JP2019139182A - Method for producing liquid crystal panel - Google Patents
Method for producing liquid crystal panel Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019139182A JP2019139182A JP2018024997A JP2018024997A JP2019139182A JP 2019139182 A JP2019139182 A JP 2019139182A JP 2018024997 A JP2018024997 A JP 2018024997A JP 2018024997 A JP2018024997 A JP 2018024997A JP 2019139182 A JP2019139182 A JP 2019139182A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- glass substrate
- seal band
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 179
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 14
- 238000002407 reforming Methods 0.000 abstract 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
Abstract
Description
本発明は、液晶パネルの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal panel.
電子機器のモニター等として用いられる液晶表示装置は、液晶を駆動するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成されたアレイ基板と、カラーフィルタが設けられたカラーフィルタ基板と、を貼り合わせてなる液晶パネルを備えている。アレイ基板とカラーフィルタ基板との間には、樹脂等で形成されるシール帯が設けられており、液晶は、このシール帯によって区画される液晶室に封入される。 A liquid crystal display device used as a monitor of an electronic device is a liquid crystal formed by bonding an array substrate on which TFTs (Thin Film Transistors) for driving liquid crystals and a color filter substrate on which color filters are provided. Has a panel. A seal band formed of a resin or the like is provided between the array substrate and the color filter substrate, and the liquid crystal is sealed in a liquid crystal chamber partitioned by the seal band.
上述した液晶パネルは、例えば、複数のアレイ基板へと分割される第１ガラス基板と、複数のカラーフィルタ基板へと分割される第２ガラス基板と、をシール帯を介して貼り合わせた後に、貼り合わせ後の基板（以下、貼り合わせ基板）を所定の分割予定ラインに沿って分割することで得られる。貼り合わせ基板の分割には、例えば、第１ガラス基板と第２ガラス基板とを切削ブレードによって切削加工する加工方法が採用される（例えば、特許文献１参照）。 The liquid crystal panel described above, for example, after bonding a first glass substrate divided into a plurality of array substrates and a second glass substrate divided into a plurality of color filter substrates through a seal band, It can be obtained by dividing the substrate after bonding (hereinafter, bonded substrate) along a predetermined division line. For the division of the bonded substrate, for example, a processing method of cutting the first glass substrate and the second glass substrate with a cutting blade is employed (for example, see Patent Document 1).
しかしながら、第１ガラス基板と第２ガラス基板とを切削ブレードで切削加工する上述の加工方法では、切削ブレードの厚みに応じて少なくとも１ｍｍ程度の切り代を設ける必要があるので、第１ガラス基板と第２ガラス基板とを最大限に活用できるとは言い難い。また、シール帯の外側に残留する大きな切り代は、液晶パネルを小型化する際の障害になり易いという問題もあった。 However, in the above-described processing method of cutting the first glass substrate and the second glass substrate with the cutting blade, it is necessary to provide a cutting allowance of at least about 1 mm according to the thickness of the cutting blade. It is hard to say that the second glass substrate can be utilized to the maximum. In addition, there is a problem that the large cutting margin remaining outside the seal band tends to be an obstacle when the liquid crystal panel is downsized.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、貼り合わせ基板から液晶パネルを切り出す際の切り代を小さくできる液晶パネルの製造方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal panel that can reduce a cutting allowance when the liquid crystal panel is cut out from a bonded substrate.
本発明の一態様によれば、複数の液晶室を区画するシール帯と、該シール帯を介して貼り合わせられた２枚のガラス基板と、を含む貼り合わせ基板を加工して複数の液晶パネルを製造する液晶パネルの製造方法であって、該貼り合わせ基板の内部且つ隣接する２つの該液晶室の間に該ガラス基板を透過する波長のレーザービームの集光領域を位置付けながら該シール帯に沿って該レーザービームを照射し、細孔と、該細孔を囲む改質部と、を含むシールドトンネルを該貼り合わせ基板に形成するレーザー加工ステップと、該貼り合わせ基板に形成されたシールドトンネルに沿って該貼り合わせ基板を複数の液晶パネルに分割する分割ステップと、を含む液晶パネルの製造方法が提供される。 According to one embodiment of the present invention, a plurality of liquid crystal panels are processed by processing a bonded substrate including a seal band that partitions a plurality of liquid crystal chambers and two glass substrates bonded through the seal band. A liquid crystal panel manufacturing method for manufacturing a liquid crystal panel, wherein a condensing region of a laser beam having a wavelength transmitted through the glass substrate is positioned between two adjacent liquid crystal chambers inside the bonded substrate, and the sealing band is positioned on the seal band A laser processing step for forming a shield tunnel including a pore and a modified portion surrounding the pore on the bonded substrate, and a shield tunnel formed on the bonded substrate. And a dividing step of dividing the bonded substrate into a plurality of liquid crystal panels.
本発明の一態様において、該レーザー加工ステップは、一方の該ガラス基板側から、該シール帯を幅方向に二分する位置にレーザービームを照射し、該シール帯を変質させるとともに、細孔と、該細孔を囲む改質部と、を含むシールドトンネルを該一方のガラス基板に形成する第１レーザー加工ステップと、他方の該ガラス基板側から、該シール帯を幅方向に二分する位置にレーザービームを照射し、少なくとも、細孔と、該細孔を囲む改質部と、を含むシールドトンネルを該他方のガラス基板に形成する第２レーザー加工ステップと、を含んでも良い。 In one embodiment of the present invention, the laser processing step irradiates a laser beam at a position that bisects the seal band in the width direction from one glass substrate side, alters the seal band, and pores. A first laser processing step for forming a shield tunnel including the modified portion surrounding the pores on the one glass substrate, and a laser at a position that bisects the seal band in the width direction from the other glass substrate side. A second laser processing step of irradiating the beam and forming a shield tunnel including at least a pore and a modified portion surrounding the pore on the other glass substrate may be included.
