JP5167013B2

JP5167013B2 - Manufacturing method of liquid crystal device

Info

Publication number: JP5167013B2
Application number: JP2008193843A
Authority: JP
Inventors: 洋司森數; 健司浅野
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2008-07-28
Filing date: 2008-07-28
Publication date: 2013-03-21
Anticipated expiration: 2028-07-28
Also published as: JP2010032716A

Description

本発明は、２枚のガラス基板の間にシール帯によって液晶室が区画された液晶デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal device in which a liquid crystal chamber is defined by a seal band between two glass substrates.

液晶デバイスは、２枚のガラス基板の間にシール帯によって液晶室が区画され、該液晶室に注入口から液晶が注入されている。このような液晶デバイスは、２枚のガラス基板の間に複数の液晶室を区画する隣接して配設されたシール帯とシール帯との間の切断ラインに沿って切削ブレードによって切断して個々の液晶デバイスに形成される。（例えば、特許文献１参照。）
特許第３１２０８１９号公報 In the liquid crystal device, a liquid crystal chamber is defined by a seal band between two glass substrates, and liquid crystal is injected into the liquid crystal chamber from an injection port. Such a liquid crystal device is individually cut by a cutting blade along a cutting line between adjacent seal bands that divide a plurality of liquid crystal chambers between two glass substrates. Formed in a liquid crystal device. (For example, refer to Patent Document 1.)
Japanese Patent No. 3120819

而して、隣接するシール帯の間には1ｍｍ程度の間隔が形成されており、厚さが２０〜３０μmの切削ブレードによってシール帯とシール帯との間の切断ラインに沿って２枚のガラス基板を切断すると、２枚のガラス基板の切れ代がシール帯から外側に突出するため、電気機器の小型化を図る面で改善すべき問題となっている。 Thus, an interval of about 1 mm is formed between adjacent seal bands, and two glass sheets are cut along a cutting line between the seal bands by a cutting blade having a thickness of 20 to 30 μm. When the substrate is cut, the cutting margin of the two glass substrates protrudes outward from the seal band, which is a problem that should be improved in terms of downsizing the electrical equipment.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、２枚のガラス基板が液晶室を区画するシール帯から外側に突出することなく形成することができる液晶デバイスの製造方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is to manufacture a liquid crystal device in which two glass substrates can be formed without protruding outward from a seal band that partitions a liquid crystal chamber. Is to provide a method.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、互いに内面を対面させ所定の間隔をもって配設された２枚のガラス基板の間にシール帯によって液晶室が区画された液晶デバイスの製造方法であって、
該２枚のガラス基板の間に該液晶室に注入される液晶を封止するに必要な幅の少なくとも２倍の幅を有するシール帯を配設して複数の液晶室を区画する液晶室形成工程と、
該複数の液晶室を形成した該２枚のガラス基板の一方のガラス基板側から該ガラス基板を透過して該シール帯の幅を２分する位置における内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に沿ってレーザー光線を照射し、該シール帯の内部に変質層を形成する変質層形成工程と、
該シール帯に形成された変質層に沿って該２枚のガラス基板を分割するガラス基板分割工程と、を含む、
ことを特徴とする液晶デバイスの製造方法が提供される。 In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a method of manufacturing a liquid crystal device in which a liquid crystal chamber is partitioned by a seal band between two glass substrates which are opposed to each other with inner surfaces facing each other. Because
Forming a liquid crystal chamber that divides a plurality of liquid crystal chambers by disposing a seal band having a width at least twice the width necessary for sealing the liquid crystal injected into the liquid crystal chamber between the two glass substrates Process,
A condensing point of a laser beam is positioned inside a position where the width of the seal band is divided into two by transmitting through the glass substrate from one glass substrate side of the two glass substrates forming the plurality of liquid crystal chambers. A deteriorated layer forming step of irradiating a laser beam along the seal band and forming a deteriorated layer inside the seal band;
A glass substrate dividing step of dividing the two glass substrates along the altered layer formed in the seal band,
A method for manufacturing a liquid crystal device is provided.

上記液晶を封止するに必要な幅の少なくとも２倍の幅を有するシール帯は、少なくとも該液晶室が互いに隣接する領域に配設される。
また、上記変質層形成工程において照射されるレーザー光線の波長は、２６６〜１３００ｎｍに設定されていることが望ましい。
上記ガラス基板分割工程は、２枚のガラス基板の一方のガラス基板側から該一方のガラス基板の内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に形成された変質層に沿ってレーザー光線を照射し、該一方のガラス基板の内部に該シール帯に形成された変質層に沿って第１の変質層を形成する第１の変質層形成工程と、２枚のガラス基板の他方のガラス基板側から該他方のガラス基板の内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該シール帯に形成された変質層に沿ってレーザー光線を照射し、該他方のガラス基板の内部に該シール帯に形成された変質層に沿って第２の変質層を形成する第２の変質層形成工程と、該一方のガラス基板と該他方のガラス基板および該シール帯を該第１の変質層と該第２の変質層および該シール帯に形成された変質層に沿って破断する破断工程とを含む。
また、上記ガラス基板分割工程は、２枚のガラス基板の一方のガラス基板に該シール帯に形成された変質層に沿ってスクライブすることにより第１のスクライブラインを形成するする第１のスクライブ工程と、２枚のガラス基板の他方のガラス基板に該シール帯に形成された変質層に沿ってスクライブすることにより第２のスクライブラインを形成するする第２のスクライブ工程と、該一方のガラス基板と該他方のガラス基板および該シール帯を該第１のスクライブラインと該第２のスクライブラインおよび該シール帯に形成された変質層に沿って破断する破断工程とを含む。 The seal band having a width at least twice the width necessary for sealing the liquid crystal is disposed in a region where at least the liquid crystal chambers are adjacent to each other.
In addition, the wavelength of the laser beam irradiated in the deteriorated layer forming step is preferably set to 266 to 1300 nm.
In the glass substrate dividing step, a laser beam is focused from one glass substrate side of the two glass substrates to the inside of the one glass substrate and irradiated with the laser beam along the altered layer formed on the seal band. A first deteriorated layer forming step of forming a first deteriorated layer along the deteriorated layer formed in the seal band inside the one glass substrate, and the other glass substrate side of the two glass substrates The focal point of the laser beam is positioned inside the other glass substrate and irradiated with the laser beam along the altered layer formed on the seal band, and the alteration formed on the seal band inside the other glass substrate. A second deteriorated layer forming step of forming a second deteriorated layer along the layer, the one glass substrate, the other glass substrate, and the seal band, the first deteriorated layer and the second deteriorated layer. And formed on the seal strip And a breaking step of breaking along the altered layer.
The glass substrate dividing step is a first scribing step of forming a first scribe line by scribing along one of the two glass substrates along the altered layer formed on the seal band. A second scribing step of forming a second scribe line by scribing the other glass substrate of the two glass substrates along the altered layer formed in the seal band, and the one glass substrate And a breaking step of breaking the other glass substrate and the seal band along the altered layer formed on the first scribe line, the second scribe line and the seal band.

