JP5266970B2 - アレイセンサ及び撮像装置 - Google Patents
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Description
赤外線アレイセンサでは、赤外線を感知するセンサ素子(感光素子)として、例えばHgCdTeフォトダイオードや量子井戸型のセンサ素子などが用いられている。これらのセンサにおいては、赤外線感光材料として化合物半導体材料が使用されている。
しかしながら、チップ全体において、感光材料として用いられる化合物半導体材料の均一性を向上させることは難しい。大面積のチップを用いたアレイセンサにおいては、構成するセンサ素子間で感度にばらつきが生じてしまう。この結果、アレイセンサ(これを含む撮像装置)によって撮像された画像に、感度ムラが生じてしまい、画質が低下してしまう。
撮像装置は、上記アレイセンサを備えることを要件とする。
[第1実施形態]
まず、第1実施形態におけるアレイセンサ、アレイセンサのバイアス電圧設定方法、撮像装置について、図1〜図6を参照しながら説明する。
本実施形態では、センサ素子アレイ1は、化合物半導体基板上に形成され、赤外線感光材料として化合物半導体材料を用いた赤外線センサ素子アレイであって、入力光である赤外線に応答して電気信号を生成する複数の赤外線センサ素子が行列状に形成されたものとして構成されている。つまり、本実施形態では、アレイセンサ10は、入射する赤外線を電気信号に変換して画像信号を取得する赤外線アレイセンサ(赤外線撮像デバイス)である。
本実施形態では、信号処理回路アレイ2は、例えばSi基板上に形成されている。また、各入力回路4には、それぞれ、各赤外線センサ素子によって赤外線から変換された信号電流(電気信号)が入力されるようになっている。
入力回路4は、図3(アレイセンサの1画素の回路を示している)に示すように、赤外線が入射することにより赤外線センサ素子6に流れる電流Isを、電圧に変換して出力する回路である。つまり、この電流Isを時間で積分した値(=∫Isdt/キャパシタ43の容量)とVaとの差を出力電圧として出力する積分回路であって、入力端子N1に入力される入力電圧と基準電圧(赤外線センサ素子6の出力量を制御するバイアス電圧)Vbとの差電圧を無限大倍にして出力端子N2から出力電圧を出力するオペアンプ40と、入力端子N1と出力端子N2との間に設けられたフィードバックループ41と、オペアンプ40の出力端子N2の出力電圧をサンプリングしてホールドするサンプルホールド回路(S/H回路)42とを備える。また、フィードバックループ41は、容量素子としてキャパシタ(コンデンサ)43を備え、キャパシタ43の両端子間を短絡するリセットトランジスタ44を更に備える。
ここでは、読出回路5は、図1に示すように、入力回路4の出力に応じて動作する複数のソースフォロワトランジスタ50と、複数の行選択トランジスタ51と、複数の行線52と、複数の列線(出力線)53と、複数の列選択トランジスタ54と、読み出し線(出力線)55と、負荷トランジスタ56と、増幅器(出力アンプ)57と、垂直走査回路58と、水平走査回路59とを備える。
各行選択トランジスタ51は、複数のソースフォロワトランジスタ50のソース端子のそれぞれに接続されている。また、各行線52は、それぞれ、各行の行選択トランジスタ51のゲート端子に接続されている。
そして、垂直走査回路58によって行線52が選択されると、選択された行線52に接続された行選択トランジスタ51は導通状態(オン状態)となる。行選択トランジスタ51が導通状態となると、赤外線センサ素子(各画素)6からの出力信号が、入力回路4、ソースフォロワトランジスタ50及び行選択トランジスタ51を介して、列線53に出力される。
つまり、赤外線撮像装置11は、図4に示すように、内部に赤外線アレイセンサ10を備え、赤外線アレイセンサ10に赤外線(IR)を入射させるためのレンズ(入射レンズ)12を有する筐体13と、装置全体の制御を行なうコントローラ[制御部;CPU、パーソナルコンピュータ(PC)など]14と、撮像された画像を表示するモニタ15と、ペルチェ素子16を有する赤外線光源17と、ペルチェ素子16を制御するための温度コントローラ18とを備える。
また、演算回路25は、欠陥アドレスメモリ29に格納されている赤外線アレイセンサ10の欠陥画素の情報に基づいて、欠陥アドレスの画像データを隣接画素の画像データに置き換えるなどの処理も行なう。
つまり、均一な光を入射したとしても、高感度な赤外線センサ素子(画素)に流れる信号電流は多く、低感度な赤外線センサ素子(画素)に流れる信号電流は少ないため、チップ面内で信号電流がばらついてしまい、不均一になってしまう。
本実施形態では、D/A変換回路31は、図1に示すように、複数の領域30毎に1つずつ設けられており、各領域30に含まれる少なくとも1つの赤外線センサ素子6(ここでは4つの赤外線センサ素子6)から出力される信号が入力回路4に接続されている。