また、本発明の一態様において、該レーザー加工ステップでは、一方のガラス基板側から、該シール帯を二分する位置にレーザービームを照射し、該シール帯を変質させるとともに、細孔と、該細孔を囲む改質部と、を含むシールドトンネルを該２枚のガラス基板に形成しても良い。 In one embodiment of the present invention, in the laser processing step, a laser beam is irradiated from one glass substrate side to a position that bisects the seal band to alter the seal band, and the pores and fine A shield tunnel including a modified portion surrounding the hole may be formed on the two glass substrates.
本発明の一態様に係る液晶パネルの製造方法では、細孔と、細孔を囲む改質部と、を含むシールドトンネルをシール帯に沿って貼り合わせ基板に形成し、このシールドトンネルに沿って貼り合わせ基板を複数の液晶パネルに分割するので、切削ブレードを用いて貼り合わせ基板を分割する場合に比べて切り代を小さくできる。 In the method for manufacturing a liquid crystal panel according to one aspect of the present invention, a shield tunnel including a pore and a modified portion surrounding the pore is formed on the bonded substrate along the seal band, and along the shield tunnel. Since the bonded substrate is divided into a plurality of liquid crystal panels, the cutting allowance can be reduced as compared with the case where the bonded substrate is divided using a cutting blade.
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る液晶パネルの製造方法は、レーザー加工ステップ（図２、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）参照）と、分割ステップ（図５参照）と、を含む。 Embodiments according to one aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The liquid crystal panel manufacturing method according to the present embodiment includes a laser processing step (see FIGS. 2, 3A, 3B, 4A, and 4B) and a dividing step (FIG. 5).
レーザー加工ステップでは、液晶室を区画するシール帯と、シール帯を介して貼り合わせられた２枚のガラス基板と、を有する貼り合わせ基板の内部にガラス基板を透過する波長のレーザービームを集光させて、細孔と、細孔を囲む改質部と、を含むシールドトンネルを貼り合わせ基板に形成する。分割ステップでは、貼り合わせ基板に形成されたシールドトンネルに沿って貼り合わせ基板を複数の液晶パネルに分割する。以下、本実施形態に係る液晶パネルの製造方法について詳述する。 In the laser processing step, a laser beam having a wavelength that passes through the glass substrate is condensed inside the bonded substrate having a seal band that partitions the liquid crystal chamber and two glass substrates bonded together through the seal band. Thus, a shield tunnel including the pores and the modified portion surrounding the pores is formed on the bonded substrate. In the dividing step, the bonded substrate is divided into a plurality of liquid crystal panels along a shield tunnel formed on the bonded substrate. Hereinafter, the manufacturing method of the liquid crystal panel according to the present embodiment will be described in detail.
図１は、本実施形態に係る貼り合わせ基板１１の構成例を模式的に示す斜視図である。図１に示すように、貼り合わせ基板１１は、第１ガラス基板（第１マザー基板）１３と第２ガラス基板（第２マザー基板）１５とを含んでいる。 FIG. 1 is a perspective view schematically showing a configuration example of a bonded substrate board 11 according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the bonded substrate 11 includes a first glass substrate (first mother substrate) 13 and a second glass substrate (second mother substrate) 15.
第１ガラス基板１３は、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等の材料で平板状に形成されており、可視光に対して概ね透明である。この第１ガラス基板１３の第１面１３ａ（図３（Ａ）等参照）には、例えば、液晶に電界を加えるためのＴＦＴ（Thin Film Transistor）や画素電極、配線等を含む第１機能層（不図示）が設けられている。なお、第１機能層の機能や構造、形成方法等に特段の制限はない。 The first glass substrate 13 is formed in a flat plate shape from a material such as soda lime glass, non-alkali glass, or quartz glass, and is generally transparent to visible light. The first surface 13a (see FIG. 3A) of the first glass substrate 13 includes, for example, a first functional layer including a TFT (Thin Film Transistor) for applying an electric field to liquid crystal, a pixel electrode, wiring, and the like. (Not shown) is provided. In addition, there is no special restriction | limiting in the function, structure, formation method, etc. of a 1st functional layer.
第２ガラス基板１５も、第１ガラス基板１３と同様に構成される。すなわち、第２ガラス基板１５は、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等の材料で平板状に形成され、可視光に対して概ね透明である。ただし、第１ガラス基板１３と第２ガラス基板１５とが同じである必要はない。 The second glass substrate 15 is configured in the same manner as the first glass substrate 13. That is, the 2nd glass substrate 15 is formed in flat form with materials, such as soda-lime glass, an alkali free glass, and quartz glass, and is substantially transparent with respect to visible light. However, the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15 do not have to be the same.
この第２ガラス基板１５の第１面１５ａ（図３（Ａ）等参照）には、例えば、液晶に電界を加えるための対向電極や配線、外部のバックライト（不図示）から放射される任意の波長の光を選択的に透過させるカラーフィルタ等を含む第２機能層（不図示）が設けられている。なお、第２機能層の機能や構造、形成方法等にも特段の制限はない。 On the first surface 15a (see FIG. 3A, etc.) of the second glass substrate 15, for example, a counter electrode or wiring for applying an electric field to the liquid crystal, or an arbitrary light emitted from an external backlight (not shown) A second functional layer (not shown) including a color filter or the like that selectively transmits light having a wavelength of is provided. There are no particular restrictions on the function, structure, formation method, and the like of the second functional layer.
