JP5218890B2 - 研磨装置 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 107
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 31
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
1 研磨装置 10 保持機構
20 研磨ヘッド 21 研磨パッド(研磨部材)
30 スラリー供給機構(研磨液供給機構)
31 スラリー(研磨液)
40 EPD部
41 光源(照明部) 43 光検出器(光検出部)
50 制御装置(終点検出部および供給判定部)
Claims (5)
- 被研磨物を保持する保持機構と、前記保持機構に保持された前記被研磨物を研磨する研磨部材とを備え、前記保持機構に保持された前記被研磨物の被研磨面に前記研磨部材を当接させながら相対移動させて前記被研磨物の研磨加工を行うように構成された研磨装置において、
前記被研磨面と前記研磨部材との当接部に研磨液を供給する研磨液供給機構と、
前記研磨液供給機構により前記研磨液を前記当接部に供給するための供給路に設けられ、前記供給路を流れる前記研磨液の流量を計測する流量計と、
前記被研磨面にプローブ光を照射する照明部と、
前記プローブ光が照射された前記被研磨面からの反射光を検出する光検出部と、
前記光検出部に検出された前記反射光の情報に基づいて前記研磨加工の終点を検出する終点検出部と、
前記流量計により計測された前記研磨液の流量に基づいて前記当接部に対する前記研磨液の供給状態を判定するとともに、前記光検出部に検出された前記反射光の情報に基づいて前記当接部に対する前記研磨液の供給状態を判定する供給判定部とを有して構成されることを特徴とする研磨装置。 - 前記供給判定部は、前記研磨液供給機構による前記研磨液の供給開始から前記光検出部に検出された前記反射光の光量が所定の設定光量以下に減少するまでの時間が所定の設定時間よりも長い場合に、前記当接部に対する前記研磨液の供給量が不足であると判定することを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
- 前記供給判定部は、前記研磨液供給機構による前記研磨液の供給開始前に前記光検出部に検出された前記反射光の光量に対する、前記研磨液が前記当接部に対して供給されたときに前記光検出部に検出された前記反射光の光量の減少量が所定の設定量よりも小さい場合に、前記当接部に対する前記研磨液の供給量が不足であると判定することを特徴とする請求項1または2に記載の研磨装置。
- 前記供給判定部は、前記光検出部に検出された前記反射光の光量が所定の基準光量を超えた場合に、前記当接部に対する前記研磨液の供給量が不足であると判定することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の研磨装置。
- 前記供給判定部により前記当接部に対する前記研磨液の供給量が不足であると判定された場合に、前記被研磨物の研磨加工を中止させる制御を行う研磨加工制御部を有して構成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008037252A JP5218890B2 (ja) | 2008-02-19 | 2008-02-19 | 研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008037252A JP5218890B2 (ja) | 2008-02-19 | 2008-02-19 | 研磨装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013048170A Division JP5569828B2 (ja) | 2013-03-11 | 2013-03-11 | 研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009196000A JP2009196000A (ja) | 2009-09-03 |
JP5218890B2 true JP5218890B2 (ja) | 2013-06-26 |
Family
ID=41140111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008037252A Active JP5218890B2 (ja) | 2008-02-19 | 2008-02-19 | 研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5218890B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110270932A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-09-24 | 苏州超徕精工科技有限公司 | 一种研磨加工过程中自动添加研磨液的装置和方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000254860A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-09-19 | Nikon Corp | 研磨装置 |
JP2004216541A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-08-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ラッピング装置 |
JP2005057100A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板の研磨方法及び研磨装置 |
JP2006032764A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Nikon Corp | 研磨制御方法、研磨装置及び半導体デバイス製造方法 |
JP2006121001A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および研磨剤 |
-
2008
- 2008-02-19 JP JP2008037252A patent/JP5218890B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009196000A (ja) | 2009-09-03 |
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