JP5238371B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して処理を施す基板処理装置に関するもので、特に、基板に照射される光を供給する光源の発光状況の判定に関する。

従来より、キセノンフラッシュランプから出射される閃光によって、基板に加熱処理を施す基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１）。この特許文献１の装置において、キセノンフラッシュランプから出射される閃光は、極めて高いエネルギーを有している。そして、この光が基板に照射されると、基板表面のみが極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温し、基板表面のみが急速に熱膨張する。

これにより、キズあるいはプロセス不良等を有する不良基板に対してキセノンフラッシュランプによる加熱処理が施されると、この熱膨張のため基板が割れ、熱処理チャンバー内に基板の破片が飛散して散在するという問題が生ずることになる。

このような問題を解消するため、従来より、加熱処理が施される前の段階において、基板の良否判定を行い、不良基板に対して加熱処理が施されることを未然に防止する技術が知られている（例えば、特許文献２）。特許文献２の装置では、基板で反射された反射光の反射光スペクトルに基づいて、基板の良否判定が行われている。

特開２００４−１８６５４２号公報 特開２００７−２９２７２６号公報

したがって、基板に向けて照射される光を供給する光源の発光状況が良好でないと、基板の良否判定を良好に実行することができない。

そこで、本発明では、基板の良否判定用の光を基板に向けて良好に照射することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板処理装置であって、第１基板に対して処理を施す処理部と、前記第１基板の搬送方向から見て前記処理部の上流側に設けられており、前記第１基板で反射された反射光に基づいて前記第１基板を検査する検査部とを備え、前記検査部は、光源から供給された光を、前記検査部内の第２基板に向けて照射する照射部と、前記第２基板で反射された反射光を受光する受光部と、前記受光部で受光された反射光について、各波長に対応するスペクトル強度を計測することにより反射光スペクトルを取得する分光器と、前記分光器により取得された前記反射光スペクトルを、波長について積分する積分演算部と、前記積分演算部で演算された積分演算値に基づいて、前記光源の発光状況を判定する判定部とを有し、前記判定部は、同一の前記第２基板で反射された複数の反射光について、各反射光の前記反射光スペクトルから演算される各積分演算値の偏差に基づいて前記光源の発光状況を判定することを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記複数の反射光に基づいて演算される各積分演算値について、(i) 各積分演算値の平均を積分平均値と、(ii) 各積分演算値を前記積分平均値で除したものを正規化積分値と、(iii) 各正規化積分値のうち最大のものを正規化最大値と、(iv) 各正規化積分値のうち最小のものを正規化最小値と、それぞれ定義する場合、前記偏差は、前記正規化最大値から前記正規化最小値を減じたものであることを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記複数の反射光に基づいて演算される各積分演算値について、(i) 各積分演算値の平均を積分平均値と、定義する場合、前記偏差は、各積分演算値の標準偏差を３倍し、前記積分平均値で除したものであることを特徴とする。

また、請求項４の発明は、基板処理装置であって、(a) 第１基板に対して処理を施す処理部と、(b) 前記第１基板の搬送方向から見て前記処理部の上流側に設けられており、前記第１基板で反射された反射光に基づいて前記第１基板を検査する検査部と、を備え、前記検査部は、(b-1) 光源から供給された光を、前記検査部内の第２基板に向けて照射する照射部と、(b-2) 前記第２基板で反射された反射光を受光する受光部と、(b-3) 前記受光部で受光された反射光について、各波長に対応するスペクトル強度を計測することにより反射光スペクトルを取得する分光器と、(b-4) 前記分光器により取得された前記反射光スペクトルを、波長について積分する積分演算部と、(b-5) 前記積分演算部で演算された積分演算値に基づいて、前記光源の発光状況を判定する判定部と、を有し、前記判定部は、同一の前記第２基板で反射された複数の反射光について、各反射光の前記反射光スペクトルから演算される各積分演算値に基づいて前記光源の発光状況を判定し、前記第２基板で反射された前記複数の反射光の各積分演算値について、(i) 各積分演算値の平均を積分平均値と、(ii) 各積分演算値のうち最大となるものを積分最大値と、(iii) 各積分演算値の最小となるものを積分最小値と、それぞれ定義する場合、前記判定部は、前記積分最大値を前記積分平均値で除したもの、および前記積分最小値を前記積分平均値で除したもの、のそれぞれが許容範囲内となる場合に、前記光源の発光状況が良好であると判定することを特徴とする。

また、請求項５の発明は、基板処理装置であって、(a) 第１基板に対して処理を施す処理部と、(b) 前記第１基板の搬送方向から見て前記処理部の上流側に設けられており、前記第１基板で反射された反射光に基づいて前記第１基板を検査する検査部と、を備え、前記検査部は、(b-1) 光源から供給された光を、前記検査部内の第２基板に向けて照射する照射部と、(b-2) 前記第２基板で反射された反射光を受光する受光部と、(b-3) 前記受光部で受光された反射光について、各波長に対応するスペクトル強度を計測することにより反射光スペクトルを取得する分光器と、(b-4) 前記分光器により取得された前記反射光スペクトルを、波長について積分する積分演算部と、(b-5) 前記積分演算部で演算された積分演算値に基づいて、前記光源の発光状況を判定する判定部と、を有し、前記判定部は、同一の前記第２基板で反射された複数の反射光について、各反射光の前記反射光スペクトルから演算される各積分演算値に基づいて前記光源の発光状況を判定し、前記第２基板で反射された前記複数の反射光の各積分演算値について、(i) 各積分演算値のうち最大となるものを積分最大値と、(ii) 各積分演算値の最小となるものを積分最小値と、それぞれ定義する場合、前記判定部は、前記積分最大値に対する前記積分最小値の比率が許容範囲内となる場合に、前記光源の発光状況が良好であると判定することを特徴とする。

また、請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第２基板は、前記搬送方向から見て前記検査部の上流側から搬送され、前記検査部内に搬入されることを特徴とする。

また、請求項７の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第２基板は、前記検査部内に固定されていることを特徴とする。

また、請求項８の発明は、請求項７に記載の基板処理装置において、前記検査部は、前記搬送方向から見て前記検査部の上流側から搬送され、前記検査部内に搬入される前記第１基板を支持する複数の支持ピン、をさらに備え、前記第２基板は、前記複数の支持ピンにより囲まれる囲繞領域内に固定されていることを特徴とする。

また、請求項９の発明は、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第２基板は、ベアウエハであることを特徴とする。

また、請求項１０の発明は、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、前記積分演算部は、前記反射光スペクトルのうち、一部の波長範囲のスペクトルに基づいて、積分演算値を演算することを特徴とする。

請求項１ないし請求項１０に記載の発明において、判定部は、同一の第２基板で反射された複数の反射光について、各反射光に対応する反射光スペクトルの各積分演算値に基づいて光源の発光状況を判定することができる。これにより、光源の交換時期を容易に把握することができる。そのため、光源交換時から次回の交換時までの間、反射光に基づいた第１基板の検査を良好に実行することができ、第１基板の検査精度を良好に維持することができる。

また、請求項１ないし請求項１０に記載の発明において、光源の発光状況の判定には、第１基板の検査と同様に、基板で反射された反射光が使用される。すなわち、光源の発光状況の判定のためのハードウェアを、別途付加する必要がない。そのため、基板処理装置のサイズおよび製造コストを増大させることなく、光源の発光状況を判定することができる。