本発明においては、２枚のガラス基板の間に液晶室に注入される液晶を封止するに必要な幅の少なくとも２倍の幅を有するシール帯を配設して複数の液晶室を区画する液晶室形成工程と、複数の液晶室を形成した２枚のガラス基板の一方のガラス基板側からガラス基板を透過してシール帯の幅を２分する位置における内部にレーザー光線の集光点を位置付けてシール帯に沿ってレーザー光線を照射し、シール帯の内部に変質層を形成する変質層形成工程と、シール帯に形成された変質層に沿って２枚のガラス基板を分割するガラス基板分割工程とを含んでいるので、２枚のガラス基板はシール帯に形成された変質層に沿って分割されるためで、シール帯から外側に突出することなく形成することができる。従って、液晶デバイスの小型化を可能にするとともに、２枚のガラス基板の切れ代が実質的に不要となるのでガラス板を有効利用することができる。 In the present invention, a plurality of liquid crystal chambers are defined by disposing a seal band having a width at least twice the width necessary for sealing the liquid crystal injected into the liquid crystal chamber between two glass substrates. The liquid crystal chamber forming step and the condensing point of the laser beam is positioned inside the position where the glass substrate is transmitted from one glass substrate side of the two glass substrates formed with a plurality of liquid crystal chambers and the width of the seal band is divided into two. The process of forming a deteriorated layer within the seal band by irradiating a laser beam along the seal band, and the step of dividing the glass substrate along the deteriorated layer formed in the seal band Therefore, the two glass substrates are divided along the altered layer formed in the seal band, and can be formed without protruding outward from the seal band. Accordingly, the liquid crystal device can be miniaturized and the glass plate can be effectively used because the cutting margin between the two glass substrates is substantially unnecessary.

以下、本発明による液晶デバイスの製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, a preferred embodiment of a manufacturing method of a liquid crystal device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１には本発明による液晶デバイスの製造方法によって製造される液晶デバイスが複数形成された液晶デバイスウエーハの斜視図が示されている。
図１に示す液晶デバイスウエーハ２は、互いに内面（裏面）を対面させ所定の間隔（例えば４μm）をもって配設された厚みが０．２〜０．５mmの第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２と、該第１のガラス基板２１と第２のガラス基板２２との間に配設され複数の液晶室２３を区画する直線状のシール帯２４を具備している（液晶室形成工程）。ここで、シール帯２４について、更に詳細に説明する。シール帯２４は、エポキシ樹脂等のシール材によって形成されている。このシール帯２４は、図示の実施形態においては液晶室２３が互いに隣接する領域に形成される第１のシール部２４１と、液晶室２３が互いに隣接する領域以外の他の領域に形成される第２のシール部２４２とからなっている。図示の実施形態における第１のシール部２４１の幅B1は、第２のシール部２４２の幅B2の少なくとも２倍に形成されている。即ち、第２のシール部２４２の幅B2は液晶室１３に注入される液晶を封止するに必要な幅に設定されており、従って、第１のシール部２４１の幅B1は液晶室２３に注入される液晶を封止するに必要な幅の少なくとも２倍に設定されている。 FIG. 1 is a perspective view of a liquid crystal device wafer in which a plurality of liquid crystal devices manufactured by the method of manufacturing a liquid crystal device according to the present invention are formed.
A liquid crystal device wafer 2 shown in FIG. 1 has a first glass substrate 21 and a second glass substrate having a thickness of 0.2 to 0.5 mm, the inner surfaces (rear surfaces) facing each other and arranged at a predetermined interval (for example, 4 μm). A glass substrate 22 and a linear seal band 24 that is disposed between the first glass substrate 21 and the second glass substrate 22 and partitions the plurality of liquid crystal chambers 23 (liquid crystal chamber forming step) ). Here, the seal band 24 will be described in more detail. The seal band 24 is formed of a sealing material such as an epoxy resin. In the illustrated embodiment, the seal band 24 includes a first seal portion 241 in which the liquid crystal chambers 23 are formed in areas adjacent to each other and a first seal portion 241 in which the liquid crystal chambers 23 are formed in areas other than the areas adjacent to each other. 2 seal portions 242. The width B 1 of the first seal portion 241 in the illustrated embodiment is formed to be at least twice the width B 2 of the second seal portion 242. That is, the width B2 of the second seal portion 242 is set to a width necessary for sealing the liquid crystal injected into the liquid crystal chamber 13, and accordingly, the width B1 of the first seal portion 241 is set in the liquid crystal chamber 23. The width is set to at least twice the width required for sealing the injected liquid crystal.

図１を参照して説明を続けると、上記液晶デバイスウエーハ２を構成するシール帯２４における両側部に配設された第２のシール部２４２には、上記複数の液晶室２３とそれぞれ連通する液晶注入口２４３が設けられている。また、上記液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１と第２のガラス基板２２の表面には、液晶室２３の周囲三方の位置にそれぞれ配線パッド２５が設けられている。このように構成された液晶デバイスウエーハ２には、図示の実施形態においては６個の液晶デバイス２０が形成されている。 The description will be continued with reference to FIG. 1. The second seal portions 242 disposed on both sides of the seal band 24 constituting the liquid crystal device wafer 2 have liquid crystals communicating with the liquid crystal chambers 23, respectively. An inlet 243 is provided. Further, on the surfaces of the first glass substrate 21 and the second glass substrate 22 constituting the liquid crystal device wafer 2, wiring pads 25 are respectively provided at three positions around the liquid crystal chamber 23. In the liquid crystal device wafer 2 thus configured, six liquid crystal devices 20 are formed in the illustrated embodiment.

以下、上述した液晶デバイスウエーハ２を個々の液晶デバイス２０に分割する分割方法について説明する。
液晶デバイスウエーハ２を個々の液晶デバイス２０に分割するには、先ず、複数の液晶室２３を形成した２枚のガラス基板の一方例えば第１のガラス基板２１側から該第１のガラス基板２１を透過してシール帯２４における第１のシール部２４１の幅を２分する位置における内部にレーザー光線の集光点を位置付けて第１のシール部２４１の長手方向に沿ってレーザー光線を照射し、シール帯２４における第１のシール部２４１の内部に変質層を形成する変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、図２に示すレーザー加工装置３を用いて実施する。図２に示すレーザー加工装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２と、チャックテーブル３１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。チャックテーブル３１は、表面に複数の吸引孔３１１が形成されており、この複数の吸引孔３１１が図示しない吸引手段に連通するように構成されている。このように構成されたチャックテーブル３１は、回転機構３１２によって回転せしめられるとともに、図示しない加工送り機構によって図２において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって図２において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。 Hereinafter, a division method for dividing the liquid crystal device wafer 2 described above into individual liquid crystal devices 20 will be described.
In order to divide the liquid crystal device wafer 2 into individual liquid crystal devices 20, first, the first glass substrate 21 is formed from one of the two glass substrates on which the plurality of liquid crystal chambers 23 are formed, for example, from the first glass substrate 21 side. The condensing point of the laser beam is positioned inside the position where the width of the first seal portion 241 in the seal band 24 is transmitted and divided, and the laser beam is irradiated along the longitudinal direction of the first seal portion 241. A deteriorated layer forming step of forming a deteriorated layer in the first seal portion 241 at 24 is performed. This deteriorated layer forming step is performed using a laser processing apparatus 3 shown in FIG. The laser processing apparatus 3 shown in FIG. 2 has a chuck table 31 that holds a workpiece, laser beam irradiation means 32 that irradiates the workpiece held on the chuck table 31 with a laser beam, and a chuck table 31 that holds the workpiece. An image pickup means 33 for picking up an image of the processed workpiece is provided. The chuck table 31 has a plurality of suction holes 311 formed on the surface thereof, and the plurality of suction holes 311 are configured to communicate with suction means (not shown). The chuck table 31 configured as described above is rotated by a rotating mechanism 312 and is moved in a processing feed direction indicated by an arrow X in FIG. 2 by a processing feed mechanism (not shown), and FIG. Are moved in the indexing feed direction indicated by the arrow Y.

