 4 It is possible to perform uniform display without abnormality.

[実施例3]
図5は、本発明の実施例3の有機EL表示装置の全体構成を示す図である。
本実施例の有機EL表示装置3が、前述の実施例1の有機EL表示装置と異なる点は、駆動TFT4のヒステリシス対策に加え、低電圧化によるリセット動作時の駆動TFT4のゲート電極の電圧の収束不足の対策を行うものである。
低電圧化により、電源線6上の電源電圧が低くなった場合、もしくは、高精細化のために1画素当たりの書き込み期間が短くなった場合、書き込み不足により、書込期間のリセット動作時に駆動TFT4のゲート電極の収束電圧が一定の電圧(ここでは、Vdd−Vth)の電圧とならない場合があり、その結果、残像が発生する。
本実施例は、この問題点をも解消するものである。
図5において、図1と異なる点は、有機EL素子2の他端が、プリチャージ線27により制御されるプリチャージスイッチ素子26を介して、信号線12に接続されている点である。
図6は、本実施例の有機EL表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
図2のタイミングチャートとの違いは、書込期間において、プリチャージ期間(図6に示すTchの期間)に、プリチャージスイッチ素子26、点灯制御スイッチ素子20、リセットスイッチ素子5、および信号線選択スイッチ素子11をオンとなし、駆動TFT4のゲート電極に、信号駆動部9から、信号線12→プリチャージスイッチ素子26→点灯制御スイッチ素子20→リセットスイッチ素子5の経路で、プリチャージ電圧をプリチャージする点である。
これにより、書込期間のリセット動作時による収束電圧を一定とし、前述の特許文献1に記載されている残像の問題を解決することができる。
このように、本実施例では、発光後に全画素の駆動TFT4を図14(b)の特性C1に揃え、特性Aに近い特性で用いることができ、さらに、低電圧化においても書き込み不足による収束不足も解消できるので、駆動TFT4のヒステリシス特性に起因する表示異常がなく、残像のない均一な表示が可能である。
[Example 3]
FIG. 5 is a diagram showing an overall configuration of an organic EL display device according to Example 3 of the present invention.
The difference between the organic EL display device 3 of the present embodiment and the organic EL display device of the first embodiment is that the voltage of the gate electrode of the drive TFT 4 during the reset operation by lowering the voltage is reduced in addition to the countermeasure against hysteresis of the drive TFT 4 It is a measure for lack of convergence.
When the power supply voltage on the power supply line 6 is lowered due to the low voltage, or when the writing period per pixel is shortened for high definition, it is driven during the reset operation of the writing period due to insufficient writing. The convergence voltage of the gate electrode of the TFT 4 may not be a constant voltage (here, Vdd−Vth), and as a result, an afterimage is generated.
The present embodiment also solves this problem.
5 is different from FIG. 1 in that the other end of the organic EL element 2 is connected to the signal line 12 via a precharge switch element 26 controlled by a precharge line 27.
FIG. 6 is a timing chart for explaining the operation of the organic EL display device of this embodiment.
2 is different from the timing chart of FIG. 2 in the writing period in the precharge period (Tch period shown in FIG. 6), the precharge switch element 26, the lighting control switch element 20, the reset switch element 5, and the signal line selection. The switch element 11 is turned on, and the precharge voltage is preliminarily applied to the gate electrode of the drive TFT 4 from the signal drive unit 9 through the signal line 12 → precharge switch element 26 → lighting control switch element 20 → reset switch element 5. It is a point to charge.
Thereby, the convergence voltage at the time of the reset operation in the writing period is made constant, and the afterimage problem described in Patent Document 1 can be solved.
As described above, in this embodiment, the driving TFTs 4 of all the pixels can be aligned with the characteristic C1 in FIG. 14B after the light emission, and can be used with characteristics close to the characteristic A. Since the shortage can be solved, there is no display abnormality due to the hysteresis characteristic of the driving TFT 4 and uniform display without an afterimage is possible.