次に、メモリ回路(内部メモリ)19から読み出した領域30毎のバイアス電圧値(デジタル値)を、領域30毎に設けられたD/A変換回路31によってバイアス電圧Vb(アナログ値)に変換する(即ち、D/A変換回路31でバイアス電圧Vbを発生させる)。そして、バイアス電圧Vbを、各領域30に含まれる各赤外線センサ素子6のそれぞれに接続された入力回路4に供給して、領域30毎に各赤外線センサ素子6の出力量を制御するようになっている(図6のステップS30参照)。なお、例えばフレーム毎あるいはブランキング毎に、各領域に含まれる赤外線センサ素子に接続された入力回路4に印加するバイアス電圧をリフレッシュするようにして、バイアス電圧の印加を動的に行なうようにしても良い(図6中、ステップS30からの点線で示すループ参照)。
本実施形態では、例えば装置出荷前、装置使用前、装置使用中などのキャリブレーション時に、一定温度の赤外線光源17をレンズ12の前(赤外線アレイセンサ10の正面)に位置させ(図4参照)、レンズ12を介して赤外線アレイセンサ10に予め定められた均一な赤外線を入射させた上で、コントローラ14が、バイアス電圧設定用プログラムを実行して、以下のような処理を行なうことで、赤外線アレイセンサ10を構成する各赤外線センサ素子6のそれぞれの出力量を制御するバイアス電圧が領域30毎に設定される。これにより、赤外線アレイセンサ10の全ての領域30に含まれる赤外線センサ素子6の信号電流がほぼ一定になるように自動調整することができる。
次いで、赤外線センサ素子6から出力される電流値(出力値;センサ出力)を検出し(出力値を検出する手段)、これに基づいて領域30毎に平均値(平均電流値)を算出する(平均値を算出する手段;ステップA20)。
この結果、平均値が基準値以上であると判定された領域30については、その領域30に含まれる赤外線センサ素子6の出力量を制御するバイアス電圧を供給するためのバイアス電圧値として、上記初期値を設定(本設定)する(バイアス電圧値を本設定する手段;ステップA50)。ここでは、上記初期値をチップ外部のメモリ回路(外部メモリ)22に記憶させることでバイアス電圧値の本設定を行なう。
次いで、ステップA20に戻り、再び、ステップA20、ステップA30、ステップA40又はステップA50の処理を行なう。
次いで、領域30毎に算出された平均値が、予め設定した基準値(基準電流値)以上であるか否かを判定し、平均値が基準値以上であると判定された領域30については、その領域30に含まれる赤外線センサ素子6の出力量を制御するバイアス電圧を供給するためのバイアス電圧値として、上記バイアス電圧値(初期値に設定電圧値を加えたもの)を設定(本設定)する。ここでは、上記バイアス電圧値(初期値に設定電圧値を加えたもの)をチップ外部のメモリ回路(外部メモリ)22に記憶させることでバイアス電圧値の本設定を行なう。
このように、本実施形態では、赤外線アレイセンサ10を構成する複数の赤外線センサ素子6のそれぞれの出力量を制御するバイアス電圧を供給するためのバイアス電圧値を仮設定し、バイアス電圧値に基づいてバイアス電圧を供給し、各センサ素子6からの出力値を検出し、少なくとも1つの赤外線センサ素子6を含む複数の領域30毎に、各赤外線センサ素子6からの出力値の平均値を算出し、平均値が基準値以上であるか否かを判定し、平均値が基準値以上であると判定された領域30について、その領域30に含まれる赤外線センサ素子6のそれぞれの出力量を制御するためのバイアス電圧値として上記バイアス電圧値を本設定するようにしている。
[第2実施形態]
次に、第2実施形態にかかるアレイセンサ、アレイセンサのバイアス電圧設定方法、撮像装置について、図7を参照しながら説明する。
また、本実施形態では、上述の第1実施形態におけるライン毎の画素出力を選択するために用いられる垂直走査回路(第1垂直走査回路;第1垂直シフトレジスタ)58のほかに、S/H回路32を選択するための垂直走査回路(第2垂直走査回路;第2垂直シフトレジスタ)34を備える。この第2垂直走査回路34は、バイアス電圧供給用行線35を介して、複数のS/H回路32の中の一部のS/H回路32に接続されている。
つまり、まず、駆動回路21のメモリ回路(外部メモリ)22から領域30毎に設定されているバイアス電圧値を読み出し、これらを赤外線アレイセンサ10に備えられるバイアス電圧供給回路7内のメモリ回路(内部メモリ)19に記憶させる。
そして、バイアス電圧Vbを、領域30毎に設けられたS/H回路32を介して、各領域30に含まれる各赤外線センサ素子6のそれぞれに接続された各入力回路4に供給して、領域30毎に各赤外線センサ素子6の出力量を制御する。
したがって、本実施形態にかかるアレイセンサ、アレイセンサのバイアス電圧設定方法、撮像装置によれば、上述の第1実施形態の場合と同様に、撮像画像の感度ムラを低減し、画質を向上させることができるという利点がある。
[第3実施形態]
次に、第3実施形態にかかるアレイセンサ、アレイセンサのバイアス電圧設定方法、撮像装置について、図8,図9を参照しながら説明する。
つまり、まず、駆動回路21のメモリ回路(外部メモリ)22から領域30毎に設定されているバイアス電圧値を読み出し、これらを赤外線アレイセンサ10に備えられるバイアス電圧供給回路7内のメモリ回路(内部メモリ)19に記憶させる。