上記レーザー光線照射手段３２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング３２１を含んでいる。ケーシング３２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング３２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器３２２が装着されている。 The laser beam irradiation means 32 includes a cylindrical casing 321 arranged substantially horizontally. In the casing 321, a pulse laser beam oscillation means having a pulse laser beam oscillator or a repetition frequency setting means (not shown) composed of a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator is arranged. A condenser 322 for condensing the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillating means is attached to the tip of the casing 321.

上記レーザー光線照射手段３２を構成するケーシング３２１の先端部に装着された撮像手段３３は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されている。この撮像手段３３は、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。 The imaging means 33 attached to the tip of the casing 321 constituting the laser beam irradiation means 32 is an infrared illumination means for irradiating the workpiece with infrared rays in addition to a normal imaging device (CCD) for imaging with visible light. The optical system captures infrared rays irradiated by the infrared illumination means, and an image sensor (infrared CCD) that outputs an electrical signal corresponding to the infrared rays captured by the optical system. The imaging unit 33 sends the captured image signal to a control unit (not shown).

図２に示すレーザー加工装置３を用いて変質層形成工程を実施するには、図３に示すようにチャックテーブル３１上に液晶デバイスウエーハ２の第２のガラス基板２２側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、液晶デバイスウエーハ２をチャックテーブル３１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３１に保持された液晶デバイスウエーハ２は、第１のガラス基板２１が上側となる。 In order to perform the deteriorated layer forming step using the laser processing apparatus 3 shown in FIG. 2, the second glass substrate 22 side of the liquid crystal device wafer 2 is placed on the chuck table 31 as shown in FIG. Then, by operating a suction means (not shown), the liquid crystal device wafer 2 is sucked and held on the chuck table 31 (wafer holding step). Accordingly, the first glass substrate 21 is on the upper side of the liquid crystal device wafer 2 held on the chuck table 31.

このようにしてチャックテーブル３１上に液晶デバイスウエーハ２を吸引保持したならば、撮像手段３３および図示しない制御手段によって液晶デバイスウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、液晶デバイスウエーハ２を構成するシール帯２４における所定方向に形成された第１のシール部２４１を撮像し、撮像した第１のシール部２４１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、所定方向と直交する方向に延びる第１のシール部２４１に対しても同様にアライメントを遂行する。 When the liquid crystal device wafer 2 is sucked and held on the chuck table 31 in this way, an alignment process for detecting a processing region to be laser processed of the liquid crystal device wafer 2 is executed by the imaging means 33 and a control means (not shown). That is, the imaging means 33 and the control means (not shown) take an image of the first seal portion 241 formed in a predetermined direction in the seal band 24 constituting the liquid crystal device wafer 2, and follow the taken first seal portion 241. Image processing such as pattern matching for performing alignment with the condenser 322 of the laser beam irradiation means 32 that irradiates the laser beam is performed, and alignment of the laser beam irradiation position is performed. In addition, alignment is similarly performed on the first seal portion 241 extending in a direction orthogonal to the predetermined direction.

以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されたウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメントが行われたならば、図４の（ａ）で示すようにチャックテーブル３１を移動し、第１のシール部２４１の幅を２分する位置（幅方向の中心位置）をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の直下に位置付けるとともに、図４の（ｂ）で示すように第１のシール部２４１の一端（図４の（b）において左端）をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の直下に位置付ける。そして、集光器３２２から照射されるレーザー光線の集光点Ｐを第１のシール部２４１の厚さ方向中間部に位置付ける。次に、集光器３２２からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３１を図４の（b）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図４の（c）で示すようにレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の照射位置が第１のシール部２４１の他端（図４の（b）において右端）の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３１の移動を停止する。この結果、第１のシール部２４１には、図４の（c）および図４の（d）に示すように幅方向中心部に第１のシール部２４１に沿って変質層２４０が形成される。この変質層２４０は、溶融再固化層として形成される。 When the alignment for detecting the processing region to be laser processed of the wafer 2 held on the chuck table 31 is performed as described above, the chuck table 31 is moved as shown in FIG. The position (the center position in the width direction) that divides the width of the first seal portion 241 into two is positioned immediately below the light collector 322 of the laser beam irradiation means 32, and the first seal as shown in FIG. One end of the portion 241 (the left end in FIG. 4B) is positioned directly below the condenser 322 of the laser beam irradiation means 32. And the condensing point P of the laser beam irradiated from the condensing device 322 is located in the intermediate part of the thickness direction of the 1st seal | sticker part 241. FIG. Next, the chuck table 31 is moved at a predetermined processing feed speed in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. Then, as shown in FIG. 4C, when the irradiation position of the condenser 322 of the laser beam irradiation means 32 reaches the position of the other end of the first seal portion 241 (the right end in FIG. 4B), The irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 31 is stopped. As a result, in the first seal portion 241, the altered layer 240 is formed along the first seal portion 241 at the center in the width direction as shown in FIG. 4C and FIG. 4D. . This altered layer 240 is formed as a melt-resolidified layer.

上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長：２６６〜１３００ｎｍのパルスレーザー
平均出力：０．３〜０．８Ｗ
繰り返し周波数：２００ｋＨｚ〜１MＨｚ
集光スポット径：φ６μｍ
加工送り速度：1００ｍｍ／秒 The processing conditions in the deteriorated layer forming step are set as follows, for example.
Wavelength: 266 to 1300 nm pulse laser Average output: 0.3 to 0.8 W
Repetition frequency: 200 kHz to 1 MHz
Condensing spot diameter: φ6μm
Processing feed rate: 100 mm / sec

なお、上記変質層形成工程において照射するレーザー光線の波長は、２６６nmより短いとガラス基板がレーザー光線を吸収してアブレーション加工され、シール帯２４に変質層を形成することができない。また、レーザー光線の波長が１３００nmより長いと、シール帯２４も透過してしまいシール帯２４に変質層を形成することができない。従って、上記変質層形成工程において照射するレーザー光線の波長は、２６６〜１３００ｎｍに設定する必要がある。 If the wavelength of the laser beam irradiated in the deteriorated layer forming step is shorter than 266 nm, the glass substrate absorbs the laser beam and is ablated, and the deteriorated layer cannot be formed in the seal band 24. On the other hand, if the wavelength of the laser beam is longer than 1300 nm, the seal band 24 is also transmitted, and a deteriorated layer cannot be formed on the seal band 24. Therefore, it is necessary to set the wavelength of the laser beam irradiated in the deteriorated layer forming step to 266 to 1300 nm.

