JP5220235B2 - 電源装置及び照明器具 - Google Patents
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Description
負荷が発光ダイオードのような光源である場合、オーバーシュート時に一瞬だけ閃光を発するように見える。また、オーバーシュートによって発生した過電流により、負荷が故障する可能性がある。
この発明は、例えば上記のような課題を解決するためになされたものであり、簡単な構成で、閃光や故障の発生を防ぐことを目的とする。
負荷回路に供給する直流電力を生成する直流電源回路と、
上記負荷回路を流れる負荷電流を検出して、検出した負荷電流の電流値に比例する電圧値を有する負荷電流検出電圧を生成する負荷電流検出回路と、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値に基づいて、目標電圧を生成する目標電圧生成回路と、
上記負荷電流検出回路が生成した負荷電流検出電圧の電圧値と上記目標電圧生成回路が生成した目標電圧の電圧値とを比較して、どちらが大きいかを示す帰還信号を生成する帰還信号生成回路とを有し、
上記直流電源回路は、上記帰還信号生成回路が生成した帰還信号を入力し、入力した帰還信号に基づいて、上記負荷電流検出電圧が上記目標電圧より大きい場合、生成する直流電力を小さくし、上記負荷電流検出電圧が上記目標電圧より小さい場合、生成する直流電力を大きくし、
上記目標電圧生成回路は、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が高くなった場合に、所定の時間が経過するまでの間、上記目標値に対応する電圧値よりも小さい電圧値の目標電圧を生成し、上記所定の時間が経過したのち、上記目標値に対応する電圧値の目標電圧を生成する
積分回路を有することを特徴とする。
実施の形態1について、図1〜図5を用いて説明する。
照明器具800は、本体810、コネクタ821、電源線822、電源装置100、配線823、光源基板831、光源832を有する。
光源基板831は、本体810の発光面側(この例では下側)に装着されている。光源基板831には、印刷などにより、光源832の間を接続する配線が設けられている。光源基板831には、光源832以外の部品が実装されていてもよい。以下、光源832など光源基板831に実装された部品や光源基板831に設けられた配線により構成される回路を「光源回路830」と呼ぶ。
電源線822は、コネクタ821と電源装置100との間を接続する。電源線822は、コネクタ821が入力した交流電力を、電源装置100に供給する。
配線823は、電源装置100と光源回路830との間を接続する。配線823は、電源装置100が生成した直流電力を、光源回路830に供給する。
電源装置100は、直流電源回路110、負荷電流検出回路140、目標電圧生成回路170、帰還信号生成回路180を有する。
負荷電流検出電圧のほうが目標電圧より大きい場合は、光源回路830を流れている直流電流の電流値が目標値より大きいということなので、直流電源回路110は、生成する直流電力を小さくする。これにより、光源回路830を流れる直流電流が減少し、目標値に近づく。
逆に、負荷電流検出電圧のほうが目標電圧より小さい場合は、光源回路830を流れている直流電流の電流値が目標値より小さいということなので、直流電源回路110は、生成する直流電力を大きくする。これにより、光源回路830を流れる直流電流が増加し、目標値に近づく。
なお、目標値が大きくなった場合には、照明器具800の電源が切断されるなどして消灯している状態から、照明器具800の電源が入るなどして点灯状態に変わる場合も含まれる。
電源装置100は、上述した構成に加えて、更に、調光信号入力回路150、調光信号入力部250、制御電源回路160を有する。また、電源装置100は、マイコン200を有する。
処理装置は、記憶装置が記憶したプログラムを実行することにより、データを処理し、マイコン200全体を制御する。
記憶装置は、処理装置が実行するプログラムや、処理装置が処理するデータを記憶する。
入力装置は、マイコン200の外部からアナログ信号やデジタル信号を入力し、入力した信号を処理装置が処理できる形式のデータに変換する。入力装置が変換したデータは、処理装置が直接処理してもよいし、記憶装置が記憶してもよい。
出力装置は、処理装置が処理したデータや、記憶装置が記憶したデータを、アナログ信号やデジタル信号に変換し、変換した信号をマイコン200の外部に出力する。
