JP2002221406A - ウエハ厚計測装置及びウエハ研磨方法 - Google Patents

ウエハ厚計測装置及びウエハ研磨方法

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JP2002221406A JP2001016962A JP2001016962A JP2002221406A JP 2002221406 A JP2002221406 A JP 2002221406A JP 2001016962 A JP2001016962 A JP 2001016962A JP 2001016962 A JP2001016962 A JP 2001016962A JP 2002221406 A JP2002221406 A JP 2002221406A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハに傾きが生じても正確な厚み計測を可
能とする。 【解決手段】 円筒容器状のベース部15の上面開口部
を塞ぐようにダイアフラム17を取付けてタンク部18
を構成し、センサヘッド16のシャフト部25の下端部
をダイアフラム17に取付ける。センサヘッド16の上
部に、ウエハ12の下面に接近配置される浅底容器状の
受け部24を設け、ウエハ12の厚みを非接触で検出す
る厚みセンサ26を受け部24の底部中心部に設ける。
シャフト部25内に、タンク部18と受け部24とをつ
なぐ液体通路28を設ける。液体供給口20から純水2
2がタンク部18内に供給されると、その純水22が、
タンク部18内に充満した後、液体通路28を通って受
け部24内に供給され、遂には受け部24内に充溢して
外周壁24aの上端部から溢れるようになり、その状態
でウエハ12の下面を純水22に接触させて厚みを計測
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
ウエハの厚みを計測するウエハ厚計測装置、及び、その
ウエハ厚計測装置を使用するウエハ研磨方法に関する。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】シリコンウエハ等の半
導体ウエハを、その厚みを計測しつつ研磨加工するため
の装置として、特公平7−22143号公報に記載され
た技術が知られている。この研磨装置は、図3に示すよ
うに、ウエハ1の上面を研磨ヘッド2により保持し、研
磨ヘッド2を回転させると共に左右に移動させながら、
スラリーが供給され回転される研磨プラテン3の上面
に、ウエハ1の下面を当接させて研磨するようになって
いる。
【0003】また、このとき、ウエハ1の所定の基準点
(アンパターンドダイ)の酸化物被膜の厚みを検出する
ために、光の波長の干渉を利用するレーザ干渉測定装置
4が設けられる。レーザ干渉測定装置4からは、レーザ
光ビーム導管,光戻り導管,清浄化のための液体導管の
三重構造となった導管5が上方に延び、その導管5の先
端部(上端部)が、ウエハ1のオーバーハングした露出
面に接近して位置されるようになっている。これにて、
ウエハ1の酸化物被膜の厚みを検出しながら研磨作業を
行うことができるようになっている。
【0004】ところで、上記したレーザ干渉測定装置4
によりウエハ1の厚みを検出するためには、ウエハ1の
計測面に対してレーザ光を直角に照射する、言換えれば
ウエハ1の下面とレーザ干渉測定装置4の検出面(この
場合導管5の先端面)との間の平行状態つまりウエハ1
の水平状態を保つ必要がある。ところが、上記従来のも
のでは、ウエハ1が研磨ヘッド2に対して傾いて保持さ
れていたり、研磨ヘッド2のチャック部分自体が傾いて
いたりした場合に、レーザ干渉測定装置4の検出面とウ
エハ1面との向きにずれが生じて正確な厚みを検出でき
なくなる問題点があった。
【0005】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、ウエハに傾きが生じても正確な厚み計
測が可能なウエハ厚計測装置及びウエハ研磨方法を提供
するにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のウエハ厚計測装
置は、容器状をなすベース部の上面開口部を塞ぐように
ダイアフラムを設け、上端側に受け部を有するセンサヘ
ッドのシャフト部の下端をそのダイアフラムに固定し、
光ビームの干渉を用いてウエハの厚みを非接触で検出す
る厚みセンサをセンサヘッドに取付け、前記センサヘッ
ドの受け部上に液体供給手段により清浄化用の液体を供
給して該液体に前記ウエハの下面を接触させた状態で、
前記厚みセンサにより該ウエハの厚みを計測するように
構成したものである(請求項1の発明)。
【0007】これによれば、センサヘッドの受け部の上
面側に、ウエハの下面を宛がうように接近して配置する
