JP5250922B2 - 有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 - Google Patents
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本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、請求項1は、基板上に電極と発光層と対向電極とを設けた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層が少なくとも高分子材料と溶媒からなる発光層形成用溶液を用いて前記基板の搬送を伴うダイコート法、スロットコート法、カーテンコート法、グラビア法、フレキソ法、オフセット法、凸版印刷法、凹版オフセット法、スクリーン法のいずれかの印刷法によりせん断を発生させながら形成されてなり、かつ、偏光度0.3以上の偏光性を有する事を特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法において、前記発光層が分子量100万以上の高分子材料からなり、前記発光層は前記基板上及び前記電極上に前記印刷法によりせん断をかけながら形成し、前記発光層形成用溶液が少なくとも前記高分子材料と溶媒からなり、該溶媒は50℃〜160℃の沸点を有する溶媒を少なくとも1種類以上含むことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法である。
先ず、透光性絶縁の基板上にスパッタリング法等により透明導電膜を形成し、フォトリソグラフィー法で透明導電膜をパターニングし、陽極層を形成する。
V=[I(0°)−I(90°)]/[I(0°)+I(90°)]
である。式中、I(0°)はせん断方向に平行な偏光のEL強度、I(90°)はせん断方向に垂直な偏光のEL強度である。偏光度は0.3以上、好ましくは0.5以上でないと、従来の技術であるバックライトと偏向板の組み合わせと比較して、実際上利点がない。
以下、図1を用いて説明する。
ポリエチレンテレフタレートからなる透光性基板1上にスパッタリング法で陽極層としてITO膜2を形成した。次に、フォトリソグラフィー法およびウェットエッチング法によってITO膜2を所定のパターンにパターンニングし、陽極層2を形成した。次に、陽極層表面をUVオゾン装置で洗浄した。次に、発光層3として、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォネートとの混合物層、ポリ(2−メトキシ,5−(2’−エチル−ヘキシロキシ)−1,4−フェニレンビニレン層を順に、マイクログラビア法により、それぞれ30nm、100nmの膜厚で形成した。この時、基材の搬送速度は20m/min、マイクログラビアロールの回転速度は20m/minとした。次に、陰極層4としてCa層、Al層を順に、真空蒸着法により、それぞれ20nm、200nmの膜厚で形成した。
発光層をダイコート法により形成する以外は、実施例と同様の方法で有機EL表示素子を作製した。基材の搬送速度は20m/minであり、基材とダイヘッド間の間隔は10μmであった。得られた有機EL表示素子に5Vの電圧を印加したところ、輝度700cd/m2の発光が得られた。さらに上記EL発光の偏光度V=0.7であり、偏光フィルムの偏光度0.7〜0.9と比較して遜色ない偏光性が確認された。
2 陽極層
3 発光層
4 陰極層
Claims (1)
- 基板上に電極と発光層と対向電極とを設けた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層が少なくとも高分子材料と溶媒からなる発光層形成用溶液を用いて前記基板の搬送を伴うダイコート法、スロットコート法、カーテンコート法、グラビア法、フレキソ法、オフセット法、凸版印刷法、凹版オフセット法、スクリーン法のいずれかの印刷法によりせん断を発生させながら形成されてなり、かつ、偏光度0.3以上の偏光性を有する事を特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法において、前記発光層が分子量100万以上の高分子材料からなり、前記発光層は前記基板上及び前記電極上に前記印刷法によりせん断をかけながら形成し、前記発光層形成用溶液が少なくとも前記高分子材料と溶媒からなり、該溶媒は50℃〜160℃の沸点を有する溶媒を少なくとも1種類以上含むことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法。
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