第１基板１３の第１面１３ａ側と、第２基板１５の第１面１５ａ側とは、樹脂等でなるシール帯１７を介して貼り合わせられている。シール帯１７は、所定の厚みを有しているので、第１基板１３の第１面１３ａ側と、第２基板１５の第１面１５ａ側との間には、シール帯１７によって区画される複数の隙間が形成される。各隙間は、液晶が封入される液晶室１７ａとなる。シール帯１７は、液晶の封止に適した幅に形成されている。 The first surface 13a side of the first substrate 13 and the first surface 15a side of the second substrate 15 are bonded together via a seal band 17 made of resin or the like. Since the seal band 17 has a predetermined thickness, the seal band 17 is defined between the first surface 13 a side of the first substrate 13 and the first surface 15 a side of the second substrate 15. A plurality of gaps are formed. Each gap serves as a liquid crystal chamber 17a in which liquid crystal is enclosed. The seal band 17 is formed with a width suitable for sealing the liquid crystal.
なお、本実施形態の貼り合わせ基板１１には、隣接する液晶室１７ａの間に配置されたシール帯１７を幅方向に二分するように、シール帯１７に沿って分割予定ライン１１ａが設定されている。また、第１基板１３及び第２基板１５の端部の一部の領域には、シール帯１７が設けられておらず、このシール帯１７のない領域が、液晶を注入するための液晶注入口１７ｂとなる。 In the bonded substrate 11 of the present embodiment, a division line 11a is set along the seal band 17 so that the seal band 17 disposed between the adjacent liquid crystal chambers 17a is divided in the width direction. Yes. In addition, a seal band 17 is not provided in a partial region of the end portions of the first substrate 13 and the second substrate 15, and a region without the seal band 17 is a liquid crystal injection port for injecting liquid crystal. 17b.
本実施形態に係る液晶パネルの製造方法では、まず、第１ガラス基板１３及び第２ガラス基板１５を透過する波長のレーザービームを貼り合わせ基板１１の内部に集光させて、この貼り合わせ基板１１の内部等にシールドトンネルと呼ばれる構造を形成するレーザー加工ステップを行う。 In the method for manufacturing a liquid crystal panel according to the present embodiment, first, a laser beam having a wavelength that passes through the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15 is condensed inside the bonded substrate 11, and the bonded substrate 11. A laser processing step for forming a structure called a shield tunnel in the interior of the substrate is performed.
図２は、レーザー加工ステップを模式的に示す斜視図である。本実施形態のレーザー加工ステップは、例えば、図２に示すレーザー加工装置２を用いて行われる。レーザー加工装置２は、貼り合わせ基板１１を吸引、保持するチャックテーブル４を備えている。チャックテーブル４は、例えば、貼り合わせ基板１１の全体を支持できる大きさに形成されている。 FIG. 2 is a perspective view schematically showing a laser processing step. The laser processing step of this embodiment is performed using, for example, a laser processing apparatus 2 shown in FIG. The laser processing apparatus 2 includes a chuck table 4 that sucks and holds the bonded substrate 11. The chuck table 4 is formed in a size that can support the entire bonded substrate 11, for example.
このチャックテーブル４は、例えば、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向（Ｚ軸方向）に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４は、この移動機構によって、鉛直方向に概ね垂直な加工送り方向（Ｘ軸方向）及び割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に移動する。 The chuck table 4 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis substantially parallel to the vertical direction (Z-axis direction). Further, a moving mechanism (not shown) is provided below the chuck table 4, and the chuck table 4 is moved by the moving mechanism in a machining feed direction (X-axis direction) and an index feed direction that are substantially perpendicular to the vertical direction. Move in (Y-axis direction).
チャックテーブル４の上面の一部は、貼り合わせ基板１１を保持する保持面になっている。保持面には、例えば、開口（不図示）が設けられており、この開口は、チャックテーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。貼り合わせ基板１１を保持面に載せ、吸引源の負圧を開口に作用させれば、貼り合わせ基板１１をチャックテーブル４によって吸引、保持できる。 A part of the upper surface of the chuck table 4 is a holding surface for holding the bonded substrate 11. For example, the holding surface is provided with an opening (not shown), and this opening is connected to a suction source (not shown) via a suction path (not shown) formed in the chuck table 4. ing. The bonded substrate 11 can be sucked and held by the chuck table 4 by placing the bonded substrate 11 on the holding surface and applying a negative pressure of the suction source to the opening.
チャックテーブル４の上方には、レーザービーム照射ユニット６が配置されている。また、レーザービーム照射ユニット６に隣接する位置には、チャックテーブル４によって保持される貼り合わせ基板１１等を撮像するためのカメラ（撮像ユニット）８が配置されている。 A laser beam irradiation unit 6 is disposed above the chuck table 4. A camera (imaging unit) 8 for imaging the bonded substrate 11 and the like held by the chuck table 4 is disposed at a position adjacent to the laser beam irradiation unit 6.