以上のようにして、液晶デバイスウエーハ２の所定方向に延在する第１のシール部２４１に沿って上述した変質層形成工程を実行したならば、チャックテーブル３１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に延びる各第１のシール部２４１に沿って上述した変質層形成工程を実行する。 As described above, when the above-described deteriorated layer forming step is performed along the first seal portion 241 extending in a predetermined direction of the liquid crystal device wafer 2, the chuck table 31 is rotated 90 degrees to The deteriorated layer forming step described above is executed along each first seal portion 241 extending in a direction orthogonal to the predetermined direction.

変質層形成工程を実施したならば、シール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２を分割するガラス基板分割工程を実施する。
ガラス基板分割工程の第１に実施形態について、図５乃至図８を参照して説明する。
ガラス基板分割工程の第１に実施形態は、先ず第１のガラス基板２１側から第１のガラス基板２１の内部にレーザー光線の集光点を位置付けてシール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿ってレーザー光線を照射し、第１のガラス基板２１の内部に変質層２４０に沿って第１の変質層を形成する第１の変質層形成工程を実施する。この第１の変質層形成工程は、上記図２に示すレーザー加工装置３を用いて実施することができる。 If the deteriorated layer forming step is performed, the glass substrate dividing step of dividing the first glass substrate 21 and the second glass substrate 22 along the deteriorated layer 240 formed in the first seal portion 241 in the seal band 24. To implement.
A first embodiment of the glass substrate dividing step will be described with reference to FIGS.
In the first embodiment of the glass substrate dividing step, the condensing point of the laser beam is first positioned from the first glass substrate 21 side to the inside of the first glass substrate 21 and formed in the first seal portion 241 in the seal band 24. A first deteriorated layer forming step of forming a first deteriorated layer along the deteriorated layer 240 inside the first glass substrate 21 by irradiating a laser beam along the deteriorated layer 240 is performed. This first deteriorated layer forming step can be performed using the laser processing apparatus 3 shown in FIG.

上記図２に示すレーザー加工装置３を用いて第１の変質層形成工程を実施するには、図５に示すようにチャックテーブル３１上に上記変質層形成工程が実施された液晶デバイスウエーハ２の第２のガラス基板２２側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、液晶デバイスウエーハ２をチャックテーブル３１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３１に保持された液晶デバイスウエーハ２は、第１のガラス基板２１が上側となる。 In order to perform the first deteriorated layer forming step using the laser processing apparatus 3 shown in FIG. 2, the liquid crystal device wafer 2 in which the deteriorated layer forming step is performed on the chuck table 31 as shown in FIG. The second glass substrate 22 side is placed. Then, by operating a suction means (not shown), the liquid crystal device wafer 2 is sucked and held on the chuck table 31 (wafer holding step). Accordingly, the first glass substrate 21 is on the upper side of the liquid crystal device wafer 2 held on the chuck table 31.

このようにしてチャックテーブル３１上に液晶デバイスウエーハ２を吸引保持したならば、撮像手段３３および図示しない制御手段によって液晶デバイスウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、液晶デバイスウエーハ２を構成するシール帯２４における所定方向に形成された第１のシール部２４１に形成された変質層２４０を撮像し、撮像した変質層２４０に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２との位置合わせを行い、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、所定方向と直交する方向に延びる第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に対しても同様にアライメントを遂行する。このとき、変質層２４０は第１のシール部２４１の内部に形成されているが、撮像手段３３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、変質層２４０を撮像することができる。 When the liquid crystal device wafer 2 is sucked and held on the chuck table 31 in this way, an alignment process for detecting a processing region to be laser processed of the liquid crystal device wafer 2 is executed by the imaging means 33 and a control means (not shown). That is, the imaging means 33 and the control means (not shown) take an image of the deteriorated layer 240 formed in the first seal portion 241 formed in a predetermined direction in the seal band 24 constituting the liquid crystal device wafer 2 and pick up the imaged deteriorated layer. Position alignment with the condenser 322 of the laser beam irradiation means 32 that irradiates the laser beam along 240 is performed to align the laser beam irradiation position. In addition, alignment is similarly performed on the deteriorated layer 240 formed on the first seal portion 241 extending in a direction orthogonal to the predetermined direction. At this time, the deteriorated layer 240 is formed inside the first seal portion 241. However, as described above, the imaging unit 33 outputs an infrared illumination unit, an optical system that captures infrared rays, and an electrical signal corresponding to the infrared rays. Since the imaging means composed of an element (infrared CCD) or the like is provided, the altered layer 240 can be imaged.

以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持された液晶デバイスウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメントが行われたならば、図６の（ａ）で示すようにチャックテーブル３１を移動し、第１のシール部２４１に形成された変質層２４０をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の直下に位置付けるとともに、図６の（ｂ）で示すように第１のシール部２４１に形成された変質層２４０の一端（図６の（b）において左端）をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の直下に位置付ける。そして、集光器３２２から照射されるレーザー光線の集光点Ｐを第１のガラス基板２１の厚さ方向中間部に位置付ける。次に、集光器３２２から紫外線領域の波長を有すパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３１を図６の（b）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図６の（c）で示すようにレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の照射位置が第１のシール部２４１に形成された変質層２４０の他端（図６の（b）において右端）の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３１の移動を停止する。この結果、第１のガラス基板２１には、図６の（c）および図６の（d）に示すように第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って第１の変質層２１０が形成される。この第１の変質層２１０は、溶融再固化層として形成される。 When the alignment for detecting the processing region to be laser-processed of the liquid crystal device wafer 2 held on the chuck table 31 is performed as described above, the chuck table 31 is moved as shown in FIG. Then, the altered layer 240 formed on the first seal portion 241 is positioned immediately below the condenser 322 of the laser beam irradiation means 32 and is formed on the first seal portion 241 as shown in FIG. One end of the deteriorated layer 240 (the left end in FIG. 6B) is positioned directly below the condenser 322 of the laser beam irradiation means 32. And the condensing point P of the laser beam irradiated from the collector 322 is located in the thickness direction intermediate part of the 1st glass substrate 21. FIG. Next, the chuck table 31 is moved at a predetermined processing feed rate in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 6B while irradiating a pulse laser beam having a wavelength in the ultraviolet region from the condenser 322. As shown in FIG. 6C, the irradiation position of the condenser 322 of the laser beam irradiation means 32 is the other end of the altered layer 240 formed on the first seal portion 241 (the right end in FIG. 6B). ), The irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 31 is stopped. As a result, the first glass substrate 21 has a first deteriorated layer along the deteriorated layer 240 formed in the first seal portion 241 as shown in FIG. 6 (c) and FIG. 6 (d). 210 is formed. The first altered layer 210 is formed as a melt-resolidified layer.