ことにより、清浄化用の液体によってウエハの下面を清
浄化しながら、厚みセンサによりウエハの厚みを計測す
ることができる。このとき、清浄化用の液体が受け部と
ウエハとの間に介在されるので、受け部の上端がウエハ
に当接して傷付けるといったことが未然に防止される。
そして、センサヘッドは、その下端部にてダイアフラム
によってベース部に対して揺動可能に取付けられるよう
になり、これにより、ウエハに水平方向に対する傾きが
生じていても、ウエハからセンサヘッドにモーメント力
が作用し、ウエハの傾きに追従してセンサヘッドが傾く
ようになる。従って、ウエハの下面に対する厚みセンサ
の位置及び角度を常に一定とした状態で、ウエハの厚み
を計測することができ、この結果、ウエハに傾きが生じ
ても正確な厚み計測が可能となるものである。
【0008】この場合、センサヘッドの受け部を、外周
壁が立上る浅底容器状に構成し、その底部から清浄化用
の液体を供給してその外周壁の上端部から溢れるように
構成することができる(請求項2の発明)。これによれ
ば、受け部内に清浄化用の液体を常にたたえた状態と
し、その外周壁の上端部とウエハの下面との隙間から溢
れさせることができ、清浄化用の液体を受け部とウエハ
との間に安定して供給することができる。
【0009】また、厚みセンサを、センサヘッドの受け
部の上端よりも下方に位置して設けるようにすれば(請
求項3の発明)、ウエハの下面と厚みセンサとの間に一
定の距離が確保されると共に、ウエハの下面の計測位置
を清浄化用の液体で覆った状態で厚みの計測を行うこと
ができ、厚みセンサが汚れることもなく、安定して高精
度の厚み計測を行うことができる。厚みセンサを、セン
サヘッドに上下方向の位置調整可能に取付けるようにす
ることもでき(請求項4の発明)、これにより、ウエハ
の下面と厚みセンサとの間が計測に適切な距離となるよ
うに調整することができる。
【0010】さらに、ベース部とダイアフラムとから構
成されるタンク部と、受け部との間をシャフト部内に形
成された液体通路によって繋ぎ、前記タンク部及び液体
通路を通して清浄化用の液体を受け部に供給する構成と
することもできる(請求項5の発明)。これによれば、
タンク部の液体の圧力と、受け部に満たされる液体の圧
力とを同等とした状態で、受け部上に液体を供給するこ
とができる。
【0011】この際、ダイアフラムの液体を受ける面積
よりも、受け部の投影面積の方を大きくしておくことに
より(請求項6の発明)、受け部に対し液体を介してウ
エハから下方への押下げ力が作用しても、その押下げ力
の方が、センサヘッドがダイアフラムを介して液体から
受ける上方への力よりも大きくなり、その押下げ力に応
じてダイアフラムがタンク部内に没入する方向に変形し
てセンサヘッドが下方に変位し、以てウエハと受け部と
の間の一定の隙間を維持することができる。
【0012】上記清浄化用の液体としては、純水を採用
することができ(請求項7の発明)、これにより、特別
な薬品を使用することなく、ウエハの下面の汚れを清浄
化することが可能となり、また、ウエハや他の装置を汚
染したり悪影響を及ぼすこともない。
【0013】そして、本発明のウエハ研磨方法は、上面
側がチャック装置により保持されたウエハの下面を研磨
プラテンに接触回転させる研磨工程の途中において、上
記した請求項1ないし7のいずれかに記載のウエハ厚計
測装置を用い、そのウエハ厚計測装置のセンサヘッドの
受け部上に供給された液体に対し、チャック装置により
保持されたウエハの下面を接触させて該ウエハの厚みを
計測する計測工程を実行し、その計測結果に基づいて目
的厚みを得るようにその後の研磨加工を制御するところ
に特徴を有する(請求項8の発明)。これによれば、上
記したウエハ厚計測装置を用いるので、ウエハがチャッ
ク装置に対して傾いて保持されていたり、チャック装置
自体が傾いていたりした場合でも、ウエハの厚みを正確
に計測しつつ研磨加工を行うことが可能となる。
【0014】このとき、ウエハ厚計測装置を自在に移動
させる移動手段を設け、計測工程において研磨プラテン
上から外れた位置で回転を停止したチャック装置に対
し、センサヘッドを接近させてウエハの厚みを計測する
ようにすることができる(請求項9の発明)。これによ
り、計測しないときにはウエハ厚計測装置を邪魔になら
ない位置に退避させておき、計測時にウエハ厚計測装置
を適切な位置に移動させてウエハの厚み計測を行うこと
ができ、また、ウエハ中の任意の位置の厚みを計測する
ことが可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例につい
て、図1及び図2を参照しながら説明する。尚、この実
施例では、半導体製造プロセス中の半導体ウエハ(シリ
コンウエハ)の製造工程において、ウエハの表面を研磨
加工(ポリシング)して平坦化(あるいは鏡面仕上げ)