マイコン200は、制御電源回路160が生成した制御電源電力により動作する。マイコン200は、記憶装置が記憶したプログラムを処理装置が実行することにより、以下に説明する調光信号入力部250、電源信号生成部260、矩形波信号生成部270などの機能ブロックを実現する。
制御IC117は、スイッチング素子Q22を高周波でオンオフする制御信号を生成する。制御IC117は、図示していない検出回路により、力率改善回路112の入力電圧、出力電圧、入力電流などを検出し、電源装置100の力率が1に近づくよう、スイッチング素子Q22をオンオフするタイミングを調整する。また、制御IC117は、力率改善回路112の出力電圧が所定の電圧値(例えば400V)になるよう、スイッチング素子Q22をオンオフするタイミングを調整する。制御IC117は、制御電源生成回路161から供給される電力(以下「制御電源電力」と呼ぶ。)により動作する。
平滑コンデンサC24は、力率改善回路112の出力電圧を平滑化して、ほぼ一定の電圧値の直流電圧にする。
なお、力率改善回路112はなくてもよい。その場合、整流回路111が整流した脈流を、平滑コンデンサC24が平滑化して、ほぼ一定の電圧値の直流電圧を生成する。
制御IC118は、スイッチング素子Q31を高周波でオンオフする制御信号(ゲート信号)を生成する。駆動回路114は、制御IC118が生成した制御信号を電圧シフトして、スイッチング素子Q31を駆動する駆動信号に変換する。駆動回路114は、例えば、パルストランスやフォトカプラなどを用いて構成される。制御IC118は、帰還信号生成回路180が生成した帰還信号に基づいて、スイッチング素子Q31をオンオフするタイミングを調整することにより、直流電源回路110が生成する直流電力を調整する。スイッチング素子Q31をオンしている期間の割合(オンデューティ)が大きければ、直流電源回路110が生成する直流電力は大きくなる。逆に、スイッチング素子Q31をオンしている期間の割合が小さければ、直流電源回路110が生成する直流電力は小さくなる。制御IC118は、制御電源生成回路161から供給される制御電源電力により動作する。
なお、降圧回路113は、例えばフライバックコンバータなど他の直流直流変換回路であってもよい。
平滑コンデンサC34は、降圧回路113の出力電圧を平滑化して、ほぼ一定の電圧値の直流電圧にする。
電流検出抵抗R41は、直流電源回路110のうち、平滑コンデンサC34を充電する電流が流れる経路に挿入されている。電流検出抵抗R41の両端には、平滑コンデンサC34を充電する電流の電流値に比例する電圧値の電圧が発生する。
電流検出抵抗R41が検出する電流は、時刻により変化する。光源回路830を流れる直流電流の電流値は、電流検出抵抗R41が検出した電流の平均値である。
抵抗R42及びコンデンサC43は、積分回路を構成する。抵抗R42及びコンデンサC43により構成される積分回路は、電流検出抵抗R41の両端に発生した電圧の高周波成分を除去し、低周波成分及び直流成分を抽出する。
負荷電流検出回路140は、抵抗R42及びコンデンサC43により構成される積分回路が抽出した電圧を、負荷電流検出電圧として出力する。これにより、負荷電流検出電圧の電圧値は、電流検出抵抗R41の両端に発生した電圧の平均値となるから、負荷電流検出電圧の電圧値は、光源回路830を流れる直流電流の電流値に比例する。
調光信号入力回路150は、例えば、フォトカプラPC1、プルアップ抵抗R51を有する。フォトカプラPC1は、調光コントローラ850から入力した調光信号を、電気的に絶縁しつつ、調光信号入力部250に伝達する。フォトカプラPC1は、光学的に結合したLEDとフォトトランジスタとを内蔵している。LEDが点灯すると、フォトトランジスタがオンになり、調光信号入力回路150が出力する信号の電位が低電位になる。LEDが消灯すると、フォトトランジスタがオフになり、調光信号入力回路150が出力する信号の電位が高電位になる。調光信号入力回路150は、入力した調光信号に対して極性の反転した信号を出力する。
調光信号入力部250は、処理装置が入力装置を制御することにより、調光信号入力回路150が伝達した調光信号を入力する。調光信号入力部250は、処理装置がデータを処理することにより、入力した調光信号が表わす調光率を算出する。調光信号入力部250は、処理装置がデータを処理することにより、算出した調光率を表わす調光データを生成する。調光信号入力部250は、処理装置が記憶装置を制御することにより、生成した調光データを記憶装置に記憶する。
なお、マイコン200の電源電圧と、制御IC117,118の電源電圧とが等しい場合は、降圧回路163をなくし、制御電源生成回路161が出力した制御電源電力を、電源としてマイコン200が直接入力する構成であってもよい。
