JP5270289B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等(以下、単に「基板」という)に対して処理を行う技術に関する。 The present invention can be applied to semiconductor substrates, glass substrates for liquid crystal display devices, substrates for plasma displays, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for magneto-optical disks, glass substrates for photomasks (hereinafter simply referred to as “substrates”). The present invention relates to a technique for processing.
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち、基板にレジスト塗布処理を行ってその基板を露光ユニットに渡すとともに、該露光ユニットから露光後の基板を受け取って現像処理を行う装置がいわゆるコータ&デベロッパとして広く使用されている。 As is well known, products such as semiconductors and liquid crystal displays are manufactured by performing a series of processes such as cleaning, resist coating, exposure, development, etching, interlayer insulation film formation, heat treatment, and dicing on the substrate. Has been. Among these various processes, a resist coating process is performed on a substrate and the substrate is transferred to an exposure unit, and an apparatus that receives the exposed substrate from the exposure unit and performs a development process is widely used as a so-called coater and developer. Yes.
特許文献1には、このような装置の構成例が開示されている。ここに開示されている基板処理装置においては、複数の処理部(レジスト膜等の各種塗布膜の形成を行う処理部、現像処理を行う処理部、熱処理を行う熱処理部等)と、処理部間で基板を搬送する複数の搬送機構とがそれぞれ所定位置に配置され、各搬送機構が基板を所定の順序で所定の処理部に搬送していく。これによって、基板に対する一連の処理が行われることになる。
このような基板処理装置においては、基板を各処理部に搬送するスケジュールを算出するとともに、当該スケジュールにしたがって搬送機構を制御するコントローラが設けられる。従来においては、装置全体にわたる搬送制御を1個のコントローラで行っていた。しかしながら、装置内に設けられる処理部の個数が増加するにつれてスケジュール計算は複雑なものとなり、その算出に時間がかかり、リアルタイムの計算も難しくなってきた。また、ソフトの不具合も多発するようになってきた。 In such a substrate processing apparatus, a controller for calculating a schedule for transporting the substrate to each processing unit and controlling the transport mechanism according to the schedule is provided. Conventionally, the conveyance control over the entire apparatus is performed by one controller. However, the schedule calculation becomes more complicated as the number of processing units provided in the apparatus increases, and it takes time for the calculation, and real-time calculation becomes difficult. In addition, software bugs have become frequent.
そこで、コントローラの処理負担を軽減すべく、装置全体を複数の被制御区画に分割し、各区画を別個のコントローラで独立して管理する構成が考案されている。例えば、特許文献1に開示されている基板処理装置においては、装置全体を、1個の搬送機構と当該搬送機構が基板の搬出入を行う処理部とを含むユニット単位(セル)に分割し、各セル内の搬送スケジュールを別個のコントローラ(セルコントローラ)に独立して管理させる構成をとっている。
Therefore, in order to reduce the processing load on the controller, a configuration has been devised in which the entire apparatus is divided into a plurality of controlled sections and each section is managed independently by a separate controller. For example, in the substrate processing apparatus disclosed in
この構成によると、各セルコントローラは、隣接するセル内での搬送スケジュールを考慮することなく、それぞれが管理するセル内だけの搬送スケジュールをみていればよいので、搬送制御に係る処理負担が軽くなる。また、処理に要する時間が短縮され、スループットが向上する。 According to this configuration, each cell controller only needs to look at the transfer schedule in the cell managed by each cell controller without considering the transfer schedule in the adjacent cell, so the processing load related to transfer control is reduced. . In addition, the time required for processing is shortened and the throughput is improved.
セル単位で独立した搬送制御を行えば、上述した利点が得られる半面、セル間を通じたトータルでの搬送制御を行うことができないという不都合があり、その結果、各種の問題が生じていた。 If independent transport control is performed in units of cells, the above-described advantages can be obtained, but there is a disadvantage that total transport control between cells cannot be performed, resulting in various problems.
例えば、レジスト膜を塗布形成する処理部にてカップリンスを行う場合、その間はレジスト膜の塗布形成処理が行えない。そこで、当該処理部を含むセル(レジスト塗布セル)のセルコントローラは、カップリンスが終了するまで当該セル内への基板の受け入れを停止する。ところが他のセルではそのような事情を感知することができないため、そのまま処理が続行されていく。その結果、レジスト塗布セルに対して基板を払い出すセル(バークセル)では、処理した基板をレジスト塗布セルに払い出すことができず、基板のどん詰まり状態が発生してしまう。バークセルにおいては、反射防止膜の塗布形成処理および、これに付随する熱処理が行われるところ、どん詰まり状態においては、熱処理を施された基板を熱処理部から搬出できず、その結果、反射防止膜を塗布形成した基板を熱処理部に搬入できない状態が生じてしまう。すなわち、反射防止膜が形成された基板が、熱処理されないまま相当時間待たされるため、プロセス的な問題が発生してしまう。 For example, in the case where the coupling is performed in a processing unit for coating and forming a resist film, the resist film coating and forming process cannot be performed during that time. Therefore, the cell controller of the cell (resist application cell) including the processing unit stops receiving the substrate into the cell until the coupling is completed. However, since such a situation cannot be detected in other cells, the processing is continued as it is. As a result, in the cell (bark cell) that dispenses the substrate to the resist coating cell, the processed substrate cannot be dispensed to the resist coating cell, and the substrate becomes clogged. In a bark cell, an antireflection film coating formation process and a heat treatment associated therewith are performed. In a clogged state, the heat-treated substrate cannot be carried out of the heat treatment section, and as a result, the antireflection film is formed. There arises a state where the coated and formed substrate cannot be carried into the heat treatment section. That is, the substrate on which the antireflection film is formed waits for a considerable period of time without being heat-treated, which causes a process problem.
このように、セル単位での独立した搬送制御によると、あるセルでのスケジュールの遅れに応じて他のセルのスケジュールを調整する、といったセル間でのスケジュール調整を行うことができず、そのために、プロセスリスクの発生を回避できなかった。 Thus, according to the independent transport control in units of cells, it is not possible to perform schedule adjustment between cells such as adjusting the schedule of other cells according to the delay of the schedule in a certain cell. , Process risk could not be avoided.
また例えば、セル単位での独立した搬送制御によると、セル間をまたがる全体タクト搬送(同一ロットの基板を同じ搬送履歴、処理履歴となるように搬送する搬送制御態様)が実現できないという不都合もあった。すなわち、個々のセルコントローラが自分のセル内の搬送状態しか把握しないため、例えば、ある基板はバークセルから払い出されてから3秒後にレジスト塗布セルへ受け入れられ、別の基板は7秒後に受け入れられる、といったように、セル間の受け渡しタイミングが基板間でばらついてしまうのである。このため、セル単位でのタクト搬送を行ったとしても、全体としての搬送履歴を一定にすることができず、全体タクト搬送が実現できなかった。
Further, for example, according to independent transfer control in units of cells, there is a disadvantage that it is not possible to realize overall tact transfer across cells (transfer control mode for transferring the same lot of substrates so as to have the same transfer history and processing history). It was. That is, each cell controller only knows the state of transport in its own cell. For example, a certain substrate is accepted into the resist
このように、装置全体を複数の被制御区画に分割し、各被制御区画の搬送制御を別個のコントローラで独立して行う構成においては、処理負担の分散および処理速度の向上という利点が得られる一方で、複数の被制御区画全体を通じたトータルでの搬送制御を行えないために、適切な搬送制御が担保されないという欠点があった。 As described above, in the configuration in which the entire apparatus is divided into a plurality of controlled sections and the transport control of each controlled section is performed independently by a separate controller, there are advantages in that the processing load is distributed and the processing speed is improved. On the other hand, since the total conveyance control cannot be performed throughout the plurality of controlled sections, there is a drawback that proper conveyance control is not ensured.
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、搬送制御における処理負担を一部に集中させることなく、適切な搬送制御を実現することができる技術を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a technique capable of realizing appropriate transport control without concentrating a processing load in transport control.
請求項1の発明は、基板を複数の処理部に順次搬送して一連の処理を施す基板処理装置であって、前記基板処理装置を分割して規定された複数の被制御区画と1対1で対応付けられ、それぞれが対応する被制御区画内部の搬送スケジュールを管理する複数の被制御区画スケジューラと、前記複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを制御する被制御区画間スケジューラと、を備え、前記被制御区画間スケジューラが、前記複数の被制御区画スケジューラのそれぞれから、対応する前記被制御区画の状態を示す情報であるステータス情報を取得するステータス情報取得手段、を備え、前記ステータス情報に基づいて、前記複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを決定し、前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ可能か否かを示す情報が含まれ、前記被制御区画間スケジューラが、基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、前記複数の被制御区画スケジューラのうちから選択した被制御区画スケジューラに対して、それが対応する前記被制御区画からの基板の払い出しの停止指示を与える払出タイミング指示手段、を備え、前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ不可能な理由を示す情報が含まれ、前記払出タイミング指示手段が、前記理由に基づいて、前記複数の被制御区画スケジューラのうちから前記停止指示を与えるべき被制御区画スケジューラを選択する。
The invention of
請求項2の発明は、基板を複数の処理部に順次搬送して一連の処理を施す基板処理装置であって、前記基板処理装置を分割して規定された複数の被制御区画と1対1で対応付けられ、それぞれが対応する被制御区画内部の搬送スケジュールを管理する複数の被制御区画スケジューラと、前記複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを制御する被制御区画間スケジューラと、を備え、前記被制御区画間スケジューラが、前記複数の被制御区画スケジューラのそれぞれから、対応する前記被制御区画の状態を示す情報であるステータス情報を取得するステータス情報取得手段、を備え、前記ステータス情報に基づいて、前記複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを決定し、前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ可能か否かを示す情報が含まれ、前記被制御区画間スケジューラが、基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、前記複数の被制御区画スケジューラのうちから選択した被制御区画スケジューラに対して、それが対応する前記被制御区画からの基板の払い出しの停止指示を与える払出タイミング指示手段、を備え、前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ不可能な期間を示す情報が含まれ、前記払出タイミング指示手段が、前記期間に基づいて決定したタイミングで、前記停止指示を与えた被制御区画スケジューラに対して基板の払い出しの再開指示を与える。 The invention according to claim 2 is a substrate processing apparatus that sequentially conveys a substrate to a plurality of processing units and performs a series of processes, and has a one-to-one correspondence with a plurality of controlled sections defined by dividing the substrate processing apparatus. A plurality of controlled partition schedulers that are associated with each other and manage a transport schedule inside each controlled partition, and a controlled inter-segment scheduler that controls the timing of delivering a substrate between the plurality of controlled partitions, The inter-controlled partition scheduler includes status information acquisition means for acquiring status information that is information indicating the state of the corresponding controlled partition from each of the plurality of controlled partition schedulers, and the status Based on the information, the timing for delivering the substrate between the plurality of controlled sections is determined, and in the status information, in the controlled section Information indicating whether or not a board can be received, and when there is a controlled partition in which the inter-controlled partition scheduler cannot receive a board, the controlled control selected from the plurality of controlled partition schedulers A delivery timing instruction means for giving an instruction to stop the delivery of a substrate from the controlled partition corresponding to the partition scheduler, and the status information includes a period during which the substrate cannot be received in the controlled partition. The payout timing instructing means gives an instruction to restart the board payout to the controlled partition scheduler that has given the stop instruction at a timing determined based on the period.
請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、前記被制御区画間スケジューラが、基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、前記複数の被制御区画スケジューラのうちから選択した被制御区画スケジューラに対して、それが対応する前記被制御区画への基板の受け入れの停止指示を与える受入タイミング指示手段と、前記複数の被制御区画のそれぞれについて、当該被制御区画から基板が払い出せなくなった場合であってもプロセスリスクを発生させることなく前記被制御区画内に安全に収容可能な基板の最大枚数である安全枚数を特定する安全枚数特定手段と、を備え、前記受入タイミング指示手段が、前記被制御区画への基板の受け入れの停止指示を、当該被制御区画の前記安全枚数を超える数の基板が当該被制御区画へ受け入れられる前に与える。
A third aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus according to
請求項4の発明は、請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記被制御区画間スケジューラが、前記複数の被制御区画スケジューラのそれぞれに対して指示を与えて、前記複数の被制御区画それぞれにおいて1枚の基板が当該被制御区画に搬入されてから払い出されるまでの時間である区画内タクトタイムを、前記複数の被制御区画の全てについて所定の値に揃えさせる区画内タクトタイム調整手段と、前記複数の被制御区画それぞれからの基板の払い出しのタイミングを同期させるタイミング調整手段と、を備える。
Invention of
請求項1の発明によると、複数の被制御区画それぞれの搬送スケジュールを管理する複数の被制御区画スケジューラの他に、複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを制御する被制御区画間スケジューラを設ける。このようにスケジューラを階層化することによって、搬送制御における処理負担を分散させつつ、被制御区画間でのトータルの搬送制御を行って、適切な搬送制御を実現することができる。
また、基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、被制御区画間スケジューラが、選択された被制御区画スケジューラに対して基板の払い出しの停止指示を与えることにより被制御区画間での搬送スケジュールの調整を行う。これによって、プロセスリスクの発生を回避した適切な搬送制御を実現することができる。
また、基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、被制御区画間スケジューラが、そこに基板を受け入れられない理由に基づいて停止指示を与えるべき被制御区画スケジューラを選択する。この構成によって、被制御区画間での搬送スケジュールを柔軟かつ適切に調整することが可能となり、プロセスリスクの発生を回避しつつ、処理効率の低下を抑えた適切な搬送制御を実現することができる。
According to the first aspect of the present invention, in addition to the plurality of controlled partition schedulers that manage the transfer schedules of the plurality of controlled partitions, the inter-controlled partition scheduler that controls the timing of transferring the substrates between the plurality of controlled partitions. Is provided. By stratifying the scheduler in this way, it is possible to realize appropriate transport control by performing total transport control between controlled sections while distributing the processing load in transport control.
In addition, when there is a controlled partition that cannot accept a board, the controlled inter-partition scheduler gives a stop instruction for the delivery of the board to the selected controlled partition scheduler, so that it can be transported between the controlled sections. Adjust the schedule. As a result, it is possible to realize appropriate conveyance control that avoids the occurrence of process risk.
In addition, when there is a controlled partition that cannot accept a substrate, the controlled partition scheduler selects a controlled partition scheduler to which a stop instruction should be given based on the reason why the substrate cannot be received there. With this configuration, it is possible to adjust the conveyance schedule between controlled sections flexibly and appropriately, and it is possible to realize appropriate conveyance control that suppresses a decrease in processing efficiency while avoiding the occurrence of process risk. .
