JP5201594B2 - コンデンサマイクロホンおよびそのインピーダンス変換器 - Google Patents
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Description
特許文献1に記載されている上記インピーダンス変換器は、三極管からなる真空管をカソードフォロワ接続することにより信号を出力するようになっている。カソードフォロワは、高い入力インピーダンスと低い出力インピーダンスを実現することができ、最大出力レベルを大きくすることができる。
第2の増幅管4を付加することにより、これにもヒータ電流を供給する必要があり、消費電力が増大する難点もある。
インピーダンス変換素子としての真空管のプレート電流を規定する素子を、真空管ではなくFETを使用したことにより、真空管を使用した場合のようなカソードとヒータ間の高い電位差による絶縁破壊の問題がなくなり、絶縁破壊による雑音の問題も解消する。また、インピーダンス変換素子としての真空管のプレート電流を規定する素子を、真空管からFETに代替することを実現したことによって、ヒータで消費される電力分だけ電力消費を軽減することができる。
図1において、符号10はコンデンサマイクロホンユニットを示し、符号20を付したブロックはインピーダンス変換器を示している。コンデンサマイクロホンユニット10を構成する二つの電極は、それぞれインピーダンス変換器20の入力端子11とグランド入力端子12に接続されている。上記入力端子11から入力されるコンデンサマイクロホンユニット10の出力信号は、結合コンデンサC1を経て真空管30のグリッドに入力される。真空管30は三極管からなりインピーダンス変換素子として動作する。真空管30のプレートには、直流の高電圧電源(例えば、120V)Vbがインピーダンス変換器20の電源端子25から抵抗R8を介して印加される。
結果的に、第1、第2のダイオードD3,D4は、交流に対して端子間の電位差がゼロ付近で動作して端子間の電圧降下はゼロであり、実質的にダイオードD3,D4の代わりに高抵抗を接続したのと等価になる。
換言すれば、真空管30のバイアス回路は、互いに逆向きにして並列に接続された第1、第2のダイオードD3,D4と、バイアス抵抗R7によって構成され、真空管30のグリッドに一定のバイアス電圧を加える固定バイアス回路を構成している。
また、FET35のソースとグランドとの間に接続されているプレート電流制御用の抵抗R1が、真空管30のプレート電流を規定し、抵抗R1を調整することによって上記プレート電流を制御することができるため、上記プレート電流のばらつきを抑制することができる。
図示の実施例では、コンデンサマイクロホンユニット10に電圧を印加するために、抵抗R4,R5,R6、ダイオードD1,D2、コンデンサC1,C2からなる電圧印加回路を備えているが、エレクトレット型のコンデンサマイクロホンユニットの場合、上記電圧印加回路は不要である。
20 インピーダンス変換器
30 真空管
35 FET
40 トランス
D3 第1のダイオード
D4 第2のダイオード
R1 プレート電流制御用抵抗
R2 分圧抵抗
R3 分圧抵抗
Claims (6)
- コンデンサマイクロホンユニットの出力信号がグリッドに入力されカソードフォロワ出力される真空管と、
上記真空管とカスケード接続され上記真空管に流れる電流を規定するFETと、
上記真空管のグリッドにバイアス電圧を加えるバイアス回路と、を備え、
上記バイアス回路は、上記真空管のグリッドにバイアス電圧を加える第1のダイオードおよび第1のダイオードに並列かつ逆向きに接続された第2のダイオードと、これら第1、第2のダイオードを経て上記真空管のグリッドに一定のバイアス電圧を加えるバイアス抵抗と、を有する固定バイアス回路であるコンデンサマイクロホンのインピーダンス変換器。 - 真空管とFETとのカスケード接続に、上記真空管のプレート電流制御用の抵抗が接続されている請求項1記載のコンデンサマイクロホンのインピーダンス変換器。
- 真空管のグリッドに加えられるバイアス電圧は、直流高圧電源から分圧抵抗によって分圧される電圧である請求項1記載のコンデンサマイクロホンのインピーダンス変換器。
- 真空管は三極管である請求項1記載のコンデンサマイクロホンのインピーダンス変換器。
- コンデンサマイクロホンユニットと、高い入力インピーダンスと低い出力インピーダンスを持ち上記コンデンサマイクロホンユニットの出力信号を入力とするインピーダンス変換器を備えたコンデンサマイクロホンであって、
上記インピーダンス変換器は、請求項1乃至4のいずれかに記載のインピーダンス変換器であるコンデンサマイクロホン。 - インピーダンス変換器の出力信号は、トランスを介して平衡出力される請求項5記載のコンデンサマイクロホン。
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