JP5157790B2 - Image forming apparatus and a manufacturing method thereof - Google Patents

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功 海老澤
吉幸 松岡
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カシオ計算機株式会社
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Description

本発明は、有機EL(electroluminescence)素子を用いた画像形成装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an image forming apparatus and a manufacturing method thereof relating to using an organic EL (Electroluminescence) element.

有機EL素子は、例えばアノード電極と、カソード電極と、これらの電極間に形成された電子注入層、発光層、正孔注入層等の複数のキャリア輸送層とを備える。 The organic EL element comprises for example an anode electrode, a cathode electrode, an electron injection layer formed between the electrodes, the light emitting layer, and a plurality of carrier transport layer such as the hole injection layer. 有機EL素子では、発光層において正孔注入層から供給された正孔と電子注入層から供給された電子とが再結合することによって発生するエネルギーによって発光する。 The organic EL device emits light by energy and electrons supplied from the hole and electron injection layer supplied from the hole injection layer in the light-emitting layer is produced by the recombination. また、このような有機EL素子は、特許文献1に開示されているように、表示装置として用いられており、例えば各画素に設けられたTFT(Thin Film Transistor)等によって駆動されている。 Further, such organic EL element, as disclosed in Patent Document 1, is used as a display device, and is driven by, for example, a TFT provided in each pixel (Thin Film Transistor) or the like.

特開2001−195012号公報 JP 2001-195012 JP

ところで、有機EL素子を有する発光装置は、画像形成装置としても用いられる。 Meanwhile, the light emitting device having an organic EL element is also used as an image forming apparatus. 有機EL素子を長寿命化させるためには、有機EL素子を駆動させた際に生ずる熱を取り除くことが重要である。 The organic EL element in order to long life, it is important to remove heat generated when the drives the organic EL element. 更に、発光体基板内において温度ムラが発生すると、温度ムラに起因する輝度ムラが発生する可能性が高いという問題がある。 Furthermore, the temperature unevenness occurs in the light emitting element substrate, the luminance unevenness caused by the temperature unevenness is a problem that is likely to occur.

また、温度上昇に伴って有機EL素子が劣化して発光輝度が低下すると、印刷装置の感光体、又は感光材料に必要な光量を得るためには、露光時間を長くしなければならず、結果として印刷速度が遅くなるという問題がある。 Further, when the organic EL element is deteriorated light emission luminance is reduced as the temperature rises, the photosensitive member of the printing apparatus, or in order to obtain the necessary amount of light to the photosensitive material has to longer exposure time, the result there is a problem that the printing speed is slow as.

このように、有機EL素子に生ずる熱を良好に取り除くことが可能な画像形成装置及びその製造方法が求められている。 Thus, the image forming apparatus and a manufacturing method thereof can be removed satisfactorily heat generated in the organic EL device has been demanded.

本発明は上述した実情に鑑みてなされたものであって、有機EL素子に生ずる熱を良好に取り除くことが可能な画像形成装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention was made in view of the above, and an object thereof is to provide an image forming apparatus and a manufacturing method thereof can be removed satisfactorily heat generated in the organic EL element.

上記目的を達成するため、本発明の第1の観点に係る画像形成装置は、 To achieve the above object, an image forming apparatus according to a first aspect of the present invention,
発光画素と、 And a light-emitting pixels,
前記発光画素側に位置する第一溝部と、前記第一溝部に繋がり、前記第一溝部より前記発光画素から離れている第二溝部とを有する溝が形成された発光画素基板と A first groove located in said light emitting pixels side, and the first lead to the groove, the light emitting pixel substrate having a groove and a second groove distant from the light emitting pixels than said first groove,
前記発光画素基板の前記第一溝部を封止する封止基板と、 And a sealing substrate for sealing the first channel section of the light emitting pixel substrate,
前記溝に封入された揮発性液体と、を有し、 Anda volatile liquid sealed in the groove,
さらに、前記発光画素基板の前記第二溝部に対向する位置における前記封止基板に接するように配置された伝熱板、或いは前記発光画素基板の前記第二溝部に対向して前記発光画素基板に接するように配置された金属板からなる伝熱板の何れかと、 Further, the arranged heat exchanger plate so as to be in contact with the sealing substrate, or the light emitting pixel substrate so as to face the second grooves of the light emitting pixel substrate at a position opposed to the second groove portion of the light emitting pixel substrate and one of the heat transfer plate consisting disposed metal plate in contact,
前記伝熱板の前記第二溝部と対向する面と反対側の面に接する放熱板と、を有する発光部を備え、 Includes a light emitting portion having a radiator plate in contact with the surface opposite to the second groove and the opposing surfaces of the heat transfer plate,
前記伝熱板は、前記発光画素から発せられる熱によって前記第一溝部における前記揮発性液体が気化されて前記第二溝部に移動する気体からの熱を前記放熱板に伝達することを特徴とする。 The heat transfer plate, and characterized that you transfer heat from the gas to move the volatile liquid is vaporized in the second groove in said first groove portion by the heat emitted from the light emitting pixels on the heat radiating plate to.

前記封止基板と前記発光画素基板とは、接着部材によって接着されてもよい。 Wherein the sealing substrate and the light emitting pixel substrate may be adhered by the adhesive member.

前記発光画素基板に形成された前記溝の表面には金属膜が形成されてもよい。 Metal film may be formed on the surface of the groove formed on the light emitting pixel substrate.

前記封止基板には前記発光画素と対向する領域に、凹部が形成されてもよい。 Wherein a region in the sealing substrate which faces the light emitting pixel may be recesses formed.

上記目的を達成するため、本発明の第2の観点に係る画像形成装置の製造方法は、 To achieve the above object, a manufacturing method of an image forming apparatus according to a second aspect of the present invention,
光画素基板上に発光画素を形成する工程と、 Forming a light-emitting pixel light emission pixels on a substrate,
前記発光画素基板の封止基板と対向する面に、 前記発光画素側に位置する第一溝部と、前記第一溝部に繋がり、前記第一溝部より前記発光画素から離れている第二溝部とを有する溝を形成する工程と、 A sealing substrate opposed to a surface of the light emitting pixel substrate, a first groove located in said light emitting pixels side, connected to the first groove and a second groove distant from the light emitting pixels than the first groove forming a groove having,
前記発光画素基板の前記溝と前記封止基板とを封止する工程と、 A step of sealing with said groove and the sealing substrate of the light emitting pixel substrate,
前記溝内に揮発性液体を封入する工程と、 A step of encapsulating the volatile liquid in the groove,
前記発光画素基板の前記第二溝部に対向する位置における前記封止基板に接するように伝熱板を配置する工程と、 Disposing a heat transfer plate in contact with the encapsulation substrate at a position opposed to the second groove portion of the light emitting pixel substrate,
前記伝熱板の前記第二溝部と対向する面と反対側の面に放熱板を接する工程と、を備えることを特徴とする。 Characterized in that it comprises the the steps of contacting the heat dissipation plate on a surface thereof opposite to the second groove and the opposing surfaces of the heat transfer plate.
そして本発明の他の画像形成装置の製造方法は、 The manufacturing method of another image forming apparatus of the present invention,
発光画素基板上に発光画素を形成する工程と、 Forming a light-emitting pixel to the light emitting pixel on the substrate,
前記発光画素基板の封止基板と対向する面に、前記発光画素側に位置する第一溝部と、前記第一溝部に繋がり、前記第一溝部より前記発光画素から離れている第二溝部とを有する溝を形成する工程と、 A sealing substrate opposed to a surface of the light emitting pixel substrate, a first groove located in said light emitting pixels side, connected to the first groove and a second groove distant from the light emitting pixels than the first groove forming a groove having,
前記発光画素基板の前記第一溝部と前記封止基板とを封止するとともに、前記発光画素基板の前記第二溝部と金属板からなる伝熱板とを封止する工程と、 Thereby sealing the first groove of the light emitting pixel substrate and said sealing substrate, and the step of sealing the heat transfer plate consisting of the second groove and the metal plate of the light emitting pixel substrate,
前記溝内に揮発性液体を封入する工程と、 A step of encapsulating the volatile liquid in the groove,
前記伝熱板の前記第二溝部と対向する面と反対側の面に放熱板を接する工程と、を備えることを特徴とする。 Characterized in that it comprises the the steps of contacting the heat dissipation plate on a surface thereof opposite to the second groove and the opposing surfaces of the heat transfer plate.

本発明によれば、発光画素基板内に冷却管として機能する溝を形成することにより、有機EL素子に生ずる熱を良好に取り除くことが可能な画像形成装置及びその製造方法を提供することができる。 According to the present invention, by forming a groove which functions as a condenser in the light-emitting pixels within the substrate, it is possible to provide an image forming apparatus and a manufacturing method thereof can be removed satisfactorily heat generated in the organic EL device .

本発明の実施形態に係る画像形成装置及び画像形成装置の製造方法について図を用いて説明する。 The method of manufacturing an image forming apparatus and an image forming apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 本実施形態では、発光部にボトムエミッション型の有機EL(electroluminescence)素子を用いた画像形成装置を例に挙げて説明する。 In the present embodiment, an image forming apparatus using a bottom emission type organic EL (Electroluminescence) element emitting section will be described.

(第1実施形態) (First Embodiment)
本実施形態に係る画像形成装置及び画像形成装置の製造方法について図を用いて説明する。 It will be described with reference to FIG method for manufacturing an image forming apparatus and an image forming apparatus according to the present embodiment.