特に、請求項１に記載の発明によれば、複数の反射光に基づいた各積分演算値の偏差から、光源の発光状況を判定することができる。そのため、さらに良好に光源の交換時期を把握することができる。

特に、請求項２および請求項３に記載の発明によれば、光源の発光状況の判定には、各積分演算値の積分平均値により正規化された偏差が使用される。そのため、第２基板の表面の照度によらず、良好に光源の発光状況を判定することができる。

特に、請求項４に記載の発明によれば、光源の発光状況の判定には、各積分演算値の積分平均値により正規化された積分最大値および積分最小値が使用される。そのため、請求項２および請求項３に記載された発明と同様に、第２基板の表面の照度によらず、良好に光源の発光状況を判定することができる。

特に、請求項６に記載の発明によれば、処理部で基板処理の対象となる第１基板を、光源の発光状況の判定のための第２基板として使用することができる。すなわち、基板の検査と併せて光源の発光状況を判定することができる。これにより、光源の発光状況が良好でないと判断される場合、基板検査が良好に実行されていないと判断することができる。そのため、本来不良基板と判断されるべき基板が、良品基板と判断され、処理部で基板処理されることを、未然に防止することができる。

特に、請求項７に記載の発明によれば、基板処理装置の電源投入時等のように基板処理装置内に処理対象となる基板が投入されていない場合であっても、光源の発光状況を判定することができる。

特に、請求項８に記載の発明によれば、検査部内に固定される第２基板は、複数の支持ピンにより囲まれる囲繞領域内に配置されている。したがって、第２基板は、複数の支持ピンの取付位置に関わらず、容易に検査部内に配置される。

特に、請求項９に記載の発明によれば、第２基板は、基板上に配線パターンが形成されていないベアウエハにより構成されており、同一の第２基板で反射された反射光の反射スペクトルは繰返し再現性良く取得される。そのため、光源の発光状況をさらに良好に判定することができる。

特に、請求項１０に記載の発明によれば、反射光スペクトルの全波長範囲について積分演算をする必要がなく、積分演算値の計算コストを低減させることができる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜１．第１の実施の形態＞
＜１．１．基板処理装置の構成＞
図１は、本実施の形態における基板処理装置１００の構成の一例を示す平面図である。なお、図１および以降の各図には、それらの方向関係を明確にすべく必要に応じて適宜、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系が付されている。

基板処理装置１００は、いわゆる枚葉式の装置であり、キセノンフラッシュランプから極めて短い光パルスを出射させ、各処理基板Ｗ１に対して極めて強い光を照射することによって、処理基板Ｗ１を１枚ずつ加熱する。図１に示すように、基板処理装置１００は、主として、インデクサ部１１０と、受渡ロボット１２０と、アライメント部１３０と、冷却部１４０と、搬送ロボット１５０と、加熱処理部１６０と、を備えている。

ここで、インデクサ部１１０に搬入される各処理基板Ｗ１は、受渡ロボット１２０および搬送ロボット１５０により搬送経路（図１中の破線に沿った経路）Ｐに沿って搬送される。すなわち、各処理基板Ｗ１は、インデクサ部１１０、アライメント部１３０、加熱処理部１６０、冷却部１４０およびインデクサ部１１０に、この順番で受け渡される。

インデクサ部１１０は、未処理の処理基板Ｗ１を基板処理装置１００内に搬入するとともに、処理済みの処理基板Ｗ１を基板処理装置１００外に搬出する。図１に示すように、インデクサ部１１０には、複数（本実施の形態では２つ）のキャリア９１が載置可能とされている。これらキャリア９１は、複数の処理基板Ｗ１を収納可能とされており、無人搬送車（ＡＧＶ：図示省略）等によって装置１００外から搬送される。

受渡ロボット１２０は、図１に示すように、処理基板Ｗ１の搬送方向ＡＲ１から見てインデクサ部１１０の下流側に設けられている。受渡ロボット１２０は、矢印１２０Ｓ方向（略Ｙ軸方向）にスライド移動可能であるとともに、矢印１２０Ｒ方向に回動可能とされている。また、処理基板Ｗ１を支持するハンド１２１は、Ｘ軸方向に進退可能とされている。

これにより、受渡ロボット１２０は、（１）キャリア９１との間で任意の処理基板Ｗ１を出し入れすること、（２）キャリア９１から取り出された処理基板Ｗ１をアライメント部１３０に受け渡すこと、および、（３）冷却処理が完了した処理基板Ｗ１を冷却部１４０から取り出すこと、を実行できる。

アライメント部１３０は、図１に示すように、受渡ロボット１２０と搬送室１７０との間であって、搬送方向ＡＲ１から見て加熱処理部１６０および冷却部１４０（以下、これらを「処理部」とも呼ぶ）の上流側に設けられている。アライメント部１３０は、受渡ロボット１２０から受け渡された処理基板Ｗ１（第１基板）に対してアライメント処理を実行する。

ここで、アライメント処理とは、処理基板Ｗ１に設けられた基準位置に基づいて、処理基板Ｗ１の回転位置を調整することを言う。また、処理基板Ｗ１の回転位置とは、例えば、処理基板Ｗ１の回転中心点、および、処理基板Ｗ１上の他の地点を結ぶ直線と、Ｘ軸と、のなす角度をいう。

また、アライメント部１３０は、処理基板Ｗ１で反射された反射光に基づいて、処理基板Ｗ１の良否判定も実行する。このように、アライメント部１３０は、処理基板Ｗ１を検査する検査部としての機能も有する。なお、処理基板Ｗ１の良否判定は、キズあるいはプロセス不良等を有する不良基板の発見を目的として行われる。これにより、不良基板が、加熱処理部１６０内で加熱処理され、加熱処理部１６０内で割れることを未然に防止することができる。

図２は、本実施の形態のアライメント部１３０を図１のＶ１−Ｖ１線から見た断面図である。図３は、本実施の形態のアライメント部１３０の構成の一例を示す平面図である。図２および図３に示すように、アライメント部１３０は、主として、アライメントヘッド１３２と、定置台１３３と、複数の支持ピン１３４と、入出射部１７１と、光源１７１ａと、分光器１７６と、を有している。なお、図３について、図示の便宜上、アライメントチャンバー１３１は記載されていない。

アライメントチャンバー１３１は、図２に示すように、主として、上方に開口を有するハウジング１３１ａと、有底円筒状の蓋部１３１ｂと、を有している。ハウジング１３１ａの開口が蓋部１３１ｂによって塞がれることによって、アライメントチャンバー１３１は、アライメント処理および良否判定処理の対象となる処理基板Ｗ１を密閉する。

アライメントヘッド１３２は、一対の投光部および受光部からなるセンサ（図示省略）を備えている。このセンサによって処理基板Ｗ１のノッチやオリフラ等の基準位置が検出される。

定置台１３３は、冷却部１４０で施される冷却処理、および加熱処理部１６０で施される加熱処理の対象となる処理基板Ｗ１と、光源１７１ａの発光状況の判定処理で使用される検査用基板Ｗ２（第２基板）と、が配置されるウェハーステージである。図２に示すように、検査用基板Ｗ２は、ＸＹ平面と略平行な水平姿勢にて定置台１３３の上面に定置されている。