するウエハ研磨装置に、本発明のウエハ厚計測装置を適
用した場合を例としている。
【0016】図1及び図2は、本実施例に係るウエハ厚
計測装置11を有したウエハ研磨装置の要部構成を示し
ており、ここで、ウエハ研磨装置は、ウエハ12を保持
するチャック装置13、及び、そのウエハ12を研磨す
る研磨プラテン14を備えている。また、ウエハ厚計測
装置11は、研磨プラテン14の側方(図で右側)に配
置されるようになっている。
【0017】前記チャック装置13は、前記ウエハ12
を水平状態として、その上面側を吸着保持するようにな
っており、詳しく図示はしないが、回転駆動機構によっ
てウエハ12の中心部を垂直方向に延びる回転軸に一致
させた状態で回転駆動されると共に、移動機構によって
上下方向及び水平方向に自在に移動されるようになって
いる。
【0018】前記研磨プラテン14は、円形ドラム状を
なし、図示しない駆動機構によって回転駆動されるよう
になっている。また、この研磨プラテン14の上面に
は、図示しないスラリー供給装置によってスラリー(研
磨剤)が供給されるようになっている。ウエハ研磨装置
は、ウエハ12を保持したチャック装置13を回転させ
つつ、ウエハ12の下面(研磨面)を、研磨プラテン1
4の上面に押し当てることにより、研磨加工するように
なっている。
【0019】さて、本実施例に係るウエハ厚計測装置1
1は、以下のように構成されている。即ち、このウエハ
厚計測装置11は、大きく分けて、ベース部15とこの
ベース部15に支持されるセンサヘッド16とを備えて
構成される。前記ベース部15は、円筒容器状をなし、
その上面開口部を液密に塞ぐように、ダイアフラム17
が取付けられ、もってその内部に液体が収容されるタン
ク部18が構成されている。この場合、前記ダイアフラ
ム17は、例えばステンレスの薄板等のようなある程度
の強度があって且つ弾性変形可能な材質から構成されて
いる。
【0020】本実施例においては、このベース部15
は、板状の計測位置移動部19の先端上面部に水平状態
を保って取付けられるようになっており、図示はしない
が、計測位置移動部19は、移動手段(例えばロボット
アーム)により水平方向(図で左右方向)に自在に移動
可能に設けられている。これにて、ベース部15ひいて
はウエハ厚計測装置11は、ウエハ研磨装置(チャック
装置13)に対して接離方向に自在に移動することが可
能とされ、また、チャック装置13に保持されたウエハ
12の厚み計測位置の変更も可能に構成されている。
【0021】また、このベース部15の底部中央部に
は、液体供給口20が設けられ、この液体供給口20
に、液体供給管21(一部のみ図示)の先端が接続され
ている。前記液体供給管21の基端側は、図示しない液
体供給源に接続されており、もって、液体供給源及び液
体供給管21等から、清浄化用の液体であるこの場合純
水22をタンク部18内(ひいては後述する受け部)に
所定の水圧で供給する液体供給手段が構成されるように
なっている。さらに、このベース部15の周壁部の一部
(図で右側部)には、後述する厚みセンサの配線が液密
状態を保った状態で外部に導出される配線導出口23も
設けられている。
【0022】これに対し、前記センサヘッド16は、前
記ウエハ12の下面側に配置される受け部24と、その
受け部24の底部中心部から下方に延びるシャフト部2
5とを一体に有して構成されている。前記受け部24
は、外周壁24aが所定の高さで立上がる浅底円形容器
状をなしている。また、前記シャフト部25の中心部に
は、上下方向に貫通する貫通孔25aが設けられ、その
貫通孔25a内に、厚みセンサ26がセンサホルダ27
に支持された状態で、下方から挿入されて取付けられて
いる。
【0023】これにて、前記厚みセンサ26は、前記貫
通孔25aの上端開口部部分つまり受け部24の底部中
心部部分に真上を向いた状態で配置され、このとき厚み
センサ26は、受け部24の外周壁24aの上端よりも
下方に位置されるようになっている。また、本実施例で
は、前記センサホルダ27は、センサヘッド16に対し
て上下方向に位置調整可能に取付けられ、もって厚みセ
ンサ26の上下方向の位置調整が可能とされている。
尚、前記厚みセンサ26の配線26aは、センサホルダ
27の中心部を通ってその下端部から導出される。
【0024】この厚みセンサ26は、前記ウエハ12の
計測点の厚みを下面側から非接触で検出するものであ
る。その原理については、本出願人の先の出願に係る特
開平7−306018号公報等にて周知であるので、詳
しい説明は省略するが、先端から真上に向けて半導体を
透過する光ビーム(レーザ光や赤外線)を、波長を変化
させながら照射し、ウエハ12の下面で反射する反射光
と上面で反射する反射光との干渉光を検出して、その干
渉光の位相あるいは周期の変化からウエハ12の実際の