上記第１の変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長：２６６〜３５５ｎｍのパルスレーザー
平均出力：２〜４Ｗ
繰り返し周波数：２００ｋＨｚ〜１MＨｚ
集光スポット径：φ６μｍ
加工送り速度：1５０ｍｍ／秒 The processing conditions in the first deteriorated layer forming step are set as follows, for example.
Wavelength: 266 to 355 nm pulse laser Average output: 2 to 4 W
Repetition frequency: 200 kHz to 1 MHz
Condensing spot diameter: φ6μm
Processing feed rate: 150 mm / sec

以上のようにして、液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１に所定方向に延在する第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って上述した第１の変質層形成工程を実行したならば、チャックテーブル３１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に延びる各第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って上述した第１の変質層形成工程を実行する。 As described above, the above-described first deteriorated layer formation is performed along the deteriorated layer 240 formed on the first seal portion 241 extending in the predetermined direction on the first glass substrate 21 constituting the liquid crystal device wafer 2. When the process is executed, the chuck table 31 is rotated 90 degrees, and the first layer is formed along the altered layer 240 formed on each first seal portion 241 extending in a direction orthogonal to the predetermined direction. The altered layer forming step is executed.

以上のようにして、液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１に第１の変質層形成工程を実行したならば、第２のガラス基板２２側から第２のガラス基板２２の内部にレーザー光線の集光点を位置付けてシール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿ってレーザー光線を照射し、第２のガラス基板２２の内部に変質層２４０に沿って第２の変質層を形成する第２の変質層形成工程を実施する。この第２の変質層形成工程を実施するには、上記第１の変質層形成工程が実施されチャックテーブル３１に吸引保持されている液晶デバイスウエーハ２の吸引保持を解除し、液晶デバイスウエーハ２を反転して第１のガラス基板２１をチャックテーブル３１に吸引保持する。従って、チャックテーブル３１に吸引保持された液晶デバイスウエーハ２は、第２のガラス基板２２が上側となる。そして、上記第１の変質層形成工程と同様に第２の変質層形成工程を実施し、図７の(a)および(b)に示すように第２のガラス基板２２の内部にシール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って第２の変質層２２０を形成する。 As described above, if the first deteriorated layer forming step is performed on the first glass substrate 21 constituting the liquid crystal device wafer 2, the second glass substrate 22 is moved from the second glass substrate 22 side to the inside of the second glass substrate 22. The condensing point of the laser beam is positioned, the laser beam is irradiated along the altered layer 240 formed on the first seal portion 241 in the seal band 24, and the second inside the second glass substrate 22 along the altered layer 240. A second deteriorated layer forming step for forming the deteriorated layer is performed. In order to perform the second deteriorated layer forming step, the liquid crystal device wafer 2 sucked and held by the chuck table 31 after the first deteriorated layer forming step is released, and the liquid crystal device wafer 2 is removed. The first glass substrate 21 is reversed and held on the chuck table 31. Therefore, the liquid crystal device wafer 2 sucked and held by the chuck table 31 has the second glass substrate 22 on the upper side. Then, the second deteriorated layer forming step is performed in the same manner as the first deteriorated layer forming step, and the seal band 24 is formed inside the second glass substrate 22 as shown in FIGS. 7 (a) and (b). The second deteriorated layer 220 is formed along the deteriorated layer 240 formed in the first seal portion 241 in FIG.

上述した第１の変質層形成工程および第２の変質層形成工程を実施したならば、第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２とシール帯２４を第１の変質層２１０および第２の変質層２２０とシール帯２４に形成された変質層２４０に沿って破断する破断工程を実施する。この破断工程は、例えば図８の（ａ）に示すように上述した第１の変質層形成工程および第２の変質層形成工程が実施された液晶デバイスウエーハ２を柔軟なゴムシート４上に載置する。そして、液晶デバイスウエーハ２の上面を押圧ローラー４０によって押圧しつつ転動することによって、図８の（b）、（ｃ）に示すように液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２とシール帯２４は強度が低下せしめられた第１の変質層２１０および第２の変質層２２０と変質層２４０に沿って破断し、個々の液晶デバイス２０に分割される。このように、液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２は、シール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って設けられた第１の変質層２１０および第２の変質層２２０に沿って破断されるので、シール帯２４から外側に突出することなく形成することができる。従って、液晶デバイス２０の小型化を可能にするとともに、第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２の切れ代が実質的に不要となるのでガラス板を有効利用することができる。 If the first altered layer forming step and the second altered layer forming step described above are performed, the first altered substrate 210 and the second altered glass substrate 21 and the second glass substrate 22 and the seal band 24 are replaced with the first altered layer 210 and the second altered layer. A breaking process is carried out along the altered layer 220 and the altered layer 240 formed in the seal band 24. For example, as shown in FIG. 8 (a), the breaking process is performed by placing the liquid crystal device wafer 2 on which the above-described first deteriorated layer forming process and the second deteriorated layer forming process are performed on a flexible rubber sheet 4. Put. Then, by rolling while pressing the upper surface of the liquid crystal device wafer 2 by the pressing roller 40, as shown in FIGS. 8B and 8C, the first glass substrate 21 constituting the liquid crystal device wafer 2 and The second glass substrate 22 and the seal band 24 are broken along the first deteriorated layer 210 and the second deteriorated layer 220 and the deteriorated layer 240 whose strength has been reduced, and are divided into individual liquid crystal devices 20. Thus, the first glass substrate 21 and the second glass substrate 22 constituting the liquid crystal device wafer 2 are provided along the altered layer 240 formed in the first seal portion 241 in the seal band 24. Since it is broken along the first altered layer 210 and the second altered layer 220, it can be formed without protruding outward from the seal band 24. Therefore, the liquid crystal device 20 can be miniaturized, and the glass plate can be used effectively because the cutting margin between the first glass substrate 21 and the second glass substrate 22 is substantially unnecessary.