複数（本実施の形態では３本）の支持ピン１３４は、定置台１３３上に設けられた支持部であり、定置台１３３の上面から入出射部１７１側に立設されている。処理基板Ｗ１は、これら支持ピン１３４によって、ＸＹ平面と略平行な水平姿勢にて支持される。そのため、処理基板Ｗ１の下面は、定置台１３３の上面から離隔させられ、検査用基板Ｗ２の上方にて容易に支持される。

また、図３に示すように、検査用基板Ｗ２は、複数の支持ピン１３４に囲まれる囲繞領域１３４ａ内に定置されている。そのため、検査用基板Ｗ２は、各支持ピン１３４の立設位置（取付位置）に関わらず、アライメント部１３０内の定置台１３３上に容易に固定される。

モータ１３５は、図２に示すように、鉛直方向（略Ｚ軸方向）に延びる回転軸１３５ａを介して定置台１３３と連動連結されている。したがって、モータ１３５から回転力が伝達されると、定置台１３３は、回転軸心１３５ｂを中心としてＸＹ平面内で回転させられる。このように、モータ１３５は、定置台１３３を回転させる回転駆動部としての機能を有している。

入出射部１７１は、図３に示すように、アライメントヘッド１３２と離隔しており、アライメントヘッド１３２と干渉しない位置に設けられている。アーム部１７３ｂは、図２に示すように、水平方向に延びる梁部材である。アーム部１７３ｂの一端部は、入出射部１７１が取り付けられており、他端部は、垂直方向に延びる支持部材１７３ａの上部付近に取り付けられている。したがって、入出射部１７１は、定置台１３３の上方において、支持部材１７３ａおよびアーム部１７３ｂにより片持ち梁状に支持される。

図４は、本実施の形態の入出射部１７１の構成を模式的に示す側断面図である。図４に示すように、入出射部１７１は、主として、球面レンズ１７１ｂと、ハーフミラー１７１ｃと、を有している。

ここで、光源１７１ａは、例えばハロゲンランプによって構成されている。光源１７１ａから供給される光は、図４に示すように、光ファイバー１７１ｄを介して入出射部１７１の本体部１７１ｅに導入される。

光ファイバー１７１ｄを介して本体部１７１ｅに導入された光は、図４に示すように、光路ＬＰ１１に沿って進み、ハーフミラー１７１ｃを透過し、球面レンズ１７１ｂに到達する。そして、球面レンズ１７１ｂに供給された光は、球面レンズ１７１ｂで集光され、略点状の光として定置台１３３側に照射される。

また、球面レンズ１７１ｂから照射された光は、（１）複数の支持ピン１３４に処理基板Ｗ１が支持されていない場合には、光路ＬＰ１１、光路ＬＰ１２に沿って進み、検査用基板Ｗ２上の反射領域ＲＲ１で反射される。一方、（２）複数の支持ピン１３４に処理基板Ｗ１が支持されている場合には、処理基板Ｗ１上の反射領域ＲＲ２で反射される。

また、検査用基板Ｗ２上の反射領域ＲＲ１で反射された反射光は、光路ＬＰ２１、ＬＰ２２に沿って進み、球面レンズ１７１ｂで受光および集光される。一方、処理基板Ｗ１上の反射領域ＲＲ２で反射された反射光は、光路ＬＰ２２に沿って進み、球面レンズ１７１ｂで受光される。

そして、球面レンズ１７１ｂで受光された反射光は、入出射部１７１の本体部１７１ｅ内を光路ＬＰ２２に沿って進み、ハーフミラー１７１ｃで反射されることによって、光ファイバー１７５に導入される。

このように、入出射部１７１は、光源１７１ａから供給される光を、定置台１３３側の処理基板Ｗ１または検査用基板Ｗ２に向けて照射する照射部としての機能、および定置台１３３側に配置される処理基板Ｗ１および検査用基板Ｗ２で反射される反射光を受光する受光部としての機能、をそれぞれ有している。換言すれば、入出射部１７１は、照射部および受光部を一体的に構成したものである。

分光器１７６は、図２および図４に示すように、球面レンズ１７１ｂで受光および集光され、光ファイバー１７５に導入された反射光について、分散系（例えばプリズム）により各波長に分解するとともに、各波長に対応するスペクトル強度を計測する。これにより、処理基板Ｗ１または検査用基板Ｗ２で反射された反射光のスペクトル強度−波長曲線（以下、「反射光スペクトル」とも呼ぶ）が取得される。

図５は、反射光スペクトルの一例を示すグラフである。図５の縦軸は、各波長における反射光スペクトルの強度を、横軸は反射光の波長を表す。また、図５の実線ＲＳは、検査用基板Ｗ２で反射された反射光の反射光スペクトルを表す。

搬送ロボット１５０は、図１に示すように、搬送室１７０内に設けられている。また、搬送室１７０は、アライメント部１３０および冷却部１４０と、加熱処理部１６０との間に配設されている。そして、アライメント部１３０、冷却部１４０、および加熱処理部１６０は、それぞれの内側空間が搬送室１７０の内側空間と連通可能なように、搬送室１７０と連結して配置されている。これにより、搬送ロボット１５０は、アライメント部１３０、冷却部１４０、および加熱処理部１６０との間で処理基板Ｗ１の受け渡しを行うことができる。

ここで、搬送ロボット１５０は、図１に示すように、鉛直方向を向く軸（Ｚ軸と略平行）を中心に矢印１５０Ｒ方向に旋回可能とされている。また、搬送ロボット１５０は、複数のアームセグメントからなる２つのリンク機構を有し、２つのリンク機構の末端にはそれぞれ処理基板Ｗ１を保持する搬送アーム１５１ａ、１５１ｂが設けられている。これら搬送アーム１５１ａ、１５１ｂは上下に所定のピッチだけ隔てて配置され、リンク機構によりそれぞれ独立して同一水平方向に直線的にスライド移動可能とされている。さらに、搬送ロボット１５０は、搬送アーム１５１ａ、１５１ｂ間のピッチを維持した状態で、昇降可能とされている。

したがって、搬送ロボット１５０がアライメント部１３０、加熱処理部１６０、および冷却部１４０のいずれかを受け渡し相手として、処理基板Ｗ１の受け渡し（出し入れ）を行う際には、まず、両搬送アーム１５１ａ、１５１ｂが受け渡し相手と対向するように旋回する。その後（または旋回している間に）昇降移動して、いずれかの搬送アームが受け渡し相手との間で処理基板Ｗ１を受け渡しする高さに位置する。そして、搬送アーム１５１ａ（１５１ｂ）を水平方向に直線的にスライド移動させて、処理基板Ｗ１の受け渡しを行う。

図６は、加熱処理部１６０の構成の一例を示す正面図である。加熱処理部１６０は、処理基板Ｗ１に対して極めて強い光を照射することによって、処理基板Ｗ１の表面に対して加熱処理を実行する。加熱処理部１６０は、図１に示すように、搬送室１７０を挟んでアライメント部１３０および冷却部１４０と逆側に配設されており、図６に示すように、主として、光照射部５と、チャンバー６と、保持部７と、を有している。

ここで、加熱処理部１６０による加熱処理の対象となる処理基板Ｗ１は、例えばイオン注入法により不純物が添加されたものであり、添加された不純物は、この加熱処理によって活性化する。