請求項2の発明によると、複数の被制御区画それぞれの搬送スケジュールを管理する複数の被制御区画スケジューラの他に、複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを制御する被制御区画間スケジューラを設ける。このようにスケジューラを階層化することによって、搬送制御における処理負担を分散させつつ、被制御区画間でのトータルの搬送制御を行って、適切な搬送制御を実現することができる。
また、基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、被制御区画間スケジューラが、選択された被制御区画スケジューラに対して基板の払い出しの停止指示を与えることにより被制御区画間での搬送スケジュールの調整を行う。これによって、プロセスリスクの発生を回避した適切な搬送制御を実現することができる。
また、被制御区画間スケジューラが、基板を受け入れ不可能な期間に基づいて決定したタイミングで、基板の払い出しの再開指示を与える。この構成によって、被制御区画間での搬送スケジュールを適切なタイミングで切り換えることが可能となり、処理効率の低下を抑えた適切な搬送制御を実現することができる。
According to the invention of claim 2, in addition to the plurality of controlled partition schedulers for managing the transport schedules of the plurality of controlled partitions, the controlled inter-partition scheduler for controlling the timing of transferring the substrate between the plurality of controlled partitions. Is provided. By stratifying the scheduler in this way, it is possible to realize appropriate transport control by performing total transport control between controlled sections while distributing the processing load in transport control.
In addition, when there is a controlled partition that cannot accept a board, the controlled inter-partition scheduler gives a stop instruction for the delivery of the board to the selected controlled partition scheduler, so that it can be transported between the controlled sections. Adjust the schedule. As a result, it is possible to realize appropriate conveyance control that avoids the occurrence of process risk.
In addition, the inter-controlled partition scheduler gives an instruction to resume the delivery of the substrate at a timing determined based on a period during which the substrate cannot be received. With this configuration, it is possible to switch the conveyance schedule between the controlled sections at an appropriate timing, and it is possible to realize an appropriate conveyance control that suppresses a decrease in processing efficiency.
請求項3の発明によると、被制御区画間スケジューラが、基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、選択された被制御区画スケジューラに対して、被制御区画にその安全枚数を超える数の基板が受け入れられる前に、基板の受け入れの停止指示を与える。これによって、プロセスリスクの発生を回避しつつ、処理効率の低下を抑えた適切な搬送制御を実現することができる。
According to the invention of
請求項4の発明によると、被制御区画間スケジューラが、複数の被制御区画の区画内タクトタイムを所定の値に揃えさせるとともに、各被制御区画からの基板の払い出しタイミングを同期させる。これによって、被制御区画間をまたがる全体タクト搬送が担保された適切な搬送制御を行うことができる。
According to the invention of
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
〈1.基板処理装置〉
〈1−1.全体構成〉
まず、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の全体構成について説明する。図1は、本発明に係る基板処理装置1の平面図である。また、図2は基板処理装置1の液処理部の正面図であり、図3は熱処理部の正面図であり、図4は搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。なお、図1および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためZ軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を適宜付している。
<1. Substrate processing equipment>
<1-1. overall structure>
First, the overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view of a
本実施形態の基板処理装置1は、半導体ウェハ等の基板Wにフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板Wに現像処理を行う装置(いわゆるコータ&デベロッパ)である。なお、本発明に係る基板処理装置1の処理対象となる基板Wは半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等であってもよい。
The
本実施形態の基板処理装置1は、インデクサブロック10、バークブロック20、レジスト塗布ブロック30、現像処理ブロック40およびインターフェイスブロック50の5つの処理ブロックを一方向(X方向)に連設して構成されている。インターフェイスブロック50には基板処理装置1とは別体の外部装置である露光ユニット(ステッパ)EXPが接続配置されている。露光ユニットEXPは、ホストコンピュータ100とLAN回線(図示省略)を経由して基板処理装置1と接続されている。
The
インデクサブロック10は、装置外から受け取った未処理基板を装置内に搬入するとともに、現像処理の終了した処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック10は、複数のキャリアC(本実施形態では4個)を並べて載置する載置台11と、各キャリアCから未処理の基板Wを取り出すとともに、各キャリアCに処理済みの基板Wを収納するインデクサロボットIRと、を備えている。
The
インデクサロボットIRは、載置台11に沿って(Y軸方向に沿って)水平移動可能であるとともに昇降(Z軸方向)移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である可動台12を備えている。可動台12には、基板Wを水平姿勢で保持する2つの保持アーム13a,13bが搭載されている。保持アーム13a,13bは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム13a,13bのそれぞれは、Y軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、インデクサロボットIRは、保持アーム13a,13bを個別に各キャリアCにアクセスさせて未処理の基板Wの取り出しおよび処理済みの基板Wの収納を行うことができる。なお、キャリアCの形態としては、基板Wを密閉空間に収納するFOUP(front opening unified pod)の他に、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Wを外気に曝すOC(open cassette)であってもよい。
The indexer robot IR can move horizontally along the mounting table 11 (along the Y-axis direction) and can move up and down (Z-axis direction) and rotate around the axis along the vertical direction. 12 is provided. Two
インデクサブロック10に隣接してバークブロック20が設けられている。インデクサブロック10とバークブロック20との間には、雰囲気遮断用の隔壁15が設けられている。この隔壁15にインデクサブロック10とバークブロック20との間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2つの基板載置部PASS1,PASS2が上下に積層して設けられている。
A
上側の基板載置部PASS1は、インデクサブロック10からバークブロック20へ基板Wを搬送するために使用される。基板載置部PASS1は3本の支持ピンを備えており、インデクサブロック10のインデクサロボットIRはキャリアCから取り出した未処理の基板Wを基板載置部PASS1の3本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部PASS1に載置された基板Wを後述するバークブロック20の搬送ロボットTR1が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS2は、バークブロック20からインデクサブロック10へ基板Wを搬送するために使用される。基板載置部PASS2も3本の支持ピンを備えており、バークブロック20の搬送ロボットTR1は処理済みの基板Wを基板載置部PASS2の3本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部PASS2に載置された基板WをインデクサロボットIRが受け取ってキャリアCに収納する。なお、後述する基板載置部PASS3〜PASS10の構成も基板載置部PASS1,PASS2と同じである。
The upper substrate platform PASS <b> 1 is used to transport the substrate W from the
基板載置部PASS1,PASS2は、隔壁15の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部PASS1,PASS2には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ(図示省略)が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、インデクサロボットIRや搬送ロボットTR1が基板載置部PASS1,PASS2に対して基板Wを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。
The substrate platforms PASS <b> 1 and PASS <b> 2 are provided partially penetrating a part of the
次に、バークブロック20について説明する。バークブロック20は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック20は、基板Wの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部21と、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う2つの熱処理タワー22,23と、下地塗布処理部21および熱処理タワー22,23に対して基板Wの受け渡しを行う搬送ロボットTR1とを備える。
Next, the
バークブロック20においては、搬送ロボットTR1を挟んで下地塗布処理部21と熱処理タワー22,23とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部21が装置正面側((−Y)側)に、2つの熱処理タワー22,23が装置背面側((+Y)側)に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー22,23の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部21と熱処理タワー22,23とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー22,23から下地塗布処理部21に熱的影響を与えることを回避しているのである。
In the
図2に示すように、下地塗布処理部21は同様の構成を備えた4つの塗布処理ユニットBRCを上下に積層配置して構成されている。それぞれの塗布処理ユニットBRCは、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック26、このスピンチャック26上に保持された基板W上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル27、スピンチャック26を回転駆動させるスピンモータ(図示省略)およびスピンチャック26上に保持された基板Wの周囲を囲繞するカップ(図示省略)等を備えている。
As shown in FIG. 2, the base
図3に示すように、熱処理タワー22には、基板Wを所定の温度にまで加熱する2個の加熱ユニットHP、加熱された基板Wを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Wを当該所定の温度に維持する2個の冷却ユニットCPおよびレジスト膜と基板Wとの密着性を向上させるためにHMDS(ヘキサメチルジシラザン)の蒸気雰囲気中で基板Wを熱処理する3個の密着強化処理ユニットAHLが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー23にも2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置されている。なお、図3において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている(後述する他の熱処理タワーについても同じ)。
As shown in FIG. 3, in the
図4に示すように、搬送ロボットTR1は、基板Wを略水平姿勢で保持する搬送アーム24a,24bを上下2段に近接させて備えている。搬送アーム24a,24bのそれぞれは、先端部が平面視で「C」字形状になっており、この「C」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Wの周縁を下方から支持するようになっている。搬送アーム24a,24bは搬送ヘッド28に搭載されている。搬送ヘッド28は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向(Z軸方向)に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド28は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム24a,24bを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム24a,24bのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットTR1は、2個の搬送アーム24a,24bをそれぞれ個別に基板載置部PASS1,PASS2、熱処理タワー22,23に設けられた熱処理ユニット(加熱ユニットHP、冷却ユニットCPおよび密着強化処理ユニットAHL)、下地塗布処理部21に設けられた4つの塗布処理ユニットBRCおよび後述する基板載置部PASS3,PASS4に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Wの授受を行うことができる。
As shown in FIG. 4, the transport robot TR1 includes
次に、レジスト塗布ブロック30について説明する。バークブロック20と現像処理ブロック40との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック30が設けられている。このレジスト塗布ブロック30とバークブロック20との間にも、雰囲気遮断用の隔壁25が設けられている。この隔壁25にバークブロック20とレジスト塗布ブロック30との間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2つの基板載置部PASS3,PASS4が上下に積層して設けられている。基板載置部PASS3,PASS4は、上述した基板載置部PASS1,PASS2と同様の構成を備えている。
Next, the resist
上側の基板載置部PASS3は、バークブロック20からレジスト塗布ブロック30へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック20の搬送ロボットTR1が基板載置部PASS3に載置した基板Wをレジスト塗布ブロック30の搬送ロボットTR2が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS4は、レジスト塗布ブロック30からバークブロック20へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック30の搬送ロボットTR2が基板載置部PASS4に載置した基板Wをバークブロック20の搬送ロボットTR1が受け取る。
The upper substrate platform PASS3 is used to transport the substrate W from the
基板載置部PASS3,PASS4は、隔壁25の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部PASS3,PASS4には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ(図示省略)が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットTR1,TR2が基板載置部PASS3,PASS4に対して基板Wを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。基板載置部PASS3,PASS4の下側には、基板Wを大まかに冷却するための水冷式の2つのクールプレートWCPが隔壁25を貫通して上下に設けられていてもよい。
The substrate platforms PASS3 and PASS4 are provided partially through a part of the
レジスト塗布ブロック30は、反射防止膜が塗布形成された基板W上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック30は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部31と、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う2つの熱処理タワー32,33と、レジスト塗布処理部31および熱処理タワー32,33に対して基板Wの受け渡しを行う搬送ロボットTR2とを備える。
The resist
レジスト塗布ブロック30においては、搬送ロボットTR2を挟んでレジスト塗布処理部31と熱処理タワー32,33とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部31が装置正面側に、2つの熱処理タワー32,33が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー32,33の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部31と熱処理タワー32,33とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー32,33からレジスト塗布処理部31に熱的影響を与えることを回避しているのである。
In the resist
図2に示すように、レジスト塗布処理部31は同様の構成を備えた4つの塗布処理ユニットSCを上下に積層配置して構成されている。それぞれの塗布処理ユニットSCは、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック36、このスピンチャック36上に保持された基板W上にフォトレジストの塗布液を吐出する塗布ノズル37、スピンチャック36を回転駆動させるスピンモータ(図示省略)およびスピンチャック36上に保持された基板Wの周囲を囲繞するカップ(図示省略)等を備えている。
As shown in FIG. 2, the resist
図3に示すように、熱処理タワー32には、基板Wを所定の温度にまで加熱する2個の加熱ユニットHPおよび加熱された基板Wを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Wを当該所定の温度に維持する2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー33にも2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置されている。
As shown in FIG. 3, in the
図4に示すように、搬送ロボットTR2は、搬送ロボットTR1と同様の構成を備えており、基板Wを略水平姿勢で保持する搬送アーム34a,34bを上下2段に近接させて備えている。搬送アーム34a,34bは、「C」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Wの周縁を下方から支持する。搬送アーム34a,34bは搬送ヘッド38に搭載されている。搬送ヘッド38は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向(Z軸方向)に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド38は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム34a,34bを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム34a,34bのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットTR2は、2個の搬送アーム34a,34bをそれぞれ個別に基板載置部PASS3,PASS4、熱処理タワー32,33に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部31に設けられた4つの塗布処理ユニットSCおよび後述する基板載置部PASS5,PASS6に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Wの授受を行うことができる。
As shown in FIG. 4, the transfer robot TR2 has a configuration similar to that of the transfer robot TR1, and includes transfer
