JP5263999B2 - 情報処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、耐タンパ性を必要とする回路を有する情報処理装置に関する。

タンパ行為とは、非正規の手段で記憶装置から秘密情報を読み出したり、秘密情報を改ざんしたりする行為を言い、広義には、記憶装置を囲む筺体を破壊する行為も含まれる。このような筺体に対する破壊行為として、例えば、筺体内の基板に細い針状のものを突き刺す行為がある。保護対象の記憶装置をタンパ行為から守るために、タンパ検出用の導電部を張り巡らせた基板を用いる手法が知られている。

記憶装置を囲む上下の基板に対して、これらの基板の間に設けられる側壁への保護対策が不十分な場合があった。側壁に対する保護の強化対策として、タンパ行為検出のための電線が設けられた保護基板で全面を保護する構成する方法が、特許文献１に開示されている。

特許文献１に開示された装置では、上下の保護基板だけでなく、側面の保護基板にも電線が設けられている。この文献に開示された装置では、各保護基板の面に１本の電線が所定の方向に一定間隔になるように配置されており、その電線はコネクタを介してタンパ監視回路に接続されている。このような構成により、タンパ行為を働こうとしている者が、側面の保護基板に針を突き刺したとき、針によって電線が断線すると、タンパ監視回路がタンパ行為を検知する。

特開２００８−３３５９３号公報

タンパ行為を働こうとしている者が、特許文献１に開示された装置の側面の保護基板に、電線間よりも幅の細い針を電線間に突き刺した場合、針が電線に触れないことになる。この場合、タンパ行為を検知できないおそれがあった。

本発明は上述したような技術が有する問題点を解決するためになされたものであり、装置の側面に対する耐タンパ性を向上させることを可能にした情報処理装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するための本発明の情報処理装置は、
タンパ検知用パターンが実装された第１の基板と、
前記第１の基板に対向して配置され、タンパ検知用パターンが実装された第２の基板と、
前記第１および第２の基板間に該第１および第２の基板の外周に沿って配置され、タンパ検出用の電極が設けられた複数の層を含む側壁とを有し、
前記第１および第２の基板と前記側壁によって囲まれた空間内に耐タンパ性を必要とする回路が設けられ、
前記側壁は、絶縁層を介して隣り合う２層のうち、一方の層に設けられた異方性導電ゴムの電極間に対応する位置に他方の層の異方性導電ゴムの電極が配置された構造を有する異方性導電ゴムコネクタを含む構成であり、前記耐タンパ性を必要とする回路を保護するだけでなく、前記第２の基板に実装されたタンパ検知用パターンを前記第１の基板に電気的に接続する構成である。

本発明によれば、装置の側面からのタンパ行為に対して、耐タンパ性を向上させることができる。

第１の実施形態の情報処理装置に設けられたモジュールの一構成例を示す分解斜視図である。 図１に示したモジュールの一構成例を示すブロック図である。 図１に示したモジュールの側壁の一構成例を示す上面図である。 図１に示したモジュールの側壁の一構成例を示す側面透視図である。 図１に示したモジュールに設けられた保持回路と異方性導電ゴムコネクタとの接続構成の一例を示す平面透視図である。 図１に示した側壁に針が突き刺された場合の一例を示す模式図である。 第１の実施形態のモジュールにおけるタンパ行為検出時の動作手順を示すフローチャートである。 第２の実施形態におけるモジュールの側壁の一構成例を示す斜視図である。 第２の実施形態におけるモジュールの側壁の他の構成例を示す図である。 第２の実施形態におけるモジュールの側壁の他の構成例を示す図である。 図７に示した４層の電極層が１枚の異方性導電ゴムコネクタに設けられた場合を示す斜視図である。

（第１の実施形態）
本実施形態の情報処理装置に設けられるモジュールの構成を説明する。図１は本実施形態の情報処理装置に設けられたモジュールの一構成例を示す分解斜視図である。