厚みを直接的に検出するものである。
【0025】そして、このように構成されたセンサヘッ
ド16は、前記シャフト部25の下端部が前記ダイアフ
ラム17の中央部を貫通した状態で取付けられている。
このとき、前記シャフト部25の下端部には、やや径大
となった径大部25bが設けられ、この径大部25bが
タンク部18内に位置するようになっている。また、前
記厚みセンサ26の配線26aは、上記した配線導出口
23を通って外部に導出されるようになっている。
【0026】そして、前記シャフト部25内には、前記
タンク部18と受け部24とをつなぐ例えば5個(図2
参照)の液体通路28が、前記貫通孔25aの外周側に
等間隔に形成されている。この場合、各液体通路28
は、シャフト部25内を前記貫通孔25aの外周側にて
上下方向に延び、その上端部が受け部24の底面にて前
記厚みセンサ26の周囲部に位置して開口し、下端部が
径大部25b部分にて外周方向に折曲がって該径大部2
5bの外周面で開口している。
【0027】これにて、液体供給口20から純水22が
タンク部18内に供給されると、その純水22は、該タ
ンク部18内に充満した後、各液体通路28を通って受
け部24の底部から受け部24内に供給され、遂には受
け部24内に充溢して外周壁24aの上端部から溢れる
ようになる。このとき、図1に示すように、受け部24
の内径寸法Aは、ダイアフラム17の水圧を受ける部分
の直径寸法Bよりも大きくなっており、言換えれば、ダ
イアフラム17の液体を受ける面積よりも、受け部24
の投影面積の方が大きく構成されている。
【0028】尚、図示はしないが、上記したウエハ研磨
装置(ウエハ厚計測装置11を含む)には、マイコン等
から構成され全体の制御を行う制御装置が設けられてい
る。これにより、チャック装置13によるウエハ12の
チャック及び搬出、チャック装置13の移動及び回転、
研磨プラテン14の回転やスラリーの供給等が制御さ
れ、自動でウエハ12の研磨加工が実行されるようにな
っている。
【0029】これと共に、ウエハ厚計測装置11におけ
る、計測位置移動部19の移動、液体の供給、厚みセン
サ26の動作、厚みセンサ26からの信号の処理なども
制御装置により制御され、もって後述するような計測工
程が実行されるようになっている。このとき、制御装置
には、目標とするウエハ12の厚み寸法が予め設定され
ていると共に、ウエハ12中の計測位置や単位時間当り
の標準的な研磨量等のデータが記憶されている。
【0030】次に、上記構成の作用について述べる。上
記したウエハ研磨装置によりウエハ12の研磨加工を行
うにあたっては、チャック装置13によりウエハ12を
保持した状態で、チャック装置13(ウエハ12)を研
磨プラテン14の上方に移動し、チャック装置13(ウ
エハ12)を回転させた状態で加工させ、ウエハの下面
(研磨面)を研磨プラテン14の上面に接触回転させる
ことが行われる。また、研磨プラテン14の上面にはス
ラリーが供給されるようになっている。
【0031】このとき、本実施例では、研磨加工を開始
する前、及び研磨加工の途中の適宜の時点で、上記ウエ
ハ厚計測装置11によるウエハ12を厚みを計測する計
測工程が実行される。この厚み計測を行うにあたって
は、図1に示すように、チャック装置13は、その回転
駆動が停止され、研磨プラテン14の側方で且つ上方
(ウエハ12の下面が研磨プラテン14の上面よりも上
方に位置する状態)に移動される。
【0032】これに対し、図1に示すように、ウエハ厚
計測装置11は、計測位置移動部19によって図示しな
い退避位置から研磨プラテン14の側方(図で右側)の
計測位置に移動される。そして、液体供給源から液体供
給管21を通して、タンク部18内に清浄化用の液体で
ある純水22が継続的に供給されるようになる。尚、こ
のときには、センサヘッド16に設けられた厚みセンサ
26は、チャック装置13に保持されたウエハ12の計
測点の真下に来るようになっており、また、センサヘッ
ド16に対する厚みセンサ26の上下方向位置は、適切
な計測距離が得られるように予め調整されている。
【0033】ここで、上述のように、純水22の継続的
な供給により、その純水22がタンク部18内に充満し
た後、液体通路28を通って受け部24内に供給され、
受け部24内に純水22を常にたたえた状態としなが
ら、図1に示すように受け部24の外周壁24aの上端
部の全周から均等に溢れるようになる。この状態では、
タンク部18内の純水22の圧力と、液体通路28によ
ってそのタンク部18内と連通している受け部24に満
たされる純水22の圧力とが同等となる。
【0034】そして、このとき、センサヘッド16がダ
イアフラム17を介してタンク部18内の純水22によ
って受け部24を水平にしていわばフローティングされ
た状態に保持され、また、センサヘッド16はシャフト