次に、現像処理ブロック40について説明する。レジスト塗布ブロック30とインターフェイスブロック50との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック40が設けられている。この現像処理ブロック40とレジスト塗布ブロック30との間にも、雰囲気遮断用の隔壁35が設けられている。この隔壁35にレジスト塗布ブロック30と現像処理ブロック40との間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2つの基板載置部PASS5,PASS6が上下に積層して設けられている。基板載置部PASS5,PASS6は、上述した基板載置部PASS1,PASS2と同様の構成を備えている。
Next, the
上側の基板載置部PASS5は、レジスト塗布ブロック30から現像処理ブロック40へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック30の搬送ロボットTR2が基板載置部PASS5に載置した基板Wを現像処理ブロック40の搬送ロボットTR3が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS6は、現像処理ブロック40からレジスト塗布ブロック30へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック40の搬送ロボットTR3が基板載置部PASS6に載置した基板Wをレジスト塗布ブロック30の搬送ロボットTR2が受け取る。
The upper substrate platform PASS5 is used for transporting the substrate W from the resist
基板載置部PASS5,PASS6は、隔壁35の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部PASS5,PASS6には、基板Wの有無を検出する光学式のセンサ(図示省略)が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットTR2,TR3が基板載置部PASS5,PASS6に対して基板Wを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。基板載置部PASS5,PASS6の下側には、基板Wを大まかに冷却するための水冷式の2つのクールプレートWCPが隔壁35を貫通して上下に設けられてもよい。
The substrate platforms PASS5 and PASS6 are provided so as to partially penetrate a part of the
現像処理ブロック40は、露光処理後の基板Wに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック40は、パターンが露光された基板Wに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部41と、現像処理後の熱処理を行う熱処理タワー42と、露光直後の基板Wに熱処理を行う熱処理タワー43と、現像処理部41および熱処理タワー42に対して基板Wの受け渡しを行う搬送ロボットTR3とを備える。
The
図2に示すように、現像処理部41は、同様の構成を備えた5つの現像処理ユニットSDを上下に積層配置して構成されている。各現像処理ユニットSDは、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック46、このスピンチャック46上に保持された基板W上に現像液を供給するノズル47、スピンチャック46を回転駆動させるスピンモータ(図示省略)およびスピンチャック46上に保持された基板Wの周囲を囲繞するカップ(図示省略)等を備えている。
As shown in FIG. 2, the
図3に示すように、熱処理タワー42には、基板Wを所定の温度にまで加熱する2個の加熱ユニットHPおよび加熱された基板Wを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Wを当該所定の温度に維持する2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー43にも2個の加熱ユニットHPおよび2個の冷却ユニットCPが上下に積層配置されている。熱処理タワー43の加熱ユニットHPは露光直後の基板Wに対して露光後加熱処理(Post Exposure Bake)を行う。熱処理タワー43の加熱ユニットHPおよび冷却ユニットCPに対してはインターフェイスブロック50の搬送ロボットTR4が基板Wの搬出入を行う。
As shown in FIG. 3, in the
また、熱処理タワー43には、現像処理ブロック40とインターフェイスブロック50との間で基板Wの受け渡しを行うための2つの基板載置部PASS7,PASS8が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部PASS7は、現像処理ブロック40からインターフェイスブロック50へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック40の搬送ロボットTR3が基板載置部PASS7に載置した基板Wをインターフェイスブロック50の搬送ロボットTR4が受け取る。一方、下側の基板載置部PASS8は、インターフェイスブロック50から現像処理ブロック40へ基板Wを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック50の搬送ロボットTR4が基板載置部PASS8に載置した基板Wを現像処理ブロック40の搬送ロボットTR3が受け取る。なお、基板載置部PASS7,PASS8は、現像処理ブロック40の搬送ロボットTR3およびインターフェイスブロック50の搬送ロボットTR4の両側に対して開口している。
In addition, two substrate platforms PASS7 and PASS8 for transferring the substrate W between the
搬送ロボットTR3は、基板Wを略水平姿勢で保持する搬送アーム44a,44bを上下に近接させて備えている。搬送アーム44a,44bは、「C」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Wの周縁を下方から支持する。搬送アーム44a,44bは搬送ヘッド48に搭載されている。搬送ヘッド48は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向(Z軸方向)に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド48は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム44a,44bを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム44a,44bのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットTR3は、2個の搬送アーム44a,44bをそれぞれ個別に基板載置部PASS5,PASS6、熱処理タワー42に設けられた熱処理ユニット、現像処理部41に設けられた5つの現像処理ユニットSDおよび熱処理タワー43の基板載置部PASS7,PASS8に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Wの授受を行うことができる。
The transfer robot TR3 includes transfer arms 44a and 44b that hold the substrate W in a substantially horizontal posture in close proximity to each other. The transport arms 44a and 44b support the periphery of the substrate W from below with a plurality of pins protruding inward from the inside of the “C” -shaped arm. The transport arms 44 a and 44 b are mounted on the
次に、インターフェイスブロック50について説明する。インターフェイスブロック50は、現像処理ブロック40に隣接して配置され、レジスト膜が塗布形成された未露光の基板Wを基板処理装置1とは別体の外部装置である露光ユニットEXPに渡すとともに、露光済みの基板Wを露光ユニットEXPから受け取って現像処理ブロック40に渡す処理ブロックである。インターフェイスブロック50は、露光ユニットEXPとの間で基板Wの受け渡しを行うための搬送機構IFRの他に、レジスト膜が形成された基板Wの周縁部を露光する2つのエッジ露光ユニットEEWと、現像処理ブロック40の熱処理タワー43およびエッジ露光ユニットEEWに対して基板Wを受け渡しする搬送ロボットTR4とを備える。
Next, the
エッジ露光ユニットEEWは、図2に示すように、基板Wを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック56およびスピンチャック56に保持された基板Wの周縁に光を照射して露光する光照射器57などを備えている。2つのエッジ露光ユニットEEWは、インターフェイスブロック50の中央部に上下に積層配置されている。また、エッジ露光ユニットEEWの下側には、2つの基板載置部PASS9,PASS10、基板戻し用のリターンバッファRBFおよび基板送り用のセンドバッファSBFが上下に積層配置されている。上側の基板載置部PASS9は搬送ロボットTR4から搬送機構IFRに基板Wを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部PASS10は搬送機構IFRから搬送ロボットTR4に基板Wを渡すために使用するものである。
As shown in FIG. 2, the edge exposure unit EEW irradiates light to the periphery of the substrate W held by the
リターンバッファRBFは、何らかの障害によって現像処理ブロック40が露光済みの基板Wの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック40の熱処理タワー43で露光後加熱処理を行った後に、その基板Wを一時的に収納保管しておくものである。一方、センドバッファSBFは、露光ユニットEXPが未露光の基板Wの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Wを一時的に収納保管するものである。リターンバッファRBFおよびセンドバッファSBFはいずれも複数枚の基板Wを多段に収納できる収納棚によって構成されている。なお、リターンバッファRBFに対しては搬送ロボットTR4がアクセスを行い、センドバッファSBFに対しては搬送機構IFRがアクセスを行う。
In the case where the
現像処理ブロック40の露光後ベーク処理部43に隣接して配置されている搬送ロボットTR4は、基板Wを略水平姿勢で保持する搬送アーム54a,54bを上下に近接させて備えており、その構成および動作機構は搬送ロボットTR1〜TR3と全く同じである。また、搬送機構IFRは、Y軸方向の水平移動、昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能な可動台52を備え、その可動台52に基板Wを水平姿勢で保持する2つの保持アーム53a,53bを搭載している。保持アーム53a,53bは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム53a,53bのそれぞれは、Y軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。
The transport robot TR4 disposed adjacent to the post-exposure
露光ユニットEXPは、基板処理装置1にてレジスト塗布された露光前の基板Wを搬送機構IFRから受け取って露光処理を行う。露光ユニットEXPにて露光処理の行われた基板Wは搬送機構IFRによって受け取られる。なお、露光ユニットEXPは、投影光学系と基板Wとの間に屈折率の大きな液体(例えば、屈折率n=1.44の純水)を満たした状態で露光処理を行う、いわゆる「液浸露光処理」に対応したものであってもよい。
The exposure unit EXP receives an unexposed substrate W coated with resist by the
以上のインデクサブロック10、バークブロック20、レジスト塗布ブロック30、現像処理ブロック40およびインターフェイスブロック50には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。
The
また、上述したインデクサブロック10、バークブロック20、レジスト塗布ブロック30、現像処理ブロック40およびインターフェイスブロック50は、基板処理装置1を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム(枠体)に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置1が構成されている。
The
〈1−2.制御機構〉
基板処理装置1の制御機構について説明する。はじめに、「セル」について説明する。この実施の形態では、基板搬送に係る搬送制御単位(被制御区画)を、機械的に分割した「ブロック」とは別に構成しており、本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。1つのセルは、基板搬送を担当する搬送ロボットと、その搬送ロボットによって基板が搬送されうる搬送対象部とを含んで構成されている。そして、上述した各基板載置部が、セル内に基板Wを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Wを払い出すための出口基板載置部として機能する。すなわち、セル間の基板Wの受け渡しも基板載置部を介して行われる。なお、セルを構成する搬送ロボットとしては、インデクサブロック10のインデクサロボットIRやインターフェイスブロック5の搬送機構IFRも含まれる。
<1-2. Control mechanism>
A control mechanism of the
基板処理装置1には、インデクサセルC1、バークセルC2、レジスト塗布セルC3、現像処理セルC4、露光後ベークセルC5およびインターフェイスセルC6の6つのセルが含まれている。インデクサセルC1は、載置台11とインデクサロボットIRとを含み、機械的に分割した単位であるインデクサブロック10と結果的に同じ構成となっている。また、バークセルC2は、下地塗布処理部21と2つの熱処理タワー22,23と搬送ロボットTR1とを含む。このバークセルC2も、機械的に分割した単位であるバークブロック20と結果として同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルC3は、レジスト塗布処理部31と2つの熱処理タワー32,33と搬送ロボットTR2とを含む。このレジスト塗布セルC3も、機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック30と結果として同じ構成になっている。
The
一方、現像処理セルC4は、現像処理部41と熱処理タワー42と搬送ロボットTR3とを含む。上述したように、搬送ロボットTR3は熱処理タワー43の加熱ユニットHPおよび冷却ユニットCPに対してアクセスすることができず、現像処理セルC4に熱処理タワー43は含まれない。この点において、現像処理セルC4は機械的に分割した単位である現像処理ブロック40と異なる。
On the other hand, the development processing cell C4 includes a
また、露光後ベークセルC5は、現像処理ブロック40に位置する熱処理タワー43と、インターフェイスブロック50に位置するエッジ露光ユニットEEWと搬送ロボットTR4とを含む。すなわち、露光後ベークセルC5は、機械的に分割した単位である現像処理ブロック40とインターフェイスブロック50とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱ユニットHPと搬送ロボットTR4とを含んで1つのセルを構成しているので、露光後の基板Wを速やかに加熱ユニットHPに搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。
The post-exposure bake cell C5 includes a
なお、熱処理タワー43に含まれる基板載置部PASS7,PASS8は現像処理セルC4の搬送ロボットTR3と露光後ベークセルC5の搬送ロボットTR4との間の基板Wの受け渡しのために介在する。
The substrate platforms PASS7 and PASS8 included in the
インターフェイスセルC6は、外部装置である露光ユニットEXPに対して基板Wの受け渡しを行う搬送機構IFRを含んで構成されている。このインターフェイスセルC6は、搬送ロボットTR4やエッジ露光ユニットEEWを含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック50とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光ユニットEEWの下方に設けられた基板載置部PASS9,PASS10は露光後ベークセルの搬送ロボットTR4とインターフェイスセルC6の搬送機構IFRとの間の基板Wの受け渡しのために介在する。
The interface cell C6 includes a transport mechanism IFR that transfers the substrate W to the exposure unit EXP that is an external device. This interface cell C6 is different from the
次に、基板処理装置1の制御機構について図5を参照しながら具体的に説明する。図5は、制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、この実施の形態の基板処理装置1は、メインコントローラMC、セルコントローラCC、ユニットコントローラの3階層からなる制御階層を備えている。メインコントローラMC、セルコントローラCC、ユニットコントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。
Next, the control mechanism of the
第1階層のメインコントローラMCは、基板処理装置全体に1つ設けられており、装置全体の管理、メインパネルMPの管理およびセルコントローラCCの管理を主に担当する。メインパネルMPは、メインコントローラMCのディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラMCに対してはキーボードKBから種々のコマンドを入力することができる。なお、メインパネルMPをタッチパネルにて構成し、メインパネルMPからメインコントローラMCに入力作業を行うようにしてもよい。 One main controller MC in the first hierarchy is provided for the entire substrate processing apparatus, and is mainly responsible for management of the entire apparatus, management of the main panel MP, and management of the cell controller CC. The main panel MP functions as a display for the main controller MC. Various commands can be input to the main controller MC from the keyboard KB. The main panel MP may be configured by a touch panel, and input work may be performed from the main panel MP to the main controller MC.
第2階層のセルコントローラCCは、6つのセル(インデクサセルC1、バークセルC2、レジスト塗布セルC3、現像処理セルC3、露光後ベークセルC5およびインターフェイスセルC6)のそれぞれに対して個別に設けられている。各セルコントローラCCは、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。具体的には、各セルのセルコントローラCCは、所定の基板載置部に基板Wを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラCCに送り、その基板Wを受け取ったセルのセルコントローラCCは、当該基板載置部から基板Wを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラCCに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラMCを介して行われる。そして、各セルコントローラCCはセル内に基板Wが搬入された旨の情報を搬送ロボットコントローラTCに与え、該搬送ロボットコントローラTCが搬送ロボットを制御してセル内で基板Wを所定の手順にしたがって循環搬送させる。なお、搬送ロボットコントローラTCは、セルコントローラCC上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。 The cell controller CC in the second hierarchy is individually provided for each of the six cells (indexer cell C1, bark cell C2, resist coating cell C3, development processing cell C3, post-exposure bake cell C5, and interface cell C6). . Each cell controller CC is mainly in charge of substrate transport management and unit management in the corresponding cell. Specifically, the cell controller CC of each cell sends information that the substrate W has been placed on a predetermined substrate placement unit to the cell controller CC of the adjacent cell, and the cell controller CC of the cell that has received the substrate W. Transmits / receives information that information indicating that the substrate W has been received from the substrate platform is returned to the cell controller CC of the original cell. Such transmission / reception of information is performed via the main controller MC. Each cell controller CC gives information indicating that the substrate W has been loaded into the cell to the transfer robot controller TC, and the transfer robot controller TC controls the transfer robot to transfer the substrate W in the cell according to a predetermined procedure. Circulate. The transfer robot controller TC is a control unit realized by a predetermined application operating on the cell controller CC.