レーザービーム照射ユニット６は、レーザー発振器（不図示）と、集光用のレンズ（不図示）と、を備えており、レーザー発振器でパルス発振されたレーザービームＬを所定の位置に照射、集光する。レーザー発振器は、第１ガラス基板１３及び第２ガラス基板１５に対して透過性を有する波長（吸収され難い波長）のレーザービームＬをパルス発振できるように構成されている。 The laser beam irradiation unit 6 includes a laser oscillator (not shown) and a condensing lens (not shown), and irradiates and condenses a laser beam L pulsed by the laser oscillator to a predetermined position. To do. The laser oscillator is configured to be able to pulse-oscillate a laser beam L having a wavelength that is transmissive to the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15 (wavelength that is difficult to be absorbed).
また、集光用のレンズは、細孔と、細孔を囲む改質部と、を含むシールドトンネルと呼ばれる構造を、少なくとも第１ガラス基板１３又は第２ガラス基板１５の内部等に形成できるようにレーザービームＬを集光する。このような集光用のレンズとしては、例えば、開口数（ＮＡ）を第１ガラス基板１３の屈折率又は第２ガラス基板１５の屈折率で割った値が０．０５〜０．９となるようなものを用いると良い。 Further, the condensing lens can form a structure called a shield tunnel including a pore and a modified portion surrounding the pore, at least inside the first glass substrate 13 or the second glass substrate 15. The laser beam L is condensed on As such a condensing lens, for example, a value obtained by dividing the numerical aperture (NA) by the refractive index of the first glass substrate 13 or the refractive index of the second glass substrate 15 is 0.05 to 0.9. It is good to use something like this.
図３（Ａ）は、レーザー加工ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の状態を別の方向から見た一部断面側面図である。このレーザー加工ステップでは、例えば、貼り合わせ基板１１を構成する第１ガラス基板１３の第２面１３ｂ側をチャックテーブル４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、貼り合わせ基板１１は、第２ガラス基板１５の第２面１５ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル４に吸引、保持される。 3A is a partial cross-sectional side view schematically showing a laser processing step, and FIG. 3B is a partial cross-sectional side view of the state of FIG. 3A viewed from another direction. is there. In this laser processing step, for example, the second surface 13b side of the first glass substrate 13 constituting the bonded substrate 11 is brought into contact with the holding surface of the chuck table 4 to apply a negative pressure of the suction source. Thereby, the bonded substrate 11 is sucked and held by the chuck table 4 with the second surface 15b side of the second glass substrate 15 exposed upward.
貼り合わせ基板１１をチャックテーブル４で保持した後には、このチャックテーブル４を回転させて、貼り合わせ基板１１に設定されている分割予定ライン１１ａ（図１等）と、レーザー加工装置２の加工送り方向と、を平行にする。また、チャックテーブル４を移動させて、この分割予定ライン１１ａの延長線上方にレーザービーム照射ユニット６の位置を合わせる。 After the bonded substrate 11 is held by the chuck table 4, the chuck table 4 is rotated so that the division planned line 11 a (FIG. 1 etc.) set on the bonded substrate 11 and the processing feed of the laser processing apparatus 2 are performed. Make the direction parallel. Further, the chuck table 4 is moved to align the position of the laser beam irradiation unit 6 above the extension line of the planned division line 11a.
そして、レーザービーム照射ユニット６からレーザービームＬを照射しながら、チャックテーブル４を加工送り方向に移動させる。すなわち、対象の分割予定ライン１１ａに対して平行な方向に沿って、レーザービーム照射ユニット６と貼り合わせ基板１１とを相対的に移動させる。より詳細には、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、シール帯１７の内部にレーザービームＬの集光領域を位置付けるようにレーザービームＬを照射する。 The chuck table 4 is moved in the processing feed direction while irradiating the laser beam L from the laser beam irradiation unit 6. That is, the laser beam irradiation unit 6 and the bonded substrate 11 are relatively moved along a direction parallel to the target division line 11a. More specifically, as shown in FIGS. 3A and 3B, the laser beam L is irradiated so that the condensing region of the laser beam L is positioned inside the seal band 17.
これにより、分割予定ライン１１ａに沿ってシール帯１７を変質させるとともに、細孔と、細孔を囲む改質部と、を含むシールドトンネル１９を第１ガラス基板１３及び第２ガラス基板１５の内部等に形成できる。図４（Ａ）は、シールドトンネル１９が形成された貼り合わせ基板１１を模式的に示す一部断面側面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の状態を別の方向から見た一部断面側面図である。 As a result, the seal band 17 is altered along the planned dividing line 11a, and the shield tunnel 19 including the pores and the modified portion surrounding the pores is formed inside the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15. Etc. can be formed. 4A is a partial cross-sectional side view schematically showing the bonded substrate 11 on which the shield tunnel 19 is formed. FIG. 4B shows the state of FIG. 4A from another direction. FIG.
例えば、第１ガラス基板１３及び第２ガラス基板１５の厚みが０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下、シール帯１７の厚みが２０μｍ以下（代表的には、１０μｍ）の場合には、次のような条件でレーザービームＬを照射すると良い。
波長：１０３０ｎｍ
繰り返し周波数：１０ｋＨｚ
パルス幅：６００ｆｓ
１パルスのエネルギー：１０μＪ
加工送りの速度：１００ｍｍ／ｓ
For example, when the thickness of the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15 is 0.2 mm or more and 0.5 mm or less and the thickness of the seal band 17 is 20 μm or less (typically 10 μm), the following The laser beam L may be irradiated under conditions.
Wavelength: 1030nm
Repeat frequency: 10 kHz
Pulse width: 600 fs
1 pulse energy: 10μJ
Processing feed rate: 100 mm / s
このような条件でレーザービームＬを照射すると、シールドトンネル１９の端の少なくとも一部を、第１ガラス基板１３の第１面１３ａや第２面１３ｂ、第２ガラス基板１５の第１面１５ａや第２面１５ｂ等に開口させることができる。すなわち、第１ガラス基板１３や第２ガラス基板１５の表面には、シールドトンネル１９の端となる開口部が形成されることもある。 When the laser beam L is irradiated under such conditions, at least a part of the end of the shield tunnel 19 is formed on the first surface 13a and the second surface 13b of the first glass substrate 13, the first surface 15a of the second glass substrate 15, The second surface 15b can be opened. That is, an opening serving as an end of the shield tunnel 19 may be formed on the surface of the first glass substrate 13 or the second glass substrate 15.
ただし、レーザービームＬの照射条件は、貼り合わせ基板１１の内部等に適切なシールドトンネル１９を形成できる範囲内で任意に設定、変更できる。上述のような手順を繰り返し、全ての分割予定ライン１１ａに沿って貼り合わせ基板１１の内部等にシールドトンネル１９が形成されると、レーザー加工ステップは終了する。 However, the irradiation condition of the laser beam L can be arbitrarily set and changed within a range in which an appropriate shield tunnel 19 can be formed inside the bonded substrate 11 or the like. When the procedure as described above is repeated and the shield tunnel 19 is formed inside the bonded substrate 11 along all the scheduled division lines 11a, the laser processing step ends.
レーザー加工ステップの後には、貼り合わせ基板１１に形成されたシールドトンネル１９に沿って貼り合わせ基板１１を複数の液晶パネルに分割する分割ステップを行う。図５は、分割ステップを模式的に示す斜視図である。本実施形態の分割ステップは、例えば、図５に示すゴムテーブル１２と、ローラー１４と、を用いて行われる。 After the laser processing step, a dividing step of dividing the bonded substrate 11 into a plurality of liquid crystal panels is performed along the shield tunnel 19 formed on the bonded substrate 11. FIG. 5 is a perspective view schematically showing the dividing step. The dividing step of this embodiment is performed using, for example, the rubber table 12 and the roller 14 shown in FIG.
具体的には、まず、貼り合わせ基板１１を構成する第１ガラス基板１３の第２面１３ｂ側をゴムテーブル１２の支持面（上面）で支持する。そして、第２ガラス基板１５の第２面１５ｂ側にローラー１４を押し当てながら、このローラー１４をゴムテーブル１２の支持面に対して概ね平行な方向に移動させる。 Specifically, first, the second surface 13 b side of the first glass substrate 13 constituting the bonded substrate 11 is supported by the support surface (upper surface) of the rubber table 12. Then, while pressing the roller 14 against the second surface 15 b side of the second glass substrate 15, the roller 14 is moved in a direction substantially parallel to the support surface of the rubber table 12.
レーザー加工ステップで形成されたシールドトンネル１９及びその周辺の領域は、他の領域に比べて脆くなっている。よって、このような方法で貼り合わせ基板１１に力を加えると、貼り合わせ基板１１を構成する第１ガラス基板１３と第２ガラス基板１５とは、シールドトンネル１９を起点に破断する。 The shield tunnel 19 formed by the laser processing step and its surrounding area are more fragile than other areas. Therefore, when a force is applied to the bonded substrate 11 by such a method, the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15 constituting the bonded substrate 11 are broken starting from the shield tunnel 19.
本実施形態のレーザー加工ステップでは、第１ガラス基板１３及び第２ガラス基板１５にシールドトンネル１９を形成する際に、シール帯１７を分割予定ライン１１ａに沿って変質させている。よって、第１ガラス基板１３及び第２ガラス基板１５を破断させると、シール帯１７も分割予定ライン１１ａに沿って分離される。 In the laser processing step of the present embodiment, when the shield tunnel 19 is formed on the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15, the seal band 17 is altered along the planned division line 11a. Therefore, when the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15 are broken, the seal band 17 is also separated along the planned division line 11a.
これにより、分割予定ライン１１ａに沿って貼り合わせ基板１１が分割される。全ての分割予定ライン１１ａに沿って貼り合わせ基板１１が分割され、複数の液晶パネルが形成されると、分割ステップは終了する。 Thereby, the bonded substrate board 11 is divided along the division line 11a. When the bonded substrate 11 is divided along all the planned division lines 11a and a plurality of liquid crystal panels are formed, the division step is completed.
以上のように、本実施形態に係る液晶パネルの製造方法では、細孔と、細孔を囲む改質部と、を含むシールドトンネル１９をシール帯１７に沿って貼り合わせ基板１１に形成し、このシールドトンネル１９に沿って貼り合わせ基板１１を複数の液晶パネルに分割するので、切削ブレードを用いて貼り合わせ基板１１を分割する場合に比べて切り代を小さくできる。 As described above, in the liquid crystal panel manufacturing method according to the present embodiment, the shield tunnel 19 including the pores and the modified portion surrounding the pores is formed on the bonded substrate 11 along the seal band 17, Since the bonded substrate 11 is divided into a plurality of liquid crystal panels along the shield tunnel 19, the cutting allowance can be reduced as compared with the case where the bonded substrate 11 is divided using a cutting blade.
また、本実施形態に係る液晶パネルの製造方法では、貼り合わせ基板１１の厚み方向の長さが長いシールドトンネル１９を分割の起点として形成するので、厚み方向に多数の起点を重ねて形成しなくても貼り合わせ基板１１を分割できる。よって、厚み方向の長さが短い従来の改質層を厚み方向に重ねて形成する場合等に比べて、液晶パネルを効率良く製造できようになる。 Further, in the method for manufacturing a liquid crystal panel according to the present embodiment, the shield tunnel 19 having a long length in the thickness direction of the bonded substrate 11 is formed as a starting point of division, and therefore, a large number of starting points are not overlapped in the thickness direction. Even the bonded substrate 11 can be divided. Therefore, the liquid crystal panel can be manufactured more efficiently than when a conventional modified layer having a short length in the thickness direction is formed so as to overlap in the thickness direction.
なお、本発明は、上記実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態のレーザー加工ステップでは、第２ガラス基板１５側からレーザービームＬを照射してシールドトンネル１９を形成しているが、第１ガラス基板１３側からレーザービームＬを照射してシールドトンネル１９を形成することもできる。 In addition, this invention is not restrict | limited to description of the said embodiment, A various change can be implemented. For example, in the laser processing step of the above embodiment, the shield tunnel 19 is formed by irradiating the laser beam L from the second glass substrate 15 side. However, the shield tunnel 19 is irradiated by irradiating the laser beam L from the first glass substrate 13 side. A tunnel 19 can also be formed.
また、上記実施形態のレーザー加工ステップでは、シール帯１７の内部にレーザービームＬの集光領域を位置付けているが、レーザービームＬの集光領域は、少なくとも貼り合わせ基板１１の内部に位置付けられていれば良い。例えば、第１ガラス基板１３や第２ガラス基板１５の内部にレーザービームＬの集光領域を位置付けることもできる。 In the laser processing step of the above embodiment, the condensing region of the laser beam L is positioned inside the seal band 17, but the condensing region of the laser beam L is positioned at least inside the bonded substrate 11. Just do it. For example, the condensing region of the laser beam L can be positioned inside the first glass substrate 13 or the second glass substrate 15.
更に、上記実施形態のレーザー加工ステップでは、シールドトンネル１９を形成する際にシール帯１７を変質させているが、シール帯１７は、分割予定ライン１１ａに沿ってあらかじめ分離されていても良い。この場合には、分割予定ライン１１ａに沿って分離されている２つのシール帯１７の間に、気体の充填された空間が形成されていることもある。すなわち、第１基板１３の第１面１３ａと第２基板１５の第１面１５ａとの間の分割予定ライン１１ａに相当する位置には、シール帯１７が設けられておらず、気体が充填されていても良い。 Further, in the laser processing step of the above embodiment, the seal band 17 is altered when the shield tunnel 19 is formed. However, the seal band 17 may be separated in advance along the scheduled division line 11a. In this case, a space filled with gas may be formed between the two seal strips 17 separated along the planned division line 11a. That is, the seal band 17 is not provided at the position corresponding to the division line 11a between the first surface 13a of the first substrate 13 and the first surface 15a of the second substrate 15, and is filled with gas. May be.
また、第１ガラス基板１３や第２ガラス基板１５が厚い場合等、第１ガラス基板１３及び第２ガラス基板１５の両方に対して一度に適切なシールドトンネル１９を形成し難い状況では、第１ガラス基板１３及び第２ガラス基板１５のそれぞれに別のステップでシールドトンネル１９を形成しても良い。 Further, when the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15 are thick, it is difficult to form an appropriate shield tunnel 19 for both the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15 at a time. The shield tunnel 19 may be formed on the glass substrate 13 and the second glass substrate 15 in different steps.
この場合、上述したレーザー加工ステップは、第１ガラス基板１３及び第２ガラス基板１５の一方にシールドトンネル１９を形成する第１レーザー加工ステップと、第１ガラス基板１３及び第２ガラス基板１５の他方にシールドトンネル１９を形成する第２レーザー加工ステップと、を含むことになる。 In this case, the laser processing step described above includes the first laser processing step of forming the shield tunnel 19 in one of the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15, and the other of the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15. And a second laser processing step for forming the shield tunnel 19.
より具体的には、例えば、第１レーザー加工ステップでは、第１ガラス基板１３及び第２ガラス基板１５の一方側から、シール帯１７を二分する位置にレーザービームＬを照射することによって、シール帯１７を変質させるとともに、第１ガラス基板１３及び第２ガラス基板１５の一方にシールドトンネル１９を形成する。 More specifically, for example, in the first laser processing step, the laser beam L is irradiated from one side of the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15 to a position that bisects the seal band 17, thereby providing a seal band. 17 is altered, and a shield tunnel 19 is formed on one of the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15.
そして、例えば、第２レーザー加工ステップでは、第１ガラス基板１３及び第２ガラス基板１５の他方側から、シール帯１７を二分する位置にレーザービームＬを照射することによって、第１ガラス基板１３及び第２ガラス基板１５の他方にシールドトンネル１９を形成する。なお、この第２レーザー加工ステップにおいて、シール帯１７を更に変質させても良い。 For example, in the second laser processing step, the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15 are irradiated with the laser beam L from the other side of the first glass substrate 13 and the second glass substrate 15 to the position that bisects the seal band 17. A shield tunnel 19 is formed on the other side of the second glass substrate 15. In this second laser processing step, the seal band 17 may be further altered.
また、上記実施形態に係る分割ステップでは、第２ガラス基板１５側にローラー１４を押し当てて貼り合わせ基板１１を分割しているが、第１ガラス基板１３側にローラー１４を押し当てて貼り合わせ基板１１を分割しても良い。 Moreover, in the division | segmentation step which concerns on the said embodiment, although the roller 14 is pressed against the 2nd glass substrate 15 side and the bonded substrate 11 is divided | segmented, the roller 14 is pressed against the 1st glass substrate 13 side, and bonded together The substrate 11 may be divided.
更に、上記実施形態の分割ステップでは、ゴムテーブル１２とローラー１４とを用いて貼り合わせ基板１１を分割しているが、他の方法で貼り合わせ基板１１を分割することもできる。図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、変形例に係る分割ステップを模式的に示す一部断面側面図である。 Furthermore, in the dividing step of the above embodiment, the bonded substrate 11 is divided using the rubber table 12 and the roller 14, but the bonded substrate 11 can also be divided by other methods. FIG. 6A and FIG. 6B are partial cross-sectional side views schematically showing a dividing step according to a modification.
変形例に係る分割ステップは、例えば、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す押圧刃２２を用いて行われる。具体的には、図６（Ａ）に示すように、分割予定ライン１１ａに沿って形成されたシールドトンネル１９の上方に押圧刃２２の位置を合わせる。そして、図６（Ｂ）に示すように、例えば、第２ガラス基板１５の第２面１５ｂ側に押圧刃２２を押し当てる。 The dividing step according to the modification is performed using, for example, the pressing blade 22 shown in FIGS. 6 (A) and 6 (B). Specifically, as shown in FIG. 6A, the position of the pressing blade 22 is aligned above the shield tunnel 19 formed along the planned division line 11a. Then, as illustrated in FIG. 6B, for example, the pressing blade 22 is pressed against the second surface 15 b side of the second glass substrate 15.
これにより、シールドトンネル１９に沿って力を加えて、貼り合わせ基板１１を複数の液晶パネル２１へと分割できる。なお、この分割ステップでは、押圧刃２２を第２ガラス基板１５の第２面１５ｂ側に押し当てているが、押圧刃２２を第１ガラス基板１３の第２面１３ｂ側に押し当てても良い。 As a result, the bonded substrate 11 can be divided into a plurality of liquid crystal panels 21 by applying a force along the shield tunnel 19. In this division step, the pressing blade 22 is pressed against the second surface 15b side of the second glass substrate 15, but the pressing blade 22 may be pressed against the second surface 13b side of the first glass substrate 13. .
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structure, method, and the like according to the above-described embodiment can be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.
１１ 貼り合わせ基板
１１ａ 分割予定ライン
１３ 第１ガラス基板（第１マザー基板）
１３ａ 第１面
１３ｂ 第２面
１５ 第２ガラス基板（第２マザー基板）
１５ａ 第１面
１５ｂ 第２面
１７ シール帯
１７ａ 液晶室
１７ｂ 液晶注入口
１９ シールドトンネル
２１ 液晶パネル
Ｌ レーザービーム
２ レーザー加工装置
４ チャックテーブル
６ レーザービーム照射ユニット
８ カメラ（撮像ユニット）
１２ ゴムテーブル
１４ ローラー
２２ 押圧刃
11 Bonded substrate 11a Divided line 13 First glass substrate (first mother substrate)
13a First surface 13b Second surface 15 Second glass substrate (second mother substrate)
15a First surface 15b Second surface 17 Seal band 17a Liquid crystal chamber 17b Liquid crystal inlet 19 Shield tunnel 21 Liquid crystal panel L Laser beam 2 Laser processing device 4 Chuck table 6 Laser beam irradiation unit 8 Camera (imaging unit)
12 Rubber table 14 Roller 22 Press blade
Claims (3)
該貼り合わせ基板の内部且つ隣接する２つの該液晶室の間に該ガラス基板を透過する波長のレーザービームの集光領域を位置付けながら該シール帯に沿って該レーザービームを照射し、細孔と、該細孔を囲む改質部と、を含むシールドトンネルを該貼り合わせ基板に形成するレーザー加工ステップと、
該貼り合わせ基板に形成されたシールドトンネルに沿って該貼り合わせ基板を複数の液晶パネルに分割する分割ステップと、を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。 A liquid crystal panel manufacturing method for manufacturing a plurality of liquid crystal panels by processing a bonded substrate including a seal band for partitioning a plurality of liquid crystal chambers and two glass substrates bonded together via the seal band There,
Irradiating the laser beam along the seal band while positioning a condensing region of a laser beam having a wavelength that passes through the glass substrate between two adjacent liquid crystal chambers inside the bonded substrate, A laser processing step for forming a shield tunnel including the modified portion surrounding the pores on the bonded substrate;
And a dividing step of dividing the bonded substrate into a plurality of liquid crystal panels along a shield tunnel formed on the bonded substrate.
一方の該ガラス基板側から、該シール帯を幅方向に二分する位置にレーザービームを照射し、該シール帯を変質させるとともに、細孔と、該細孔を囲む改質部と、を含むシールドトンネルを該一方のガラス基板に形成する第１レーザー加工ステップと、
他方の該ガラス基板側から、該シール帯を幅方向に二分する位置にレーザービームを照射し、少なくとも、細孔と、該細孔を囲む改質部と、を含むシールドトンネルを該他方のガラス基板に形成する第２レーザー加工ステップと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶パネルの製造方法。 The laser processing step includes
A shield including a laser beam irradiated from one glass substrate side to a position that bisects the seal band in the width direction to alter the seal band, and includes a pore and a modified portion surrounding the pore A first laser processing step of forming a tunnel in the one glass substrate;
A laser beam is irradiated from the other glass substrate side to a position that bisects the seal band in the width direction, and a shield tunnel including at least a pore and a modified portion surrounding the pore is formed into the other glass. The method for manufacturing a liquid crystal panel according to claim 1, further comprising a second laser processing step formed on the substrate.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018024997A JP2019139182A (en) | 2018-02-15 | 2018-02-15 | Method for producing liquid crystal panel |
| KR1020190008160A KR20190098911A (en) | 2018-02-15 | 2019-01-22 | Method for manufacturing liquid crystal panel |
| TW108104703A TW201935090A (en) | 2018-02-15 | 2019-02-13 | Liquid crystal panel manufacturing method including a laser processing step and a cutting step |
| CN201910112385.3A CN110161735A (en) | 2018-02-15 | 2019-02-13 | The manufacturing method of liquid crystal display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018024997A JP2019139182A (en) | 2018-02-15 | 2018-02-15 | Method for producing liquid crystal panel |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019139182A true JP2019139182A (en) | 2019-08-22 |
Family
ID=67645366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018024997A Pending JP2019139182A (en) | 2018-02-15 | 2018-02-15 | Method for producing liquid crystal panel |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2019139182A (en) |
| KR (1) | KR20190098911A (en) |
| CN (1) | CN110161735A (en) |
| TW (1) | TW201935090A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220323548A1 (en) | 2019-08-13 | 2022-10-13 | Anygen Co., Ltd. | Exenatide analog and use thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010032716A (en) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | Manufacturing method of liquid crystal device |
| JP2017502901A (en) * | 2013-12-17 | 2017-01-26 | コーニング インコーポレイテッド | Cutting stack transparent materials using ultrafast laser beam optics, destructive layers and other layers |
| JP2017041472A (en) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 株式会社ディスコ | Processing method for stuck substrate |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3120819B2 (en) | 1992-03-16 | 2000-12-25 | 株式会社ディスコ | Cutting method of liquid crystal glass plate |
| JP2016069222A (en) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Breaking method and breaking device |
| JP6549014B2 (en) * | 2015-10-13 | 2019-07-24 | 株式会社ディスコ | Optical device wafer processing method |
| CN107391062A (en) * | 2017-06-23 | 2017-11-24 | 珠海格力电器股份有限公司 | A kind of method, apparatus and its mobile terminal for adjusting screen display |
-
2018
- 2018-02-15 JP JP2018024997A patent/JP2019139182A/en active Pending
-
2019
- 2019-01-22 KR KR1020190008160A patent/KR20190098911A/en not_active Application Discontinuation
- 2019-02-13 CN CN201910112385.3A patent/CN110161735A/en active Pending
- 2019-02-13 TW TW108104703A patent/TW201935090A/en unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010032716A (en) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | Manufacturing method of liquid crystal device |
| JP2017502901A (en) * | 2013-12-17 | 2017-01-26 | コーニング インコーポレイテッド | Cutting stack transparent materials using ultrafast laser beam optics, destructive layers and other layers |
| JP2017041472A (en) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 株式会社ディスコ | Processing method for stuck substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201935090A (en) | 2019-09-01 |
| KR20190098911A (en) | 2019-08-23 |
| CN110161735A (en) | 2019-08-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4841031B2 (en) | Manufacturing method of liquid crystal device | |
| TWI445586B (en) | Laser processing method and cutting method,method of dividing a structured body with multiple substrates | |
| CN108885363B (en) | Method for manufacturing liquid crystal panel | |
| JP2006201276A (en) | Manufacturing method of liquid crystal display panel | |
| JP6638400B2 (en) | Substrate cutting method | |
| JP6378840B2 (en) | Method for dividing display member and method for manufacturing liquid crystal display device | |
| KR20160011298A (en) | Method of cutting liquid crystal display pane | |
| US20100089883A1 (en) | Workpiece splitting method and object producing method | |
| JP2019139182A (en) | Method for producing liquid crystal panel | |
| JP2009122386A (en) | Method for manufacturing liquid crystal display device | |
| JP2007275902A (en) | Laser scribing method, electro-optic apparatus, and electronic equipment | |
| JP2007290011A (en) | Substrate and method of separating substrate, electro-optical device, and electronic equipment | |
| JP2009205140A (en) | Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic device | |
| CN111538179B (en) | Method for manufacturing liquid crystal device and liquid crystal device | |
| JP2009172626A (en) | Manufacturing method of electrooptical device and electrooptical device | |
| JP2008132501A (en) | Laser beam machining apparatus, laser beam machining method and method of manufacturing electro-optical apparatus | |
| KR102633196B1 (en) | Scribing apparatus and scribing method | |
| JP2009190943A (en) | Separating device of substrate, separating method of substrate and substrate manufactured by using the method | |
| KR20180041588A (en) | Method of machining bonded substrate | |
| JP2007326119A (en) | Laser irradiation apparatus, laser scribing method, method of manufacturing electroptic device, machined product | |
| JP2010054608A (en) | Manufacturing apparatus and manufacturing method for liquid crystal display panel | |
| JP2008176204A (en) | Manufacturing method of liquid crystal display device | |
| JP2006201547A (en) | Manufacturing method of liquid crystal display element | |
| JP2007253205A (en) | Laser beam machining method, method for producing substrate and method for producing electrooptical device | |
| JP2008184358A (en) | Manufacture method of electro-optical apparatus, and electro-optical apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201209 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220105 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220628 |