JP5155941B2 - Evaporation source assembly and vapor deposition apparatus using the same - Google Patents
Evaporation source assembly and vapor deposition apparatus using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP5155941B2 JP5155941B2 JP2009137662A JP2009137662A JP5155941B2 JP 5155941 B2 JP5155941 B2 JP 5155941B2 JP 2009137662 A JP2009137662 A JP 2009137662A JP 2009137662 A JP2009137662 A JP 2009137662A JP 5155941 B2 JP5155941 B2 JP 5155941B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation source
- evaporation
- deposition
- source assembly
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims description 155
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims description 154
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 40
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 90
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 29
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 89
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02269—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by thermal evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、蒸発源アセンブリ及び蒸着装置に関するもので、さらに詳しく説明すると、均一な薄膜が形成できる複数の蒸発源を有する蒸発源アセンブリ及び蒸着装置(evaporating source assembly and deposition apparatus having the same)に関する。 The present invention relates to an evaporation source assembly and an evaporation apparatus, and more particularly, to an evaporation source assembly and an evaporation apparatus having a plurality of evaporation sources capable of forming a uniform thin film (evaporating source assembly and deposition having the same).
近来、高度情報化時代に伴い、迅速かつ正確な情報を手に得ようとする消費者の要求はますます高まり、軽薄で携帯性が良く情報処理速度も早いディスプレー装置についての開発が急速に進められている。その中でも、有機電界発光素子は有機発光層を含む有機膜に電圧を印加することによって電子及び正孔が有機発光層内で再結合し光を発生する自己発光型である。よって、LCDのようなバックライトは必要でなく軽量薄型であると共に、工程を単純化させることもできる。応答速度はCRTと同一レベルであり、低電圧駆動、高い発光効率、及び広い視野角によって次世代ディスプレーとして脚光を浴びている。 In recent years, with the advance of the advanced information era, the demand for consumers to obtain quick and accurate information has increased, and development of display devices that are light, thin, portable, and fast in information processing speed has been progressing rapidly. It has been. Among them, the organic electroluminescent element is a self-luminous type in which a voltage is applied to an organic film including an organic light emitting layer to recombine electrons and holes in the organic light emitting layer to generate light. Therefore, a backlight such as an LCD is not required, and it is lightweight and thin, and the process can be simplified. The response speed is at the same level as CRT, and it is attracting attention as a next generation display due to low voltage driving, high luminous efficiency, and wide viewing angle.
ここで、前記有機膜は、特に有機発光層の材料によって低分子型有機電界発光素子と高分子型有機電界発光素子とに分類される。 Here, the organic film is classified into a low molecular organic electroluminescent device and a polymer organic electroluminescent device depending on the material of the organic light emitting layer.
前記高分子型有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に有機発光層からなった断層構造であるか、または正孔輸送層を含む二重構造からなるので、厚さが薄い層の有機電界発光素子が製造でき、また前記有機膜は湿式コーティングによって形成できるので常圧下でも製造可能であり生産工程の費用を節減できるが、有機溶媒による有機膜が損傷され素子の寿命が低下することもある。 The polymer type organic electroluminescent device has a tomographic structure composed of an organic light emitting layer between an anode and a cathode, or a double structure including a hole transport layer. The electroluminescent device can be manufactured, and the organic film can be formed by wet coating, so that it can be manufactured under normal pressure, and the cost of the production process can be reduced. is there.
一方、前記低分子型有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に機能が互いに異なる多層の低分子型有機膜で形成されていて電荷の蓄積が起きないようにドーピングしたり、適切なエネルギー源を有する物質に代替させたりすることによって調節が可能であるため素子の安定性が優れる。また、前記低分子型有機膜は、主に蒸着によって形成されるので有機溶媒による有機膜が損傷されることを防止でき、素子の寿命の低下を防止することができる。 On the other hand, the low molecular weight organic electroluminescent device is formed of a multilayered low molecular weight organic film having different functions between the anode and the cathode, and is doped so that charge accumulation does not occur. Since the adjustment can be made by substituting the substance having a source, the stability of the device is excellent. Further, since the low molecular type organic film is mainly formed by vapor deposition, the organic film due to the organic solvent can be prevented from being damaged, and the lifetime of the element can be prevented from being reduced.
前記蒸着は、真空で低分子有機物質を形成する薄膜を製造する場合において、形成しようとする形状の開口部を有するシャドーマスクパターン(shadow mask pattern)を基板の前に整列して、基板に有機物質を蒸着することによって前記基板上に必要とする形状の有機薄膜を形成することができる。 In the case of manufacturing a thin film for forming a low molecular weight organic material in a vacuum, a shadow mask pattern having an opening having a shape to be formed is aligned in front of the substrate to form an organic layer on the substrate. An organic thin film having a required shape can be formed on the substrate by depositing a material.
ここで、前記のような真空蒸着により有機電界発光素子の有機膜層または電極層を形成する場合において、一つまたは二つ以上の物質を同時に空蒸着するために複数の蒸発源を有する蒸着装置が必要となる。 Here, in the case where the organic film layer or the electrode layer of the organic electroluminescence device is formed by vacuum deposition as described above, a deposition apparatus having a plurality of evaporation sources for simultaneously vapor-depositing one or two or more substances. Is required.