電源信号生成部260は、処理装置が記憶装置を処理することにより、調光信号入力部250が生成した調光データを記憶装置から読み出す。電源信号生成部260は、処理装置がデータを処理することにより、読み出した調光データが消灯を表わすか否かを判定する。電源信号生成部260は、判定した結果に基づいて、処理装置が出力装置を制御することにより、電源信号を生成し、生成した電源信号を出力する。
スイッチング回路162は、例えば、スイッチング素子Q61、抵抗R62、抵抗R63、スイッチング素子Q64を有する。スイッチング素子Q61は、例えば、NPN型バイポーラトランジスタである。スイッチング素子Q61は、電源信号生成部260が生成した電源信号を入力する。スイッチング素子Q61は、入力した電源信号が高電位の場合オンになり、電源信号が低電位の場合オフになる。スイッチング素子Q64は、例えば、エンハンスメント型pMOS電界効果トランジスタである。スイッチング素子Q61がオンのとき、抵抗R62及び抵抗R63を電流が流れ、抵抗R63の両端に電圧が発生して、スイッチング素子Q64がオンになる。スイッチング素子Q61がオフのとき、抵抗R62及び抵抗R63を電流が流れず、抵抗R63の両端電圧が0になるので、スイッチング素子Q64がオフになる。スイッチング素子Q64がオンになると、制御電源生成回路161と制御IC117,118との間が接続して、制御電源電力が制御IC117,118に供給される。スイッチング素子Q64がオフになると、制御電源生成回路161と制御IC117,118との間が遮断され、制御電源電力が制御IC117,118に供給されない。
矩形波信号生成部270は、処理装置が記憶装置を制御することにより、調光信号入力部250が生成した調光データを記憶装置から読み出す。矩形波信号生成部270は、処理装置が出力装置を制御することにより、読み出した調光データが表わす調光率に対応するデューティ比を有する矩形波信号を生成し、出力する。
抵抗R72は、一方の端子がスイッチング回路162を介して制御電源生成回路161に接続している。もう一方の端子は、スイッチング素子Q71のコレクタ端子に接続している。
矩形波電圧生成回路171は、スイッチング素子Q71のコレクタ−エミッタ間に発生する電圧を、矩形波電圧として出力する。スイッチング素子Q71がオンのとき、矩形波電圧生成回路171が生成する矩形波電圧は、低電位になる。スイッチング素子Q71がオフのとき、スイッチング回路162がオンであれば、矩形波電圧生成回路171が生成する矩形波電圧は、高電位になる。スイッチング素子Q71がオフでも、スイッチング回路162がオフであれば、矩形波電圧生成回路171が生成する矩形波電圧は、低電位になる。
したがって、矩形波電圧生成回路171は、スイッチング回路162がオンのとき、矩形波信号生成部270が生成した矩形波信号と逆極性の矩形波電圧を生成し、スイッチング回路162がオフのときは、矩形波電圧を生成しない。
積分回路172は、例えば、抵抗R73、コンデンサC74を有する。スイッチング素子Q71がオンのとき、抵抗R73を介してコンデンサC74を放電する電流が流れる。スイッチング素子Q71がオフのとき、2つの抵抗R72,R73を介してコンデンサC74を充電する電流が流れる。積分回路172は、コンデンサC74の両端に発生する電圧を、目標電圧として出力する。
横軸は、時刻を示す。縦軸は、調光率及びデューティ比及び電圧値及び電流値を示す。
実線501は、電源装置100が入力する調光信号が指示する調光率を示す。実線502は、矩形波信号生成部270が生成する矩形波信号のデューティ比を示す。実線503は、積分回路172が生成する目標電圧の電圧値を示す。実線505は、光源回路830を流れる直流電流の電流値を示す。
破線511は、調光率100%を示す。破線512は、調光率100%に対応する矩形波信号のデューティ比を示す。破線513は、調光率100%に対応する目標電圧の電圧値を示す。破線514は、目標電圧の増加率の上限を示す。破線515は、負荷電流検出回路140が生成する負荷電流検出電圧と積分回路172が生成する目標電圧とが一致する場合に光源回路830を流れる直流電流の電流値を示す。
矩形波信号が低電位の間、スイッチング素子Q71はオフになり、コンデンサC74は、制御電源生成回路161が生成した制御電源電力により、抵抗R72及び抵抗R73を介して充電される。矩形波信号が高電位になると、スイッチング素子Q71がオンになり、コンデンサC74は、抵抗R73及びスイッチング素子Q71を介して放電する。
その後、オーバーシュート・アンダーシュートの振幅は、徐々に小さくなっていく。このため、オーバーシュートのピーク時(時刻t4,t6,t8,…)に光源回路830を流れる電流は、調光率100%のとき光源回路830を流れるべき電流を大きく上回ることはない。
