JP5190064B2 - Uv処理リアクタ - Google Patents
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Description
典型的な円状アレイを有するリアクタが、本発明の実施例と比較するために変更された。このようなリアクタは、少なくとも6つ又はそれを超えるランプを必要としている。本発明との比較のために、「円状アレイ」を有するリアクタは、図3bに示すように5つのランプのみを用いたUVランプ配置を含むように準備された。ランプのこのアレイでは、ランプ(b1)(b2)が、UV源(a1)(a2)の下流側に配置されており、図5の実施例のような山形アレイに5つのランプ有するリアクタと比較して、基本的に円状のアレイとなっている。ランプの対の間のスパンは維持された。計算流体力学(CFD)モデリングが、フルエンスフィールドモデリングと結合されて、このリアクタの性能を、5つのランプで動作している場合と、4つのランプで動作している場合とについて求めた。同様なテストは、図5に示すような山形パターンに並べられた5つのランプを用いた本発明の実施例について実行された。それらの結果は比較されて、以下の表1にまとめられている。
本発明の具体例では、本発明に従ってほぼ山形の構成に並べられた5つのUVランプを有するリアクタ(10)が、UVDGMに基づいたバイオアッセイ試験を用いて実証されて、性能を測定された。その結果は、表2にまとめられている。
Claims (23)
- 流体入口と、流体出口と、それらの間にある少なくとも1つのチャンバとを有しており、流体の流れを処理するリアクタを備えており、
前記チャンバ内には複数のUV源が配置されており、
複数のUV源は、第1の対と第2の対からなり、前記複数のUV源の各々の対は、上側UV源と下側UV源とからなり、
前記第1の対の上側UV源と下側UV源とは、前記第2の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンよりも大きなスパンで配置されており、
前記第2の対は、前記流体の流れの上流側又は下流側にて、前記第1の対と前記第2の対とが山形構成を成すように前記第1の対に隣接して配置されており、
前記第1の対と前記第2の対は、前記流体の流れの向きにほぼ垂直に配置されている流体処理装置。 - 前記流体処理装置は、前記チャンバの対向する壁に取り付けられた2つのバッフルを備えており、上に配置された上側バッフルは、前記第1の対の上側UV源に近接しており、下に配置された下側バッフルは、前記第1の対の下側UV源に近接している、請求項1の流体処理装置。
- 前記複数のUV源には、前記第2の対の上流側又は下流側にて、前記第1の対の反対側に配置された1つの第3のUV源が更に含まれており、前記第1の対と前記第2の対の間の距離のゼロ乃至2倍の距離だけ、前記1つの第3のUV源は、前記第2の対から離れている、請求項1の流体処理装置。
- 前記複数のUV源には、上側UV源と下側UV源とからなる第3の対が更に含まれており、前記第3の対は、前記第2の対の上流側又は下流側にて、前記第1の対の反対側に配置され、前記第3の対は、前記第1の対と前記第2の対の間の距離のゼロ乃至2倍の距離だけ、前記第2の対から離れており、前記第3の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンは、前記第2の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンよりも短い、請求項1の流体処理装置。
- 前記第2の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンは、前記第1の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンの3分の1である、請求項1の流体処理装置。
- 前記第2の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンは、前記第1の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンの2分の1である、請求項3の流体処理装置。
- 前記第2の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンは、前記第1の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンの5分の3であり、前記第3の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンは、前記第1の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンの5分の1である、請求項4の流体処理装置。
- 前記複数のUV源には、前記第3の対の上流側又は下流側にて配置された1つの追加UV源が更に含まれており、前記1つの追加UV源は、前記第1の対と前記第2の対の間の距離のゼロ乃至2倍の距離だけ、前記第3の対から離れている、請求項4の流体処理装置。