[実施例4]
図7は、本発明の実施例4の有機EL表示装置の全体構成を示す図である。
本実施例の有機EL表示が、前述の実施例1の有機EL表示装置と異なる点は、輝度モードの切替えのために、電源線6に複数の電源電圧が供給するための切替手段(SW)を有しており、さらに、レベル可変ステップ信号発生部31により、ステップ電圧の電圧値、あるいは、ステップ電圧のHレベル、あるいはLowレベル(以下、Lレベル)のステップ幅が可変される点である。
図8は、本実施例の有機EL表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。図2のタイミングチャートとの違いは、電源線6の電源電圧の値に応じて、Vsteplの電圧を切替える点である。
電源線6の電源電圧が、Vdd1から、Vdd1よりも低いVdd2に切り替えられたときに、駆動TFT4を、Vdd1の電源電圧の場合と同じ特性で用いるためには、Vstep1の電圧をより低い電圧、あるいは、Vstep1の電圧の印加時間をより長くする必要がある。但し、Vstep1の電圧の印加時間を長くすると、発光期間が短くなるため、表示輝度が低下する。
そこで、本実施例では、電源電圧の電圧値に応じて、Vstep1の電圧を切替えるようにしたものである。例えば、電源電圧がVdd1の場合、Vstep1の電圧として、Vstep11の電圧を使用し、また、電源電圧がVdd2の場合、Vstep1の電圧として、Vstep11の電圧よりも低いVstep12の電圧を使用する。
これにより、発光期間を同じ期間に維持したまま、全画素の駆動TFT4を、図14(b)の特性C1に揃え、特性Aに近い特性で用いることができるので、駆動TFT4のヒステリシス特性に起因する表示異常のない均一な表示が可能である。
なお、本実施例4では、前述の実施例1において、電源線6の電源電圧と、ステップ電圧の電圧値とが切替え可能な場合について説明したが、前述の実施例2、あるいは実施例3において、電源線6の電源電圧と、ステップ電圧の電圧値とを切替え可能とすることにより、本実施例4と同様の効果を得ることができる。
[Example 4]
FIG. 7 is a diagram showing an overall configuration of an organic EL display device according to Example 4 of the present invention.
The difference between the organic EL display of the present embodiment and the organic EL display device of the first embodiment is that the switching means (SW) for supplying a plurality of power supply voltages to the power supply line 6 for switching the luminance mode. Further, the level variable step signal generator 31 can vary the voltage value of the step voltage, or the step voltage of the H level or the low level (hereinafter referred to as L level) of the step voltage. .
FIG. 8 is a timing chart for explaining the operation of the organic EL display device of this embodiment. The difference from the timing chart of FIG. 2 is that the voltage of Vstepl is switched according to the value of the power supply voltage of the power supply line 6.
In order to use the driving TFT 4 with the same characteristics as the power supply voltage of Vdd1 when the power supply voltage of the power supply line 6 is switched from Vdd1 to Vdd2 lower than Vdd1, the voltage of Vstep1 is set to a lower voltage. Alternatively, it is necessary to make the voltage application time of Vstep1 longer. However, if the application time of the voltage of Vstep1 is lengthened, the light emission period is shortened, so that the display luminance is lowered.
Therefore, in this embodiment, the voltage of Vstep1 is switched according to the voltage value of the power supply voltage. For example, when the power supply voltage is Vdd1, the voltage of Vstep11 is used as the voltage of Vstep1, and when the power supply voltage is Vdd2, the voltage of Vstep12 lower than the voltage of Vstep11 is used as the voltage of Vstep1.
Accordingly, the drive TFTs 4 of all the pixels can be aligned with the characteristic C1 of FIG. 14B and used with characteristics close to the characteristic A while maintaining the light emission period in the same period. Uniform display without display abnormality is possible.
In the fourth embodiment, the case where the power supply voltage of the power supply line 6 and the voltage value of the step voltage can be switched in the first embodiment described above, but in the second embodiment or the third embodiment described above. By making it possible to switch between the power supply voltage of the power supply line 6 and the voltage value of the step voltage, the same effect as in the fourth embodiment can be obtained.

[実施例5]
図9は、本発明の実施例5の有機EL表示装置の1画素の等価回路を示す回路図である。
本実施例の有機EL表示装置が、前述の実施例1の有機EL表示装置と異なる点は、有機EL素子2が、電源線6と直接接続されており、駆動TFT4は基準電位側に配置されている点である。これに伴い、本実施例では、リセットスイッチ素子5も、有機EL素子2の陰極側に接続されている。
また、本実施例では、駆動TFT4はn型の薄膜トランジスタで構成される。したがって、1画素内の薄膜トランジスタは、n型プロセスのみで形成できることになる。
有機EL素子2を電源線6側に設置し、駆動TFT4を基準電位側に設置することによって、関連する素子を移動したことを除けば、基本的な動作は前述の実施例1と同じである。
図10は、本実施例の有機EL表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
図10のタイミングチャートは、図2のタイミングチャートと基本的には同じである。但し、リセット動作に要する時間は駆動TFT4の特性が関係するが、実施例1では駆動TFT4は、p型の薄膜トランジスタであるのに対し、本実施例は、n型の薄膜トランジスタであるので、実施例1と本実施例5とでは異なってくる。
図10のタイミングチャートが、図2のタイミングチャートと異なるもう一つの点は、発光期間における三角波が上に凸ということである。
本実施例では、駆動TFT4が、n型の薄膜トランジスタであるために、ゲート電圧がソース電極よりも高い電圧となったときに駆動TFT4がオンするためである。また、設定期間において、リセットスイッチ素子5、点灯制御スイッチ素子20がオンのときに、信号線12には、Vsteplの電圧を印加する。
次に、リセットスイッチ素子5、点灯制御スイッチ素子20をオフとした後に、Vsteplより高いVstephの電圧を印加する。
これにより、発光後にすべての駆動TFT4を図14(b)の特性C1に揃え、特性Aに近い特性で用いることができるので、駆動TFT4のヒステリシス起因の表示異常のない均一な表示が可能である。
[Example 5]
FIG. 9 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of one pixel of the organic EL display device according to Example 5 of the present invention.
The difference between the organic EL display device of the present embodiment and the organic EL display device of the first embodiment is that the organic EL element 2 is directly connected to the power line 6 and the driving TFT 4 is disposed on the reference potential side. It is a point. Accordingly, in this embodiment, the reset switch element 5 is also connected to the cathode side of the organic EL element 2.
In this embodiment, the driving TFT 4 is composed of an n-type thin film transistor. Therefore, the thin film transistor in one pixel can be formed only by the n-type process.
The basic operation is the same as that of the first embodiment except that the organic EL element 2 is installed on the power supply line 6 side and the driving TFT 4 is installed on the reference potential side to move the related elements. .
FIG. 10 is a timing chart for explaining the operation of the organic EL display device of this embodiment.
The timing chart of FIG. 10 is basically the same as the timing chart of FIG. However, although the time required for the reset operation is related to the characteristics of the driving TFT 4, the driving TFT 4 is a p-type thin film transistor in the first embodiment, whereas the present embodiment is an n-type thin film transistor. 1 and Example 5 are different.
Another difference between the timing chart of FIG. 10 and the timing chart of FIG. 2 is that the triangular wave in the light emission period is convex upward.
In this embodiment, since the driving TFT 4 is an n-type thin film transistor, the driving TFT 4 is turned on when the gate voltage becomes higher than the source electrode. Further, during the set period, when the reset switch element 5 and the lighting control switch element 20 are on, a voltage of Vstepl is applied to the signal line 12.
Next, after the reset switch element 5 and the lighting control switch element 20 are turned off, a voltage of Vsteph higher than Vstepl is applied.
Thereby, all the driving TFTs 4 can be aligned with the characteristic C1 of FIG. 14B and used with characteristics close to the characteristic A after light emission, so that uniform display without display abnormality due to hysteresis of the driving TFT 4 is possible. .

