JP5279412B2 - 光電池およびその製造方法 - Google Patents
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Description
技術分野
この開示は太陽光発電に関し、より具体的には透明な導電性コーティングを用いた太陽光発電に関する。
集光型太陽光発電(concentrating photovoltaics)(CPV)によって、太陽エネルギが他のエネルギ源と価格的に競争できるようになる将来性が大いにある。CPVでは、反射光学系および/または屈折光学系のなんらかの組合せの使用を通じて、日光が大きな地域から集められて比較的小さな太陽電池領域に集光される。太陽電池は日光を電気に変換する半導体を含む。日光の集光は太陽電池の効率を増加させ、所与の電力出力を生成するのに必要な(費用のかかる)太陽電池材料の体積を減じる。このようなシステムでは、極めて高性能(かつ高コスト)な多接合電池を用いることができ、単位エネルギあたりのシステムコスト全体において正味の改善が行われる。
この光電池および関連付けられた方法の実施例はいくつかの特徴を有するが、その望ましい属性に単独で責任を負う特徴は1つとして存在しない。後続の請求項によって表現されるこの実施例の範囲を制限することなく、そのより顕著な特徴がここで簡潔に説明される。この説明の検討後、および特に「詳細な説明」と題された部分を読んだ後に、この実施例の特徴が絶対的な電池効率の正味の増大を含む利点をいかにもたらすかが理解される。
図2は、この光電池20の1つの実施例の代表的な部分を示す。光電池20は半導体ウ
ェーハ22を含む。半導体ウェーハ22で用いられ得る材料の限定されない例は、AlGaInP、AlInP、GaInP、AlGaAs、GaInAs、GaAsおよびGeを含む。いくつかの実施例では、半導体ウェーハ22の太陽に面した表面24は反射防止用コーティング(示されない)を含んでもよい。したがって、用語「表面」は、半導体ウェーハ22を指すために用いられると、露出した半導体材料および半導体ウェーハ22上のいかなるコーティングも両方を含むように、本願明細書では広く用いられる。
集光された日光は電池を暖める傾向があり、それが効率を減じかねない。ヒートシンク42は電池20が効率的に作動し続けるよう、余分な熱を出す。当業者は、示されたCPVシステム36が一例にすぎないことを認識するだろう。この光電池20は、図4に示された構成要素のうちのいくつかしか含まないもの、および/または、示されない付加的な構成要素を含むものなどの、いかなるCPVシステムにも組み込まれ得る。
Claims (12)
- 放射太陽エネルギを吸収して電力を生成するための集光型太陽光発電(CPV)システムに使用するために構成される光電池(20)であって、
太陽に面した表面(24)を有する半導体ウェーハ(22)と、
太陽に面した表面(24)上のグリッド線(26)のネットワークと、
太陽に面した表面(24)上の選択的にパターニングされた透明で導電性のコーティング(TCC)(28)とを含み、選択的にパターニングされたTCC(28)はグリッド線(26)のうち少なくともいくつかに隣接し、
選択的にパターニングされたTCC(28)は、グリッド線(26)のうち少なくともいくつかの拡張部を形成するが、グリッド線(26)間では半導体ウェーハ(22)の太陽に面した表面(24)を完全には覆わない、光電池(20)。 - グリッド線(26)は高度に導電性であるが光学的に不透明である、請求項1に記載の光電池(20)。
- 選択的にパターニングされたTCC(28)はグリッド線(26)のうち少なくともいくつかから延在する薄い層を含む、請求項1に記載の光電池(20)。
- 選択的にパターニングされたTCC(28)は半導体ウェーハ(22)の太陽に面した表面(24)の一部を露出したままにする、請求項1に記載の光電池(20)。
- 選択的にパターニングされたTCC(28)は半導体ウェーハ(22)の太陽に面した表面(24)の高い電流密度を有する領域を覆う、請求項1に記載の光電池(20)。
- 選択的にパターニングされたTCC(28)は、半導体ウェーハ(22)の太陽に面した表面(24)のグリッド線(26)のうち少なくともいくつかの近くの領域のみを覆う、請求項1に記載の光電池(20)。
- 日光を集光し、光電池(20)に日光を集束させるよう構成される太陽光収集器(38)を含むCPV(36)システムと組み合わされる、請求項1に記載の光電池(20)。
- 半導体ウェーハ(22)は、AlGaInP、AlInP、GaInP、AlGaAs、GaInAs、GaAsおよびGeの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の光電池(20)。
- 集光型太陽光発電(CPV)(36)システムで使用するよう構成される光電池(20)を製造する方法であって、
半導体ウェーハ(22)の太陽に面した表面(24)上にグリッド線(26)のネットワークを与えるステップと、
太陽に面した表面(24)上に選択的にパターニングされた透明で導電性のコーティング(TCC)(28)を与えるステップと、
光電池(20)の低い相対的電力損失を結果として生じるTCC(28)のパターンを決定するために、半導体ウェーハ(22)、グリッド線(26)、およびTCC(28)の光学的、電気的特性をモデル化するステップとを含み、
選択的にパターニングされたTCC(28)はグリッド線(26)のうち少なくともいくつかに隣接し、
選択的にパターニングされたTCC(28)は、グリッド線(26)のうち少なくともいくつかの拡張部を形成するが、グリッド線(26)間では半導体ウェーハ(22)の太陽に面した表面(24)を完全には覆わない、方法。 - 太陽光収集器(38)、ヒートシンク(42)および太陽追跡装置(40)の少なくとも1つを含むCPV(36)システムと光電池(20)とを組合せるステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
- 選択的にパターニングされたTCC(28)は、グリッド線(26)から延在する薄い層として与えられる、請求項9に記載の方法。
- 選択的にパターニングされたTCC(28)は、半導体ウェーハ(22)の太陽に面した表面(24)の高い電流密度を有する領域に与えられる、請求項9に記載の方法。
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