この場合、複数の蒸発源から放出する有機物質が前記基板に均一に混合されて形成されなかったり、均一な厚さを有する薄膜が形成されなかったりして有機電界発光素子の安全性及び性能が低下することもある。ここで、前記基板が大型化されるほど、均一な薄膜を形成することが難しくなる。 In this case, the organic material emitted from a plurality of evaporation sources is not uniformly mixed with the substrate, or a thin film having a uniform thickness is not formed. It may decrease. Here, as the substrate becomes larger, it becomes more difficult to form a uniform thin film.
特許文献1には、複数の蒸発源1を用いた同時蒸着にあって、均一に混合された薄膜蒸着のための蒸発領域調節装置が開示されている。 Patent Document 1 discloses an evaporation region adjusting device for simultaneous vapor deposition using a plurality of evaporation sources 1 and for uniformly mixed thin film deposition.
図1は、従来技術による複数の蒸発源を備えた蒸着装置をさらに詳しく説明するものである。 FIG. 1 illustrates a vapor deposition apparatus having a plurality of evaporation sources according to the prior art in more detail.
図1を参照すると、前記蒸発源間に領域調節板2を備えて、前記蒸発源を収納しているハウジング3の開口部0の大きさを制御することによって、前記蒸発源から吐出される蒸着物質の吐出方向を限定して被蒸着基板(S)に均一な薄膜を形成できるものとして提案している。しかしながら、前記特許では、蒸発源から吐出される蒸着物質の方向を限定する領域調節板2及び開口部0の大きさを制御するのは容易なことではない。
Referring to FIG. 1, the
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決するために案出されたものであり、本発明は複数の蒸発源から放出される蒸着物質が被蒸着基板の同一領域に照射して均一な薄膜を形成することができる蒸発源アセンブリ及びそれを用いた蒸着装置を提供することにある。 The object of the present invention has been devised to solve the above-mentioned problems of the prior art, and the present invention uniformly applies a vapor deposition material emitted from a plurality of evaporation sources to the same region of the deposition substrate. Another object of the present invention is to provide an evaporation source assembly capable of forming a thin film and a vapor deposition apparatus using the same.
前記技術的課題を解決するために本発明の一態様は、蒸発源アセンブリを提供する。前記蒸発源アセンブリは、少なくとも一部が開口されたセルを少なくとも二つ以上備え、前記各セルの開口部の両側に位置して、被蒸着基板に向かうガイドを備えるシールドを含む外部ハウジングと、前記各セルの内部に位置するそれぞれの蒸発源と、を含め、前記それぞれの蒸発源は前記セルの開口された方向と等しい一部が開口された貯蔵部と、前記貯蔵部の開口された部分と繋がるボディーと前記ボディーを貫く貫通ホールとを備えるノズル部と、前記ノズル部と前記貯蔵部とを囲む形態のハウジングと、前記ハウジングと前記ノズル部との間に介在されている加熱部と、を備え、前記ノズル部を成す貫通ホールは前記ハウジングの水平方向に対して所定の角度で傾き、前記各セルの開口部の両側に位置する前記ガイドのうち、隣接する当該セルの同じ側に位置する前記ガイドの先端と、当該各セル内の前記蒸発源の前記貫通ホール先端とを結んだ延長線が同一地点に向かうことを特徴とする。 In order to solve the above technical problem, one aspect of the present invention provides an evaporation source assembly. The evaporation source assembly includes at least two or more cells that are at least partially opened, and includes an outer housing including a shield that is positioned on both sides of the opening of each cell and includes a guide toward a deposition substrate. Each of the evaporation sources located inside each cell, and each of the evaporation sources is a reservoir that is partially open in the direction in which the cell is opened, and an opened portion of the reservoir. A nozzle part having a connecting body and a through-hole penetrating the body; a housing surrounding the nozzle part and the storage part; and a heating part interposed between the housing and the nozzle part. provided, through hole forming the nozzle portion is inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal direction of the housing, of the guide located on both sides of the opening of each cell, adjacent to It said guide tips located on the same side of the cell, the through-hole tip and an extended line connecting the evaporation sources in the respective cell is characterized in that towards the same point.
前記外部ハウジングは、前記各セルの開口部の両側に位置して、被蒸着基板に向かうガイドを有するシールド(shield)を含むことができる。この場合、前記各セルの開口部の両側に位置する前記ガイドのうち、少なくとも一つのガイドは所定の角度で傾いていることが好ましい。 The outer housing may include a shield having a guide toward the deposition target substrate on both sides of the opening of each cell. In this case, it is preferable that at least one of the guides located on both sides of the opening of each cell is inclined at a predetermined angle.
さらに、前記技術的課題を解決するために本発明の他の一態様は、前記蒸発源アセンブリを含む蒸着装置を提供する。 In order to solve the technical problem, another aspect of the present invention provides a deposition apparatus including the evaporation source assembly.