そして、目標電圧の電圧値が調光率100%に対応する値に達する時刻t3の頃には、オーバーシュート・アンダーシュートがほとんどなくなり、光源回路830には、調光率100%のときに流れるべき電流値の電流が流れる。
したがって、光源832が一瞬明るく光る閃光現象や過電流による故障の発生を防ぐことができる。
コンデンサC74の両端電圧の減少率(増加率の符号を反転したもの)は、t=0、vC=VCCのとき最大となり、その値は、
比較のため、時刻t1において、目標電圧生成回路170が生成する目標電圧の電圧値が、調光率の変化にすぐに追随して、調光率100%に対応する値に変化した場合を示す。
実線506は、比較例における光源回路830を流れる直流電流の電流値を示す。破線516は、調光率100%のとき光源回路830を流れるべき直流電流の電流値を示す。
横軸は、時刻を示す。縦軸は、電流値を示す。
図4と同様、実線505は、光源回路830を流れる直流電流の電流値を示す。破線515は、負荷電流検出回路140が生成する負荷電流検出電圧と積分回路172が生成する目標電圧とが一致する場合に光源回路830を流れる直流電流の電流値を示す。
このように、目標電圧の増加率の最大値及び目標電圧の減少率の最大値を小さくすることにより、オーバーシュート・アンダーシュートの振幅が小さくなる。また、点灯時は、光源832が徐々に明るくなって点灯するフェードインの効果を生じる。また、消灯時は、光源832が徐々に暗くなって消灯するフェードアウトの効果を生じる。
なお、看者の視覚的な特性として、変化量を一定に変化させると、低照度のとき、明るさが急激に変化しているように感じる。したがって、例えば、調光度40%よりも低い調光率で明るさを変化させる場合、調光度40%以上の高い調光率で明るさを変化させる変化量よりも緩やかにするとよい。また、看者が視覚的に明るさが一定に変化しているように感じさせるため、明るさの変化特性を曲線(n次関数:nは偶数)としてもよい。
実施の形態2について、図7〜図10を用いて説明する。
なお、実施の形態1と共通する部分については、同一の符号を付し、説明を省略する。
横軸は、時刻を示す。縦軸は、電圧を示す。実線507は、矩形波信号生成部270が生成する矩形波信号の電位を示す。破線517は、矩形波信号が高電位のときの電位を示す。実線503は、積分回路172が生成する目標電圧の電圧値を示す。破線518は、積分回路172が生成する目標電圧の電圧値の平均を示す。
矩形波信号の電位が低電位である期間では、スイッチング素子Q71がオフになり、コンデンサC74が充電されて、目標電圧の電圧値が増加する。また、矩形波信号の電位が高電位である期間では、スイッチング素子Q71がオンになり、コンデンサC74が放電されて、目標電圧の電圧値が減少する。
矩形波信号の周期Tよりも非常に大きい時間単位(例えば1ミリ秒以上)で見た場合、積分回路172が生成する目標電圧の電圧値は、破線518に一致するとみなしてよい。そこで、破線518の傾きを、目標電圧の増加率とみなす。
横軸は、時刻を示す。縦軸は、調光率及びデューティ比及び電圧値及び電流値を示す。
実線501は、電源装置100が入力する調光信号が指示する調光率を示す。実線502は、矩形波信号生成部270が生成する矩形波信号のデューティ比を示す。実線503は、積分回路172が生成する目標電圧の電圧値を示す。実線505は、光源回路830を流れる直流電流の電流値を示す。
破線511は、調光率100%を示す。破線512は、調光率100%に対応する矩形波電圧のデューティ比を示す。破線519は、デューティ比の増加率の上限を示す。破線513は、調光率100%に対応する目標電圧の電圧値を示す。破線514は、目標電圧の増加率(図7の破線518の傾き)の上限を示す。破線515は、負荷電流検出回路140が生成する負荷電流検出電圧と積分回路172が生成する目標電圧とが一致する場合に光源回路830を流れる直流電流の電流値を示す。
時刻t1から時刻t2までの間において、調光信号は、調光率100%での点灯を指示している。矩形波信号生成部270は、生成する矩形波信号のデューティ比を、破線519が示す増加率よりも低い増加率で、調光率100%に対応するデューティ比に達するまで、ゆっくりと増加させる。
矩形波信号生成部270は、調光率が高くなった直後のvC(0)が小さい期間において、生成する矩形波信号のデューティ比を小さくして、tONを小さくする。その後、vC(0)が大きくなるにつれて、矩形波信号生成部270は、矩形波信号のデューティ比を大きくして、tONを大きくする。これにより、積分回路172が生成する目標電圧の電圧値の増加率は、破線514が示す所定の増加率以下に抑えられる。