図1は第1実施形態に係る画像形成装置10の構成例を示す図である。 Figure 1 is a diagram showing a configuration example of an image forming apparatus 10 according to the first embodiment. また、図2は画像形成装置の発光部20の構成例を示す図である。 2 is a diagram showing a configuration example of a light emitting portion 20 of the image forming apparatus. 図3は、発光パネル21を示す平面図であり、図4は図3に示すIV−IV線断面図である。 Figure 3 is a plan view showing a light emitting panel 21, FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV shown in FIG. また、図5は発光パネル21の発光画素の駆動回路を示す等価回路図である。 Further, FIG. 5 is an equivalent circuit diagram showing a driving circuit of a light emitting pixel of the light emission panel 21. 図6は発光画素の平面図であり、図7は発光画素のVII−VII線断面図である。 Figure 6 is a plan view of a light emitting pixel, and FIG. 7 is a sectional view taken along line VII-VII of the light emitting pixel.

画像形成装置10は、発光部20によって潜像を形成するドラム状の感光体11と、感光体を帯電させる帯電部12と、発光部20と、感光体にトナー画像を形成する現像部13と、感光体に形成されたトナー画像を転写紙に転写する転写部14と、定着器16と、クリーナー17と、除電器18と、を備える。 The image forming apparatus 10 includes a drum-shaped photoreceptor 11 to form a latent image by emitting unit 20, a charging unit 12 for charging the photoreceptor, a light emitting unit 20, a developing unit 13 for forming a toner image on the photoreceptor includes a transfer unit 14 for transferring to the transfer paper a toner image formed on the photosensitive member, and the fixing device 16, a cleaner 17, a discharger 18, a. 本実施形態の画像形成装置10では、帯電、露光、現像、転写が行われ、転写紙19に所望の画像を形成する。 In the image forming apparatus 10 of the present embodiment, charging, exposure, development, transfer is performed to form the desired image on the transfer sheet 19.

帯電部12は、感光体11を帯電させる。 Charging unit 12 charges the photoconductor 11.
発光部20は、形成する画像に対応する発光パターンで発光部中の発光画素を発光させ、感光体11を露光する。 Emitting unit 20 causes the light emission pixels in the light-emitting portion in the light emitting pattern corresponding to the image to be formed, to expose the photosensitive member 11. これにより、感光体11上に、静電潜像が形成される。 Accordingly, on the photoconductor 11, an electrostatic latent image is formed.

現像部13は、感光体11上にトナーを供給する。 Developing unit 13 supplies toner onto the photosensitive member 11. 感光体11上は静電潜像にしたがってトナーが感光体11に吸着することにより、この静電潜像に対応するトナー画像を形成する。 On the photosensitive member 11 by the toner according to the electrostatic latent image is attracted to the photoreceptor 11 to form a toner image corresponding to the electrostatic latent image.

転写部14は、感光体上に形成されたトナー画像を転写紙19に転写する。 Transfer unit 14 transfers the transfer paper 19 the toner image formed on the photoreceptor.
定着器16は、転写紙19を加熱する装置であり、熱を加えることによって転写紙19上のトナーが紙に定着する。 Fuser 16 is a device for heating the transfer paper 19, the toner on the transfer paper 19 by the application of heat is fixed on the paper. 転写紙19は、図示しない転写紙搬送部によって搬送される。 Transfer sheet 19 is conveyed by the transfer sheet conveying unit (not shown).

クリーナー17は、感光体11上のトナーを転写紙19へ転写した後、感光体11上に残ったトナーを除去する。 Cleaner 17, after transferring the toner on the photosensitive member 11 to the transfer paper 19 to remove the toner remaining on the photosensitive member 11.
除電器18は、次の帯電のため感光体11の表面を除電する。 Discharger 18 discharges the surface of the photoreceptor 11 for the next charging.

本実施形態の発光部20は、図2に示すように、発光パネル21と、発光パネルを保持するハウジング22と、放熱板23と、伝熱板24と、ロッドレンズ25と、を備える。 Emitting unit 20 of the present embodiment, as shown in FIG. 2, it includes a light-emitting panel 21, a housing 22 for holding the light-emitting panel, and the heat sink 23, the heat transfer plate 24, a rod lens 25, a.

ハウジング22は、遮光性を有する材料から形成されており、発光パネル21が設置される窪み部22aと、ロッドレンズ25が設置される窪み部22bと、放熱板23が設置される窪み部22cと、を備え、発光パネル21とロッドレンズ25と放熱板23とを保持する。 The housing 22 is formed from a material having a light shielding property, and the recessed portion 22a of the light emitting panel 21 is installed, and a recess portion 22b in which the rod lens 25 is placed, a recess portion 22c which is radiating plate 23 is installed the provided to hold the light-emitting panel 21 and the rod lens 25 and the heat radiating plate 23. また、ロッドレンズ25は感光体11と対向する部分に設置されており、発光部20の各発光画素から発せられた光を、感光体11へと導く。 Further, the rod lens 25 is installed in a portion facing the photosensitive member 11, the light emitted from the light emitting pixel of the light emitting portion 20, leading to the photosensitive member 11.

放熱板23は、熱伝導性の高い材料、例えばアルミニウム、ステンレス等から形成されており、発光パネル21の光取り出し面と対向する面側に設置されており、発光パネル21と放熱板23との間に設けられた伝熱板24を介して発光パネル21から発せられる熱を放散する。 Radiating plate 23, material having high thermal conductivity, such as aluminum, is formed of stainless steel or the like, is installed on the side facing the light extraction surface of the light emitting panel 21, the light emitting panel 21 and the heat sink 23 through the heat transfer plate 24 which is provided between dissipate heat emitted from the light emitting panel 21. なお、伝熱板24も、熱伝導性の高い材料、例えばアルミニウム、ステンレス等から形成される。 Incidentally, the heat transfer plate 24 also having a high thermal conductivity material is formed, for example, aluminum, stainless steel or the like.

発光パネル21は、図3及び図4に示すように発光画素基板31と、発光画素30と、発光画素基板31に対向して設置された封止基板32と、細管33と、作動液注入口34と、注入口封止部35と、作動液36と、を備える。 Emission panel 21 includes a light emitting pixel substrate 31 as shown in FIGS. 3 and 4, the light emitting pixel 30, a sealing substrate 32 disposed to face the light emitting pixel substrate 31, a thin tube 33, hydraulic fluid inlet It comprises a 34, and the inlet sealing portion 35, and the hydraulic fluid 36.

発光画素基板31は、透光性を有する基板、例えばガラス基板から構成される。 Emitting pixel substrate 31 is composed of a substrate, for example a glass substrate having a light-transmitting property. 発光画素基板31上には、有機EL素子OLEDからなる発光画素30が列状に配置された発光画素アレイが形成されている。 On the light-emitting pixel substrate 31, the light emitting pixel array emitting pixels 30 are arranged in a row consisting of the organic EL element OLED is formed. なお、各発光画素30にはそれぞれ発光画素30に接続された配線(図示せず)が形成され、更にICチップ等からなる駆動部(図示せず)に接続されている。 Each light emission pixel 30 is connected to the luminescence pixel 30 respectively interconnect (not shown) is formed, and is connected to the drive unit further comprising an IC chip or the like (not shown). 発光画素30から発せられた光は、発光画素基板31側から取り出され、ロッドレンズ25を介して感光体11に導かれる。 Light emitted from the light emitting pixel 30 is removed from the light emitting pixel substrate 31 side is led to the photosensitive member 11 through the rod lens 25. また、発光画素基板31の封止基板32と対向する面には、溝31aが形成されている。 Further, the sealing substrate 32 and the opposing surfaces of the light emitting pixel substrate 31, a groove 31a is formed. 図3に示すように、溝31aは発光画素アレイに隣接する領域では蛇行するように形成され、伝熱板24近傍の領域では直線状に形成されている。 As shown in FIG. 3, the groove 31a is formed so as to meander in a region adjacent to the light emitting pixel array is formed in a linear shape in the region of the heat transfer plate 24 near. 発光画素基板31と封止基板32とは、例えば、紫外線硬化樹脂、又は熱硬化樹脂からなる封止剤によって封止される。 A light emitting pixel substrate 31 and the sealing substrate 32, for example, is sealed by a sealing agent made of an ultraviolet curable resin, or a thermosetting resin.

なお、溝31aの表面には金属膜33aが形成されている。 The metal film 33a is formed on the surface of the groove 31a. この金属膜33aは溝31aの表面にのみ形成されていてもよく、更には、溝31aの周辺の発光画素基板31上に形成されていてもよい。 The metal film 33a may be formed only on the surface of the groove 31a, furthermore, it may be formed on the light emitting pixel substrate 31 around the trench 31a. 詳細に後述するように、金属膜33aは、発光画素基板31上に発光画素30の対向電極46を形成する工程で、同時に形成される。 As described later in detail, the metal film 33a is in the process of forming the counter electrode 46 of the light emitting pixel 30 on the light emitting pixel substrate 31, are formed simultaneously. 更に、後述するように対向電極46は複数の発光画素30に共通する電極であり、共通電位(例えば接地電位)に接続されるため、金属膜33aと対向電極46とは、一体に形成されていても良い。 Furthermore, the counter electrode 46 as will be described later is an electrode common to a plurality of light-emitting pixels 30, to be connected to a common potential (e.g., ground potential), the metal film 33a and the counter electrode 46, are formed integrally and it may be. このように対向電極46と金属膜33aとを一体に形成することにより、発光画素30からの熱伝導性を更に高めることが可能となる。 By thus forming a counter electrode 46 and the metal film 33a integrally, it is possible to further increase the thermal conductivity from the light emitting pixels 30. 本実施形態は対向電極46は、例えばLi,Mg,Ca,Ba等の仕事関数の低い材料からなる層と、Al等の光反射性導電層を有する積層構造であるが、金属膜33aは、Alのみの単層構造である。 This embodiment the counter electrode 46 is, for example Li, Mg, Ca, a layer comprising the low work function material such as Ba, is a layered structure having light reflective conductive layer such as Al, a metal film 33a is Al is a single-layer structure only.