また、第3階層のユニットコントローラとしては、例えばスピンコントローラやベークコントローラが設けられている。スピンコントローラは、セルコントローラCCの指示にしたがってセル内に配置されたスピンユニット(塗布処理ユニットおよび現像処理ユニット)を直接制御するものである。具体的には、スピンコントローラは、例えばスピンユニットのスピンモータを制御して基板Wの回転数を調整する。また、ベークコントローラは、セルコントローラCCの指示にしたがってセル内に配置された熱処理ユニット(ホットプレート、クールプレート、加熱部等)を直接制御するものである。上述した現像処理ブロック40の加熱部HP7〜HP12は露光後ベークセルのベークコントローラによって制御されている。
In addition, as the unit controller of the third hierarchy, for example, a spin controller or a bake controller is provided. The spin controller directly controls spin units (coating processing unit and development processing unit) arranged in the cell in accordance with instructions from the cell controller CC. Specifically, the spin controller adjusts the rotation speed of the substrate W by controlling a spin motor of the spin unit, for example. Further, the bake controller directly controls the heat treatment units (hot plate, cool plate, heating unit, etc.) arranged in the cell in accordance with instructions from the cell controller CC. The heating units HP7 to HP12 of the
また、基板処理装置に設けられた3階層からなる制御階層のさらに上位の制御機構として、基板処理装置とLAN回線を介して接続されたホストコンピュータ100が位置している(図1参照)。ホストコンピュータ100は、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えており、一般的なコンピュータと同様の構成を有している。ホストコンピュータ100には、この実施の形態に係る基板処理装置1が通常複数台接続されている。ホストコンピュータ100は、接続されたそれぞれの基板処理装置1に処理手順および処理条件を記述したレシピを渡す。ホストコンピュータ100から渡されたレシピは各基板処理装置1のメインコントローラMCの記憶部(例えばメモリ)に記憶される。
A
なお、露光ユニットEXPには、上記の基板処理装置の制御機構から独立した別個の制御部が設けられている。すなわち、露光ユニットEXPは、基板処理装置のメインコントローラMCの制御下で動作しているものではなく、単体で独自の動作制御を行っているものである。もっとも、このような露光ユニットEXPもホストコンピュータ100から受け取ったレシピにしたがって動作制御を行っており、露光ユニットEXPにおける露光処理と同期した処理を基板処理装置が行うこととなる。
The exposure unit EXP is provided with a separate control unit that is independent from the control mechanism of the substrate processing apparatus. That is, the exposure unit EXP does not operate under the control of the main controller MC of the substrate processing apparatus, but performs independent operation control by itself. However, such an exposure unit EXP also performs operation control according to the recipe received from the
〈1−3.処理動作〉
次に、上記の基板処理装置1における基板処理の手順について簡単に説明する。以下に説明する処理手順は、ホストコンピュータ100から受け取ったレシピの記述内容にしたがって図5の制御機構が各部を制御することにより実行される。
<1-3. Processing action>
Next, a substrate processing procedure in the
まず、基板処理装置1における全体の処理手順を簡単に説明する。装置外部から未処理の基板WがキャリアCに収納された状態でAGV等によってインデクサブロック10に搬入される。続いて、インデクサブロック10から未処理の基板Wの払い出しが行われる。具体的には、インデクサロボットIRが所定のキャリアCから未処理の基板Wを取り出し、上側の基板載置部PASS1に載置する。基板載置部PASS1に未処理の基板Wが載置されると、バークブロック20の搬送ロボットTR1がその基板Wを受け取って熱処理タワー22のいずれかの密着強化処理ユニットAHLに搬送する。密着強化処理ユニットAHLでは、HMDSの蒸気雰囲気で基板Wを熱処理して基板Wの密着性を向上させる。密着強化処理の終了した基板Wは搬送ロボットTR1によって取り出され、熱処理タワー22,23のいずれかの冷却ユニットCPに搬送されて冷却される。
First, an overall processing procedure in the
冷却された基板Wは搬送ロボットTR1によって冷却ユニットCPから下地塗布処理部21のいずれかの塗布処理ユニットBRCに搬送される。塗布処理ユニットBRCでは、基板Wの表面に反射防止膜の塗布液が供給されて回転塗布される。
The cooled substrate W is transported from the cooling unit CP to any coating processing unit BRC of the base
塗布処理が終了した後、基板Wは搬送ロボットTR1によって熱処理タワー22,23のいずれかの加熱ユニットHPに搬送される。加熱ユニットHPにて基板Wが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板W上に下地の反射防止膜が焼成される。その後、搬送ロボットTR1によって加熱ユニットHPから取り出された基板Wは熱処理タワー22,23のいずれかの冷却ユニットCPに搬送されて冷却される。冷却後の基板Wは搬送ロボットTR1によって基板載置部PASS3に載置される。 After the coating process is completed, the substrate W is transported to one of the heating units HP of the heat treatment towers 22 and 23 by the transport robot TR1. When the substrate W is heated by the heating unit HP, the coating liquid is dried, and the base antireflection film is baked on the substrate W. Thereafter, the substrate W taken out from the heating unit HP by the transfer robot TR1 is transferred to one of the cooling units CP of the heat treatment towers 22 and 23 and cooled. The cooled substrate W is placed on the substrate platform PASS3 by the transport robot TR1.
次に、反射防止膜が形成された基板Wが基板載置部PASS3に載置されると、レジスト塗布ブロック30の搬送ロボットTR2がその基板Wを受け取って熱処理タワー32,33のいずれかの冷却ユニットCPに搬送して所定温度に温調する。続いて、搬送ロボットTR2が温調済みの基板Wをレジスト塗布処理部31のいずれかの塗布処理ユニットSCに搬送する。塗布処理ユニットSCでは、基板Wにレジスト膜の塗布液が回転塗布される。本実施形態においては、レジストとして化学増幅型レジストが使用される。
Next, when the substrate W on which the antireflection film is formed is placed on the substrate platform PASS3, the transfer robot TR2 of the resist
レジスト塗布処理が終了した後、塗布処理ユニットSCから搬出された基板Wは搬送ロボットTR2によって熱処理タワー32,33のいずれかの加熱ユニットHPに搬送される。加熱ユニットHPにて基板Wが加熱(Post Applied Bake)されることによって、塗布液が乾燥されて基板W上にレジスト膜が形成される。その後、搬送ロボットTR2によって加熱ユニットHPから取り出された基板Wは熱処理タワー32,33のいずれかの冷却ユニットCPに搬送されて冷却される。冷却後の基板Wは搬送ロボットTR2によって基板載置部PASS5に載置される。 After the resist coating process is completed, the substrate W carried out from the coating processing unit SC is transferred to one of the heating units HP of the heat treatment towers 32 and 33 by the transfer robot TR2. The substrate W is heated (Post Applied Bake) by the heating unit HP, whereby the coating liquid is dried and a resist film is formed on the substrate W. Thereafter, the substrate W taken out from the heating unit HP by the transport robot TR2 is transported to one of the cooling units CP of the heat treatment towers 32 and 33 and cooled. The cooled substrate W is placed on the substrate platform PASS5 by the transport robot TR2.
レジスト膜が形成された基板Wが基板載置部PASS5に載置されると、現像処理ブロック40の搬送ロボットTR3がその基板Wを受け取ってそのまま基板載置部PASS7に載置する。そして、基板載置部PASS7に載置された基板Wはインターフェイスブロック50の搬送ロボットTR4によって受け取られ、上下いずれかのエッジ露光ユニットEEWに搬入される。エッジ露光ユニットEEWにおいては、基板Wの端縁部の露光処理(エッジ露光処理)が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Wは搬送ロボットTR4によって基板載置部PASS9に載置される。そして、基板載置部PASS9に載置された基板Wは搬送機構IFRによって受け取られ、露光ユニットEXPに搬入され、パターン露光処理に供される。本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板W上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。
When the substrate W on which the resist film is formed is placed on the substrate platform PASS5, the transfer robot TR3 of the
パターン露光処理が終了した露光済みの基板Wは露光ユニットEXPから再びインターフェイスブロック50に戻され、搬送機構IFRによって基板載置部PASS10に載置される。露光後の基板Wが基板載置部PASS10に載置されると、搬送ロボットTR4がその基板Wを受け取って現像処理ブロック40の熱処理タワー43のいずれかの加熱ユニットHPに搬送する。熱処理タワー43の加熱ユニットHPでは、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための露光後加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。
The exposed substrate W for which the pattern exposure processing has been completed is returned from the exposure unit EXP to the
露光後加熱処理が終了した基板Wは、加熱ユニットHP内部の機構によって冷却されることにより上記化学反応が停止する。続いて基板Wは、搬送ロボットTR4によって熱処理タワー43の加熱ユニットHPから取り出され、基板載置部PASS8に載置される。
The substrate W that has been subjected to post-exposure heat treatment is cooled by a mechanism inside the heating unit HP, whereby the chemical reaction is stopped. Subsequently, the substrate W is taken out from the heating unit HP of the
基板載置部PASS8に基板Wが載置されると、現像処理ブロック40の搬送ロボットTR3がその基板Wを受け取って熱処理タワー42のいずれかの冷却ユニットCPに搬送する。冷却ユニットCPにおいては、露光後加熱処理が終了した基板Wがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。その後、搬送ロボットTR3は、冷却ユニットCPから基板Wを取り出して現像処理部41のいずれかの現像処理ユニットSDに搬送する。現像処理ユニットSDでは、基板Wに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Wは搬送ロボットTR3によって熱処理タワー42のいずれかの加熱ユニットHPに搬送され、さらにその後いずれかの冷却ユニットCPに搬送される。
When the substrate W is placed on the
その後、基板Wは搬送ロボットTR3によって基板載置部PASS6に載置される。基板載置部PASS6に載置された基板Wは、レジスト塗布ブロック30の搬送ロボットTR2によってそのまま基板載置部PASS4に載置される。さらに、基板載置部PASS4に載置された基板Wは、バークブロック20の搬送ロボットTR1によってそのまま基板載置部PASS2に載置されることにより、インデクサブロック10に格納される。基板載置部PASS2に載置された処理済みの基板WはインデクサロボットIRによって所定のキャリアCに収納される。その後、所定枚数の処理済み基板Wが収納されたキャリアCが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。
Thereafter, the substrate W is placed on the substrate platform PASS6 by the transport robot TR3. The substrate W placed on the substrate platform PASS6 is placed on the substrate platform PASS4 as it is by the transfer robot TR2 of the resist
〈2.搬送スケジューラ〉
〈2−1.階層構造〉
次に、基板処理装置1の搬送スケジューラの構成について図6を参照しながら説明する。図6は、搬送スケジューラに係る機能部を概略的に示すブロック図である。この実施の形態の基板処理装置1は、セル間スケジューラMS、セルスケジューラCSの2階層からなる制御階層を備えている。
<2. Transport scheduler>
<2-1. Hierarchy>
Next, the configuration of the transfer scheduler of the
第1階層のセル間スケジューラMSは、メインコントローラMC上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される機能部である。セル間スケジューラMSは、セルスケジューラCSの上位のスケジューラとしてこれらを統括的に管理する。具体的には、セルスケジューラCSのそれぞれに対して、基板Wをセルから払い出す(もしくは、セル内に受け入れる)タイミングを指示することによって、セル間で基板Wを受け渡しするタイミングを制御する。 The first-layer inter-cell scheduler MS is a functional unit realized by a predetermined application operating on the main controller MC. The inter-cell scheduler MS generally manages them as a scheduler above the cell scheduler CS. Specifically, the timing for delivering the substrate W between cells is controlled by instructing each of the cell schedulers CS to pay out the substrate W from the cell (or receive it into the cell).
第2階層のセルスケジューラCSは、セルコントローラCC上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される機能部である。セルスケジューラCSのそれぞれは、基板処理装置1を分割して規定された複数のセルと1対1で対応付けられ、それぞれが対応するセル内部の搬送スケジュールを管理する。
The cell scheduler CS in the second layer is a functional unit realized by a predetermined application operating on the cell controller CC. Each of the cell schedulers CS is associated with a plurality of cells defined by dividing the
例えば、バークセルC2に対して設けられたセルコントローラCCにて実現されるセルスケジューラCSは、バークセルC2と対応付けられ、バークセルC2内部の搬送スケジュールを管理する。したがって、バークセルC2内部の搬送動作(具体的には、搬送ロボットTR1による、PASS1に置かれた基板Wの受け取りから始まって、PASS2に基板Wを載置するまでの一連の搬送動作)は、バークセルスケジューラCS2によって、他のセルとは独立して管理されることになる。
For example, the cell scheduler CS realized by the cell controller CC provided for the bark cell C2 is associated with the bark cell C2 and manages the transport schedule inside the bark cell C2. Therefore, the transfer operation inside the bark cell C2 (specifically, a series of transfer operations starting from the reception of the substrate W placed on the
なお、以下において、各セルC1〜C6のそれぞれと対応付けられたセルスケジューラCSを、それぞれ「インデクサセルスケジューラCS1」「バークセルスケジューラCS2」「レジスト塗布セルスケジューラCS3」「現像処理セルスケジューラCS4」「露光後ベークセルスケジューラCS5」「インターフェイスセルスケジューラCS6」ともいう。 In the following, cell schedulers CS associated with the respective cells C1 to C6 are referred to as “indexer cell scheduler CS1”, “bark cell scheduler CS2”, “resist coating cell scheduler CS3”, “development processing cell scheduler CS4”, “ It is also called “post-exposure bake cell scheduler CS5” or “interface cell scheduler CS6”.
〈2−2.セル間スケジューラ〉
セル間スケジューラMSの構成および処理動作について具体的に説明する。以下においては、3態様のセル間スケジューラMS(セル間スケジューラMSa,MSb,MSc)について説明する。基板処理装置1が備えるセル間スケジューラMSは、セル間スケジューラMSa,MSb,MScのいずれであってもよい。また、セル間スケジューラMSa,MSb,MScとして説明する各機能を併せ持ったものでもよい。
<2-2. Cell-to-cell scheduler>
The configuration and processing operation of the inter-cell scheduler MS will be specifically described. In the following, three modes of inter-cell scheduler MS (inter-cell scheduler MSa, MSb, MSc) will be described. The inter-cell scheduler MS provided in the
〈2−2−1.第1の態様のセル間スケジューラ〉
〈a.構成〉
第1の態様のセル間スケジューラMS(セル間スケジューラMSa)について、図7(a)を参照しながら説明する。図7(a)は、セル間スケジューラMSaの機能構成を示すブロック図である。セル間スケジューラMSaは、セル間でのスケジュール調整を行う機能部であり、ステータス情報取得部811と、払出タイミング指示部812とを備える。
<2-2-1. First Mode Intercell Scheduler>
<A. Constitution>
The inter-cell scheduler MS (inter-cell scheduler MSa) according to the first aspect will be described with reference to FIG. FIG. 7A is a block diagram showing a functional configuration of the inter-cell scheduler MSa. The inter-cell scheduler MSa is a functional unit that adjusts schedules between cells, and includes a status
ステータス情報取得部811は、セルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれから、セルC1〜C6それぞれの状態を示す情報(ステータス情報)を取得する。セルのステータス情報には、当該セルに基板Wを受け入れ可能か否かを示す情報が含まれる。例えば、セル内のいずれかの処理部にて基板Wを処理できない事情がある場合(例えば、塗布処理部においてカップリンスを行う場合、熱処理部において設定温度の変更処理を行う場合、処理液の温度変更を行う場合、異常が検知された場合、等)は、「基板の受け入れ不可」とのステータス情報が当該セルを管理するセルスケジューラCSから通知され、ステータス情報取得部811により取得される。
The status
なお、ステータス情報には、当該セル内に基板Wを受け入れ不可能な理由を示す情報が含まれてもよい。すなわち、「基板の受け入れ不可」との情報に加えて、その理由を示す情報(例えば、「塗布処理ユニットSCのカップリンス洗浄のため」、「加熱ユニットHPの温度変更処理のため」、「処理液の温度変更処理のため」、「塗布処理ユニットSCにて異常発生のため」、等の情報)がステータス情報に含められてもよい。 The status information may include information indicating the reason why the substrate W cannot be accepted in the cell. That is, in addition to the information that “the substrate cannot be received”, information indicating the reason (for example, “for the coupling cleaning of the coating processing unit SC”, “for the temperature change processing of the heating unit HP”, “processing” The status information may include information such as “for liquid temperature change processing” and “because an abnormality has occurred in the coating processing unit SC”.
また、ステータス情報には、当該セル内に基板Wを受け入れ不可能な期間を示す情報が含まれてもよい。すなわち、「基板の受け入れ不可」との情報に加えて、その期間を示す情報(例えば、「120秒後に受け入れ可」、といった情報)がステータス情報に含められてもよい。 Further, the status information may include information indicating a period during which the substrate W cannot be received in the cell. In other words, in addition to the information “substrate cannot be accepted”, information indicating the period (for example, information such as “acceptable after 120 seconds”) may be included in the status information.