その後、時刻t3において、積分回路172が生成する目標電圧の電圧値は、調光率100%に対応する値に達する。
例えば、調光信号が指示する調光率が0%から100%に変わった場合は、最もオーバーシュートのピークが大きくなる可能性がある。このため、矩形波信号生成部270は、矩形波信号のデューティ比の増加率を小さくして、目標電圧の増加率を小さくする。
これに対し、例えば、調光信号が指示する調光率が40%から50%に変わった場合など、調光率の増加幅が小さい場合は、オーバーシュートのピークはそれほど大きくならない。また、変化後の調光率が低い場合は、そもそも光源回路830に流すべき電流の目標値が小さいので、オーバーシュートが発生しても、故障の原因となるほどの過電流が流れることはない。このため、矩形波信号生成部270は、矩形波信号のデューティ比の増加率を大きくして、目標電圧の増加率を比較的大きな値にする。これにより、照明器具800の調光率が利用者の指示した調光率になるのにかかる時間を短縮することができる。
また、利用者の操作などにより、フェードインやフェードアウトなどの特殊な照明効果を発生させる指示を受けた場合、矩形波信号生成部270は、矩形波信号のデューティ比の増加率・減少率を小さくして、目標電圧の電圧値が調光率に対応する値に達するまでにかかる時間を延ばし、フェードインやフェードアウトなどの特殊な照明効果を発生させることもできる。
この例において、矩形波信号生成部270は、生成する矩形波信号のデューティ比を段階的に変化させている。
時刻t1において、調光信号が指示する調光率が100%に変化すると、矩形波信号生成部270は、生成する矩形波信号のデューティ比を、調光率100%に対応するデューティ比より小さく、オーバーシュートのピーク時に光源回路830を流れる電流が調光率100%のとき光源回路830を流れるべき電流にほぼ等しくなる程度のデューティ比にする。
時刻t9において、矩形波信号生成部270は、生成する矩形波信号のデューティ比を少し大きくし、2回目のオーバーシュートのピーク時に光源回路830を流れる電流が調光率100%のとき光源回路830を流れるべき電流にほぼ等しくなる程度のデューティ比にする。
時刻t10において、矩形波信号生成部270は、生成する矩形波信号のデューティ比を更に大きくし、調光率100%に対応するデューティ比にする。
このように、矩形波信号生成部270は、生成する矩形波信号のデューティ比を、単調増加あるいは単調減少させるのではなく、増加させたり減少させたりを繰り返す構成であってもよい。このように、適切なタイミングで矩形波信号を変化させることにより、オーバーシュートのピークを抑えるとともに、光源回路830を流れる電流が目標値に収束するのにかかる時間を短くすることができる。
実施の形態3について、図11〜図12を用いて説明する。
なお、実施の形態1及び実施の形態2と共通する部分については、同一の符号を付し、説明を省略する。
目標電圧生成回路170は、実施の形態1で説明した矩形波電圧生成回路171に代えて、対応電圧生成部275を有する。
マイコン200の図示していない出力装置は、デジタルアナログ変換回路(以下「DAC」と呼ぶ。)を有する。DACは、処理装置による制御に基づいて、データが表わす数値に比例する電圧値の電圧を生成し、マイコン200の外部に出力する。
対応電圧生成部275は、処理装置が記憶装置を制御することにより、調光信号入力部250が生成した調光データを記憶装置から読み出す。対応電圧生成部275は、処理装置がDACを制御することにより、読み出した調光データが表わす調光率に対応する電圧値を有する対応電圧を生成し、出力する。
横軸は、時刻を示す。縦軸は、調光率及び電圧値及び電流値を示す。
実線501は、電源装置100が入力する調光信号が指示する調光率を示す。実線508は、対応電圧生成部275が生成する対応電圧の電圧値を示す。実線503は、積分回路172が生成する目標電圧の電圧値を示す。実線505は、光源回路830を流れる直流電流の電流値を示す。
破線511は、調光率100%を示す。破線520は、調光率100%に対応する対応電圧の電圧値を示す。破線513は、調光率100%に対応する目標電圧の電圧値を示す。破線514は、目標電圧の増加率の上限を示す。破線515は、負荷電流検出回路140が生成する負荷電流検出電圧と積分回路172が生成する目標電圧とが一致する場合に光源回路830を流れる直流電流の電流値を示す。
これにより、フィードバック制御に伴う遅れにより発生するオーバーシュートのピークを小さくすることができ、閃光現象や故障の発生を防ぐことができる。