本実施形態では、発光画素基板31に溝31aを形成し、封止基板32の窪み部32a及び発光画素基板31の溝31aを除く発光画素基板31と封止基板32との対向面に、封止剤が介在することによって封止することにより、溝31aは細管33(冷却管)として機能する。 In the present embodiment, to form the grooves 31a to the light emitting pixel substrate 31, the surface facing the light emitting pixel substrate 31 and the sealing substrate 32 except the groove 31a of the recessed portion 32a and the light emitting pixel substrate 31 of the sealing substrate 32, sealing by sealing by the sealing agent is interposed, the groove 31a serves as a thin tube 33 (cooling tube). 細管33は、発光画素30側に配置され且つ蛇行することによって表面積が相対的に大きい細管33bと、発光パネル21の外側寄りに配置され、細管33bに繋がった細管33cと、を有している。 Capillary 33 has a surface area is relatively large capillary 33b by meandering disposed in the light emitting pixel 30 side and is disposed outboard of the light emission panel 21 has a thin tube 33c which led to capillary 33b, a . この細管33には一部、減圧状態で気化しやすい液体(作動液)36、例えば水、アルコール等が封入されている。 This part of the capillary 33, easily vaporized under a reduced pressure fluid (hydraulic fluid) 36, such as water, alcohol or the like is sealed. これにより、細管33は、ヒートパイプとして機能する。 Thus, capillary 33 functions as a heat pipe. 図3に示すように細管33bは発光画素30に隣接しており、発光画素30から発せられる熱によって、加熱される。 Capillary 33b as shown in FIG. 3 is adjacent to the light emitting pixel 30, by the heat emitted from the light emitting pixel 30, is heated. 細管33cは伝熱板24を介して放熱板23から熱が発散される。 Capillary 33c is heat emanating from the heat dissipation plate 23 through the heat transfer plate 24. これにより、細管33cを冷却することができる。 Thus, it is possible to cool the capillary 33c. このようにして、発光画素30からの熱で発光画素側の細管33b内で作動液36を一部気化させ、熱せられた気体が細管33cに移動して、気化熱を伝熱板側で放出する。 In this manner, vaporized a portion of the hydraulic fluid 36 in the heat from the light-emitting pixels 30 in the capillary 33b of the light emitting pixels side, the heated gas is moved onto a capillary 33c, releasing heat of evaporation in the heat transfer plate side to. このとき、気化した蒸気が放熱により低温になり、伝熱板側で液化して作動液36となって再び細管33bに移動する。 At this time, the vaporized vapor becomes cold by the radiation, again moved to the narrow tube 33b becomes the working fluid 36 is liquefied by heat transfer plate side. この吸熱と放熱とを繰り返すことにより、熱を放熱板へと移動させることができ、画素から発せられる熱を放熱板へと移動させ、画素を冷却することができる。 By repeating the heat radiation and the heat absorption, it is possible to transfer heat to the heat sink moves the heat generated from the pixel to the radiator plate, it can be cooled pixels. また、細管33によって熱が移動することにより、発光画素30の配列方向の温度ムラを低減させることができる。 Further, by heat is transferred by capillary 33, it is possible to reduce temperature unevenness of the array direction of the light emitting pixel 30. なお、作動液は詳細に後述するように封止基板32と発光画素基板31とを封止した後、作動液注入口34から注入される。 Incidentally, hydraulic fluid after sealing the sealing substrate 32 and the light emitting pixel substrate 31 as described in detail below, is injected from the hydraulic fluid inlet 34. 作動液注入口34は、それぞれ注入口封止部35によって封止される。 Hydraulic fluid inlet 34 is sealed by a respective inlet sealing portion 35. 細管33は、発光画素側の細管33bと伝熱板側の細管33cとの間で二経路あるように一繋がりに形成されている。 Capillary 33 is formed on a single monolithic As there are two paths between the capillary 33b and the heat transfer plate side of the capillary 33c of the light emitting pixels side. このため、一方の経路において作動液36の蒸気が発光画素側の細管33bから伝熱板側の細管33cへ移動し、他方の経路において蒸気圧によって作動液36が伝熱板側の細管33cから発光画素側の細管33bへ移動することで、作動液36が効率よく流動することができる。 Therefore, the vapor of the working fluid 36 in one path is moved from the light emitting pixels side thin tube 33b to the heat transfer plate side of the capillary 33c, hydraulic fluid 36 by the steam pressure from the heat transfer plate side of the capillary 33c in the other path by moving the light emitting pixels side of capillary 33b, it can be hydraulic fluid 36 to flow efficiently.

封止基板32は、ガラス、金属、プラスチック等からなる基板であり、発光画素基板31と対向するように設置される。 The sealing substrate 32 is a substrate made of glass, metal, plastic, etc., are installed to face the light emitting pixel substrate 31. 封止基板32の発光画素基板31と対向する面には、発光画素30に対応する窪み部32aが形成されている。 A light emitting pixel substrate 31 and the opposing surfaces of the sealing substrate 32, recess 32a corresponding to the light emitting pixel 30 is formed. 発光画素基板31と封止基板32とは、例えば、紫外線硬化樹脂、又は熱硬化樹脂からなる封止剤によって封止される。 A light emitting pixel substrate 31 and the sealing substrate 32, for example, is sealed by a sealing agent made of an ultraviolet curable resin, or a thermosetting resin. 封止基板32の窪み部32aと発光画素基板31とで形成される空間には、不活性ガス、シリコンオイル等が充填されている。 The space formed by the recess portion 32a of the sealing substrate 32 and the light-emitting pixel substrate 31, an inert gas, silicone oil or the like is filled. なお、封止基板32には、発光画素30に対応する窪み部32aを設けず、シート状の接着剤、高粘性接着剤等を発光画素30上にも塗布することによって封止してもよい(ベタ封止)。 Incidentally, the sealing substrate 32 is not provided with a recess 32a corresponding to the light emitting pixel 30, a sheet-shaped adhesive may be sealed by also applying a high-viscosity adhesive or the like on the light-emitting pixel 30 (solid seal). この場合、接着剤の厚みによって発光画素30の段差は吸収されるため、発光画素30への影響はほとんどない。 In this case, since the step of the light emitting pixel 30 by the thickness of the adhesive is absorbed, there is little influence on the luminescent pixel 30.

発光画素30は、図4に示すように発光画素基板31上に形成されており、各発光画素30は、有機EL素子OLEDと、有機EL素子をアクティブ動作させる発光画素回路DSとを備える。 Emitting pixel 30 is formed on the light emitting pixel substrate 31 as shown in FIG. 4, each of the light emitting pixel 30 includes an organic EL element OLED, and a light emitting pixel circuit DS for active operation of the organic EL element.

発光画素回路DSは、図5に示すように、選択トランジスタTr11、発光駆動トランジスタTr12、キャパシタCs、有機EL素子OLEDと、を備える。 Emitting pixel circuit DS, as shown in FIG. 5 includes select transistors Tr11, the light emission drive transistor Tr12, the capacitor Cs, and an organic EL element OLED, a. 選択トランジスタTr11、発光駆動トランジスタTr12は、それぞれアモルファスシリコンを有する半導体層を備える逆スタガ型のnチャネル型TFT(Thin Film Transistor)である。 Selection transistor Tr11, the light emission drive transistor Tr12 is a reverse stagger type n-channel type TFT having a respective semiconductor layer having an amorphous silicon (Thin Film Transistor).

発光画素基板31上には、行方向に配列された複数の発光画素回路DSに接続されたアノードラインLaと、行方向に配列された複数の発光画素回路DSにそれぞれ接続された複数のデータラインLdと、行方向に配列された複数の発光画素回路DSのトランジスタTr11を選択するゲートラインLgと、が形成されている。 On the light-emitting pixel substrate 31, a plurality of data lines and the anode lines La which is connected to a plurality of light emitting pixel circuits DS arranged in the row direction, a plurality of light emitting pixel circuits DS arranged in the row direction are respectively connected and ld, and a gate line Lg to select the transistor Tr11 of the plurality of light emitting pixel circuits DS arranged in the row direction, are formed.

図5に示すように選択トランジスタTr11は、ゲート端子がゲートラインLgに、ドレイン端子がデータラインLdに、ソース端子が接点N11にそれぞれ接続される。 Select transistor Tr11 as shown in FIG. 5, the gate terminal gate line Lg, the drain terminal to the data line Ld, a source terminal connected to the contact N11. また、発光駆動トランジスタTr12は、ゲート端子が接点N11に接続されており、ドレイン端子がアノードラインLaに、ソース端子が接点N12にそれぞれ接続されている。 Further, the light emission drive transistor Tr12 has a gate terminal connected to the contact point N11, the drain terminal is the anode line La, the source terminal is connected to the contact point N12. キャパシタCsは、発光駆動トランジスタTr12のゲート端子及びソース端子に接続されている。 The capacitor Cs is connected to the gate and source terminals of the light emission drive transistor Tr12. なお、キャパシタCsは、発光駆動トランジスタTr12のゲート−ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは発光駆動トランジスタTr12のゲート−ソース間の寄生容量と補助容量からなる容量成分である。 Incidentally, the capacitor Cs, the gate of the light emission drive transistor Tr12 - a capacitive component consisting of the parasitic capacitance and the auxiliary capacitance between the source - gate of additionally provided auxiliary capacitance between the source or the light emission drive transistor, Tr12. また、有機EL素子OLEDは、アノード端子(画素電極42)が接点N12に接続され、カソード端子(対向電極46)に基準電圧Vssが印加されている。 Further, the organic EL element OLED, the anode terminal (the pixel electrode 42) is connected to the contact point N12, the reference voltage Vss is applied to the cathode terminal (the counter electrode 46).