[実施例6]
図11は、本発明の実施例6の有機EL表示装置の全体構成を示す図である。
本実施例の有機EL表示装置が、前述の実施例1の有機EL表示装置と異なる点は、駆動TFT4のゲート電極が、リファレンス線25により制御されるリファレンススイッチ素子22を介して信号線12に接続されている点、また、信号線12が、ステップ信号選択スイッチ素子14と、外部負電圧入力線28を介して、外部負電源30に接続されている点である。
図12は、本実施例の有機EL表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
前述の実施例1と異なる点は、発光期間後の設定期間に、リファレンススイッチ素子22をオンとして、駆動TFT4のゲート電極に、外部負電源30から、外部負電圧入力線28→ステップ信号選択スイッチ素子14→信号線12→リファレンススイッチ素子22の経路で、負電圧を供給する点である。
これにより、本実施例では、発光後に全画素の駆動TFT4を図14(b)の特性C1に揃え、特性Aに近い特性で用いることができるので、駆動TFT4のヒステリシス特性に起因の表示異常のない均一な表示が可能である。
なお、本実施例6では、駆動TFT4のゲート電極がリファレンススイッチ素子22を介して信号線12に接続されているが、駆動TFT4のゲート電極がリファレンススイッチ素子22を介して信号線12とは別の電圧入力線に接続され、別の電圧入力線が外部負電源30に接続されている場合でも、同様の効果を得ることができる。
[Example 6]
FIG. 11 is a diagram showing an overall configuration of an organic EL display device according to Example 6 of the present invention.
The organic EL display device of the present embodiment is different from the organic EL display device of Embodiment 1 described above in that the gate electrode of the driving TFT 4 is connected to the signal line 12 via the reference switch element 22 controlled by the reference line 25. The signal line 12 is connected to the external negative power source 30 via the step signal selection switch element 14 and the external negative voltage input line 28.
FIG. 12 is a timing chart for explaining the operation of the organic EL display device of this embodiment.
The difference from the first embodiment described above is that the reference switch element 22 is turned on in the set period after the light emission period, and the external negative voltage input line 28 → step signal selection switch from the external negative power supply 30 to the gate electrode of the driving TFT 4 The negative voltage is supplied through the path of the element 14 → the signal line 12 → the reference switch element 22.
Accordingly, in this embodiment, the drive TFTs 4 of all the pixels can be aligned with the characteristic C1 of FIG. 14B and used with characteristics close to the characteristic A after the light emission, so that the display abnormality caused by the hysteresis characteristics of the drive TFT 4 can be obtained. No uniform display is possible.
In the sixth embodiment, the gate electrode of the drive TFT 4 is connected to the signal line 12 via the reference switch element 22, but the gate electrode of the drive TFT 4 is different from the signal line 12 via the reference switch element 22. Even when another voltage input line is connected to the external negative power supply 30, the same effect can be obtained.

また、本実施例6においては、駆動TFT4がp型の薄膜トランジスタの場合であるが、駆動TFT4がn型の薄膜トランジスタの場合でも、外部負電源30を電源電圧よりも高電位の電圧とすることで、同様の効果を得ることができる。
さらに、本実施例6において、電源線6に、複数の電源電圧が供給するための切替手段(SW)を設け、駆動TFT4がp型の薄膜トランジスタのときは、電源電圧が、Vdd1の電圧から、Vdd1より低いVdd2の電圧へ切り替わったとき、外部電源をVr1からより低電位のVr2の電圧へ切り替えることで実施例4と同様の効果を得ることができる。
また、駆動TFT4がn型の薄膜トランジスタのときは、外部電源をVr1からより高電位のVr3の電圧へ切り替えることで実施例4と同様の効果を得ることができる。
また、前述の各実施例において、ステップ信号発生部29、レベル可変ステップ信号発生部31、外部負電源30は、低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ回路で構成され、ガラス基板上に形成されているが、ステップ信号発生部29、レベル可変ステップ信号発生部31、外部負電源30は、信号駆動部9内に形成するようにしてもよい。
さらに、ステップ信号発生部29、レベル可変ステップ信号発生部31、外部負電源30は、本体コンピュータ側などの外部から入力するようにしてよい。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
In the sixth embodiment, the driving TFT 4 is a p-type thin film transistor. However, even when the driving TFT 4 is an n-type thin film transistor, the external negative power supply 30 is set to a voltage higher than the power supply voltage. The same effect can be obtained.
Further, in the sixth embodiment, the power supply line 6 is provided with switching means (SW) for supplying a plurality of power supply voltages, and when the driving TFT 4 is a p-type thin film transistor, the power supply voltage is changed from the voltage of Vdd1. When switching to a voltage of Vdd2 lower than Vdd1, the same effect as in the fourth embodiment can be obtained by switching the external power source from Vr1 to a voltage of Vr2 having a lower potential.
When the driving TFT 4 is an n-type thin film transistor, the same effect as that of the fourth embodiment can be obtained by switching the external power source from Vr1 to a higher voltage Vr3.
In each of the above-described embodiments, the step signal generator 29, the level variable step signal generator 31, and the external negative power source 30 are formed of a low-temperature polycrystalline silicon thin film transistor circuit and formed on a glass substrate. The signal generator 29, the level variable step signal generator 31, and the external negative power supply 30 may be formed in the signal driver 9.
Further, the step signal generation unit 29, the level variable step signal generation unit 31, and the external negative power source 30 may be input from the outside such as the main computer side.
As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the above embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Of course.