そして、バイアス電圧Vbを、領域30毎に設けられたS/H回路32を介して、各領域30に含まれる各赤外線センサ素子6のそれぞれに接続された各入力回路4に供給して、領域30毎に各赤外線センサ素子6の出力量を制御する。
一方、第2垂直走査回路34の動作クロックの1周期(1フレーム)内で、第1垂直走査回路58の動作クロックの1周期(1ライン)毎に、読出回路5を構成する複数の行線52の中の1つの行線52が選択される。そして、第1垂直走査回路58の動作クロックの1周期(1ライン)内で、水平走査回路59の動作クロックの1周期(1カラム)毎に、読出回路5を構成する複数の列線53の中の1つの列線53が選択される。これにより、選択された行線52及び列線53に接続された赤外線センサ素子6からの出力(画素出力)が順に読み出されることになる。
したがって、本実施形態にかかるアレイセンサ、アレイセンサのバイアス電圧設定方法、撮像装置によれば、上述の第2実施形態の場合と同様に、撮像画像の感度ムラを低減し、画質を向上させることができるという利点がある。
[その他]
なお、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することができる。
2 信号処理回路アレイ
3 導電バンプ
4 入力回路
5 読出回路
6 センサ素子(赤外線センサ素子)
7 バイアス電圧供給回路
11 撮像装置(赤外線撮像装置)
10 アレイセンサ(赤外線アレイセンサ)
12 レンズ
13 筐体
14 コントローラ
15 モニタ
16 ペルチェ素子
17 赤外線光源(光源)
18 温度コントローラ
19 メモリ回路(内部メモリ)
20 冷凍器
21 駆動回路
22 メモリ回路(外部メモリ)
23 信号処理回路
24 A/D変換回路
25 演算回路
26 フォーマット変換回路
27 D/A変換回路
28 補正データメモリ
29 欠陥アドレスメモリ
30 領域
31 D/A変換回路
32 S/H回路
32A トランジスタ
32B コンデンサ(キャパシタ)
33 バイアス電圧供給用列線
34 垂直走査回路(第2垂直走査回路)
35 バイアス電圧供給用行線
36 配線
37 トランジスタ
40 オペアンプ
41 フィードバックループ
42 S/H回路
43 キャパシタ
44 リセットトランジスタ
50 ソースフォロワトランジスタ
51 行選択トランジスタ
52 行線
53 列線(出力線)
54 列選択トランジスタ
55 読み出し線(出力線)
56 負荷トランジスタ
57 増幅器(出力アンプ)
58 垂直走査回路(第1垂直走査回路)
59 水平走査回路
Claims (4)
- 複数のセンサ素子を備えるセンサ素子アレイと、
前記複数のセンサ素子のそれぞれに接続された信号処理回路アレイと、
少なくとも1つのセンサ素子を含む複数の領域毎に、前記センサ素子の出力量を制御するバイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路とを備え、
前記バイアス電圧供給回路は、
前記複数の領域毎のバイアス電圧値を保持するメモリ回路と、
前記複数の領域毎に1つずつ設けられたサンプル/ホールド回路と、
前記メモリ回路に接続され、かつ、少なくとも2つのサンプル/ホールド回路に接続され、前記バイアス電圧値に応じてバイアス電圧を発生させるデジタル/アナログ変換回路と、
前記デジタル/アナログ変換回路に接続された少なくとも2つのサンプル/ホールド回路の中から1つのサンプル/ホールド回路を選択するための走査回路とを備えることを特徴とするアレイセンサ。 - 前記センサ素子アレイは、入力光に応答して電気信号を生成する複数の光電変換素子が行列状に形成された光電変換素子アレイであることを特徴とする、請求項1記載のアレイセンサ。
- 前記バイアス電圧供給回路は、
前記センサ素子からの信号を出力する出力線に設けられ、垂直ブランキング期間にオン状態となるスイッチを備え、
前記デジタル/アナログ変換回路と前記サンプル/ホールド回路とが、前記スイッチ及び前記出力線を介して接続されて構成されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載のアレイセンサ。 - アレイセンサを備え、
前記アレイセンサが、
複数のセンサ素子を備えるセンサ素子アレイと、
前記複数のセンサ素子のそれぞれに接続された信号処理回路アレイと、
少なくとも1つのセンサ素子を含む複数の領域毎に、前記センサ素子の出力量を制御するバイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路とを備え、
前記バイアス電圧供給回路は、
前記複数の領域毎のバイアス電圧値を保持するメモリ回路と、
前記複数の領域毎に1つずつ設けられたサンプル/ホールド回路と、
前記メモリ回路に接続され、かつ、少なくとも2つのサンプル/ホールド回路に接続され、前記バイアス電圧値に応じてバイアス電圧を発生させるデジタル/アナログ変換回路と、
前記デジタル/アナログ変換回路に接続された少なくとも2つのサンプル/ホールド回路の中から1つのサンプル/ホールド回路を選択するための走査回路とを備えることを特徴とする撮像装置。
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