図１に示すモジュール１０は、耐タンパ性を必要とする回路を保護するためのものである。図１に示すように、モジュール１０は、上面に耐タンパ性を必要とする回路が設けられた基板１１と、基板１１に対向して配置された基板１２と、基板１１、１２の基板間に、これらの基板の外周に沿って配置された側壁１３ａ〜１３ｄとで構成される。なお、説明のために、図１に示すようにＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を定義する。図１は、モジュール１０をＸＹ平面の上に載せたときに、基板１１からＺ軸方向に側壁１３ａ〜１３ｄおよび基板１２を切り離した状態を示す。

基板１１、１２には、タンパ行為を検出するための電極パターンであるタンパ検知用パターンが実装されている。基板１１、１２に張り巡らせたタンパ検知用パターンについて、その構成は限定されず、本実施形態では、その詳細な説明を省略する。

本実施形態では、側壁１３ａ〜１３ｄのそれぞれが異方性導電ゴムコネクタを含む構成である。側壁１３ａ〜１３ｄは、筺体側面からの破壊行為に対して、耐タンパ性を必要とする回路を保護する役目を果たすだけでなく、基板１２に実装されたタンパ検知用パターンを基板１１に電気的に接続する役目を果たす。

また、本実施形態では、側壁１３ａ〜１３ｄの異方性導電ゴムコネクタにタンパ検知用パターンが実装されている。これにより、側壁１３ａ〜１３ｄは筺体側面からのタンパ行為を検出する役目も果たす。従って、耐タンパ性を必要とする回路は、タンパ検知用パターンが実装された基板１１、基板１２、及び側壁１３ａ〜１３ｄによって囲まれた空間内に存在することになる。耐タンパ性を必要とする回路は、基板１１には設けず、基板１１、基板１２、及び側壁１３ａ〜１３ｄによって囲まれた空間内に配置した別の基板に設けるようにしてもよい。異方性導電ゴムコネクタに設けられたタンパ検知用パターンについての詳細は後述する。

図２は図１に示したモジュールの一構成例を示すブロック図である。

図１に示したモジュール１０の基板１１には、タンパ検知用パターンの電位の変化に基づいてタンパ行為を検出する保持回路２１と、情報処理装置（不図示）の電源がオフの間に保持回路２１に電力を供給するための電池２２と、機密情報を記憶する記憶部２４と、各部を制御する制御部２３とが設けられている。記憶部２４は、例えば、不揮発性メモリであり、耐タンパ性を必要とする回路に相当する。

制御部２３は、プログラムを記憶するメモリ（不図示）と、プログラムにしたがって処理を実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）（不図示）とを有する。プログラムが記憶部２４に格納されていてもよく、この場合、制御部２３内のＣＰＵ（不図示）は記憶部２４からプログラムを読み出して所定の処理を実行する。情報処理装置（不図示）の電源がオンされている場合、保持回路２１、記憶部２４および制御部２３のそれぞれは情報処理装置の本体から供給される電力によって動作する。

ここで、タンパ検知用パターンを含む側壁１３ａ〜１３ｄの構成を説明する。側壁１３ａ〜１３ｄに実装されたタンパ検知用パターンは同様な構成であるため、以下では、側壁１３ａの構成について説明する。

図３Ａは本実施形態における側壁の一構成例を示す上面図であり、図３Ｂはその側面透視図である。図３Ａは側壁１３ａの基板１２との接続面を示し、図３Ｂは筺体を側面から見たときの側壁１３ａの平面透視図である。図３Ａおよび図３Ｂでは側壁１３ａの一部を示す。

図３Ａに示すように、異方性導電ゴムコネクタは、電極３３が絶縁部４８を介して等間隔で配置された電極層４１と、絶縁層４２を介して電極層４１に対向して配置された電極層４３とを有する。電極層４３の方が電極層４１よりも筺体の外側に位置している。電極層４１におけるＹ軸のプラス方向の面は絶縁層４４で覆われており、電極層４３におけるＹ軸のマイナス方向の面は絶縁層４６で覆われている。

電極３３、３４の材料は導電性ゴムであり、絶縁層４２、４４、４６および絶縁部４８の材料は絶縁性ゴムである。筺体を側面から見たときに、電極層４１の電極３３および電極層４３の電極３４のそれぞれのパターンが見えないように、少なくとも絶縁層４６は光を透過しない材質であることが望ましい。