本発明は、少なくとも二つの蒸発源を備えて蒸着する蒸発源アセンブリにあって、前記それぞれの蒸発源から放出する蒸着物質が被蒸着基板の同一領域に蒸着されることによって、均一な粗さを有する薄膜を形成すると共に、均一な厚さを有する薄膜を形成することができる。 The present invention provides an evaporation source assembly that deposits with at least two evaporation sources, and the deposition material discharged from each of the evaporation sources is deposited on the same region of the deposition substrate, thereby achieving uniform roughness. A thin film having a uniform thickness can be formed.
これによって、均一な特性を有することができ、さらに安定した素子を製造することができる。 As a result, uniform characteristics can be obtained, and a more stable element can be manufactured.
以下、本発明による蒸発源アセンブリ及びこれを用いた蒸着装置の図面を参照して詳しく説明する。次に説明される実施形態は当業者に本発明の思想が充分に理解できるようにするための例として提供される。したがって、本発明は以下に説明される実施形態には限定されず、他の形態で具体化されることもある。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜のために誇張して表現されるものもある。明細書の全般にかけて同一参照番号は同一構成要素を現わす。 Hereinafter, an evaporation source assembly and a deposition apparatus using the same according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below are provided as examples to enable those skilled in the art to fully understand the idea of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, and may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of the device are sometimes exaggerated for convenience. Throughout the specification, the same reference numbers represent the same components.
図2は本発明の実施形態による蒸着装置を説明するための図である。 FIG. 2 is a view for explaining a vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
図2を参照すると、本発明の実施形態による蒸着装置10は前記蒸着装置10のボディーを成すチャンバ20と、被蒸着基板(S)の一面に蒸着物質の粒子を噴射させるための少なくとも一つ以上の蒸発源を有する蒸発源アセンブリ30と、前記蒸発源アセンブリ30を地面に対して垂直方向に移動させることができる蒸発源アセンブリ移送手段40を有する構造からなる。
Referring to FIG. 2, the
前記チャンバ20は、図に示されていない真空ポンプによって内部が真空状態を維持するようになっている。そして、チャンバ20内部には蒸発源アセンブリ30を地面に対して垂直方向に移動できる蒸発源アセンブリ移送手段40が設けられて蒸発源アセンブリ30を蒸着方向に移動させるようになっている。
The inside of the
前記蒸発源アセンブリの移送手段40は、真空で維持されるチャンバ20内での使用に適した垂直移送装置として、工程条件に従って蒸発源アセンブリ30の移動速度を調節することができる。
The transfer means 40 of the evaporation source assembly is a vertical transfer device suitable for use in the
一方、チャンバ20の内部に位置する被蒸着基板(S)は蒸着物質の蒸着のためにおおよそ垂直方向に位置する。
On the other hand, the deposition target substrate (S) positioned inside the
そして、被蒸着基板(S)の全面、すなわち蒸発源アセンブリ30と被蒸着基板(S)との間には蒸着される蒸着物質の形状を決めるマスクパターン(M)が設けられる。したがって、蒸発源30から蒸発された蒸着物質はマスクパターン(M)を通って被蒸着基板(S)上に蒸着されて所定形状の薄膜が被蒸着基板(S)上に形成できるようにする。
A mask pattern (M) for determining the shape of the vapor deposition material to be deposited is provided on the entire surface of the deposition substrate (S), that is, between the
一方、蒸発源アセンブリ30は、少なくとも二つを有する蒸発源を備えて、チャンバ20内部の被蒸着基板(S)上に蒸着しようとする蒸着物質を収容し、収容された蒸着物質を加熱して蒸発させた後、これを被蒸着基板(S)上に噴射して被蒸着基板(S)上に薄膜が形成できるような機能を有する。ここで、前記蒸着物質は有機電界発光素子の有機膜形成物質または電極形成物質でもある。
On the other hand, the
図3は本発明の実施形態による二つの蒸発源を有する蒸発源アセンブリ30の斜視図である。この実施形態では二つの蒸発源を有する蒸発源アセンブリに関して説明するが、これに限定されず、前記蒸発源アセンブリは三つ以上の複数の蒸発源を有することができる。
FIG. 3 is a perspective view of an
図3を参照すると、本発明の実施形態による前記蒸発源アセンブリ30は外部ハウジング50の内部に第1蒸発源60と第2蒸発源70を有する。
Referring to FIG. 3, the
前記外部ハウジング50は、前記蒸発源60、70を支持する支持体として、前記蒸発源から発生する熱が外部に伝導されることを防ぐため冷却板からなっていることが好ましい。ここで、前記冷却板は冷媒を用いて前記蒸発源の内部の熱をクーリングすることができる。
The