負荷回路に供給する直流電力を生成する直流電源回路と、
上記負荷回路を流れる負荷電流を検出して、検出した負荷電流の電流値に比例する電圧値を有する負荷電流検出電圧を生成する負荷電流検出回路と、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値に基づいて、目標電圧を生成する目標電圧生成回路と、
上記負荷電流検出回路が生成した負荷電流検出電圧の電圧値と上記目標電圧生成回路が生成した目標電圧の電圧値とを比較して、どちらが大きいかを示す帰還信号を生成する帰還信号生成回路とを有し、
上記直流電源回路は、上記帰還信号生成回路が生成した帰還信号を入力し、入力した帰還信号に基づいて、上記負荷電流検出電圧が上記目標電圧より大きい場合、生成する直流電力を小さくし、上記負荷電流検出電圧が上記目標電圧より小さい場合、生成する直流電力を大きくし、
上記目標電圧生成回路は、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が高くなった場合に、所定の時間が経過するまでの間、上記目標値に対応する電圧値よりも小さい電圧値の目標電圧を生成し、上記所定の時間が経過したのち、上記目標値に対応する電圧値の目標電圧を生成し、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値に対応するデューティ比を有する矩形波電圧を生成する矩形波電圧生成回路と、
上記矩形波電圧生成回路が生成した矩形波電圧を積分して、上記目標電圧を生成する積分回路とを有する
ことを特徴とする電源装置を説明した。
負荷回路に供給する直流電力を生成する直流電源回路と、
上記負荷回路を流れる負荷電流を検出して、検出した負荷電流の電流値に比例する電圧値を有する負荷電流検出電圧を生成する負荷電流検出回路と、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値に基づいて、目標電圧を生成する目標電圧生成回路と、
上記負荷電流検出回路が生成した負荷電流検出電圧の電圧値と上記目標電圧生成回路が生成した目標電圧の電圧値とを比較して、どちらが大きいかを示す帰還信号を生成する帰還信号生成回路とを有し、
上記直流電源回路は、上記帰還信号生成回路が生成した帰還信号を入力し、入力した帰還信号に基づいて、上記負荷電流検出電圧が上記目標電圧より大きい場合、生成する直流電力を小さくし、上記負荷電流検出電圧が上記目標電圧より小さい場合、生成する直流電力を大きくし、
上記目標電圧生成回路は、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が高くなった場合に、所定の時間が経過するまでの間、上記目標値に対応する電圧値よりも小さい電圧値の目標電圧を生成し、上記所定の時間が経過したのち、上記目標値に対応する電圧値の目標電圧を生成し、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が高くなった場合に、所定の時間が経過するまでの間、上記目標値に対応するデューティ比よりも小さいデューティ比の矩形波電圧を生成し、上記所定の時間が経過したのち、上記目標値に対応するデューティ比の矩形波電圧を生成する矩形波電圧生成回路と、
上記矩形波電圧生成回路が生成した矩形波電圧を積分して、上記目標電圧を生成する積分回路とを有することを特徴とする電源装置を説明した。
負荷回路に供給する直流電力を生成する直流電源回路と、
上記負荷回路を流れる負荷電流を検出して、検出した負荷電流の電流値に比例する電圧値を有する負荷電流検出電圧を生成する負荷電流検出回路と、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値に基づいて、目標電圧を生成する目標電圧生成回路と、
上記負荷電流検出回路が生成した負荷電流検出電圧の電圧値と上記目標電圧生成回路が生成した目標電圧の電圧値とを比較して、どちらが大きいかを示す帰還信号を生成する帰還信号生成回路とを有し、
上記直流電源回路は、上記帰還信号生成回路が生成した帰還信号を入力し、入力した帰還信号に基づいて、上記負荷電流検出電圧が上記目標電圧より大きい場合、生成する直流電力を小さくし、上記負荷電流検出電圧が上記目標電圧より小さい場合、生成する直流電力を大きくし、
上記目標電圧生成回路は、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が高くなった場合に、所定の時間が経過するまでの間、上記目標値に対応する電圧値よりも小さい電圧値の目標電圧を生成し、上記所定の時間が経過したのち、上記目標値に対応する電圧値の目標電圧を生成し、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値に対応する電圧値を有する直流電圧を生成する対応電圧生成回路と、