本発明の実施例1の有機EL表示装置の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the organic electroluminescent display apparatus of Example 1 of this invention. 本発明の実施例1の有機EL表示装置のタイミングチャートを示す図である。It is a figure which shows the timing chart of the organic electroluminescent display apparatus of Example 1 of this invention. 本発明の実施例2の有機EL表示装置の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the organic electroluminescence display of Example 2 of this invention. 本発明の実施例2の有機EL表示装置のタイミングチャートを示す図である。It is a figure which shows the timing chart of the organic electroluminescent display apparatus of Example 2 of this invention. 本発明の実施例3の有機EL表示装置の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the organic electroluminescent display apparatus of Example 3 of this invention. 本発明の実施例3の有機EL表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。It is a timing chart for demonstrating operation | movement of the organic electroluminescent display apparatus of Example 3 of this invention. 本発明の実施例4の有機EL表示装置の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the organic electroluminescent display apparatus of Example 4 of this invention. 本発明の実施例4の有機EL表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。It is a timing chart for demonstrating operation | movement of the organic electroluminescent display apparatus of Example 4 of this invention. 本発明の実施例5の有機EL表示装置の1画素の等価回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the equivalent circuit of 1 pixel of the organic electroluminescence display of Example 5 of this invention. 本発明の実施例5の有機EL表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。It is a timing chart for demonstrating operation | movement of the organic electroluminescent display apparatus of Example 5 of this invention. 本発明の実施例6の有機EL表示装置の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the organic electroluminescent display apparatus of Example 6 of this invention. 本発明の実施例6の有機EL表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。It is a timing chart for demonstrating operation | movement of the organic electroluminescent display apparatus of Example 6 of this invention. 薄膜トランジスタのヒステリシス特性を示す図である。It is a figure which shows the hysteresis characteristic of a thin-film transistor. ヒステリシスを持つ薄膜トランジスタのゲート電圧とドレイン電流との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the gate voltage and drain current of a thin-film transistor with hysteresis. 従来の表示異常時の駆動薄膜トランジスタの特性を示す図である。It is a figure which shows the characteristic of the drive thin-film transistor at the time of the conventional display abnormality.

符号の説明Explanation of symbols

1 画素
2 有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)
3 記憶容量
4 p型薄膜トランジスタ(駆動TFT)
5 リセットスイッチ素子
6 電源線
7 リセット線
8 ゲート駆動部
9 信号駆動部
10 信号入力線
11 信号線選択スイッチ素子
12 信号線
13 三角波選択スイッチ素子
14 ステップ信号選択スイッチ素子
15 ステップ信号入力線
16 三角波入力線
17 ステップ信号選択スイッチ制御線
18 三角波選択スイッチ制御線
19 信号線選択スイッチ制御線
20 点灯制御スイッチ素子
21 点灯スイッチ線
22 リファレンススイッチ素子
23 リファレンス電圧線
25 リファレンス線
26 プリチャージスイッチ素子
27 プリチャージ線
28 外部負電圧入力線
29 ステップ信号発生部
30 外部負電源
31 レベル可変ステップ信号発生部
32 プリチャージ信号選択線
40 走査出力線
41 点灯制御線
42 オア回路
SW 切替手段
G ゲート電極
GI ゲート絶縁膜
CAP キャリア
1 pixel 2 organic electroluminescence element (organic EL element)
3 Memory capacity 4 p-type thin film transistor (drive TFT)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 Reset switch element 6 Power supply line 7 Reset line 8 Gate drive part 9 Signal drive part 10 Signal input line 11 Signal line selection switch element 12 Signal line 13 Triangular wave selection switch element 14 Step signal selection switch element 15 Step signal input line 16 Triangular wave input Line 17 Step signal selection switch control line 18 Triangular wave selection switch control line 19 Signal line selection switch control line 20 Lighting control switch element 21 Lighting switch line 22 Reference switch element 23 Reference voltage line 25 Reference line 26 Precharge switch element 27 Precharge line 28 External Negative Voltage Input Line 29 Step Signal Generation Unit 30 External Negative Power Supply 31 Level Variable Step Signal Generation Unit 32 Precharge Signal Selection Line 40 Scanning Output Line 41 Lighting Control Line 42 OR Circuit SW Switching Means G gate electrode GI gate insulating film CAP carrier

Claims (20)

