JP5231769B2 - 電鋳型、電鋳型の製造方法、時計用部品、および時計 - Google Patents

Description

本発明は電鋳に関し、電鋳型、電鋳型の製造方法、およびその電鋳型で電鋳された時計用部品に関する。

時計用部品である小型歯車等は、プレス加工や切削加工により製造されている（例えば、特許文献１参照。）。また、特に機械式時計においては、機械式時計の脱進調速機のガンギ車用の歯車としても、小型歯車が用いられており、より高い精度の加工が求められている。

また、小型歯車を製造する方法としては以上の他に、基材として単結晶のシリコンウエハを用いフォトリソグラフィの技術を使用する方法（例えば、特許文献２参照。）、合成樹脂を射出成形する方法（例えば、特許文献３参照。）、電鋳によって製造する方法（例えば、特許文献４参照。）が知られている。
特開２００３−１９４９６４号公報（第３頁、図２） 特開２００２−２７６７７１号公報（第８〜第９頁、図６） 特開平６−１２３７８３号公報（第３〜第４頁、図３） 特開２００６−６４５７５号公報（第３〜第６頁、図４、５）

しかしながら、特許文献１に記載された技術では、プレス抜きした基材を重ねて歯割加工を行った後、一枚ずつ歯先円を基準として中心穴抜き加工を行うため、基材の歯先円径のばらつきによって、それぞれの基材の中心穴位置が偏心するという精度低下の問題がある。

特許文献２に記載された技術では、フォトリソグラフィの技術を使用することで寸法精度のよい歯車が得られる。しかし、基材の単結晶のシリコンウエハは異方性結晶であり、へき開する結晶面を持つために割れやすい。割れないような強度を確保するためには基材を厚くする必要があるので、薄い歯車は作れないという問題点がある。

特許文献３に記載された技術では、射出成形時における合成樹脂の収縮のため高精度な歯車を成形することは困難である。また、十分な強度が得られないため薄い歯車は作れないという問題がある。

特許文献４に記載された技術では、フォトリソグラフィの技術を使用することで高い寸法精度の歯車が得られる。さらに、硬い材料単体で形成される歯車の軸孔に軸を打ち込む際に、歯車が割れることを防止するために歯車側に応力緩和構造を備えている。しかしながら、この応力緩和構造を備えているために軸との締結力が弱められ、円周方向の静摩擦トルクが小さくなる。また、軸の打ち込み時に応力緩和構造部が変形してしまうと、回り止めを備えてはいるものの、変形により生じた隙間分だけは滑って回転してしまうという問題もある。また、相手部品との接触面が基準に対して３°〜６°程度の傾斜を持っているため、相手部品との接触が線接触ではなく点接触となり、応力が集中して摩耗しやすいという問題点がある。

そこで、本発明の目的は、強度があって摩耗しにくく寸法精度が高い円筒状部品を電鋳によって製造するための電鋳型とその製造方法、およびその電鋳型を用いて製造された円筒状の時計用部品を提供することにある。

本発明は、上記課題を解決するために下記の手段を講じた。

第１の発明に係る電鋳型は、軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型であって、導電体と、前記導電体の一方の表面に形成され、逆円錐台状の第１の中心部と、該第１の中心部を囲む円筒状の第１の内面が形成された第１の外枠とを有する第１のフォトレジスト層と、を備えることを特徴とする。

この第１の発明の電鋳型によると、テーパー状の軸孔形状を有する第１の金属材料による円筒状部品と、テーパー状の軸孔の大径側につながる同じくテーパー状の軸孔形状を有する第２の金属材料による円筒状部品とが、同心で一体化された円筒状部品を電鋳により作製することができる。金属材料による円筒状部品が作製できるため、シリコンウエハのようなへき開といった現象が発生せず、薄くても割れにくい高強度の部品を作製することができる。また、電鋳では、射出成形のような高温下での工程がないため、温度変化に伴う金属材料の膨張・収縮が殆どなく、高精度の円筒状部品を作製することができる。

また、この第１の発明の電鋳型を用いて電鋳する際に、小径部となるテーパー状の軸孔形状を有する第１の金属材料として、大径部となるテーパー状の軸孔形状を有する第２の金属材料よりも硬度が低い金属材料を析出させることにより、軸との締結力が強い円筒状部品を作製することができる。すなわち、軸孔の小径部を有する硬度の低い材料に締まり嵌めで軸を打ち込むことにより、材料の柔らかさが変形を吸収してくれるため、一体物でありながらも硬度の高い他の金属材料は割れなどの影響を受けることのない円筒状部品を作製することができる。

また、第２の発明に係る電鋳型は、第１の発明に加え、前記第１のフォトレジスト層の前記導電体とは反対側の表面に形成され、前記第１の中心部と同心でその大径側の外径と小径側の外径がほぼ同径の逆円錐台状の第２の中心部と、該第２の中心部を囲む円筒状の第２の内面が形成された第２の外枠とを有する第２のフォトレジスト層をさらに備えることを特徴とする。

この第２の発明に係る電鋳型によると、第１の発明の電鋳型に加え、電鋳型を作製する際に異なる種類のフォトレジストを組み合わせることができるため、電鋳型の作製方法の幅を広げることができる。

また、第３の発明に係る電鋳型は、第１の発明に加え、前記第１のフォトレジスト層の前記導電体とは反対側の表面に形成され、前記第１の中心部と同心でその大径側の外径とほぼ同径の円筒状の第２の中心部と、該第２の中心部を囲む円筒状の第２の内面が形成された第２の外枠とを有する第２のフォトレジスト層をさらに備えることを特徴とする。

この第３の発明に係る電鋳型によると、第１の発明の電鋳型に加え、第２の金属材料の軸孔が円筒状である円筒状部品を電鋳により製作することができる。従って、第２の金属材料の軸孔がテーパー状であるときよりも安定して軸を打ち込むことができる。

また、第４の発明に係る電鋳型は、軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型であって、導電体と、前記導電体の一方の表面に形成され、円錐台状の第１の中心部と、該第１の中心部を囲む円筒状の第１の内面が形成された第１の外枠とを有する第１のフォトレジスト層と、を備えることを特徴とする。

この第４の発明の電鋳型によると、テーパー状の軸孔形状を有する第１の金属材料による円筒状部品と、テーパー状の軸孔の大径側につながる同じくテーパー状の軸孔形状を有する第２の金属材料による円筒状部品とが、同心で一体化された円筒状部品を電鋳により作製することができる。金属材料による円筒状部品が作製できるため、シリコンウエハのようなへき開といった現象が発生せず、薄くても割れにくい高強度の部品を作製することができる。また、電鋳では、射出成形のような高温下での工程がないため、温度変化に伴う金属材料の膨張・収縮が殆どなく、高精度の円筒状部品を作製することができる。

また、この第４の発明の電鋳型を用いて電鋳する際に、小径部となるテーパー状の軸孔形状を有する第１の金属材料として、大径部となるテーパー状の軸孔形状を有する第２の金属材料よりも硬度が低い金属材料を析出させることにより、軸との締結力が強い円筒状部品を作製することができる。すなわち、軸孔の小径部を有する硬度の低い材料に締まり嵌めで軸を打ち込むことにより、材料の柔らかさが変形を吸収してくれるため、一体物でありながらも硬度の高い他の金属材料は割れなどの影響を受けることのない円筒状部品を作製することができる。

また、第５の発明に係る電鋳型は、第４の発明に加え、前記第１のフォトレジスト層の前記導電体とは反対側の表面に形成され、前記第１の中心部と同心でその小径側の外径と大径側の外径がほぼ同径の円錐台状の第２の中心部と、該第２の中心部を囲む円筒状の第２の内面が形成された第２の外枠とを有する第２のフォトレジスト層をさらに備えることを特徴とする。

この第５の発明に係る電鋳型によると、第４の発明に加え、電鋳型を作製する際に異なる種類のフォトレジストを組み合わせることができるため、電鋳型の作製方法の幅を広げることができる。

また、第６の発明に係る電鋳型は、軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型であって、導電体と、前記導電体の一方の表面に形成され、円筒状の第１の中心部と、該第１の中心部を囲む円筒状の第１の内面が形成された第１の外枠とを有する第１のフォトレジスト層と、前記第１のフォトレジスト層の前記導電体とは反対側の表面に形成され、前記第１の中心部と同心でその外径と大径側の外径がほぼ同径の円錐台状の第２の中心部と、該第２の中心部を囲む円筒状の第２の内面が形成された第２の外枠とを有する第２のフォトレジスト層と、を備えることを特徴とする。

この第６の発明の電鋳型によると、テーパー状の軸孔形状を有する第１の金属材料による円筒状部品と、テーパー状の軸孔の大径側につながる円筒状の軸孔形状を有する第２の金属材料による円筒状部品とが、同心で一体化された円筒状部品を電鋳により作製することができる。金属材料による円筒状部品が作製できるため、シリコンウエハのようなへき開といった現象が発生せず、薄くても割れにくい高強度の部品を作製することができる。また、電鋳では、射出成形のような高温下での工程がないため、温度変化に伴う金属材料の膨張・収縮が殆どなく、高精度の円筒状部品を作製することができる。

また、この第６の発明の電鋳型を用いて電鋳する際に、小径部となるテーパー状の軸孔形状を有する第１の金属材料として、大径部となる円筒状の軸孔形状を有する第２の金属材料よりも硬度が低い金属材料を析出させることにより、軸との締結力が強い円筒状部品を作製することができる。すなわち、軸孔の小径部を有する硬度の低い材料に締まり嵌めで軸を打ち込むことにより、材料の柔らかさが変形を吸収してくれるため、一体物でありながらも硬度の高い他の金属材料は割れなどの影響を受けることのない円筒状部品を作製することができる。さらに、第２の金属材料の軸孔がテーパー状であるときよりも安定して軸を打ち込むことができる。

また、第７の発明に係る電鋳型は、第１または第４の発明に加え、前記第１の中心部の前記導電体とは反対側の表面に同心に形成され、前記第１の中心部の外径より外径が大きい吸収体をさらに備えることを特徴とする。

この第７の発明に係る電鋳型によると、第１または第４の発明に加え、電鋳型製造時の露光工程において、前記吸収体を透過した紫外光はこの吸収体でエネルギーを吸収され、逆円錐台状あるいは円錐台状の構造を形成することができる。また、吸収体を取り除かないことで、工程を省略することができるため、コストを削減することができる。

また、第８の発明に係る電鋳型は、第２、５、６の発明の電鋳型に加え、前記第２の中心部の前記第１の中心部とは反対側の表面に同心に形成され、前記第２の中心部の外径より外径が大きい吸収体をさらに備えることを特徴とする。

この第８の発明に係る電鋳型によると、第２、５、６の発明に加え、電鋳型製造時の露光工程において、前記吸収体を透過した紫外光はこの吸収体でエネルギーを吸収され、逆円錐台状あるいは円錐台状の構造を形成することができる。また、吸収体を取り除かないことで、工程を省略することができるため、コストを削減することができる。

また、第９の発明に係る電鋳型は、第３の発明に加え、前記第１の中心部と前記第２の中心部との間に同心に形成され、前記第１の中心部の外径より外径が大きい吸収体をさらに備えることを特徴とする。

この第９の発明に係る電鋳型によると、第３の発明に加え、電鋳型製造時の露光工程において、前記吸収体を透過した紫外光はこの吸収体でエネルギーを吸収され、逆円錐台状の構造を形成することができる。また、吸収体を取り除かないことで、工程を省略することができるため、コストを削減することができる。

また、第１０の発明に係る電鋳型は、第２，３，５，６，８，９の発明に加え、前記第１の外枠と前記第２の外枠との間に、円形の穴の開いた金属膜をさらに備え、前記第１の内面の直径よりも前記第２の内面の直径の方が大きく、かつ、前記金属膜の円形の穴の直径が前記第１の内面の直径と前記第２の内面の直径との中間の大きさであることを特徴とする。

この第１０の発明に係る電鋳型によると、第２，３，５，６，８，９の発明に加え、第１の内面の直径よりも前記第２の内面の直径の方が大きく、かつ、前記金属膜の円形の穴の直径が前記第１の内面の直径と前記第２の内面の直径との中間の大きさであることにより、第１の内面の直径よりも前記第２の内面の直径の方が大きい電鋳型を用いて、電鋳を行う場合に電場が一箇所に集中せずうまく電鋳することができる。

また、第１１の発明に係る電鋳型は、第７乃至第９の発明に加え、前記吸収体は、紫外光が透過可能な厚さの金属薄膜であることを特徴とする。

この第１１の発明に係る電鋳型によると、第７乃至第９の発明に加え、前記吸収体が、紫外光が透過可能な厚さの金属薄膜であることにより、電鋳型製造時の露光工程において、前記金属薄膜を透過した紫外光は前記金属薄膜でエネルギーを吸収され、逆円錐台状あるいは円錐台状の構造を形成することができる。

この第１２の発明に係る電鋳型は、第７乃至第９の発明に加え、前記吸収体は、フォトレジストであることを特徴とする。

この第１２の発明に係る電鋳型によると、第７乃至第９の発明に加え、前記吸収体が、フォトレジストであることにより、電鋳型製造時の露光工程において、前記フォトレジストを透過した紫外光は前記フォトレジストでエネルギーを吸収され、逆円錐台状あるいは円錐台状の構造を形成することができる。

また、第１３の発明に係る電鋳型は、第１乃至第１２の発明に加え、前記第１のフォトレジスト層は、紫外光の波長領域における吸収係数が約４０００ｍ^-1であることを特徴とする。

この第１３の発明に係る電鋳型によると、第１乃至第１２の発明に加え、前記第１のフォトレジストの吸収係数が約４０００ｍ^-1であることにより、紫外光がフォトレジストに吸収されづらく、外枠の内面を基板に対して略垂直とすることができる。

また、第１４の発明に係る電鋳型は、第２、３、５、６、８、９、１０の発明に加え、前記第２のフォトレジスト層は、紫外光の波長領域における吸収係数が約４０００ｍ^-1であることを特徴とする。

この第１４の発明に係る電鋳型によると、第２、３、５、６、８、９、１０の発明に加え、前記第２のフォトレジストの吸収係数が約４０００ｍ^-1であることにより、紫外光がフォトレジストに吸収されづらく、外枠の内面を基板に対して略垂直とすることができる。