ゲートラインLgは、発光パネルの周縁部に配置された走査ドライバ(図示せず)に接続されており、所定タイミングで行方向に配列された複数の発光画素30を選択状態に設定するための選択電圧信号(走査信号)が印加される。 Gate line Lg is connected to a scan driver arranged on the periphery of the light-emitting panel (not shown), selection for setting a plurality of light-emitting pixels 30 arranged in the row direction at a predetermined timing to the selected state voltage signal (scanning signal) is applied. また、データラインLdは、発光パネルの周縁部に配置されたデータドライバ(図示せず)に接続され、上記発光画素30の選択状態に同期するタイミングで発光データに応じたデータ電圧(階調信号)が印加される。 Further, the data line Ld is connected to the located on the periphery of the light emitting panel data driver (not shown), the light emitting pixel 30 of the data voltages corresponding to the light emission data at a timing synchronized with the selected state (gradation signal ) is applied. 行方向に配列された複数の発光駆動トランジスタTr12が、当該発光駆動トランジスタTr12に接続された有機EL素子OLEDの画素電極(例えばアノード電極)に発光データに応じた発光駆動電流を流す状態に設定するように、アノードラインLa(供給電圧ライン)は、所定の高電位電源に直接又は間接的に接続されている。 A plurality of light-emitting drive transistor Tr12 arranged in the row direction is set to a state in which flow the light emission drive current corresponding to the light emission data to the pixel electrodes of the organic EL element OLED which is connected to the light emission drive transistor Tr12 (e.g. anode) as such, the anode line La (supply voltage line) is directly or indirectly connected to a predetermined high potential power source. つまり、アノードラインLaは、有機EL素子の対向電極46に印加される基準電圧Vssより十分電位の高い所定の高電位(供給電圧Vdd)が印加される。 That is, anode lines La is higher predetermined high potential enough potential than the reference voltage Vss applied to the counter electrode 46 of the organic EL element (the supply voltage Vdd) is applied. また、対向電極46は、例えば、所定の低電位電源に直接又は間接的に接続され、発光画素基板31上にアレイ状に配列された全ての発光画素(有機EL素子)に対して単一の電極層により形成されており、所定の低電圧(基準電圧Vss,例えば接地電位GND)が共通に印加されるように設定されている。 The counter electrode 46 is, for example, is connected directly or indirectly to a predetermined low potential power supply, all arranged in an array on the light emitting pixel substrate 31 light emitting pixels of a single relative (organic EL element) are formed by the electrode layer, a predetermined low voltage (reference voltage Vss, for example, ground potential GND) is set to be commonly applied.

絶縁膜41は、絶縁性材料、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等から形成され、データラインLd、ゲート電極Tr11g及びゲート電極Tr12gを覆うように発光画素基板31上に形成される。 Insulating film 41, an insulating material, for example, a silicon oxide film, is formed of a silicon nitride film or the like, the data line Ld, it is formed on the light emitting pixel substrate 31 so as to cover the gate electrode Tr11g and the gate electrode Tr12g.

また、アノードラインLaとゲートラインLgとは、各トランジスタTr11,Tr12のソース電極、ドレイン電極とを形成するソース−ドレイン導電層を用いてこれらソース電極、ドレイン電極とともに形成される。 Further, the anode line La and the gate line Lg, the transistors Tr11, Tr12 source electrode, the source to form a drain electrode - source electrode with a drain conductive layer is formed with the drain electrode. データラインLdは、各トランジスタTr11,Tr12のゲート電極となるゲート導電層を用いてゲート電極とともに形成される。 Data line Ld is formed along with the gate electrode with a gate conductive layer serving as a gate electrode of each transistor Tr11, Tr12. データラインLdとドレイン電極Tr11dとの間の絶縁膜41には、コンタクトホール61が形成され、データラインLdとドレイン電極Tr11dとはコンタクトホール61を介して導通している。 The insulating film 41 between the data line Ld and the drain electrode Tr11d is formed a contact hole 61, it is electrically connected through a contact hole 61 and the data line Ld and the drain electrode Tr11d. ゲートラインLgとゲート電極Tr11gの両端との間の絶縁膜41には、それぞれコンタクトホール62、63が形成され、ゲートラインLgとゲート電極Tr11gとはコンタクトホール62、63を介して導通している。 The insulating film 41 between the ends of the gate lines Lg and the gate electrode Tr11g is contact holes 62 and 63 respectively formed, are electrically connected through a contact hole 62, 63 and gate lines Lg and the gate electrode Tr11g . ソース電極Tr11sとゲート電極Tr12gとの間の絶縁膜41には、コンタクトホール64が形成され、ソース電極Tr11sとゲート電極Tr12gとはコンタクトホール64を介して導通している。 The insulating film 41 between the source electrode Tr11s and the gate electrode Tr12g, a contact hole 64 is formed, it is electrically connected through a contact hole 64 to the source electrode Tr11s and the gate electrode Tr12g.

次に、有機EL素子OLEDは、画素電極42と、正孔注入層43と、インターレイヤ44と、発光層45と、対向電極46と、を備える。 Then, it provided the organic EL element OLED, a pixel electrode 42, a hole injection layer 43, an interlayer 44, a light-emitting layer 45, a counter electrode 46. 正孔注入層43と、インターレイヤ44と、発光層45とが、電子や正孔がキャリアとなって輸送されるキャリア輸送層となる。 A hole injection layer 43, an interlayer 44, a light emitting layer 45, the carrier transport layer which is electrons or holes are transported a carrier. キャリア輸送層は、列方向に配列された層間絶縁膜47、隔壁48の間に配置されている。 Carrier transport layer, an interlayer insulating film 47 arranged in the column direction, are arranged between the partition wall 48.

各発光画素の発光画素基板31上には、ゲート導電層をパターニングしてなる選択トランジスタTr11、発光駆動トランジスタTr12のゲート電極Tr11g,Tr12gが形成されている。 On the light-emitting pixel substrate 31 of each light-emitting pixel, the selection transistor Tr11 formed by patterning the gate conductive layer, the gate electrode Tr11g of the light emission drive transistor Tr12, Tr12g are formed. 各発光画素に隣接した発光画素基板31上には、ゲート導電層をパターニングしてなり、列方向に沿って延びるデータラインLdが形成されている。 On the light-emitting pixel substrate 31 adjacent to each light-emitting pixel is made by patterning a gate conductive layer, the data line Ld extending along the column direction are formed.

選択トランジスタTr11、発光駆動トランジスタTr12は、それぞれnチャネル型の薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)である。 Selection transistor Tr11, the light emission drive transistor Tr12 are respectively n-channel thin film transistor; a (TFT Thin Film Transistor). それぞれのトランジスタは発光画素基板31上に形成される。 Each transistor is formed on the light emitting pixel substrate 31. 図7に示すように、発光駆動トランジスタTr12は、絶縁膜41と、半導体層121と、保護絶縁膜122と、ドレイン電極Tr12dと、ソース電極Tr12sと、オーミックコンタクト層123,124と、ゲート電極Tr12gと、を備える。 As shown in FIG. 7, the light emission drive transistor Tr12 includes an insulating film 41, a semiconductor layer 121, a protective insulating film 122, and the drain electrode Tr12d, the source electrode Tr12s, the ohmic contact layer 123, the gate electrode Tr12g and, equipped with a. また、選択トランジスタTr11も、発光駆動トランジスタTr12と同様に、絶縁膜41と、半導体層(図示せず)と、保護絶縁膜(図示せず)と、ドレイン電極Tr11dと、ソース電極Tr11sと、オーミックコンタクト層(図示せず)と、ゲート電極Tr11gと、を備える。 Also, the selection transistor Tr11, as with the light emission drive transistor Tr12, and the insulation film 41, semiconductor layer (not shown), a protective insulating film (not shown), a drain electrode Tr11d, the source electrode Tr11s, ohmic It comprises a contact layer (not shown), a gate electrode Tr11g, the.

各トランジスタTr11,Tr12において、ゲート電極は、例えば、例えば、Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜又はAlNdTi合金膜、MoNb合金膜等からなる不透明なゲート導電層から形成される。 In each of the transistors Tr11, Tr12, the gate electrode, for example, for example, Mo film, Cr film, Al film, Cr / Al laminated film, AlTi alloy film or AlNdTi alloy film, an opaque gate conductive layer made of MoNb alloy film It is formed. また、ドレイン電極、ソース電極はそれぞれ例えばアルミニウム−チタン(AlTi)/Cr、AlNdTi/CrまたはCr等のソース−ドレイン導電層から形成されている。 Further, a drain electrode, a source electrode, respectively, for example, aluminum - is formed from the drain conductive layer - titanium (AlTi) / Cr, AlNdTi / Cr or source, such as Cr. また、ドレイン電極及びソース電極と半導体層との間にはそれぞれ低抵抗性接触のため、オーミックコンタクト層が形成される。 Also, for each of the low resistance contact between the drain electrode and the source electrode and the semiconductor layer, the ohmic contact layer is formed.

画素電極(アノード電極)42は、透光性を備える導電材料、例えばITO(Indium Tin Oxide)、ZnO等から構成される。 Pixel electrode (anode electrode) 42 is comprised of a conductive material having a light-transmitting property, for example, ITO (Indium Tin Oxide), ZnO or the like. 各画素電極42は隣接する他の発光画素30の画素電極42と層間絶縁膜47によって絶縁されている。 Each pixel electrode 42 is insulated by the pixel electrode 42 and the interlayer insulating film 47 of the other light emitting pixels 30 adjacent.

層間絶縁膜47は、絶縁性材料、例えばシリコン窒化膜から形成され、画素電極42間に形成され、トランジスタTr11,Tr12やゲートラインLg、アノードラインLaを絶縁保護する。 Interlayer insulating film 47, an insulating material, is formed of, for example, a silicon nitride film, is formed between the pixel electrode 42, the transistor Tr11, Tr12 and the gate line Lg, the anode line La is insulating protection. 層間絶縁膜47には略方形の開口部47aが形成されており、この開口部47aによって発光画素30の発光領域が画される。 The interlayer insulating film 47 has an opening 47a of the substantially rectangular is formed, the light emitting region of the light emitting pixel 30 is bounded by the opening 47a. 更に層間絶縁膜47上には隔壁48には列方向(図6の上下方向)に延びる溝状の開口部48aが複数の発光画素30にわたって形成されている。 Are formed further over grooved openings 48a are a plurality of light-emitting pixels 30 extending (vertical direction in FIG. 6) the column direction on the partition wall 48 on the interlayer insulating film 47.

