JP5223064B2 - 波長走査型レーザ光源 - Google Patents
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Description
λ=2asinθ ・・・(1)
ここでaは回折格子の格子ピッチであり、θは入射角である。この式で示されるように発振波長は入射角θに対して正弦波状に変化する。
"Continuously Tuned External Cavity Semiconductor Laser", W. R. Trutan et al., Journal of Lightwave technology Vol. 11, No.8 August 1993 PP1279
L=L1+H/cos(θ)
で表され、前記HとL1の比H/L1は次式(12)で与えられる値を中心として±30%の範囲となるようにし、前記回折格子への入射角によって決まる外部共振器モードの波長変化と前記回折格子により選択される回折波長の波長変化とが同期し、複数の外部共振器モードのうち少なくとも60%が波長変化に応じてそのまま移動するようにしたものである。
L=L3+L4/2+H/cos(θ)
で表され、前記HとL3+L4/2との比は次式(14)で与えられる値を中心として±30%の範囲となるようにし、前記回折格子への入射角によって決まる外部共振器モードの波長変化と前記回折格子により選択される回折波長の波長変化とが同期し、複数の外部共振器モードのうち少なくとも60%が波長変化に応じてそのまま移動するようにしたものである。
図6は本発明の第1の実施の形態による波長走査型レーザ光源の基本構成を示す図である。本図においてゲイン素子として半導体レーザ11を用いる。この例では半導体レーザ11の一端11aをミラー面とし、外部共振器を構成する第1の反射部とする。又他方の面11bはARコート(反射防止コート)を施し、出射光をコリメートレンズ12を介して光偏向部13に導く。光偏向部13は駆動部14からの信号に応じて紙面に垂直な軸に沿って一定の角度範囲で光の偏向方向を変化させるものである。光偏向部13はガルバノメータによって構成され、駆動部14はガルバノメータを駆動するものとする。そしてこの偏向した光を受光する位置に回折格子15を設ける。回折格子15は後述する格子ピッチで連続的に三角波状の格子が形成された光学素子であり、この実施の形態では、リトロー配置によって入射方向が変わっても入射光は同じ光路を通って投射方向に戻るように構成されている。そしてこの入射角度によって選択波長が変化する。回折格子15は外部共振器の第2の反射部と光バンドパスフィルタとの機能を備えたものである。
a(sinθ+sinδ)=kλ ・・・(2)
ここでkは次数であり、0,±1,±2・・・の値となる。aは回折格子の格子ピッチ(μm)、即ち単位長さ当たりの格子線数Λ(本/mm)の逆数である。
λG(θ)=2asinθ ・・・(3)
λL=2L/n0 ・・・(4)
尚n0は外部共振器モードの波長λでの次数である。そして光偏向部13の偏向によって、外部共振器長が図8(c)に示すようにL’に変化し、同時に回折格子15の選択波長が図8(d)に示すように変化する。ここで同じ次数n0で決まる波長λL’は次式に示されるものとなる。
λL’=2L’/n0 ・・・(5)
L=L1+L2(θ) ・・・(6)
更に半導体レーザ11から光偏向部13までの光軸に沿ったライン上で、光偏向部13の反射点と回折格子15の面までの距離をHとすると、外部共振器長Lは次式で示される。
L=L1+H/cosθ ・・・(7)
λH=2asinθH
λL=2asinθL ・・・(8)
ここで長波と短波とで縦モードの次数nL,nHが同じになるとすると、以下の式(9)が得られる。
dλG/dθ=2acosθc
dλL/dθ=λcHtanθc/(L1cosθc+H)・・・(11)
と表される。ここでλc=2asinθcである。これらの二つの式を等しいとすると、次式(12)が得られる。
式(10)と(12)は結果的に図13に示されるグラフと同じ関係となる。