払出タイミング指示部812は、ステータス情報取得部811が取得した各セルC1〜C6のステータス情報に基づいて各セルC1〜C6のそれぞれから基板Wを払い出すべきタイミングを決定し、セルスケジューラCSのそれぞれに対して基板Wの払い出しの開始指示、停止指示、再開指示、等を与える。
The dispensing
具体的には、払出タイミング指示部812は、いずれかのセルスケジューラCSから「基板を受け入れ不可」とのステータス情報が取得された場合に、セルスケジューラCSのいずれかを選択し、当該選択したセルスケジューラCSに対して基板Wの払い出しの停止指示を与える。これによって、選択されたセルスケジューラCSが管理するセルからの基板Wの払い出しが停止されることになる。
Specifically, the payout
ところで、セル内に基板Wを受け入れできない理由が判明すれば、当該理由および処理レシピに基づいて、当該セルからの基板Wの払い出しを停止しなければプロセスリスクの発生を招くおそれがあるセルを特定することができる。例えば、塗布処理ユニットSCのカップリンス洗浄のためにレジスト塗布セルC3が基板Wを受け入れできない場合、インデクサセルC1からバークセルC2への基板Wの払い出しを停止しなければ、バークセルC2内にて基板Wの滞留が生じ、反射防止膜が形成された基板Wを引き続き熱処理できない状態が発生し、プロセスリスクの発生につながってしまう。つまり、インデクサセルC1からの基板Wの払い出しを停止しなければ、プロセスリスクを招くおそれがある。すなわち、当該セルからの基板Wの払い出しを停止しなければプロセスリスクの発生を招くおそれがあるセルは、インデクサセルC1であると特定できる。 By the way, if the reason why the substrate W cannot be received in the cell is determined, the cell that may cause the process risk is identified based on the reason and the processing recipe unless the discharge of the substrate W from the cell is stopped. can do. For example, if the resist coating cell C3 cannot accept the substrate W due to the coupling rinse of the coating processing unit SC, the substrate W in the bark cell C2 is not stopped unless the dispensing of the substrate W from the indexer cell C1 to the bark cell C2 is stopped. As a result, the substrate W on which the antireflection film is formed cannot be continuously heat-treated, resulting in a process risk. That is, unless the delivery of the substrate W from the indexer cell C1 is stopped, there is a risk of incurring a process risk. That is, a cell that may cause a process risk unless the discharge of the substrate W from the cell is stopped can be specified as the indexer cell C1.
そこで、払出タイミング指示部812は、セル内に基板Wを受け入れできない理由を含むステータス情報が取得された場合、当該ステータス情報およびレシピ情報に基づいて、このようなセルを特定し、当該セルを管理するセルスケジューラCSを、基板Wの払い出しの停止指示を与えるべきセルスケジューラCSとして選択する。上記の例の場合、払出タイミング指示部812は、インデクサセルC1を管理するセルスケジューラCSであるインデクサセルスケジューラCS1を、停止指示を与えるべきセルスケジューラCSとして選択する。
Therefore, when the status information including the reason why the substrate W cannot be accepted in the cell is acquired, the payout
また、払出タイミング指示部812は、セル内に基板Wを受け入れできない期間を含むステータス情報が取得された場合、当該期間に基づいて、基板Wの払い出しの再開指示を与えるタイミングを決定する。例えば、120後に基板Wを受け入れ可、とのステータス情報が取得された場合、払出タイミング指示部812は、当該ステータス情報が取得されてから120秒を経過した時点で、基板Wの払い出しの停止指示を与えていたセルスケジューラCSに対して基板Wの払い出しの再開指示を与える。
In addition, when status information including a period during which the substrate W cannot be received in the cell is acquired, the dispensing
〈b.処理動作〉
セル間スケジューラMSaの処理動作について、具体例を提示しながら説明する。
<B. Processing action>
The processing operation of the inter-cell scheduler MSa will be described with a specific example.
〈具体例1〉
図8を参照する。図8は、具体例1に係るセル間スケジューラMSaの処理動作を模式的に示す図である。以下に説明する処理は、新たなロットについての処理を開始する際に実行される。
<Specific example 1>
Please refer to FIG. FIG. 8 is a diagram schematically illustrating the processing operation of the inter-cell scheduler MSa according to the first specific example. The processing described below is executed when processing for a new lot is started.
新たなロットについての処理が開始される際には、ホストコンピュータ100から、セル間スケジューラMSaおよびセルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれに対して、これから処理するロットに係るレシピ情報が通知される。
When processing for a new lot is started, the
続いて、ステータス情報取得部811が、セルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれからセルC1〜C6それぞれのステータス情報を取得する。ここで例えば、レジスト塗布セルスケジューラCS3から、「基板の受け入れ不可」とのステータス情報が取得されたとする。
Subsequently, the status
この場合、払出タイミング指示部812は、セルスケジューラCS1〜CS6のいずれかを選択し、当該選択したセルスケジューラCS(ここでは例えば、インデクサセルスケジューラCS1とする)に対して基板Wの払い出しの停止指示を与える。この停止指示に応じてインデクサセルスケジューラCS1がインデクサロボットIRを制御することにより、インデクサセルC1からの基板Wの払い出しが停止されることになる。
In this case, the payout
なお、停止指示を与えるセルスケジューラCSを選択する態様はどのようなものであってもよい。例えば、セル内に基板Wを受け入れできない理由が判明している場合は当該理由に基づいて選択する構成としてもよい(この構成については、〈具体例2〉として後述する)。また、オペレータに選択させる構成としてもよいし、レシピ毎に停止指示を与えるセルスケジューラCSを予め規定しておいてもよい。 Note that any mode may be used for selecting the cell scheduler CS that gives a stop instruction. For example, when the reason why the substrate W cannot be received in the cell is known, the configuration may be selected based on the reason (this configuration will be described later as <Specific Example 2>). Moreover, it is good also as a structure which an operator selects, and you may prescribe | regulate the cell scheduler CS which gives a stop instruction | indication for every recipe.
そして、ステータス情報取得部811が、レジスト塗布セルスケジューラCS3から、「基板Wを受け入れ可」とのステータス情報を取得すると、払出タイミング指示部812は、基板Wの払い出しの停止指示を与えていたインデクサセルスケジューラCS1に対して基板Wの払い出しの再開指示を与える。この再開指示に応じてインデクサセルスケジューラCS1がインデクサロボットIRを制御することにより、インデクサセルC1からの基板Wの払い出しが再開されることになる。
When the status
上記の搬送制御によると、基板Wを受け入れ不可能なセルがある場合に、選択されたセルスケジューラCSに対して基板Wの払い出しの停止指示を与えることによりセル間での搬送スケジュールの調整を行うので、プロセスリスクの発生を回避することができる。 According to the transfer control described above, when there is a cell that cannot accept the substrate W, the transfer schedule between the cells is adjusted by giving an instruction to stop the discharge of the substrate W to the selected cell scheduler CS. Therefore, the occurrence of process risk can be avoided.
〈具体例2〉
図9を参照する。図9は、具体例2に係るセル間スケジューラMSaの処理動作を模式的に示す図である。
<Specific example 2>
Please refer to FIG. FIG. 9 is a diagram schematically illustrating the processing operation of the inter-cell scheduler MSa according to the second specific example.
ここでも、〈具体例1〉の場合と同様、ホストコンピュータ100から、セル間スケジューラMSaおよびセルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれに対して、これから処理するロットに係るレシピ情報が通知され、続いて、ステータス情報取得部811が、セルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれからセルC1〜C6それぞれのステータス情報を取得する。ここで例えば、レジスト塗布セルスケジューラCS3から、「塗布処理ユニットSCのカップリンス洗浄のために基板の受け入れ不可」とのステータス情報が取得されたとする。
Here, as in the case of <Specific Example 1>, the
この場合、払出タイミング指示部812は、セルスケジューラCS1〜CS6のいずれかを選択し、当該選択したセルスケジューラCSに対して基板Wの払い出しの停止指示を与える。ただしここでは、取得されたステータス情報に基板Wを受け入れできない理由が含まれているので、払出タイミング指示部812は、当該理由に基づいて停止指示を与えるセルスケジューラCSを選択する。
In this case, the payout
具体的には、ステータス情報およびレシピ情報に基づいて、当該セルからの基板Wの払い出しを停止しなければプロセスリスクの発生を招くおそれがあるセルを特定し、当該セルを管理するセルスケジューラCSを、基板Wの払い出しの停止指示を与えるべきセルスケジューラCSとして選択する。 Specifically, based on the status information and the recipe information, the cell scheduler CS that manages the cell is identified by identifying a cell that may cause a process risk unless the delivery of the substrate W from the cell is stopped. The cell scheduler CS to be instructed to stop paying out the substrate W is selected.
上述したとおり、レジスト塗布セルC3が塗布処理ユニットSCのカップリンス洗浄のために基板Wを受け入れできない場合、当該セルからの基板Wの払い出しを停止しなければプロセスリスクの発生を招くおそれがあるセルは、インデクサセルC1である。 As described above, if the resist coating cell C3 cannot accept the substrate W for the coupling cleaning of the coating processing unit SC, the cell may cause a process risk unless the dispensing of the substrate W from the cell is stopped. Is the indexer cell C1.
そこで、この場合、払出タイミング指示部812は、インデクサセルスケジューラCS1を、停止指示を与えるべきセルスケジューラCSとして選択し、これに停止指示を与える。この停止指示に応じてインデクサセルスケジューラCS1がインデクサロボットIRを制御することにより、インデクサセルC1からの基板Wの払い出しが停止されることになる。
Therefore, in this case, the payout
そして、ステータス情報取得部811が、レジスト塗布セルスケジューラCS3から、レジスト塗布セルC3が基板Wを受け入れ可能になったとのステータス情報を取得すると、払出タイミング指示部812は、停止指示を与えていたインデクサセルスケジューラCS1に対して基板Wの払い出しの再開指示を与える。この再開指示に応じてインデクサセルスケジューラCS1がインデクサロボットIRを制御することにより、インデクサセルC1からの基板Wの払い出しが再開されることになる。
Then, when the status
上記の搬送制御によると、基板Wをセル内に受け入れられない理由に基づいて停止指示を与えるべきセルスケジューラCSを選択するので、セル間での搬送スケジュールを柔軟かつ適切に調整することが可能となり、プロセスリスクの発生を確実に回避することができる。これについて、図10を参照しながら説明する。図10は、ロットAの処理を終了し、引き続きロットBについての処理を開始する際に、レジスト塗布セルC3の塗布処理ユニットSCがカップリンス洗浄するという状況において、各ロットの各基板Wが各セルにて処理を施されていく様子を時間に沿って模式的に示す図である。 According to the above transport control, since the cell scheduler CS to be given a stop instruction is selected based on the reason why the substrate W cannot be received in the cell, the transport schedule between cells can be adjusted flexibly and appropriately. , Process risk can be reliably avoided. This will be described with reference to FIG. FIG. 10 shows that in the situation where the coating process unit SC of the resist coating cell C3 is subjected to the coupling cleaning when the processing for the lot A is finished and the processing for the lot B is subsequently started, It is a figure which shows typically a mode that a process is performed in a cell along time.
従来の搬送制御を行った場合を、図10(a)を参照しながら説明する。ロットAの最後の基板W(LotA25)がインデクサセルC1からバークセルC2に向けて払い出されると、引き続いてロットBの最初の基板W(LotB1)がインデクサセルC1から払い出される。インデクサセルC1から払い出された基板W(LotB1)は、バークセルC2に搬入され、ここで所定の処理を行われた後に、バークセルC2から払い出されてPASS3上に載置される。 The case where the conventional conveyance control is performed will be described with reference to FIG. When the last substrate W (LotA25) of the lot A is dispensed from the indexer cell C1 toward the barkcell C2, the first substrate W (LotB1) of the lot B is subsequently dispensed from the indexer cell C1. The substrate W (LotB1) paid out from the indexer cell C1 is carried into the bark cell C2, and after performing a predetermined process, it is paid out from the bark cell C2 and placed on the PASS3.
ところが、レジスト塗布セルC3の塗布処理ユニットSC(具体的には、レジスト塗布セルC3が有する3個の塗布処理ユニットSC1,SC2,SC3のうち、基板W(LotB1)が搬入されるべき塗布処理ユニットSC1)のカップリンス洗浄が終了するまでは、レジスト塗布セルC3は基板W(LotB1)を受け入れることができない。したがって、基板W(LotB1)は、カップリンス洗浄が終了するまで、レジスト塗布セルC3に搬入されずに、そのままPASS3上で待機させられる。その結果、基板間で処理履歴のばらつきが発生する。また、この間にバークセルC2内でどん詰まり状態が生じ、プロセスリスクの原因となる。 However, the coating processing unit SC of the resist coating cell C3 (specifically, the coating processing unit in which the substrate W (LotB1) among the three coating processing units SC1, SC2, SC3 of the resist coating cell C3 is to be carried). The resist coating cell C3 cannot accept the substrate W (LotB1) until the SC1) coupling cleaning is completed. Therefore, the substrate W (LotB1) is kept on the PASS3 as it is without being carried into the resist coating cell C3 until the coupling rinse is completed. As a result, the processing history varies between the substrates. Further, a clogged state occurs in the bark cell C2 during this period, which causes a process risk.
一方、本願発明に係る上記の搬送制御を行った場合を、図10(b)を参照しながら説明する。ここでは、レジスト塗布セルC3が基板Wを受け入れできない間は、セル間スケジューラMSがインデクサセルスケジューラCS1に対して基板Wの払い出しの停止指示を与えている。したがって、ロットAの最後の基板W(LotA25)がインデクサセルC1から払い出されてしまっても、停止指示が与えられている間はロットBの最初の基板W(LotB1)はインデクサセルC1から払い出されない。 On the other hand, the case where the above transport control according to the present invention is performed will be described with reference to FIG. Here, while the resist coating cell C3 cannot accept the substrate W, the inter-cell scheduler MS gives an instruction to stop the dispensing of the substrate W to the indexer cell scheduler CS1. Therefore, even if the last substrate W (LotA25) of lot A is dispensed from the indexer cell C1, the first substrate W (LotB1) of lot B is paid from the indexer cell C1 while the stop instruction is given. Not issued.