次に、ガラス基板分割工程の第２に実施形態について、図９乃至図１３を参照して説明する。
ガラス基板分割工程の第２に実施形態は、先ず第１のガラス基板２１にシール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿ってスクライブすることにより第１のスクライブラインを形成するする第１のスクライブ工程を実施する。この第１のスクライブ工程は、図９に示すスクライブ装置５を用いて実施する。図９に示すスクライブ装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にスクライブラインを形成するスクライブ機構５２を具備している。チャックテーブル５１は、上記図２に示すレーザー加工装置３のチャックテーブル３１と同様に、表面に複数の吸引孔５１１が形成されており、この複数の吸引孔５１１が図示しない吸引手段に連通するように構成されている。このチャックテーブル５１は、上記図２に示すレーザー加工装置３のチャックテーブル３１と同様に回転機構５１２によって回転せしめられるとともに、図示しない加工送り機構によって図９において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって図９において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。 Next, a second embodiment of the glass substrate dividing step will be described with reference to FIGS.
In the second embodiment of the glass substrate dividing step, first, the first scribe line is formed by scribing the first glass substrate 21 along the altered layer 240 formed on the first seal portion 241 in the seal band 24. A first scribing step to be formed is performed. This first scribing step is performed using a scribing device 5 shown in FIG. A scribing device 5 shown in FIG. 9 includes a chuck table 51 that holds a workpiece, and a scribe mechanism 52 that forms a scribe line on the workpiece held on the chuck table 51. Like the chuck table 31 of the laser processing apparatus 3 shown in FIG. 2, the chuck table 51 has a plurality of suction holes 511 formed on the surface thereof, and the plurality of suction holes 511 communicate with suction means (not shown). It is configured. The chuck table 51 is rotated by a rotating mechanism 512 in the same manner as the chuck table 31 of the laser processing apparatus 3 shown in FIG. 2 and is moved in a processing feed direction indicated by an arrow X in FIG. 9 by a processing feed mechanism (not shown). At the same time, an index feed mechanism (not shown) can be moved in the index feed direction indicated by arrow Y in FIG.

スクライブ機構５２は、支持基台５２１と、該支持基台５２１に一端を支持軸５２２によって上下方向に揺動可能に支持されたスクライバ支持部材５２３と、該スクライバ支持部材５２３の他端に回転支持軸５２４によって回転可能に支持されたローラスクライバ５２５と、スクライバ支持部材５２３に押圧力を作用せしめる押圧力付勢手段５２６とを具備している。支持基台５２１は図示しない支持台に割り出し方向である図９において矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設されている。ローラスクライバ５２５は焼結ダイヤモンドによって形成されており、回転支持軸５２４によってスクライバ支持部材５２３の他端に回転可能に支持されている。押圧力付勢手段５２６は、上記支持基台５２１の上端に突出して形成された支持部５２１aに螺合された調整ネジ５２６aと、該調整ネジ５２６aの下端に装着されたバネ受け板５２６bと、該バネ受け板５２６bと上記スクライバ支持部材５２３の上面との間に配設されたコイルバネ５２６cとからなっている。なお、図示の実施形態においては押圧力付勢手段としてコイルバネ５２６cおよび調整５２６aを用いた例を示したが、押圧力付勢手段としてエアーピストンを用い、エアー圧を調整することにより押圧力を制御してもよい。また、図示の実施形態におけるスクライブ装置５は、顕微鏡やＣＣＤカメラを備えた撮像手段５３を具備している。この撮像手段５３は、上記図２に示すレーザー加工装置３の撮像手段３３と実質的に同一の構成でよい。 The scribe mechanism 52 includes a support base 521, a scriber support member 523 supported at one end of the support base 521 by a support shaft 522 so as to be swingable in the vertical direction, and a rotational support supported at the other end of the scriber support member 523. A roller scriber 525 rotatably supported by a shaft 524 and a pressing force urging means 526 for applying a pressing force to the scriber support member 523 are provided. The support base 521 is disposed on a support base (not shown) so as to be movable in a direction indicated by an arrow Y in FIG. The roller scriber 525 is formed of sintered diamond, and is rotatably supported on the other end of the scriber support member 523 by a rotation support shaft 524. The pressing force urging means 526 includes an adjustment screw 526a screwed into a support portion 521a formed protruding from the upper end of the support base 521, a spring receiving plate 526b attached to the lower end of the adjustment screw 526a, It comprises a coil spring 526c disposed between the spring receiving plate 526b and the upper surface of the scriber support member 523. In the illustrated embodiment, the coil spring 526c and the adjustment 526a are used as the pressing force urging means. However, the air piston is used as the pressing force urging means, and the pressing force is controlled by adjusting the air pressure. May be. In addition, the scribing device 5 in the illustrated embodiment includes an imaging unit 53 including a microscope and a CCD camera. This imaging means 53 may have substantially the same configuration as the imaging means 33 of the laser processing apparatus 3 shown in FIG.

上記図９に示すスクライブ装置５を用いて第１のスクライブ工程を実施するには、図１０に示すようにチャックテーブル５１上に上記変質層形成工程が実施された液晶デバイスウエーハ２の第２のガラス基板２２側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、液晶デバイスウエーハ２をチャックテーブル５１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１に保持された液晶デバイスウエーハ２は、第１のガラス基板２１が上側となる。 In order to perform the first scribing process using the scribing apparatus 5 shown in FIG. 9, the second liquid crystal device wafer 2 in which the altered layer forming process is performed on the chuck table 51 as shown in FIG. The glass substrate 22 side is mounted. The liquid crystal device wafer 2 is sucked and held on the chuck table 51 by operating a suction means (not shown) (wafer holding step). Therefore, the liquid crystal device wafer 2 held on the chuck table 51 has the first glass substrate 21 on the upper side.

このようにしてチャックテーブル５１上に液晶デバイスウエーハ２を吸引保持したならば、撮像手段５３および図示しない制御手段によって液晶デバイスウエーハ２のスクライブ加工すべき加工領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段５３および図示しない制御手段は、液晶デバイスウエーハ２を構成するシール帯２４における所定方向に形成された第１のシール部２４１に形成された変質層２４０を撮像し、撮像した変質層２４０とローラスクライバ５２５との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、所定方向と直交する方向に延びる第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に対しても同様にアライメントを遂行する。このとき、変質層２４０は第１のシール部２４１の内部に形成されているが、撮像手段３３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、変質層２４０を撮像することができる。 If the liquid crystal device wafer 2 is sucked and held on the chuck table 51 in this way, an alignment process for detecting a processing region to be scribed on the liquid crystal device wafer 2 is executed by the imaging means 53 and a control means (not shown). That is, the imaging unit 53 and a control unit (not shown) take an image of the deteriorated layer 240 formed in the first seal portion 241 formed in a predetermined direction in the seal band 24 constituting the liquid crystal device wafer 2 and pick up the imaged deteriorated layer. Image processing such as pattern matching for performing alignment between 240 and the roller scriber 525 is executed, and alignment of the laser beam irradiation position is performed. In addition, alignment is similarly performed on the deteriorated layer 240 formed on the first seal portion 241 extending in a direction orthogonal to the predetermined direction. At this time, the deteriorated layer 240 is formed inside the first seal portion 241. However, as described above, the imaging unit 33 outputs an infrared illumination unit, an optical system that captures infrared rays, and an electrical signal corresponding to the infrared rays. Since the imaging means composed of an element (infrared CCD) or the like is provided, the altered layer 240 can be imaged.