また、第１５の発明に係る電鋳型の製造方法は、軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型の製造方法であって、導電体の一方の表面に第１のフォトレジスト層を形成する第１フォトレジスト層形成工程と、前記第１のフォトレジスト層の上面に環状の吸収体を形成する環状吸収体形成工程と、前記環状の吸収体の外径より小さく内径より大きい内径を有するとともに、前記環状の吸収体の外径より大きい外径を有する環状マスクパターンを、前記第１のフォトレジスト層の上方に前記環状の吸収体と略同心に配置する環状マスクパターン配置工程と、配置された前記環状マスクパターンを介して、前記第１のフォトレジスト層を不溶部と可溶部に区分するフォトレジスト層露光工程と、を有することを特徴とする。

また、第１６の発明に係る電鋳型の製造方法は、軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型の製造方法であって、導電体の一方の表面に第１のフォトレジスト層を形成する第１フォトレジスト層形成工程と、前記第１のフォトレジスト層の上面に第２のフォトレジスト層を形成する第２フォトレジスト層形成工程と、前記第２のフォトレジスト層の上面に環状の吸収体を形成する環状吸収体形成工程と、前記環状の吸収体の外径より小さく内径より大きい内径を有するとともに、前記環状の吸収体の外径より大きい外径を有する環状マスクパターンを、前記第２のフォトレジスト層の情報に前記環状吸収体と略同心に配置する環状マスクパターン配置工程と、配置された前記環状マスクパターンを介して、前記第２のフォトレジスト層及び前記第１のフォトレジスト層をそれぞれ不溶部と可溶部に区分するフォトレジスト層露光工程と、を有することを特徴とする。

また、第１７の発明に係る電鋳型の製造方法は、軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型の製造方法であって、導電体の一方の表面に第１のフォトレジスト層を形成する第１フォトレジスト層形成工程と、前記第１のフォトレジスト層の上面に環状の吸収体を形成する環状吸収体形成工程と、前記環状吸収体形成工程で形成された環状の吸収体と前記第１のフォトレジスト層の上面に、第２のフォトレジスト層を形成する第２フォトレジスト層形成工程と、前記環状の吸収体の外径より小さく内径より大きい内径を有するとともに、前記環状の吸収体の外径より大きい外径を有する環状マスクパターンを、前記第２のフォトレジスト層の上方に前記環状の吸収体と略同心に配置する環状マスクパターン配置工程と、配置された前記環状マスクパターンを介して、前記第２のフォトレジスト層及び前記第１のフォトレジスト層をそれぞれ不溶部と可溶部に区分するフォトレジスト層露光工程と、を有することを特徴とする。

これらの第１５〜第１７の電鋳型の製造方法によると、フォトリソグラフィ法を用いて電鋳型を製造するため、精度の良い本発明の電鋳型を製造することができる。また、軸孔と外枠とを１回の露光工程で形成するため、軸孔と外枠が偏心せず同心となる。

また、第１８の発明に係る電鋳型の製造方法は、第１５乃至第１７の発明に加え、前記吸収体は、紫外光が透過可能な厚さの金属薄膜であることを特徴とする。

また、第１９の発明に係る電鋳型の製造方法は、第１５乃至第１７の発明に加え、前記吸収体は、フォトレジストであることを特徴とする。

また、第２０の発明に係る電鋳型の製造方法は、第１５乃至第１９の発明に加え、前記第１のフォトレジスト層は、紫外光の波長領域における吸収係数が約４０００ｍ^-1であることを特徴とする。

また、第２０の発明に係る電鋳型の製造方法は、第１５乃至第１９の発明に加え、前記第２のフォトレジスト層は、紫外光の波長領域における吸収係数が約４０００ｍ^-1であることを特徴とする。

また、第２２の発明に係る円筒状の時計用部品は、電鋳型により電鋳され、軸方向に複数の材料により一体で構成されるとともに貫通する軸孔を有する円筒状の時計用部品であって、前記複数の材料は、互いに硬度が異なる金属材料であり、硬度の高い金属材料よりも硬度の低い金属材料の方が、前記軸孔の内径が小さいことを特徴とする。

この第２２の発明によれば、時計用部品を電鋳で製造することにより、金属材料を用いるため、薄くても強度のある時計用部品が得られる。また、二層構造でやわらかい材料でできた第１層目の軸孔径が、硬い材料でできた第２層目の軸孔径よりも小さいことにより、やわらかい材料のみが軸に接するため、軸の打ち込みによる応力を緩和することができる。さらには、応力緩和のための構造を有していないため、軸との締結力も十分に得られる。

また、第２３の発明に係る時計用部品は、上記いずれかの発明の時計用部品に加え、外周面が中心軸と略平行であることを特徴とする。

この第２３の発明の時計用部品によれば、外周面が中心軸と略平行であることにより、応力が摺動面の一部に集中しづらくなり、耐摩耗性が向上する。

また、第２４の発明に係る時計用部品では、上記いずれかの発明の時計用部品に加え、硬度の高い金属材料として、ＮｉＣｏ及び／またはＮｉＷを含有していることを特徴とする。

この第２４の発明の時計用部品によれば、第２層目の電鋳物（金属）にＮｉＣｏやＮｉＷ等の硬い材料が含まれていることにより、時計用部品としての硬度が高くなり、耐摩耗性が向上する。

また、第２５の発明に係る時計は、第２２乃至第２４の発明に係る時計用部品を備えていることを特徴とする。

本願発明の電鋳型は、中心部が逆円錐台状となっているため、硬度の異なる複数の金属材料で電鋳することにより、硬度の低い金属材料でのみ軸に接する一体の円筒状部品を製造することができる。

したがって、軸の打ち込みによる応力を緩和しつつ、軸との締結力を十分に備えた時計用部品を製造することができる。

また、硬度の高い金属材料の層もあるため、時計用部品としての硬度および耐摩耗性の高い部品が得られる。

上記発明を実施するための最良の形態について、以下図面を参照して詳細に説明する。

（実施の形態１）
本発明に係る第１の実施形態について図１乃至図６に基づいて説明する。図１は、本実施形態に係る電鋳型の例を示す図、図２及び図３は、本実施形態に係る電鋳型の製造方法の例を示す図、図４は、本実施形態に係る電鋳型を用いて作製される円筒状部品の例を示す図、図５及び図６は、図４に示す円筒状部品を本実施形態に係る電鋳型を用いて作製する方法の例を示す図である。

まず図１に基づき、本実施形態に係る電鋳型の例について説明する。図１（ａ）は、本実施形態に係る電鋳型の例の断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の電鋳型を上方から見た平面図である。この例で示す電鋳型は、軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型である。

図１（ａ）に示すように、電鋳型５０は、基板１００を備え、基板１００の上側表面全面に導電体の金属膜である底部導電膜２００が形成されている。底部導電膜２００の基板１００とは反対側の表面には、逆円錐台状の第１の中心部３０１ａと、この第１の中心部３０１ａの周囲を囲むように第１の外枠３０１ｂとからなる、第１フォトレジスト層３０１が形成されている。さらに、この第１フォトレジスト層３０１の底部導電膜２００とは反対側の表面には、第１の中心部の大径側の外径より外径が大きく内径が小さい環状のフォトレジスト（吸収体）５１０が、図１（ｂ）にも示すように第１の中心部３０１ａに同心状に配置されている。

基板１００は絶縁材料からなり、この例ではガラスを用いているが、後述する他の材料でも良い。基板１００の厚さは、この例では１ｍｍであるが、電鋳型５０の強度が確保できる厚さで材料に応じて適宜決定する。基板１００の平面形状は、図１（ｂ）の平面図からもわかるように略正方形としたが、これに限定されるものではなく、円形や長方形、多角形のいずれでも良い。

底部導電膜２００は、電鋳工程において電鋳物となる円筒状部品を構成する金属を析出させるための金属膜であり、この例では金（Ａｕ）を用いているが、後述する他の材料でも良い。底部導電膜２００の厚さは、この例では２５０ｎｍであるが、後述する電鋳工程において電気的な導通が取れる厚さであれば良い。

第１フォトレジスト層３０１は、この例ではネガ型のフォトレジストであり、紫外光の波長領域における吸収係数が約４０００ｍ^-1であるものが好ましいが、後述する他の材料でも良い。第１フォトレジスト層３０１の厚さは、電鋳される円筒状部品の厚さによって決定されるが、この例では１ｍｍとしてある。この第１フォトレジスト層３０１の第１の外枠３０１ｂの円筒状の内面５１は、電鋳される円筒状部品の外形を規定する部分であるが、底部導電膜２００に対してほぼ直角に形成され、円筒状部品の中心軸Ｏ（円筒状部品の軸孔の中心軸Ｏ、第１の中心部３０１ａの中心軸Ｏ）に対してほぼ平行に形成されている。ここで、「ほぼ」とは角度差にして±３°以下のことである。外枠３０１ｂの円筒状内面５１の中心にある第１の中心部３０１ａは、電鋳される円筒状部品の軸孔の一方が小径のテーパー状に形成されるように、逆円錐台形状となっている。

第１の中心部３０１ａの底部導電膜２００とは反対側の表面に環状のフォトレジスト５１０が配置されている。この環状のフォトレジスト５１０は、この例ではネガ型のフォトレジストを用いたが、後述する他のフォトレジストでも良い。環状のフォトレジスト５１０の厚さは、この例では１００ｎｍとしたが、第１フォトレジスト層３０１が露光される際に、必要なだけ紫外光のエネルギーを吸収できる厚さであれば良い。

尚、上記実施例の電鋳型５０では、絶縁材料からなる基板１００と導電体としての底部導電膜２００とを組み合わせる構成とし、底部導電膜２００の表面が露出している部分を必要最低限の範囲とし、電鋳時に不要な箇所に電鋳物となる金属成分が析出しないように考慮している。しかしながら、例えば電鋳物作製の都度、電鋳型も作製するような場合には、絶縁性の基板１００と底部導電膜２００とを組み合わせるよりも、予め強度のある一体物の導電体を用いて電鋳型を作製する方が、電鋳物作製上効率的な場合もある。

次に、上述した電鋳型５０を作製する製造方法の例について図２及び図３を用いて詳細に説明する。

図２は本発明に係る電鋳型５０の製造方法を工程順に説明する図である。ただし、図２は断面形状を理解しやすくするために大きさを極端に大きく誇張して示した。

図２（ａ）は基板上への底部導電膜形成工程と第１フォトレジスト層形成工程を示す断面図である。図２(ａ)において、基板１００の上面に底部導電膜２００を形成し、次に底部導電膜２００の上面に第１フォトレジスト層３００を形成する。

基板１００の厚さは１００μｍから１０ｍｍ程度であり、後述する電鋳工程や研磨工程などにおいて電鋳型の強度が保てる厚さであればよい。底部導電膜２００の厚さは５ｎｍから１０μｍ程度であり、後述する電鋳工程において導通が取れる厚さであればよい。第１フォトレジスト層３００の厚さは作製する電鋳物の厚さとほぼ同じである。基板１００の材料は、ガラスやシリコンなどのシリコンプロセスで一般的に用いられる材料や、ステンレスやアルミニウムなどの金属材料を用いる。また、底部導電膜２００の材料は金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）などであり、底部導電膜２００と基板１００の間に底部導電膜２００の密着力を強くするためのアンカーメタル（図示しない）としてクロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）などを形成しても良い。なお、基板１００の材料が導電性材料の場合、底部導電膜２００は、必ずしも必要ではない。

第１フォトレジスト層３００には、例えば、ネガ型のフォトレジストを用いる。また、第１フォトレジスト層３００は、化学増幅型のフォトレジストでも良い。特に、高アスペクト比の構造を作製する場合には、第１フォトレジスト層３００は、エポキシ系の樹脂をベースとする化学増幅型のフォトレジストを用いるのが望ましい。さらに、前記外枠の内面５１を中心軸Ｏと略平行にするためには透過率の高い、つまり吸収係数の低いフォトレジストを使用する必要がある。第１フォトレジスト層３００の露光に用いる紫外光の波長領域で、第１フォトレジスト層３００の吸収係数が４０００ｍ^-1程度であることが望ましく、このとき基板１００と円筒状の第１の内面５１ａの角度は±３°以下となる。電鋳型の円筒状の内面５１を中心軸Ｏと略平行にすることで、電鋳物の外周面が中心軸Ｏと略平行となり、応力が外周面に均等にかかるため、電鋳物の耐摩耗性を向上することができる。第１フォトレジスト層３００の形成方法は、スピンコート、ディップコート、スプレーコートや、シート状のフォトレジストフィルムを基板に貼り付けても良い。また、シート状のフォトレジストフィルムを複数枚重ね合わせて所望の厚さの第１フォトレジスト層３００としても良い。

図２（ｂ）は前記第１フォトレジスト層３００の上面に環状のフォトレジスト５１０を形成する環状フォトレジスト形成工程を示す断面図である。また、図３は図２（ｂ）の平面図である。図２（ｂ）および図３に示すように、第１フォトレジスト層３００の上面にフォトレジストを所定形状となるように形成する。

環状のフォトレジスト５１０の形成方法としては、例えば、メタルマスクを用いスプレーコートで形成するものがある。フォトレジスト層はネガ型、ポジ型いずれを用いても良い。

図２（ｃ）は前記第１フォトレジスト層３００および環状のフォトレジスト５１０の上方に配置したマスクパターン７００を介して露光することにより第１フォトレジスト層３００を不溶部３０１と可溶部３０２とに区分けする第１フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。図２（ｃ）に示すように、まず、マスクパターン７００の穴１２００が環状のフォトレジスト５１０とほぼ同心となるように位置あわせする。そして、マスクパターン７００を配置した後、紫外光８００を照射して露光を行い不溶部３０１と可溶部３０２とを形成する。このとき、環状のフォトレジスト５１０を透過した紫外光８００はエネルギーを失い、十分に露光されないため第１フォトレジスト層の不溶部３０１ａは逆円錐台状となる。

図２（ｄ）は前記第１フォトレジスト層３００を現像して、第１フォトレジスト層３００の可溶部３０２を除去する可溶部除去工程を示す断面図である。この図に示すように、前記第１フォトレジスト層３００に対して現像を行い可溶部３０２を除去する。現像は、第１フォトレジスト層３００を有する基板１００を現像液中に漬けて行う。