上記対応電圧生成回路が生成した直流電圧を積分して、上記目標電圧を生成する積分回路とを有することを特徴とする電源装置を説明した。
負荷回路に供給する直流電力を生成する直流電源回路と、
上記負荷回路を流れる負荷電流を検出して、検出した負荷電流の電流値に比例する電圧値を有する負荷電流検出電圧を生成する負荷電流検出回路と、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値に基づいて、目標電圧を生成する目標電圧生成回路と、
上記負荷電流検出回路が生成した負荷電流検出電圧の電圧値と上記目標電圧生成回路が生成した目標電圧の電圧値とを比較して、どちらが大きいかを示す帰還信号を生成する帰還信号生成回路と、
制御電力を生成し、生成した制御電力を上記直流電源回路と上記目標電圧生成回路とに対して供給する制御電源回路とを有し、
上記直流電源回路は、上記帰還信号生成回路が生成した帰還信号を入力し、入力した帰還信号に基づいて、上記負荷電流検出電圧が上記目標電圧より大きい場合、生成する直流電力を小さくし、上記負荷電流検出電圧が上記目標電圧より小さい場合、生成する直流電力を大きくし、
上記目標電圧生成回路は、上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が高くなった場合に、所定の時間が経過するまでの間、上記目標値に対応する電圧値よりも小さい電圧値の目標電圧を生成し、上記所定の時間が経過したのち、上記目標値に対応する電圧値の目標電圧を生成し、
上記直流電源回路は、上記制御電源回路が供給した制御電力により動作し、
上記目標電圧生成回路は、上記制御電源回路が供給した制御電力から、上記目標電圧を生成し、
上記制御電源回路は、上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が0である場合に、上記直流電源回路と上記目標電圧生成回路とに対して制御電源を供給しないことを特徴とする電源装置を説明した。
上記電源装置は、更に、制御電力を生成し、生成した制御電力を上記直流電源回路と上記目標電圧生成回路とに対して供給する制御電源回路を有し、
上記直流電源回路は、上記制御電源回路が供給した制御電力により動作し、
上記目標電圧生成回路は、上記制御電源回路が供給した制御電力から、上記目標電圧を生成し、
上記制御電源回路は、上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が0である場合に、上記直流電源回路と上記目標電圧生成回路とに対して制御電源を供給しないことを特徴とする電源装置を説明した。
負荷回路に供給する直流電力を生成する直流電源回路と、
上記負荷回路を流れる負荷電流を検出して、検出した負荷電流の電流値に比例する電圧値を有する負荷電流検出電圧を生成する負荷電流検出回路と、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値に基づいて、目標電圧を生成する目標電圧生成回路と、
上記負荷電流検出回路が生成した負荷電流検出電圧の電圧値と上記目標電圧生成回路が生成した目標電圧の電圧値とを比較して、どちらが大きいかを示す帰還信号を生成する帰還信号生成回路とを有し、
上記直流電源回路は、上記帰還信号生成回路が生成した帰還信号を入力し、入力した帰還信号に基づいて、上記負荷電流検出電圧が上記目標電圧より大きい場合、生成する直流電力を小さくし、上記負荷電流検出電圧が上記目標電圧より小さい場合、生成する直流電力を大きくし、
上記目標電圧生成回路は、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が高くなった場合に、所定の時間が経過するまでの間、上記目標値に対応する電圧値よりも小さい電圧値の目標電圧を生成し、上記所定の時間が経過したのち、上記目標値に対応する電圧値の目標電圧を生成し、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が低くなった場合に、上記目標電圧を所定の減少率よりも低い減少率で徐々に減少させることを特徴とする電源装置を説明した。
上記目標電圧生成回路は、上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が低くなった場合に、上記目標電圧を所定の減少率よりも低い減少率で徐々に減少させることを特徴とする電源装置を説明した。