ここで、前記外部ハウジング50は、前記蒸発源から蒸着物質が噴射される入口に蒸着物質の蒸着方向を導いてくれるガイド80aを含むシールド(shield)80を備える。これによって、前記蒸発源から放出された蒸着物質が前記シールドにより反射されて前記蒸発源アセンブリを汚染するのを防ぐことができる。また、前記蒸着物質が放射される幅を制限することができ本発明のように少なくとも二つ以上の蒸発源を有する場合にあっては、前記それぞれの蒸発源から前記基板に蒸着する領域が常に重畳されるようにして、前記基板に均一な薄膜を形成するとともに、影効果(shadow effect)を減少させることができる。
Here, the
ここで、前記シールド80は、前記外部ハウジング50から独立させて分離及び交替が可能である。また、前記シールド80は蒸着物質がその表面に付いた後、再び落ちないようにサンディング(sanding)されたステンレス鋼の物質からなるのが好ましい。これによって、前記シールドに吸着された物質が蒸着工程の際に落とされて被蒸着基板に蒸着されるのを防ぐことができる。
Here, the
一方、前記第1蒸発源60と前記第2蒸発源70とは同様な蒸着物質を有することもあり、垂直に移動しながら均一な厚さを有する薄膜を被蒸着基板上に形成することができ、特に大型基板の適用に有効である。
On the other hand, the
他方、前記第1蒸発源60と前記第2蒸発源70とは相異なる蒸着物質を有することもある。よって、蒸着工程の間に二つの蒸着物質を混合して前記被蒸着基板(S)上に蒸着するので前記被蒸着基板に形成された薄膜は均一な粗さを有することができる。すなわち、前記第1蒸発源60は被蒸着基板の一面に薄膜を形成する蒸着物質を噴射する蒸発源である。これとは異なって、第2蒸発源70は前記薄膜の特性を改善させるための添加剤を前記薄膜に含ませる蒸発源である。
On the other hand, the
このように、複数の蒸発源を有する蒸発源アセンブリにあって、均一な薄膜を形成するためには各蒸発源から放射する蒸着物質は前記被蒸着基板の同一地点に照射するように誘導するのが好ましい。これによって、均一な厚さ及び均一な粗さを有する薄膜を形成することができる。 As described above, in the evaporation source assembly having a plurality of evaporation sources, in order to form a uniform thin film, the evaporation material radiated from each evaporation source is guided to irradiate the same point of the evaporation target substrate. Is preferred. Thereby, a thin film having a uniform thickness and a uniform roughness can be formed.
図4及び図5は、本発明の実施形態による図3の蒸発源アセンブリをI−I′で切断した断面図であり、蒸着物質が被蒸着基板(S)の同一地点に照射されるように誘導する実施形態を説明するための図である。ここで、図には示されてないが、前記それぞれの蒸発源は蒸着物質を貯蔵して、一部が開口された貯蔵部と、前記貯蔵部の開口された部分と繋がって蒸着物質を噴射するノズル部と、前記ノズル部と前記貯蔵部を囲む形態のハウジングと、前記ノズル部と前記ハウジングとの間に介在されている加熱部を備えることができる。 4 and 5 are cross-sectional views taken along the line II ′ of the evaporation source assembly of FIG. 3 according to an embodiment of the present invention, so that the deposition material is irradiated to the same point of the deposition substrate (S). It is a figure for demonstrating embodiment to guide. Here, although not shown in the figure, each of the evaporation sources stores a vapor deposition material, and injects the vapor deposition material by connecting a part of the storage part opened to the part of the storage part opened. A nozzle portion, a housing surrounding the nozzle portion and the storage portion, and a heating portion interposed between the nozzle portion and the housing.
図4を参照すると、本発明の蒸発源アセンブリは外部ハウジング50が位置して、前記外部ハウジングは少なくとも一部が開口された開口部を備える二つのセルとして分けられて、第1セル50aには第1蒸発源60が支持台90によって固定されていて、第2セル50bには第2蒸発源70が支持台100によって固定されている。
Referring to FIG. 4, in the evaporation source assembly of the present invention, the
前記外部ハウジング50は、それぞれのセルに位置するガイド80aを有するシールド(shield)80を備える。この場合、前記それぞれのセルに位置するガイド80aを外部ハウジング50の水平方向に対して所定の角度で傾けることになるが、前記それぞれのセルに位置するガイド80aの延長線を前記被蒸着基板(S)の同一地点に合わせることが好ましい。これによって、前記ガイド80aの誘導に従って前記それぞれの蒸発源から吐出される蒸着物質が前記被蒸着基板(S)の同一領域(a)に蒸着できる。この場合、前記ガイド80aが前記外部ハウジングの水平方向に対して所定の角度で傾いてなかったり、前記ガイド80aが傾いていても、それぞれのセルに位置するガイド80aの延長線が一致していなかったりすれば被蒸着基板(S)の同一地点に蒸着物質を蒸着することができなくなり、均一な薄膜を形成することができない。
The
また、前記複数のセルの内いずれか一つのセルに位置するガイド80a間の幅を調節して前記蒸発源から放出する蒸着物質の蒸着幅を制御することができる。これによって、前記それぞれの蒸発源から吐出された蒸着物質が被蒸着基板の同一領域(a)を外れる領域に蒸着するのを前記シールドで遮断することができる。よって、前記それぞれの蒸発源から吐出される蒸着物質を前記被蒸着基板の同一領域(a)にさらに精巧に蒸着させることができる。
In addition, the width of the deposition material discharged from the evaporation source can be controlled by adjusting the width between the