部25の下端部にて、ダイアフラム17によって揺動可
能に支持された状態となる。
【0035】この状態で、前記チャック装置13が下降
し、図1に示すように、ウエハ12の下面が受け部24
上に溢れている純水22に接触される。これにて、ウエ
ハ12の下面を清浄化用の純水22で覆った状態とし、
しかもウエハ12の下面と受け部24の外周壁24aの
上端との間に所定の隙間をもってその隙間から常に純水
22を溢れさせた状態(純水22を常に流す状態)とす
ることができ、これにより、ウエハ12の下面がスラリ
ー等によって汚れていても、その汚れを清浄化すること
ができ、また、受け部24の外周壁24aの上端がウエ
ハ12の下面に当接して傷付けることも未然に防止され
る。
【0036】このように、ウエハ12の下面を純水22
で覆った状態で、前記厚みセンサ26によるウエハ12
の所定の計測点の厚みの計測が行われるのである。この
とき、厚みセンサ26は、ウエハ12の下面との間に適
切な計測距離をもって位置され、また、厚みセンサ26
は受け部24の上端部よりも下方に位置されているの
で、厚みセンサ26がウエハ12に接触して汚れるとい
ったこともない。尚、清浄化用の液体として純水22を
採用しているので、特別(高価)な薬品を使用すること
はなく、またウエハ12や他の装置を汚染したり悪影響
を及ぼしたりすることもない。
【0037】また、上記のようにチャック装置13を下
降させてウエハ12の下面を受け部24上の純水22に
接触させるに際し、チャック装置13が必要以上に下降
して受け部24に対し純水22を介してウエハ12から
下方への押下げ力が作用する虞がある。ところが、ダイ
アフラム17の液体を受ける面積よりも、受け部24の
投影面積の方が大きく構成されているので、その押下げ
力の方が、センサヘッド16がダイアフラム17を介し
てタンク部18内の純水22から受ける上方への力より
も大きくなり、その押付け力に応じてダイアフラム17
がタンク部18内に没入する方向に変形してセンサヘッ
ド16が下方に変位し、もってウエハ12と受け部24
との間の一定の隙間を維持することができるのである。
【0038】しかして、上述のようなウエハ12の厚み
計測の際に、ウエハ12がチャック装置13に傾いて保
持されていたり、チャック装置13自体が傾いていたり
した場合に、受け部24が水平状態のままであれば、厚
みセンサ26とウエハ12の下面との向きにずれが発生
し、正確な厚みを検出できなくなる虞が生ずる。
【0039】ところが、センサヘッド16は、その下端
部にてダイアフラム17によってベース部15に対して
揺動可能に取付けられているので、もしウエハ12に水
平方向に対する傾きが生じていても、ウエハ12からセ
ンサヘッド16にモーメント力が作用し、ウエハ12の
傾きに追従してセンサヘッド16が傾くようになる。従
って、ウエハ12の下面に対する厚みセンサ26の位置
及び角度を常に一定とした状態で、ウエハ12の厚みを
正確に計測することができるのである。
【0040】上述のように、ウエハ厚計測装置11(厚
みセンサ26)による厚みの計測が行われると、その計
測結果に基づいて、目標となるウエハ12の厚みを得る
ように、以降の研磨加工の制御が行われる。例えば、研
磨加工前の厚み計測の結果によって研磨加工時間が設定
され、研磨加工の途中の厚み計測の結果によって、目標
厚みとなるまでの残りの研磨加工時間が補正(設定)さ
れたり、目標厚みが得られたならば研磨加工を終了する
といった制御が行われるのである。
【0041】このように本実施例によれば、センサヘッ
ド16の受け部24上に清浄化用の純水22を供給しな
がら厚みセンサ26により厚み計測を行うと共に、セン
サヘッド16をその下端部にてダイアフラム17によっ
て揺動可能に支持する構成としたので、ウエハ1に傾き
が生じていた場合に正確な厚みを検出できなかった従来
のものと異なり、ウエハ12に傾きが生じていても正確
な厚み計測が可能となるという優れた効果を得ることが
できるものである。
【0042】尚、上記実施例では、計測工程において、
研磨プラテン14の側方に配置されたウエハ厚計測装置
11に対して、ウエハ12を保持したチャック装置13
を移動させてウエハ12をセンサヘッド16に接近させ
るようにしたが、ウエハ厚計測装置11を自在に移動さ
せることによって、センサヘッド16をウエハ12に接
近させるように構成することもできる。即ち、例えばウ
エハ12を保持したチャック装置13を研磨プラテン1
4の垂直上方に移動させ、位置決め状態としてウエハ厚
計測装置11を移動させて測定を行うことができ、これ
により、研磨プラテン14の側方にスペースがなくて
も、研磨加工の途中において計測工程を実行することが
可能となる。