光照射部５は、図６に示すように、チャンバー６の上部に設けられており、主として、複数（本実施の形態においては３０本）のキセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」と呼ぶ）６９と、リフレクタ５２と、光拡散板５３と、を有している。

複数のフラッシュランプ６９は、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される処理基板Ｗ１の主面に沿って互いに平行となるように平面状に配列されている。

リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプ６９の上方にそれら全体を覆うように設けられている。また、リフレクタ５２の表面は、ブラスト処理により粗面化加工が施されており、梨地模様を呈している。

光拡散板５３は、表面に光拡散加工が施された石英ガラスにより形成されている。図６に示すように、複数のフラッシュランプ６９の下方に配置された透光板６１と、光拡散板５３と、の間には、所定の間隙が設けられている。これにより、フラッシュランプ６９から出射されて光拡散板５３に入射した光は、光拡散板５３により拡散され、透光板６１に到達する。

チャンバー６は、略円筒形状を有する処理室であり、その内側空間（熱処理空間６５）に処理基板Ｗ１を収納することができる。また、チャンバー６上部の開口６０には、透光板６１が設けられている。

透光板６１は、例えば、石英等により形成されており、透光板６１は、光照射部５から出射された光を透過して熱処理空間６５に導くチャンバー窓として機能する。そして、フラッシュランプ６９から出射される閃光が、透光板６１を透過し、処理基板Ｗ１に照射されることによって、該処理基板Ｗ１に対して熱処理が施される。

保持部７は、図６に示すように、主として、処理基板Ｗ１を予備加熱（いわゆるアシスト加熱）するホットプレート７１と、サセプタ７２と、を有しており、加熱対象となる処理基板Ｗ１を保持する。

サセプタ７２は、ホットプレート７１の上面（処理基板Ｗ１側の面）を覆うように配設されており、石英（あるいは、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）等であってもよい）により形成されている。また、サセプタ７２の上部周縁付近には、処理基板Ｗ１の位置ズレを防止するピン７５が設けられている。

また、図６に示すように、保持部７の下部には、シャフト４１が接続されている。シャフト４１は、略円筒形状を有しており、保持部昇降機構４によってＺ軸方向に昇降可能とされている。

これにより、複数の支持ピン７０に処理基板Ｗ１が支持された状態でシャフト４１が上昇させられると、処理基板Ｗ１は、保持部７に対して相対的に下降して、保持部７に載置される。一方、処理基板Ｗ１が保持部７に載置された状態でシャフト４１が下降させられると、処理基板Ｗ１は、保持部７に対して相対的に上昇し、保持部７から離隔する。

なお、本実施の形態の加熱処理部１６０による加熱処理は、以下の手順により実行される。まず、保持部昇降機構４によって保持部７が受渡位置まで下降させられる。次に、チャンバー６内に常温の窒素ガスが導入され、熱処理空間６５は窒素ガス雰囲気とされる。

続いて、ゲートバルブ１８５が開放されると、アライメント処理の完了した処理基板Ｗ１は、搬送ロボット１５０により搬送室１７０から加熱処理部１６０に搬入され、支持ピン７０に支持される。そして、搬送ロボット１５０の搬送アーム１５１ａが後退してチャンバー６内から退室すると、ゲートバルブ１８５が閉鎖される。

続いて、支持ピン７０に処理基板Ｗ１が支持されると、保持部７は、保持部昇降機構４によって処理位置まで上昇させられる。これにより、支持ピン７０に支持された処理基板Ｗ１は、サセプタ７２に受け渡されて載置・保持される。そして、載置・保持された処理基板Ｗ１は、ホットプレート７１によって予備加熱され、処理基板Ｗ１の温度は、処理基板Ｗ１に添加された不純物が熱により拡散する恐れのない温度（予備加熱温度）Ｔ１まで昇温させられる。

続いて、保持部７が処理位置まで上昇させられると、光照射部５から処理基板Ｗ１に向け、短い光パルスのフラッシュ光が照射される。この光の照射によって、処理基板Ｗ１のフラッシュ加熱が行われる。これにより、処理基板Ｗ１の表面温度は、瞬間的に１０００℃ないし１１００℃程度の処理温度Ｔ２まで急速に上昇し、処理基板Ｗ１に添加された不純物が活性化され、その後、表面温度は急速に下降する。そのため、処理基板Ｗ１に添加された不純物の熱による拡散（この拡散現象を、処理基板Ｗ１中の不純物のプロファイルがなまる、ともいう）を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。

フラッシュ加熱が完了すると、保持部７が再び受渡位置まで下降させられ、処理基板Ｗ１は支持ピン７０に受け渡される。そして、ゲートバルブ１８５が開放されて、支持ピン７０上の処理基板Ｗ１が搬送ロボット１５０により搬出されることによって、加熱処理部１６０での加熱処理が完了する。

冷却部１４０は、図１に示すように、受渡ロボット１２０と搬送室１７０との間であって、搬送方向ＡＲ１から見て搬送室１７０の下流側に設けられている。冷却部１４０は、加熱処理部１６０での加熱処理により昇温した処理基板Ｗ１を冷却する。冷却部１４０にて冷却された処理基板Ｗ１は、受渡ロボット１２０によって冷却部１４０から取り出され、処理済の処理基板Ｗ１として受渡ロボット１２０からキャリア９１に返却される。

ここで、搬送室１７０は、図１に示すように、アライメント部１３０、冷却部１４０および加熱処理部１６０と、それぞれゲートバルブ１８３、１８４、１８５を介して接続されている。また、アライメント部１３０および冷却部１４０と、受渡ロボット１２０とは、それぞれゲートバルブ１８１、１８２を介して接続されている。したがって、処理基板Ｗ１が搬送される際には、適宜これらのゲートバルブが開閉される。また、アライメント部１３０、冷却部１４０、加熱処理部１６０、および搬送室１７０の内側空間は、対応するゲートバルブ１８１〜１８５が閉鎖されることにより、密閉空間となる。

また、アライメント部１３０、冷却部１４０、および搬送室１７０内には、それぞれ窒素ガス供給部（図示省略）からの高純度の窒素ガスが供給され、余剰の窒素ガスは適宜排気管（図示省略）から排気される、したがって、アライメント部１３０、冷却部１４０および搬送室１７０内は清浄に維持される。

＜１．２．基板処理装置の機能構成＞
図７は、基板処理装置１００（および後述する基板処理装置２００）の機能構成の一例を示すブロック図である。ここでは、主として図７を参照しつつ、基板処理装置１００の機能構成について説明する。

搬送処理制御部３１は、受渡ロボット１２０および搬送ロボット１５０の動作を制御することによって、処理基板Ｗ１の搬送処理を所定のタイミングで実行させる。アライメント処理制御部３２は、インデクサ部１１０からアライメント部１３０に搬入される処理基板Ｗ１について、アライメント処理を所定のタイミングで実行させる。また、加熱処理制御部３３は、アライメント処理が完了し、加熱処理部１６０に搬入された処理基板Ｗ１について、所定のタイミングで加熱処理（フラッシュ加熱）を実行させる。また、冷却処理制御部３４は、加熱処理が完了し、冷却部１４０に搬入された処理基板Ｗ１について、所定のタイミングで冷却処理を実行させる。

