JP5181638B2 - 半導体集積回路設計方法 - Google Patents
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Description
図8は、本発明の第1の実施形態による半導体集積回路設計装置を構成するコンピュータのハードウェア構成例を示すブロック図である。このコンピュータは、CAD(computer-aided design)により、レジスタ転送レベル(RTL)設計データ及びネットリスト設計データ(以下、ネットリストという)の生成及びスキャンテスト回路の生成等を行うができる。
図3は本発明の第2の実施形態による半導体集積回路設計装置の設計方法を示すフローチャートであり、図5は本実施形態による半導体集積回路CPの構成例を示す図である。半導体集積回路CPは、例えば6個のスキャンテスト対象マクロM1〜M6を有する。半導体集積回路設計装置は、ネットリストを基に以下のスキャン回路の設計を行い、そのスキャン回路を組み込んだネットリストを生成する。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。
図6は本発明の第3の実施形態による半導体集積回路設計装置の設計方法を示すフローチャートであり、図7は本実施形態による半導体集積回路CPの構成例を示す図である。半導体集積回路CPは、例えば6個のスキャンテスト対象マクロM1〜M6を有する。半導体集積回路設計装置は、ネットリストを基に以下のスキャン回路の設計を行い、そのスキャン回路を組み込んだネットリストを生成する。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。
半導体集積回路内の複数のマクロを複数のスキャンチェーンで接続するための半導体集積回路設計方法であって、
前記複数のマクロ間の距離に応じて、前記複数のマクロを前記複数のスキャンチェーンの中のいずれかのスキャンチェーンに接続するマクロとして割り当てる割り当てステップと、
前記複数のマクロを前記割り当てられたスキャンチェーンで接続した半導体集積回路の設計データを生成する生成ステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路設計方法。
(付記2)
前記割り当てステップは、前記複数のマクロ間の距離に応じて、前記複数のマクロを前記複数のスキャンチェーンに順番に繰り返し割り当てることを特徴とする付記1記載の半導体集積回路設計方法。
(付記3)
前記割り当てステップは、
前記複数のマクロの中の1個のマクロを基点マクロとして第1のスキャンチェーンに割り当てる第1の割り当てステップと、
前記基点マクロに最も近い又は遠いマクロから順に前記第1のスキャンチェーン以外の他のスキャンチェーンに割り当てる第2の割り当てステップと、
未割り当てのマクロの中で前記基点マクロに最も近い又は遠いマクロから順番に繰り返して前記複数のスキャンチェーンに割り当てる第3の割り当てステップとを有することを特徴とする付記2記載の半導体集積回路設計方法。
(付記4)
半導体集積回路内の複数のマクロを複数のスキャンチェーンで接続するための半導体集積回路設計方法であって、
前記複数のマクロのIRドロップに応じて、前記複数のマクロを前記複数のスキャンチェーンの中のいずれかのスキャンチェーンに接続するマクロとして割り当てる割り当てステップと、
前記複数のマクロを前記割り当てられたスキャンチェーンで接続した半導体集積回路の設計データを生成する生成ステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路設計方法。
(付記5)
前記割り当てステップは、前記複数のマクロのIRドロップに応じて、前記複数のマクロを前記複数のスキャンチェーンに順番に繰り返し割り当てることを特徴とする付記4記載の半導体集積回路設計方法。
(付記6)
前記割り当てステップは、
前記複数のマクロの中で前記IDドロップが最も大きい又は小さいマクロから順番に前記複数のスキャンチェーンに割り当てる第1の割り当てステップと、
未割り当てのマクロの中で前記IDドロップが最も大きい又は小さいマクロから順番に繰り返して前記複数のスキャンチェーンに割り当てる第2の割り当てステップとを有することを特徴とする付記5記載の半導体集積回路設計方法。
(付記7)
半導体集積回路内の複数のマクロを複数のスキャンチェーンで接続するための半導体集積回路設計方法であって、
前記複数のマクロの電源線間の抵抗値に応じて、前記複数のマクロを前記複数のスキャンチェーンの中のいずれかのスキャンチェーンに接続するマクロとして割り当てる割り当てステップと、
前記複数のマクロを前記割り当てられたスキャンチェーンで接続した半導体集積回路の設計データを生成する生成ステップと
を有することを特徴とする半導体集積回路設計方法。
(付記8)
前記割り当てステップは、前記複数のマクロの電源線間の抵抗値に応じて、前記複数のマクロを前記複数のスキャンチェーンに順番に繰り返し割り当てることを特徴とする付記7記載の半導体集積回路設計方法。