図３Ａを見ると、電極層４３に設けられた電極３４は、電極層４１に設けられた電極３３間に対応する位置に配置されている。このことを詳しく説明する。電極３３、３４等の構成のＸ軸方向の長さを「幅」と称すると、図３Ａに示す構造では、電極３３、３４のそれぞれはＸ軸方向に対して同じ幅である。そして、電極３３、３４のそれぞれはＸ軸方向に対して同じピッチで配置されているが、電極３４のＸ軸方向の位置は電極３３の位置に対して電極３３の幅の分だけ、Ｘ軸のプラス方向またはマイナス方向にずれている。その結果、電極３４の位置は、隣り合う電極３３間に配置される絶縁部４８の位置と一致している。

続いて、電極層４１、４３の電極の平面パターンを、図３Ｂを参照して説明する。

２つの電極層４１、４３のうち、一方の電極層４１に配置された電極３３のパターンレイアウトを図３Ｂの上側に示し、他方の電極層４３に配置された電極３４のパターンレイアウトを図３Ｂの下側に示す。

図３Ｂの上側に示すように、電極層４１に設けられた各電極３３のパターンは、長方形であり、その長手方向がＺ軸方向に一致している。各電極３３は、長方形のパターンの２つの短辺のうち、一方の短辺側で基板１２と接続され、他方の短辺側で基板１１と接続されている。

また、図３Ｂの下側に示すように、電極層４３に設けられた電極３４も電極３３と同様に、各電極３４のパターンは、長方形であり、その長手方向がＺ軸方向に一致しているが、電極３３と重ならないようにＸ軸方向にずれて配置されている。各電極３４は、長方形のパターンの２つの短辺のうち、一方の短辺側で基板１２と接続され、他方の短辺側で基板１１と接続されている。電極層４１の電極３３間の絶縁部４８の位置が電極層４３の電極３４の位置に対応していることを、図３Ｂに破線で示す。

本実施形態のタンパ検知用パターンは、電極層４１に設けられた電極３３のパターンと電極層４３に設けられた電極３４のパターンとの組み合わせで構成される。電極３３は図２に示した保持回路２１と接続されている。各電極３３には保持回路２１から所定の電位が印加され、各電極３４には電極３３とは異なる電位が印加される。本実施形態では、各電極３４に接地電位（ＧＮＤ）が印加される。電極３４に印加されるＧＮＤは、保持回路２１から供給されてもよく、図に示さない情報処理装置の本体から供給されてもよい。電極３３に印加される所定の電位が表す信号を「タンパ検知用信号」と称する。

図４は保持回路と異方性導電ゴムコネクタとの接続構成の一例を示す平面透視図であり、図１に示した基板１１を基板１２側からＺ軸のマイナス方向に見たときの図である。図４では、保持回路２１と側壁１３ａ、１３ｃとの接続方法の一例を示し、保持回路２１と側壁１３ｂ、１３ｄとの接続構成、電池２２、制御部２３および記憶部２４の構成を図に示すことを省略している。

保持回路２１と接続される複数の配線３５ａがＸ軸方向に沿って配置されている。各配線３５ａが側壁１３ａの各電極３３と接続されている。また、保持回路２１と接続される複数の配線３５ｃがＸ軸方向に沿って配置されている。各配線３５ｃが側壁１３ｃの各電極３３と接続されている。図４では、説明のために配線３５ａ、３５ｃを図に示しているが、配線３５ａ、３５ｃは基板１１内に埋め込まれていることが望ましい。

図に示さないが、側壁１３ａ、１３ｃの電極３４は基板１１のＧＮＤと接続されている。また、基板１１において、側壁１３ｂの電極３３と接続される配線の符号を「３５ｂ」とし、側壁１３ｄの電極３３と接続される配線の符号を「３５ｄ」とする。

なお、図４に示した配線３５ａ、３５ｃは、保持回路２１と異方性導電ゴムコネクタとを接続するための構成の一例であり、基板１１に設けられる配線パターンは図４に示す構成に限定されない。例えば、１つの配線３５ａが複数の電極３３と接続される構成であってもよい。また、図４を参照して説明した配線３５ａ〜３５ｄが基板１１に設けられるタンパ検知用パターンの一部であってもよい。