受光処理制御部３５は、入出射部１７１の光源１７１ａ（図２および図４参照）から出射される光の発光動作を制御することによって、処理基板Ｗ１または検査用基板Ｗ２で反射された反射光を入出射部１７１に受光させる。なお、受光処理制御部３５により実現される受光処理の詳細については、後述する。

積分演算部３６は、分光器１７６により取得された反射光スペクトルを、各波長について積分する演算処理を実行する。例えば、積分演算部３６は、反射光スペクトルの全波長範囲について積分演算値を求める。また、判定部３７で実行される判定処理に必要な波長範囲が、反射光スペクトルの全波長範囲のうち一部の波長範囲となる場合、積分演算部３６は、この一部の波長範囲について積分演算値を演算してもよい。この場合、積分演算値の計算コストを低減させることができ、制御部３の処理負担を軽減させることができる。

判定部３７は、積分演算部３６で演算された積分演算値に基づいて、光源１７１ａの発光状況を判定する。例えば、判定部３７は、定置台１３３上の検査用基板Ｗ２で反射された複数の反射光について、各反射光の反射光スペクトルから演算される各積分演算値に基づいて光源１７１ａの発光状況を判定する。また、判定部３７は、受渡ロボット１２０から受け渡され、アライメント部１３０に搬入された同一の処理基板Ｗ１について、この同一の処理基板Ｗ１で反射された複数の反射光の各積分演算から光源１７１ａの発光状況を判定してもよい。

また、判定部３７は、光源１７１ａの発光状況が良好でなく、交換時期が迫っている、または、交換時期が到来していると判断される場合、光源１７１ａの交換が必要な旨を使用者に報知する報知処理を実行する。

ここで、本実施の形態において、検査用基板Ｗ２は、ベアウエハ（基板上に配線パターンが形成されていないシリコンウエハ）によって構成されている。すなわち、検査用基板Ｗ２の表面は、配線パターンの形成された基板と比較して、表面凹凸がほとんどなく、平坦である。また、検査用基板Ｗ２を使用した光源１７１ａの発光状況の判定では、定置台１３３に定置された同一の検査用基板Ｗ２が使用される。

これにより、検査用基板Ｗ２で反射された反射光の反射光スペクトルの計測精度（繰返し再現性）は、処理基板Ｗ１に基づく反射光スペクトルのものと比較して向上する。そのため、処理基板Ｗ１を使用した場合、判定部３７は、光源１７１ａの発光状況をさらに良好に判定することができる。

また、本実施の形態において、基板処理装置１００は、処理基板Ｗ１に代えてベアウエハで構成された同一の検査用基板Ｗ３（第２基板）を使用して各反射光の反射光スペクトルを取得し、光源１７１ａの発光状況を判定してもよい。この場合、検査用基板Ｗ３は、受渡ロボット１２０によりアライメント部１３０に搬送され、受光処理が完了した後に搬送ロボット１５０により搬送室１７０側に搬出される。

すなわち、検査用基板Ｗ３は、処理基板Ｗ１と同様に、搬送方向ＡＲ１から見てアライメント部１３０の上流側に配置されているインデクサ部１１０側から、アライメント部１３０に搬入される。また、検査用基板Ｗ３は、処理基板Ｗ１と同様に、搬送方向ＡＲ１から見てアライメント部１３０の下流側に配置されている加熱処理部１６０および冷却部１４０側（処理部側）に搬出される。

このように、検査用基板Ｗ３は、処理基板Ｗ１と同様な手順により搬送される。そのため、検査用基板Ｗ３を使用した発光状況の判定処理のために特別な搬送手順を構築する必要がなく、搬送手順の構築および管理に要する工数を低減させることができる。

また、検査用基板Ｗ３は、ベアウエハにより構成されており、検査用基板Ｗ３に基づいた反射光スペクトルの計測精度は、処理基板Ｗ１と比較して向上する。そのため、検査用基板Ｗ３を使用した場合、判定部３７は、光源１７１ａの発光状況をさらに良好に判定することができる。

さらに、判定部３７は、反射光の反射スペクトルに基づいて、加熱処理部１６０および冷却部１４０側で処理される処理基板Ｗ１の良否判定を実行する。ここで、本実施の形態で実行される処理基板Ｗ１の良否判定（判定処理）は、例えば、判定対象となる処理基板Ｗ１の反射光スペクトルと、良品基板の反射光スペクトルと、を比較し、処理基板Ｗ１の表面状況を判定することによって実行される。

そして、良否判定の結果、判定対象の処理基板Ｗ１が不良基板と判断される場合、判定部３７は、その旨を使用者に対して報知する。

なお、発光状況の判定結果および処理基板Ｗ１の良否判定結果に基づいて実行される報知は、例えば、警告音や、警告灯の点灯であってもよいし、表示部（図示省略）に表示される警告画面であってもよい。

＜１．３．反射光の受光処理＞
ここでは、受光処理制御部３５により実現される反射光の受光処理を、処理基板Ｗ１および検査用基板Ｗ３を使用した場合と、検査用基板Ｗ２を使用した場合と、のそれぞれについて説明する。なお、検査用基板Ｗ３を使用した受光処理は、処理基板Ｗ１を使用した場合と同様な手順により実行される。そこで、以下では、処理基板Ｗ１および検査用基板Ｗ２を使用した場合の受光処理のみを説明する。

まず、処理基板Ｗ１および検査用基板Ｗ３で反射された反射光の受光処理について説明する。処理基板Ｗ１がアライメント部１３０に搬入され、複数の支持ピン１３４に支持された後において、処理基板Ｗ１のアライメント処理が完了すると、受光処理制御部３５は、光源１７１ａを発光させる。

これにより、入出射部１７１は、光源１７１ａが点灯している間、処理基板Ｗ１の反射領域ＲＲ２で反射された反射光を受光する。そして、受光された反射光は、分光器１７６により１つの反射光スペクトルとされる。

ここで、図２および図３に示すように、処理基板Ｗ１（および検査用基板Ｗ３）は、その直径Ｄ１が検査用基板Ｗ２の直径Ｄ２以上となるように設定されており、検査用基板Ｗ２の上方を覆い隠するように配置可能とされている。これにより、処理基板Ｗ１が支持ピン１３４に支持された状態で受光される反射光には、検査用基板Ｗ２で反射された反射光は含まれない。すなわち、受光される反射光の大部分は、処理基板Ｗ１で反射された反射光となる。そのため、判定部３７は、処理基板Ｗ１を使用した場合においても、光源１７１ａの発光状況を良好に判定することができる。

次に、検査用基板Ｗ２で反射された反射光の受光処理について説明する。アライメント部１３０に処理基板Ｗ１が搬入されていない状態で、受光処理制御部３５は、光源１７１ａを発光させる。

これにより、入出射部１７１は、光源１７１ａが点灯している間、検査用基板Ｗ２上の反射領域ＲＲ１で反射された反射光を受光する。そして、受光された反射光は、処理基板Ｗ１の場合と同様に、分光器１７６により１つの反射光スペクトルとされる。

なお、検査用基板Ｗ２は、上述のように、アライメント部１３０内に配置されている。そのため、基板処理装置１００の電源投入時等のように基板処理装置内に処理対象となる処理基板Ｗ１や検査用基板Ｗ３が投入されていない場合であっても、検査用基板Ｗ２からの反射光は受光され、光源１７１ａの発光状況は、この反射光に基づいて判定できる。