以上の工程によって、基板１００上に形成された底部導電膜２００と、底部導電膜２００の基板１００に接する面の反対の面に形成され、厚み方向に貫通孔を有する第１フォトレジスト層３００と、第１フォトレジスト層３００の第１の底部導電膜２００に接する面の反対の面の一部に形成された環状のフォトレジスト５１０を有する電鋳型５０が得られる。

続いて、本実施形態に係る時計用部品１１について図面に基づいて説明する。図４は時計用部品１１の平面図及び断面図である。

図４（ａ）は時計用部品１１の平面図であり、図４（ｂ）は時計用部品１１を図４（ａ）の線ＡＡで切った断面図である。時計用部品１１は後述するように電鋳によって製造され、１層目１１ａと２層目１１ｂとからなっており、時計用部品１１の中心には軸孔が開いている。時計用部品１１の外周面１１ｄは中心軸Ｏと略平行となっており、時計用部品１１の１層目１１ａと２層目１１ｂの歯先円１１ｃの径は同じ大きさである。また、２層目の軸孔１１ｅの径よりも１層目の軸孔１１ｆの径のほうが小さくなっており、１層目の軸孔１１ｆおよび２層目の軸孔１１ｅは逆円錐台状になっている。

図５は、上記製造方法により製造された電鋳型５０を用いて時計用部品１１を形成する際の電鋳方法を説明する断面図である。

図５に示すように、電鋳槽２０には電鋳液２１が満たされており、電鋳液２１に電鋳型５０と電極２２が浸されている。電鋳液２１は、析出させる金属によって異なるが、たとえば、ニッケル（Ｎｉ）を析出させる場合、スルファミン酸ニッケル水和塩を含む水溶液を使用する。また、電極２２の材料は、析出させたい金属とほぼ同一の材料であり、ニッケルを析出させる場合は、ニッケルとし、ニッケル板や、チタンバスケットにニッケルボールを入れたものを電極２２として用いる。

なお、本願発明の製造方法で析出する材料は、ニッケルに限定されるわけではない。銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、スズ（Ｓｎ）等、電鋳可能な材料すべてに適用可能である。電鋳型５０の底部導電膜２００は、電源Ｖに接続されている。電源Ｖの電圧によって、底部導電膜２００を通して電子が供給されることによって、 底部導電膜２００から徐々に金属が析出する。析出した金属は、基板１００の厚さ方向に成長する。

図６は、電鋳型５０を用いて時計用部品１１を製造する工程を説明する図であって、図６（ａ）は底部導電膜２００の上面から１層目の電鋳物（金属）１１１を析出させる初期工程を示す断面図、図６（ｂ）は底部導電膜２００の上面から１層目の電鋳物（金属）１１１を所望の厚さまで析出させた後、１層目の電鋳物（金属）１１１の上面から２層目の電鋳物（金属）１１２を析出させる工程を示す断面図、図６（ｃ）は１層目の電鋳物（金属）１１１の上面から析出させた２層目の電鋳物（金属）１１２が第１フォトレジスト層３００の上面にまで達した状態を示す断面図、図６（ｄ）は電鋳型５０から取り出した時計用部品１１の断面図である。

まず、図６（ａ）に示すように、図５を用いて説明した電鋳方法によって露出した底部導電膜２００の上面から電鋳物（金属）１１１を析出させる。

次に、図６（ｂ）に示すように、所望の厚さまで１層目の電鋳物１１１を析出させる。１層目の電鋳物１１１の厚さは、製造する部品が軸との締結力を十分に確保できる厚さであればよい。その後、１層目の電鋳物１１１と異なる電鋳液２１と電極２２を用いて２層目の電鋳物１１２を析出させる。電鋳物が十分な耐久性および耐摩耗性を確保するために２層目の電鋳物１１２はＮｉＣｏやＮｉＷのような硬い材料にすることが望ましい。

図６（ｃ）に示すように、第１フォトレジスト層の上面まで２層目の電鋳物１１２を析出させる。その後、研磨工程によって電鋳物１１０の厚さを揃える。

なお、電鋳工程において、電鋳物１１０の厚さ制御が可能である場合、研磨工程を行わなくても良い。

次に、図６（ｄ）に示すように、電鋳型５０から電鋳物１１０を取り出して、時計用部品１１を得る。電鋳物１１０の取り出しは、不溶部３０１および不溶部６０１を有機溶剤で溶かしたり、電鋳物１１０に基板１００から分離するような力を加えて物理的に引きはがしたりしてもよい。また、型を再利用しない場合は型を破壊して電鋳物１１０を取り出しても良い。

底部導電膜２００および環状のフォトレジスト５１０が電鋳物１１０に付着している場合、ウエットエッチングや研磨などの方法を用いて除去する。なお、部品の機能上、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０がついていても問題がない場合、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０は、除去しなくても良い。また、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０が部品の機能上必要である場合、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０は除去しない。

（実施の形態２）
本発明に係る第２の実施形態について図７乃至図９に基づいて説明する。なお、この第２の実施形態においては、第１の実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。図７は、本実施形態に係る電鋳型の例を示す図、図８及び図９は、本実施形態に係る電鋳型の製造方法の例を示す図である。

まず図７に基づき、本実施形態に係る電鋳型の例について説明する。図７（ａ）は、本実施形態に係る電鋳型の例の断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の電鋳型を上方から見た平面図である。この例で示す電鋳型は、軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型である。

図７（ａ）に示すように、電鋳型５５は、基板１００を備え、基板１００の上側表面全面に導電体の金属膜である底部導電膜２００が形成されている。また、底部導電膜２００の基板１００とは反対側の表面には、逆円錐台状の第１の中心部３０１ａと、この第１の中心部３０１ａの周囲を囲むように第１の外枠３０１ｂとからなる、第１フォトレジスト層３０１が形成されている。さらに、この第１フォトレジスト層３０１の底部導電膜２００とは反対側の表面には、第１の中心部の大径側の外径より外径が大きく内径が小さい環状の金属薄膜（吸収体）４０１が、図７（ｂ）にも示すように第１の中心部３０１ａに同心状に配置されている。

第１の中心部３０１ａの底部導電膜２００とは反対側の表面に環状の金属薄膜４０１が配置されている。この環状の金属薄膜４０１は、この例ではアルミニウム（Ａｌ）を用いたが、後述する他の金属材料でも良い。環状の金属薄膜４０１の厚さは、この例では５ｎｍとしたが、第１フォトレジスト層３０１が露光される際に、紫外光が透過する厚さであれば良い。

次に、上述した電鋳型５５を作製する製造方法の例について図８及び図９を用いて詳細に説明する。

図８は本発明に係る電鋳型５５の製造方法を工程順に説明する図である。ただし、図８は断面形状を理解しやすくするために大きさを極端に大きく誇張して示した。

図８（ａ）は基板上への底部導電膜形成工程と第１フォトレジスト層形成工程と金属薄膜形成工程を示す断面図である。図８(ａ)において、基板１００の上面に底部導電膜２００を形成し、次に底部導電膜２００の上面に第１フォトレジスト層３００を形成した後、真空蒸着法により、第１フォトレジスト層３００を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で金属を加熱蒸着させて、第１フォトレジスト層３００の上面に、金属薄膜４００を形成する。

金属薄膜４００の厚さは１０ｎｍ以下であり、後述する第１フォトレジスト層３００の露光において紫外光が透過する厚さであればよい。基板１００の材料は、ガラスやシリコンなどのシリコンプロセスで一般的に用いられる材料や、ステンレスやアルミニウムなどの金属材料を用いる。また、底部導電膜２００の材料は金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）などであり、底部導電膜２００と基板１００の間に底部導電膜２００の密着力を強くするためのアンカーメタル（図示しない）としてクロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）などを形成しても良い。

第１フォトレジスト層３００は、後述する金属薄膜パターニング用レジスト５００の現像工程および除去工程における現像液および剥離液に不溶のものを用い、かつ、金属薄膜４００のパターニングに用いるエッチャントに不溶のものを用いる。

金属薄膜４００の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、すず（Ｓｎ）、金（Ａｕ）等が用いられる。

ここで、第１フォトレジスト層３００を感光させない範囲の波長の光とは、第１フォトレジスト層３００として、通常、紫外光の波長のエネルギーに反応するフォトレジスト材料を用いるため、紫外光よりも波長が長い光、例えば、０．４μｍ以上３０μｍ以下の波長の光をいう。０．４μｍ以上としたのは、紫外光の波長は０．４μｍ以下であるからである。また、３０μｍ以下としたのは、金属材料を加熱蒸着して金属薄膜４００を形成する関係上、黒体放射の分光分布から、金属材料を加熱溶融させて３０μｍを超える波長の光を発することは極めてまれであるからである。

第１フォトレジスト層３００を感光させない範囲の波長の光を発する金属材料の加熱温度範囲は金属薄膜４００用の金属材料の真空中での蒸発温度を考慮すると、１７０℃〜２０００℃である。このように上限を２０００℃としたのは、第１フォトレジスト層３００の感光波長である０．４μｍにおいて、金属薄膜４００として使用可能な前記金属材料（前記アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）等の材料）の真空中での蒸発時の温度の最大値から、黒体放射の理論式を基に強度分布を求め、実験確認したためである。実験では、るつぼの材質としてタングステンを用い、るつぼの温度をパイロメータ（高温計）で測定しながら２０００℃まで加熱した場合でも、第１フォトレジスト層３００が露光されることはなく、以後のプロセス流動が可能であったことが確認された。但し、るつぼの材質としてタングステンよりも低温で蒸着可能なモリブデンを用いる場合には、モリブデンが１８００℃で蒸発されてしまうため、それ以下の温度、例えば１７００℃を上限にする必要がある。下限を１７０℃としたのは、金属薄膜４００として使用可能な前記金属材料のうち最も温度が低い条件で蒸発可能な亜鉛（Ｚｎ）を蒸着させる場合を想定したためである。

図８（ｂ）は前記金属薄膜４００の上面に金属薄膜パターニング用レジスト５００を形成するパターニング用レジスト形成工程を示す断面図である。また、図９（ａ）は図８（ｂ）の平面図である。図８（ｂ）および図９（ａ）に示すように、金属薄膜４００の上面に金属薄膜パターニング用レジスト５００を所定形状となるように形成する。

金属薄膜パターニング用レジスト５００の形成方法としては、例えば、フォトレジスト層の形成、露光、現像の各工程を経て形成するものがある。フォトレジスト層はネガ型、ポジ型いずれを用いても良い。フォトレジスト層の形成方法は、スピンコートやディップコートなどの方法を用いてもよい。また、フィルム上のフォトレジストであるドライフィルムレジストをラミネートしても良い。ドライフィルムレジストのラミネート時の温度は、第１フォトレジスト層３００のガラス転移点のいずれか低い方よりも低い温度でラミネートすることが望ましい。

図８（ｃ）は前記金属薄膜パターニング用レジスト５００を介して前記金属薄膜４００をパターニングするパターニング工程およびパターニング工程で残存した前記金属薄膜パターニング用レジスト５００を除去するパターニング用レジスト除去工程を示す断面図である。また、図９（ｂ）に図８（ｃ）の平面図を示す。図８（ｃ）および図９（ｂ）に示すように、パターニング用レジストの形成後、これをエッチングマスクとして、金属薄膜４００をパターニングして環状の金属薄膜４０１を得る。その後、環状の金属薄膜４０１上の金属薄膜パターニング用レジスト５００を除去する。金属薄膜４００のパターニングにおいては、金属薄膜４００の材料に応じたエッチャントを用いてエッチングを行う。また、金属薄膜パターニング用レジスト５００の除去には、剥離液を用いる。剥離液は、アルカリ性、あるいは、酸性の水溶液を用いる。有機溶剤は、第１フォトレジスト層３００を溶かしてしまうため用いない方が良い。

図８（ｄ）は前記第１フォトレジスト層３００および環状の金属薄膜４０１の上方に配置したマスクパターン７００を介して露光することにより第１フォトレジスト層３００を不溶部３０１と可溶部３０２とに区分けする第１フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。図８（ｄ）に示すように、まず、マスクパターン７００の穴１２００が環状の金属薄膜４０１とほぼ同心となるように位置あわせする。そして、マスクパターン７００を配置した後、紫外光８００を照射して露光を行い不溶部３０１と可溶部３０２とを形成する。このとき、環状の金属薄膜４０１を透過した紫外光８００はエネルギーを失い、十分に露光されないため第１フォトレジスト層の不溶部３０１ａは逆円錐台状となる。

図８（ｅ）は前記第１フォトレジスト層３００を現像して、第１フォトレジスト層３００の可溶部３０２を除去する可溶部除去工程を示す断面図である。この図に示すように、前記第１フォトレジスト層３００に対して現像を行い可溶部３０２を除去する。現像は、第１フォトレジスト層３００を有する基板１００を現像液中に漬けて行う。

以上の工程によって、基板１００上に形成された底部導電膜２００と、底部導電膜２００の基板１００に接する面の反対の面に形成され、厚み方向に貫通孔を有する第１フォトレジスト層３００と、第１フォトレジスト層３００の第１の底部導電膜２００に接する面の反対の面の一部に形成された環状の金属薄膜４０１を有する電鋳型５５が得られる。

上記製造方法により製造された電鋳型５５を用いて得られる本実施形態に係る時計用部品については構造および電鋳方法が第１の実施例と同様であるため省略する。

（実施の形態３）
本発明に係る第３の実施形態について図１０乃至図１３に基づいて説明する。なお、この第３の実施形態においては、第１および第２の実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。図１０は、本実施形態に係る電鋳型の例を示す図、図１１は、本実施形態に係る電鋳型の製造方法の例を示す図、図１２は、本実施形態に係る電鋳型を用いて作製される円筒状部品の例を示す図、図１３は、図１２に示す円筒状部品を本実施形態に係る電鋳型を用いて作製する方法の例を示す図である。

まず図１０に基づき、本実施形態に係る電鋳型の例について説明する。図１０（ａ）は、本実施形態に係る電鋳型の例の断面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の電鋳型を上方から見た平面図である。この例で示す電鋳型は、軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型である。