レジスト塗布セルC3が基板Wを受け入れ可能となると、セル間スケジューラMSがインデクサセルスケジューラCS1に対して基板Wの払い出しの再開指示を与え、これに応じてロットBの最初の基板W(LotB1)がインデクサセルC1から払い出される。インデクサセルC1から払い出された基板W(LotB1)は、バークセルC2に搬入され、ここで所定の処理を行われた後に、バークセルC2から払い出されてPASS3上に載置される。この時点において、レジスト塗布セルC3の塗布処理ユニットSCのカップリンス洗浄は終了しており、レジスト塗布セルC3は基板W(LotB1)を受け入れ可能な状態となっている。したがって、基板W(LotB1)はPASS3上で待機させられることなくスムースにレジスト塗布セルC3に搬入される。ここでは、PASS3上で待機させられる時間が生じないので、基板間で処理履歴のばらつきも生じない。また、バークセルC2内でどん詰まり状態が生じることもないので、プロセスリスクの発生を回避できる。
When the resist coating cell C3 becomes able to accept the substrate W, the inter-cell scheduler MS gives an instruction to resume the dispensing of the substrate W to the indexer cell scheduler CS1, and in response to this, the first substrate W (LotB1) of the lot B It is paid out from the indexer cell C1. The substrate W (LotB1) paid out from the indexer cell C1 is carried into the bark cell C2, and after performing a predetermined process, it is paid out from the bark cell C2 and placed on the PASS3. At this time, the coupling rinse of the coating processing unit SC of the resist coating cell C3 has been completed, and the resist coating cell C3 is in a state where it can accept the substrate W (LotB1). Accordingly, the substrate W (LotB1) is smoothly carried into the resist coating cell C3 without being made to wait on the PASS3. Here, there is no time for waiting on the
〈具体例3〉
図11を参照する。図11は、具体例3に係るセル間スケジューラMSaの処理動作を模式的に示す図である。
<Specific example 3>
Please refer to FIG. FIG. 11 is a diagram schematically illustrating the processing operation of the inter-cell scheduler MSa according to the third specific example.
ここでも、〈具体例1〉の場合と同様、ホストコンピュータ100から、セル間スケジューラMSaおよびセルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれに対して、これから処理するロットに係るレシピ情報が通知され、続いて、ステータス情報取得部811が、セルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれからセルC1〜C6それぞれのステータス情報を取得する。ここで例えば、露光後ベークセルスケジューラCS5から、「加熱ユニットHPの温度変更処理のために基板の受け入れ不可」とのステータス情報が取得されたとする。
Here, as in the case of <Specific Example 1>, the
この場合、払出タイミング指示部812は、セルスケジューラCS1〜CS6のいずれかを選択し、当該選択したセルスケジューラCSに対して基板Wの払い出しの停止指示を与える。ただしここでは、取得されたステータス情報に基板Wを受け入れできない理由が含まれているので、払出タイミング指示部812は、ステータス情報およびレシピ情報に基づいて、当該セルからの基板Wの払い出しを停止しなければプロセスリスクの発生を招くおそれがあるセルを特定し、当該セルを管理するセルスケジューラCSを、基板Wの払い出しの停止指示を与えるべきセルスケジューラCSとして選択する。
In this case, the payout
露光後ベークセルC5が加熱ユニットHPの温度変更処理のために基板Wを受け入れできない場合、当該セルからの基板Wの払い出しを停止しなければプロセスリスクの発生を招くおそれがあるセルは、インターフェイスセルC6である。露光処理されてから露光後熱処理を行うまでの時間は厳密に管理しなければならず、一旦露光処理された基板Wは、速やかに露光後ベークセルC5にて露光後熱処理しなければプロセスリスクが発生してしまうところ、露光後ベークセルC5が加熱ユニットHPの温度変更処理のために基板Wを受け入れできない場合、インターフェイスセルC6から露光ユニットEXPへの払い出しを停止しておかなければ、露光処理された基板Wを引き続き露光後熱処理できない状態が発生し、プロセスリスクの発生を招くことになるからである。 When the post-exposure bake cell C5 cannot accept the substrate W due to the temperature change process of the heating unit HP, the cell that may cause process risk unless the discharge of the substrate W from the cell is stopped is the interface cell C6. It is. The time from the exposure process to the post-exposure heat treatment must be strictly controlled, and the once exposed substrate W has a process risk unless it is promptly subjected to the post-exposure heat treatment in the post-exposure bake cell C5. If the post-exposure bake cell C5 cannot accept the substrate W due to the temperature change process of the heating unit HP, the substrate subjected to the exposure process must be stopped unless the dispensing from the interface cell C6 to the exposure unit EXP is stopped. This is because a state where W cannot be heat-treated after exposure occurs, resulting in process risk.
そこで、この場合、払出タイミング指示部812は、インターフェイスセルスケジューラCS6を、停止指示を与えるべきセルスケジューラCSとして選択し、これに停止指示を与える。この停止指示に応じてインターフェイスセルスケジューラCS6が搬送機構IFRを制御することにより、インターフェイスセルC6から露光ユニットEXPへの基板Wの払い出しが停止されることになる。なお、払い出しが停止されている間、インターフェイスセルスケジューラCS6は、搬送機構IFRを制御して、露光処理前の基板Wを順次センドバッファSBFに収納させる。
Therefore, in this case, the payout
そして、ステータス情報取得部811が、露光後ベークセルスケジューラCS5から、露光後ベークセルC5が基板Wを受け入れ可能になったとのステータス情報を取得すると、払出タイミング指示部812は、停止指示を与えていたインターフェイスセルスケジューラCS6に対して基板Wの払い出しの再開指示を与える。この再開指示に応じてインターフェイスセルスケジューラCS6が搬送機構IFRを制御することにより、インターフェイスセルC6からの基板Wの払い出しが再開されることになる。なお、インターフェイスセルスケジューラCS6は、搬送機構IFRを制御して、センドバッファSBFに収納されている基板Wを、先に収納されたものから順に露光ユニットEXPに向けて払い出させる。
Then, when the status
上記の搬送制御によると、〈具体例2〉の搬送制御と同様、プロセスリスクの発生を確実に回避することができる。すなわち、上記の搬送制御においては、露光後ベークセルC5が基板Wを受け入れできない間は、セル間スケジューラMSがインターフェイスセルスケジューラCS6に対して基板Wの払い出しの停止指示を与えている。したがって、例えばロットAの最後の基板WがインターフェイスセルC6から露光ユニットEXPへ払い出されてしまっても、停止指示が与えられている間はロットBの最初の基板WはインターフェイスセルC6から払い出されず、ロットBの基板Wについては露光処理が開始されない。 According to the conveyance control described above, it is possible to reliably avoid the generation of process risk as in the conveyance control of <Specific Example 2>. That is, in the above transport control, the inter-cell scheduler MS gives an instruction to stop the delivery of the substrate W to the interface cell scheduler CS6 while the post-exposure bake cell C5 cannot accept the substrate W. Therefore, for example, even if the last substrate W of lot A is discharged from the interface cell C6 to the exposure unit EXP, the first substrate W of lot B is not discharged from the interface cell C6 while the stop instruction is given. The exposure process is not started for the substrate W of lot B.
そして、露光後ベークセルC5が基板Wを受け入れ可能となると、セル間スケジューラMSがインターフェイスセルスケジューラCS6に対して基板Wの払い出しの再開指示を与え、これに応じてロットBの最初の基板WがインターフェイスセルC6から露光ユニットEXPへと払い出される。インターフェイスセルC6から払い出された基板Wは、露光ユニットEXPで露光処理された後に、インターフェイスセルC6を介して露光後ベークセルC5へ搬入される。この時点において、露光後ベークセルC5の加熱ユニットHPの温度変更処理は終了しており、露光後ベークセルC5はロットBの基板Wを受け入れ可能な状態となっている。したがって、露光処理後の基板Wは待機させられることなくスムースに露光後ベークセルC5に搬入される。これにより、露光処理されてから露光後熱処理を行うまでの時間を厳密に管理することが可能となり、プロセスリスクの発生を回避できる。 Then, when the post-exposure bake cell C5 can accept the substrate W, the inter-cell scheduler MS gives an instruction to resume the discharge of the substrate W to the interface cell scheduler CS6, and the first substrate W of the lot B is interfaced accordingly. It is paid out from the cell C6 to the exposure unit EXP. The substrate W delivered from the interface cell C6 is subjected to exposure processing by the exposure unit EXP and then carried into the post-exposure bake cell C5 through the interface cell C6. At this time, the temperature changing process of the heating unit HP of the post-exposure bake cell C5 has been completed, and the post-exposure bake cell C5 is ready to receive the substrate W of the lot B. Therefore, the substrate W after the exposure processing is smoothly carried into the post-exposure bake cell C5 without being put on standby. This makes it possible to strictly manage the time from the exposure process to the post-exposure heat treatment, thereby avoiding process risk.
〈具体例4〉
図12を参照する。図12は、具体例4に係るセル間スケジューラMSaの処理動作を模式的に示す図である。
<Specific Example 4>
Please refer to FIG. FIG. 12 is a diagram schematically illustrating the processing operation of the inter-cell scheduler MSa according to the fourth specific example.
ここでも、〈具体例1〉の場合と同様、ホストコンピュータ100から、セル間スケジューラMSaおよびセルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれに対して、これから処理するロットに係るレシピ情報が通知され、続いて、ステータス情報取得部811が、セルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれからセルC1〜C6それぞれのステータス情報を取得する。ここで例えば、レジスト塗布セルスケジューラCS3から、「塗布処理ユニットSCのカップリンス洗浄のために基板の受け入れ不可」との情報および「120秒後に受け入れ可」との情報が、ステータス情報として取得されたとする。
Here, as in the case of <Specific Example 1>, the
この場合、払出タイミング指示部812は、セルスケジューラCS1〜CS6のいずれか(例えば、インデクサセルスケジューラCS1)を選択し、当該選択したセルスケジューラCSに対して基板Wの払い出しの停止指示を与える。この停止指示に応じてインデクサセルスケジューラCS1がインデクサロボットIRを制御することにより、インデクサセルC1からの基板Wの払い出しが停止されることになる。
In this case, the payout
そして、ステータス情報取得部811がレジスト塗布セルスケジューラCS3から「120秒後に受け入れ可能」とのステータス情報を取得してから120秒を経過した時点で、払出タイミング指示部812は、停止指示を与えていたインデクサセルスケジューラCS1に対して基板Wの払い出しの再開指示を与える。この再開指示に応じてインデクサセルスケジューラCS1がインデクサロボットIRを制御することにより、インデクサセルC1からの基板Wの払い出しが再開されることになる。
When the status
上記の搬送制御によると、基板Wをセル内に受け入れられない期間に基づいて基板Wの払い出しの再開指示を与えるべきタイミングを決定するので、セル間での搬送スケジュールを適切なタイミングで切り換えることが可能となり、処理効率の低下を抑えた適切な搬送制御を実現することができる。 According to the above transport control, the timing at which the instruction to resume the discharge of the substrate W is determined based on the period during which the substrate W cannot be received in the cell, so that the transport schedule between cells can be switched at an appropriate timing. Therefore, it is possible to realize appropriate transport control that suppresses a decrease in processing efficiency.
〈2−2−2.第2の態様のセル間スケジューラ〉
〈a.構成〉
第2の態様のセル間スケジューラMS(セル間スケジューラMSb)について、図7(b)を参照しながら説明する。図7(b)は、セル間スケジューラMSbの機能構成を示すブロック図である。セル間スケジューラMSbは、セル間スケジューラMSaと同様、セル間でのスケジュール調整を行う機能部であり、ステータス情報取得部821と、安全枚数特定部822と、受入タイミング指示部823とを備える。ステータス情報取得部821の機能は、上述したステータス情報取得部811と同様であるので、その説明を省略する。
<2-2-2. Second Mode Inter-cell Scheduler>
<A. Constitution>
The inter-cell scheduler MS (inter-cell scheduler MSb) according to the second aspect will be described with reference to FIG. FIG. 7B is a block diagram showing a functional configuration of the inter-cell scheduler MSb. Similar to the inter-cell scheduler MSa, the inter-cell scheduler MSb is a functional unit that adjusts schedules between cells, and includes a status
安全枚数特定部822は、レシピ情報に基づいて、セルC1〜C6それぞれの「安全枚数」を特定する。セルの「安全枚数」とは、当該セルから基板Wが払い出せなくなった場合であってもプロセスリスクを発生させることなく当該セル内に安全に収容可能な基板Wの最大枚数であり、セルのユニット構成と処理レシピとから決定される。
The safe
例えば、バークセルC2の安全枚数は次のように決定される。レシピ情報において、PASS1に載置された基板Wを受け取って、反射防止膜の塗布形成、加熱処理、冷却処理の各処理をこの順序で行うように規定されているとする。一方、バークセルC2において、当該一連の処理に用いることができる塗布処理ユニットBRCが4個であり、加熱処理ユニットが4個であり、冷却ユニットCPが4個であるとする。この場合、当該一連の処理を行うにあたりバークセルC2内に一度に収容される基板Wの枚数は、PASS1上に1枚、4個の塗布処理ユニットBRC内に1枚ずつ、4個の加熱ユニットHP内に1枚ずつ、4個の冷却ユニットCP内に1枚ずつ、の計13枚である。
For example, the safe number of bark cells C2 is determined as follows. In the recipe information, it is assumed that the substrate W placed on the
ここで、何らかの事情により、バークセルC2からの基板Wの払い出しが行えなくなったとする。この場合、冷却ユニットCPに搬入された基板Wは冷却処理まで完了した状態で冷却ユニットCP内で待機させられることになるので、プロセスリスクの心配はない。しかしながら、基板Wの払い出しが行えないと、そのうちに4個の冷却ユニットCPすべてが基板Wに占領されてしまう。こうなると、5枚目に搬入された基板Wは、冷却処理まで完了しない状態で加熱ユニットHP内で待機させられることになり、ここでプロセスリスクが発生してしまう。つまり、バークセルC2から基板Wが払い出せなくなった場合であってもプロセスリスクを発生させることなく当該セル内に安全に収容可能な基板Wの最大枚数、すなわち、バークセルC2の安全枚数は、「4枚」ということになる。 Here, it is assumed that the substrate W cannot be paid out from the bark cell C2 for some reason. In this case, since the substrate W carried into the cooling unit CP is made to wait in the cooling unit CP in a state where the cooling process is completed, there is no concern about process risk. However, if the substrate W cannot be dispensed, all four cooling units CP will be occupied by the substrate W over time. In this case, the substrate W loaded in the fifth sheet is put on standby in the heating unit HP in a state where the cooling process is not completed, and a process risk occurs here. That is, even when the substrate W cannot be discharged from the bark cell C2, the maximum number of substrates W that can be safely accommodated in the cell without causing a process risk, that is, the safe number of the bark cell C2 is "4 sheets". "It turns out that.