前記シールド80は、前記外部ハウジング50に独立して分離及び交替することができる。これによって、前記シールド80が汚染された際は交替、あるいは着脱することで、洗浄し易く再び組立てて使用することができる。また、前記シールド80は手軽に分離及び交替ができるので、前記それぞれの蒸発源から吐出される蒸着物質が前記被蒸着基板(S)の同一領域上に蒸着するようにアライメントの際に多様な形態を有するシールド80を交替しながら簡単に制御することができる。
The
ここで、前記シールド80は蒸着物質がその表面に付着した後、再び落ちないようにサンディング(sanding)させたステンレス鋼の物質からなるのが好ましい。これによって、蒸着工程の際、前記シールド80から蒸着物質が落ちて前記被蒸着基板に蒸着されるのを防ぐことができて均一な薄膜を形成することができる。
Here, the
一方、前記第1蒸発源60と前記第2蒸発源70とは同様な蒸着物質を有することもあり、垂直に移動しながら均一な薄膜を基板上に蒸着することができる。
On the other hand, the
または、前記第1蒸発源60と前記第2蒸発源70とは相異なる蒸着物質を有していて、蒸着工程間に二つの蒸着物質を混合して前記被蒸着基板(S)に蒸着することができる。すなわち、前記第1蒸発源60は被蒸着基板(S)の一面に形成される薄膜を形成する蒸着物質を有する蒸発源である。これとは異なって、第2蒸発源70は前記薄膜の特性を改善するために前記薄膜に含ませる添加物を有する蒸発源である。
Alternatively, the
前記外部ハウジング50は冷媒を用いてその内部に位置する蒸発源から放出する熱が外部に放出するのを防ぐための冷却板からなる。
The
さらに、図5のように、二つの蒸発源から放出される蒸着物質が前記被蒸着基板の同一領域上に蒸着するために前記二つの蒸発源の内少なくとも一つの蒸発源の角度を調節して、前記蒸発源は蒸着物質が吐出される開口部が前記基板の同一地点(a′)に向かうようにするのがさらに好ましい。これによって、前記蒸発源から放出する蒸着物質の方向を制御することがさらに容易になる。 Further, as shown in FIG. 5, the deposition material emitted from the two evaporation sources is deposited on the same region of the deposition target substrate, and the angle of at least one of the two evaporation sources is adjusted. More preferably, the evaporation source is configured such that the opening from which the vapor deposition material is discharged is directed to the same point (a ′) of the substrate. This makes it easier to control the direction of the vapor deposition material released from the evaporation source.
この場合、前記蒸発源の角度は、角度調節手段によって調節できる。前記角度調節手段は角度調節用支持台90、100を用いることができる。よく見ると、第1蒸発源60はその両側に高さが異なる第1支持台90aと第2支持台90bからなった角度調節用支持台90に固定することによって、前記第1蒸発源を所定の角度で調節し、前記第1蒸発源から放出する蒸着物質の蒸着方向を変えることができる。
In this case, the angle of the evaporation source can be adjusted by the angle adjusting means. The angle adjusting means may use angle adjusting supports 90 and 100. If you look closely, the
また、第2蒸発源70はその両側に高さが異なる第1支持台100aと第2支持台100bからなった角度調節用支持台100によって固定することによって、前記第2蒸発源を所定の角度で調節して前記第2蒸発源から放出する蒸着物質の蒸着方向を変えることができる。
Further, the
ここで、前述のように、少なくとも一つの蒸発源の角度を調節したり、二つの蒸発源の角度を調節して前記蒸発源が前記被蒸着基板(S)の同一地点(a′)に向けたりするようにできて、結局各蒸発源から放出する蒸着物質が前記被蒸着基板(S)の同一領域(a)にさらに精巧に蒸着することができる。 Here, as described above, the angle of at least one evaporation source is adjusted, or the angle of two evaporation sources is adjusted so that the evaporation source is directed to the same point (a ′) of the deposition target substrate (S). As a result, the vapor deposition material released from each evaporation source can be more precisely deposited on the same region (a) of the deposition target substrate (S).
図6は本発明の他の実施形態による図3の蒸発源アセンブリをI−I′で切断した断面図であり、蒸着物質が被蒸着基板(S)の同一地点に照射するように誘導する実施形態を説明するための図である。この場合、本発明では二つのセルとそれぞれのセルに二つの蒸発源を備える蒸発源アセンブリに対して限定して説明しているが、前記蒸発源アセンブリは三つ以上の複数のセルと複数の蒸発源を有することができる。 FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line II ′ of the evaporation source assembly of FIG. 3 according to another embodiment of the present invention, and guides the deposition material to irradiate the same point on the deposition target substrate (S). It is a figure for demonstrating a form. In this case, the present invention is limited to an evaporation source assembly including two cells and two evaporation sources in each cell. However, the evaporation source assembly includes three or more cells and a plurality of cells. It can have an evaporation source.