図１０（ａ）に示すように、電鋳型６０は、基板１００を備え、基板１００の上側表面全面に導電体の金属膜である底部導電膜２００が形成されている。底部導電膜２００の基板１００とは反対側の表面には、逆円錐台状の第１の中心部３０１ａと、この第１の中心部３０１ａの周囲を囲むように第１の外枠３０１ｂとからなる、第１フォトレジスト層３０１が形成されている。さらに、この第１フォトレジスト層３０１の底部導電膜２００とは反対側の表面には、第１の中心部３０１ａと同心でその大径側の外径とほぼ同径の円筒状の第２の中心部６０１ａと、この第２の中心部６０１ａの周囲を囲む第２の外枠６０１ｂとからなる、第２フォトレジスト層６０１が形成されている。また、第１の中心部３０１ａと第２の中心部６０１ａとの境界部分には、第２の中心部の外径より外径が大きく内径が小さい環状のフォトレジスト（吸収体）５１０が、図１０（ｂ）にも示すように同心状に配置されている。

第１フォトレジスト層３０１は、この例ではネガ型のフォトレジストであり、紫外光の波長領域における吸収係数が約４０００ｍ^-1であるものが好ましいが、後述する他の材料でも良い。第１フォトレジスト層３０１の厚さは、電鋳される円筒状部品の第１層の厚さによって決定されるが、この例では１ｍｍとしてある。この第１フォトレジスト層３０１の第１の外枠３０１ｂの円筒状の第１の内面５１ａは、電鋳される円筒状部品の第１層の外形を規定する部分であるが、底部導電膜２００に対してほぼ直角に形成され、円筒状部品の中心軸Ｏ（円筒状部品の軸孔の中心軸Ｏ、第１の中心部３０１ａの中心軸Ｏ）に対してほぼ平行に形成されている。ここで、「ほぼ」とは角度差にして±３°以下のことである。外枠３０１ｂの円筒状の第１の内面５１ａの中心にある第１の中心部３０１ａは、電鋳される円筒状部品の軸孔の一方が小径のテーパー状に形成されるように、逆円錐台形状となっている。

第２フォトレジスト層６０１は、この例では第１フォトレジスト層３０１と同じネガ型のフォトレジストを用いているが、第１フォトレジスト層３０１と同様に、紫外光の波長領域における吸収係数が約４０００ｍ^-1であれば、後述する他の材料でも良い。第２フォトレジスト層６０１の厚さは、電鋳される円筒状部品の第２層の厚さによって決定されるが、この例では第１フォトレジスト層３０１と同じく１ｍｍとしてある。この第２フォトレジスト層６０１の第２の外枠６０１ｂの円筒状の第２の内面５１ｂは、電鋳される円筒状部品の第２層の外形を規定する部分であるが、底部導電膜２００に対してほぼ直角に形成され、円筒状部品の中心軸Ｏ（円筒状部品の軸孔の中心軸Ｏ、第１の中心部３０１ａの中心軸Ｏ）に対してほぼ平行に形成されている。さらに、この円筒状の第２の内面５１ｂは、第１フォトレジスト層３０１の第１の内面５１ａとの心ずれがなく構成されている。外枠６０１ｂの円筒状の第２の内面５１ｂの中心にある第２の中心部６０１ｂは、電鋳される円筒状部品の軸孔の他方が円筒状に形成されるように、第１の中心部３０１ａの大径側の外径と同径かつ同心に構成されている。

第１の中心部３０１ａと第２の中心部６０１ａとの境界部分に配置された環状のフォトレジスト５１０は、円筒状の第２の中心部６０１ｂの一部に内径側が入り込む形で構成されている。この環状の金属薄膜４０１は、この例ではアルミニウム（Ａｌ）を用いたが、後述する他の金属材料でも良い。この環状のフォトレジスト５１０は、この例ではネガ型のフォトレジストを用いたが、後述する他のフォトレジストでも良い。環状のフォトレジスト５１０の厚さは、この例では１００ｎｍとしたが、第１フォトレジスト層３０１が露光される際に、必要なだけ紫外光のエネルギーを吸収できる厚さであれば良い。

次に、上述した電鋳型６０を作製する製造方法の例について図１１を用いて詳細に説明する。

図１１は本発明に係る電鋳型６０の製造方法を工程順に説明する図である。ただし、図１１は断面形状を理解しやすくするために大きさを極端に大きく誇張して示した。

図１１（ａ）は基板上への底部導電膜形成工程と第１フォトレジスト層形成工程と金属薄膜形成工程を示す断面図である。第１フォトレジスト層３００の厚さは作製する電鋳物の１層目の厚さとほぼ同じである。したがって、第１フォトレジスト層の厚さは製造する部品が軸との締結力を十分に確保できる厚さであればよい。

図１１（ｂ）は前記第１フォトレジスト層３００の上面に環状のフォトレジスト５１０を形成する環状フォトレジスト形成工程を示す断面図である。

図１１（ｃ）は前記第１フォトレジスト層３００の上面及び環状のフォトレジスト５１０の上面に、第２フォトレジスト６００層を形成する第２フォトレジスト層形成工程を示す断面図である。この図に示すように、環状のフォトレジスト５１０の上面及び第１フォトレジスト層３００の上面に第２フォトレジスト層６００を形成する。

第２フォトレジスト層６００の厚さは、作製する電鋳物の２層目の厚さとほぼ同じである。したがって、第２フォトレジスト層の厚さは製造する部品が十分な耐久性および耐摩耗性を得られる厚さであればよい。第２フォトレジスト層６００は、ネガ型のフォトレジストを用いる。また、第２フォトレジスト層６００は、化学増幅型のフォトレジストでも良い。高アスペクト比の構造を作製する場合、第２フォトレジスト層６００は、エポキシ系の樹脂をベースとする化学増幅型のフォトレジストを用いるのが望ましい。さらに、前記外枠の内壁５１を中心軸Ｏと略平行にするためには透過率の高い、つまり吸収係数の低いフォトレジストを使用する必要がある。第２フォトレジスト層６００の露光に用いる紫外光の波長領域で、第２フォトレジスト層６００の吸収係数が４０００ｍ^-1程度であることが望ましく、このとき基板１００と円筒状の第２の内面５１ｂの角度は±３°以下となる。電鋳型の円筒状の第２の内面５１ｂを中心軸Ｏと略平行にすることで、電鋳物の外周面が中心軸Ｏと略平行となり、応力が外周面に均等にかかるため、電鋳物の耐摩耗性を向上することができる。なお、第２フォトレジスト層６００の材料は、後述する現像工程で同一の現像液で現像できるため、第１フォトレジスト層３００と同じである方が望ましいが、第１フォトレジスト層３００と別の材料であっても良い。第２フォトレジスト層６００の形成方法は、スピンコート、ディップコート、スプレーコートや、シート状のフォトレジストフィルムを第１フォトレジスト層３００および環状のフォトレジスト５１０の上に貼り付けても良い。また、シート状のフォトレジストフィルムを複数枚重ね合わせて所望の厚さの第２フォトレジスト層６００としても良い。第２フォトレジスト層６００が化学増幅型の場合、後述の露光工程後にＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）を行う。

図１１（ｄ）は前記第２フォトレジスト層６００の上方に配置したマスクパターン７００を介して露光することにより第１フォトレジスト層３００および第２フォトレジスト層６００を不溶部３０１および６０１と可溶部３０２および６０２とに区分けする第１フォトレジスト層および第２フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。図２（ｄ）に示すように、まず、マスクパターン７００の穴１２００が環状のフォトレジスト５１０とほぼ同心となるように位置あわせする。より具体的には、環状のフォトレジスト５１０の孔１１００よりも大きい孔１２００のパターンを持つマスクパターン７００を、第２フォトレジスト層の第１フォトレジスト層３００と接する面と反対の面の上方に位置するように配置する。そして、マスクパターン７００を配置した後、紫外光８００を照射して露光を行い不溶部３０１および６０１と可溶部３０２および６０２とを形成する。このとき、環状のフォトレジスト５１０を透過した紫外光８００はエネルギーを失うため、十分に露光されないため第１フォトレジスト層の不溶部３０１ａは逆円錐台状となる。

図１１（ｅ）は前記第１フォトレジスト層３００及び前記第２フォトレジスト層６００を現像して、それら第１フォトレジスト層３００および第２フォトレジスト層６００のそれぞれの可溶部３０２および６０２を除去する可溶部除去工程を示す断面図である。この図に示すように、前記第１フォトレジスト層３００及び前記第２フォトレジスト層６００に対して現像を行い可溶部３０２および６０２を除去する。現像は、第１フォトレジスト層３００および第２フォトレジスト層６００を有する基板１００を現像液中に漬けて行う。

以上の工程によって、基板１００上に形成された底部導電膜２００と、底部導電膜２００の基板１００に接する面の反対の面に形成され、厚み方向に貫通孔を有する第１フォトレジスト層３００と、第１フォトレジスト層３００の第１の底部導電膜２００に接する面の反対の面の一部に形成された環状のフォトレジスト５１０と、環状のフォトレジスト５１０の第１フォトレジスト層３００と接する面の反対の面の一部および第１フォトレジスト層３００の底部導電膜２００に接する面の反対の面の一部に形成され、第１フォトレジスト層３００の上面のうち貫通孔９００の開口面を含む面の上方に貫通孔１０００を有する第２フォトレジスト層を有する電鋳型６０が得られる。

続いて、本実施形態に係る時計用部品１２について図面に基づいて説明する。図１２は時計用部品１２の平面図及び断面図である。

図１２（ａ）は時計用部品１２の平面図であり、図１２（ｂ）は時計用部品１２を図１２（ａ）の線ＡＡで切った断面図である。時計用部品１２は後述するように電鋳によって製造され、１層目１２ａと２層目１２ｂとからなっており、時計用部品１２の中心には軸孔が開いている。時計用部品１２の外周面１２ｄは中心軸Ｏと略平行となっており、時計用部品１２の１層目１２ａと２層目１２ｂの歯先円１２ｃの径は同じ大きさである。また、２層目の軸孔１２ｅの径よりも１層目の軸孔１２ｆの径のほうが小さくなっており、１層目の軸孔１２ｆは逆円錐台状になっている。また、この時計用部品１２を製造するための電鋳型６０には、第１の中心部３０１ａと第２の中心部６０１ａとの境界部分に環状のフォトレジスト５１０が設けられているため、時計用部品１２の軸孔の内面（例えば、２層目１２ｂの軸孔１２ｅの内面）に、環状のフォトレジスト５１０に対応した凹みが形成されている。

図１３は、電鋳型６０を用いて時計用部品１２を製造する工程を説明する図であって、図１３（ａ）は底部導電膜２００の上面から１層目の電鋳物（金属）１２１を析出させる初期工程を示す断面図、図１３（ｂ）は底部導電膜２００の上面から１層目の電鋳物（金属）１２１を第1フォトレジスト層の上面まで析出させた後、１層目の電鋳物（金属）１２１の上面から２層目の 電鋳物（金属）１２２を析出させる工程を示す断面図、図６（ｃ）は１層目の電鋳物（金属）１２１の上面から析出させた２層目の電鋳物（金属）１２２が第２フォトレジスト層６００の上面にまで達した状態を示す断面図、 図１３（ｄ）は電鋳型６０から取り出した時計用部品１２の断面図である。

まず、図１３（ａ）に示すように、図５を用いて説明した電鋳方法によって露出した底部導電膜２００の上面から電鋳物（金属）１２１を析出させる。

次に、図１３（ｂ）に示すように、第１フォトレジスト層の上面まで１層目の電鋳物１２１を析出させる。その後、１層目の電鋳物１２１と異なる電鋳液２１と電極２２を用いて２層目の電鋳物１２２を析出させる。電鋳物が十分な耐久性および耐摩耗性を確保するために２層目の電鋳物１２２はＮｉＣｏやＮｉＷのような硬い材料にすることが望ましい。

図１３（ｃ）に示すように、第２フォトレジスト層の上面まで２層目の電鋳物１２２を析出させる。その後、研磨工程によって電鋳物１２０の厚さを揃える。

なお、電鋳工程において、電鋳物１２０の厚さ制御が可能である場合、研磨工程を行わなくても良い。

次に、図１３（ｄ）に示すように、電鋳型６０から電鋳物１２０を取り出して、時計用部品１２を得る。電鋳物１２０の取り出しは、不溶部３０１および不溶部６０１を有機溶剤で溶かしたり、電鋳物１２０に基板１００から分離するような力を加えて物理的に引きはがしたりしてもよい。また、型を再利用しない場合は型を破壊して電鋳物１２０を取り出しても良い。

底部導電膜２００および環状のフォトレジスト５１０が電鋳物１２０に付着している場合、ウエットエッチングや研磨などの方法を用いて除去する。なお、部品の機能上、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０がついていても問題がない場合、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０１は、除去しなくても良い。また、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０が部品の機能上必要である場合、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０は除去しない。

（実施の形態４）
本発明に係る第４の実施形態について図１４乃至図１５に基づいて説明する。なお、この第４の実施形態においては、第１乃至第３の実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。図１４は、本実施形態に係る電鋳型の例を示す図、図１５は、本実施形態に係る電鋳型の製造方法の例を示す図である。

まず図１４に基づき、本実施形態に係る電鋳型の例について説明する。図１４（ａ）は、本実施形態に係る電鋳型の例の断面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の電鋳型を上方から見た平面図である。この例で示す電鋳型は、軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型である。

図１４（ａ）に示すように、電鋳型６５は、基板１００を備え、基板１００の上側表面全面に導電体の金属膜である底部導電膜２００が形成されている。底部導電膜２００の基板１００とは反対側の表面には、逆円錐台状の第１の中心部３０１ａと、この第１の中心部３０１ａの周囲を囲むように第１の外枠３０１ｂとからなる、第１フォトレジスト層３０１が形成されている。さらに、この第１フォトレジスト層３０１の底部導電膜２００とは反対側の表面には、第１の中心部３０１ａと同心でその大径側の外径とほぼ同径の円筒状の第２の中心部６０１ａと、この第２の中心部６０１ａの周囲を囲む第２の外枠６０１ｂとからなる、第２フォトレジスト層６０１が形成されている。また、第１の中心部３０１ａと第２の中心部６０１ａとの境界部分には、第２の中心部の外径より外径が大きく内径が小さい環状の金属薄膜（吸収体）４０１が、図１４（ｂ）にも示すように同心状に配置されている。