受入タイミング指示部823は、いずれかのセルスケジューラCSから「基板を受け入れ不可」とのステータス情報が取得された場合に、セルスケジューラCSのいずれかを選択し、当該選択したセルスケジューラCSに対して基板Wの受け入れの停止指示を与える。これによって、選択されたセルスケジューラCSが管理するセルへの基板Wの受け入れが停止されることになる。
The reception
ただし、受入タイミング指示部823は、セルへの基板の受け入れの停止指示を、当該セルの安全枚数を超える数の基板Wが当該セルへ受け入れられる前に与える。すなわち、受入タイミング指示部823は、セルの安全枚数を超える枚数の基板Wが搬入される前に、当該セルを管理するセルスケジューラCSに対して、受け入れの停止指示を与える。
However, the acceptance
〈b.処理動作〉
セル間スケジューラMSbの処理動作について、具体例を提示しながら説明する。図13を参照する。図13は、セル間スケジューラMSbが実行する処理動作の具体例を模式的に示す図である。
<B. Processing action>
The processing operation of the inter-cell scheduler MSb will be described with a specific example. Please refer to FIG. FIG. 13 is a diagram schematically illustrating a specific example of the processing operation executed by the inter-cell scheduler MSb.
上述したとおり、新たなロットについての処理が開始される際には、ホストコンピュータ100から、セル間スケジューラMSaおよびセルスケジューラCSのそれぞれに対して、これから処理するロットに係るレシピ情報が通知される。すると、安全枚数特定部822が、取得されたレシピ情報に基づいて、各セルC1〜C6の安全枚数を特定する。ここでは、バークセルC2の安全枚数が例えば「4枚」と特定されたとする。
As described above, when processing for a new lot is started, the
新たなロットに対する処理を開始する際、また、処理が実行されている間の所定のタイミングで(例えば、一定の時間毎に)、ステータス情報取得部821が、セルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれからセルC1〜C6それぞれのステータス情報を取得する。ここで例えば、レジスト塗布セルC3から、「異常発生のために基板の受け入れ不可」とのステータス情報が取得されたとする。
When starting a process for a new lot, or at a predetermined timing while the process is being executed (for example, at regular intervals), the status
この場合、受入タイミング指示部823は、セルスケジューラCS1〜CS6のいずれかを選択し、当該選択したセルスケジューラCSに対して基板Wの受け入れの停止指示を与える。レジスト塗布セルC3が基板を受け入れできない場合、バークセルC2からレジスト塗布セルC3に対する基板Wの払い出しが行えない。するとバークセルC2にどん詰まり状態が発生し、プロセスリスクの発生を招くおそれがある。そこで、受入タイミング指示部823は、バークセルC2内に当該セルの安全枚数(「4枚」)を超える数の基板Wが搬入されないように、バークセルスケジューラCS2に対して基板Wの受け入れの停止指示を与える。
In this case, the reception
具体的には、受入タイミング指示部823は、バークセルC2内に4枚目の基板Wが搬入された時点で(すなわち、バークセルC2内に4枚目の基板Wが搬入されたとのステータス情報がバークセルスケジューラCS2から通知された時点で)、バークセルスケジューラCS2に対して停止指示を与える。この停止指示に応じてバークセルスケジューラCS2が搬送ロボットTR1を制御することにより、バークセルC2への基板Wの受け入れが停止されることになる。
Specifically, the reception
そして、ステータス情報取得部821が、レジスト塗布セルスケジューラCS3から、レジスト塗布セルC3が基板Wを受け入れ可能になったとのステータス情報を取得すると、受入タイミング指示部823は、停止指示を与えていたバークセルスケジューラCS2に対して基板Wの受け入れの再開指示を与える。この再開指示に応じてバークセルスケジューラCS2が搬送ロボットTR1を制御することにより、バークセルC2への基板Wの受け入れが再開されることになる。
Then, when the status
上記の搬送制御によると、基板Wを受け入れできないセルが発生した場合に、他のセル内に安全枚数を超える基板Wが搬入されることがなくなるので、プロセスリスクの発生が未然に防止されることになる。また、安全枚数を超えない範囲で基板Wの受け入れを認めるので、可能な限り多くの基板Wに対して処理を進めておくことが可能となり、処理効率の低下を抑制することができる。 According to the above transport control, when a cell that cannot accept the substrate W is generated, the substrate W exceeding the safe number is not carried into another cell, so that the generation of process risk can be prevented in advance. become. In addition, since acceptance of the substrate W is permitted within a range that does not exceed the safe number, it is possible to proceed with processing as many substrates W as possible, and it is possible to suppress a decrease in processing efficiency.
〈2−2−3.第3の態様のセル間スケジューラ〉
〈a.構成〉
第3の態様のセル間スケジューラMS(セル間スケジューラMSc)について、図7(c)を参照しながら説明する。図7(c)は、セル間スケジューラMScの機能構成を示すブロック図である。セル間スケジューラMScは、全体タクト搬送を管理する機能部であり、セル内タクト調整指示部831と、払出タイミング同期調整部832と、空搬送指示部833とを備える。
<2-2-3. Third Mode Intercell Scheduler>
<A. Constitution>
The inter-cell scheduler MS (inter-cell scheduler MSc) according to the third aspect will be described with reference to FIG. FIG. 7C is a block diagram showing a functional configuration of the inter-cell scheduler MSc. The inter-cell scheduler MSc is a functional unit that manages overall tact conveyance, and includes an in-cell tact
セル内タクト調整指示部831は、セルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれに対して指示を与えて、セルC1〜C6全てのセル内タクトタイム(1枚の基板Wが当該セルに搬入されてから払い出されるまでの時間)を所定の値に揃えさせる。所定の値とは、セルC1〜C6のうちでセル内タクトタイムが最も長いセルのセル内タクトタイムであることが好ましい。
The in-cell tact
払出タイミング同期調整部832は、セルC1〜C6それぞれから基板が同時に払い出されるようにセルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれに対して基板Wの払い出しタイミングを指示することによって、セルC1〜C6それぞれからの基板の払い出しのタイミングを同期させる。
The payout timing
空搬送指示部833は、セル間で同期された払い出しタイミングとはずれたタイミングで露光ユニットEXPから基板Wが払い出される場合に、インターフェイスセルスケジューラCS6に対して、空搬送を行うように指示を与える。ただし、ここでいう「空搬送」とは、基板Wを実際に搬送しないで搬送動作を行うことを意味する。
The empty
〈b.処理動作〉
セル間スケジューラMScの処理動作について、具体例を提示しながら説明する。図14を参照する。図14は、セル間スケジューラMScが実行する処理動作を模式的に示す図である。以下に説明する処理は、新たなロットについての処理を開始する際に実行される。
<B. Processing action>
The processing operation of the inter-cell scheduler MSc will be described with a specific example. Refer to FIG. FIG. 14 is a diagram schematically showing processing operations executed by the inter-cell scheduler MSc. The processing described below is executed when processing for a new lot is started.
新たなロットについての処理が開始される際には、ホストコンピュータ100から、セル間スケジューラMSaおよびセルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれに対して、これから処理するロットに係るレシピ情報が通知される。
When processing for a new lot is started, the
ホストコンピュータ100からレシピ情報を取得すると、セル内タクト調整指示部831が、各セルC1〜C6のセル内タクトタイムを算出して、セルC1〜C6のうちでセル内タクトタイムが最も長いセルのセル内タクトタイムを特定する。そして、セル内タクトタイムが当該特定されたセル内タクトタイムとなるように、セルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれに対して搬送スケジュールの調整指示を与える。この指示に応じてセルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれが各セルC1〜C6内の搬送スケジュールを調整することによって、各セルC1〜C6のセル内タクトタイムが等しくなる。ただし、セルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれは、セル内タクト搬送(セル内において、同一ロットの基板が同じ搬送履歴、処理履歴となるように搬送する搬送制御態様)を実現しているものとする。
When the recipe information is acquired from the
続いて、払出タイミング同期調整部832が、セルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれに対して、同時に、基板Wの払い出しを指示することによって、セルC1〜C6それぞれからの基板の払い出しのタイミングを同期させる。
Subsequently, the payout timing
上記の搬送制御によると、各セルC1〜C6のセル内タクトタイムが統一された状態で、各セルC1〜C6から基板Wが払い出されるタイミングを同時にするので、基板Wがセル間の受け渡し部である各PASSに載置されている時間を、ロット内のいずれの基板Wについても等しくすることができる。一方で、セルスケジューラCS1〜CS6のそれぞれによって、セル内タクト搬送が実現されている。したがって、上記の搬送制御によって、セル間をまたがる全体タクト搬送が実現されることになる。 According to the above transport control, since the in-cell tact time of each cell C1 to C6 is unified, the timing at which the substrate W is discharged from each cell C1 to C6 is made simultaneously. The time placed on each PASS can be made equal for any substrate W in the lot. On the other hand, in-cell tact transfer is realized by each of the cell schedulers CS1 to CS6. Therefore, the above-described transport control realizes the entire tact transport across cells.
ところで、上記の制御により、各セルC1〜C6からは同じタイミングで基板Wが払い出されることになる。例えば、セル内タクトタイムが「24秒」で揃えられているとすると、図15(a)に示すように、あるセル(図15の例ではインデクサセルC1)からは、t=24,t=48,t=72,t=96…のそれぞれの時間に、隣接するセル(図15の例では、バークセルC2)に対して周期的なタイミングで基板Wが払い出され、当該隣接するセル(バークセルC2)に搬入されていくことになる。しかしながら、露光ユニットEXPから基板Wが払い出されるタイミングはこれと同じとは限らない。例えば、図15(b)に示すように、4枚目の基板Wが通常の払い出しのタイミングよりも遅れてインターフェイスセルC6に向けて払い出されることがある。 By the way, by the above control, the substrate W is discharged from the cells C1 to C6 at the same timing. For example, if the in-cell tact times are aligned at “24 seconds”, as shown in FIG. 15A, from a certain cell (indexer cell C1 in the example of FIG. 15), t = 24, t = At each time of 48, t = 72, t = 96..., The substrate W is discharged to the adjacent cell (bark cell C2 in the example of FIG. 15) at a periodic timing, and the adjacent cell (bark cell) It will be carried into C2). However, the timing at which the substrate W is dispensed from the exposure unit EXP is not always the same. For example, as shown in FIG. 15B, the fourth substrate W may be paid out toward the interface cell C6 later than the normal payout timing.
このような場合に、インターフェイスセルC6が、図15(b)に示すように、同期されたタイミングから遅れた露光ユニットEXPからの払い出しのタイミングに合わせてしまうと(すなわち、遅れて払い出された基板Wを待って、搬送のリズムを変えてしまうと)、各セルC1〜C6間で基板Wが払い出されるタイミングがバラバラになってしまう。 In such a case, as shown in FIG. 15B, if the interface cell C6 matches the timing of payout from the exposure unit EXP delayed from the synchronized timing (that is, the payout was delayed). If the rhythm of conveyance is changed after waiting for the substrate W), the timing at which the substrate W is dispensed between the cells C1 to C6 varies.
そこで、このような場合、空搬送指示部833が、インターフェイスセルスケジューラCS6に対して空搬送を行うように指示し、インターフェイスセルスケジューラCS6は、当該指示に応じて搬送機構IFRに空搬送を行わせる。すなわち、図15(c)に示すように、インターフェイスセルC6内にて反復して実行される搬送動作のうち、t=96に基板Wを露光ユニットEXPから受け取って露光後ベークセルC5まで搬送する搬送機構IFRの搬送動作は、実際の基板Wを伴わずに行われる。そして、次の周期の搬送動作(すなわち、t=120に基板Wを受け取って露光後ベークセルC5まで搬送する搬送動作)で、t=96に露光ユニットEXPから払い出された基板Wを搬送する。
Therefore, in such a case, the empty
すなわち、図14に示すように、例えば、ホストコンピュータ100からの通知によって、露光ユニットEXPから同期されたタイミングとはずれたタイミングで基板Wが払い出されたことがセル間スケジューラMScに検知された場合、空搬送指示部833は、インターフェイスセルスケジューラCS6に対して、空搬送を行うように指示を与え、当該指示に応じてインターフェイスセルスケジューラCS6が搬送機構IFRに空搬送を行わせる。
That is, as shown in FIG. 14, for example, when the notification from the
上記の搬送制御によると、露光ユニットEXPからの払い出しタイミングにズレが生じた場合であっても、インターフェイスセルスケジューラCS6からの基板Wの払い出しタイミングが他のセルからの払い出しのタイミングと同期した状態を維持することができる。すなわち、全体タクト搬送を維持することができる。 According to the transport control described above, even when the payout timing from the exposure unit EXP is shifted, the payout timing of the substrate W from the interface cell scheduler CS6 is synchronized with the payout timing from other cells. Can be maintained. That is, the entire tact conveyance can be maintained.
〈3.効果〉
上記の実施の形態に係る基板処理装置1によると、セルC1〜C6それぞれの搬送スケジュールを管理するセルスケジューラCSの他に、セル間で基板Wを受け渡しするタイミングを制御するセル間スケジューラMSを設ける。このようにスケジューラを階層化することによって、搬送制御における処理負担を分散させつつ、セル間でのトータルの搬送制御を行って、適切な搬送制御を実現することができる。
<3. effect>
According to the
セル間でのトータルの搬送制御とは、第1には、セル間で搬送スケジュールの調整を行う搬送制御であり、上述したセル間スケジューラMSa,MSbにより実現される。これを実現することによって、各種の要因(例えば、塗布処理部においてカップリンスを行う場合、熱処理部において設定温度の変更処理を行う場合、処理液の温度変更を行う場合、どこかの処理部にて異常が検知された場合、等)により基板Wを受け入れ不可能なセルが発生した場合に、それに起因するプロセスリスクを削減することができる。 The total transport control between cells is transport control for adjusting a transport schedule between cells, and is realized by the above-described inter-cell schedulers MSa and MSb. By realizing this, various factors (for example, in the case of performing the coupling in the coating processing unit, in the case of performing the change process of the set temperature in the heat treatment unit, in the case of performing the temperature change of the processing liquid, If a cell that cannot accept the substrate W is generated due to an abnormality detected, etc., the process risk caused by the cell can be reduced.
また、第2には、セル間をまたぐ全体タクト搬送を担保した搬送制御であり、上述したセル間スケジューラMScにより実現される。これを実現することによって、同一ロットの基板Wの搬送履歴、処理履歴を等しくすることができる。 The second is transport control that guarantees overall tact transport across cells, and is realized by the above-described inter-cell scheduler MSc. By realizing this, the transfer history and the processing history of the substrates W of the same lot can be made equal.
〈4.変形例〉
〈4−1.多階層化〉
上記の実施の形態に係る基板処理装置1においては、上位階層のスケジューラ(セル間スケジューラMS)は、被制御区画(上記の実施の形態においては、各セル)間での基板Wの受け渡しのタイミングを制御し、被制御区画内の搬送スケジュールについては下位階層のスケジューラ(セルスケジューラCS)が管理する構成をとっている。
<4. Modification>
<4-1. Multi-layered>
In the
この構成をそのまま適用して、さらなる多階層化を形成することができる。例えば、上記の実施の形態に係る基板処理装置1の制御階層を3階層から形成する場合について図16を参照しながら説明する。図16は、3階層から形成される搬送スケジューラの構成を示すブロック図である。
By applying this configuration as it is, it is possible to form a further multi-hierarchy. For example, a case where the control hierarchy of the
第3階層のスケジューラは、上述したセルスケジューラCS1〜CS6であり、これが各セルC1〜C6内の基板Wの搬送スケジュールをそれぞれ管理する。 The third-layer schedulers are the above-described cell schedulers CS1 to CS6, which manage the transfer schedules of the substrates W in the cells C1 to C6, respectively.
