JP5277588B2 - 有機el素子 - Google Patents
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Description
で示されるフルオレン化合物を発光ドーパント材料として使用することが好ましい。
を例示することができる。
(A)陽極/正孔輸送層/発光ドーパント層/発光層/陰極
(B)陽極/正孔輸送層/発光ドーパント層/発光層/電子輸送層/陰極
(C)陽極/正孔輸送層/発光ドーパント層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(D)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光ドーパント層/発光層/電子輸送層/陰極
(E)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光ドーパント層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
以下に、有機EL素子を構成する各部材を説明する。
厚さ160nmのITO透明電極(陽極)を積層したガラス基板をアセトンおよび純水による超音波洗浄、イソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行なった。さらに紫外線オゾン洗浄を行ない、真空蒸着装置へ設置後1×10−3Paになるまで、真空ポンプにて排気した。まず、ITO透明電極上に4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD、Ip=5.5eV)を蒸着速度0.3nm/秒で蒸着し、30nmの正孔輸送層とした。引き続き、発光ドーパント材料である2,7−ビス(4−ジフェニルアミノビフェニル)−9,9−ジフェニル−9H−フルオレン(Fluorene2、Ip=5.7eV、ΦPL=90%)を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、10nmの発光ドーパント層とした。さらに、発光ドーパント材料であるFluorene2と発光ホスト材料である2,7−ビスビフェニル−9,9−ビスビフェニル−9H−フルオレン(Fluorene1、Ip=5.9eV)を重量比が1:15.5になるように蒸着速度0.33nm/秒で共蒸着し、20nmの発光層とした。次に、バソフェナントロリン(BPhen)を蒸着速度0.3nm/秒で蒸着し、40nmの電子輸送層とした後、電子注入層として沸化リチウムを蒸着速度0.02nm/秒で0.5nm蒸着し、さらに陰極としてアルミニウムを蒸着速度0.2nm/秒で100nm蒸着して、有機EL素子を作製した。
発光ドーパント材料として、Fluorene2の代わりに2,7−ビス(4−ジフェニルアミノビフェニル)−9,9−ビスビフェニル−9H−フルオレン(Fluorene3、Ip=5.7eV、ΦPL=90%)を用いた以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
発光ドーパント層を設けず、正孔輸送層の膜厚を40nmにした以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
発光ドーパント層を設けず、正孔輸送層の膜厚を40nmにした以外は、実施例2と同様の方法で有機EL素子を作製した。
発光ドーパント材料として、Fluorene2の代わりに4,4’−ビス(p−ジフェニルアミノスチリル)ビフェニル(DPAVBi、Ip=5.6eV、ΦPL=19%)を用いた以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
2.陽極
3.正孔輸送層
4.発光ドーパント材料からなる層(発光ドーパント層)
5.発光層
6.電子輸送層
7.陰極
Claims (3)
- 一対の電極間に少なくとも正孔輸送層と、発光ホスト材料に発光ドーパント材料が分散された層からなる発光層を有する有機EL素子において、当該正孔輸送層と発光層との間に、発光層で用いた発光ドーパント材料のみからなる層(以下、発光ドーパント層という)を設け、かつ発光ドーパント層の発光量子収率が40%以上であることを特徴とする有機EL素子。
- 発光ドーパント層が正孔輸送性を有し、かつイオン化ポテンシャルが正孔輸送層より高く、発光層より低いことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
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