隔壁48は、絶縁材料、例えばポリイミド等の感光性樹脂を硬化してなり、層間絶縁膜47上に形成される。 Partition wall 48, an insulating material, becomes by hardening a photosensitive resin such as polyimide or the like, is formed on the interlayer insulating film 47. 隔壁48は、図6に示すように列方向に沿った複数の発光画素の発光画素電極42をまとめて開口するようにストライプ状に形成されている。 Partition wall 48 is formed in a stripe shape so as to open together luminescent pixel electrodes 42 of the plurality of light emitting pixels along the column direction as shown in FIG. なお、隔壁48の平面形状は、これに限られず各発光画素電極42毎に開口部をもった格子状であってもよい。 The planar shape of the partition wall 48 may be a lattice shape having an opening for each light-emitting pixel electrode 42 is not limited thereto.

正孔注入層43は、発光画素電極42上に形成され、発光層45に正孔を供給する機能を有する。 The hole injection layer 43 is formed on the light emitting pixel electrode 42 has a function of supplying holes to the light emitting layer 45. 正孔注入層43は正孔(ホール)注入、輸送が可能な有機高分子系の材料から構成される。 The hole injection layer 43 hole-injecting, transporting is composed of an organic polymer-based material as possible. また、有機高分子系のホール注入・輸送材料を含む有機化合物含有液としては、例えば導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)とドーパントであるポリスチレンスルホン酸(PSS)を水系溶媒に分散させた分散液であるPEDOT/PSS水溶液を用いる。 The organic compound-containing solution containing a hole injecting and transporting material of an organic polymer-based, a polyethylenedioxythiophene (PEDOT) and polystyrene sulfonate as a dopant (PSS) is dispersed in an aqueous solvent, for example a conductive polymer the PEDOT / PSS solution is dispersion was used.

インターレイヤ44は正孔注入層43上に形成される。 Interlayer 44 is formed on the hole injection layer 43. インターレイヤ44は、正孔注入層43の正孔注入性を抑制して発光層45内において電子と正孔とを再結合させやすくする機能を有し、発光層45の発光効率を高めるために設けられている。 Interlayer 44 has a function of easy to recombine electrons and holes in suppressing hole injection of the hole injection layer 43 by the light emitting layer 45, in order to increase the luminous efficiency of the light emitting layer 45 It is provided.

発光層45は、インターレイヤ44上に形成されている。 Emitting layer 45 is formed on the interlayer 44. 発光層45は、アノード電極とカソード電極との間に電圧を印加することにより光を発生する機能を有する。 Emitting layer 45 has a function for generating light by applying a voltage between the anode electrode and the cathode electrode. 発光層45は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料から構成される。 Emitting layer 45 is composed of a light-emitting material containing a known polymer light-emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence, for example, polyparaphenylene vinylene or conjugated double bond polymer polyfluorene system or the like. また、これらの発光材料は、適宜水系溶媒あるいはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解(又は分散)した溶液(分散液)をノズルコート法やインクジェット法等により塗布し、溶媒を揮発させることによって形成する。 Further, these light-emitting materials, applied by a suitable aqueous solvent or tetralin, tetramethylbenzene, mesitylene, dissolved in an organic solvent such as xylene (or dispersed) solution (dispersion) of the nozzle coating method, an inkjet method, or the like, the solvent to form by volatilization.

また、対向電極(カソード電極)46は、ボトムエミッション型の場合、発光層45側に設けられ、導電材料、例えばLi,Mg,Ca,Ba等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性の下層と、Al等の光反射性導電金属からなる上層を有する積層構造であり、トップエミッション型の場合、発光層45側に設けられ、10nm程度の膜厚の極薄い例えばLi,Mg,Ca,Ba等の仕事関数の低い材料からなる光透過性低仕事関数層と、100nm〜200nm程度の膜厚のITO等の光反射性導電層を有する透明積層構造である。 The counter electrode (cathode electrode) 46 in the case of bottom emission type, provided on the light-emitting layer 45 side, the conductive material, for example Li, Mg, Ca, electron injecting property of the lower layer made of a material having a low work function such as Ba when a multi-layered structure having an upper layer made of a light reflective conductive metal such as Al, the case of a top emission type, provided on the light-emitting layer 45 side, 10 nm a film thickness of about very thin e.g. Li, Mg, Ca, Ba an optically transparent low work function layer made of a material having a low work function equal, a transparent layered structure having light reflective conductive layer such as ITO having a thickness of about 100 nm to 200 nm. 本実施形態では、対向電極46は複数の発光画素30に跨って形成される単一の電極層から構成され、例えば接地電位である共通電圧Vssが印加されている。 In the present embodiment, the counter electrode 46 is composed of a single electrode layer formed over the plurality of light-emitting pixels 30, the common voltage Vss is applied for example, ground potential. また、本実施形態では、詳細に後述するように、発光画素基板31の溝31aの表面に形成される金属膜33aと対向電極46とは同一の工程で製造される。 Further, in the present embodiment, as described in detail below, it is manufactured by the same process the metal film 33a and the counter electrode 46 formed on the surface of the groove 31a of the light emitting pixel substrate 31.

上述したように、本実施形態の画像形成装置10は、発光部20の発光パネル21にヒートパイプとして機能する細管33を形成することにより、発光画素30から発せられる熱を良好に伝熱板24へと移動させることができ、発光画素30で生じた熱を取り除き、発光画素30の温度ムラの発生を抑制することができる。 As described above, the image forming apparatus 10 of this embodiment, the light emitting unit to the light emitting panel 21 of the 20 by forming a thin tube 33 functioning as a heat pipe, good heat transfer plate 24 of heat emitted from the light emitting pixel 30 to and can be moved, removed heat generated in the light emitting pixel 30, the occurrence of temperature unevenness of the light emitting pixel 30 can be suppressed. これにより、発光画素30の有機EL素子の長寿命化、温度ムラに帰因する、輝度ムラの発生を抑制することが可能である。 Accordingly, lifetime of the organic EL element of the luminescence pixel 30, attributable to the uneven temperature, it is possible to suppress the occurrence of luminance unevenness.

次に、本実施形態に係る画像形成装置の製造方法について図8〜10を用いて説明する。 Next, a manufacturing method of an image forming apparatus according to the present embodiment will be described with reference to Figures 8-10. ここでは、選択トランジスタTr11は発光駆動トランジスタTr12と同一工程によって形成されるので、選択トランジスタTr11の形成の説明を一部省略する。 Here, since the selection transistor Tr11 is formed by the same process as the light emission drive transistor Tr12, partially omitted a description of the formation of the selection transistor Tr11.

まず、図8(a)に示すように、例えばガラス基板からなる封止基板32の発光画素基板31と対向する面に、サンドブラスト法、フォトリソグラフィ、エッチング等の物理研磨或いは化学研磨により、窪み部32aを形成する。 First, as shown in FIG. 8 (a), for example, the surface facing the light emitting pixel substrate 31 of the sealing substrate 32 made of a glass substrate, sandblasting, photolithography, by physical polishing or chemical polishing such as etching, recess 32a to the formation. なお、シート状の接着剤、高粘性接着剤等を発光画素30上にも塗布することによって封止する場合は、この工程を省略することが可能である。 The sheet-like adhesive, if sealed by also applying a high-viscosity adhesive or the like on the light-emitting pixel 30 can be omitted this step.

次に、図8(b)に示すように、ガラス基板等からなる発光画素基板31を用意する。 Next, as shown in FIG. 8 (b), providing a light-emitting pixel substrate 31 made of a glass substrate or the like. 発光画素基板31の封止基板32と対向する面に、サンドブラスト法、フォトリソグラフィ、エッチング等の物理研磨或いは化学研磨により、溝31aを形成する。 The sealing substrate 32 and the opposing surfaces of the light emitting pixel substrate 31, sandblasting, photolithography, by physical polishing or chemical polishing such as etching to form a groove 31a. この際、作動液注入口34も同時に形成する。 At this time, simultaneously formed hydraulic fluid inlet 34.

次に、この発光画素基板31上に、スパッタ法、真空蒸着法等により例えば、Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜又はAlNdTi合金膜、MoNb合金膜等からなるゲート導電膜を形成し、これを図8(c)に示すようにトランジスタTr11,Tr12のゲート電極、及びデータラインLdの形状にパターニングする。 Next, on the light-emitting pixel substrate 31, a sputtering method, for example by vacuum deposition or the like, made of Mo film, Cr film, Al film, Cr / Al laminated film, AlTi alloy film or AlNdTi alloy film, MoNb alloy film forming a gate conductive film is patterned this gate electrode of the transistor Tr11, Tr12 as shown in FIG. 8 (c), and the shape of the data line Ld. 続いて、図8(d)に示すようにCVD(Chemical Vapor Deposition)法等によりゲート電極Tr12g及びデータラインLd上に絶縁膜41を形成する。 Subsequently, an insulating film 41 on the gate electrode Tr12g and the data line on Ld by CVD (Chemical Vapor Deposition) or the like as shown in FIG. 8 (d).

次に絶縁膜41上に、CVD法等によりアモルファスシリコン層、窒化シリコン層を堆積し、窒化シリコン層をフォトリソグラフィによりパターニングして保護絶縁膜122を形成する。 Then on the insulating film 41, an amorphous silicon layer by a CVD method or the like, depositing a silicon nitride layer, a protective insulating film 122 is patterned by photolithography, a silicon nitride layer. ついで、n型不純物が含まれたアモルファスシリコン層を堆積後、フォトリソグラフィによって下層のアモルファスシリコン層とともにエッチングしてオーミックコンタクト層123,124及び半導体層121を形成する。 Then, after depositing an amorphous silicon layer containing the n-type impurity to form an ohmic contact layer 123 and the semiconductor layer 121 is etched with the underlying amorphous silicon layer by photolithography.