図４を参照して説明したように、保持回路２１は、基板１２に設けられたタンパ検知用パターン（不図示）と、側壁１３ａ〜１３ｄの異方性導電ゴムコネクタおよび基板１１の配線３５ａ〜３５ｄを介して接続されている。

保持回路２１は、情報処理装置の電源がオフの場合でも、電池２２から供給される電力で動作し、配線３５ａ〜３５ｄを介して側壁１３ａ〜１３ｄの電極３３に一定の電圧を印加する。これにより、タンパ検知用パターンにおけるタンパ検知用信号は、情報処理装置の電源がオフの場合でも、電位レベルが常に一定に保たれている。

保持回路２１は、基板１１、１２および側壁１３ａ〜１３ｄのタンパ検知用パターンのタンパ検知用信号の電位レベルを監視し、タンパ検知用信号の電位レベルが変化すると、タンパ行為が行われたと判定する。例えば、保持回路２１は、電極３３のタンパ検知用信号の電位レベルが所定の電位からＧＮＤに変化したことを検出すると、タンパ検知用パターンがショートしたと判定し、電極３３が導通状態から非導通状態になったことを検出すると、タンパ検知用パターンが切断されたと判定する。

また、保持回路２１は、タンパ検知用信号の電位の変化により、タンパ行為が行われたと判定すると、情報処理装置の電源がオンの場合、タンパ行為を検知したことを示す信号であるタンパ検知信号を制御部２３に送信し、情報処理装置の電源がオフの場合、タンパ検知信号を保持する。その後、情報処理装置の電源がオンになったときに、保持回路２１は、保持していたタンパ検知信号を制御部２３に送信する。

制御部２３は、保持回路２１からタンパ検知信号を受信すると、記憶部２４に格納された機密情報を記憶部２４から消去する。

なお、タンパ検知用パターンとして、図３Ａおよび図３Ｂを参照して説明したタンパ検知用パターンと同様な構成が基板１１、１２に設けられていてもよい。

次に、本実施形態のモジュール１０の動作を説明する。図５は図１に示した側壁に針が突き刺された場合の一例を示す模式図である。図６は本実施形態のモジュールにおけるタンパ行為検出時の動作手順を示すフローチャートである。

何者かがモジュール１０内の記憶部２４に対してタンパ行為を働こうとする際、基板１１、１２および側壁１３ａ〜１３ｄのうち、いずれかに針状のものを突き刺すことがある。図５は、何者かが側壁１３ａに針６１を突き刺した場合を示す。以下では、側壁１３ａに針６１が突き刺された場合について説明する。

図５に示すように、側壁１３ａに針６１が突き刺さり、針６１が電極３３と電極３４の両方に接触すると、電極３３のタンパ検知用信号の電位レベルがハイレベルからローレベルに変化する。本実施形態では、ハイレベルはＧＮＤとは異なる所定の電位であり、ローレベルはＧＮＤである。

モジュール１０の保持回路２１は、タンパ検知用信号の電位レベルの変化を検出すると（ステップ１０１）、タンパ行為があったと判定する（ステップ１０２）。続いて、保持回路２１は、モジュール１０に外部から電力が供給されているか否かを調べる。本実施形態では、保持回路２１は情報処理装置の電源がオンか否かを判定する（ステップ１０３）。

ステップ１０３で情報処理装置の電源がオンの場合、保持回路２１は、タンパ検知信号を制御部２３に送信する。制御部２３は、保持回路２１からタンパ検知信号を受信すると、タンパ行為に対する所定の処理を実行する（ステップ１０４）。本実施形態では、制御部２３は、記憶部２４に格納された機密情報を記憶部２４から消去する。

一方、ステップ１０３で情報処理装置の電源がオフの場合、保持回路２１は、タンパ検知信号を保持する（ステップ１０５）。その後、情報処理装置の電源がオンになると、保持回路２１がタンパ検知信号を制御部２３に送信した後、ステップ１０４に進む。

ここでは、図５および図６を参照して、側壁１３ａに針が突き刺された場合の動作を説明したが、側壁１３ｂ〜１３ｄのうち、いずれかに針が突き刺された場合の動作も、側壁１３ａの場合と同様である。また、基板１１、１２のタンパ検知用パターンが側壁１３ａのタンパ検知用パターンと同様な構成であれば、基板１１、１２のうち、いずれかの基板に針が突き刺された場合の動作も、側壁１３ａの場合と同様である。

また、タンパ検知用パターンがショートした場合の動作を説明したが、タンパ検知用パターンが断線した場合でも、図６を参照して説明した動作と同様になるため、その詳細な説明を省略する。

本実施形態によれば、耐タンパ性を必要とする回路を囲む筺体のうち、上下の基板間に設けられる側壁に、絶縁層を介して少なくとも２層の電極層を設け、これら２層のうち、一方の層に設けられた電極間に対応する位置に他方の層の電極が配置された構造を有する。そのため、側壁のどの部分に針を刺しても、針がタンパ検知用の電極と必ず接触し、タンパ検知用信号の電位レベルがＧＮＤに変化し易くなり、タンパ行為検知能力が向上する。その結果、耐タンパ性を向上させることができる。

また、電極層を設ける部材に異方性導電ゴムコネクタを用いることで、上側の基板に設けられたタンパ検知用パターンを、側壁を介して下側の基板に電気的に接続することが可能となる。

（第２の実施形態）
本実施形態は、耐タンパ性を必要とする回路を保護するためのモジュールにおいて、第１の実施形態よりも、タンパ行為検知能力を向上させたものである。

本実施形態の情報処理装置に設けられたモジュールの構成を説明する。図７は本実施形態におけるモジュールの側壁に設けられた異方性導電ゴムコネクタの一構成例を示す斜視図である。

本実施形態のモジュールは、図１に示した側壁１３ａ〜１３ｄが、図７に示すような、異方性導電ゴムコネクタ５１が２枚重ねられた構成を有することを除いて、第１の実施形態と同様である。そのため、本実施形態では、第１の実施形態と同様な構成についての詳細な説明を省略する。

異方性導電ゴムコネクタ５１は、図３Ａに示した電極層４１および電極層４３を有する構成である。本実施形態においても、電極層４１および電極層４３の間に図３Ａに示した絶縁層４２が配置され、電極層４１の外側には絶縁層４４が配置され、電極層４３の外側には絶縁層４６が配置されている。本実施形態では、図１に示した側壁１３ａ〜１３ｄのそれぞれが、２枚の異方性導電ゴムコネクタ５１が重ねられた構成を有する。

図７に示す構成によれば、タンパ検知用パターンを含む異方性導電ゴムコネクタ５１が２枚重なっているので、何者かが針状のものを側壁１３ａ〜１３ｄのうち、いずれかに突き刺したときに、タンパ検知用パターンがショート状態または断線状態になる可能性が第１の実施形態よりも高い。

次に、本実施形態におけるモジュールの側壁に設けられる異方性導電ゴムコネクタの他の構成について説明する。

図８Ａおよび図８Ｂは本実施形態におけるモジュールの側壁に設けられる異方性導電ゴムコネクタの他の構成例を示す図である。図８Ａは基板との接続面を示す図であり、図８Ｂは図８Ａに示した電極の種類毎に分類したフットパターンを示す図である。ここでは、説明のために、図８Ａに示す異方性導電ゴムコネクタ５３ａ、５３ｂが積層された構成が、図１に示した側壁１３ａに設けられている場合とする。

図８Ａに示すように、２枚の異方性導電ゴムコネクタが、Ｙ軸方向に異方性導電ゴムコネクタ５３ｂ、５３ａの順で積層されている。はじめに、異方性導電ゴムコネクタ５３ａに注目してみる。

異方性導電ゴムコネクタ５３ａは、電極層５４と、電極層５４に対してＹ軸方向に絶縁層４２を介して積層された電極層５２とを有する。第１の実施形態では、電極層に設けられる電極の種類が電極層毎に異なっていた。このことを、図３Ａを参照して説明すると、電極層４１には電極３３が設けられ、電極層４３には電極３４が設けられていた。これに対し、本実施形態の異方性導電ゴムコネクタ５３ａでは、２層の電極層５２、５４の両方において、Ｘ軸方向の所定のピッチで電極の種類が異なっている。以下に、その構成を具体的に説明する。

電極３３、３４および絶縁部４８の幅が等しく、この幅をｘ１とすると、図８Ａに示す異方性導電ゴムコネクタ５３ａの左端から「８×ｘ１」の範囲では、電極層５２、５４のいずれの電極層にも電極３４が配置されている。一方、Ｘ軸方向の次の「８×ｘ１」の範囲では、電極層５２、５４のいずれの電極層にも電極３３が配置されている。

図８Ａに示す構成例では、２つの電極層５２、５４の１つの「８×ｘ１」範囲に設けられる複数の電極を電極群と称すると、２層の電極層５２、５４の両方において、Ｘ軸方向に「８×ｘ１」のピッチで電極３３の電極群と電極３４の電極群とが交互に配置されている。ただし、２層の電極層５２、５４のうち、一方の電極層に配置される電極間に対応する位置に他方の電極層の電極が位置する構成は第１の実施形態と同様である。

続いて、異方性導電ゴムコネクタ５３ｂに注目してみる。

異方性導電ゴムコネクタ５３ｂは、異方性導電ゴムコネクタ５３ａと同様に、電極層５２、５４を有しているが、Ｘ軸方向に対して、電極群の電極の種類が異方性導電ゴムコネクタ５３ａと異なっている。具体的に説明すると、異方性導電ゴムコネクタ５３ａの電極３３の電極群に対応する位置に異方性導電ゴムコネクタ５３ｂの電極３４の電極群が配置され、異方性導電ゴムコネクタ５３ａの電極３４の電極群に対応する位置に異方性導電ゴムコネクタ５３ｂの電極３３の電極群が配置されている。

図８Ａに示す構成例では、破線に示すように、筺体の外側から側壁１３ａを透視すると、電極３４と電極３３がＸ軸方向に対して同じ位置にあり、Ｙ軸方向に絶縁層４４、４６、絶縁部４８、絶縁層４２を介して重なっている。これらの絶縁層や絶縁部を絶縁体と称すると、筺体の外側から側壁１３ａをどこから透視しても、電極３３、絶縁体および電極３４の順で重なるか、電極３４、絶縁体および電極３３の順で重なっている。このことを、図８Ｂを参照して説明する。

図８Ｂに示すフットパターンは、図８Ａに示した電極３３をタンパ検知用信号のパターンに分類し、図８Ａに示した電極３４をＧＮＤのパターンに分類したものである。図８Ｂに示すように、ＧＮＤのパターンの外側には必ずタンパ検知用信号のパターンが配置されており、その反対にタンパ検知用信号のパターンの外側には必ずＧＮＤのパターンが配置されている。

図８Ｂに示すフットパターンで表されるように、図８Ａに示す構成にすることで、側壁１３ａ〜１３ｄが電極３３、３４の幅よりも細い針状のもので突き刺されても、必ずタンパ検知用信号のパターンとＧＮＤのパターンが針状のものを介して導通することになり、タンパ検知用信号の電位レベルに変化が生じてタンパ行為を確実に検出することが可能となる。

なお、Ｘ軸方向に対する、１つのピッチの長さ「８×ｘ１」は一例であり、ピッチ長は電極の幅の８倍の場合に限らない。

ここまで、図７および図８Ａを参照して、２枚の異方性導電ゴムを重ねた構成を説明したが、異方性導電ゴムコネクタを２枚重ねたものと同等の４層の電極層を有する異方性導電ゴムコネクタが１枚、側壁１３ａ〜１３ｄに設けられていてもよい。

図９は図７に示した４層の電極層が１枚の異方性導電ゴムコネクタ５５に設けられた場合を示す斜視図である。また、４層として、図８Ａに示した４層の電極層が１枚の異方性導電ゴムコネクタ５５に設けられていてもよい。

本実施形態では、第１の実施形態と同様な効果が得られるだけでなく、タンパ行為検知能力が向上するため、耐タンパ性が向上する。本実施形態のモジュールの側壁に設けられるタンパ検知用パターンを基板１１、１２に用いてもよい。

上述した第１および第２の実施形態では、電極層に配置される電極が同じ幅、同じピッチの場合で説明したが、絶縁層を介して隣り合う２層の電極層のうち、一方の電極層に配置される電極間に対応する位置に他方の電極層の電極が位置していれば、幅およびピッチが、同じ電極層で異なっていてもよく、電極層毎に異なっていてもよい。

本発明を、接触型ＩＣ（Integrated Circuit）カード対応の決済端末などの耐タンパ性を必要とする情報処理装置に適用することが可能である。

１０ モジュール
１１、１２ 基板
１３ａ〜１３ｄ 側壁
２１ 保持回路
２２ 電池
２３ 制御部
２４ 記憶部
３３、３４ 電極
４１、４３ 電極層
５１、５３ａ、５３ｂ、５５ 異方性導電ゴムコネクタ

Claims (7)

1. タンパ検知用パターンが実装された第１の基板と、
   前記第１の基板に対向して配置され、タンパ検知用パターンが実装された第２の基板と、
   前記第１および第２の基板間に該第１および第２の基板の外周に沿って配置され、タンパ検出用の電極が設けられた複数の層を含む側壁とを有し、
   前記第１および第２の基板と前記側壁によって囲まれた空間内に耐タンパ性を必要とする回路が設けられ、
   前記側壁は、絶縁層を介して隣り合う２層のうち、一方の層に設けられた異方性導電ゴムの電極間に対応する位置に他方の層の異方性導電ゴムの電極が配置された構造を有する異方性導電ゴムコネクタを含む構成であり、前記耐タンパ性を必要とする回路を保護するだけでなく、前記第２の基板に実装されたタンパ検知用パターンを前記第１の基板に電気的に接続する、情報処理装置。
2. 請求項１記載の情報処理装置において、
   前記側壁は、
   前記２層のうち、一方の層の電極間に対応する位置に他方の層の電極が配置された異方性導電ゴムが、前記２層が絶縁層を介して積層された方向に、絶縁層を介して２つ重ねられた構造を有する、情報処理装置。
3. 請求項１記載の情報処理装置において、
   前記側壁は、
   前記タンパ検出用の電極が設けられた、前記２層を含む４層を有し、該４層のうち、絶縁層を介して隣り合う２層における、一方の層の電極間に対応する位置に他方の層の電極が配置された異方性導電ゴムを有する、情報処理装置。
4. 請求項１から３のいずれか１項記載の情報処理装置において、
   前記一方の層に設けられた電極に第１の電位が印加され、前記他方の層に設けられた電極に前記第１の電位とは異なる第２の電位が印加されている、情報処理装置。
5. 請求項２または３記載の情報処理装置において、
   前記２層において、第１の電位が印加された複数の電極を含む第１の電極群と、前記第１の電位とは異なる第２の電位が印加された複数の電極を含む第２の電極群とが所定の方向に交互に配置され、
   前記２層に絶縁層を介して積層された他の２層において、前記２層の前記第１の電極群に対応する位置に前記第２の電極群が配置され、前記２層の前記第２の電極群に対応する位置に前記第１の電極群が配置されている、情報処理装置。
6. 請求項４または５記載の情報処理装置において、
   前記第１の電位が印加された電極の電位レベルを監視し、該第１の電位が印加された電極の電位レベルが前記第２の電位と同じになるか、前記第１の電位が印加された電極が断線すると、タンパ行為を検知したことを示す信号であるタンパ検知信号を送出する保持回路と、
   機密情報を記憶し、前記耐タンパ性を必要とする回路に相当する記憶部と、
   前記保持回路から前記タンパ検知信号を受信すると、前記記憶部から前記機密情報を消去する制御部と、をさらに有する情報処理装置。
7. 請求項１から６のいずれか１項記載の情報処理装置において、
   前記第１および第２の基板のうち、少なくとも一方の基板は、
   タンパ検出用の電極が設けられた複数の層を含み、絶縁層を介して隣り合う２層のうち、一方の層に設けられた電極間に対応する位置に他方の層の電極が配置された構造を有する、情報処理装置。

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