図１５は本発明に係る電鋳型６５の製造方法を工程順に説明する図である。ただし、図１５は断面形状を理解しやすくするために大きさを極端に大きく誇張して示した。

図１５（ａ）は基板上への底部導電膜形成工程と第１フォトレジスト層形成工程と金属薄膜形成工程を示す断面図である。図１５(ａ)において、基板１００の上面に底部導電膜２００を形成し、次に底部導電膜２００の上面に第１フォトレジスト層３００を形成した後、真空蒸着法により、第１フォトレジスト層３００を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で金属を加熱蒸着させて、第１フォトレジスト層３００の上面に、金属薄膜４００を形成する。

図１５（ｂ）は前記金属薄膜４００の上面に金属薄膜パターニング用レジスト５００を形成するパターニング用レジスト形成工程を示す断面図である。金属薄膜４００の上面に金属薄膜パターニング用レジスト５００を所定形状となるように形成する。

図１５（ｃ）は前記金属薄膜パターニング用レジスト５００を介して前記金属薄膜４００をパターニングするパターニング工程およびパターニング工程で残存した前記金属薄膜パターニング用レジスト５００を除去するパターニング用レジスト除去工程を示す断面図である。図１５（ｃ）に示すように、パターニング用レジストの形成後、これをエッチングマスクとして、金属薄膜４００をパターニングして環状の金属薄膜４０１を得る。その後、環状の金属薄膜４０１上の金属薄膜パターニング用レジスト５００を除去する。

図１５（ｄ）はパターニング工程で露出した前記第１フォトレジスト層３００の上面及びパターニング用５レジスト除去工程で露出した環状の金属薄膜４０１の上面に、第２フォトレジスト層６００を形成する第２フォトレジスト層形成工程を示す断面図である。この図に示すように、環状の金属薄膜４０１の上面及び第１フォトレジスト層３００の上面に第２フォトレジスト層６００を形成する。

図１５（ｅ）は前記第２フォトレジスト層６００の上方に配置したマスクパターン７００を介して露光することにより第１フォトレジスト層３００および第２フォトレジスト層６００を不溶部３０１および６０１と可溶部３０２および６０２とに区分けする第１フォトレジスト層および第２フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。図１５（ｅ）に示すように、まず、マスクパターン７００の穴１２００が環状の金属薄膜４０１とほぼ同心となるように位置あわせする。より具体的には、環状の金属薄膜４０１の孔１１００よりも大きい孔１２００のパターンを持つマスクパターン７００を、第２フォトレジスト層の第１フォトレジスト層３００と接する面と反対の面の上方に位置するように配置する。そして、マスクパターン７００を配置した後、紫外光８００を照射して露光を行い不溶部３０１および６０１と可溶部３０２および６０２とを形成する。このとき、環状の金属薄膜４０１を透過した紫外光８００はエネルギーを失うため、十分に露光されないため第１フォトレジスト層の不溶部３０１ａは逆円錐台状となる。

図１５（ｆ）は前記第１フォトレジスト層３００及び前記第２フォトレジスト層６００を現像して、それら第１フォトレジスト層３００および第２フォトレジスト層６００のそれぞれの可溶部３０２および６０２を除去する可溶部除去工程を示す断面図である。この図に示すように、前記第１フォトレジスト層３００及び前記第２フォトレジスト層６００に対して現像を行い可溶部３０２および６０２を除去する。現像は、第１フォトレジスト層３００および第２フォトレジスト層６００を有する基板１００を現像液中に漬けて行う。

以上の工程によって、基板１００上に形成された底部導電膜２００と、底部導電膜２００の基板１００に接する面の反対の面に形成され、厚み方向に貫通孔を有する第１フォトレジスト層３００と、第１フォトレジスト層３００の第１の底部導電膜２００に接する面の反対の面の一部に形成された金属薄膜４００と、金属薄膜４００の第１フォトレジスト層３００と接する面の反対の面の一部および第１フォトレジスト層３００の底部導電膜２００に接する面の反対の面の一部に形成され、第１フォトレジスト層３００の上面のうち貫通孔９００の開口面を含む面の上方に貫通孔１０００を有する第２フォトレジスト層を有する電鋳型６５が得られる。

上記製造方法により製造された電鋳型６５を用いて得られる本実施形態に係る時計用部品については構造および電鋳方法が第３の実施例と同様であるため省略する。

（実施の形態５）
本発明に係る第５の実施形態について図１６乃至図２０に基づいて説明する。なお、この第５の実施形態においては、第１乃至第４の実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。図１６は、本実施形態に係る電鋳型の例を示す図、図１７及び図１８は、本実施形態に係る電鋳型の製造方法の例を示す図、図１９は、本実施形態に係る電鋳型を用いて作製される円筒状部品の例を示す図、図２０は、図１９に示す円筒状部品を本実施形態に係る電鋳型を用いて作製する方法の例を示す図である。

まず図１６に基づき、本実施形態に係る電鋳型の例について説明する。図１６（ａ）は、本実施形態に係る電鋳型の例の断面図であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）の電鋳型を上方から見た平面図である。この例で示す電鋳型は、軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型である。

図１６（ａ）に示すように、電鋳型７０は、基板１００を備え、基板１００の上側表面全面に導電体の金属膜である底部導電膜２００が形成されている。また、底部導電膜２００の基板１００とは反対側の表面には、逆円錐台状の第１の中心部３０１ａと、この第１の中心部３０１ａの周囲を囲むように第１の外枠３０１ｂとからなる、第１フォトレジスト層３０１が形成されている。さらに、第１の外枠３０１ｂの底部導電膜２００とは反対側の表面には、第１の外枠３０１ｂと同心の円形の穴が開いたアンカーメタル４４１があり、この穴径は第１の外枠３０１ｂの円筒状の内面５１ａの直径よりも大きい。アンカーメタル４４１の第１の外枠３０１ｂとは反対側の表面には、アンカーメタル４４１と同径の電極４５１がある。さらに、第１フォトレジスト層３０１の底部導電膜２００とは反対側の表面には、第１の中心部３０１ａと同心で中心部３０１ａの大径側の外径と同径の小径側の外径を有する逆円錐台状の第２の中心部６０１ａと、電極４５１のアンカーメタル４４１の反対側の表面にある第２の中心部６０１ａの周囲を囲む第２の外枠６０１ｂとからなる第２フォトレジスト層６０１が形成されている。第２の外枠６０１ｂの内面５１ｂの直径は電極４５１の穴径よりも大きい。また、第２の中心部６０１ａの第１の中心部３０１ａと反対の表面には、第２の中心部６０１ａの大径側の外径より外径が大きく内径が小さい環状のフォトレジスト（吸収体）５１０が、図１６（ｂ）にも示すように同心状に配置されている。

第１の外枠３０１ｂと電極４５１との境界部分に配置された円形の穴があいたアンカーメタル４４１は、第１の外枠３０１ｂと電極４５１の密着力を強くするために用いるものであり、この例ではクロム（Ｃｒ）を用いたが、後述する他の材料でも良い。アンカーメタル４４１の厚さは、この例では５ｎｍとしたが、電極４５１と十分に密着する厚さであればよい。アンカーメタル４４１と第２の外枠６０１ｂとの境界部分に配置された円形の穴があいた電極４５１は、電鋳工程において電鋳物となる円筒状部品を構成する金属を析出させるための金属膜であり、この例では金（Ａｕ）を用いたが、後述する他の金属材料でも良い。電極４５１の厚さは、この例では２５０ｎｍとしたが、電鋳工程において電気的な導通が取れる厚さであれば良い。

次に、上述した電鋳型７０を作製する製造方法の例について図１７および図１８を用いて詳細に説明する。

図１７は本実施形態に係る電鋳型７０の製造方法を工程順に説明する図である。ただし、図１７は断面形状を理解しやすくするためにサイズを極端に大きく誇張して示した。

図１７（ａ）は基板上への第１フォトレジスト層形成工程と第１フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。この図に示すように、まず、まず基板１００の上面に底部導電膜２００を形成し、次に底部導電膜２００の上面に第１フォトレジスト層３００を形成した後、可溶部３０２を形成する部分の上方に第１マスクパターン７０１を位置あわせし、紫外光８００を照射して露光を行い、不溶部３０１と可溶部３０２とを形成する。ここで第１フォトレジスト層３００はネガ型フォトレジストを用いている。

図１７（ｂ）は第１フォトレジスト層３００の上面に中間導電膜を形成する中間導電膜形成工程を示す断面図である。図１７（ａ）で説明した工程の後、図１７（ｂ）に示すように、現像を行わずに、真空蒸着法により前記第１フォトレジスト層３００を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で金属材料を加熱蒸着させて、前記第１フォトレジスト層３００の上面に、中間導電膜４５０を形成する。

金属材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、すず（Ｓｎ）、金（Ａｕ）等が用いられる。これら金属材料のうち、クロムやチタンは、上述した他の金属材料のアンカーメタルとして用いてもよい。この場合、クロムやチタンの上にはその他の導電性材料を成膜する。

中間導電膜４５０の厚さは、数ｎｍから数μｍであり、後述する電鋳工程において導通がとれる厚さであればよい。また、アンカーメタル４４１の厚さは、中間導電膜４５０と十分に密着する厚さであればよい。

図１７（ｃ）は前記中間導電膜４５０の上面にパターニング用レジスト５０１を形成するパターニング用レジスト形成工程を示す断面図である。また、図１８（ａ）は図１７（ｃ）の平面図である。図１７（ｃ）および図１８（ａ）に示すように、中間導電膜４５０の上面にパターニング用レジスト５０１を所定形状となるように形成する。

図１７（ｄ）は前記パターニング用レジスト５０１を介して前記金アンカーメタル４４１および中間導電膜４５０をパターニングするパターニング工程およびパターニング工程で残存した前記パターニング用レジスト５０１を除去するパターニング用レジスト除去工程を示す断面図である。また、図１８（ｂ）に図１７（ｄ）の平面図を示す。図１７（ｄ）および図１８（ｂ）に示すように、パターニング用レジストの形成後、これをエッチングマスクとして、アンカーメタル４４１および中間導電膜４５０をパターニングしてアンカーメタル４４１、電極４５１（中間導電膜４５０）を得る。その後、アンカーメタル４４１、電極４５１上のパターニング用レジスト５０１を除去する。アンカーメタル４４１および中間導電膜４５０のパターニングにおいては、アンカーメタル４４１および中間導電膜４５０の材料に応じたエッチャントを用いてエッチングを行う。また、パターニング用レジスト５０１の除去には、剥離液を用いる。剥離液は、アルカリ性、あるいは、酸性の水溶液を用いる。有機溶剤は、可溶部３０２を溶かしてしまうため用いない方が良い。

図１７（ｅ）は第２フォトレジスト層形成工程、および前記第２フォトレジスト層６００の上面に環状のフォトレジスト５１０を形成する環状フォトレジスト形成工程を示す断面図である。また、図１８（ｃ）は図１７（ｅ）の平面図である。図１７（ｅ）に示すように、不溶部３０１の上面の一部と図１７（ｄ）の工程で露出した電極４５０の上面に第２フォトレジスト層を形成する。その後、図１７（ｅ）および図１８（ｃ）に示すように、第２フォトレジスト層６００の上面にフォトレジストを所定形状となるように形成する。

図１７（ｆ）は第１および第２フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。第２フォトレジスト層６００および環状のフォトレジスト５１０の上方にマスクパターン７０２を位置あわせし、露光を行い不溶部６０１と可溶部６０２を形成する。

図１７（ｇ）は前記第１フォトレジスト層３００及び前記第２フォトレジスト層６００を現像して、それら第１フォトレジスト層３００と第２フォトレジスト層６００のそれぞれの可溶部３０２および６０２を除去する可溶部除去工程を示す断面図である。この図に示すように、前記第１フォトレジスト層３００及び前記第２フォトレジスト層６００に対して現像を行い可溶部３０２および６０２を除去する。

以上の工程によって、第１フォトレジスト層の貫通孔９００の外径が第２フォトレジスト層の貫通孔１０００の外径よりも小さな電鋳型７０が得られる。

図１９は第５実施形態に係る時計用部品１３の平面図および断面図である。図１９（ａ）は時計用部品１３の平面図であり、図１９（ｂ）は時計用部品１３を図１９（ａ）の線ＢＢで切った断面図である。後述するように電鋳によって製造され、１層目１３ａと２層目１３ｂとからなっており、時計用部品１３の中心には軸孔が開いている。時計用部品１３の２層目の外周面１３ｄは中心軸Ｏと略平行になっており、時計用部品１３の１層目１３ａは歯がなく２層目１３ｂよりも外径が小さい。また、２層目の軸孔１３ｅの径よりも１層目の軸孔１３ｆの径のほうが小さくなっており、２層目の軸孔１３ｅおよび１層目の軸孔１３ｆは逆円錐台状になっている。

以下に、本実施形態に係る時計用部品１３の電鋳による製造方法を説明する。なお、この第５の実施形態においては、第１乃至第４の実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付して説明を省略する。

図２０は、本願発明の第二の実施形態に係る電鋳型７０を用いて時計用部品１３を作製する工程を説明する図であって、図２０（ａ）は底部導電膜２００の上面から１層目の電鋳物（金属）１３１を析出させる初期工程を示す断面図、図２０（ｂ）は底部導電膜２００の上面から１層目の電鋳物（金属）１３１を析出させて電極４５１にまで届いた後、２層目の 電鋳物（金属）１３２を析出させる状態を示す断面図、図２０（ｃ）は底部導電膜２００の上面から２層目の電鋳物（金属）１３２を析出させて第２フォトレジスト層６００ａの上面にまで達した状態を示す断面図、図２０（ｄ）は電鋳型７０から取り出した時計用部品１３の断面図である。

まず、図２０（ａ）に示すように、図５を用いて説明した電鋳方法によって露出した底部導電膜２００の上面から１層目の電鋳物（金属）１３１を析出させる。このとき、電極４５１には電流が流れないため、電極４５１上には１層目の電鋳物１３１は、析出しない。