以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持された液晶デバイスウエーハ２のスクライブ加工すべき加工領域を検出するアライメントが行われたならば、図１１の（ａ）で示すようにチャックテーブル５１を移動し、第１のシール部２４１に形成された変質層２４０をローラスクライバ５２５の直下に位置付けるとともに、図１１の（ｂ）で示すように液晶デバイスウエーハ２の一端（図１１の（b）において左端）をローラスクライバ５２５の直下に位置付ける。そして、押圧力付勢手段５２６を作動してローラスクライバ５２５を第１のガラス基板２１の表面（上面）に所定の荷重で圧接する。次に、液晶デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１を図１１の（b）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図１１の（c）で示すように液晶デバイスウエーハ２の他端（図１１の（b）において右端）がローラスクライバ５２５を通過したら、チャックテーブル５１の移動を停止する。この結果、第１のガラス基板２１には、図１１の（c）および図１１の（d）に示すように第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って第１のスクライブライン２１１が形成される。 When the alignment for detecting the processing region to be scribed on the liquid crystal device wafer 2 held on the chuck table 51 is performed as described above, the chuck table 51 is moved as shown in FIG. Then, the deteriorated layer 240 formed on the first seal portion 241 is positioned directly below the roller scriber 525, and as shown in FIG. 11B, one end of the liquid crystal device wafer 2 (the left end in FIG. 11B). ) Is positioned directly below the roller scriber 525. Then, the pressing force urging means 526 is operated to press the roller scriber 525 against the surface (upper surface) of the first glass substrate 21 with a predetermined load. Next, the chuck table 51 that sucks and holds the liquid crystal device wafer 2 is moved in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. When the other end of the liquid crystal device wafer 2 (the right end in FIG. 11B) passes through the roller scriber 525 as shown in FIG. 11C, the movement of the chuck table 51 is stopped. As a result, the first glass substrate 21 has a first scribe line along the altered layer 240 formed in the first seal portion 241 as shown in FIG. 11 (c) and FIG. 11 (d). 211 is formed.

以上のようにして、液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１に所定方向に延在する第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って上述した第１のスクライブ工程を実行したならば、チャックテーブル５１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に延びる各第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って上述した第１のスクライブ工程を実行する。 As described above, the first scribing step described above is performed along the altered layer 240 formed in the first seal portion 241 extending in the predetermined direction on the first glass substrate 21 constituting the liquid crystal device wafer 2. If executed, the chuck table 51 is rotated 90 degrees, and the first scribe described above is taken along the altered layer 240 formed in each first seal portion 241 extending in a direction orthogonal to the predetermined direction. Execute the process.

以上のようにして、液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１に第１のスクライブ工程を実行したならば、第２のガラス基板２２にシール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿ってスクライブすることにより第１のスクライブラインを形成する第２のスクライブ工程を実施する。この第２のスクライブ工程を実施するには、図１２に示すように上記第１のスクライブ工程が実施されチャックテーブル５１に吸引保持されている液晶デバイスウエーハ２の吸引保持を解除し、液晶デバイスウエーハ２を反転して第１のガラス基板２１をチャックテーブル５１に吸引保持する。従って、チャックテーブル５１に吸引保持された液晶デバイスウエーハ２は、第２のガラス基板２２が上側となる。そして、上記第１のスクライブ工程と同様に第２のスクライブ工程を実施し、図１２の(a)および(b)に示すように第２のガラス基板２２の内部にシール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って第２のスクライブライン２２１を形成する。 As described above, when the first scribing process is performed on the first glass substrate 21 constituting the liquid crystal device wafer 2, the first glass substrate 22 is formed on the first seal portion 241 in the seal band 24. A second scribing step for forming a first scribe line is performed by scribing along the altered layer 240. In order to perform the second scribing step, as shown in FIG. 12, the suction holding of the liquid crystal device wafer 2 that has been suctioned and held by the chuck table 51 after the first scribing step has been performed is released, and the liquid crystal device wafer is removed. 2 is reversed and the first glass substrate 21 is sucked and held on the chuck table 51. Therefore, the liquid crystal device wafer 2 sucked and held by the chuck table 51 has the second glass substrate 22 on the upper side. Then, the second scribing process is performed in the same manner as the first scribing process, and the first glass band 22 in the seal band 24 is formed inside the second glass substrate 22 as shown in FIGS. A second scribe line 221 is formed along the altered layer 240 formed in the seal portion 241.

上述した第１のスクライブ工程および第２のスクライブ工程を実施したならば、第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２とシール帯２４を第１のスクライブライン２１１および第２のスクライブライン２２１とシール帯２４に形成された変質層２４０に沿って破断する破断工程を実施する。この破断工程は、上記図８の（ａ）、（b）、（ｃ）に示した破断方法と同様な方法によって実施することができる。即ち、図１３の（ａ）に示すように第１のスクライブ工程および第２のスクライブ工程が実施された液晶デバイスウエーハ２を柔軟なゴムシート４上に載置する。そして、液晶デバイスウエーハ２の上面を押圧ローラー４０によって押圧しつつ転動することによって、図１３の（b）、（ｃ）に示すように液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２とシール帯２４は第１のスクライブライン２１１および第２のスクライブライン２２１と強度が低下せしめられた変質層２４０に沿って破断し、個々の液晶デバイス２０に分割される。このように、液晶デバイスウエーハ２を構成する第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２は、シール帯２４における第１のシール部２４１に形成された変質層２４０に沿って設けられた第１のスクライブライン２１１および第２のスクライブライン２２１に沿って破断されるので、シール帯２４から外側に突出することなく形成することができる。従って、液晶デバイス２０の小型化を可能にするとともに、第１のガラス基板２１および第２のガラス基板２２の切れ代が実質的に不要となるのでガラス板を有効利用することができる。 If the first scribe process and the second scribe process described above are performed, the first scribe line 211 and the second scribe line 221 are connected to the first glass substrate 21 and the second glass substrate 22 and the seal band 24. And a breaking step of breaking along the deteriorated layer 240 formed in the seal band 24 is performed. This breaking process can be performed by a method similar to the breaking method shown in FIGS. 8 (a), 8 (b), and 8 (c). That is, as shown in FIG. 13A, the liquid crystal device wafer 2 on which the first scribe process and the second scribe process are performed is placed on a flexible rubber sheet 4. Then, by rolling while pressing the upper surface of the liquid crystal device wafer 2 by the pressing roller 40, as shown in FIGS. 13B and 13C, the first glass substrate 21 constituting the liquid crystal device wafer 2 and The second glass substrate 22 and the seal band 24 are broken along the first scribe line 211 and the second scribe line 221 along the deteriorated layer 240 whose strength is lowered, and are divided into individual liquid crystal devices 20. Thus, the first glass substrate 21 and the second glass substrate 22 constituting the liquid crystal device wafer 2 are provided along the altered layer 240 formed in the first seal portion 241 in the seal band 24. Since it is broken along the one scribe line 211 and the second scribe line 221, it can be formed without protruding outward from the seal band 24. Therefore, the liquid crystal device 20 can be miniaturized, and the glass plate can be used effectively because the cutting margin between the first glass substrate 21 and the second glass substrate 22 is substantially unnecessary.