【0043】その他、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、例えばセンサヘッド16の受け部24か
ら液体を溢れさせた状態でその液体にウエハ12を接触
させることに代えて、センサヘッド16にウエハ12を
接近させて停止させた後に、受け部24に純水22を供
給するようにしても良く、また、本発明のウエハ厚計測
装置は、ウエハ研磨装置に組込むものに限らず、単独の
装置としてウエハの厚みを計測する場合にも適用するこ
とができるなど、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更し
て実施し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すもので、ウエハ厚計測
装置の構成を示す縦断正面図
【図2】ウエハの研磨加工時の様子を概略的に示す平面
【図3】従来例を示すもので、研磨装置の構成を示す図
【符号の説明】
図面中、11はウエハ厚計測装置、12はウエハ、13
はチャック装置、14は研磨プラテン、15はベース
部、16はセンサヘッド、17はダイアフラム、18は
タンク部、19は計測位置移動部、20は液体供給口、
22は純水(清浄化用の液体)、24は受け部、24a
は外周壁、25はシャフト部、26は厚みセンサ、28
は液体通路を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA30 BB01 CC19 DD00 DD16 FF51 GG04 GG25 HH13 JJ09 MM06 NN06 PP13 PP22 UU03 4M106 AA01 BA05 CA48 DH03 DH12 DH60

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上面が開口した容器状をなすベース部
    と、 このベース部の上面開口部を塞ぐように設けられるダイ
    アフラムと、 このダイアフラムに下端が固定されるシャフト部の上端
    に、ウエハの下面側に配置される受け部を有するセンサ
    ヘッドと、 このセンサヘッドに取付けられ光ビームの干渉を用いて
    前記ウエハの厚みを非接触で検出する厚みセンサと、 前記センサヘッドの受け部上に清浄化用の液体を供給す
    る液体供給手段とを具備し、 前記受け部上の液体に前記ウエハの下面を接触させた状
    態で、前記厚みセンサにより該ウエハの厚みを計測する
    ことを特徴とするウエハ厚計測装置。
  2. 【請求項2】 前記センサヘッドの受け部は外周壁が立
    上る浅底容器状をなし、その底部から前記清浄化用の液
    体が供給されて前記外周壁の上端部から溢れるように構
    成されていることを特徴とする請求項1記載のウエハ厚
    計測装置。
  3. 【請求項3】 前記厚みセンサは、前記センサヘッドの
    受け部の上端よりも下方に位置して設けられることを特
    徴とする請求項1又は2記載のウエハ厚計測装置。
  4. 【請求項4】 前記厚みセンサは、前記センサヘッドに
    上下方向の位置調整可能に取付けられていることを特徴
    とする請求項1ないし3のいずれかに記載のウエハ厚計
    測装置。
  5. 【請求項5】 前記ベース部とダイアフラムとから構成
    されるタンク部と、前記受け部との間が前記シャフト部
    内に設けられた液体通路によって繋がれていると共に、
    前記液体供給手段は、前記タンク部及び液体通路を通し
    て前記受け部に清浄化用の液体を供給するように構成さ
    れていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか
    に記載のウエハ厚計測装置。
  6. 【請求項6】 前記ダイアフラムの液体を受ける面積よ
    りも、前記受け部の投影面積の方が大きいことを特徴と
    する請求項5記載のウエハ厚計測装置。
  7. 【請求項7】 前記清浄化用の液体は純水であることを
    特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のウエハ
    厚計測装置。
  8. 【請求項8】 ウエハの上面側をチャック装置により保
    持させ、該ウエハの研磨面である下面を研磨プラテンに
    接触回転させて研磨加工を行うウエハ研磨方法であっ
    て、 前記研磨加工の途中の適宜の時点において、請求項1な
    いし7のいずれかに記載のウエハ厚計測装置を用いて、
    そのウエハ厚計測装置のセンサヘッドの受け部上に供給
    された液体に対し、前記チャック装置により保持された
    ウエハの下面を接触させて該ウエハの厚みを計測する計
    測工程を実行し、その計測結果に基づいて目的とするウ
    エハ厚みを得るようにその後の研磨加工を制御すること