次に、図２０（ｂ）に示すように、第１フォトレジスト層の厚さだけ１層目の電鋳物１３１を成長させ、更に電極４５１に触れるまで１層目の電鋳物１３１を成長させる。この際、第１フォトレジスト層の厚さに１層目の電鋳物１３１が成長するまでは、電極４５１に電流が流れないため、電極４５１上には、１層目の電鋳物１３１は析出しない。しかしながら、電極４５１と１層目の電鋳物１３１とが、図２０（ｂ）に示すように接触すると、電極４５１にも電流が流れ始めるため、電極４５１上にも１層目の電鋳物１３１が析出し始める。ここで、電極４５１に１層目の電鋳物１３１が達した後、１層目と異なる電鋳液２１と電極２２を用いて２層目の電鋳物１３２を析出させる。電鋳物が十分な耐久性および耐摩耗性を確保するために２層目の電鋳時には析出する材料をＮｉＣｏやＮｉＷのような硬い材料にすることが望ましい。

次に、図２０（ｃ）に示すように、所望の厚さまで電鋳物１３０を析出させる。所望の厚さまで電鋳物１３０を析出させた後、研磨工程によって電鋳物１３０の厚さを揃える。
なお、電鋳工程において、電鋳物１３０の厚さ制御が可能である場合、研磨工程を行わなくても良い。

次に、図２０（ｄ）に示すように、電鋳型７０から電鋳物１３０を取り出して、電鋳部品１３を得る。電鋳物１３０の取り出しは、不溶部３０１および不溶部６０１を有機溶剤で溶かしたり、電鋳物１３０に基板１００から分離するような力を加えて物理的に引きはがしてもよい。また、型を再利用しない場合は型を破壊して電鋳物１３０を取り出しても良い。

底部導電膜２００、環状のフォトレジスト５１０および電極４５１が電鋳物１３０に付着している場合、ウエットエッチングや研磨などの方法を用いて除去する。なお、部品の機能上、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０および電極４５１がついていても問題がない場合、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０および電極４５１は、除去しなくても良い。また、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０および電極４５１が部品の機能上必要である場合、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０および電極４５１は除去しない。

（実施の形態６）
本発明に係る第６の実施形態について図２１乃至図２２に基づいて説明する。なお、この第５の実施形態においては、第１乃至第５の実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。図２１は、本実施形態に係る電鋳型の例を示す図、図２２は、本実施形態に係る電鋳型の製造方法の例を示す図である。

まず図２１に基づき、本実施形態に係る電鋳型の例について説明する。図２１（ａ）は、本実施形態に係る電鋳型の例の断面図であり、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）の電鋳型を上方から見た平面図である。この例で示す電鋳型は、軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型である。

図２１（ａ）に示すように、電鋳型７５は、基板１００を備え、基板１００の上側表面全面に導電体の金属膜である底部導電膜２００が形成されている。また、底部導電膜２００の基板１００とは反対側の表面には、逆円錐台状の第１の中心部３０１ａと、この第１の中心部３０１ａの周囲を囲むように第１の外枠３０１ｂとからなる、第１フォトレジスト層３０１が形成されている。さらに、第１の外枠３０１ｂの底部導電膜２００とは反対側の表面には、第１の外枠３０１ｂと同心の円形の穴が開いたアンカーメタル４４１があり、この穴径は第１の外枠３０１ｂの円筒状の内面５１ａの直径よりも大きい。アンカーメタル４４１の第１の外枠３０１ｂとは反対側の表面には、アンカーメタル４４１と同径の電極４５１がある。さらに、第１フォトレジスト層３０１の底部導電膜２００とは反対側の表面には、第１の中心部３０１ａと同心で中心部３０１ａの大径側の外径と同径の小径側の外径を有する逆円錐台状の第２の中心部６０１ａと、電極４５１のアンカーメタル４４１の反対側の表面にある第２の中心部６０１ａの周囲を囲む第２の外枠６０１ｂとからなる第２フォトレジスト層６０１が形成されている。第２の外枠６０１ｂの内面５１ｂの直径は電極４５１の穴径よりも大きい。また、第２の中心部６０１ａの第１の中心部３０１ａと反対の表面には、第２の中心部６０１ａの大径側の外径より外径が大きく内径が小さい環状の金属薄膜（吸収体）４０１が、図２１（ｂ）にも示すように同心状に配置されている。

次に、上述した電鋳型７５を作製する製造方法の例について図２２を用いて詳細に説明する。

図２２は本実施形態に係る電鋳型７５の製造方法を工程順に説明する図である。ただし、図２２は断面形状を理解しやすくするためにサイズを極端に大きく誇張して示した。

図２２（ａ）は基板上への第１フォトレジスト層形成工程と第１フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。この図に示すように、まず、まず基板１００の上面に底部導電膜２００を形成し、次に底部導電膜２００の上面に第１フォトレジスト層３００を形成した後、可溶部３０２を形成する部分の上方に第１マスクパターン７０１を位置あわせし、紫外光８００を照射して露光を行い、不溶部３０１と可溶部３０２とを形成する。ここで第１フォトレジスト層３００はネガ型フォトレジストを用いている。

図２２（ｂ）は第１フォトレジスト層３００の上面に中間導電膜を形成する中間導電膜形成工程を示す断面図である。図２２（ａ）で説明した工程の後、図２２（ｂ）に示すように、現像を行わずに、真空蒸着法により前記第１フォトレジスト層３００を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で金属材料を加熱蒸着させて、前記第１フォトレジスト層３００の上面に、中間導電膜４５０を形成する。

金属材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、すず（Ｓｎ）、金（Ａｕ）等が用いられる。これら金属材料のうち、クロムやチタンは、上述した他の金属材料のアンカーメタルとして用いてもよい。この場合、クロムやチタンの上にはその他の導電性材料を成膜する。

中間導電膜４５０の厚さは、数ｎｍから数μｍであり、後述する電鋳工程において導通がとれる厚さであればよい。また、アンカーメタル４４１の厚さは、中間導電膜４５０と十分に密着する厚さであればよい。

図２２（ｃ）は前記中間導電膜４５０の上面にパターニング用レジスト５０１を形成するパターニング用レジスト形成工程を示す断面図である。中間導電膜４５０の上面にパターニング用レジスト５０１を所定形状となるように形成する。

図２２（ｄ）は前記パターニング用レジスト５０１を介して前記金アンカーメタル４４１および中間導電膜４５０をパターニングするパターニング工程およびパターニング工程で残存した前記パターニング用レジスト５０１を除去するパターニング用レジスト除去工程を示す断面図である。パターニング用レジストの形成後、これをエッチングマスクとして、アンカーメタル４４１および中間導電膜４５０をパターニングしてアンカーメタル４４１、電極４５１（中間導電膜４５０）を得る。その後、アンカーメタル４４１、電極４５１上のパターニング用レジスト５０１を除去する。アンカーメタル４４１および中間導電膜４５０のパターニングにおいては、アンカーメタル４４１および中間導電膜４５０の材料に応じたエッチャントを用いてエッチングを行う。また、パターニング用レジスト５０１の除去には、剥離液を用いる。剥離液は、アルカリ性、あるいは、酸性の水溶液を用いる。有機溶剤は、可溶部３０２を溶かしてしまうため用いない方が良い。

図２２（ｅ）は第２フォトレジスト層形成工程、および前記第２フォトレジスト層６００の上面に金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程、および前記金属薄膜４００の上面に金属薄膜パターニング用レジスト５００を形成するパターニング用レジスト形成工程を示す断面図である。図２２（ｅ）に示すように、不溶部３０１の上面の一部と図２２（ｄ）の工程で露出した電極４５０の上面に第２フォトレジスト層を形成した後、真空蒸着法により、第２フォトレジスト層６００を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で金属を加熱蒸着させて、第２フォトレジスト層６００の上面に、金属薄膜４００を形成する。その後、金属薄膜４００の上面に金属薄膜パターニング用レジスト５００を所定形状となるように形成する。

図２２（ｆ）は前記金属薄膜パターニング用レジスト５００を介して前記金属薄膜４００をパターニングするパターニング工程およびパターニング工程で残存した前記金属薄膜パターニング用レジスト５００を除去するパターニング用レジスト除去工程を示す断面図である。図２２（ｆ）に示すように、パターニング用レジストの形成後、これをエッチングマスクとして、金属薄膜４００をパターニングして環状の金属薄膜４０１を得る。その後、環状の金属薄膜４０１上の金属薄膜パターニング用レジスト５００を除去する。

図２２（ｇ）は第１および第２フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。第２フォトレジスト層６００および環状の金属薄膜４０１の上方にマスクパターン７０２を位置あわせし、露光を行い不溶部６０１と可溶部６０２を形成する。

図２２（ｈ）は前記第１フォトレジスト層３００及び前記第２フォトレジスト層６００を現像して、それら第１フォトレジスト層３００と第２フォトレジスト層６００のそれぞれの可溶部３０２および６０２を除去する可溶部除去工程を示す断面図である。この図に示すように、前記第１フォトレジスト層３００及び前記第２フォトレジスト層６００に対して現像を行い可溶部３０２および６０２を除去する。

以上の工程によって、第１フォトレジスト層の貫通孔９００の外径が第２フォトレジスト層の貫通孔１０００の外径よりも小さな電鋳型７５が得られる。

上記製造方法により製造された電鋳型７５を用いて得られる本実施形態に係る時計用部品については構造および電鋳方法が第５の実施例と同様であるため省略する。

（実施の形態７）
本発明に係る第７の実施形態について図２３乃至図２５に基づいて説明する。なお、この第７の実施形態においては、第１乃至第６の実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。図２３は、本実施形態に係る電鋳型の例を示す図、図２４は、本実施形態に係る電鋳型の製造方法の例を示す図、図２５は、本実施形態に係る電鋳型を用いて作製される円筒状部品の例を示す図、図２６は、図２５に示す円筒状部品を本実施形態に係る電鋳型を用いて作製する方法の例を示す図である。

まず図２３に基づき、本実施形態に係る電鋳型の例について説明する。図２３（ａ）は、本実施形態に係る電鋳型の例の断面図であり、図２３（ｂ）は、図２３（ａ）の電鋳型を上方から見た平面図である。この例で示す電鋳型は、軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型である。

図２３（ａ）に示すように、電鋳型８０は、基板１００を備え、基板１００の上側表面全面に導電体の金属膜である底部導電膜２００が形成されている。また、底部導電膜２００の基板１００とは反対側の表面には、逆円錐台状の第１の中心部３０１ａと、この第１の中心部３０１ａの周囲を囲むように第１の外枠３０１ｂとからなる、第１フォトレジスト層３０１が形成されている。さらに、第１の外枠３０１ｂの底部導電膜２００とは反対側の表面には、第１の外枠３０１ｂと同心の円形の穴が開いたアンカーメタル４４１があり、この穴径は第１の外枠３０１ｂの円筒状の内面５１ａの直径よりも大きい。アンカーメタル４４１の第１の外枠３０１ｂとは反対側の表面には、アンカーメタル４４１と同径の電極４５１がある。さらに、第１フォトレジスト層３０１の底部導電膜２００とは反対側の表面には、第１の中心部３０１ａと同心でその大径側の外径とほぼ同径の円筒状の第２の中心部６０１ａと、電極４５１のアンカーメタル４４１の反対側の表面にある第２の中心部６０１ａの周囲を囲む第２の外枠６０１ｂとからなる第２フォトレジスト層６０１が形成されている。第２の外枠６０１ｂの内面５１ｂの直径は電極４５１の穴径よりも大きい。また、第１の中心部３０１ａと第２の中心部６０１ａとの境界部分には、第２の中心部の大径側の外径より外径が大きく内径が小さい環状のフォトレジスト（吸収体）５１０が、図２３（ｂ）にも示すように同心状に配置されている。

次に、上述した電鋳型８０を作製する製造方法の例について図２４を用いて詳細に説明する。

図２４は本実施形態に係る電鋳型８０の製造方法を工程順に説明する図である。ただし、図２４は断面形状を理解しやすくするためにサイズを極端に大きく誇張して示した。

図２４（ａ）は基板上への第１フォトレジスト層形成工程と第１フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。この図に示すように、まず、まず基板１００の上面に底部導電膜２００を形成し、次に底部導電膜２００の上面に第１フォトレジスト層３００を形成した後、可溶部３０２を形成する部分の上方に第１マスクパターン７０１を位置あわせし、紫外光８００を照射して露光を行い、不溶部３０１と可溶部３０２とを形成する。ここで第１フォトレジスト層３００はネガ型フォトレジストを用いている。

図２４（ｂ）は第１フォトレジスト層３００の上面に中間導電膜を形成する中間導電膜形成工程を示す断面図である。図２４（ａ）で説明した工程の後、図２４（ｂ）に示すように、現像を行わずに、真空蒸着法により前記第１フォトレジスト層３００を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で金属材料を加熱蒸着させて、前記第１フォトレジスト層３００の上面に、中間導電膜４５０を形成する。

金属材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、すず（Ｓｎ）、金（Ａｕ）等が用いられる。これら金属材料のうち、クロムやチタンは、上述した他の金属材料のアンカーメタルとして用いてもよい。この場合、クロムやチタンの上にはその他の導電性材料を成膜する。

中間導電膜４５０の厚さは、数ｎｍから数μｍであり、後述する電鋳工程において導通がとれる厚さであればよい。また、アンカーメタル４４１の厚さは、中間導電膜４５０と十分に密着する厚さであればよい。

図２４（ｃ）は前記中間導電膜４５０の上面にパターニング用レジスト５０１を形成するパターニング用レジスト形成工程を示す断面図である。中間導電膜４５０の上面にパターニング用レジスト５０１を所定形状となるように形成する。

図２４（ｄ）は前記パターニング用レジスト５０１を介して前記金アンカーメタル４４１および中間導電膜４５０をパターニングするパターニング工程およびパターニング工程で残存した前記パターニング用レジスト５０１を除去するパターニング用レジスト除去工程を示す断面図である。パターニング用レジストの形成後、これをエッチングマスクとして、アンカーメタル４４１および中間導電膜４５０をパターニングしてアンカーメタル４４１、電極４５１（中間導電膜４５０）を得る。その後、アンカーメタル４４１、電極４５１上のパターニング用レジスト５０１を除去する。アンカーメタル４４１および中間導電膜４５０のパターニングにおいては、アンカーメタル４４１および中間導電膜４５０の材料に応じたエッチャントを用いてエッチングを行う。また、パターニング用レジスト５０１の除去には、剥離液を用いる。剥離液は、アルカリ性、あるいは、酸性の水溶液を用いる。有機溶剤は、可溶部３０２を溶かしてしまうため用いない方が良い。