本発明による液晶デバイスの製造方法によって製造される液晶デバイスを複数形成した液晶デバイスウエーハの斜視図。1 is a perspective view of a liquid crystal device wafer in which a plurality of liquid crystal devices manufactured by a method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention are formed. 本発明による液晶デバイスの製造方法における変質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部を示す斜視図。The perspective view which shows the principal part of the laser processing apparatus for implementing the deteriorated layer formation process in the manufacturing method of the liquid crystal device by this invention. 図２に示すレーザー加工装置のチャックテーブルに図１に示す液晶デバイスウエーハを保持した状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state which hold | maintained the liquid crystal device wafer shown in FIG. 1 on the chuck table of the laser processing apparatus shown in FIG. 本発明による液晶デバイスの製造方法における変質層形成工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the deteriorated layer formation process in the manufacturing method of the liquid crystal device by this invention. 図２に示すレーザー加工装置のチャックテーブルに図４に示す変質層形成工程が実施された液晶デバイスウエーハを保持した状態を示す斜視図。FIG. 5 is a perspective view showing a state in which the liquid crystal device wafer on which the deteriorated layer forming step shown in FIG. 4 has been performed is held on the chuck table of the laser processing apparatus shown in FIG. 2. 本発明による液晶デバイスの製造方法におけるガラス基板分割工程の第１の実施形態における第１の変質層形成工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the 1st deteriorated layer formation process in 1st Embodiment of the glass substrate division | segmentation process in the manufacturing method of the liquid crystal device by this invention. 本発明による液晶デバイスの製造方法におけるガラス基板分割工程の第１の実施形態における第１の変質層形成工程および第２の変質層形成工程が実施された液晶デバイスウエーハを示す説明図。Explanatory drawing which shows the liquid crystal device wafer in which the 1st deteriorated layer formation process and the 2nd deteriorated layer formation process in 1st Embodiment of the glass substrate division | segmentation process in the manufacturing method of the liquid crystal device by this invention were implemented. 本発明による液晶デバイスの製造方法におけるガラス基板分割工程の第１の実施形態における破断工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the fracture | rupture process in 1st Embodiment of the glass substrate division | segmentation process in the manufacturing method of the liquid crystal device by this invention. 本発明による液晶デバイスの製造方法におけるガラス基板分割工程の第２の実施形態におけるスクライブ工程を実施するためのスクライブ装置の要部を示す斜視図。The perspective view which shows the principal part of the scribe apparatus for implementing the scribe process in 2nd Embodiment of the glass substrate division | segmentation process in the manufacturing method of the liquid crystal device by this invention. 図９に示すスクライブ装置のチャックテーブルに図４に示す変質層形成工程が実施された液晶デバイスウエーハを保持した状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state which hold | maintained the liquid crystal device wafer in which the deteriorated layer formation process shown in FIG. 4 was implemented by the chuck table of the scribe apparatus shown in FIG. 本発明による液晶デバイスの製造方法におけるガラス基板分割工程の第２の実施形態における第１のスクライブ工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the 1st scribe process in 2nd Embodiment of the glass substrate division | segmentation process in the manufacturing method of the liquid crystal device by this invention. 本発明による液晶デバイスの製造方法におけるガラス基板分割工程の第２の実施形態における第１のスクライブ工程および第２のスクライブ工程が実施された液晶デバイスウエーハを示す説明図。Explanatory drawing which shows the liquid crystal device wafer by which the 1st scribe process and 2nd scribe process in 2nd Embodiment of the glass substrate division | segmentation process in the manufacturing method of the liquid crystal device by this invention were implemented. 本発明による液晶デバイスの製造方法におけるガラス基板分割工程の第２の実施形態における破断工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the fracture | rupture process in 2nd Embodiment of the glass substrate division | segmentation process in the manufacturing method of the liquid crystal device by this invention.

Explanation of symbols

２：液晶デバイスウエーハ
２０：液晶デバイス
２１：第１のガラス基板
２２：第２のガラス基板
２３：液晶室
２４：シール帯
２４０：変質層
２４１：第１のシール部
２４２：第２のシール部
２５：配線パッド
３：レーザー加工装置
３１：レーザー加工装置のチャックテーブル
３２：レーザー光線照射手段
４：ゴムシート
４０：押圧ローラー
５：スクライブ装置
５１：スクライブ装置のチャックテーブル
５２：スクライブ機構
５２５：ローラスクライバ
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ 2: liquid crystal device wafer 20: liquid crystal device 21: first glass substrate 22: second glass substrate 23: liquid crystal chamber 24: seal band 240: altered layer 241: first seal portion 242: second seal portion 25 : Wiring pad 3: Laser processing device 31: Chuck table of laser processing device 32: Laser beam irradiation means 4: Rubber sheet 40: Press roller 5: Scribing device 51: Chuck table of scribing device 52: Scribing mechanism 525: Roller scriber
F: Ring frame
T: Dicing tape

Claims

A method of manufacturing a liquid crystal device in which a liquid crystal chamber is partitioned by a seal band between two glass substrates arranged with a predetermined interval with the inner surfaces facing each other,
Forming a liquid crystal chamber that divides a plurality of liquid crystal chambers by disposing a seal band having a width at least twice the width necessary for sealing the liquid crystal injected into the liquid crystal chamber between the two glass substrates Process,
A condensing point of a laser beam is positioned inside a position where the width of the seal band is divided into two by transmitting through the glass substrate from one glass substrate side of the two glass substrates forming the plurality of liquid crystal chambers. A deteriorated layer forming step of irradiating a laser beam along the seal band and forming a deteriorated layer inside the seal band;
A glass substrate dividing step of dividing the two glass substrates along the altered layer formed in the seal band,
A method of manufacturing a liquid crystal device.

2. The method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, wherein the seal band having a width at least twice as large as that necessary for sealing the liquid crystal is disposed at least in a region where the liquid crystal chambers are adjacent to each other.

The method for producing a liquid crystal device according to claim 1 or 2, wherein the wavelength of the laser beam irradiated in the deteriorated layer forming step is set to 266 to 1300 nm.

The glass substrate dividing step irradiates a laser beam from one glass substrate side of two glass substrates along the altered layer formed in the seal band by positioning a condensing point of the laser beam inside the one glass substrate. A first deteriorated layer forming step of forming a first deteriorated layer along the deteriorated layer formed in the seal band inside the one glass substrate, and the other glass substrate side of the two glass substrates The focal point of the laser beam is positioned inside the other glass substrate and irradiated with the laser beam along the altered layer formed on the seal band, and the alteration formed on the seal band inside the other glass substrate. A second deteriorated layer forming step of forming a second deteriorated layer along the layer, the one glass substrate, the other glass substrate, and the seal band, the first deteriorated layer and the second deteriorated layer. And formed on the seal strip And a breaking step of breaking along a quality layer, a method of manufacturing a liquid crystal device according to any one of claims 1 to 3.

The glass substrate dividing step includes a first scribe step of forming a first scribe line by scribing along one of the two glass substrates along the altered layer formed on the seal band, A second scribing step of forming a second scribe line by scribing along the altered layer formed in the seal band on the other glass substrate of the one glass substrate, the one glass substrate and the other glass substrate A breakage step of breaking the glass substrate and the seal band along the altered layer formed on the first scribe line and the second scribe line and the seal band. The manufacturing method of the liquid crystal device of description.