前述した図6,図7では、半導体レーザの反射面と回折格子とによって外部共振器を構成しているが、光ファイバループを用いて外部共振器を構成するようにしてもよい。図14は第2の実施の形態による外部共振器型の波長走査型レーザ光源を示す概略図である。本図に示すように、光ファイバループ21には半導体増幅器22と光サーキュレータ23及び光カップラ24が設けられている。光サーキュレータは光ファイバループの一端に入射する光を波長可変フィルタ25に与え、選択された光を光ファイバループに戻すものである。波長可変フィルタ25はコリメートレンズ26を有し、図6のものと同様に光偏向部13、駆動部14及び回折格子15を含んで構成されている。これらの構成については前述した第1の実施の形態と同様である。この実施の形態では光偏向部13の反射点から光サーキュレータ23までの光学長をL3と光ファイバループの全長をL4とすると、L3+L4/2が前述したL1に相当する。即ち、外部共振器長Lは次式で示されることとなる。
L=L4/2+L3+H/cosθ
従って式(10),(12)のL1を(L3+L4/2)で置き換えた式(13),(14)により、必要な値が得られる。
11a,11b 端面
12 コリメートレンズ
13 光偏向部
14 駆動部
15 回折格子
21 光ファイバループ
22 半導体増幅器
23 光サーキュレータ
24 光カップラ
25 波長可変フィルタ
Claims (6)
- 発振する波長に対する利得を有するゲイン媒体と、
前記ゲイン媒体を含む外部共振器の一端を構成する反射部と、
前記ゲイン媒体からの光ビームを外部からの信号によって偏向する光偏向部と、
前記光偏向部からの光を同一行路でゲイン媒体の側に回折して戻す一定の格子定数を有する回折格子と、を具備し、
前記外部共振器長は数10cm以上、10m以下とし、
前記回折格子への光の入射角をθ、波長可変範囲の中心波長付近の入射角をθcとし、前記反射部と前記光偏向部までの光行路をL1、前記光偏向部から前記回折格子までの垂線での距離をH、偏向部から回折格子までの光行路をL2(θ)とすると、外部共振器長Lは
L=L1+H/cos(θ)
で表され、前記HとL1の比H/L1は次式
前記回折格子への入射角によって決まる外部共振器モードの波長変化と前記回折格子により選択される回折波長の波長変化とが同期し、複数の外部共振器モードのうち少なくとも60%が波長変化に応じてそのまま移動するようにした波長走査型レーザ光源。 - 前記ゲイン媒体は、半導体レーザであり、前記反射部は、前記半導体レーザの端面である請求項1記載の波長走査型レーザ光源。
- 発振する波長に対する利得を有するゲイン媒体と、
前記ゲイン媒体を含む光ファイバループと、
前記光ファイバループの光の抽出するサーキュレータと、
前記サーキュレータから得られた光ビームを外部からの信号によって偏向する光偏向部と、
前記光偏向部からの光を同一行路でゲイン媒体の側に回折して戻す一定の格子定数を有する回折格子と、を具備し、
前記外部共振器長は数10cm以上、10m以下とし、
前記回折格子への光の入射角をθ、波長可変範囲の中心波長付近の入射角をθcとし、前記サーキュレータから前記光偏向部までの光行路をL3、前記光ファイバループの光路長をL4,前記光偏向部から前記回折格子までの垂線での距離をH、偏向部から回折格子までの光行路をL2(θ)とすると、外部共振器長Lは
L=L3+L4/2+H/cos(θ)
で表され、前記HとL3+L4/2との比は次式
前記回折格子への入射角によって決まる外部共振器モードの波長変化と前記回折格子により選択される回折波長の波長変化とが同期し、複数の外部共振器モードのうち少なくとも60%が波長変化に応じてそのまま移動するようにした波長走査型レーザ光源。 - 前記ゲイン媒体は、半導体増幅器である請求項3記載の波長走査型レーザ光源。
- 前記光偏向部は、電気光学効果、熱光学効果及び音響光学効果のいずれか1つの機能を有する素子を用いる請求項1又は3記載の波長走査型レーザ光源。
- 前記光偏向部は、偏向ミラーである請求項1又は3記載の波長走査型レーザ光源。
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