図２４（ｅ）は前記パターニング用レジスト除去工程で露出した第１フォトレジスト層の不要部３０１の上面に環状のフォトレジスト５１０を形成する環状フォトレジスト形成工程を示す断面図である。図２２（ｅ）に示すように、図２２（ｄ）の工程で露出した不溶部３０１の上面の一部フォトレジストを所定形状となるように形成する。

図２４（ｆ）は第２フォトレジスト層形成工程、および第２フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。図２４（ｆ）に示すように、不溶部３０１の上面の一部と図２４（ｅ）の工程で形成した環状のフォトレジスト５１０の上面に第２フォトレジスト層を形成する。その後、第２フォトレジスト層６００の上方にマスクパターン７０２を位置あわせし、露光を行い不溶部６０１と可溶部６０２を形成する。

図２４（ｇ）は前記第１フォトレジスト層３００及び前記第２フォトレジスト層６００を現像して、それら第１フォトレジスト層３００と第２フォトレジスト層６００のそれぞれの可溶部３０２および６０２を除去する可溶部除去工程を示す断面図である。この図に示すように、前記第１フォトレジスト層３００及び前記第２フォトレジスト層６００に対して現像を行い可溶部３０２および６０２を除去する。

以上の工程によって、第１フォトレジスト層の貫通孔９００の外径が第２フォトレジスト層の貫通孔１０００の外径よりも小さな電鋳型８０が得られる。

図２５は第７実施形態に係る時計用部品１４の平面図および断面図である。図２５（ａ）は時計用部品１４の平面図であり、図２５（ｂ）は時計用部品１４を図２５（ａ）の線ＢＢで切った断面図である。後述するように電鋳によって製造され、１層目１４ａと２層目１４ｂとからなっており、時計用部品１４の中心には軸孔が開いている。時計用部品１４の２層目の外周面１４ｄは中心軸Ｏと略平行になっており、時計用部品１４の１層目１４ａは歯がなく２層目１４ｂよりも外径が小さい。また、２層目の軸孔１４ｅの径よりも１層目の軸孔１４ｆの径のほうが小さくなっており、１層目の軸孔１４ｆは逆円錐台状になっている。また、この時計用部品１４を製造するための電鋳型８０には、第１の中心部３０１ａと第２の中心部６０１ａとの境界部分に環状のフォトレジスト５１０が設けられているため、時計用部品１４の軸孔の内面（例えば、１層目１４ａの軸孔１４ｆの内面に、環状のフォトレジスト５１０に対応した凹みが形成されている。

以下に、本実施形態に係る時計用部品１４の電鋳による製造方法を説明する。なお、この第７の実施形態においては、第１乃至第６の実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付して説明を省略する。

図２６は、本願発明の第７の実施形態に係る電鋳型８０を用いて時計用部品１４を作製する工程を説明する図であって、図２６（ａ）は底部導電膜２００の上面から１層目の電鋳物（金属）１４１を析出させる初期工程を示す断面図、図２６（ｂ）は底部導電膜２００の上面から１層目の電鋳物（金属）１４１を析出させて電極４５１にまで届いた後、２層目の電鋳物（金属）１４２を析出させる状態を示す断面図、図２６（ｃ）は底部導電膜２００の上面から２層目の電鋳物（金属）１４２を析出させて第２フォトレジスト層６００ａの上面にまで達した状態を示す断面図、図２６（ｄ）は電鋳型８０から取り出した時計用部品１４０の断面図である。

まず、図２６（ａ）に示すように、図５を用いて説明した電鋳方法によって露出した底部導電膜２００の上面から１層目の電鋳物（金属）１４１を析出させる。このとき、電極４５１には電流が流れないため、電極４５１上には１層目の電鋳物１４１は、析出しない。

次に、図２６（ｂ）に示すように、不溶部３０１の厚さだけ１層目の電鋳物１４１を成長させ、更に電極４５１に触れるまで１層目の電鋳物１４１を成長させる。この際、不溶部３０１の厚さに１層目の電鋳物１４１が成長するまでは、電極４５１に電流が流れないため、電極４５１上には、１層目の電鋳物１４１は析出しない。しかしながら、電極４５１と１層目の電鋳物１４１とが、図１１（ｂ）に示すように接触すると、電極４５１にも電流が流れ始めるため、電極４５１上にも１層目の電鋳物１４１が析出し始める。ここで、電極４５１に１層目の電鋳物１４１が達した後、１層目と異なる電鋳液２１と電極２２を用いて２層目の電鋳物１４２を析出させる。電鋳物が十分な耐久性および耐摩耗性を確保するために２層目の電鋳時には析出する材料をＮｉＣｏやＮｉＷのような硬い材料にすることが望ましい。

次に、図２６（ｃ）に示すように、所望の厚さまで電鋳物１４０を析出させる。所望の厚さまで電鋳物１４０を析出させた後、研磨工程によって電鋳物１４０の厚さを揃える。
なお、電鋳工程において、電鋳物１４０の厚さ制御が可能である場合、研磨工程を行わなくても良い。

次に、図２６（ｄ）に示すように、電鋳型８０から電鋳物１４０を取り出して、電鋳
部品１４を得る。電鋳物１４０の取り出しは、不溶部３０１および不溶部６０１を有機溶剤で溶かしたり、電鋳物１４０に基板１００から分離するような力を加えて物理的に引きはがしてもよい。また、型を再利用しない場合は型を破壊して電鋳物１４０を取り出しても良い。

底部導電膜２００、環状のフォトレジスト５１０および電極４５１が電鋳物１４０に付着している場合、ウエットエッチングや研磨などの方法を用いて除去する。なお、部品の機能上、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０および電極４５１がついていても問題がない場合、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０および電極４５１は、除去しなくても良い。また、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０および電極４５１が部品の機能上必要である場合、底部導電膜２００や環状のフォトレジスト５１０および電極４５１は除去しない。

（実施の形態８）
本発明に係る第８の実施形態について図２７乃至図２９に基づいて説明する。なお、この第８の実施形態においては、第１乃至第７の実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。図２７は、本実施形態に係る電鋳型の例を示す図、図２８及び図２９は、本実施形態に係る電鋳型の製造方法の例を示す図である。

まず図２７に基づき、本実施形態に係る電鋳型の例について説明する。図２７（ａ）は、本実施形態に係る電鋳型の例の断面図であり、図２７（ｂ）は、図２７（ａ）の電鋳型を上方から見た平面図である。この例で示す電鋳型は、軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型である。

図２７（ａ）に示すように、電鋳型８５は、基板１００を備え、基板１００の上側表面全面に導電体の金属膜である底部導電膜２００が形成されている。また、底部導電膜２００の基板１００とは反対側の表面には、逆円錐台状の第１の中心部３０１ａと、この第１の中心部３０１ａの周囲を囲むように第１の外枠３０１ｂとからなる、第１フォトレジスト層３０１が形成されている。さらに、第１の外枠３０１ｂの底部導電膜２００とは反対側の表面には、第１の外枠３０１ｂと同心の円形の穴が開いたアンカーメタル４４１があり、この穴径は第１の外枠３０１ｂの円筒状の内面５１ａの直径よりも大きい。アンカーメタル４４１の第１の外枠３０１ｂとは反対側の表面には、アンカーメタル４４１と同径の電極４５１がある。さらに、第１フォトレジスト層３０１の底部導電膜２００とは反対側の表面には、第１の中心部３０１ａと同心でその大径側の外径とほぼ同径の円筒状の第２の中心部６０１ａと、電極４５１のアンカーメタル４４１の反対側の表面にある第２の中心部６０１ａの周囲を囲む第２の外枠６０１ｂとからなる第２フォトレジスト層６０１が形成されている。第２の外枠６０１ｂの内面５１ｂの直径は電極４５１の穴径よりも大きい。また、第１の中心部３０１ａと第２の中心部６０１ａとの境界部分には、第２の中心部の大径側の外径より外径が大きく内径が小さい環状の金属薄膜（吸収体）４０１が、図２７（ｂ）にも示すように同心状に配置されている。アンカーメタル４４１は、環状の金属薄膜（吸収体）４０１と同じ材料かつ同じ厚さである。

次に、上述した電鋳型８５を作製する製造方法の例について図２８及び図２９を用いて詳細に説明する。

図２８は本実施形態に係る電鋳型８５の製造方法を工程順に説明する図である。ただし、図２８は断面形状を理解しやすくするためにサイズを極端に大きく誇張して示した。

図２８（ａ）は基板上への第１フォトレジスト層形成工程と第１フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。この図に示すように、まず、まず基板１００の上面に底部導電膜２００を形成し、次に底部導電膜２００の上面に第１フォトレジスト層３００を形成した後、可溶部３０２を形成する部分の上方に第１マスクパターン７０１を位置あわせし、紫外光８００を照射して露光を行い、不溶部３０１と可溶部３０２とを形成する。ここで第１フォトレジスト層３００はネガ型フォトレジストを用いている。

図２８（ｂ）は第１フォトレジスト層３００の上面に中間導電膜を形成する中間導電膜形成工程を示す断面図である。図８（ａ）で説明した工程の後、図２８（ｂ）に示すように、現像を行わずに、真空蒸着法により前記第１フォトレジスト層３００を感光させない範囲の波長の光を発する温度範囲で金属材料を加熱蒸着させて、前記第１フォトレジスト層３００の上面に、中間導電膜４５０を形成する。

金属材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、すず（Ｓｎ）、金（Ａｕ）等が用いられる。これら金属材料のうち、クロムやチタンは、上述した他の金属材料のアンカーメタルとして用いてもよい。この場合、クロムやチタンの上にはその他の導電性材料を成膜する。

中間導電膜４５０の厚さは、数ｎｍから数μｍであり、後述する電鋳工程において導通がとれる厚さであればよい。金属薄膜４００は一部をアンカーメタル４４１、他の一部を環状の金属薄膜として用いる。金属薄膜４００の厚さは、１０ｎｍ以下であり、後述する第１フォトレジスト層および第２フォトレジスト層の露光工程において光が透過する厚さである必要がある。

図２８（ｃ）は前記中間導電膜４５０の上面にパターニング用レジスト５０１を形成するパターニング用レジスト形成工程を示す断面図である。また、図２９（ａ）は図２８（ｃ）の平面図である。図２８（ｃ）および図２９（ａ）に示すように、中間導電膜４５０の上面にパターニング用レジスト５０１を所定形状となるように形成する。

図２８（ｄ）は前記パターニング用レジスト５０１を介して前記金属薄膜４００および中間導電膜４５０をパターニングするパターニング工程およびパターニング工程で残存した前記パターニング用レジスト５０１を除去するパターニング用レジスト除去工程およびパターニング用レジスト除去工程で露出した環状の中間導電膜４５２の除去時にパターニング用レジスト除去工程時に露出した電極４５１を保護するための保護用レジスト形成工程を示す断面図である。また、図２９（ｂ）に図２８（ｄ）の平面図を示す。

図２８（ｄ）および図２９（ｂ）に示すように、パターニング用レジストの形成後、これをエッチングマスクとして、金属薄膜４００および中間導電膜４５０をパターニングしてアンカーメタル４４１（金属薄膜４００）、電極４５１（中間導電膜４５０）、環状の中間導電膜４５２（中間導電膜４５０）、環状の金属薄膜４０１（金属薄膜４００）を得る。その後、アンカーメタル４４１、電極４５１、環状の中間導電膜４５２、環状の金属薄膜４０１上のパターニング用レジスト５０１を除去する。その後、後述する環状の中間導電膜４５２除去工程においてアンカーメタル４４１および４５１を保護するための保護用レジスト５０２を形成する。金属薄膜４００および中間導電膜４５０のパターニングにおいては、金属薄膜４００および中間導電膜４５０の材料に応じたエッチャントを用いてエッチングを行う。また、パターニング用レジスト５０１の除去には、剥離液を用いる。剥離液は、アルカリ性、あるいは、酸性の水溶液を用いる。有機溶剤は、可溶部３０２を溶かしてしまうため用いない方が良い。

図２８（ｅ）は環状の中間導電膜４５２除去工程および保護用レジスト５０２の除去工程を示す断面図である。また、図２９（ｃ）は図２８（ｅ）の平面図である。図２８（ｅ）および図に示すように、前記パターニング工程で露出した環状の中間導電膜４５２をエッチングにより除去し、金属薄膜４０１を得る。その後、アンカーメタル４４１の側面、電極４５１の上面および側面の保護用レジスト５０２を除去する。

環状の中間導電膜４５２のエッチングにおいては中間導電膜４５０の材料に応じたエッチャントを用いてエッチングを行う。このとき、金属薄膜がエッチングされないようなエッチャントを使用する必要がある。また、保護用レジスト５０２の除去には、剥離液を用いる。剥離液は、アルカリ性、あるいは、酸性の水溶液を用いる。有機溶剤は、可溶部３０２を溶かしてしまうため用いない方が良い。

図２８（ｆ）は第２フォトレジスト層形成工程、および第２フォトレジスト層露光工程を示す断面図である。図２８（ｆ）に示すように、不溶部３０１の上面の一部と図２８（ｅ）の工程で露出した電極４５０と環状の金属薄膜４０１、および不溶部３０１の一部の上面に第２フォトレジスト層を形成する。その後、第２フォトレジスト層６００の上方にマスクパターン７０２を位置あわせし、露光を行い不溶部６０１と可溶部６０２を形成する。

図２８（ｇ）は前記第１フォトレジスト層３００及び前記第２フォトレジスト層６００を現像して、それら第１フォトレジスト層３００と第２フォトレジスト層６００のそれぞれの可溶部３０２および６０２を除去する可溶部除去工程を示す断面図である。この図に示すように、前記第１フォトレジスト層３００及び前記第２フォトレジスト層６００に対して現像を行い可溶部３０２および６０２を除去する。