次に、スパッタ法、真空蒸着法等により絶縁膜41上に、ITO等の透明導電膜、或いは光反射性導電膜及びITO等の透明導電膜を被膜後、フォトリソグラフィによってパターニングして画素電極42を形成する。 Then, the sputtering method, on the insulating film 41 by vacuum deposition or the like, a transparent conductive film such as ITO, or after coating the light-reflecting conductive film and the transparent conductive film such as ITO, the pixel is patterned by photolithography electrode 42 to form.

続いて、絶縁膜41に貫通孔であるコンタクトホール61〜64を形成してから、例えば、Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜又はAlNdTi合金膜、MoNb合金膜等からなるソース−ドレイン導電膜をスパッタ法、真空蒸着法等により被膜して、フォトリソグラフィによってパターニングして図6及び図8(d)に示すようにドレイン電極Tr12d及びソース電極Tr12s、アノードラインLaを形成する。 Subsequently, after forming a contact hole 61 to 64 are through holes in the insulating film 41, for example, Mo film, Cr film, Al film, Cr / Al laminated film, AlTi alloy film or AlNdTi alloy film, MoNb alloy film source consists of such - drain conductive film by sputtering, and the film by vacuum deposition or the like, the drain electrode Tr12d and the source electrode Tr12s as shown in FIGS. 6 and 8 (d) is patterned by photolithography, the anode line La to form. このとき、発光駆動トランジスタTr12のソース電極Tr12sはそれぞれ画素電極42の一部と重なるように形成される。 At this time, the source electrode Tr12s of the light emission drive transistor Tr12 is formed so as to overlap with part of the pixel electrode 42, respectively.

続いて、図9(a)に示すようにトランジスタTr12等を覆うようにシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜47をCVD法等により形成後、フォトリソグラフィにより、開口部47aを形成する。 Subsequently, after forming an interlayer insulating film 47 by CVD or the like made of a silicon nitride film so as to cover the transistor Tr12 such as shown in FIG. 9 (a), by photolithography to form an opening 47a. 次に、感光性ポリイミドを層間絶縁膜47を覆うように塗布し、隔壁48の形状に対応するマスクを介して露光、現像することによってパターニングし、図9(a)に示すように開口部48aを有する隔壁48を形成する。 Next, photosensitive polyimide was applied so as to cover the interlayer insulating film 47, exposed through a mask corresponding to the shape of the partition wall 48, and patterned by developing an opening 48a as shown in FIG. 9 (a) forming the partition wall 48 having a.

続いて、正孔注入材料を含む有機化合物含有液を、連続して流すノズルプリンティング装置あるいは個々に独立した複数の液滴として吐出するインクジェット装置によって開口部47aで囲まれた画素電極42上に選択的に塗布する。 Then, select the organic compound-containing solution, on the pixel electrode 42 which is surrounded by the opening 47a by the ink jet device which discharges a plurality of droplets which separate into nozzle printing device or individual flow continuously containing a hole injection material to be applied. 続いて、発光画素基板31を大気雰囲気下で加熱し有機化合物含有液の溶媒を揮発させて、正孔注入層43を形成する。 Subsequently, the light emitting pixel substrate 31 to volatilize the solvent of the organic compound-containing liquid was heated in an air atmosphere, to form the hole injection layer 43. 有機化合物含有液は加熱雰囲気で塗布されてもよい。 The organic compound-containing solution may be applied in a heated atmosphere.

続いて、ノズルプリンティング装置またはインクジェット装置を用いてインターレイヤ44となる材料を含有する有機化合物含有液を正孔注入層43上に塗布する。 Then, applying an organic compound containing liquid containing a material for the interlayer 44 using the nozzle printing apparatus or an inkjet device on the hole injection layer 43. 窒素雰囲気中の加熱乾燥、或いは真空中での加熱乾燥を行い、残留溶媒の除去を行ってインターレイヤ44を形成する。 Thermal drying in a nitrogen atmosphere, or dried by heating in a vacuum to form an inter-layer 44 performs removal of the residual solvent. 有機化合物含有液は加熱雰囲気で塗布されてもよい。 The organic compound-containing solution may be applied in a heated atmosphere.

次に、発光ポリマー材料(R,G,B)を含有する有機化合物含有液を、同様にノズルプリンティング装置またはインクジェット装置により塗布して窒素雰囲気中で加熱して残留溶媒の除去を行い、発光層45を形成する。 Next, light-emitting polymer material (R, G, B) an organic compound containing liquid containing, the same removal of residual solvent by heating in a nitrogen atmosphere is applied by a nozzle printing apparatus or an inkjet device, the light emitting layer 45 to form a. 有機化合物含有液は加熱雰囲気で塗布されてもよい。 The organic compound-containing solution may be applied in a heated atmosphere.

発光層45まで形成した発光画素基板31に、金属マスクを用いて真空蒸着やスパッタリングによって対向電極46及び発光画素基板31上の溝31aの表面の金属膜33aを一括して形成する。 A light emitting pixel substrate 31 formed to the light emitting layer 45 is collectively formed of the metal film 33a on the surface of the groove 31a on the counter electrode 46 and the light emitting pixel substrate 31 by vacuum deposition or sputtering using a metal mask. したがって、対向電極46及び金属膜33aはいずれも、Li,Mg,Ca,Ba等の仕事関数の低い材料からなる層と、Al等の光反射性導電層からなる2層構造となる。 Thus, any counter electrode 46 and the metal film 33a is formed of Li, Mg, Ca, a layer comprising the low work function material such as Ba, a two-layer structure made of a light reflective conductive layer such as Al. なお、金属膜33aは、Al等の光反射性導電層のみの単層構造であってもよい。 The metal film 33a may be a single-layer structure of a light-reflective conductive layer such as Al only.

次に、複数の発光画素30が形成された発光領域の外側において、発光画素基板31上に紫外線硬化樹脂、又は熱硬化樹脂からなる封止樹脂を塗布し、発光画素基板31と封止基板32とを貼り合わせる。 Then, outside the light emitting region in which a plurality of light-emitting pixels 30 are formed, an ultraviolet curable resin, or the sealing resin made of thermosetting resin is applied on the light emitting pixel substrate 31, the light emitting pixel substrate 31 and the sealing substrate 32 attaching the door. 次に紫外線もしくは熱によって封止樹脂を硬化させて発光画素基板31と封止基板とを接合する。 Then joining the sealing substrate emitting pixel substrate 31 to cure the sealing resin by ultraviolet or heat.

次に、接合された発光画素基板31及び封止基板32を1〜100Paの減圧雰囲気下の炉内に配置して、作動液注入口34、34の一方から、作動液36を注入する。 Next, place the light emitting pixel substrate 31 and the sealing substrate 32 that is bonded in an oven at a reduced pressure atmosphere of 1 to 100 Pa, from one of the hydraulic fluid inlet 34, injecting the hydraulic fluid 36. 本実施形態では、注入口は2箇所に設けられているため、一方の注入口から細管33内の気体を排気し、他方の注入口34から、作動液36を細管33内に注入する。 In this embodiment, inlet because it is provided in two places, to exhaust gas in the capillary 33 from one inlet, the other inlet 34, injecting the hydraulic fluid 36 in the capillary 33. このとき、細管33内には作動液36が気化できる空間を残すため、細管33の空間全域に作動液36を充填するのではなく、一部作動液36のない空間があるように注入する。 At this time, since the narrow pipe 33 leaving a space for vaporization hydraulic fluid 36, rather than filling the hydraulic fluid 36 in the space throughout the capillary 33, it is injected such that there is no space in some hydraulic fluid 36. なお、注入口は1箇所にのみ設けられてもよく、2箇所より多く設けられていてもよい。 Incidentally, the inlet may be provided only in one place, it may be more provided than two places. 注入口が1箇所に設けられる場合は、例えば発光画素基板31及び封止基板32を1〜100Paの減圧雰囲気下の炉内に配置し、注入口を塞ぐように作動液36に浸してから、炉内を大気圧に戻し、細管33の内外の圧力差によって細管33内に作動液36を注入させる。 If the inlet is provided in one place, for example, a light-emitting pixel substrate 31 and the sealing substrate 32 was placed in a furnace under a reduced pressure atmosphere of 1 to 100 Pa, since immersed in hydraulic fluid 36 so as to close the inlet, It returned to the furnace to the atmospheric pressure, to inject the hydraulic fluid 36 in the capillary 33 by the pressure difference between the inside and outside of the capillary 33.

作動液を注入後、注入口封止部35によって注入口34、34を封止する。 After injecting the hydraulic fluid to seal the injection port 34, 34 by the inlet sealing portion 35.
以上の工程から、発光パネル21が製造される。 From the above steps, the light emitting panel 21 is manufactured.

このように、製造した発光パネル21を、ハウジング22の窪み部22aに設置し、更に伝熱板24を発光パネル21の封止基板32上に設置する。 Thus, the light emitting panel 21 produced was placed in the recess portion 22a of the housing 22, further installing the heat transfer plate 24 on the sealing substrate 32 of the light emitting panel 21. 次に、伝熱板24に接するように、放熱板23をハウジング22の窪み部22cに設置する。 Next, in contact with the heat transfer plate 24, placing the heat dissipation plate 23 in the recess portion 22c of the housing 22. 更に、ロッドレンズ25をハウジング22の窪み部22bに設置する。 Furthermore, installing the rod lens 25 in the recess 22b of the housing 22.
以上から、発光部20が製造される。 From above, the light emitting portion 20 is manufactured.

このようにして製造した発光部20を、感光体11と、帯電部12と、現像部13と、転写部14と、定着器16と、クリーナー17と、除電器18と、組み合わせることにより、画像形成装置が製造される。 The thus-emitting portion 20, prepared a photoconductor 11, a charging unit 12, a developing unit 13, a transfer unit 14, and the fixing device 16, a cleaner 17, a discharger 18, by combining the image forming apparatus is manufactured.

上述したように、本実施形態の画像形成装置10の製造方法では、発光画素30を封止するための封止基板32に溝32bを形成し、発光画素基板31と封止基板32とを封止することにより、ヒートパイプとして機能する細管33を形成することができる。 As described above, in the manufacturing method of the image forming apparatus 10 of the present embodiment, a groove is formed 32b on the sealing substrate 32 for sealing the light emitting pixel 30, sealing the light emitting pixel substrate 31 and the sealing substrate 32 by stopping, it is possible to form the thin tube 33 which acts as a heat pipe. この細管33によって、発光画素30から発せられる熱を良好に伝熱板24へと移動させることができ、発光画素30から発せられる熱を取り除き、発光画素30の温度ムラの発生を抑制することができる。 This capillary 33, the heat emitted from the light emitting pixel 30 well can be moved to the heat transfer plate 24, removes the heat generated from the light emitting pixel 30, it is possible to suppress the occurrence of temperature unevenness of the light emitting pixel 30 it can. これにより、発光画素30の有機EL素子の長寿命化、温度ムラに帰因する、輝度ムラの発生を抑制することが可能である。 Accordingly, lifetime of the organic EL element of the luminescence pixel 30, attributable to the uneven temperature, it is possible to suppress the occurrence of luminance unevenness.

(第2実施形態) (Second Embodiment)
第2実施形態に係る画像形成装置を以下、図を用いて説明する。 The image forming apparatus according to the second embodiment will be described with reference to FIG. 本実施形態の画像形成装置が第1実施形態の画像形成装置と異なるのは、本実施形態では発光部の発光パネルの一部が金属から形成される点にある。 The image forming apparatus of the present embodiment is different from the image forming apparatus of the first embodiment, in this embodiment lies in that part of the light emitting panel of the light-emitting portion is formed of metal. 第1実施形態と共通する部分には同一の引用番号を付し、詳細な説明は省略する。 The portions common to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

図11に本実施形態の画像形成装置に用いられる発光部81を示す。 A light emitting portion 81 used in the image forming apparatus of this embodiment in FIG. 11. また、図12に本実施形態の発光パネル82の平面図を示し、図13は図12に示すXIII−XIII線断面図である。 Also, a plan view of a light emitting panel 82 of the present embodiment in FIG. 12, FIG. 13 is a sectional view taken along line XIII-XIII shown in FIG. 12.

本実施形態の発光部20は、図11に示すように、発光パネル82と、発光パネル82を保持するハウジング22と、放熱板23と、伝熱板24と、ロッドレンズ25と、を備える。 Emitting unit 20 of the present embodiment includes, as shown in FIG. 11, a light-emitting panel 82, a housing 22 for holding the light emitting panel 82, and the heat sink 23, the heat transfer plate 24, a rod lens 25, a.

発光パネル82は、図12及び13に示すように発光画素基板31と、発光画素30と、発光画素基板31に対向して設置された封止基板32と、細管83と、作動液注入口34と、注入口封止部35と、を備える。 Emission panel 82 includes a light emitting pixel substrate 31 as shown in FIGS. 12 and 13, and the light emitting pixel 30, a sealing substrate 32 disposed to face the light emitting pixel substrate 31, a thin tube 83, hydraulic fluid inlet 34 When provided with inlet sealing portion 35, a.

発光画素基板31は、第1実施形態と同様に、透光性を有する基板、例えばガラス基板から構成される。 Emitting pixel substrate 31, similarly to the first embodiment, and a substrate, for example a glass substrate having a light-transmitting property. 封止基板31の封止基板32と対向する面には、第1実施形態と同様に、細管83a、83bとして機能する溝31aが形成される。 The sealing substrate 32 and the opposing surfaces of the sealing substrate 31, similarly to the first embodiment, the grooves 31a of the functional thin tube 83a, as 83b are formed. 溝31aは発光画素アレイに隣接する領域では蛇行するように形成されており、伝熱板24と対向する領域では直線状に形成されている。 Groove 31a is formed so as to meander in a region adjacent to the light emitting pixel array is formed in a linear shape in the area facing the heat transfer plate 24. また、封止基板32と金属板84とが接する面は、封入した作動液36が漏れることがないよう接着されている。 The surface of the sealing substrate 32 and the metal plate 84 is in contact is bonded as not to hydraulic fluid 36 which is sealed from leaking. このように、本実施形態では、発光画素基板31に形成された溝31aと、封止基板32と伝熱板24とによって、溝83が形成されている。 Thus, in the present embodiment, the groove 31a formed in the light emitting pixel substrate 31 by the sealing substrate 32 and the heat transfer plate 24, a groove 83 is formed.

本実施形態では、発光画素基板31に溝31aを形成し、発光画素基板31と、封止基板32及び伝熱板24とを封止剤によって封止することにより、溝31aを細管83a、83b(冷却管)として機能させる。 In the present embodiment, to form the grooves 31a to the light emitting pixel substrate 31, a light emitting pixel substrate 31, by sealing the sealant and a sealing substrate 32 and the heat transfer plate 24, a groove 31a tubules 83a, 83 b to function as a (cooling tube). 細管83は、発光画素側に配置され且つ蛇行することによって表面積が相対的に大きい細管83aと、発光パネル82の外側寄りに配置され、細管83aに繋がった細管33bと、を有している。 Capillary 83 has a surface area is relatively large capillary 83a by meandering disposed light emitting pixels side and is disposed outboard of the light emission panel 82 has a capillary 33b that led to tubules 83a, the. この細管83には減圧状態で気化しやすい液体(作動液)、例えば水、アルコール等が封入されている。 The vaporized easy liquid (hydraulic fluid) under a reduced pressure to capillary 83, for example, water, alcohols, etc. is sealed. これにより、細管83は、ヒートパイプとして機能する。 As a result, the capillary tube 83, to function as a heat pipe. 図12に示すように細管83の一方は発光画素30に隣接しており、発光画素30から発せられる熱によって、加熱される。 While capillary 83 as shown in FIG. 12 is adjacent to the light emitting pixel 30, by the heat emitted from the light emitting pixel 30, it is heated. 細管の他方は伝熱板24を介して放熱板23から熱が発散される。 The other capillary heat emanating from the heat dissipation plate 23 through the heat transfer plate 24. これにより、細管33の他方を冷却することができる。 This makes it possible to cool the other capillary 33. このようにして、発光画素側の細管83aで作動液36を気化させ、熱を吸収し、伝熱板側の細管83bで作動液36を液化させ、熱を放出させる。 Thus, to vaporize the working fluid 36 in the light emitting pixels side of tubules 83a, absorbs the heat, to liquefy the working fluid 36 in the heat transfer plate side of the capillary 83 b, thereby releasing heat. この吸熱と放熱とを繰り返すことにより、熱を放熱板へと移動させることができ、発光画素から発せられる熱を放熱板へと移動させ、発光画素を冷却することができる。 By repeating the heat radiation and the heat absorption, heat can be a move to the heat sink, the heat generated from the light emitting pixel is moved to the heat sink, it is possible to cool the light emitting pixels. 本実施形態では、特に熱を放出させる領域を金属板から形成することにより、より効率的に熱を放出させることができるため、発光画素から放熱板への熱の移動を良好に行うことができる。 In the present embodiment, in particular by a region for releasing heat to form a metal plate, more for efficiently thereby releasing heat, it can be performed well transfer of heat to the heat sink from the luminescent pixels .

上述したように、本実施形態の画像形成装置は、発光部80の発光パネル82にヒートパイプとして機能する細管83を形成することにより、発光画素30から発せられる熱を良好に伝熱板24へと移動させることができ、発光画素30の有機EL素子の長寿命化、温度ムラに帰因する、輝度ムラの発生を抑制することが可能である。 As described above, the image forming apparatus of the present embodiment, by forming the thin tube 83 which acts as a heat pipe to the light emitting panel 82 of the light emitting unit 80, the heat generated from the light emitting pixel 30 effectively to the heat transfer plate 24 and it can be moved, lifetime of the organic EL element of the luminescence pixel 30, attributable to the uneven temperature, it is possible to suppress the occurrence of luminance unevenness. 特に本実施形態では、封止基板32と金属板84とに、溝32c,84aを形成することにより、より良好に伝熱板24へ熱を放出することができ、良好に発光画素30を冷却することができる。 In particular, in this embodiment, the sealing substrate 32 and the metal plate 84, by forming the grooves 32c, 84a, better able to release heat to the heat transfer plate 24, cooled well luminescence pixel 30 can do.

本発明は上述した実施形態に限られず様々な変形及び応用が可能である。 The present invention is susceptible to various modifications and applications not limited to the embodiments described above.
上述した第2実施形態では、発光画素基板31に溝31aが形成され、伝熱板24には溝等が形成されない構成を例に挙げて説明したが、これに限らず、図14に示すように伝熱板24にも溝24aが形成されても良い。 In the second embodiment described above, it is formed a groove 31a on the light-emitting pixel substrate 31, although the heat transfer plate 24 has been described as an example a configuration in which no groove is formed like, not limited to this, as shown in FIG. 14 it may be formed with a groove 24a in the heat transfer plate 24.

上述した実施形態では、ヒートパイプとして機能する溝は発光画素基板にのみ形成される構成を例に挙げて説明したが、これに限られず、封止基板と発光画素基板とに、それぞれ形成されていてもよい。 In the above-described embodiment, a groove which acts as a heat pipe has been described by way of example a structure which is formed only on the light emitting pixel substrate is not limited to this, the sealing substrate and the light emitting pixel substrate, are formed respectively it may be.

また、上述した第2実施形態では、伝熱板24が発光画素基板31に封止される構成を例に挙げて説明したが、発光画素基板を封止する金属板と、この金属板と放熱板との間に設置される伝熱板とに分けることも可能である。 In the second embodiment described above, the heat transfer plate 24 has been described as an example the structure to be sealed in the light emitting pixel substrate 31, a metal plate that seals the light emitting pixel substrate, a metal plate radiator it is also possible to divide into a heat transfer plate which is placed between the plates.