(付記9)
前記割り当てステップは、
前記複数のマクロの中の1個のマクロを基点マクロとして第1のスキャンチェーンに割り当てる第1の割り当てステップと、
前記基点マクロに対して前記抵抗値が最も低いマクロから順に前記第1のスキャンチェーン以外の他のスキャンチェーンに割り当てる第2の割り当てステップと、
未割り当てのマクロの中で各スキャンチェーンの最後に割り当てられたマクロに対して前記抵抗値が最も高いマクロから順番に繰り返して前記各スキャンチェーンに割り当てる第3の割り当てステップとを有することを特徴とする付記8記載の半導体集積回路設計方法。
M1〜M6 マクロ
SC1,SC2 スキャンチェーン
PD,PD1,PD2 電源パッド
801 バス
802 CPU
803 ROM
804 RAM
805 ネットワークインタフェース
806 入力装置
807 出力装置
808 外部記憶装置
Claims (6)
- 半導体集積回路内の複数のマクロを複数のスキャンチェーンで接続するための半導体集積回路設計方法であって、
前記複数のマクロ間の距離に応じて、前記複数のマクロを前記複数のスキャンチェーンの中のいずれかのスキャンチェーンに接続するマクロとして割り当てる割り当てステップと、
前記複数のマクロを前記割り当てられたスキャンチェーンで接続した半導体集積回路の設計データを生成する生成ステップとを有し、
前記割り当てステップは、前記複数のマクロ間の距離に応じて、前記複数のマクロを前記複数のスキャンチェーンに順番に繰り返し割り当てることを特徴とする半導体集積回路設計方法。 - 前記割り当てステップは、
前記複数のマクロの中の1個のマクロを基点マクロとして第1のスキャンチェーンに割り当てる第1の割り当てステップと、
前記基点マクロに最も近い又は遠いマクロから順に前記第1のスキャンチェーン以外の他のスキャンチェーンに割り当てる第2の割り当てステップと、
未割り当てのマクロの中で前記基点マクロに最も近い又は遠いマクロから順番に繰り返して前記複数のスキャンチェーンに割り当てる第3の割り当てステップとを有することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路設計方法。 - 半導体集積回路内の複数のマクロを複数のスキャンチェーンで接続するための半導体集積回路設計方法であって、
前記複数のマクロのIRドロップに応じて、前記複数のマクロを前記複数のスキャンチェーンの中のいずれかのスキャンチェーンに接続するマクロとして割り当てる割り当てステップと、
前記複数のマクロを前記割り当てられたスキャンチェーンで接続した半導体集積回路の設計データを生成する生成ステップとを有し、
前記割り当てステップは、前記複数のマクロのIRドロップに応じて、前記複数のマクロを前記複数のスキャンチェーンに順番に繰り返し割り当てることを特徴とする半導体集積回路設計方法。 - 前記割り当てステップは、
前記複数のマクロの中で前記IRドロップが最も大きい又は小さいマクロから順番に前記複数のスキャンチェーンに割り当てる第1の割り当てステップと、
未割り当てのマクロの中で前記IRドロップが最も大きい又は小さいマクロから順番に繰り返して前記複数のスキャンチェーンに割り当てる第2の割り当てステップとを有することを特徴とする請求項3記載の半導体集積回路設計方法。 - 半導体集積回路内の複数のマクロを複数のスキャンチェーンで接続するための半導体集積回路設計方法であって、
前記複数のマクロの電源線間の抵抗値に応じて、前記複数のマクロを前記複数のスキャンチェーンの中のいずれかのスキャンチェーンに接続するマクロとして割り当てる割り当てステップと、
前記複数のマクロを前記割り当てられたスキャンチェーンで接続した半導体集積回路の設計データを生成する生成ステップとを有し、
前記割り当てステップは、前記複数のマクロの電源線間の抵抗値に応じて、前記複数のマクロを前記複数のスキャンチェーンに順番に繰り返し割り当てることを特徴とする半導体集積回路設計方法。 - 前記割り当てステップは、
前記複数のマクロの中の1個のマクロを基点マクロとして第1のスキャンチェーンに割り当てる第1の割り当てステップと、
前記基点マクロに対して前記抵抗値が最も低いマクロから順に前記第1のスキャンチェーン以外の他のスキャンチェーンに割り当てる第2の割り当てステップと、
未割り当てのマクロの中で各スキャンチェーンの最後に割り当てられたマクロに対して前記抵抗値が最も高いマクロから順番に繰り返して前記各スキャンチェーンに割り当てる第3の割り当てステップとを有することを特徴とする請求項5記載の半導体集積回路設計方法。
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JP2009135134A JP2009135134A (ja) | 2009-06-18 |
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