＜１．４．光源の発光状況の判定処理＞
上述のように、判定部３７は、処理基板Ｗ１、検査用基板Ｗ２、または検査用基板Ｗ３で反射された反射光の反射光スペクトルに基づいて、光源１７１ａの発光状況を判定する。以下では、反射光スペクトルに基づく発光状況の判定原理を説明するとともに、判定部３７により実現される発光状況の判定手法を説明する。

図８および図９は、本実施の形態における光源１７１ａの発光状況の判定原理を説明するためのグラフである。図８および図９中の縦軸は、正規化積分値を表す。ここで、正規化積分値は、同一の検査用基板Ｗ２、Ｗ３で反射された複数の反射光に基づいて演算される各積分演算値について、各積分演算値の平均値（積分平均値）で、各積分演算値を除することにより求められる。

また、図８および図９中の「◇」（白抜き菱形）、「◆」（黒塗り菱形）、「△」（白抜き三角）、「×」、「□」（白抜き四角）、「＋」、「○」（白抜き丸）、および「●」（黒塗り丸）のそれぞれは、光源１７１ａから供給され、同一の検査用基板Ｗ２、Ｗ３で反射された複数（本実施の形態では、６つ）の反射光について、各反射光に対応する正規化積分値をプロットしたものである。

また、図８中の一点鎖線で囲まれる各領域ＡＬ０１〜ＡＬ０４内のプロット点は、それぞれ異なる検査用基板Ｗ２の正規化積分値に対応する。すなわち、ベアウエハで構成された同種の４枚の検査用基板Ｗ２が、１枚ずつ定置台１３３に定置され、各検査用基板Ｗ２毎に正規化積分値が演算される。

一方、図９中の一点鎖線で囲まれる各領域ＷＦ０１〜ＷＦ０４内のプロット点は、それぞれ異なる検査用基板Ｗ３の正規化積分値に対応する。すなわち、ベアウエハで構成された同種の４枚の検査用基板Ｗ３が、１枚ずつアライメント部１３０に搬入され、各検査用基板Ｗ３毎に正規化積分値が演算される。

また、同一領域ＡＬ０１〜ＡＬ０４、ＷＦ０１〜ＷＦ０４に含まれるプロット列のうち、左側のプロット列（図８および図９の「◇」列、「△」列、「□」列、および「○」列に対応）は、一定期間使用された光源１７１ａの正規化積分値に対応する。一方、右側のプロット列（図８および図９の「◆」列、「×」列、「＋」列、および「●」列に対応）は、交換直後の（新品の）光源１７１ａの正規化積分値に対応する。

例えば、図８の一点鎖線領域ＡＬ０２の各「△」は、一定期間使用された光源１７１ａから出射され、同一の検査用基板Ｗ２上の略同一部分で反射された６つの反射光に対応する各正規化積分値をプロットしたものである。

なお、図８および図９の「△」と、図９の「○」以外のプロット点について、隣接するプロット点の正規化積分値が略同一となり、隣接するプロット点同士がほぼ重なり合うものが含まれている。そのため、図８および図９には、実際には６点プロットされているにも関わらず、見かけ上、５点以下（例えば、図８の「◆」の場合、３点）のプロット点が表示されている。

図１０および図１１は、それぞれ検査用基板Ｗ２、Ｗ３の正規化積分値の偏差を説明するための図である。図１０および図１１の「ウエハＮＯ」は、各検査用基板Ｗ２、Ｗ３を識別するための情報である。

ここで、「ウエハＮＯ」＝「１０１」、「１０２」、「１０３」、「１０４」（図１０参照）に対応する検査用基板Ｗ２の正規化積分値は、それぞれ図８の領域ＡＬ０１、領域ＡＬ０２、領域ＡＬ０３、および領域ＡＬ０４にプロットされている。また、「ウエハＮＯ」＝「２０１」、「２０２」、「２０３」、「２０４」（図１１参照）に対応する検査用基板Ｗ２の正規化積分値は、それぞれ図９の領域ＷＦ０１、領域ＷＦ０２、領域ＷＦ０３、および領域ＷＦ０４にプロットされている。

また、図１０および図１１の偏差ΔＤ１は、一定期間使用された光源１７１ａの反射光スペクトルから演算された各正規化積分値について、各正規化積分値のうち最大となるもの（正規化最大値）から、各正規化積分値のうち最小となるもの（正規化最小値）を減じたものである。一方、図１０および図１１の偏差ΔＤ２は、交換直後の光源１７１ａの反射光スペクトルから演算された各正規化積分値について、正規化最大値から正規化最小値を減じたものである。

図１０および図１１に示すように、偏差ΔＤ１（交換前）に対する偏差ΔＤ２（交換直後）の比率は、定置台１３３上に固定された検査用基板Ｗ２、搬送されて支持ピン１３４に支持される検査用基板Ｗ３、のいずれについても、０．２以下となった。

この結果より、以下のような知見が得られる。すなわち、光源１７１ａの発光状況は、交換直後が最も良好となり、使用にしたがって光源１７１ａから出射される光のバラツキ（例えば、各波長におけるスペクトル強度のバラツキ）が大きくなり、光源１７１ａの発光状況が変化する。その結果、検査用基板Ｗ２、検査用基板Ｗ３の相違に関わらず、光源１７１ａの交換直後の偏差ΔＤ２が最小値となり、光源１７１ａの使用にしたがって偏差偏差ΔＤ２が増大するものと考えられる。

そこで、本実施の形態において、判定部３７は、同一の検査用基板Ｗ２、Ｗ３、または同一の処理基板Ｗ１から得られる正規化積分値の偏差に基づいて、光源１７１ａの発光状況を判定している。これにより、処理基板Ｗ１、検査用基板Ｗ２、Ｗ３の表面の照度によらず、良好に光源の発光状況を判定することができる。

例えば、正規化積分値の偏差が許容範囲内となる場合（例えば、偏差が所定の閾値以下となる場合）、判定部３７は、光源１７１ａの発光状況が良好であると判断することができる。一方、正規化積分値の偏差が許容範囲外となる場合（例えば、偏差が、所定の閾値より大きい場合）、判定部３７は、光源１７１ａの発光状況が良好とは言えず、光源１７１ａの交換が必要であると判断することができる。なお、正規化積分値の偏差の許容範囲（閾値）は、予め実験等により求めても良い。

＜１．５．第１の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、本実施の形態の基板処理装置１００は、定置台１３３上の検査用基板Ｗ２、またはアライメント部１３０に搬送され、支持ピン１３４に支持される処理基板Ｗ１、検査用基板Ｗ３の積分演算値に基づいて、光源の発光状況を判定することができる。これにより、光源１７１ａの交換時期を容易に把握することができる。そのため、光源１７１ａ交換時から次回の交換時までの間、反射光に基づいた処理基板Ｗ１の検査を良好に実行することができ、処理基板Ｗ１の検査精度を良好に維持することができる。

また、本実施の形態の基板処理装置１００において、光源１７１ａの発光状況の判定には、処理基板Ｗ１の検査と同様に、処理基板Ｗ１、検査用基板Ｗ２、または検査用基板Ｗ３で反射された反射光が使用される。すなわち、光源１７１ａの発光状況の判定ためにのハードウェアを別途付加する必要がない。そのため、基板処理装置１００のサイズおよび製造コストを増大させることなく、光源１７１ａの発光状況を判定することができる。