図6を参照すると、本発明の蒸発源アセンブリは第1セル100aと第2セル100bとで分離された外部ハウジング100が位置する。前記第1セル100aには第1蒸発源200が位置して、前記第2セル100bには第2蒸発源300が位置する。
Referring to FIG. 6, the evaporation source assembly of the present invention includes an
前記蒸発源200、300は蒸着物質を貯蔵して、一部が開口された貯蔵部210、310と、前記貯蔵部210、310の開口された部分と繋がって蒸発された蒸着物質を噴射するノズル部220、320と、前記貯蔵部210、310及び前記ノズル部220、320を囲む形態のハウジング230、330と、前記貯蔵部210、310と前記ハウジング230、330との間に介在されている加熱部を有する構造からなる。
The
前記ノズル部220、320は、前記貯蔵部310から蒸発される蒸着物質の粒子をおおよそ垂直で立ててある被蒸着基板(S)の一面に噴射して、前記蒸着物質の粒子が前記被蒸着基板(S)の一面に蒸着、分布される形態を決める役目をする。
The
この場合、前記ノズル部220、320は前記ノズル部を成すボディー221、321と、前記ボディーを貫く貫通ホール222、322からなる。ここで、前記ノズル部を成す貫通ホール222、322を通って前記貯蔵部210、310から蒸発された蒸着物質が外部、すなわち被蒸着基板(S)に向けて放出される。ここで、前記貫通ホール222、322は前記ハウジング230、330に対して所定の角度で傾いていることもある。この場合、前記貫通ホールの傾きによって前記蒸発源から放出される蒸着物質の蒸着方向が調節できる。この場合、前記それぞれ蒸発源内に備えられた前記それぞれノズル部の貫通ホール222、322は、被蒸着基板の一地点に向いているのがさらに好ましい。これによって、前記被蒸着基板(S)に前記各蒸発源から放出した蒸着物質が同一領域(b)に蒸着できるように誘導することができ、均一な薄膜を形成することができる。
In this case, the
また、前記ノズル部220、320は、熱伝導度が優れた黒鉛(graphite)、またはこの等価物からなることができるが、本発明でその材質を限定するのではない。また、前記ノズル部220、320は、開口された形態によって蒸着物質粒子の噴射される形態が調節可能なので、前記貯蔵部210、310内の有機物の均一な蒸発が可能となるように制御することができる。
Further, the
前記貯蔵部210、310は前記被蒸着基板(S)上に蒸着しようとする蒸着物質を貯蔵する部分として、一般的にるつぼからなる。また、前記貯蔵部210、310は熱伝導度が優れた黒鉛(graphite)、またはこの等価物からなることができるが、本発明ではその材質を限定するものではない。
The
前記貯蔵部210、310からクラスタ(cluster)型の蒸着物質が飛ぶことを防ぐために前記貯蔵部の開口された一面の隣接した領域、または前記ノズル部のボディーに位置する飛び防止膜をさらに備えることができる。
In order to prevent a cluster type deposition material from flying from the
前記ハウジング(housing)220、330は、前記貯蔵部310を囲む形態となり、前記貯蔵部310を外部環境と隔離する役目をする。
The
前記加熱部240、340は前記貯蔵部210、310と前記ハウジング230、330との間に介在されて前記貯蔵部310に貯蔵された蒸着物質の蒸発ができるように加熱する役目をする。
The
また、前記蒸発源200、300は前記ハウジング230、330の内壁に付着する内部熱反射板250、350をさらに有することもできる。前記内部熱反射板250、350は前記加熱部240、340で発生される熱を反射して、前記加熱部240、340の熱効率を増加させるためのものである。
The
また、前記蒸発源200、300は前記ノズル部220、320の外部面に付着する熱遮断手段260、360をさらに備えることができる。前記熱遮断手段260、360は前記ノズル部220、320を通って熱が放出されて前記被蒸着基板(S)に影響を与えるのを防ぐ。
In addition, the
ここで、一方、前記第1蒸発源200と前記第2蒸発源300とは同様な蒸着物質を有することもあり、垂直に移動しながら均一な薄膜を被蒸着基板(S)上に蒸着することができる。または前記第1蒸発源200と前記第2蒸発源300とは相異なる蒸着物質を有していて、蒸着工程の間に二つの蒸着物質を混合して前記被蒸着基板に蒸着することができる。
Here, the
ここで、前記各蒸発源のセルに位置するガイドを有するシールド270をさらに備えることによって、前述したように、前記それぞれの蒸発源から放出される蒸着物質の蒸着方向及び蒸着幅を調節して、前記被蒸着基板の同一領域で蒸着物質が蒸着できるようにさらに精巧に誘導することができる。
Here, by further including a
これによって、前記それぞれの蒸発源から放出される蒸着物質は、前記ハウジングの水平方向に対して所定の角度で傾いた貫通ホールを介して前記被蒸着基板の同一蒸着領域(b)に蒸着される。この場合、前記被蒸着基板、または前記蒸発源アセンブリを移動させることによって、均一な薄膜を形成することができる。 As a result, the vapor deposition materials released from the respective evaporation sources are deposited in the same vapor deposition region (b) of the deposition target substrate through through holes inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal direction of the housing. . In this case, a uniform thin film can be formed by moving the deposition target substrate or the evaporation source assembly.
上述では、本発明の好ましい実施の形態を参照しながら説明したが、当該技術分野の熟練した当業者は、添付の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で、本発明を多様に修正及び変更させることができる。 Although the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the invention, those skilled in the art will recognize that the invention may be practiced without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the appended claims. Various modifications and changes can be made to the invention.
本発明は有機電界発光ディスプレーの製造に利用することができる。 The present invention can be used in the manufacture of organic electroluminescent displays.