それぞれ自発光素子を有する複数の画素と、
前記各画素に画像信号を入力する複数の信号線と、
前記各信号線に前記画像信号を供給する駆動回路と、
前記各信号線にステップ信号を供給するステップ信号生成回路とを備え、
前記各画素は、前記画像信号に基づき前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタと、
前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続される容量素子と、
前記駆動トランジスタの制御電極と第2電極との間に接続されるリセットスイッチ素子とを有し、
前記駆動トランジスタの第1電極は、第1電源電圧に接続され、
前記自発光素子の他端は、第2電源電圧に接続される画像表示装置であって、
1フレーム期間内に、設定期間と、前記設定期間に連続し前記各画素に前記画像信号を書き込む書込期間とを有し、
前記設定期間の前半の期間に、前記全画素の前記リセットスイッチ素子をオンとして、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極を所定の電圧に収束させ、かつ、前記ステップ信号生成回路から前記各信号線に第1電圧レベルのステップ信号を供給し、
前記設定期間の後半の期間に、前記全画素の前記リセットスイッチ素子をオフし、かつ、前記設定期間の後半の期間内に前記ステップ信号生成回路から前記各信号線に前記第1電圧レベルとは異なる第2電圧レベルのステップ信号を供給することを特徴とする画像表示装置。
A plurality of pixels each having a self-luminous element;
A plurality of signal lines for inputting image signals to the pixels;
A drive circuit for supplying the image signal to the signal lines;
A step signal generation circuit for supplying a step signal to each signal line;
Each of the pixels includes a driving transistor that drives the self-luminous element based on the image signal;
A capacitive element connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and a control electrode of the driving transistor;
A reset switch element connected between a control electrode and a second electrode of the drive transistor;
A first electrode of the driving transistor is connected to a first power supply voltage;
The other end of the self-luminous element is an image display device connected to a second power supply voltage,
Within one frame period, it has a setting period, and a writing period for writing the image signal to each pixel in succession to the setting period,
In the first half of the set period, the reset switch elements of all the pixels are turned on, the control electrodes of the drive transistors of all the pixels are converged to a predetermined voltage, and each signal from the step signal generation circuit Supplying a first voltage level step signal to the line;
In the latter half of the setting period, the reset switch elements of all the pixels are turned off, and the first voltage level is applied to each signal line from the step signal generation circuit within the latter half of the setting period. An image display device that supplies step signals having different second voltage levels.
前記各画素は、前記駆動トランジスタの第2電極と前記自発光素子の一端との間に接続される点灯制御スイッチ素子を有し、
前記設定期間の前半の期間に、前記全画素の前記リセットスイッチ素子と前記点灯制御スイッチ素子をオンとして、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極を所定の電圧に収束させ、かつ、前記ステップ信号生成回路から前記各信号線に第1電圧レベルのステップ信号を供給し、
前記設定期間の後半の期間に、前記全画素の前記リセットスイッチ素子と前記点灯制御スイッチ素子をオフし、かつ、前記設定期間の後半の期間内に前記ステップ信号生成回路から前記各信号線に前記第2電圧レベルのステップ信号を供給することを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
Each pixel has a lighting control switch element connected between the second electrode of the driving transistor and one end of the self-light-emitting element,
In the first half of the set period, the reset switch element and the lighting control switch element of all the pixels are turned on, the control electrodes of the drive transistors of all the pixels are converged to a predetermined voltage, and the step signal Supplying a step signal of the first voltage level from the generation circuit to each of the signal lines;
The reset switch elements and the lighting control switch elements of all the pixels are turned off during the latter half of the set period , and the signal lines are supplied from the step signal generation circuit to the signal lines within the latter half of the set period. The image display device according to claim 1, wherein a step signal of a second voltage level is supplied .
前記各画素の前記駆動トランジスタの第2電極は、前記自発光素子の一端に接続され、
前記各画素の前記駆動トランジスタの前記第1電極には、点灯制御スイッチ素子を介して前記第1電源電圧が供給され、
前記設定期間の前半の期間に、前記全画素の前記リセットスイッチ素子と前記点灯制御スイッチ素子をオンとして、前記全画素の前記駆動トランジスタのゲート電極を所定の電圧に収束させ、かつ、前記ステップ信号生成回路から前記各信号線に第1電圧レベルのステップ信号を供給し、
前記設定期間の後半の期間に、前記全画素の前記リセットスイッチ素子と前記点灯制御スイッチ素子をオフし、かつ、前記設定期間の後半の期間内に前記ステップ信号生成回路から前記各信号線に前記第2電圧レベルのステップ信号を供給することを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
A second electrode of the driving transistor of each pixel is connected to one end of the self-luminous element;
The first power supply voltage is supplied to the first electrode of the drive transistor of each pixel through a lighting control switch element;
In the first half of the set period, the reset switch elements and the lighting control switch elements of all the pixels are turned on, the gate electrodes of the drive transistors of all the pixels are converged to a predetermined voltage, and the step signal Supplying a step signal of the first voltage level from the generation circuit to each of the signal lines;
The reset switch elements and the lighting control switch elements of all the pixels are turned off during the latter half of the set period , and the signal lines are supplied from the step signal generation circuit to the signal lines within the latter half of the set period. The image display device according to claim 1, wherein a step signal of a second voltage level is supplied .
前記各画素は、前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記自発光素子の一端との間に接続されるプリチャージスイッチ素子を有し、
前記書込期間は、各表示ライン単位に、前記各画素にプリチャージ電圧を順次入力するプリチャージ期間と、前記各画素に画像信号を順次入力する画像信号書込期間とを有し、
前記プリチャージ期間に、前記各画素の前記プリチャージスイッチ素子と前記リセットスイッチ素子とをオンとして、前記駆動回路から前記各信号線に前記プリチャージ電圧を供給して、前記各画素の前記駆動トランジスタの制御電極に前記プリチャージ電圧を入力することを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
Each pixel has a precharge switch element connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and one end of the self-light-emitting element,
The writing period includes a precharge period for sequentially inputting a precharge voltage to each pixel and an image signal writing period for sequentially inputting an image signal to each pixel for each display line unit,
In the precharge period, the precharge switch element and the reset switch element of each pixel are turned on, the precharge voltage is supplied from the drive circuit to the signal lines, and the drive transistor of each pixel The image display apparatus according to claim 1, wherein the precharge voltage is input to the control electrode.
前記各画素は、前記駆動トランジスタの第2電極と前記自発光素子の一端との間に接続される点灯制御スイッチ素子を有し、
前記プリチャージ期間に、前記各画素の前記プリチャージスイッチ素子と、前記点灯制御スイッチ素子と、前記リセットスイッチ素子とをオンとして、前記駆動回路から前記各信号線に前記プリチャージ電圧を供給して、前記各画素の前記駆動トランジスタの制御電極に前記プリチャージ電圧を入力することを特徴とする請求項4に記載の画像表示装置。
Each pixel has a lighting control switch element connected between the second electrode of the driving transistor and one end of the self-light-emitting element,
In the precharge period, the precharge switch element, the lighting control switch element, and the reset switch element of each pixel are turned on, and the precharge voltage is supplied from the drive circuit to the signal lines. The image display device according to claim 4, wherein the precharge voltage is input to a control electrode of the drive transistor of each pixel.
前記ステップ信号生成回路は、前記ステップ信号の前記第1電圧レベルと前記第2電圧レベルのいずれか一方の電圧レベルと、前記ステップ信号の前記第1電圧レベルと前記第2電圧レベルのステップ幅を変更可能であることを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。 The step signal generation circuit has a voltage level of one of the first voltage level and the second voltage level of the step signal, a step width of the first voltage level and the second voltage level of the step signal. The image display device according to claim 1, wherein the image display device can be changed. 前記駆動トランジスタは、p型の電界効果トランジスタであり、