＜２．第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１２は、本実施の形態のアライメント部２３０を図１のＶ１−Ｖ１線から見た断面図である。図１３は、本実施の形態におけるアライメント部２３０の構成の一例を示す平面図である。

第２の実施の形態における基板処理装置２００は、第１の実施の形態の基板処理装置１００と比較して、入出射部２７１のハードウェア構成が相違する点を除いては、第１の実施の形態と同様である。そこで、以下では、この相違点を中心に説明する。

なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１００における構成要素と同様な構成要素については、同一符号が付されている。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施の形態では説明を省略する。

アライメント部２３０は、図１２および図１３に示すように、主として、アライメントヘッド１３２と、定置台１３３と、複数の支持ピン１３４と、光源１７１ａと、分光器１７６と、入出射部２７１と、を有している。なお、図１３には、図示の便宜上、アライメントチャンバー１３１は記載されていない。

入出射部２７１は、入出射部１７１と同様に、光源１７１ａから供給される光を定置台１３３側に照射する照射部としての機能、および定置台１３３側に配置される処理基板Ｗ１、および検査用基板Ｗ２、Ｗ３で反射される反射光を受光する受光部としての機能、をそれぞれ有している。すなわち、入出射部２７１は、照射部および受光部を一体的に構成したものである。

図１３に示すように、入出射部２７１は、アライメントヘッド１３２と離隔しており、アライメントヘッド１３２と干渉しない位置に設けられている。また、図１２および図１３に示すように、入出射部２７１の長手方向（図１２においては略Ｙ軸方向）から見た両端は、それぞれ支持部材２７３ａ、２７３ｂの上部付近に取り付けられており、入出射部２７１は、定置台１３３の上方に配置されている。

光源１７１ａから供給され、光ファイバー１７１ｄを介して入出射部２７１に供給された光は、入出射部２７１の長手方向（略Ｙ軸方向）に延びるシリンドリカルレンズ（円柱レンズ）２７１ｂで集光され、略線状の光として定置台１３３側に照射される。

また、シリンドリカルレンズ２７１ｂから照射された光は、複数の支持ピン１３４に処理基板Ｗ１（または検査用基板Ｗ３）が支持されている場合には、処理基板Ｗ１（または検査用基板Ｗ３）で反射される。一方、処理基板Ｗ１（または検査用基板Ｗ３）が支持されていない場合には、定置台１３３上の検査用基板Ｗ２で反射される。そして、処理基板Ｗ１、検査用基板Ｗ２、Ｗ３で反射された反射光は、シリンドリカルレンズ２７１ｂで受光され、光ファイバー１７５を介して、分光器１７６に導入される。

このように、第２の実施の形態の基板処理装置２００（より具体的には、アライメント部２３０の入出射部２７１）は、上述のような構成を有することにより、定置台１３３上の検査用基板Ｗ２で反射された反射光と、定置台１３３上の処理基板Ｗ１、検査用基板Ｗ３で反射された反射光と、を受光することができる。

これにより、本実施の形態の基板処理装置２００は、第１の実施の形態の基板処理装置１００と同様に、処理基板Ｗ１、検査用基板Ｗ２、Ｗ３で反射された複数の反射光について、各反射光の反射光スペクトルから演算される各積分演算値に基づいて光源１７１ａの発光状況を判定することができる。

そのため、本実施の形態の基板処理装置２００は、第１の実施の形態の場合と同様に、光源１７１ａの交換時期を容易に把握することができ、光源１７１ａ交換時から次回の交換時までの間、反射光に基づいた処理基板Ｗ１の検査を良好に実行することができる。また、基板処理装置２００のサイズおよび製造コストを増大させることなく、光源１７１ａの発光状況を判定することができる。

＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。

（１）第１および第２の実施の形態において、受光処理制御部３５は、入出射部１７１の光源１７１ａから出射される光の発光動作を制御することによって、処理基板Ｗ１または検査用基板Ｗ２、Ｗ３で反射された反射光を入出射部１７１に受光させるものとして説明したが、反射光の受光処理は、これに限定されるものでない。例えば、受光処理制御部３５は、モータ１３５による定置台１３３の回転動作と、光源１７１ａから出射される光の発光動作と、を同期させることによって、定置台１３３を回転させつつ、処理基板Ｗ１、検査用基板Ｗ２、Ｗ３で反射された反射光を入出射部１７１に受光させてもよい。

この場合、入出射部１７１は、処理基板Ｗ１、検査用基板Ｗ２、Ｗ３上の広い領域で反射された反射光を受光することができる。これにより、分光器１７６は、処理基板Ｗ１、検査用基板Ｗ２、Ｗ３上の局所的な影響を受けず、繰返し再現性の高い反射光スペクトルを取得することができる。そのため、判定部３７は、光源１７１ａの発光状況をさらに良好に判定することができる。

（２）また、第１および第２の実施の形態において、判定部３７は、正規化積分値の偏差として、正規化積分値の最大値から最小値を減じたものを使用しているが、これに限定されるものでない。例えば、積分演算部３６で演算された各積分演算値の標準偏差を３倍し、積分平均値で除したもの（商）が、正規化積分値の偏差として使用されてもよい。この場合も、光源１７１ａの交換時期を容易に把握することができる。

（３）また、第１および第２の実施の形態において、判定部３７は、正規化積分値の偏差を使用して光源１７１ａの発光状況を判定するものとして説明したが、これに限定されるものでない。

ここで、積分演算部３６で演算された各積分演算値について、各積分演算値のうち最大となるものを積分最大値と、各積分演算値のうち最小となるものを積分最小値と、各積分演算値の平均値を積分平均値と、積分最大値を積分平均値で除したものを正規化最大値と、積分最小値を積分平均値で除したものを正規化最小値と、それぞれする。

そして、判定部３７は、正規化最大値および正規化最小値のそれぞれが許容範囲となる場合に、光源１７１ａの発光状況が良好であると判定してもよい。また、判定部３７は、積分最大値に対する積分最小値の比率が許容範囲内となる場合に、光源１７１ａの発光状況が良好であると判定してもよい。いずれの場合においても、光源１７１ａの交換時期を容易に把握することができる。なお、正規化最大値および正規化最小値の許容範囲、および積分最大値に対する積分最小値の比率の許容範囲は、予め実験等により求めても良い。

（４）また、第１および第２の実施の形態において、処理基板Ｗ１に基づいた光源１７１ａの発光状況の判定は、同一の処理基板Ｗ１を使用して実行されるものとして説明したが、これに限定されるものでない。例えば、同種（同一体ではないが、性質や形状等が同じ）の処理基板Ｗ１が発光状況の判定に使用されてもよい。

この場合、発光状況の判定と基板の良否判定とを同時に実行することができる。そして、光源１７１ａの発光状況が良好でないと判断される場合、処理基板Ｗ１の検査（良否判定）が良好に実行されていないと判断することができる。そのため、本来不良基板と判断されるべき処理基板Ｗ１が、良品基板と判断され、加熱処理部１６０や冷却部１４０で処理されることを、未然に防止することができる。

（５）さらに、第１および第２の実施の形態において、判定部３７は、反射光スペクトルについて、計測されたすべての波長範囲を使用して発光状況の判定処理を実行しているものとして説明したが、判定処理の対象となる波長範囲は、これに限定されるものでない。例えば、一部の波長範囲（例えば、５００ｎｍ〜７００ｎｍ）のスペクトルに基づいて発光状況を判定してもよい。これにより、判定処理に要する計算コストを低減させることができる。

本発明の第１および第２の実施の形態における基板処理装置の全体構成の一例を示す平面図である。 第１の実施の形態のアライメント部を図１のＶ１−Ｖ１線から見た断面図である。 第１の実施の形態におけるアライメント部の構成の一例を示す平面図である。 第１の実施の形態の入出射部の構成を模式的に示す側断面図である。 反射光スペクトルの一例を示すグラフである。 第１および第２の実施の形態における加熱処理部の一例を示す正面図である。 第１および第２の実施の形態の基板処理装置における機能構成の一例を示すブロック図である。 第１および第２の実施の形態における光源の発光状況の判定原理を説明するための図である。 第１および第２の実施の形態における光源の発光状況の判定原理を説明するための図である。 正規化された積分演算値の偏差を説明するための図である。 正規化された積分演算値の偏差を説明するための図である。 第２の実施の形態のアライメント部を図１のＶ１−Ｖ１線から見た断面図である。 第２の実施の形態におけるアライメント部の構成の一例を示す平面図である。

符号の説明

３ 制御部
３６ 積分演算部
３７ 判定部
１００、２００ 基板処理装置
１１０ インデクサ部
１２０ 受渡ロボット
１３０、２３０ アライメント部（検査部）
１３３ 定置台
１３４ 支持ピン
１３４ａ 囲繞領域
１４０ 冷却部
１６０ 加熱処理部
１７１、２７１ 入出射部
１７１ａ 光源
１７６ 分光器
ＲＳ 反射光スペクトル
Ｗ１ 処理基板（第１基板）
Ｗ２、Ｗ３ 検査用基板（第２基板）
ΔＤ１、ΔＤ２ 偏差

Claims (10)

1. 基板処理装置であって、
   (a) 第１基板に対して処理を施す処理部と、
   (b) 前記第１基板の搬送方向から見て前記処理部の上流側に設けられており、前記第１基板で反射された反射光に基づいて前記第１基板を検査する検査部と、
   を備え、
   前記検査部は、
   (b-1) 光源から供給された光を、前記検査部内の第２基板に向けて照射する照射部と、
   (b-2) 前記第２基板で反射された反射光を受光する受光部と、
   (b-3) 前記受光部で受光された反射光について、各波長に対応するスペクトル強度を計測することにより反射光スペクトルを取得する分光器と、
   (b-4) 前記分光器により取得された前記反射光スペクトルを、波長について積分する積分演算部と、
   (b-5) 前記積分演算部で演算された積分演算値に基づいて、前記光源の発光状況を判定する判定部と、
   を有し、
   前記判定部は、同一の前記第２基板で反射された複数の反射光について、各反射光の前記反射光スペクトルから演算される各積分演算値の偏差に基づいて前記光源の発光状況を判定することを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記複数の反射光に基づいて演算される各積分演算値について、
   (i) 各積分演算値の平均を積分平均値と、
   (ii) 各積分演算値を前記積分平均値で除したものを正規化積分値と、
   (iii) 各正規化積分値のうち最大のものを正規化最大値と、
   (iv) 各正規化積分値のうち最小のものを正規化最小値と、
   それぞれ定義する場合、
   前記偏差は、前記正規化最大値から前記正規化最小値を減じたものであることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記複数の反射光に基づいて演算される各積分演算値について、
   (i) 各積分演算値の平均を積分平均値と、
   定義する場合、
   前記偏差は、各積分演算値の標準偏差を３倍し、前記積分平均値で除したものであることを特徴とする基板処理装置。
4. 基板処理装置であって、
   (a) 第１基板に対して処理を施す処理部と、
   (b) 前記第１基板の搬送方向から見て前記処理部の上流側に設けられており、前記第１基板で反射された反射光に基づいて前記第１基板を検査する検査部と、
   を備え、
   前記検査部は、
   (b-1) 光源から供給された光を、前記検査部内の第２基板に向けて照射する照射部と、
   (b-2) 前記第２基板で反射された反射光を受光する受光部と、
   (b-3) 前記受光部で受光された反射光について、各波長に対応するスペクトル強度を計測することにより反射光スペクトルを取得する分光器と、
   (b-4) 前記分光器により取得された前記反射光スペクトルを、波長について積分する積分演算部と、
   (b-5) 前記積分演算部で演算された積分演算値に基づいて、前記光源の発光状況を判定する判定部と、
   を有し、
   前記判定部は、同一の前記第２基板で反射された複数の反射光について、各反射光の前記反射光スペクトルから演算される各積分演算値に基づいて前記光源の発光状況を判定し、
   前記第２基板で反射された前記複数の反射光の各積分演算値について、
   (i) 各積分演算値の平均を積分平均値と、
   (ii) 各積分演算値のうち最大となるものを積分最大値と、
   (iii) 各積分演算値の最小となるものを積分最小値と、
   それぞれ定義する場合、
   前記判定部は、前記積分最大値を前記積分平均値で除したもの、および前記積分最小値を前記積分平均値で除したもの、のそれぞれが許容範囲内となる場合に、前記光源の発光状況が良好であると判定することを特徴とする基板処理装置。
5. 基板処理装置であって、
   (a) 第１基板に対して処理を施す処理部と、
   (b) 前記第１基板の搬送方向から見て前記処理部の上流側に設けられており、前記第１基板で反射された反射光に基づいて前記第１基板を検査する検査部と、
   を備え、
   前記検査部は、
   (b-1) 光源から供給された光を、前記検査部内の第２基板に向けて照射する照射部と、
   (b-2) 前記第２基板で反射された反射光を受光する受光部と、
   (b-3) 前記受光部で受光された反射光について、各波長に対応するスペクトル強度を計測することにより反射光スペクトルを取得する分光器と、
   (b-4) 前記分光器により取得された前記反射光スペクトルを、波長について積分する積分演算部と、
   (b-5) 前記積分演算部で演算された積分演算値に基づいて、前記光源の発光状況を判定する判定部と、
   を有し、
   前記判定部は、同一の前記第２基板で反射された複数の反射光について、各反射光の前記反射光スペクトルから演算される各積分演算値に基づいて前記光源の発光状況を判定し、
   前記第２基板で反射された前記複数の反射光の各積分演算値について、
   (i) 各積分演算値のうち最大となるものを積分最大値と、
   (ii) 各積分演算値の最小となるものを積分最小値と、
   それぞれ定義する場合、
   前記判定部は、前記積分最大値に対する前記積分最小値の比率が許容範囲内となる場合に、前記光源の発光状況が良好であると判定することを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記第２基板は、前記搬送方向から見て前記検査部の上流側から搬送され、前記検査部内に搬入されることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記第２基板は、前記検査部内に固定されていることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項７に記載の基板処理装置において、
   前記検査部は、前記搬送方向から見て前記検査部の上流側から搬送され、前記検査部内に搬入される前記第１基板を支持する複数の支持ピン、
   をさらに備え、
   前記第２基板は、前記複数の支持ピンにより囲まれる囲繞領域内に固定されていることを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記第２基板は、ベアウエハであることを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記積分演算部は、前記反射光スペクトルのうち、一部の波長範囲のスペクトルに基づいて、積分演算値を演算することを特徴とする基板処理装置。

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