10 蒸着装置、
20 チャンバ、
30 蒸発源アセンブリ、
40 蒸発源アセンブリ移送手段、
60、200 第1蒸発源、
70、300 第2蒸発源、
80 シールド(shield)、
90、100 角度調節支持台、
220、320 ノズル部、
221、321 貫通ホール。
10 Vapor deposition equipment,
20 chambers,
30 evaporation source assembly,
40 evaporation source assembly transfer means,
60, 200 first evaporation source,
70, 300 second evaporation source,
80 shield,
90, 100 angle adjustment support,
220, 320 nozzle part,
221 and 321 Through holes.
Claims (4)
前記それぞれの蒸発源は前記セルの開口された方向と等しい一部が開口された貯蔵部と、
前記貯蔵部の開口された部分と繋がるボディーと前記ボディーを貫く貫通ホールとを備えるノズル部と、
前記ノズル部と前記貯蔵部とを囲む形態のハウジングと、
前記ハウジングと前記貯蔵部との間に介在されている加熱部と、を備え、
前記ノズル部を成す貫通ホールは前記ハウジングの水平方向に対して所定の角度で傾き、
前記各セルの開口部の両側に位置する前記ガイドのうち、隣接する当該セルの同じ側に位置する前記ガイドの先端と、当該各セル内の前記蒸発源の前記貫通ホール先端とを結んだ延長線が同一地点に向かうことを特徴とする蒸発源アセンブリ。 An external housing including at least two or more cells each having an opening at least partially and including a shield provided on both sides of the opening of each cell and having a guide toward the deposition target substrate; and the interior of each cell. and each of the evaporation source which, only including,
Each of the evaporation sources has a reservoir that is partially opened in the same direction as the cell opening;
A nozzle part comprising a body connected to the opened part of the storage part and a through hole penetrating the body;
A housing that surrounds the nozzle part and the storage part;
A heating unit interposed between the housing and the storage unit,
The through hole forming the nozzle portion is inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal direction of the housing,
Of the guides located on both sides of the opening of each cell, an extension connecting the tip of the guide located on the same side of the adjacent cell and the tip of the through hole of the evaporation source in each cell An evaporation source assembly, characterized in that the lines go to the same point.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0018834 | 2005-03-07 | ||
KR1020050018834A KR100623730B1 (en) | 2005-03-07 | 2005-03-07 | Evaporating source assembly and deposition apparatus having the same |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005194444A Division JP4732036B2 (en) | 2005-03-07 | 2005-07-01 | Evaporation source assembly and vapor deposition apparatus using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009197336A JP2009197336A (en) | 2009-09-03 |
JP5155941B2 true JP5155941B2 (en) | 2013-03-06 |
Family
ID=36993680
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005194444A Active JP4732036B2 (en) | 2005-03-07 | 2005-07-01 | Evaporation source assembly and vapor deposition apparatus using the same |
JP2009137662A Active JP5155941B2 (en) | 2005-03-07 | 2009-06-08 | Evaporation source assembly and vapor deposition apparatus using the same |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005194444A Active JP4732036B2 (en) | 2005-03-07 | 2005-07-01 | Evaporation source assembly and vapor deposition apparatus using the same |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP4732036B2 (en) |
KR (1) | KR100623730B1 (en) |
CN (1) | CN1831185B (en) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4768584B2 (en) * | 2006-11-16 | 2011-09-07 | 財団法人山形県産業技術振興機構 | Evaporation source and vacuum deposition apparatus using the same |
JP5046882B2 (en) * | 2007-11-21 | 2012-10-10 | 三菱重工業株式会社 | In-line deposition system |
JP4880647B2 (en) * | 2008-07-01 | 2012-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Organic EL film forming apparatus and vapor deposition apparatus |
US8628617B2 (en) * | 2008-12-03 | 2014-01-14 | First Solar, Inc. | System and method for top-down material deposition |
JP4831841B2 (en) * | 2009-07-10 | 2011-12-07 | 三菱重工業株式会社 | Vacuum deposition apparatus and method |
JP5312697B2 (en) * | 2011-01-18 | 2013-10-09 | シャープ株式会社 | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
JP2012214834A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Hitachi High-Technologies Corp | Vacuum deposition apparatus, and method for manufacturing organic el display device |
KR101216530B1 (en) * | 2011-04-18 | 2012-12-31 | (주)와이에스썸텍 | Deposition Apparatus Using Linear Evaporating Source |
JP5557817B2 (en) * | 2011-09-30 | 2014-07-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Evaporation source and film forming apparatus |
KR101906358B1 (en) * | 2012-02-21 | 2018-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | Depositing apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same |
JP6291696B2 (en) * | 2014-07-28 | 2018-03-14 | 株式会社Joled | Vapor deposition apparatus and evaporation source |
CN104404451A (en) * | 2014-12-16 | 2015-03-11 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | Evaporation source and evaporation device |
JP6529257B2 (en) * | 2014-12-26 | 2019-06-12 | キヤノントッキ株式会社 | Vacuum evaporation system |
KR102567009B1 (en) * | 2016-03-29 | 2023-08-14 | (주)선익시스템 | Apparatus Restraining from Thermal Interference for Multi Source Co-Deposition |
KR102629005B1 (en) * | 2016-03-29 | 2024-01-25 | 주식회사 선익시스템 | Multi Source Mixture Ratio Supporting Apparatus for Multi Source Co-Deposition |
CN109477204B (en) * | 2016-05-10 | 2020-10-23 | 应用材料公司 | Method for operating a deposition device and deposition device |