前記自発光素子のカソード電極は、前記第2電源電圧に接続され、
前記ステップ信号は、前記第1電圧レベルがHighレベル、前記第2電圧レベルがLowレベルであり、
前記設定期間の後半の期間に、特性値設定用電圧として、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極には、前記第2電源電圧よりも低電位の電圧、あるいは、前記駆動回路から供給される電圧範囲の中で最も低電位の電圧よりも低電位の電圧が入力されることを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
The drive transistor is a p-type field effect transistor,
A cathode electrode of the self-luminous element is connected to the second power supply voltage;
In the step signal, the first voltage level is a high level and the second voltage level is a low level.
During the latter half of the setting period, a voltage having a lower potential than the second power supply voltage or the drive circuit is supplied to the control electrodes of the drive transistors of all the pixels as a characteristic value setting voltage. The image display device according to claim 1, wherein a voltage having a lower potential than a voltage having the lowest potential in the voltage range is input .
前記駆動トランジスタは、n型の電界効果トランジスタであり、
前記自発光素子のアノード電極は、前記第2電源電圧に接続され、
前記ステップ信号は、前記第1電圧レベルがLowレベル、前記第2電圧レベルがHighレベルであり、
前記設定期間の後半の期間に、特性値設定用電圧として、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極には、前記第2電源電圧よりも高電位の電圧、あるいは、前記駆動回路から供給される電圧範囲の中で最も高電位の電圧よりも高電位の電圧が入力されることを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
The driving transistor is an n-type field effect transistor,
An anode electrode of the self-luminous element is connected to the second power supply voltage;
In the step signal, the first voltage level is a low level, and the second voltage level is a high level,
In the latter half of the setting period, a voltage having a higher potential than the second power supply voltage or the driving circuit is supplied to the control electrodes of the driving transistors of all the pixels as a characteristic value setting voltage. The image display device according to claim 1, wherein a voltage having a higher potential than a voltage having the highest potential in the voltage range is input .
それぞれ自発光素子を有する複数の画素と、
前記各画素に画像信号を入力する複数の信号線と、
前記各画素にリファレンス電圧を入力する複数のリファレンス線と、
前記各信号線に前記画像信号を供給する駆動回路と、
前記各信号線にステップ信号を供給するステップ信号生成回路とを備え、
前記各画素は、前記画像信号に基づき前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタと、
前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続される容量素子と、
前記複数のリファレンス線の中の対応するリファレンス線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続されるリファレンススイッチ素子とを有し、
前記駆動トランジスタの第1電極は、第1電源電圧に接続され、
前記自発光素子の他端は、第2電源電圧に接続される画像表示装置であって、
1フレーム期間内に、設定期間と、前記設定期間に連続し前記各画素に前記画像信号を書き込む書込期間とを有し、
前記設定期間の前半の期間に、前記全画素の前記リファレンススイッチ素子をオンとして、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極に所定の電圧を入力し、かつ、前記ステップ信号生成回路から前記各信号線に第1電圧レベルのステップ信号を供給し、
前記設定期間の後半の期間に、前記全画素の前記リファレンススイッチ素子をオフし、かつ、前記設定期間の後半の期間内に前記ステップ信号生成回路から前記各信号線に前記第1電圧レベルとは異なる第2電圧レベルのステップ信号を供給することを特徴とする画像表示装置。
A plurality of pixels each having a self-luminous element;
A plurality of signal lines for inputting image signals to the pixels;
A plurality of reference lines for inputting a reference voltage to each of the pixels;
A drive circuit for supplying the image signal to the signal lines;
A step signal generation circuit for supplying a step signal to each signal line;
Each of the pixels includes a driving transistor that drives the self-luminous element based on the image signal;
A capacitive element connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and a control electrode of the driving transistor;
And a reference switch element connected between the control electrode of the corresponding reference line and the driving transistor of the plurality of reference lines,
A first electrode of the driving transistor is connected to a first power supply voltage;
The other end of the self-luminous element is an image display device connected to a second power supply voltage,
Within one frame period, it has a setting period, and a writing period for writing the image signal to each pixel in succession to the setting period,
In the first half of the set period, the reference switch elements of all the pixels are turned on, a predetermined voltage is input to the control electrodes of the drive transistors of all the pixels, and each signal from the step signal generation circuit Supplying a first voltage level step signal to the line;
In the latter half of the set period, the reference switch elements of all the pixels are turned off, and the first voltage level is applied to each signal line from the step signal generation circuit within the latter half of the set period. An image display device that supplies step signals having different second voltage levels.
前記ステップ信号生成回路は、前記ステップ信号の前記第1電圧レベルと前記第2電圧レベルのいずれか一方の電圧レベルと、前記ステップ信号の前記第1電圧レベルと前記第2電圧レベルのステップ幅を変更可能であることを特徴とする請求項9に記載の画像表示装置。 The step signal generation circuit has a voltage level of one of the first voltage level and the second voltage level of the step signal, a step width of the first voltage level and the second voltage level of the step signal. The image display device according to claim 9, wherein the image display device can be changed. 前記各画素は、前記駆動トランジスタの制御電極と第2電極との間に接続されるリセットスイッチ素子と、
前記駆動トランジスタの第2電極と前記自発光素子の一端との間に接続される点灯制御スイッチ素子とを有することを特徴とする請求項9に記載の画像表示装置。
Each pixel includes a reset switch element connected between a control electrode and a second electrode of the driving transistor;
The image display device according to claim 9, further comprising a lighting control switch element connected between the second electrode of the driving transistor and one end of the self-light-emitting element.
前記リセットスイッチ素子と前記点灯制御スイッチ素子とは、前記設定期間にオフとされることを特徴とする請求項11に記載の画像表示装置。   The image display device according to claim 11, wherein the reset switch element and the lighting control switch element are turned off during the set period. 前記駆動トランジスタは、p型の電界効果トランジスタであり、
前記自発光素子のカソード電極は、前記第2電源電圧に接続され、
前記ステップ信号は、前記第1電圧レベルがHighレベル、前記第2電圧レベルがLowレベルであり、
前記設定期間の後半の期間に、特性値設定用電圧として、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極には、前記第2電源電圧よりも低電位の電圧、あるいは、前記駆動回路から供給される電圧範囲の中で最も低電位の電圧よりも低電位の電圧が入力されることを特徴とする請求項9に記載の画像表示装置。
The drive transistor is a p-type field effect transistor,
A cathode electrode of the self-luminous element is connected to the second power supply voltage;
In the step signal, the first voltage level is a high level and the second voltage level is a low level.
During the latter half of the setting period, a voltage having a lower potential than the second power supply voltage or the drive circuit is supplied to the control electrodes of the drive transistors of all the pixels as a characteristic value setting voltage. The image display device according to claim 9, wherein a voltage having a lower potential than a voltage having the lowest potential in the voltage range is input .
前記駆動トランジスタは、n型の電界効果トランジスタであり、
前記自発光素子のアノード電極は、前記第2電源電圧に接続され、
前記ステップ信号は、前記第1電圧レベルがLowレベル、前記第2電圧レベルがHighレベルであり、
前記設定期間の後半の期間に、特性値設定用電圧として、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極には、前記第2電源電圧よりも高電位の電圧、あるいは、前記駆動回路から供給される電圧範囲の中で最も高電位の電圧よりも高電位の電圧が入力されることを特徴とする請求項9に記載の画像表示装置。
The driving transistor is an n-type field effect transistor,
An anode electrode of the self-luminous element is connected to the second power supply voltage;