第2階層のスケジューラ(第2階層セル間スケジューラMS11,MS12)のうち、一方のセル間スケジューラMS11は、セルスケジューラCS1,CS2,CS3の上位のスケジューラとしてこれらを統括的に管理する。具体的には、セルスケジューラCS1,CS2,CS3のそれぞれに対して、基板Wをセルから払い出す(もしくは、セル内に受け入れる)タイミングを指示することによって、セル間で基板Wを受け渡しするタイミングを制御する。他方のセル間スケジューラMS12は、セルスケジューラCS4,CS5,CS6の上位のスケジューラとしてこれらを統括的に管理する。具体的には、セルスケジューラCS4,CS5,CS6のそれぞれに対して、基板Wをセルから払い出す(もしくは、セル内に受け入れる)タイミングを指示することによって、セル間で基板Wを受け渡しするタイミングを制御する。第2階層セル間スケジューラMS11,MS12の具体的な機能構成は、上述したセル間スケジューラMSと全く同様である。 Of the second-layer schedulers (second-layer inter-cell schedulers MS11 and MS12), one inter-cell scheduler MS11 collectively manages these as schedulers higher than the cell schedulers CS1, CS2, and CS3. Specifically, by instructing each of the cell schedulers CS1, CS2, and CS3 when to pay out the substrate W from the cell (or to receive it into the cell), the timing for delivering the substrate W between the cells is determined. Control. The other inter-cell scheduler MS12 generally manages these as schedulers higher than the cell schedulers CS4, CS5 and CS6. Specifically, by instructing each of the cell schedulers CS4, CS5, and CS6 at a timing of paying out the substrate W from the cell (or receiving it in the cell), the timing of delivering the substrate W between the cells is determined. Control. The specific functional configuration of the second-layer inter-cell schedulers MS11 and MS12 is exactly the same as that of the inter-cell scheduler MS described above.
第1階層のスケジューラ(第1階層セル間スケジューラMS1)は、第2階層セル間スケジューラMS11,MS12の上位のスケジューラとしてこれらを統括的に管理する。具体的には、第2階層セル間スケジューラMS11,MS12のそれぞれに対して、基板Wを当該スケジューラが管理する被制御区画から払い出す(もしくは、当該被制御区画内に受け入れる)タイミングを指示することによって、被制御区画間で基板Wを受け渡しするタイミングを制御する。ただし、第2階層セル間スケジューラMS11が管理する被制御区画C10は、インデクサセルC1とバークセルC2とレジスト塗布セルC3とから構成される。また、第2階層セル間スケジューラMS12が管理する被制御区画C20は、現像処理セルC4と露光後ベークセルC5とインターフェイスセルC6とから構成される。第1階層セル間スケジューラMS1の具体的な機能構成は、上述したセル間スケジューラMSと全く同様である。 The first-layer scheduler (first-layer inter-cell scheduler MS1) generally manages these as higher-level schedulers than the second-layer inter-cell schedulers MS11 and MS12. Specifically, instructing the timing of paying out the substrate W from the controlled partition managed by the scheduler (or receiving into the controlled partition) to each of the second-layer inter-cell schedulers MS11 and MS12. Thus, the timing for delivering the substrate W between the controlled sections is controlled. However, the controlled section C10 managed by the second-layer inter-cell scheduler MS11 includes an indexer cell C1, a bark cell C2, and a resist coating cell C3. The controlled section C20 managed by the second-layer inter-cell scheduler MS12 includes a development processing cell C4, a post-exposure bake cell C5, and an interface cell C6. The specific functional configuration of the first inter-cell scheduler MS1 is exactly the same as that of the inter-cell scheduler MS described above.
このように、上述したセル間スケジューラMSの構成をそのまま適用して、制御階層を多階層化することができる。これにより、システムの大型化にも容易に対応することが可能となる。例えば、上記の実施の形態に係る基板処理装置1が組み込まれた複数の装置からなるシステムを構成する場合、各装置の最上位のスケジューラのさらに上位にこれらを統括して管理するスケジューラを設け、これに各装置間で基板Wを受け渡しするタイミングを制御させればよい。
Thus, the configuration of the above-described inter-cell scheduler MS can be applied as it is, and the control hierarchy can be made multi-tiered. As a result, it is possible to easily cope with an increase in the size of the system. For example, in the case of configuring a system composed of a plurality of apparatuses in which the
〈4−2.その他の変形例〉
上記の実施の形態においては、セル間スケジューラMSaは基板Wの払い出しの停止指示を与えることによってセル間での基板Wの受け渡しのタイミングを制御していたが、基板Wの受け入れの停止指示を与えることによってこれを制御してもよい。
<4-2. Other variations>
In the above embodiment, the inter-cell scheduler MSa controls the timing of delivery of the substrate W between the cells by giving an instruction to stop the delivery of the substrate W, but gives an instruction to stop accepting the substrate W. You may control this by.
同様に、セル間スケジューラMSbは基板Wの払い出しの停止指示を与えることによってこれを制御してもよい。ただし、この場合、セル間スケジューラMSbは、停止指示を与えるセルスケジューラCSが管理するセルから隣接するセルに向けて払い出された基板Wの枚数が、当該隣接するセルの安全枚数に達した時点で、停止指示を与える。例えば、バークセルC2の安全枚数が「4枚」と特定されている場合、セル間スケジューラMSbは、インデクサセルC1がバークセルC2に向けて4枚目の基板Wを払い出した時点で、インデクサセルスケジューラCS1に対して基板Wの払い出しの停止指示を与える。 Similarly, the inter-cell scheduler MSb may control this by giving an instruction to stop the delivery of the substrate W. However, in this case, the inter-cell scheduler MSb is the time when the number of substrates W paid out from the cell managed by the cell scheduler CS giving the stop instruction to the adjacent cell reaches the safe number of the adjacent cell. Then give the stop instruction. For example, when the safety number of the bark cell C2 is specified as “4”, the inter-cell scheduler MSb, when the indexer cell C1 pays out the fourth substrate W toward the bark cell C2, the indexer cell scheduler CS1. Is instructed to stop paying out the substrate W.
また、この発明に係る基板処理装置の構成は図1から図4に示したような形態に限定されるものではなく、種々の配置構成を採用することが可能である。 The configuration of the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to the configuration shown in FIGS. 1 to 4, and various arrangement configurations can be adopted.
また、この発明に係る基板処理装置の処理対象となる基板Wは半導体ウエハに限定されるものではなく、液晶ガラス基板であってもよい。 The substrate W to be processed by the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to a semiconductor wafer, and may be a liquid crystal glass substrate.
1 基板処理装置
10 インデクサブロック
20 バークブロック
30 レジスト塗布ブロック
40 現像処理ブロック
50 インターフェイスブロック
80 ベークプレート
811,821 ステータス情報取得部
812 払出タイミング指示部
822 安全枚数特定部
823 受入タイミング指示部
831 セル内タクト調整指示部
832 払出タイミング同期調整部
833 空搬送指示部
BRC,SC 塗布処理ユニット
CP 冷却ユニット
HP 加熱ユニット
IFR 搬送機構
IR インデクサロボット
PASS1〜PASS10 基板載置部
SD 現像処理ユニット
TR1,TR2,TR3,TR4 搬送ロボット
C1 インデクサセル
C2 バークセル
C3 レジスト塗布セル
C4 現像処理セル
C5 露光後ベークセル
C6 インターフェイスセル
CS セルスケジューラ
MS,MSa,MSb,MSc セル間スケジューラ
W 基板
DESCRIPTION OF
W substrate
Claims (4)
前記基板処理装置を分割して規定された複数の被制御区画と1対1で対応付けられ、それぞれが対応する被制御区画内部の搬送スケジュールを管理する複数の被制御区画スケジューラと、
前記複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを制御する被制御区画間スケジューラと、
を備え、
前記被制御区画間スケジューラが、
前記複数の被制御区画スケジューラのそれぞれから、対応する前記被制御区画の状態を示す情報であるステータス情報を取得するステータス情報取得手段、
を備え、
前記ステータス情報に基づいて、前記複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを決定し、
前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ可能か否かを示す情報が含まれ、
前記被制御区画間スケジューラが、
基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、前記複数の被制御区画スケジューラのうちから選択した被制御区画スケジューラに対して、それが対応する前記被制御区画からの基板の払い出しの停止指示を与える払出タイミング指示手段、
を備え、
前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ不可能な理由を示す情報が含まれ、
前記払出タイミング指示手段が、前記理由に基づいて、前記複数の被制御区画スケジューラのうちから前記停止指示を与えるべき被制御区画スケジューラを選択することを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus that sequentially conveys a substrate to a plurality of processing units and performs a series of processes,
A plurality of controlled partition schedulers that are associated with a plurality of controlled partitions that are defined by dividing the substrate processing apparatus in a one-to-one correspondence, and that each manage a transfer schedule inside the corresponding controlled partition;
A controlled inter-segment scheduler that controls the timing of delivering a substrate between the plurality of controlled partitions;
Equipped with a,
The controlled inter-partition scheduler is
Status information acquisition means for acquiring status information that is information indicating the state of the corresponding controlled partition from each of the plurality of controlled partition schedulers,
With
Based on the status information, determine the timing to deliver the substrate between the plurality of controlled sections ,
The status information includes information indicating whether a substrate can be received in the controlled section,
The controlled inter-partition scheduler is
When there is a controlled partition that cannot receive a substrate, the controlled partition scheduler selected from the plurality of controlled partition schedulers is instructed to stop paying out the substrate from the controlled partition corresponding to the controlled partition scheduler. Payout timing instruction means,
With
The status information includes information indicating the reason why the substrate cannot be received in the controlled compartment,
The substrate processing apparatus, wherein the payout timing instruction means selects a controlled partition scheduler to which the stop instruction is to be given from the plurality of controlled partition schedulers based on the reason .
前記基板処理装置を分割して規定された複数の被制御区画と1対1で対応付けられ、それぞれが対応する被制御区画内部の搬送スケジュールを管理する複数の被制御区画スケジューラと、
前記複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを制御する被制御区画間スケジューラと、
を備え、
前記被制御区画間スケジューラが、
前記複数の被制御区画スケジューラのそれぞれから、対応する前記被制御区画の状態を示す情報であるステータス情報を取得するステータス情報取得手段、
を備え、
前記ステータス情報に基づいて、前記複数の被制御区画間で基板を受け渡しするタイミングを決定し、
前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ可能か否かを示す情報が含まれ、
前記被制御区画間スケジューラが、
基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、前記複数の被制御区画スケジューラのうちから選択した被制御区画スケジューラに対して、それが対応する前記被制御区画からの基板の払い出しの停止指示を与える払出タイミング指示手段、
を備え、
前記ステータス情報に、前記被制御区画内に基板を受け入れ不可能な期間を示す情報が含まれ、
前記払出タイミング指示手段が、前記期間に基づいて決定したタイミングで、前記停止指示を与えた被制御区画スケジューラに対して基板の払い出しの再開指示を与えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus that sequentially conveys a substrate to a plurality of processing units and performs a series of processes,
A plurality of controlled partition schedulers that are associated with a plurality of controlled partitions that are defined by dividing the substrate processing apparatus in a one-to-one correspondence, and that each manage a transfer schedule inside the corresponding controlled partition;
A controlled inter-segment scheduler that controls the timing of delivering a substrate between the plurality of controlled partitions;
With
The controlled inter-partition scheduler is
Status information acquisition means for acquiring status information that is information indicating the state of the corresponding controlled partition from each of the plurality of controlled partition schedulers,
With
Based on the status information, determine the timing to deliver the substrate between the plurality of controlled sections,
The status information includes information indicating whether a substrate can be received in the controlled section,
The controlled inter-partition scheduler is
When there is a controlled partition that cannot receive a substrate, the controlled partition scheduler selected from the plurality of controlled partition schedulers is instructed to stop paying out the substrate from the controlled partition corresponding to the controlled partition scheduler. Payout timing instruction means,
With
The status information includes information indicating a period during which the substrate cannot be received in the controlled section.
The substrate processing apparatus, wherein the payout timing instructing unit gives an instruction to resume the payout of a substrate to the controlled partition scheduler that has given the stop instruction at a timing determined based on the period .
前記被制御区画間スケジューラが、
基板を受け入れ不可能な被制御区画がある場合に、前記複数の被制御区画スケジューラのうちから選択した被制御区画スケジューラに対して、それが対応する前記被制御区画への基板の受け入れの停止指示を与える受入タイミング指示手段と、
前記複数の被制御区画のそれぞれについて、当該被制御区画から基板が払い出せなくなった場合であってもプロセスリスクを発生させることなく前記被制御区画内に安全に収容可能な基板の最大枚数である安全枚数を特定する安全枚数特定手段と、
を備え、
前記受入タイミング指示手段が、前記被制御区画への基板の受け入れの停止指示を、当該被制御区画の前記安全枚数を超える数の基板が当該被制御区画へ受け入れられる前に与えることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The controlled inter-partition scheduler is
When there is a controlled partition that cannot accept a substrate, the controlled partition scheduler selected from among the plurality of controlled partition schedulers is instructed to stop receiving a substrate in the controlled partition to which it corresponds. Receiving timing instruction means for providing
For each of the plurality of controlled sections, a safety that is the maximum number of substrates that can be safely accommodated in the controlled section without causing a process risk even if the substrate cannot be dispensed from the controlled section Safety number identifying means for identifying the number of sheets;
With
The reception timing instructing unit gives an instruction to stop receiving substrates to the controlled section before a number of substrates exceeding the safety number of the controlled section are received into the controlled section. Substrate processing equipment.
前記被制御区画間スケジューラが、
前記複数の被制御区画スケジューラのそれぞれに対して指示を与えて、前記複数の被制御区画それぞれにおいて1枚の基板が当該被制御区画に搬入されてから払い出されるまでの時間である区画内タクトタイムを、前記複数の被制御区画の全てについて所定の値に揃えさせる区画内タクトタイム調整手段と、
前記複数の被制御区画それぞれからの基板の払い出しのタイミングを同期させるタイミング調整手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The controlled inter-partition scheduler is
An in-compartment tact time, which is a time from when an instruction is given to each of the plurality of controlled partition schedulers and when one substrate is loaded into the controlled partition after each substrate is delivered. In-zone tact time adjustment means for aligning a predetermined value for all of the plurality of controlled zones,
A timing adjusting means for synchronizing the timing of discharging the substrate from each of the plurality of controlled sections;
A substrate processing apparatus, characterized in that it comprises a.
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