    を特徴とするウエハ研磨方法。
  9. 【請求項9】 前記ウエハ厚計測装置は、移動手段によ
    って前記チャック装置に対して自在に移動されるように
    構成されており、前記計測工程においては、前記研磨プ
    ラテン上から外れた位置で回転を停止したチャック装置
    に対し、センサヘッドを接近させてウエハの厚みを計測
    することを特徴とする請求項8記載のウエハ研磨方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009000796A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Disco Abrasive Syst Ltd 厚さ計測装置及び研削装置
JP2009050944A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Disco Abrasive Syst Ltd 基板の厚さ測定方法および基板の加工装置
JP2010034462A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨装置
JP2010034479A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハの研磨方法
JP2010533605A (ja) * 2007-07-20 2010-10-28 マーポス、ソチエタ、ペル、アツィオーニ 要素が機械加工されている間に該要素の厚さ寸法をチェックするための装置および方法
US8834230B2 (en) 2008-07-31 2014-09-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Wafer polishing method and double-side polishing apparatus
CN108818213A (zh) * 2018-07-27 2018-11-16 望江县天长光学仪器有限公司 一种抛光装置
CN109489568A (zh) * 2018-09-30 2019-03-19 南京大学 一种在线测定废水处理填料生物膜厚度的辅助装置及测定方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009000796A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Disco Abrasive Syst Ltd 厚さ計測装置及び研削装置
JP2010533605A (ja) * 2007-07-20 2010-10-28 マーポス、ソチエタ、ペル、アツィオーニ 要素が機械加工されている間に該要素の厚さ寸法をチェックするための装置および方法
US8546760B2 (en) 2007-07-20 2013-10-01 Marposs Societa'per Azioni Apparatus and method for checking thickness dimensions of an element while it is being machined
JP2009050944A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Disco Abrasive Syst Ltd 基板の厚さ測定方法および基板の加工装置
JP2010034462A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨装置
JP2010034479A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハの研磨方法
US8834230B2 (en) 2008-07-31 2014-09-16 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Wafer polishing method and double-side polishing apparatus
US9108289B2 (en) 2008-07-31 2015-08-18 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Double-side polishing apparatus
CN108818213A (zh) * 2018-07-27 2018-11-16 望江县天长光学仪器有限公司 一种抛光装置
CN109489568A (zh) * 2018-09-30 2019-03-19 南京大学 一种在线测定废水处理填料生物膜厚度的辅助装置及测定方法

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