In the step signal, the first voltage level is a low level, and the second voltage level is a high level,
In the latter half of the setting period, a voltage having a higher potential than the second power supply voltage or the driving circuit is supplied to the control electrodes of the driving transistors of all the pixels as a characteristic value setting voltage. The image display device according to claim 9, wherein a voltage having a higher potential than a voltage having the highest potential in the voltage range is input .
それぞれ自発光素子を有する複数の画素と、
前記各画素に画像信号を入力する複数の信号線と、
前記各信号線に前記画像信号を供給する駆動回路とを備え、
前記各画素は、前記画像信号に基づき前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタと、
前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続される容量素子とを有し、
前記駆動トランジスタは、p型の電界効果トランジスタであり、
前記駆動トランジスタの第1電極は、第1電源電圧に接続され、
前記自発光素子のカソード電極は、第2電源電圧に接続される画像表示装置であって、
1フレーム期間内に、設定期間と、前記設定期間に連続し前記各画素に前記画像信号を書き込む書込期間とを有し、
電源回路と、
複数の電圧入力線とを有し、
前記各画素は、前記複数の電圧入力線の中の対応する電圧入力線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続されるリファレンススイッチ素子を有し、
前記設定期間に、前記全画素の前記リファレンススイッチ素子をオンとして、前記電源回路から前記各電圧入力線に前記第2電源電圧よりも低電位の電圧を供給することにより、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極に特性値設定用電圧として、前記第2電源電圧よりも低電位の電圧を入力することを特徴とする画像表示装置。
A plurality of pixels each having a self-luminous element;
A plurality of signal lines for inputting image signals to the pixels;
A drive circuit for supplying the image signal to the signal lines,
Each of the pixels includes a driving transistor that drives the self-luminous element based on the image signal;
A capacitive element connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and a control electrode of the drive transistor;
The drive transistor is a p-type field effect transistor,
A first electrode of the driving transistor is connected to a first power supply voltage;
The cathode electrode of the self-luminous element is an image display device connected to a second power supply voltage,
Within one frame period, it has a setting period, and a writing period for writing the image signal to each pixel in succession to the setting period,
A power circuit;
A plurality of voltage input lines,
Each pixel has a reference switch element connected between a corresponding voltage input line of the plurality of voltage input lines and a control electrode of the driving transistor ,
In the setting period, the reference switch elements of all the pixels are turned on, and a voltage having a lower potential than the second power supply voltage is supplied from the power supply circuit to each of the voltage input lines. An image display device, wherein a voltage having a lower potential than the second power supply voltage is input as a characteristic value setting voltage to a control electrode of a transistor.
前記信号線は、前記電圧入力線を兼用し、
前記各画素の前記リファレンススイッチ素子は、前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続されることを特徴とする請求項15に記載の画像表示装置。
The signal line also serves as the voltage input line,
The image display device according to claim 15, wherein the reference switch element of each pixel is connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and a control electrode of the drive transistor. .
前記各画素は、前記駆動トランジスタの制御電極と第2電極との間に接続されるリセットスイッチ素子と、
前記駆動トランジスタの第2電極と前記自発光素子の一端との間に接続される点灯制御スイッチ素子とを有することを特徴とする請求項15に記載の画像表示装置。
Each pixel includes a reset switch element connected between a control electrode and a second electrode of the driving transistor;
16. The image display device according to claim 15, further comprising a lighting control switch element connected between the second electrode of the driving transistor and one end of the self-light-emitting element.
それぞれ自発光素子を有する複数の画素と、
前記各画素に画像信号を入力する複数の信号線と、
前記各信号線に前記画像信号を供給する駆動回路とを備え、
前記各画素は、前記画像信号に基づき前記自発光素子を駆動する駆動トランジスタと、
前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続される容量素子とを有し、
前記駆動トランジスタは、n型の電界効果トランジスタであり、
前記駆動トランジスタの第1電極は、第1電源電圧に接続され、
前記自発光素子のアノード電極は、第2電源電圧に接続される画像表示装置であって、
1フレーム期間内に、設定期間と、前記設定期間に連続し前記各画素に前記画像信号を書き込む書込期間とを有し、
電源回路と、
複数の電圧入力線とを有し、
前記各画素は、前記複数の電圧入力線の中の対応する電圧入力線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続されるリファレンススイッチ素子を有し、
前記設定期間に、前記全画素の前記リファレンススイッチ素子をオンとして、前記電源回路から前記各電圧入力線に前記第2電源電圧よりも高電位の電圧を供給することにより、前記全画素の前記駆動トランジスタの制御電極に特性値設定用電圧として、前記第2電源電圧よりも高電位の電圧を入力することを特徴とする画像表示装置。
A plurality of pixels each having a self-luminous element;
A plurality of signal lines for inputting image signals to the pixels;
A drive circuit for supplying the image signal to the signal lines,
Each of the pixels includes a driving transistor that drives the self-luminous element based on the image signal;
A capacitive element connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and a control electrode of the drive transistor;
The driving transistor is an n-type field effect transistor,
A first electrode of the driving transistor is connected to a first power supply voltage;
The anode electrode of the self-luminous element is an image display device connected to a second power supply voltage,
Within one frame period, it has a setting period, and a writing period for writing the image signal to each pixel in succession to the setting period,
A power circuit;
A plurality of voltage input lines,
Each pixel has a reference switch element connected between a corresponding voltage input line of the plurality of voltage input lines and a control electrode of the driving transistor ,
In the setting period, the reference switch elements of all the pixels are turned on, and a voltage having a higher potential than the second power supply voltage is supplied from the power supply circuit to each of the voltage input lines. An image display device, wherein a voltage having a higher potential than the second power supply voltage is input as a characteristic value setting voltage to a control electrode of a transistor.
前記信号線は、前記電圧入力線を兼用し、
前記各画素の前記リファレンススイッチ素子は、前記複数の信号線の中の対応する信号線と前記駆動トランジスタの制御電極との間に接続されることを特徴とする請求項18に記載の画像表示装置。
The signal line also serves as the voltage input line,
19. The image display device according to claim 18, wherein the reference switch element of each pixel is connected between a corresponding signal line of the plurality of signal lines and a control electrode of the drive transistor. .
前記各画素は、前記駆動トランジスタの制御電極と第2電極との間に接続されるリセットスイッチ素子と、
前記駆動トランジスタの第2電極と前記自発光素子の一端との間に接続される点灯制御スイッチ素子とを有することを特徴とする請求項18に記載の画像表示装置。
Each pixel includes a reset switch element connected between a control electrode and a second electrode of the driving transistor;
The image display device according to claim 18, further comprising a lighting control switch element connected between the second electrode of the driving transistor and one end of the self-luminous element.
JP2008152942A 2008-06-11 2008-06-11 Image display device Active JP5280739B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008152942A JP5280739B2 (en) 2008-06-11 2008-06-11 Image display device
US12/480,804 US8207918B2 (en) 2008-06-11 2009-06-09 Image display device having a set period during which a step signal is supplied at different levels to provide a uniform display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008152942A JP5280739B2 (en) 2008-06-11 2008-06-11 Image display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009300592A JP2009300592A (en) 2009-12-24
JP5280739B2 true JP5280739B2 (en) 2013-09-04

