JP5214383B2 - 半導体素子のバーンイン装置およびそのバーンイン方法 - Google Patents
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Description
Gt=Fx−Fx-1
GAn=FAn−FAn-1
(GAn<Gt)and(GAn-1<Gt)and …… and (GAn-(k-1)<Gt)
102 メインバーンインチャンバ
104 緩衝バーンインチャンバ
106 制御装置
110 ゲート
120 ゲート
20 バーンインボード
202 テストソケット
204 接続インターフェース
206 半導体素子
Claims (2)
- 複数のスロットが設けられた少なくとも1つのスロット基板が設けてあるメインバーンインチャンバと、緩衝バーンインチャンバとを提供するステップと、
半導体素子が収納された複数のテストソケットが設けてある少なくとも1つのバーンインボードを提供するステップと、
該バーンインボードを緩衝バーンインチャンバの中にロードするステップと、
該緩衝バーンインチャンバを加温し、該バーンインボード上の各半導体素子の温度がバーンインの温度に達するようにする予熱を実施するステップと、
該緩衝バーンインチャンバ内の各バーンインボードを該メインバーンインチャンバに移す該バーンインボードをロードするステップと、
制御装置から電気テスト信号を各半導体素子に提供し電気テストを実施するステップと、
該制御装置が各半導体素子から返信されたテスト信号を受信することにより、これらの半導体素子の故障率を計算するステップと、
該制御装置がこれらのバーンインボードでバーンインテストが終了したか否かを判断するステップと、
を少なくとも含み、
前記制御装置を用いて、前記メインバーンインチャンバおよび前記緩衝バーンインチャンバの温度をそれぞれ制御し、
前記制御装置を用いて、前記メインバーンインチャンバにおける前記複数のスロットの電流または電圧を制御し、
前記制御装置を用いて、前記メインバーンインチャンバおよび前記緩衝バーンインチャンバの間に位置する第1のゲートの開閉を制御し、
前記制御装置を用いて、前記緩衝バーンインチャンバの側部上に位置する第2のゲートの開閉を制御するマルチチャンバ構造を有する半導体素子バーンイン方法。 - 制御装置があるバーンインボードでバーンインテストが終了したことを判断した後、該制御装置が継続するフローは、
バーンインボードを該メインバーンインチャンバから緩衝バーンインチャンバの中に移す、該バーンインテストをすでに終了したバーンインボードをロードするステップと、
緩衝バーンインチャンバの中の温度を降温し、温度調整を行なうステップと、
該バーンインテストをすでに終了したバーンインボードを移し出し、該バーンインボードを緩衝バーンインチャンバの外に搬送するステップと、
テスト前のバーンインボードを提供し、緩衝バーンインチャンバの中に入れるステップと、
緩衝バーンインチャンバ内の温度を調整し、緩衝バーンインチャンバの中の温度がバーンインの温度に達するようにするステップと、
該テスト前のバーンインボードをメインバーンインチャンバの中にロードするステップと、
電気テストを行ない、電気テスト信号を提供し、各半導体素子に対して電気テストを行なうステップと、
該制御装置が各半導体素子から返信されたテスト信号を受信することにより、これらの半導体素子の故障率を計算するステップと、
該制御装置がこれらのバーンインボードでバーンインテストが終了したか否かを判断するステップと、
を含み、
前記制御装置を用いて、前記メインバーンインチャンバおよび前記緩衝バーンインチャンバの温度をそれぞれ制御し、
前記制御装置を用いて、前記メインバーンインチャンバにおける前記複数のスロットの電流または電圧を制御し、
前記制御装置を用いて、前記メインバーンインチャンバおよび前記緩衝バーンインチャンバの間に位置する第1のゲートの開閉を制御し、
前記制御装置を用いて、前記緩衝バーンインチャンバの側部上に位置する第2のゲートの開閉を制御するマルチチャンバ構造を有する半導体素子バーンイン方法。
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