上述した各実施形態では、発光画素回路DSは選択トランジスタTr11、発光駆動トランジスタTr12の合計2つのトランジスタを備える例を挙げて説明したが、これに限られず、3つ以上のトランジスタを備えるものであってもよい。 In the above embodiments, the light emitting pixel circuit DS is selected transistors Tr11, has been described by way of example in which a total of two transistors of the light emission drive transistor Tr12, not limited thereto, be one having three or more transistors it may be.
上述した各実施形態では、発光部を露光ヘッドとして用いたが、これに限らず、発光パネルを動画や静止画を表示する画像表示パネルにも適用できる。 In the embodiments described above, but using a light-emitting portion as the exposure head is not limited to this, the light emitting panel can also be applied to an image display panel for displaying moving images and still images.

第1実施形態に係る画像形成装置の構成例を示す平面図である。 Is a plan view showing a configuration example of an image forming apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る発光部を模式的に示す図である。 A light emitting unit according to the first embodiment is a view schematically showing. 第1実施形態に係る発光パネルを模式的に示す平面図である。 The light-emitting panel according to the first embodiment is a plan view schematically showing. 図3に示すIV−IV線断面図である。 It is a sectional view taken along line IV-IV shown in FIG. 発光画素駆動回路の等価回路図である。 It is an equivalent circuit diagram of a light emitting pixel driving circuit. 発光画素を示す平面図である。 Is a plan view showing a light emitting pixel. 図6に示すVII−VII線断面図である。 Is a sectional view taken along line VII-VII shown in FIG. 第1実施形態に係る画像形成装置の製造方法を示す図である。 It is a diagram showing a manufacturing method of an image forming apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る画像形成装置の製造方法を示す図である。 It is a diagram showing a manufacturing method of an image forming apparatus according to the first embodiment. 第1実施形態に係る画像形成装置の製造方法を示す図である。 It is a diagram showing a manufacturing method of an image forming apparatus according to the first embodiment. 第2実施形態に係る画像形成装置の発光部を示す図である。 It is a view showing a light emitting portion of the image forming apparatus according to the second embodiment. 第2実施形態に係る発光パネルを模式的に示す平面図である。 The light-emitting panel according to the second embodiment is a plan view schematically showing. 図12に示すXIII−XIII線断面図である。 Is a sectional view taken along line XIII-XIII shown in FIG. 12. 変形例を示す図である。 It is a diagram showing a modified example.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10・・・画像形成装置、11・・・感光体、13・・・現像部、14・・・転写部、16・・・定着器、17・・・クリーナー、18・・・除電器、19・・・転写紙、20,81・・・発光部、21,82・・・発光パネル、22・・・ハウジング、23・・・放熱板、24,84・・・伝熱板、25・・・ロッドレンズ、30・・・発光画素、31・・・発光画素基板、32・・・封止基板、32a,84a・・・溝、33,83・・・細管、34・・・作動液注入口、35・・・注入口封止部、41・・・絶縁膜、42・・・画素電極、43・・・正孔注入層、44・・・インターレイヤ、45・・・発光層、46・・・対向電極、47・・・層間絶縁膜、48・・・隔壁、61,62,63,64・・・コンタクトホール、Cs・ 10 ... image forming apparatus, 11 ... photoreceptor, 13 ... developing unit, 14 ... transfer portion, 16 ... fixing unit, 17 ... cleaner, 18 ... charge eliminator, 19 ... transfer paper, 20,81 ... light emitting portion, 21,82 ... light-emitting panel, 22 ... housing, 23 ... heat radiating plate, 24, 84 ... heat transfer plate, 25 ... rod lens, 30 ... light-emitting pixel, 31 ... light-emitting pixel substrate, 32 ... sealing substrate, 32a, 84a ... groove, 33,83 ... capillary, 34 ... hydraulic fluid Note inlet, 35 ... inlet sealing portion 41 ... insulating film, 42 ... pixel electrode, 43 ... hole injection layer, 44 ... interlayer, 45 ... light-emitting layer, 46 ... counter electrode, 47 ... interlayer insulation film, 48 ... partition wall, 61, 62, 63, 64 ... contact hole, Cs · ・キャパシタ、La・・・アノードライン、Ld・・・データライン、Lg・・・ゲートライン、Tr11・・・選択トランジスタ、Tr12・・・発光駆動トランジスタ Capacitors, La · · · anode lines, Ld · · · data lines, Lg · · · gate lines, Tr11 · · · select transistors, Tr12 · · · emission driving transistor

Claims (6)

  1. 発光画素と、 And a light-emitting pixels,
    前記発光画素側に位置する第一溝部と、前記第一溝部に繋がり、前記第一溝部より前記発光画素から離れている第二溝部とを有する溝が形成された発光画素基板と A first groove located in said light emitting pixels side, and the first lead to the groove, the light emitting pixel substrate having a groove and a second groove distant from the light emitting pixels than said first groove,
    前記発光画素基板の前記第一溝部を封止する封止基板と、 And a sealing substrate for sealing the first channel section of the light emitting pixel substrate,
    前記溝に封入された揮発性液体と、を有し、 Anda volatile liquid sealed in the groove,
    さらに、前記発光画素基板の前記第二溝部に対向する位置における前記封止基板に接するように配置された伝熱板、或いは前記発光画素基板の前記第二溝部に対向して前記発光画素基板に接するように配置された金属板からなる伝熱板の何れかと、 Further, the arranged heat exchanger plate so as to be in contact with the sealing substrate, or the light emitting pixel substrate so as to face the second grooves of the light emitting pixel substrate at a position opposed to the second groove portion of the light emitting pixel substrate and one of the heat transfer plate consisting disposed metal plate in contact,
    前記伝熱板の前記第二溝部と対向する面と反対側の面に接する放熱板と、を有する発光部を備え、 Includes a light emitting portion having a radiator plate in contact with the surface opposite to the second groove and the opposing surfaces of the heat transfer plate,
    前記伝熱板は、前記発光画素から発せられる熱によって前記第一溝部における前記揮発性液体が気化されて前記第二溝部に移動する気体からの熱を前記放熱板に伝達することを特徴とする画像形成装置。 The heat transfer plate, and characterized that you transfer heat from the gas to move the volatile liquid is vaporized in the second groove in said first groove portion by the heat emitted from the light emitting pixels on the heat radiating plate An image forming apparatus.
  2. 前記封止基板と前記発光画素基板とは、接着部材によって接着されることを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。 The sealing and the sealing substrate and the light emitting pixel substrate, an image forming apparatus according to claim 1, characterized in that it is adhered by the adhesive member.
  3. 前記発光画素基板に形成された前記溝の表面には金属膜が形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の画像形成装置。 The image forming apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the metal film is formed on the surface of the groove formed on the light emitting pixel substrate.
  4. 前記封止基板には前記発光画素と対向する領域に、凹部が形成されることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の画像形成装置。 Wherein in a region facing the light emitting pixels on the sealing substrate, the image forming apparatus according to any one of claims 1 to 3, characterized in that recesses are formed.
  5. 発光画素基板上に発光画素を形成する工程と、 Forming a light-emitting pixel to the light emitting pixel on the substrate,
    前記発光画素基板の封止基板と対向する面に、 前記発光画素側に位置する第一溝部と、前記第一溝部に繋がり、前記第一溝部より前記発光画素から離れている第二溝部とを有する溝を形成する工程と、 A sealing substrate opposed to a surface of the light emitting pixel substrate, a first groove located in said light emitting pixels side, connected to the first groove and a second groove distant from the light emitting pixels than the first groove forming a groove having,
    前記発光画素基板の前記溝と前記封止基板とを封止する工程と、 A step of sealing with said groove and the sealing substrate of the light emitting pixel substrate,
    前記溝内に揮発性液体を封入する工程と、 A step of encapsulating the volatile liquid in the groove,
    前記発光画素基板の前記第二溝部に対向する位置における前記封止基板に接するように伝熱板を配置する工程と、 Disposing a heat transfer plate in contact with the encapsulation substrate at a position opposed to the second groove portion of the light emitting pixel substrate,
    前記伝熱板の前記第二溝部と対向する面と反対側の面に放熱板を接する工程と、を備えることを特徴とする画像形成装置の製造方法。 Method of manufacturing an image forming apparatus characterized by comprising the steps of contacting the heat dissipation plate on a surface thereof opposite to the second groove and the opposing surfaces of the heat transfer plate.
  6. 発光画素基板上に発光画素を形成する工程と、 Forming a light-emitting pixel to the light emitting pixel on the substrate,
    前記発光画素基板の封止基板と対向する面に、前記発光画素側に位置する第一溝部と、前記第一溝部に繋がり、前記第一溝部より前記発光画素から離れている第二溝部とを有する溝を形成する工程と、 A sealing substrate opposed to a surface of the light emitting pixel substrate, a first groove located in said light emitting pixels side, connected to the first groove and a second groove distant from the light emitting pixels than the first groove forming a groove having,
    前記発光画素基板の前記第一溝部と前記封止基板とを封止するとともに、前記発光画素基板の前記第二溝部と金属板からなる伝熱板とを封止する工程と、 Thereby sealing the first groove of the light emitting pixel substrate and said sealing substrate, and the step of sealing the heat transfer plate consisting of the second groove and the metal plate of the light emitting pixel substrate,
    前記溝内に揮発性液体を封入する工程と、 A step of encapsulating the volatile liquid in the groove,
    前記伝熱板の前記第二溝部と対向する面と反対側の面に放熱板を接する工程と、を備えることを特徴とする画像形成装置の製造方法。 Method of manufacturing an image forming apparatus characterized by comprising the steps of contacting the heat dissipation plate on a surface thereof opposite to the second groove and the opposing surfaces of the heat transfer plate.
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