以上の工程によって、第１フォトレジスト層の貫通孔９００の外径が第２フォトレジスト層の貫通孔１０００の外径よりも小さな電鋳型８５が得られる。

上記製造方法により製造された電鋳型８５を用いて得られる本実施形態に係る時計用部品については構造および電鋳方法が第７の実施例と同様であるため省略する。

なお、第１乃至第８実施形態において、第１および第２のフォトレジストからなる２層構造の電鋳型においても、見た目が一層構造と同様であることもある。

また、第１乃至第８実施形態において、第１および第２のフォトレジストにはネガ型のフォトレジストを用いたが、ポジ型のフォトレジストを用いても同様な構造の電鋳型を得ることができる。例えば、第２実施形態で第１のフォトレジストとしてポジ型のフォトレジストを用いた場合を図３０に示す。この場合の吸収体は、必ずしも環状である必要はなく、図３０に示すように円形状であっても構わない。

本発明の第１実施形態に係る電鋳型の図である。 本発明の第１実施形態に係る時計用部品の電鋳型の製造方法を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る時計用部品の電鋳型の製造方法を示す平面図である。 本発明の第１実施形態に係る時計用部品の図である。 本発明の第１実施形態に係る時計用部品の電鋳型を用いて時計用部品を形成する際の電鋳方法を説明する断面図である。 本発明の第１実施形態に係る時計用部品を製造する工程を説明する図である。 本発明の第２実施形態に係る電鋳型の図である。 本発明の第２実施形態に係る時計用部品の電鋳型の製造方法を示す平面図である。 本発明の第２実施形態に係る時計用部品の電鋳型の製造方法を示す断面図である。 本発明の第３実施形態に係る電鋳型の図である。 本発明の第３実施形態に係る時計用部品の電鋳型の製造方法を示す断面図である。 本発明の第３実施形態に係る時計用部品の図である。 本発明の第３実施形態に係る時計用部品を製造する工程を説明する図である。 本発明の第４実施形態に係る電鋳型の図である。 本発明の第４実施形態に係る時計用部品の電鋳型の製造方法を示す断面図である。 本発明の第５実施形態に係る電鋳型の図である。 本発明の第５実施形態に係る時計用部品の電鋳型の製造方法を示す断面図である。 本発明の第５実施形態に係る時計用部品の電鋳型の製造方法を示す平面図である。 本発明の第５実施形態に係る時計用部品の図である。 本発明の第５実施形態に係る時計用部品を製造する工程を説明する図である。 本発明の第６実施形態に係る電鋳型の図である。 本発明の第６実施形態に係る時計用部品の電鋳型の製造方法を示す断面図である。 本発明の第７実施形態に係る電鋳型の図である。 本発明の第７実施形態に係る時計用部品の電鋳型の製造方法を示す断面図である。 本発明の第７実施形態に係る時計用部品の図である。 本発明の第７実施形態に係る時計用部品を製造する工程を説明する図である。 本発明の第８実施形態に係る電鋳型の図である。 本発明の第８実施形態に係る時計用部品の電鋳型の製造方法を示す断面図である。 本発明の第８実施形態に係る時計用部品の電鋳型の製造方法を示す平面図である。 ポジ型のフォトレジストで製造した電鋳型の図である。

符号の説明

１１ 時計用部品
１１ａ 時計用部品の１層目
１１ｂ 時計用部品の２層目
１１ｃ 歯先円
１１ｄ 外周面
１１ｅ ２層目の軸孔
１１ｆ １層目の軸孔
１２ 時計用部品
１２ａ 時計用部品の１層目
１２ｂ 時計用部品の２層目
１２ｃ 歯先円
１２ｄ 外周面
１２ｅ ２層目の軸孔
１２ｆ １層目の軸孔
１３ 時計用部品
１３ａ 時計用部品の１層目
１３ｂ 時計用部品の２層目
１３ｃ 歯先円
１３ｄ ２層目の外周面
１３ｅ ２層目の軸孔
１３ｆ １層目の軸孔
１４ 時計用部品
１４ａ 時計用部品の１層目
１４ｂ 時計用部品の２層目
１４ｃ 歯先円
１４ｄ ２層目の外周面
１４ｅ ２層目の軸孔
１４ｆ １層目の軸孔
２０ 電鋳漕
２１ 電鋳液
２２ 電極
５０ 電鋳型
５１ 電鋳型外枠の円筒状の内面
５１ａ 第１の内面
５１ｂ 第２の内面
５５ 電鋳型
６０ 電鋳型
６５ 電鋳型
７０ 電鋳型
７５ 電鋳型
８０ 電鋳型
８５ 電鋳型
１００ 基板
１１０ 電鋳物
１１１ 電鋳物の１層目
１１２ 電鋳物の２層目
１２０ 電鋳物
１２１ 電鋳物の１層目
１２２ 電鋳物の２層目
１３０ 電鋳物
１３１ 電鋳物の１層目
１３２ 電鋳物の２層目
１４０ 電鋳物
１４１ 電鋳物の１層目
１４２ 電鋳物の２層目
２００ 底部導電膜
３００ 第１フォトレジスト層
３０１ 不溶部
３０２ 可溶部
４００ 金属薄膜
４０１ 環状の金属薄膜
４４１ アンカーメタル
４５０ 中間導電膜
４５１ 電極
４５２ 環状の中間導電膜
５００ 金属薄膜パターニング用レジスト
５０１ パターニング用レジスト
５０２ 保護用レジスト
５１０ 環状のフォトレジスト
６００ 第２フォトレジスト層
６０１ 不溶部
６０２ 可溶部
７００ マスクパターン
７０１ 第１マスクパターン
７０２ 第２マスクパターン
８００ 紫外光
９００ 第１フォトレジスト層の貫通孔
１０００ 第２フォトレジスト層の貫通孔
１１００ 環状の金属薄膜の孔
１２００ マスクパターンの孔

Claims (25)

1. 軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型であって、
   導電体と、
   前記導電体の一方の表面に形成され、逆円錐台状の第１の中心部と、該第１の中心部を囲む円筒状の第１の内面が形成された第１の外枠とを有する第１のフォトレジスト層と、を備えることを特徴とする電鋳型。
2. 前記第１のフォトレジスト層の前記導電体とは反対側の表面に形成され、前記第１の中心部と同心でその大径側の外径と小径側の外径が同径の逆円錐台状の第２の中心部と、該第２の中心部を囲む円筒状の第２の内面が形成された第２の外枠とを有する第２のフォトレジスト層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の電鋳型。
3. 前記第１のフォトレジスト層の前記導電体とは反対側の表面に形成され、前記第１の中心部と同心でその大径側の外径と同径の円筒状の第２の中心部と、該第２の中心部を囲む円筒状の第２の内面が形成された第２の外枠とを有する第２のフォトレジスト層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の電鋳型。
4. 軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型であって、
   導電体と、
   前記導電体の一方の表面に形成され、円錐台状の第１の中心部と、該第１の中心部を囲む円筒状の第１の内面が形成された第１の外枠とを有する第１のフォトレジスト層と、
   を備えることを特徴とする電鋳型。
5. 前記第１のフォトレジスト層の前記導電体とは反対側の表面に形成され、前記第１の中心部と同心でその小径側の外径と大径側の外径が同径の円錐台状の第２の中心部と、該第２の中心部を囲む円筒状の第２の内面が形成された第２の外枠とを有する第２のフォトレジスト層をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の電鋳型。
6. 軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型であって、
   導電体と、
   前記導電体の一方の表面に形成され、円筒状の第１の中心部と、該第１の中心部を囲む円筒状の第１の内面が形成された第１の外枠とを有する第１のフォトレジスト層と、
   前記第１のフォトレジスト層の前記導電体とは反対側の表面に形成され、前記第１の中心部と同心でその外径と大径側の外径が同径の円錐台状の第２の中心部と、該第２の中心部を囲む円筒状の第２の内面が形成された第２の外枠とを有する第２のフォトレジスト層と、
   を備えることを特徴とする電鋳型。
7. 前記第１の中心部の前記導電体とは反対側の表面に同心に形成され、前記第１の中心部の前記反対側の表面における外径より外径が大きい吸収体をさらに備えることを特徴とする請求項１または請求項４に記載の電鋳型。
8. 前記第２の中心部の前記第１の中心部とは反対側の表面に同心に形成され、前記第２の中心部の前記反対側の表面における外径より外径が大きい吸収体をさらに備えることを特徴とする請求項２，５，６のいずれか１項に記載の電鋳型。
9. 前記第１の中心部と前記第２の中心部との間に同心に形成され、前記第２の中心部の外径より外径が大きい吸収体をさらに備えることを特徴とする請求項３に記載の電鋳型。
10. 前記第１の外枠と前記第２の外枠との間に、円形の穴の開いた金属膜をさらに備え、前記第１の内面の直径よりも前記第２の内面の直径の方が大きく、かつ、前記金属膜の円形の穴の直径が前記第１の内面の直径と前記第２の内面の直径との中間の大きさであることを特徴とする請求項２，３，５，６，８，９のいずれか１項に記載の電鋳型。
11. 前記吸収体は、紫外光が透過可能な厚さの金属薄膜であることを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれか１項に記載の電鋳型。
12. 前記吸収体は、フォトレジストであることを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれか１項に記載の電鋳型。
13. 前記第１のフォトレジスト層は、紫外光の波長領域における吸収係数が４０００ｍ^-1であることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の電鋳型。
14. 前記第２のフォトレジスト層は、紫外光の波長領域における吸収係数が４０００ｍ^-1であることを特徴とする請求項２，３，５，６，８，９，１０のいずれか１項に記載の電鋳型。
15. 軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型の製造方法であって、
    導電体の一方の表面にネガ型の第１のフォトレジスト層を形成する第１フォトレジスト層形成工程と、
    前記第１のフォトレジスト層の上面に環状の吸収体を形成する環状吸収体形成工程と、
    前記環状の吸収体の外径より小さく内径より大きい内径を有するとともに、前記環状の吸収体の外径より大きい外径を有する環状マスクパターンを、前記第１のフォトレジスト層の上方に前記環状の吸収体と同心に配置する環状マスクパターン配置工程と、
    配置された前記環状マスクパターンを介して、前記第１のフォトレジスト層を、逆円錐台状の第１の中心部を含む不溶部と可溶部に区分するフォトレジスト層露光工程と、
    を有することを特徴とする電鋳型の製造方法。
16. 軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型の製造方法であって、
    導電体の一方の表面にネガ型の第１のフォトレジスト層を形成する第１フォトレジスト層形成工程と、
    前記第１のフォトレジスト層の上面にネガ型の第２のフォトレジスト層を形成する第２フォトレジスト層形成工程と、
    前記第２のフォトレジスト層の上面に環状の吸収体を形成する環状吸収体形成工程と、
    前記環状の吸収体の外径より小さく内径より大きい内径を有するとともに、前記環状の吸収体の外径より大きい外径を有する環状マスクパターンを、前記第２のフォトレジスト層の上方に前記環状の吸収体と同心に配置する環状マスクパターン配置工程と、
    配置された前記環状マスクパターンを介して、前記第１のフォトレジスト層を、逆円錐台状の第１の中心部を含む不溶部と可溶部に区分するとともに、第２のフォトレジスト層を、前記第１の中心部と同心でその大径側の外径と小径側の外径が同径の逆円錐台状の第２の中心部を含む不溶部と可溶部に区分するフォトレジスト層露光工程と、
    を有することを特徴とする電鋳型の製造方法。
17. 軸孔を有し、軸方向に複数の材料で構成される一体の円筒状部品を電鋳するための電鋳型の製造方法であって、
    導電体の一方の表面にネガ型の第１のフォトレジスト層を形成する第１フォトレジスト層形成工程と、
    前記第１のフォトレジスト層の上面に環状の吸収体を形成する環状吸収体形成工程と、
    前記環状吸収体形成工程で形成された環状の吸収体と前記第１のフォトレジスト層の上面に、ネガ型の第２のフォトレジスト層を形成する第２フォトレジスト層形成工程と、
    前記環状の吸収体の外径より小さく内径より大きい内径を有するとともに、前記環状の吸収体の外径より大きい外径を有する環状マスクパターンを、前記第２のフォトレジスト層の上方に前記環状の吸収体と同心に配置する環状マスクパターン配置工程と、
    配置された前記環状マスクパターンを介して、前記第１のフォトレジスト層を、逆円錐台状の第１の中心部を含む不溶部と可溶部に区分するとともに、第２のフォトレジスト層を、前記第１の中心部と同心でその大径側の外径と同径の円筒状の第２の中心部を含む不溶部と可溶部に区分するフォトレジスト層露光工程と、
    を有することを特徴とする電鋳型の製造方法。
18. 前記吸収体は、紫外光が透過可能な厚さの金属薄膜であることを特徴とする請求項１５乃至請求項１７のいずれか１項に記載の電鋳型の製造方法。
19. 前記吸収体は、フォトレジストであることを特徴とする請求項１５乃至請求項１７のいずれか１項に記載の電鋳型の製造方法。
20. 前記第１のフォトレジスト層は、紫外光の波長領域における吸収係数が４０００ｍ^-1であることを特徴とする請求項１５乃至請求項１９のいずれか１項に記載の電鋳型の製造方法。
21. 前記第２のフォトレジスト層は、紫外光の波長領域における吸収係数が４０００ｍ^-1であることを特徴とする請求項１６または請求項１７のいずれか１項に記載の電鋳型の製造方法。
22. 請求項１から１４のいずれか１項に記載の電鋳型により電鋳され、軸方向に複数の材料により一体で構成されるとともに貫通する軸孔を有する時計用部品であって、
    前記複数の材料は、互いに硬度が異なる金属材料であり、硬度の高い金属材料よりも硬度の低い金属材料の方が、前記軸孔の内径が小さいことを特徴とする時計用部品。
23. 前記時計用部品は、外周面が前記軸孔の中心軸と平行であることを特徴とする請求項２２に記載の時計用部品。
24. 前記硬度の高い金属材料は、ＮｉＣｏ及び／またはＮｉＷを含有していることを特徴とする請求項２２または請求項２３に記載の時計用部品。
25. 請求項２２乃至請求項２４のいずれか１項に記載の時計用部品を備えた時計。

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