上記目標電圧生成回路は、上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が高くなった場合に、所定の増加率よりも低い増加率で、生成する目標電圧の電圧値を徐々に増加させることを特徴とする電源装置を説明した。
上記目標電圧生成回路は、上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値を指示する目標指示信号を入力し、入力した目標指示信号に基づいて、上記目標電圧を生成することを特徴とする電源装置を説明した。
上記の電源装置と、上記負荷回路として上記電源装置が生成した直流電力の供給を受け、供給された直流電力を光源に印加して、上記光源を点灯する光源回路とを有することを特徴とする照明器具を説明した。
Claims (7)
- 負荷回路に供給する直流電力を生成する直流電源回路と、
上記負荷回路を流れる負荷電流を検出して、検出した負荷電流の電流値に比例する電圧値を有する負荷電流検出電圧を生成する負荷電流検出回路と、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値に基づいて、目標電圧を生成する目標電圧生成回路と、
上記負荷電流検出回路が生成した負荷電流検出電圧の電圧値と上記目標電圧生成回路が生成した目標電圧の電圧値とを比較して、どちらが大きいかを示す帰還信号を生成する帰還信号生成回路とを有し、
上記直流電源回路は、上記帰還信号生成回路が生成した帰還信号を入力し、入力した帰還信号に基づいて、上記負荷電流検出電圧が上記目標電圧より大きい場合、生成する直流電力を小さくし、上記負荷電流検出電圧が上記目標電圧より小さい場合、生成する直流電力を大きくし、
上記目標電圧生成回路は、
上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が高くなった場合に、所定の時間が経過するまでの間、上記目標値に対応する電圧値よりも小さい電圧値の目標電圧を生成し、上記所定の時間が経過したのち、上記目標値に対応する電圧値の目標電圧を生成する
積分回路を有することを特徴とする電源装置。 - 上記目標電圧生成回路は、
上記目標電圧の元となる電圧を生成する電圧生成回路を備え、
上記積分回路は、
上記電圧生成回路が生成した上記目標電圧の元となる電圧を積分して、上記目標電圧を生成することを特徴とする請求項1記載の電源装置。 - 上記電源装置は、更に、制御電力を生成し、生成した制御電力を上記直流電源回路と上記目標電圧生成回路とに対して供給する制御電源回路を有し、
上記直流電源回路は、上記制御電源回路が供給した制御電力により動作し、
上記目標電圧生成回路は、上記制御電源回路が供給した制御電力から、上記目標電圧を生成し、
上記制御電源回路は、上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が0である場合に、上記直流電源回路と上記目標電圧生成回路とに対して制御電源を供給しないことを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の電源装置。 - 上記目標電圧生成回路は、上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が低くなった場合に、上記目標電圧を所定の減少率よりも低い減少率で徐々に減少させることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電源装置。
- 上記目標電圧生成回路は、上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値が高くなった場合に、所定の増加率よりも低い増加率で、生成する目標電圧の電圧値を徐々に増加させることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の電源装置。
- 上記目標電圧生成回路は、上記負荷回路を流れる負荷電流の目標値を指示する目標指示信号を入力し、入力した目標指示信号に基づいて、上記目標電圧を生成することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の電源装置。
- 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の電源装置と、上記負荷回路として上記電源装置が生成した直流電力の供給を受け、供給された直流電力を光源に印加して、上記光源を点灯する光源回路とを有することを特徴とする照明器具。
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