- 前記複数のUV源には、UV源の第4の対が更に含まれており、前記第4の対は、前記第3の対の上流側又は下流側に配置され、前記第4の対は、前記第1の対と前記第2の対の間の距離のゼロ乃至2倍の距離だけ、前記第3の対から離れており、前記第4の対のUV源の間のスパンは、前記第3の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンよりも短い、請求項4の流体処理装置。
- 前記第2の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンは、前記第1の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンの3分の2であり、前記第3の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンは、前記第1の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンの3分の1である、請求項8の流体処理装置。
- 前記第2の対の間のスパンは、前記第1の対の間のスパンの7分の5であり、前記第3の対の間のスパンは、前記第1の対の間のスパンの7分の3であり、前記第4の対の間のスパンは、前記第1の対の間のスパンの7分の1である、請求項9の流体処理装置。
- 前記複数のUV源は、中圧UVランプ、低圧UVランプ、パルスUVランプ、UV光発光ダイオード、又はそれらの組合せである、請求項1の流体処理装置。
- 前記複数のUV源には、UV源の2つの対からなるUV源のアセンブリを更に含んでおり、それらUV源の第1の対のUV源は、それらUV源の第2の対のUV源の間のスパンよりも大きいスパンでお互いに配置されており、それらUV源は、前記流体の流れにほぼ垂直に配置されている、請求項1の流体処理装置。
- 前記第1の対と前記第2の対の間の距離は、前記第2の対から前記第1の対へのスパンの増加分の0.2乃至1.5倍の範囲内である、請求項1の流体処理装置。
- 前記第1の対の上側UV源と前記第2の対の上側UV源とで生成される平面は、前記第1の対の下側UV源と前記第2の対の下側UV源とで生成される平面と、40度から140度の角度で交差する、請求項1の流体処理装置。
- 前記2つのバッフルの各々は、反応チャンバの対向する壁と20度から90度の角度を成している、請求項2の流体処理装置。
- 前記1つの第3のUV源は、前記第2の対の上流側に配置されており、前記複数のUV源には、前記第1の対、前記第2の対、及び前記1つの第3のUV源の下流側にある第4のUV源が更に含まれており、前記第4のUV源は、前記第1の対、前記第2の対、及び前記1つの第3のUV源の隣接するUV源の間のスパンのほぼ中点に、前記流体の流れとほぼ垂直に配置されている、請求項3の流体処理装置。
- 前記第4のUV源は、2つ以上のUV源からなり、それらUV源の各々は、前記第1の対、前記第2の対、及び前記1つの第3のUV源の隣接するUV源の間のスパンのほぼ中点に、前記流体の流れとほぼ垂直に配置されている、請求項17の流体処理装置。
- 前記第1の対、前記第2の対、前記1つの第3のUV源、及び前記第4のUV源の下流側に、前記第1の対、前記第2の対、前記1つの第3のUV源、及び前記第4のUV源の中の1つのUV源の鏡像を与える位置に配置された少なくとも1つのUV源を更に含む、請求項17の流体処理装置。
- 流体処理装置を用いて流体の流れを処理する方法において、
チャンバに前記流体を流す工程と、前記チャンバ内に配置された複数のUV源に前記流体をさらす工程とを含んでおり、
複数のUV源は、第1の対と第2の対からなり、
複数のUV源の各々の対は、上側UV源と下側UV源とからなり、
前記第1の対の上側UV源と下側UV源は、前記第2の対の上側UV源と下側UV源の間のスパンよりも大きいスパンで配置されており、
前記第2の対は、前記流体の流れの上流側又は下流側にて、前記第1の対と前記第2の対とが山形構成を成すように前記第1の対に隣接して配置されており、
前記第1の対と前記第2の対は、前記流体の流れにほぼ垂直に配置されている方法。 - 前記チャンバには、追加のUV源ユニットが更に配置されており、前記追加のUV源ユニットはUVランプを収納するように設計されている、請求項20の流体処理装置を用いて流体の流れを処理する方法。
- 流体の流れを処理する方法において、
請求項3の流体処理装置を通るように流体を流す工程と、
前記流体をUV源にさらす工程とを含んでおり、
それらUVランプの中の1、2、3、4、又は5つが動作している方法。 - 流体の流れを処理する方法において、
請求項4の流体処理装置を通るように流体を流す工程と、
前記流体をUV源にさらす工程と
それらUV源の1つ又は2つの対を消灯する工程とを含んでいる方法。
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