Family

ID=41547572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008152942A Active JP5280739B2 (en) 2008-06-11 2008-06-11 Image display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5280739B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5771807B2 (en) * 2011-02-25 2015-09-02 ローム株式会社 Signal processing circuit for light emitting device
TWI705428B (en) * 2019-11-25 2020-09-21 友達光電股份有限公司 Light-emitting diode apparatus and controlling method thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5173196B2 (en) * 2004-12-27 2013-03-27 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Image display apparatus, driving method thereof, and driving method of electronic device
JP5007491B2 (en) * 2005-04-14 2012-08-22 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
JP2007179037A (en) * 2005-12-01 2007-07-12 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd El display apparatus and method for driving the el display apparatus
KR101245218B1 (en) * 2006-06-22 2013-03-19 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009300592A (en) 2009-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4915195B2 (en) Display device
TWI424410B (en) Display device and method of driving the same
JP4826597B2 (en) Display device
TWI576809B (en) Pixel and organic light emitting display using the same
JP5157467B2 (en) Self-luminous display device and driving method thereof
WO2016145693A1 (en) Amoled pixel drive circuit and pixel drive method
WO2016155053A1 (en) Amoled pixel driving circuit and pixel driving method
US20060176250A1 (en) Method and system for programming and driving active matrix light emitting devcie pixel
US8207918B2 (en) Image display device having a set period during which a step signal is supplied at different levels to provide a uniform display
US9165508B2 (en) Display apparatus using reference voltage line for parasitic capacitance, electronic apparatus using the display apparatus and driving method of the display apparatus
JP2008164796A (en) Pixel circuit and display device and driving method thereof
JP2008233123A (en) Display device
WO2019037301A1 (en) Pixel driving circuit and driving method therefor
JP2008051990A (en) Display device
US9483978B2 (en) Display device and method of driving the same
JP5280739B2 (en) Image display device
JP5789585B2 (en) Display device and electronic device
KR100541829B1 (en) Current driving apparatus and method for active matrix oled
JP4962682B2 (en) Light emission drive circuit and display device
JP2007108379A (en) Pixel circuit, display device, and driving method of display device
JP3988793B2 (en) Driving method for active matrix display device and active matrix display device
KR102332424B1 (en) Electroluminscence display
JP4915194B2 (en) Display device
JP5342193B2 (en) Image display device
KR20210040727A (en) Display device and driving method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110214

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20110218

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20110218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120529

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120605

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120712

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130423

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130523

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5280739

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250