JP2018003120A (en) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | キヤノントッキ株式会社 | Vapor deposition apparatus and evaporation source |
CN106521423A (en) * | 2016-11-28 | 2017-03-22 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | Vacuum evaporation device and method and organic light-emitting display panel |
CN107858652A (en) * | 2017-12-09 | 2018-03-30 | 四川金英科技有限责任公司 | A kind of linear evaporation source device |
CN109666898A (en) * | 2019-01-03 | 2019-04-23 | 福建华佳彩有限公司 | A kind of crucible for evaporation source |
WO2021052592A1 (en) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method of operating an evaporation source, evaporation system, and shield handling apparatus |
CN112831753A (en) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | 合肥欣奕华智能机器有限公司 | Multiple evaporation source shelters from mechanism and film evaporation equipment |
CN112742631B (en) * | 2020-12-24 | 2021-12-28 | 厦门天马微电子有限公司 | Nozzle assembly, jet printing device and jet printing method |
CN115094383B (en) * | 2022-07-01 | 2023-06-30 | 江阴纳力新材料科技有限公司 | Composite anode current collector preparation device and method based on evaporation |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57158374A (en) | 1981-03-24 | 1982-09-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Plated steel strip by vapor deposition of pb-zn binary alloy and producing device thereof |
JP4336869B2 (en) * | 2001-11-27 | 2009-09-30 | 日本電気株式会社 | Vacuum film forming apparatus, vacuum film forming method, and battery electrode manufacturing method |
KR100532657B1 (en) * | 2002-11-18 | 2005-12-02 | 주식회사 야스 | Apparatus for controlling deposition zone of homogeneously mixed layer in multi source co-deposition |
JP4493926B2 (en) * | 2003-04-25 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Manufacturing equipment |
CN1210435C (en) * | 2003-06-04 | 2005-07-13 | 深圳市创欧科技有限公司 | Evaporating and coating apparatus for making organic electroluminescent display |
CN2644433Y (en) * | 2003-07-15 | 2004-09-29 | 精碟科技股份有限公司 | Deposition equipment and screening unit thereof |
-
2005
- 2005-03-07 KR KR1020050018834A patent/KR100623730B1/en active IP Right Grant
- 2005-07-01 CN CN2005100980369A patent/CN1831185B/en active Active
- 2005-07-01 JP JP2005194444A patent/JP4732036B2/en active Active
-
2009
- 2009-06-08 JP JP2009137662A patent/JP5155941B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1831185A (en) | 2006-09-13 |
KR100623730B1 (en) | 2006-09-14 |
JP2006249572A (en) | 2006-09-21 |
CN1831185B (en) | 2010-05-05 |
JP2009197336A (en) | 2009-09-03 |
JP4732036B2 (en) | 2011-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5155941B2 (en) | Evaporation source assembly and vapor deposition apparatus using the same | |
JP2011132596A (en) | Evaporation source and vapor-deposition apparatus using the same | |
JP2006152440A (en) | Evaporation source and vapor deposition apparatus provided with it | |
KR101942471B1 (en) | Depositing apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same | |
KR20060060994A (en) | Deposition source and deposition apparatus therewith | |
KR101256193B1 (en) | Thin layers deposition apparatus and linear type evaporator using thereof | |
JP2018538430A (en) | Method of operating a deposition apparatus, method of depositing evaporated source material on a substrate, and deposition apparatus | |
KR102046441B1 (en) | Depositing apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same | |
KR101885245B1 (en) | Depositing apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same | |
KR20160112293A (en) | Evaporation source and Deposition apparatus including the same | |
JP6633185B2 (en) | Material deposition apparatus, vacuum deposition system and method therefor | |
JP2023002518A (en) | Evaporation source and method for depositing evaporated material | |
TWI625415B (en) | Deposition apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same | |
KR20140019579A (en) | Evaporation apparatus | |
KR102608846B1 (en) | Deposition sorce and method of manufacturing the same | |
KR102005835B1 (en) | Linear evaporation source having slit nozzle, and apparatus having the same | |
JP2003317948A (en) | Evaporation source and thin film formation device using the same | |
KR20190134367A (en) | Angle controlling plate for deposition and deposition apparatus including the same | |
CN111378933B (en) | Evaporation source, evaporation source system | |
KR100637180B1 (en) | Method of deposition and deposition apparatus for that method | |
KR100647578B1 (en) | Apparatus and Method for evaporation | |
KR20170057646A (en) | Apparatus of deposition having radiation angle controlling plate | |
JP2020521039A (en) | Evaporation source for depositing evaporated material, vacuum deposition system, and method for depositing evaporated material | |
JP5557700B2 (en) | Vapor deposition apparatus and organic EL device manufacturing method | |
TWI816883B (en) | Deposition apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121207 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5155941 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |