JP6291696B2 - Vapor deposition apparatus and evaporation source - Google Patents

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Description

本発明は、蒸着材料の蒸気を複数の吐出口から真空チャンバ内に配された蒸着対象物に吐出させる蒸着源を備えた蒸着装置に関する。   The present invention relates to a vapor deposition apparatus provided with a vapor deposition source that discharges vapor of a vapor deposition material from a plurality of discharge ports to a vapor deposition object disposed in a vacuum chamber.

近年、有機ＥＬパネルをはじめとするフラットディスプレイパネルにおいて、大型のディスプレイを高品質で製造する技術が求められている。
ディスプレイパネルを製造する工程の中に、基板に蒸着材料を蒸着することによって電極などの薄層を形成する工程が存在する。この蒸着工程では、一般に蒸着装置の真空チャンバ内に基板を配置して、蒸着源から蒸着材料の蒸気を放出することによって基板上に蒸着材料の薄層を形成する。 In recent years, in flat display panels such as organic EL panels, a technique for manufacturing a large display with high quality has been demanded.
Among processes for manufacturing a display panel, there is a process for forming a thin layer such as an electrode by depositing a deposition material on a substrate. In this vapor deposition process, generally, a substrate is placed in a vacuum chamber of a vapor deposition apparatus, and vapor of the vapor deposition material is released from a vapor deposition source to form a thin layer of the vapor deposition material on the substrate.

大型の基板に対して蒸着を行う場合には、基板の幅よりも長いライン状の蒸発源（ラインソース）を用い、基板をラインソースの上を搬送させて蒸着膜を形成する方法も知られている。このラインソースを用いれば、その長手方向に比較的均一な膜厚が得られるが、ラインソースの長手方向において温度ばらつき等が生じると、蒸発レートが均一でなくなり、均一的な膜厚が得られない場合もある。   When vapor deposition is performed on a large substrate, a method of forming a vapor deposition film by using a linear evaporation source (line source) longer than the width of the substrate and transporting the substrate over the line source is also known. ing. If this line source is used, a relatively uniform film thickness can be obtained in the longitudinal direction. However, if temperature variations occur in the longitudinal direction of the line source, the evaporation rate is not uniform, and a uniform film thickness can be obtained. There may be no.

これに対して、特許文献１に示されるように、真空チャンバ内に設置する蒸着源において、坩堝を坩堝ケースに収容し、坩堝ケースの蓋体に設けた複数の吐出口から蒸着材料の蒸気を吐出させる方式も提案されている。
このように蓋体に設けた複数の吐出口から蒸着材料の蒸気を放出させる方式をラインソースに適用することによって、蒸発した蒸着材料が坩堝ケースの内部に充満し、複数の吐出口から均一的な圧力で噴出されるので、ラインソースの長手方向に温度ばらつきが生じても、均一的な蒸発レートが得られ、均一的な薄膜を基板に形成することができる。 On the other hand, as shown in Patent Document 1, in a vapor deposition source installed in a vacuum chamber, a crucible is accommodated in a crucible case, and vapor of a vapor deposition material is emitted from a plurality of discharge ports provided in the lid of the crucible case. A method of discharging is also proposed.
By applying a method for releasing vapor of the vapor deposition material from the plurality of discharge ports provided in the lid to the line source in this way, the evaporated vapor deposition material fills the inside of the crucible case and is uniformly distributed from the plurality of discharge ports. Since it is ejected at a proper pressure, even if temperature variation occurs in the longitudinal direction of the line source, a uniform evaporation rate can be obtained, and a uniform thin film can be formed on the substrate.

特開２００７−１８６７８７号公報JP 2007-186787 A

上記のように坩堝が坩堝ケースに収納された蒸着源を備える蒸着装置を用いて蒸着を行う工程では、坩堝内の蒸着材料は徐々に減っていくので、坩堝に蒸着材料を適宜補充することが必要である。
坩堝に蒸着材料を補充するときには、蒸着を停止して、蒸着源の温度を下げ、収納ケースから坩堝を取り出して蒸着材料の補充を行う。 In the process of vapor deposition using the vapor deposition apparatus provided with the vapor deposition source housed in the crucible case as described above, the vapor deposition material in the crucible gradually decreases. is necessary.
When refilling the crucible with the vapor deposition material, the vapor deposition is stopped, the temperature of the vapor deposition source is lowered, the crucible is taken out from the storage case, and the vapor deposition material is replenished.

そのため坩堝ケースは、坩堝を出し入れできる構造になっているが、蒸発した蒸着材料が坩堝ケース内で固化して坩堝と坩堝ケースとを固着することによって坩堝を坩堝ケースから取り出せなくなる事態が生じることがある。
本発明は、上記課題に鑑み、坩堝を収納する坩堝ケースが設けられ、蒸着材料の蒸気を真空チャンバ内に吐出させる複数の吐出口が形成された蓋が坩堝ケースに取付けられている蒸着装置において、坩堝を坩堝ケースから引き出せなくなる事態が生じるのを抑えることを目的とする。 For this reason, the crucible case has a structure in which the crucible can be taken in and out, but the situation where the evaporated crucible is solidified in the crucible case and the crucible and the crucible case are fixed and the crucible cannot be taken out from the crucible case may occur. is there.
In view of the above problems, the present invention provides a vapor deposition apparatus in which a crucible case for housing a crucible is provided, and a lid on which a plurality of discharge ports for discharging vapor of a vapor deposition material is discharged into a vacuum chamber is attached to the crucible case. An object is to suppress the occurrence of a situation where the crucible cannot be pulled out of the crucible case.

上記目的を達成するため、本発明の一態様にかかる真空蒸着装置は、真空チャンバと、真空チャンバ内に配される蒸着対象物に蒸着材料の蒸気を放出する蒸発源とを備え、蒸発源は、蒸着材料を収容する坩堝と、坩堝を収納する凹空間を有するケース本体、及び、ケース本体の開口部を覆い坩堝に収容された蒸着材料の蒸気を真空チャンバ内に吐出させる複数の吐出口が開設された蓋体からなる坩堝ケースを有している。そして、坩堝及び坩堝ケースの一方には、複数箇所において支持凸部が設けられ、各支持凸部の頂部が坩堝及び坩堝ケースの他方に当接した状態で、坩堝が坩堝ケースに支持されている。
ここで、複数箇所に設けられた支持凸部の各々が坩堝及び坩堝ケースの他方に接触する接触面を、凹空間の底面に沿ったいずれか一方向に切断した切断線の最大長さが５ｍｍ以下となるようにしている。 In order to achieve the above object, a vacuum vapor deposition apparatus according to an aspect of the present invention includes a vacuum chamber and an evaporation source that discharges vapor of a vapor deposition material to a vapor deposition object disposed in the vacuum chamber, A crucible for storing the vapor deposition material, a case main body having a concave space for accommodating the crucible, and a plurality of discharge ports for covering the opening of the case main body and discharging vapor of the vapor deposition material stored in the crucible into the vacuum chamber. It has a crucible case made of an established lid. One of the crucible and the crucible case is provided with support convex portions at a plurality of locations, and the crucible is supported by the crucible case with the top of each support convex portion in contact with the other of the crucible and the crucible case. .
Here, the maximum length of the cutting line obtained by cutting the contact surface where each of the supporting convex portions provided at a plurality of locations contacts the other of the crucible and the crucible case in any one direction along the bottom surface of the concave space is 5 mm. The following is set.

上記態様の蒸着装置においては、坩堝及び坩堝ケースの一方における複数箇所に設けられた各支持凸部の頂部が、坩堝及び坩堝ケースの他方に当設した状態で、坩堝は坩堝ケースに支持される。従って、支持凸部が形成された複数個所以外の領域では、坩堝と坩堝ケースとの間に隙間が確保されるので、蒸着材料による固着を避けることができる。
また、各支持凸部の頂部が坩堝及び坩堝ケースの他方に接触する接触面を、凹空間の底面に沿ったいずれか一方向に切断した切断線の最大長さが５ｍｍ以下となるようにしているので、この複数の接触個所において蒸着材料が固着したとしても、小さな力で引き剥がすことができる。 In the vapor deposition apparatus of the above aspect, the crucible is supported by the crucible case with the tops of the respective support protrusions provided at a plurality of locations in one of the crucible and the crucible case being in contact with the other of the crucible and the crucible case. . Therefore, in a region other than the plurality of places where the support convex portions are formed, a gap is secured between the crucible and the crucible case, so that sticking due to the vapor deposition material can be avoided.
In addition, the maximum length of the cutting line obtained by cutting the contact surface where the top of each supporting convex portion contacts the other of the crucible and the crucible case in any one direction along the bottom surface of the concave space is 5 mm or less. Therefore, even if the vapor deposition material adheres at the plurality of contact points, it can be peeled off with a small force.

よって、坩堝を坩堝ケースから引き出せなくなる事態が生じるのを抑えることができる。   Therefore, it is possible to suppress a situation in which the crucible cannot be pulled out from the crucible case.

実施の形態に係る蒸着装置の構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the vapor deposition apparatus which concerns on embodiment. 蒸着装置内において基板に蒸着材料が蒸着される様子を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows a mode that vapor deposition material is vapor-deposited on a board | substrate in a vapor deposition apparatus. 実施の形態１にかかる蒸着源６の構成を示す斜視図である。2 is a perspective view showing a configuration of a vapor deposition source 6 according to Embodiment 1. FIG. （ａ）は収納ケース２０の構成を示す分解斜視図、（ｂ）は、実施の形態１にかかる坩堝１０を底面側から見た斜視図、（ｃ）は実施の形態２にかかる坩堝１０を底面側から見た斜視図である。(A) is the disassembled perspective view which shows the structure of the storage case 20, (b) is the perspective view which looked at the crucible 10 concerning Embodiment 1 from the bottom face side, (c) is the crucible 10 concerning Embodiment 2. It is the perspective view seen from the bottom face side. （ａ）は実施の形態１に係る蒸着源の断面模式図、（ｂ）は比較例に係る蒸着源の断面模式図である。(A) is a cross-sectional schematic diagram of the vapor deposition source which concerns on Embodiment 1, (b) is a cross-sectional schematic diagram of the vapor deposition source which concerns on a comparative example. （ａ），（ｂ）は実施の形態２に係る蒸着源の断面模式図である。(A), (b) is a cross-sectional schematic diagram of the vapor deposition source which concerns on Embodiment 2. FIG. （ａ）は、本実施の形態３にかかる蒸発源の構成を示す斜視図、（ｂ）は坩堝ケースの分解斜視図である。(A) is a perspective view which shows the structure of the evaporation source concerning this Embodiment 3, (b) is an exploded perspective view of a crucible case. （ａ），（ｂ）は、実施の形態３に係る蒸着源の断面模式図である。(A), (b) is a cross-sectional schematic diagram of the vapor deposition source which concerns on Embodiment 3. FIG. （ａ）は実施の形態にかかる蒸着源の温度プロファイルの一例、（ｂ）は比較例にかかる蒸着源の温度プロファイルの一例である。(A) is an example of the temperature profile of the vapor deposition source concerning Embodiment, (b) is an example of the temperature profile of the vapor deposition source concerning a comparative example. 変形例にかかる蒸着装置１の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the vapor deposition apparatus 1 concerning a modification. （ａ）〜（ｇ）は、支持凸部１３の頂部が底板２１ａの上面と接触する接触面の形状の具体例及びその接触面を一方向に切断した切断線を示す図である。(A)-(g) is a figure which shows the specific example of the shape of the contact surface which the top part of the support convex part 13 contacts with the upper surface of the bottom plate 21a, and the cutting line which cut | disconnected the contact surface to one direction.

［発明に到った経緯］
発明者は、従来の蒸着装置において、坩堝を坩堝ケースから引き出せなくなる事態が生じる原因について以下のように考察した。
坩堝が坩堝ケースに収納された蒸発源においては、一般に坩堝及び坩堝ケースは熱伝導性の材料で形成し、坩堝ケースの周囲に設けたヒータで加熱するようになっている。そして、坩堝ケースと坩堝との間での熱伝導性を確保するために、両者をできるだけ広く面接触させる構造とするのが一般的であった。 [Background to Invention]
The inventor considered the cause of the situation in which the crucible cannot be pulled out of the crucible case in the conventional vapor deposition apparatus as follows.
In an evaporation source in which a crucible is housed in a crucible case, the crucible and the crucible case are generally formed of a heat conductive material and heated by a heater provided around the crucible case. And in order to ensure the thermal conductivity between the crucible case and the crucible, it is common to have a structure in which both are in surface contact as widely as possible.

ここで、坩堝ケースにおける蓋体の吐出口から蒸着材料を吐出させるタイプでは、坩堝から蒸発した蒸着材料の蒸気が坩堝ケースの内部に充満し、また、坩堝と坩堝ケースとが面接触している領域にも微視的に見ると微細な隙間が存在するため、その微細な隙間にも蒸着材料が入り込む。
従って、蒸着材料を補充するために蒸着を停止して、ヒータの温度を下げていくと、この微細な隙間に入り込んだ蒸着材料が固化して坩堝と坩堝ケースとを固着してしまうことがあり、それが、坩堝を坩堝ケースから引き出せなせなくする要因になっていることがわかった。 Here, in the type in which the vapor deposition material is discharged from the discharge port of the lid in the crucible case, the vapor of the vapor deposition material evaporated from the crucible is filled inside the crucible case, and the crucible and the crucible case are in surface contact. Microscopic gaps also exist in the region when viewed microscopically, so that the vapor deposition material enters the fine gaps.
Therefore, when vapor deposition is stopped to replenish the vapor deposition material and the temperature of the heater is lowered, the vapor deposition material that has entered this fine gap may solidify and the crucible and crucible case may be fixed. It has been found that this is a factor that prevents the crucible from being pulled out of the crucible case.

特に蒸着材料が金属を含む場合には、固化した金属が坩堝と坩堝ケースとを強固に固着するので、それを引き剥がす作業も大変である。
また、坩堝ケースにおける蓋体の吐出口から蒸着材料を吐出させるタイプにおいては、温度上昇時に、水分などの不純物ガスが蒸着材料から放出されることによって内部圧力が高くなるため、坩堝と坩堝ケースとが蒸着材料によってより強固に固着しやすいこともわかった。 In particular, when the vapor deposition material includes a metal, the solidified metal firmly fixes the crucible and the crucible case, and the work of peeling it off is also difficult.
In the type in which the vapor deposition material is discharged from the discharge port of the lid in the crucible case, when the temperature rises, the internal pressure increases due to the release of impurity gas such as moisture from the vapor deposition material. It was also found that the material is more firmly fixed by the vapor deposition material.

このような知見に基づくと、坩堝と坩堝ケースとの固着を防止するには、坩堝と坩堝ケースとを非接触にして、両者の間に広く隙間を確保すればよいと考えられる。
しかし、坩堝には重力がかかるので、坩堝ケースによって坩堝を鉛直方向に支持する構造は必要と考えられる。
そこで、坩堝ケースによって坩堝を鉛直方向に支持し、且つ、できるだけ坩堝と坩堝ケースとの間の接触を少なくして両者の間に広い領域で隙間を確保できるような構成を実現することを検討して、本発明に到った。 Based on such knowledge, in order to prevent the crucible and the crucible case from sticking, it is considered that the crucible and the crucible case are not in contact with each other and a wide gap is secured between them.
However, since the crucible is subjected to gravity, a structure that supports the crucible in the vertical direction by the crucible case is considered necessary.
Therefore, it was considered to realize a configuration in which the crucible case is supported in the vertical direction by the crucible case and the gap between the crucible and the crucible case is reduced as much as possible to ensure a gap in a wide area. The present invention has been reached.

[発明の態様]
本発明の一態様にかかる真空蒸着装置は、真空チャンバと、真空チャンバ内に配される蒸着対象物に蒸着材料の蒸気を放出する蒸発源とを備え、蒸発源は、蒸着材料を収容する坩堝と、坩堝を収納する凹空間を有するケース本体、及び、ケース本体の開口部を覆い坩堝に収容された蒸着材料の蒸気を真空チャンバ内に吐出させる複数の吐出口が開設された蓋体からなる坩堝ケースを有している。そして、坩堝及び坩堝ケースの一方には、複数箇所において支持凸部が設けられ、各支持凸部の頂部が坩堝及び坩堝ケースの他方に当接した状態で、坩堝が坩堝ケースに支持されている。 [Aspect of the Invention]
A vacuum vapor deposition apparatus according to an aspect of the present invention includes a vacuum chamber and an evaporation source that discharges vapor of a vapor deposition material to a vapor deposition target disposed in the vacuum chamber, and the evaporation source stores a vapor deposition material. And a case main body having a concave space for housing the crucible, and a lid having a plurality of outlets for covering the opening of the case main body and discharging vapor of the vapor deposition material stored in the crucible into the vacuum chamber. It has a crucible case. One of the crucible and the crucible case is provided with support convex portions at a plurality of locations, and the crucible is supported by the crucible case with the top of each support convex portion in contact with the other of the crucible and the crucible case. .

ここで、複数箇所に設けられた支持凸部の各々が坩堝及び坩堝ケースの他方に接触する接触面を、凹空間の底面に沿ったいずれか一方向に切断した切断線の最大長さが５ｍｍ以下となるようにしている。
上記態様の真空蒸着装置によれば、坩堝及び坩堝ケースの一方において複数箇所に形成された各支持凸部の頂部が坩堝及び坩堝ケースの他方に当接した状態で、坩堝が坩堝ケースに支持される。従って、支持凸部が形成された複数個所以外の領域では、坩堝と坩堝ケースとの間に隙間が確保されるので、蒸着材料による固着を避けることができる。 Here, the maximum length of the cutting line obtained by cutting the contact surface where each of the supporting convex portions provided at a plurality of locations contacts the other of the crucible and the crucible case in any one direction along the bottom surface of the concave space is 5 mm. The following is set.
According to the vacuum vapor deposition apparatus of the above aspect, the crucible is supported by the crucible case with the tops of the support protrusions formed at a plurality of locations in one of the crucible and the crucible case in contact with the other of the crucible and the crucible case. The Therefore, in a region other than the plurality of places where the support convex portions are formed, a gap is secured between the crucible and the crucible case, so that sticking due to the vapor deposition material can be avoided.

また、各支持凸部の頂部が坩堝及び坩堝ケースの他方に接触する接触面は、凹空間の底面に沿ったいずれか一方向に切断した最大長さが、５ｍｍ以下と短いので、この複数の接触個所において蒸着材料が固着したとしても、小さな力で引き剥がすことができる。
従って、坩堝を坩堝ケースから引き出せなくなる事態が生じるのを抑えることができる。 In addition, the contact surface where the top of each support convex part contacts the other of the crucible and the crucible case has a maximum length cut in one direction along the bottom surface of the concave space, which is as short as 5 mm or less. Even if the vapor deposition material adheres at the contact point, it can be peeled off with a small force.
Therefore, it is possible to suppress a situation in which the crucible cannot be pulled out from the crucible case.

上記態様の真空蒸着装置において、以下のようにしてもよい。
支持凸部を、坩堝の底面又はケース本体の凹空間の底面に分散して形成する。
ここで、支持凸部が形成されている箇所を除いた領域において、坩堝の底面と凹空間の底面との間隙を２ｍｍ以上確保する。
坩堝には、その側面から外方に広がる鍔部を設け、ケース本体の内側面には、鍔部を支持するための鍔保持部を設け、複数の支持凸部を、鍔部又は鍔保持部に分散して形成する。 In the vacuum deposition apparatus of the above aspect, the following may be performed.
The supporting convex portions are formed in a distributed manner on the bottom surface of the crucible or the bottom surface of the concave space of the case body.
Here, in the region excluding the place where the support convex portion is formed, a gap of 2 mm or more is secured between the bottom surface of the crucible and the bottom surface of the concave space.
The crucible is provided with a flange extending outward from the side surface thereof, and an inner surface of the case body is provided with a flange holding portion for supporting the flange portion, and the plurality of supporting convex portions are connected to the flange portion or the flange holding portion. It is dispersed and formed.

ここで、坩堝の底面と凹空間の底面との間隙を２ｍｍ以上確保する。
坩堝の側面又はケース本体の内側面に、複数の補助凸部を分散して形成する。
蒸着材料を室温から蒸着温度まで加熱昇温させるときに、蒸着材料から不純物ガスが放出される温度まで第１の温度勾配で昇温し、その後、第１の温度勾配よりも緩やかな第２の温度勾配を保った後、蒸着温度まで昇温する。 Here, a gap of 2 mm or more is secured between the bottom surface of the crucible and the bottom surface of the concave space.
A plurality of auxiliary convex portions are formed in a dispersed manner on the side surface of the crucible or the inner side surface of the case body.
When the temperature of the vapor deposition material is raised from room temperature to the vapor deposition temperature, the temperature is raised with a first temperature gradient to a temperature at which the impurity gas is released from the vapor deposition material, and then the second temperature which is gentler than the first temperature gradient. After maintaining the temperature gradient, the temperature is raised to the deposition temperature.

上記接触面は、坩堝をケース本体から取り出すときに坩堝をスライドさせる方向と直交する方向に切断した切断線の最大長さが、５ｍｍ以下となるようしてもよい。
上記目的を達成するため、本発明の一態様にかかる蒸発源は、蒸着材料を収容する坩堝と、坩堝を収納する凹空間を有するケース本体、及び、ケース本体の開口部を覆い前記坩堝に収容された蒸着材料の蒸気を真空チャンバ内に吐出させる複数の吐出口が開設された蓋体からなる坩堝ケースと、坩堝内の蒸着材料を加熱して蒸発させるヒータとを有している。そして、坩堝及び坩堝ケースの一方には、複数箇所において支持凸部が設けられ、各支持凸部の頂部が坩堝及び坩堝ケースの他方に当接した状態で、坩堝が坩堝ケースに支持されている。ここで、複数箇所に設けられた支持凸部の各々が坩堝及び坩堝ケースの他方に接触する接触面を、凹空間の底面に沿ったいずれか一方向に切断した切断線の最大長さが５ｍｍ以下となるようにした。 The contact surface may have a maximum length of a cutting line cut in a direction perpendicular to a direction in which the crucible is slid when the crucible is taken out of the case body to 5 mm or less.
In order to achieve the above object, an evaporation source according to one embodiment of the present invention includes a crucible for storing a vapor deposition material, a case main body having a concave space for storing the crucible, and an opening of the case main body, which is accommodated in the crucible. A crucible case made of a lid having a plurality of outlets for discharging vapor of the deposited material into the vacuum chamber; and a heater for heating and evaporating the deposited material in the crucible. One of the crucible and the crucible case is provided with support convex portions at a plurality of locations, and the crucible is supported by the crucible case with the top of each support convex portion in contact with the other of the crucible and the crucible case. . Here, the maximum length of the cutting line obtained by cutting the contact surface where each of the supporting convex portions provided at a plurality of locations contacts the other of the crucible and the crucible case in any one direction along the bottom surface of the concave space is 5 mm. It was made to become the following.

［実施の形態］
発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態２，３において、実施の形態１と同様の構成要素については、図面において、同一の符号を付することによってその説明を省略することもある。
[実施の形態１]
図１は、実施の形態に係る蒸着装置の構造を示す模式図である。 [Embodiment]
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the second and third embodiments, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals in the drawings, and the description thereof may be omitted.
[Embodiment 1]
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a structure of a vapor deposition apparatus according to an embodiment.

(蒸着装置１)
蒸着装置１は、基板１００の表面に蒸着材料を蒸着する装置である。
図１に示すように、蒸着装置１は、真空チャンバ２を備えている。真空チャンバ２における排気口３には真空ポンプ（不図示）が接続され、真空チャンバ２の中を真空に維持できるようになっている。 (Vapor deposition equipment 1)
The vapor deposition apparatus 1 is an apparatus that deposits a vapor deposition material on the surface of the substrate 100.
As shown in FIG. 1, the vapor deposition apparatus 1 includes a vacuum chamber 2. A vacuum pump (not shown) is connected to the exhaust port 3 in the vacuum chamber 2 so that the inside of the vacuum chamber 2 can be maintained in a vacuum.

真空チャンバ２の内部空間は、仕切板４によって上下に仕切られ、仕切板４の上は蒸着対象物である基板１００が配される空間となっている。
真空チャンバ２の側壁には、基板１００を真空チャンバ２内に搬入する搬入口５ａと、基板１００を真空チャンバ２から搬出する搬出口５ｂが設けられている。基板１００は搬送手段によって、搬入口５ａから真空チャンバ２内に搬入されて、仕切板４上を白抜矢印の方向（Ｘ方向）に搬送されて、搬出口５ｂから搬出される。 The internal space of the vacuum chamber 2 is partitioned up and down by a partition plate 4, and the partition plate 4 is a space on which a substrate 100 that is a deposition target is disposed.
On the side wall of the vacuum chamber 2, a carry-in port 5 a for carrying the substrate 100 into the vacuum chamber 2 and a carry-out port 5 b for carrying the substrate 100 out of the vacuum chamber 2 are provided. The substrate 100 is carried into the vacuum chamber 2 from the carry-in port 5a by the carrying means, is carried on the partition plate 4 in the direction of the white arrow (X direction), and is carried out from the carry-out port 5b.

真空チャンバ２内における仕切板４の下方には、蒸着材料を加熱蒸発させてその蒸気を放出する蒸着源６が設置されている。
蒸着源６から放出させる蒸着材料の蒸気は、例えば、有機ＥＬ素子の電極や機能層を形成する物質であって、無機物あるいは有機物の蒸気である。
無機物としては、例えば、陰極を形成するアルミニウム（Ａｌ）をはじめとして、バリウム（Ｂａ），ニッケル（Ｎｉ），リチウム（Ｌｉ），マグネシウム（Ｍｇ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ）などの金属材料、あるいは、Ｃｒ2Ｏ3、ＭｇＦ2、ＳｉＯなどの金属化合物材料が挙げられる。有機物としては、例えば、有機ＥＬ素子の機能層を形成する材料であるジアミン、ＴＰＤ、クマリン、キナクリドンが挙げられる。 Below the partition plate 4 in the vacuum chamber 2, a vapor deposition source 6 is installed for heating and evaporating the vapor deposition material and releasing the vapor.
The vapor | steam of the vapor deposition material discharge | released from the vapor deposition source 6 is a substance which forms the electrode and functional layer of an organic EL element, for example, Comprising: It is a vapor | steam of an inorganic substance or organic substance.
Examples of inorganic materials include aluminum (Al) forming a cathode, and metals such as barium (Ba), nickel (Ni), lithium (Li), magnesium (Mg), gold (Au), and silver (Ag). Materials or metal compound materials such as Cr 2 O 3 , MgF 2 , and SiO can be used. Examples of the organic material include diamine, TPD, coumarin, and quinacridone, which are materials that form a functional layer of an organic EL element.

仕切板４には、この蒸着源６から放出される蒸着材料の蒸気が通過する窓４ａが開設され、この窓４ａはシャッタ７によって開閉できるようになっている。
このような蒸着装置１において、シャッタ７を開いた状態で、蒸着源６から蒸着材料の蒸気を放出しながら、基板１００を搬送することによって、蒸着源６から放出される蒸気が窓４ａを通って、基板１００の下面に蒸着される。 The partition plate 4 is provided with a window 4 a through which vapor of the vapor deposition material discharged from the vapor deposition source 6 passes. The window 4 a can be opened and closed by a shutter 7.
In such a vapor deposition apparatus 1, the vapor emitted from the vapor deposition source 6 passes through the window 4 a by transporting the substrate 100 while releasing the vapor of the vapor deposition material from the vapor deposition source 6 with the shutter 7 opened. Then, it is deposited on the lower surface of the substrate 100.

真空チャンバ２の内部には、蒸着源６から基板１００に向けて蒸着材料が単位時間当たりに供給される量（蒸発レート）を測定するセンサ８が設置されている。
このセンサ８で測定する蒸着材料の蒸発レートを参照することによって、基板１００を搬送する速度などが設定される。
なお、蒸着材料を基板１００にパターン蒸着する場合には、パターンが形成されたマスクを基板１００の下面側に設けて蒸着を行う。 Inside the vacuum chamber 2, a sensor 8 that measures the amount (evaporation rate) of vapor deposition material supplied per unit time from the vapor deposition source 6 toward the substrate 100 is installed.
By referring to the evaporation rate of the vapor deposition material measured by the sensor 8, the speed at which the substrate 100 is conveyed is set.
Note that in the case where the evaporation material is pattern-deposited on the substrate 100, the mask on which the pattern is formed is provided on the lower surface side of the substrate 100 to perform evaporation.

図２は、蒸着装置１内において基板１００に蒸着材料が蒸着される様子を示す模式図である。当図において窓４ａは開放された状態である。
図２に示すように、蒸着源６は、搬送方向（Ｘ方向）と直交する幅方向（Ｙ方向）に伸長する長尺状の蒸着源（ラインソース）である。
基板１００は白抜矢印の方向に搬送されながら、蒸着源６からの蒸着材料の蒸気が窓４ａを通って基板１００の下面に蒸着される
（蒸着源６の構成）
図３は、蒸着源６の構成を示す斜視図である。 FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a state in which a deposition material is deposited on the substrate 100 in the deposition apparatus 1. In this figure, the window 4a is open.
As shown in FIG. 2, the vapor deposition source 6 is a long vapor deposition source (line source) that extends in the width direction (Y direction) orthogonal to the transport direction (X direction).
While the substrate 100 is conveyed in the direction of the white arrow, the vapor of the vapor deposition material from the vapor deposition source 6 is vapor-deposited on the lower surface of the substrate 100 through the window 4a (Configuration of the vapor deposition source 6).
FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of the vapor deposition source 6.

蒸着源６は、蒸着材料１０１を収納する坩堝１０と、その坩堝１０を収納する坩堝ケース２０と、坩堝ケース２０の周囲と下側に取り付けられたヒータ３０とを備え、坩堝ケース２０及びヒータ３０は真空チャンバ２の下空間に取り付けられている。
坩堝１０は、蒸着材料１０１が収納される長尺状の容器であって、長方形状の底板１１と側板１２とを有し、その上面側は開放されている。 The evaporation source 6 includes a crucible 10 that stores the evaporation material 101, a crucible case 20 that stores the crucible 10, and a heater 30 that is attached to the periphery and the lower side of the crucible case 20. Is attached to the lower space of the vacuum chamber 2.
The crucible 10 is an elongate container in which the vapor deposition material 101 is accommodated, and has a rectangular bottom plate 11 and a side plate 12, and an upper surface side thereof is open.

坩堝１０は、例えば、ステンレス板材を直方体状に成型することによって作製することができる。坩堝１０を作製する素材としては、ステンレス板の他に、カーボン、チタン、タンタル、モリブデンなどの板材を用いることもできる。
坩堝１０の底板１１には、坩堝ケース２０と固着されるのを抑えるために複数の支持凸部１３が設けられている（図４（ｂ）参照）。この複数の支持凸部１３については後で詳述する。 The crucible 10 can be produced, for example, by molding a stainless steel plate into a rectangular parallelepiped shape. As a material for producing the crucible 10, plate materials such as carbon, titanium, tantalum, and molybdenum can be used in addition to the stainless steel plate.
A plurality of support protrusions 13 are provided on the bottom plate 11 of the crucible 10 to prevent the crucible case 20 from being fixed (see FIG. 4B). The plurality of support convex portions 13 will be described in detail later.

坩堝ケース２０は、長尺の直方体形状であって、その内部に坩堝１０を収納することができるようになっている。
図４（ａ）は、坩堝ケース２０の構成を示す分解斜視図である。
坩堝ケース２０は、坩堝１０を収納する凹空間２１ｃを有する長尺直方体状のケース本体２１と、凹空間２１ｃの開口を覆う蓋体２２と、ケース本体２１の一端開口部を開閉する開閉扉２４とからなり、蓋体２２には複数の吐出口２３が列設されている。 The crucible case 20 has a long rectangular parallelepiped shape and can accommodate the crucible 10 therein.
FIG. 4A is an exploded perspective view showing the configuration of the crucible case 20.
The crucible case 20 includes an elongated rectangular parallelepiped case main body 21 having a concave space 21 c for housing the crucible 10, a lid body 22 that covers the opening of the concave space 21 c, and an open / close door 24 that opens and closes one end opening of the case main body 21. The lid 22 has a plurality of discharge ports 23 arranged in a row.

ケース本体２１、蓋体２２、開閉扉２４はそれぞれ、金属板（例えばステンレス板）を成形することによって作製されている。
ケース本体２１は、長方形状の底板２１ａと側板２１ｂとを有し、開閉扉２４はケース本体２１におけるＹ方向一端側の開口部にヒンジなどで開閉可能に取り付けられている。
上記の凹空間２１ｃは、底板２１ａ、側板２１ｂ、開閉扉２４によって囲まれた空間であって、Ｘ，Ｙ，Ｚの各方向において坩堝１０よりも若干大きいサイズを有し、坩堝１０全体を収納できるようになっている。凹空間２１ｃを塞ぐ蓋体２２は側板２１ｂの上にネジなどで固定されている。 The case main body 21, the lid body 22, and the open / close door 24 are each formed by molding a metal plate (for example, a stainless steel plate).
The case main body 21 has a rectangular bottom plate 21a and a side plate 21b, and the open / close door 24 is attached to an opening on one end side in the Y direction of the case main body 21 by a hinge or the like.
The concave space 21c is a space surrounded by the bottom plate 21a, the side plate 21b, and the opening / closing door 24, and has a size slightly larger than the crucible 10 in each of the X, Y, and Z directions, and accommodates the entire crucible 10. It can be done. The lid 22 that closes the concave space 21c is fixed on the side plate 21b with screws or the like.

ヒータ３０は、ケース本体２１の底板２１ａ及び側版２１ｂの外面下部を覆うように設置されている。このヒータ３０は、例えばシース型ヒータ３１がヒータケース３２に収納されて構成されている。
ヒータ３０には、ヒータコントローラ４０が接続されている。また、坩堝ケース２０には蒸着源６の温度を測定する温度センサ４１が取り付けられている。 The heater 30 is installed so as to cover the bottom plate 21a of the case body 21 and the lower outer surface of the side plate 21b. The heater 30 is configured by housing a sheath type heater 31 in a heater case 32, for example.
A heater controller 40 is connected to the heater 30. A temperature sensor 41 for measuring the temperature of the vapor deposition source 6 is attached to the crucible case 20.

そして、ヒータコントローラ４０は、温度センサ４１で測定する温度を監視しながら、その温度が所定の設定温度（図９の温度プロファイル参照）と一致するように、ヒータ３０の出力をコントロールする。
このような構成の蒸着源６において、ヒータ３０で坩堝１０内の蒸着材料１０１が加熱されて生成される蒸気は、蓋体２２と坩堝１０内の蒸着材料１０１との間の空間に一時的に滞留した後、蓋体２２に列設されている複数の吐出口２３から吐出される。この蒸着材料の蒸気が滞留する空間はバッファとして機能し、坩堝ケース２０の内部圧力が坩堝ケース２０の外よりも若干高い状態で、蒸着材料がＹ方向に列設された複数の各吐出口２３から整流されて吐出される。それによって、複数の吐出口２３から均一的に蒸気材料の蒸気を放出することができる。 The heater controller 40 controls the output of the heater 30 while monitoring the temperature measured by the temperature sensor 41 so that the temperature matches a predetermined set temperature (see the temperature profile in FIG. 9).
In the vapor deposition source 6 having such a configuration, the vapor generated when the vapor deposition material 101 in the crucible 10 is heated by the heater 30 temporarily enters the space between the lid 22 and the vapor deposition material 101 in the crucible 10. After staying, the liquid is discharged from a plurality of discharge ports 23 arranged in the lid body 22. The space where the vapor of the vapor deposition material stays functions as a buffer, and the plurality of discharge ports 23 in which the vapor deposition material is arranged in the Y direction in a state where the internal pressure of the crucible case 20 is slightly higher than the outside of the crucible case 20. Is rectified and discharged. Thereby, the vapor of the vapor material can be uniformly discharged from the plurality of discharge ports 23.

（蒸着装置１で行う蒸着工程）
蒸着装置１を用いて基板１００の表面に蒸着材料を蒸着する工程について説明する。
図３に示すように、坩堝１０に蒸着材料１０１を入れ、その坩堝１０を、真空チャンバ２内の坩堝ケース２０の中に入れて、開閉扉２４を閉める。
そして、以下の一連の動作を行う。 (Vapor deposition process performed by the vapor deposition apparatus 1)
A process of depositing a deposition material on the surface of the substrate 100 using the deposition apparatus 1 will be described.
As shown in FIG. 3, the vapor deposition material 101 is put into the crucible 10, the crucible 10 is put into the crucible case 20 in the vacuum chamber 2, and the open / close door 24 is closed.
Then, the following series of operations are performed.

シャッタ７を閉じた状態で、真空ポンプを駆動して真空チャンバ２内を真空状態にする。
真空チャンバ２内を真空状態に保った状態で、蒸着源６におけるヒータ３０を駆動して、坩堝１０を加熱する。
図９（ａ）は、蒸着装置１において蒸着源６の温度をコントロールするときの時間ごとの設定温度の変化を示す温度プロファイルの実施例である。 With the shutter 7 closed, the vacuum pump is driven to bring the vacuum chamber 2 into a vacuum state.
In a state where the inside of the vacuum chamber 2 is kept in a vacuum state, the heater 30 in the vapor deposition source 6 is driven to heat the crucible 10.
FIG. 9A is an example of a temperature profile showing a change in the set temperature for each time when the temperature of the vapor deposition source 6 is controlled in the vapor deposition apparatus 1.

本実施形態では、この図９（ａ）に示す温度プロファイルに基づいてヒータコントローラ４０が蒸着源６の温度をコントロールする。
図９（ａ）に示すように、期間ｔ0〜t1においては、蒸着材料から不純物ガスの放出がなされる脱ガス温度Ｔ１まで、急な温度勾配で昇温させる。
脱ガス温度Ｔ１は、蒸着材料１０１に吸着されている水分などの不純物が離脱する温度であって、例えば１００℃〜２００℃の範囲内にある。 In the present embodiment, the heater controller 40 controls the temperature of the vapor deposition source 6 based on the temperature profile shown in FIG.
As shown in FIG. 9A, in the period t0 to t1, the temperature is raised with a steep temperature gradient to the degassing temperature T1 at which the impurity gas is released from the vapor deposition material.
The degassing temperature T1 is a temperature at which impurities such as moisture adsorbed on the vapor deposition material 101 are released, and is within a range of 100 ° C. to 200 ° C., for example.

その後、期間ｔ1〜ｔ2では、温度Ｔ１付近において、一定温度もしくは緩やかな温度勾配を保つ。そして、期間ｔ2〜ｔ3では蒸着温度Ｔ２まで昇温させる。この蒸着温度Ｔ２は、坩堝１０内の蒸着材料１０１が蒸発開始する温度Ｔ3よりも高い温度であって、例えば２５０〜３５０℃の範囲内にある。
以上の一連の動作は、蒸着装置１に内蔵されたコンピュータがプログラムを実行することによって自動的に実施してもよいし、オペレータ（人間）が手動で実施してもよい。 Thereafter, in the period t1 to t2, a constant temperature or a gentle temperature gradient is maintained near the temperature T1. And in period t2-t3, it heats up to vapor deposition temperature T2. The vapor deposition temperature T2 is higher than the temperature T3 at which the vapor deposition material 101 in the crucible 10 starts to evaporate, and is in the range of 250 to 350 ° C., for example.
The series of operations described above may be performed automatically by a computer built in the vapor deposition apparatus 1 executing a program, or may be performed manually by an operator (human).

詳しくは後述するが、上記のように期間ｔ1〜ｔ2で温度Ｔ１付近において温度勾配を緩やかにすることによって、蒸着材料１０１から不純物ガスが一気に蒸発するのを抑えることができ、坩堝１０が坩堝ケース２０に固着するのを抑えるのに寄与する。
期間ｔ3〜ｔ4では、蒸着温度Ｔ２に温度を保ち、基板１００に対して蒸着を行う。
すなわち、センサ８によって測定される蒸着材料の蒸発レートが安定すれば、シャッタ７を開けて、搬入口５ａから真空チャンバ２内に基板１００を搬入し、基板１００を搬送しながら、基板１００の下面に蒸着材料を蒸着させる。これによって、基板１００の下面には、蒸着材料が均一的に蒸着される。 As will be described in detail later, by gradually relaxing the temperature gradient in the vicinity of the temperature T1 during the period t1 to t2 as described above, it is possible to suppress evaporation of the impurity gas from the vapor deposition material 101 all at once, and the crucible 10 is a crucible case. This contributes to suppressing sticking to 20.
In the period t3 to t4, the temperature is kept at the vapor deposition temperature T2, and vapor deposition is performed on the substrate 100.
That is, when the evaporation rate of the vapor deposition material measured by the sensor 8 is stabilized, the shutter 7 is opened, the substrate 100 is carried into the vacuum chamber 2 from the carry-in port 5a, and the substrate 100 is conveyed while the lower surface of the substrate 100 is being conveyed. Vapor deposition material is vapor deposited. As a result, the vapor deposition material is uniformly deposited on the lower surface of the substrate 100.

基板１００に対する蒸着が終了すれば、シャッタ７を閉じて、搬出口５ｂから基板１００を取り出す。
このようにして、複数の基板１００に対して順次蒸着を行う。そして、蒸着に伴って坩堝１０内に収容されている蒸着材料１０１が少なくなってきたら、蒸発源６の温度を下げて、真空ポンプを停止し、開閉扉２４を開けて坩堝１０を坩堝ケース２０から取り出して、坩堝１０に蒸着材料１０１を補給する。 When vapor deposition on the substrate 100 is completed, the shutter 7 is closed and the substrate 100 is taken out from the carry-out port 5b.
In this way, vapor deposition is sequentially performed on the plurality of substrates 100. Then, when the vapor deposition material 101 stored in the crucible 10 decreases with vapor deposition, the temperature of the evaporation source 6 is lowered, the vacuum pump is stopped, the open / close door 24 is opened, and the crucible 10 is inserted into the crucible case 20. The vapor deposition material 101 is supplied to the crucible 10.

蒸発源６の温度を下降するときに、期間ｔ4〜ｔ5では蒸着材料の蒸発開始温度Ｔ3付近までは一気に下降させ、期間ｔ5〜ｔ6では温度Ｔ3付近で温度を保つ、もしくは緩やかな温度勾配で下降させる。その後、期間ｔ6〜ｔ7で室温まで下降させる。
（坩堝１０と坩堝ケース２０との固着抑制）
蒸着源６においては、坩堝１０と坩堝ケース２０との固着を抑制するために、構造面と温度制御との両面で以下に説明する特徴を備えている。 When the temperature of the evaporation source 6 is lowered, during the period t4 to t5, the evaporation material is lowered to the vicinity of the evaporation start temperature T3, and during the period t5 to t6, the temperature is maintained near the temperature T3 or lowered with a moderate temperature gradient. Let Thereafter, the temperature is lowered to room temperature in a period t6 to t7.
(Inhibition of adhesion between the crucible 10 and the crucible case 20)
The vapor deposition source 6 has the following features on both the structural surface and the temperature control in order to suppress the adhesion between the crucible 10 and the crucible case 20.

１．構造面での特徴
図４（ｂ）は、坩堝１０を底面側から見た斜視図である。
蒸着源６において、坩堝１０と坩堝ケース２０との固着を抑えるために、坩堝１０における底板１１の下面には、複数の支持凸部１３が設けられている。
各支持凸部１３は、その基端側から頂部側にかけて幅が狭くなる先細り形状であって、坩堝１０がケース本体２１内に収納されたときに、各支持凸部１３の頂部が底板２１ａの上面と接触する。 1. Features in Structure FIG. 4B is a perspective view of the crucible 10 as seen from the bottom side.
In the vapor deposition source 6, a plurality of support protrusions 13 are provided on the lower surface of the bottom plate 11 in the crucible 10 in order to suppress the adhesion between the crucible 10 and the crucible case 20.
Each support convex portion 13 has a tapered shape whose width decreases from the base end side to the top side, and when the crucible 10 is stored in the case body 21, the top portion of each support convex portion 13 is the bottom plate 21a. Contact the top surface.

ここで、支持凸部１３の頂部と底板２１ａの上面との接触面は、凹空間２１ｃの底面（すなわち底板２１ａの上面）に沿ったいずれか一方向に切断した切断線の最大長さが、５ｍｍ以下となるように設定されている。それによって、坩堝１０と坩堝ケース２０とが蒸着材料によって強く固着するのが防止される。
以下に、「接触面を、凹空間２１ｃの底面に沿ったいずれか一方向に切断した切断線の最大長さが、５ｍｍ以下である」の意味について、図１１（ａ）〜（ｇ）を参照しながら説明する。 Here, the contact surface between the top portion of the support convex portion 13 and the upper surface of the bottom plate 21a has a maximum length of a cutting line cut in one direction along the bottom surface of the concave space 21c (that is, the upper surface of the bottom plate 21a). It is set to be 5 mm or less. Thereby, the crucible 10 and the crucible case 20 are prevented from being firmly fixed by the vapor deposition material.
The meanings of “the maximum length of the cutting line obtained by cutting the contact surface in any one direction along the bottom surface of the concave space 21c is 5 mm or less” will be described with reference to FIGS. The description will be given with reference.

図１１（ａ）〜（ｇ）において、ハッチングを施した領域は、支持凸部１３の頂部が底板２１ａの上面と接触する接触面の形状の具体例を示している。
底板２１ａの上面は基本的にＸ−Ｙ面（水平面）に沿っているので、支持凸部１３の頂部と底板２１ａの上面との接触面もＸ−Ｙ面に沿っている。従って、図１１（ａ）〜（ｇ）において、接触面の形状をＸ−Ｙ面上に示している。 In FIGS. 11A to 11G, the hatched region shows a specific example of the shape of the contact surface where the top of the support convex portion 13 contacts the upper surface of the bottom plate 21a.
Since the upper surface of the bottom plate 21a is basically along the XY plane (horizontal plane), the contact surface between the top of the support convex portion 13 and the upper surface of the bottom plate 21a is also along the XY plane. Therefore, in FIGS. 11A to 11G, the shape of the contact surface is shown on the XY plane.

図１１（ａ）は接触面が円形の場合、（ｂ）は接触面がＹ方向に伸長する長方形状の場合、（ｃ）は接触面がＹ方向に長い楕円形状の場合、（ｄ）は接触面がＹ方向に長い不規則的な形状の場合を示している。
図１１（ａ）〜（ｄ）の各図においては、これらの各接触面を、複数の個所でＸ方向に伸長する切断線（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…）で切断している。そして、その最大長さ（すなわち複数の切断線が接触面を横切る長さの最大値）をＷで示している。 11A is a case where the contact surface is circular, FIG. 11B is a case where the contact surface is a rectangular shape extending in the Y direction, FIG. 11C is a case where the contact surface is an elliptical shape long in the Y direction, and FIG. The case where the contact surface has an irregular shape long in the Y direction is shown.
In each of FIGS. 11A to 11D, these contact surfaces are cut at cutting points (L1, L2, L3...) Extending in the X direction at a plurality of locations. The maximum length (that is, the maximum value of the length at which the plurality of cutting lines cross the contact surface) is indicated by W.

（ａ）に示す接触面は円形状なので、複数の切断線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の中で、円の中心を通る切断線Ｌ２が、接触面におけるＸ方向の幅が一番大きい箇所を通っている。従って、この切断線Ｌ２が接触面を横切る長さ（円の直径）が、接触面をＸ方向に切断する切断線の最大長さＷに相当する。
（ｂ）に示す接触面はＹ方向に長い長方形状なので、複数の切断線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の各々が接触面を横切る長さは、いずれも長方形の短辺の長さと同等である。従って、この長方形の短辺の長さが、接触面をＸ方向に切断する切断線最大長さＷに相当する。 Since the contact surface shown in (a) is circular, among the plurality of cutting lines L1, L2, and L3, the cutting line L2 that passes through the center of the circle passes through the portion having the largest width in the X direction on the contact surface. Yes. Therefore, the length (circle diameter) that this cutting line L2 crosses the contact surface corresponds to the maximum length W of the cutting line that cuts the contact surface in the X direction.
Since the contact surface shown in (b) has a rectangular shape that is long in the Y direction, the length of each of the plurality of cutting lines L1, L2, and L3 across the contact surface is equal to the length of the short side of the rectangle. Therefore, the length of the short side of the rectangle corresponds to the maximum cutting line length W for cutting the contact surface in the X direction.

（ｃ）に示す接触面はＹ方向に長い楕円形状なので、複数の切断線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５の中で、楕円の中心を通る切断線Ｌ３が、Ｘ方向の長さが一番大きい箇所を通っている。従って、この楕円の短軸長が、切断線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５の各々が接触面をＸ方向に切断する切断線の最大長さＷに相当する。
（ｄ）に示す接触面はＹ方向に長い不規則的な形状であって、複数の切断線Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５の各々が接触面を横切る長さの中で、接触面におけるＸ方向の長さが一番大きい箇所を通る切断線Ｌ１の長さが、接触面をＸ方向に横切る切断線の最大長さＷに相当する。 Since the contact surface shown in (c) has an elliptical shape that is long in the Y direction, among the plurality of cutting lines L1, L2, L3, L4, and L5, the cutting line L3 that passes through the center of the ellipse has a length in the X direction. It passes through the biggest part. Therefore, the short axis length of this ellipse corresponds to the maximum length W of the cutting line at which each of the cutting lines L1, L2, L3, L4, and L5 cuts the contact surface in the X direction.
The contact surface shown in (d) has an irregular shape that is long in the Y direction, and the length of each of the plurality of cutting lines L1, L2, L3, L4, and L5 across the contact surface is The length of the cutting line L1 passing through the portion having the largest length in the X direction corresponds to the maximum length W of the cutting line that crosses the contact surface in the X direction.

以上、図１１（ａ）〜（ｄ）において、接触面を、Ｘ方向に切断した場合における切断線の最大長さＷについて説明した。接触面をＸ方向に切断した切断線の最大長さが５ｍｍ以下というのは、（ａ）〜（ｄ）に示す長さＷが５ｍｍ以下ということになる。
次に、接触面を、Ｘ−Ｙ面に沿ったＸ方向以外のいずれか一方向に切断する場合について説明する。いずれの方向に切断する場合も、切断線の最大長さＷは、同様にして求めることができる。 As described above, in FIGS. 11A to 11D, the maximum length W of the cutting line when the contact surface is cut in the X direction has been described. When the maximum length of the cutting line obtained by cutting the contact surface in the X direction is 5 mm or less, the length W shown in (a) to (d) is 5 mm or less.
Next, a case where the contact surface is cut in any one direction other than the X direction along the XY plane will be described. In the case of cutting in either direction, the maximum length W of the cutting line can be obtained in the same manner.

ただし、（ａ）のように接触面が円形の場合は、いずれに方向に切断した切断線の最大長さＷも同じであるが、接触面が（ｂ）〜（ｄ）のような形状の場合には、切断する方向によって切断線の最大長さＷも変わる。
具体例として、図１１（ｅ）〜（ｇ）においては、（ｂ）〜（ｄ）と同じ形状の接触面を、複数個所において、Ｘ方向とＹ方向との間の斜め方向（Ａ方向）に切断した切断線（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…）を示している。 However, when the contact surface is circular as in (a), the maximum length W of the cutting line cut in any direction is the same, but the contact surface has a shape as shown in (b) to (d). In this case, the maximum length W of the cutting line varies depending on the cutting direction.
As a specific example, in FIGS. 11 (e) to 11 (g), contact surfaces having the same shape as (b) to (d) are arranged at an oblique direction between the X direction and the Y direction (A direction) at a plurality of locations. The cutting lines (L1, L2, L3...) Cut are shown in FIG.

（ｅ）に示す接触面は（ｂ）と同じＹ方向に長い長方形状であり、Ａ方向に伸びる切断線Ｌ１〜Ｌ５の中で、切断線Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４が接触面を横切る長さが、接触面をＡ方向に切断する切断線の最大長さＷに相当する。
（ｆ）に示す接触面は（ｃ）と同じＹ方向に長い楕円形状であり、Ａ方向に伸びる複数の切断線Ｌ１〜Ｌ５の中で、楕円の中心を通る切断線Ｌ３が接触面を横切る長さが、接触面をＡ方向に横切る切断線の最大長さＷに相当する。 The contact surface shown in (e) is the same long rectangular shape in the Y direction as in (b), and among the cutting lines L1 to L5 extending in the A direction, the length that the cutting lines L2, L3, and L4 cross the contact surface is long. This corresponds to the maximum length W of the cutting line for cutting the contact surface in the A direction.
The contact surface shown in (f) has the same elliptical shape in the Y direction as in (c), and among the plurality of cutting lines L1 to L5 extending in the A direction, the cutting line L3 passing through the center of the ellipse crosses the contact surface. The length corresponds to the maximum length W of the cutting line that crosses the contact surface in the A direction.

（ｇ）に示す接触面は（ｄ）と同じＹ方向に長い不規則的な形状であり、Ａ方向に伸びる複数の切断線Ｌ１〜Ｌ５の中で、切断線Ｌ４が接触面を横切る長さが、接触面をＡ方向に切断する切断線の最大長さＷに相当する。
このようにして、Ｘ−Ｙ面に沿った各方向について接触面を切断する切断線の最大長さＷを求めることができる。 The contact surface shown in (g) has the same irregular shape that is long in the Y direction as in (d), and the length that the cutting line L4 crosses the contact surface among the plurality of cutting lines L1 to L5 extending in the A direction. Corresponds to the maximum length W of the cutting line that cuts the contact surface in the A direction.
In this way, the maximum length W of the cutting line that cuts the contact surface in each direction along the XY plane can be obtained.

そして、Ｘ−Ｙ面に沿ったいずれか一方向に接触面を切断する切断線の最大長さＷが５ｍｍ以下であれば、坩堝１０と坩堝ケース２０とが蒸着材料によって強く固着するのを防止することができる。
なお、図１１（ｂ），（ｃ）のように接触面がＹ方向に長い長方形状や楕円形状の場合は、Ｘ−Ｙ面に沿った各方向に接触面を切断する切断線の最大長さＷの中で、接触面をＸ方向に切断した切断線の最大長さＷが最小値となる。従って、図１１（ｂ），（ｃ）の場合、接触面をＸ方向に切断した切断線の最大長さＷが５ｍｍを越えていれば、いずれの方向に接触面を切断した切断線の最大長さＷも５ｍｍを越えることになる。 If the maximum length W of the cutting line that cuts the contact surface in any one direction along the XY plane is 5 mm or less, the crucible 10 and the crucible case 20 are prevented from being strongly fixed by the vapor deposition material. can do.
11B and 11C, when the contact surface is a rectangle or an ellipse that is long in the Y direction, the maximum length of the cutting line that cuts the contact surface in each direction along the XY plane. In the length W, the maximum length W of the cutting line obtained by cutting the contact surface in the X direction is the minimum value. Therefore, in the case of FIGS. 11B and 11C, if the maximum length W of the cutting line that cuts the contact surface in the X direction exceeds 5 mm, the maximum of the cutting line that cuts the contact surface in any direction. The length W will also exceed 5 mm.

図５（ａ）は蒸着源６の断面模式図である。
当図に示すように、坩堝１０は、ケース本体２１に収納するときに、Ｘ方向の中央部分に収納される。すなわち、坩堝１０がケース本体２１内において、坩堝１０の側板１１と、ケース本体２１の側板２１ｂとの間にも間隙１５を開いた状態で収納されている。
また、図５（ａ）に示すように、坩堝１０がケース本体２１内に収納された状態において、複数の支持凸部１３の各頂部が底板２１ａの上面に当接し、坩堝１０の底板１１とケース本体２１の底板２１ａの間には間隙１４が形成される。 FIG. 5A is a schematic cross-sectional view of the vapor deposition source 6.
As shown in this figure, when the crucible 10 is housed in the case body 21, it is housed in the central portion in the X direction. That is, the crucible 10 is accommodated in the case body 21 with the gap 15 being opened between the side plate 11 of the crucible 10 and the side plate 21 b of the case body 21.
In addition, as shown in FIG. 5A, in the state where the crucible 10 is housed in the case body 21, the tops of the plurality of support protrusions 13 come into contact with the top surface of the bottom plate 21a, and the bottom plate 11 of the crucible 10 A gap 14 is formed between the bottom plates 21 a of the case body 21.

坩堝１０の底板１１に設ける支持凸部１３は、例えば、金属材料あるいはセラミックス材料を成型して支持凸部１３に相当する成形部材を作製し、それを底板１１の外面に接合することによって形成することができる。
底板１１に対して成形部材を接合する方法としては、例えば、ろう付、溶接による接合、あるいは拡散接合を用いることができる。 The support convex portion 13 provided on the bottom plate 11 of the crucible 10 is formed, for example, by forming a molding member corresponding to the support convex portion 13 by molding a metal material or a ceramic material and bonding it to the outer surface of the bottom plate 11. be able to.
As a method for joining the molded member to the bottom plate 11, for example, brazing, joining by welding, or diffusion joining can be used.

このように坩堝１０の底板１１の下面に複数の支持凸部１３を設けることによって、坩堝１０がケース本体２１内に収納された状態において、両者の間に間隙１４，１５が確保され、且つ、各支持凸部１３と底板２１ａとの接触面は、その接触面を底板２１ａの上面に沿ったいずれか一方向に切断した切断線の最大長さが５ｍｍ以下に設定されているので、坩堝１０と坩堝ケース２０とが蒸着材料によって強く固着するのを防止することができる。   Thus, by providing the plurality of support protrusions 13 on the bottom surface of the bottom plate 11 of the crucible 10, in the state where the crucible 10 is housed in the case body 21, gaps 14 and 15 are secured between them, and The contact surface between each supporting convex portion 13 and the bottom plate 21a is set to have a maximum length of a cutting line obtained by cutting the contact surface in any one direction along the upper surface of the bottom plate 21a. And the crucible case 20 can be prevented from being strongly fixed by the vapor deposition material.

この効果について、図５（ｂ）に示す比較例と対比しながら説明する。
図５（ｂ）に示す比較例の蒸着源１０６は、坩堝１１０の側板１１２とケース本体２１の側板２１ｂとの間に間隙が確保されている点は実施の形態にかかる蒸着源６と同様である。
しかし蒸着源１０６は、坩堝１１０の底板１１１に支持凸部が設けられておらず、坩堝１１０の底板１１１の下面は、全面的に坩堝ケース２０の底板２１ａの上面に接触している。ただし、底板１１１の下面と底板２１ａの上面とが全面的に接触しているといっても、微視的に見ると両者の間には、蒸着材料１０１の蒸気が入り込むことのできる微細な隙間が存在する。 This effect will be described in comparison with the comparative example shown in FIG.
The vapor deposition source 106 of the comparative example shown in FIG. 5B is the same as the vapor deposition source 6 according to the embodiment in that a gap is secured between the side plate 112 of the crucible 110 and the side plate 21b of the case body 21. is there.
However, the vapor deposition source 106 is not provided with a support protrusion on the bottom plate 111 of the crucible 110, and the bottom surface of the bottom plate 111 of the crucible 110 is in full contact with the top surface of the bottom plate 21 a of the crucible case 20. However, even if it is said that the bottom surface of the bottom plate 111 and the top surface of the bottom plate 21a are in full contact with each other, when viewed microscopically, there is a fine gap between which the vapor of the vapor deposition material 101 can enter. Exists.

従って、坩堝１１０内の蒸着材料１０１が蒸発した蒸気の一部が、その微細な隙間にも入り込んで、底板１１１と底板２１ａとの間に蒸着材料の堆積層１０２が形成され、その堆積層１０２によって底板１１１と底板２１ａとが固着されることもある。
そして、底板１１１と底板２１ａとが硬く固着されると、坩堝ケース２０から坩堝１０を引き出して蒸着材料を補給することができなくなり、製造が止ってしまう。 Accordingly, a part of the vapor obtained by evaporating the vapor deposition material 101 in the crucible 110 also enters the minute gap, and the deposition layer 102 of the vapor deposition material is formed between the bottom plate 111 and the bottom plate 21a. As a result, the bottom plate 111 and the bottom plate 21a may be fixed.
When the bottom plate 111 and the bottom plate 21a are firmly fixed, the crucible 10 cannot be pulled out from the crucible case 20 to replenish the vapor deposition material, and the production stops.

これに対して、図５（ａ）に示す実施形態の蒸着源６では、坩堝１０の底板１１に複数の支持凸部１３が設けられて、底板１１と底板２１ａとの間に間隙１４が形成されている。
蒸着工程においては、坩堝ケース２０の内部に蒸着材料の蒸気が充満し、間隙１４にも入り込んで、間隙１４に堆積層１０２が形成されて各支持凸部１３の頂部と底板２１ａとが固着することはあり得るが、間隙１４が確保されているので、堆積層１０２によって間隙１４が埋まってしまうことはない。 On the other hand, in the vapor deposition source 6 of the embodiment shown in FIG. 5A, a plurality of support convex portions 13 are provided on the bottom plate 11 of the crucible 10, and a gap 14 is formed between the bottom plate 11 and the bottom plate 21a. Has been.
In the vapor deposition step, the vapor of the vapor deposition material fills the inside of the crucible case 20 and enters the gap 14, and the deposited layer 102 is formed in the gap 14, so that the top of each support convex portion 13 and the bottom plate 21 a are fixed. However, since the gap 14 is secured, the deposited layer 102 does not fill the gap 14.

すなわち、堆積層１０２によって固着される箇所は、各支持凸部１３と底板２１ａとが接触する接触面のところに限られ、その接触面は、底板２１ａの上面に沿ったいずれか一方向に切断した切断線の最大長さが５ｍｍ以下に設定されているので、これらの接触個所において蒸着材料が固着したとしても、小さな力で引き剥がすことができる。
よって、実施形態の蒸着源６においては、坩堝１０を坩堝ケース２０から引き出せなくなるような事態が生じにくい。 That is, the place fixed by the deposition layer 102 is limited to the contact surface where each support convex part 13 and the bottom plate 21a contact, and the contact surface is cut | disconnected in any one direction along the upper surface of the bottom plate 21a. Since the maximum length of the cut line is set to 5 mm or less, even if the vapor deposition material adheres at these contact points, it can be peeled off with a small force.
Therefore, in the vapor deposition source 6 of the embodiment, a situation in which the crucible 10 cannot be pulled out from the crucible case 20 is unlikely to occur.

特に、Ｘ方向は坩堝１０をケース本体から取り出すときに坩堝１０をスライドさせるＹ方向と直交する方向なので、上記図１１（ａ）〜（ｄ）を参照して説明したように、Ｘ方向に切断した切断線の最大長Ｗが５ｍｍ以下であれば、接触個所において蒸着材料が固着したとしても、スライド方向に比較的小さな力を加えるだけで引き剥がすことができる。
また、各支持凸部１３と底板２１ａとの接触面の面積は、５ｍｍ2以下に設定することが、坩堝１０と坩堝ケース２０とが蒸着材料によって強く固着するのを防止する効果を、さらに高める上で好ましい。 In particular, since the X direction is a direction orthogonal to the Y direction in which the crucible 10 is slid when the crucible 10 is taken out from the case body, the X direction is cut as described with reference to FIGS. If the maximum length W of the cut line is 5 mm or less, even if the vapor deposition material is fixed at the contact point, it can be peeled off only by applying a relatively small force in the sliding direction.
In addition, setting the area of the contact surface between each support convex portion 13 and the bottom plate 21a to 5 mm 2 or less further enhances the effect of preventing the crucible 10 and the crucible case 20 from being strongly fixed by the vapor deposition material. Preferred above.

２．温度制御による固着抑制
上記の蒸着工程で説明した実施例にかかる蒸着源６の温度コントロールも、坩堝１０と坩堝ケース２０との固着を抑えるのに寄与する。
この実施例の温度コントロールによる効果について、比較例と対比しながら説明する。
図９（ｂ）は、比較例にかかる温度プロファイルの一例である。 2. Adhesion suppression by temperature control The temperature control of the vapor deposition source 6 according to the embodiment described in the above vapor deposition process also contributes to suppressing the adhesion between the crucible 10 and the crucible case 20.
The effect of the temperature control in this example will be described in comparison with the comparative example.
FIG. 9B is an example of a temperature profile according to the comparative example.

比較例の温度プロファイルでは、期間ｔ0〜t11において、室温から製膜温度Ｔ２まで一気に温度上昇している。期間t11〜t12においては、実施例の期間t3〜t4と同様に、製膜温度Ｔ２に維持し、基板１００に対する蒸着を行う。期間t12〜t13においては、製膜温度Ｔ２から室温まで一気に温度を下降させている。
比較例のように室温から製膜温度Ｔ２まで一気に温度上昇させると、特に蒸着材料１０１がバリウムのような金属である場合、坩堝１０の昇温時に蒸着材料１０１からガスが一気に放出されて坩堝ケース２０の内部圧力が高くなる。この内部圧力の上昇に伴って堆積層１０２が溶融しやすくなるので、底板１１１と底板２１ａとが溶融した堆積層１０２によってより硬く固着されてしまうこともある。 In the temperature profile of the comparative example, the temperature rises at a stretch from room temperature to the film forming temperature T2 during the period t0 to t11. In the period t11 to t12, the deposition is performed on the substrate 100 while maintaining the film forming temperature T2 similarly to the period t3 to t4 in the example. In the period t12 to t13, the temperature is lowered from the film forming temperature T2 to room temperature all at once.
When the temperature is increased from room temperature to the film forming temperature T2 as in the comparative example, especially when the vapor deposition material 101 is a metal such as barium, the gas is released from the vapor deposition material 101 at a time when the temperature of the crucible 10 is raised, and the crucible case. The internal pressure of 20 increases. As the internal pressure increases, the deposited layer 102 is easily melted, so that the bottom plate 111 and the bottom plate 21a may be more firmly fixed by the melted deposited layer 102.

これに対して、図９（ａ）に示す実施例の温度プロファイルでは、温度上昇時に、脱ガス温度Ｔ1付近で温度勾配を緩やかにしているので、不純物ガスが一気に蒸発することがなく、坩堝ケース２０の内部圧力の上昇も抑えられるので、堆積層１０２の溶融も生じにくい。従って、この点でも坩堝１０と坩堝ケース２０との固着が抑えられる。
また、比較例の温度プロファイルでは、温度下降時においても、製膜温度Ｔ２から室温まで一気に下降しているので、坩堝ケース２０内に蒸着材料が堆積しやすいが、実施例の温度プロファイルでは、温度Ｔ3付近で温度を維持あるいは緩やかに下降させているので、蒸着材料の堆積が抑えられる。実施例の温度プロファイルによれば、この点でも坩堝１０と坩堝ケース２０との固着を抑える効果が期待できる。 On the other hand, in the temperature profile of the embodiment shown in FIG. 9A, since the temperature gradient is moderated near the degassing temperature T1 when the temperature rises, the impurity gas does not evaporate all at once, and the crucible case Since the increase in the internal pressure of 20 is also suppressed, the deposited layer 102 is hardly melted. Accordingly, also in this respect, the adhesion between the crucible 10 and the crucible case 20 is suppressed.
Further, in the temperature profile of the comparative example, even when the temperature is lowered, the deposition material is easily lowered from the film forming temperature T2 to room temperature, so that the vapor deposition material is easily deposited in the crucible case 20, but in the temperature profile of the example, the temperature profile Since the temperature is maintained or gradually decreased in the vicinity of T3, the deposition of the vapor deposition material can be suppressed. According to the temperature profile of the example, the effect of suppressing the adhesion between the crucible 10 and the crucible case 20 can be expected in this respect as well.

（支持凸部の形状などに関する詳細）
底板１１に設ける複数の支持凸部１３の高さは同じ高さとることが好ましい。
各支持凸部１３の高さは２ｍｍ以上に設定することが好ましい。これは、固着防止効果を十分に得るために、底板１１と底板２１ａとの間に形成される間隙１４を２ｍｍ以上確保することが好ましいからである。 (Details regarding the shape of the support projection)
It is preferable that the plurality of support protrusions 13 provided on the bottom plate 11 have the same height.
It is preferable that the height of each support convex portion 13 is set to 2 mm or more. This is because it is preferable to secure 2 mm or more of the gap 14 formed between the bottom plate 11 and the bottom plate 21a in order to sufficiently obtain the sticking prevention effect.

一方、各支持凸部１３の高さが高くなると、間隙１４の間隔が大きくなり、坩堝ケース２０の底板２１ａと坩堝１０の底板１１との熱伝導性が低下するので、各支持凸部１３の高さは、１０ｍｍ以下であることが好ましい。
複数の支持凸部１３を坩堝１０の底板１１に配置する形態に関しては、坩堝１０を安定して支持するために、できるだけ底板１１の下面全体に分散して支持凸部１３を設けることが好ましい。 On the other hand, when the height of each support convex portion 13 is increased, the gap 14 is increased, and the thermal conductivity between the bottom plate 21a of the crucible case 20 and the bottom plate 11 of the crucible 10 is reduced. The height is preferably 10 mm or less.
Regarding the form in which the plurality of support protrusions 13 are arranged on the bottom plate 11 of the crucible 10, it is preferable to disperse the support protrusions 13 as much as possible on the entire bottom surface of the bottom plate 11 in order to stably support the crucible 10.

底板１１は長尺状なので、底板１１の長手方向に沿って複数の支持凸部１３を列設することが、坩堝１０を安定して支持する上で好ましく、図４（ｂ）に示す例では、複数の支持凸部１３が、坩堝１０の長手方向に２列で列設されている。
ただし、複数の支持凸部１３を必ずしも列状に配置しなくてもよい。
支持凸部１３の数は、坩堝１０を支持するために支持凸部１３は３つ以上必要である。坩堝１０を安定して支持するために、ある程度の数が多い方がよいが、支持凸部１３の数が多すぎると坩堝１０と坩堝ケース２０との固着を抑える効果が低減するので、坩堝１０を安定して支持できる範囲内で少ない方が好ましい。 Since the bottom plate 11 is long, it is preferable to arrange a plurality of support protrusions 13 along the longitudinal direction of the bottom plate 11 in order to stably support the crucible 10, and in the example shown in FIG. A plurality of support protrusions 13 are arranged in two rows in the longitudinal direction of the crucible 10.
However, the plurality of support protrusions 13 are not necessarily arranged in a row.
In order to support the crucible 10, the number of the support convex parts 13 is three or more. In order to stably support the crucible 10, it is preferable that the number is large to some extent. However, if the number of the support protrusions 13 is too large, the effect of suppressing the fixation between the crucible 10 and the crucible case 20 is reduced. It is preferable that the amount be as small as possible within a range in which it can be stably supported.

各支持凸部１３の形状については、底板２１ａとの接触面積を小さくしてする上で、上記のように根本よりも頂部の幅を狭くして、先細り形状とすることが好ましい。
例えば、各支持凸部１３の頂部が底板２１ａと接触する箇所が、点接触となるように円錐形状あるいは角錐形状とすることが好ましい。また、その円錐形状あるいは角錐形状を各支持凸部１３の頂部が底板２１ａと接触する箇所が線接触に近くなるように、各支持凸部１３の頂部の形状を変形してもよい。 About the shape of each support convex part 13, when making a contact area with the baseplate 21a small, it is preferable to make the width | variety of a top part narrower than a root as mentioned above, and to make it a tapered shape.
For example, it is preferable to make it a cone shape or a pyramid shape so that the location where the top part of each support convex part 13 contacts the bottom plate 21a may be point contact. Moreover, you may deform | transform the shape of the top part of each support convex part 13 so that the location where the top part of each support convex part 13 contacts the baseplate 21a may become close to line contact in the cone shape or the pyramid shape.

なお、本実施形態では、坩堝１０の底板１１に支持凸部１３を形成したが、その代わりに、実施の形態２で図６（ｂ）を参照して説明するように、ケース本体２１における底板２１ａの上面に支持凸部を形成しても、同様に坩堝１０と坩堝ケース２０との固着を抑制する効果を得ることができる。
また、支持凸部を設けるのは、坩堝１０の底板１１とケース本体２１の底板２１ａのいずれか一方だけに限られず、両方に支持凸部を設けてもよい。 In the present embodiment, the support convex portion 13 is formed on the bottom plate 11 of the crucible 10, but instead, the bottom plate in the case main body 21 is described with reference to FIG. 6B in the second embodiment. Even if the support convex portion is formed on the upper surface of 21a, the effect of suppressing the adhesion between the crucible 10 and the crucible case 20 can be obtained.
Further, the provision of the support convex portion is not limited to only one of the bottom plate 11 of the crucible 10 and the bottom plate 21a of the case body 21, and the support convex portion may be provided on both.

[実施の形態２]
図４（ｃ）は、実施の形態２にかかる坩堝１０の斜視図である。図６（ａ）は、実施の形態２にかかる蒸発源６の断面図である。
この蒸発源６において、坩堝１０の底板１１の下面に複数の支持凸部１３が形成されているのに加えて、側板１２の外面にも複数の補助凸部１６が分散して形成されている。 [Embodiment 2]
FIG. 4C is a perspective view of the crucible 10 according to the second embodiment. FIG. 6A is a cross-sectional view of the evaporation source 6 according to the second embodiment.
In the evaporation source 6, a plurality of supporting convex portions 13 are formed on the lower surface of the bottom plate 11 of the crucible 10, and a plurality of auxiliary convex portions 16 are formed on the outer surface of the side plate 12 in a dispersed manner. .

複数の支持凸部１３が形成されていることによって、坩堝１０と坩堝ケース２０との固着抑制効果が得られることは、実施の形態１で説明したとおりである。
本実施の形態では、さらに坩堝１０の側板１２に補助凸部１６が形成されているため、坩堝ケース２０内で坩堝１０が傾いたり位置がずれようとすると、補助凸部１６の頂部がケース本体２１の側板２１ｂに当接するので、側板１２と側板２１ｂとが全面的に接触することはない。従って、坩堝１０の側板１２とケース本体２１の側板２１ｂとが蒸着材料によって固着するのを抑える効果も得られる。 As described in the first embodiment, it is possible to obtain the effect of suppressing the adhesion between the crucible 10 and the crucible case 20 by forming the plurality of support convex portions 13.
In the present embodiment, since the auxiliary convex portion 16 is further formed on the side plate 12 of the crucible 10, when the crucible 10 is inclined or displaced in the crucible case 20, the top portion of the auxiliary convex portion 16 is the case main body. The side plate 12 and the side plate 21b do not come into full contact with each other. Therefore, an effect of suppressing the side plate 12 of the crucible 10 and the side plate 21b of the case body 21 from being fixed by the vapor deposition material is also obtained.

なお、補助凸部１６は、坩堝１０を鉛直方向に支持するものではないので、設ける数も少なくてよく、各側板１２に１つ以上設ければよい。
図６（ｂ）に示す蒸着源６は、上記図６（ａ）に示す蒸着源６を変形した例であって、坩堝１０の底板１１の下面に複数の支持凸部１３が形成される代わりに、ケース本体２１における底板２１ａの上面に複数の支持凸部２５が形成されている。また、ケース本体２１における側板２１ｂの内面にも複数の補助凸部２６が分散して形成されている。 In addition, since the auxiliary | assistant convex part 16 does not support the crucible 10 in a perpendicular direction, the number provided may be small and what is necessary is just to provide one or more in each side plate 12. FIG.
The vapor deposition source 6 shown in FIG. 6B is an example in which the vapor deposition source 6 shown in FIG. 6A is modified, and a plurality of supporting convex portions 13 are formed on the lower surface of the bottom plate 11 of the crucible 10. In addition, a plurality of support protrusions 25 are formed on the upper surface of the bottom plate 21 a in the case body 21. In addition, a plurality of auxiliary convex portions 26 are formed in a distributed manner on the inner surface of the side plate 21 b in the case body 21.

この図６（ｂ）に示す例では、底板２１ａの上面に形成された複数の支持凸部２５の頂部が、坩堝１０の底板１１の下面に当接した状態で、坩堝１０はケース本体２１によって支持される。
各支持凸部２５は、先細りの山形状に形成されて、その頂部と底板１１との接触面は、この接触面を、底板２１ａの上面に沿ったいずれか一方向に切断した切断線の最大長さが、５ｍｍ以下となるように設定されている。 In the example shown in FIG. 6B, the crucible 10 is moved by the case body 21 with the tops of the plurality of supporting convex portions 25 formed on the upper surface of the bottom plate 21 a in contact with the lower surface of the bottom plate 11 of the crucible 10. Supported.
Each support convex portion 25 is formed in a tapered mountain shape, and the contact surface between the top portion and the bottom plate 11 has a maximum cutting line obtained by cutting the contact surface in any one direction along the top surface of the bottom plate 21a. The length is set to be 5 mm or less.

坩堝１０の底板１１とケース本体２１の底板２１ａとの間には支持凸部１３の高さ相当の間隙１４が形成されるので、この間隙１４に蒸着材料が入り込んでも、蒸着材料の堆積層で埋まってしまうことがない。
従って、図６（ｂ）の例でも、実施の形態１で説明したのと同様に、坩堝１０と坩堝ケース２０との固着抑制効果が得られる。 Since a gap 14 corresponding to the height of the support protrusion 13 is formed between the bottom plate 11 of the crucible 10 and the bottom plate 21a of the case main body 21, even if the vapor deposition material enters the gap 14, the vapor deposition material is not deposited. It will not be buried.
Therefore, also in the example of FIG. 6B, the sticking suppression effect between the crucible 10 and the crucible case 20 can be obtained as described in the first embodiment.

底板２１ａの上面に複数の支持凸部２５を配置する形態や支持凸部２５の形状については、実施の形態１の[支持凸部の形状などに関する詳細]で説明した内容を適用することができる。
またこの図６（ｂ）の例においても、側板２１ｂに補助凸部２６が形成されているため、坩堝ケース２０内で坩堝１０が傾いたり、坩堝１０位置がずれようとしても、補助凸部２６の頂部が坩堝１０の側板１２に当接するので、側板１２と側板２１ｂとが全面的に接触することがない。従って、坩堝１０の側板１２とケース本体２１の側板２１ｂとが蒸着材料によって固着するのを抑制する効果も得られる。 For the form in which the plurality of support protrusions 25 are arranged on the upper surface of the bottom plate 21a and the shape of the support protrusions 25, the contents described in [Details on the shape of the support protrusions] in the first embodiment can be applied. .
In the example of FIG. 6B as well, since the auxiliary convex portion 26 is formed on the side plate 21b, even if the crucible 10 is inclined or the position of the crucible 10 is shifted in the crucible case 20, the auxiliary convex portion 26 is used. Is in contact with the side plate 12 of the crucible 10, so that the side plate 12 and the side plate 21b do not come into full contact with each other. Therefore, the effect which suppresses that the side plate 12 of the crucible 10 and the side plate 21b of the case main body 21 adhere with a vapor deposition material is also acquired.

なお、補助凸部２６も、坩堝１０を鉛直方向に支持するものではないので、設ける数も少なくてよく、各側板２１ｂに１つ以上設ければよい。
さらに、上記図６（ａ）の例と（ｂ）の例とを、組み合わせた変形例も考えられる。
例えば、坩堝１０の底板１１には図６（ａ）のように複数の支持凸部１３を設け、ケース本体２１の側版２１ｂの内面には図６（ｂ）のように複数の補助凸部２６を設けてもよく、その場合も同様の効果が得られる。 In addition, since the auxiliary | assistant convex part 26 does not support the crucible 10 in a perpendicular direction, the number provided may be few and what is necessary is just to provide one or more in each side plate 21b.
Furthermore, a modified example in which the example of FIG. 6A and the example of FIG.
For example, the bottom plate 11 of the crucible 10 is provided with a plurality of support projections 13 as shown in FIG. 6A, and the inner surface of the side plate 21b of the case body 21 is provided with a plurality of auxiliary projections as shown in FIG. 26 may be provided, and in this case, the same effect can be obtained.

その反対に、ケース本体２１の底板２１ａの上面には図６（ｂ）のように複数の支持凸部２５を設け、坩堝１０の側板１２の外面には図６（ａ）のように複数の補助凸部１６を設けてもよく、その場合も同様の効果が得られる。
[実施の形態３]
上記実施の形態１，２では、坩堝１０の底板１１又はケース本体２１の底板２１ａに複数の支持凸部が設けられていたが、坩堝１０又は坩堝ケース２０において複数の支持凸部を設ける箇所は、これに限定されることはなく、坩堝１０を鉛直方向に支持できる場所であればよい。 On the other hand, a plurality of support projections 25 are provided on the upper surface of the bottom plate 21a of the case body 21 as shown in FIG. 6B, and a plurality of support projections 25 are provided on the outer surface of the side plate 12 of the crucible 10 as shown in FIG. The auxiliary convex part 16 may be provided, and the same effect is acquired also in that case.
[Embodiment 3]
In the first and second embodiments, the plurality of support convex portions are provided on the bottom plate 11 of the crucible 10 or the bottom plate 21a of the case main body 21, but the locations where the plurality of support convex portions are provided in the crucible 10 or the crucible case 20 are as follows. However, the present invention is not limited to this, and any place that can support the crucible 10 in the vertical direction may be used.

図７（ａ）は、実施の形態３にかかる蒸発源６の構成を示す斜視図、（ｂ）は坩堝ケース２０の分解斜視図である。
本実施形態では、坩堝１０に、その側面から外方に広がる鍔１７が設けられると共に、坩堝ケース２０のケース本体２１の内側面に、鍔１７を下方から保持するためのリブ２７が設けられ、その鍔１７又はリブ２７に複数の支持凸部が分散して設けられている。 FIG. 7A is a perspective view showing the configuration of the evaporation source 6 according to the third embodiment, and FIG. 7B is an exploded perspective view of the crucible case 20.
In the present embodiment, the crucible 10 is provided with a flange 17 extending outward from the side surface thereof, and a rib 27 for holding the flange 17 from below on the inner side surface of the case body 21 of the crucible case 20, A plurality of support convex portions are provided in a distributed manner on the flange 17 or the rib 27.

具体的には、図７（ａ）に示すように、坩堝１０における１対の長尺状の側板１２に、各側板１２の外面から外方に広がる鍔１７が形成されている。
各鍔１７は、Ｙ方向に伸長する長尺形状であって、各側板１２の上部からＸ方向に広がるように形成されている。
また、図７（ｂ）に示すように、ケース本体２１における１対の側板２１ｂには、各側板２１ｂの内面から凹空間２１ｃの内方に突出するリブ２７が取り付けられている。この各リブ２７は、各鍔１７に沿うようにＹ方向に伸長して設けられている。そして、各リブ２７における上側面には、複数の支持凸部２８が、リブ２７の長手方向（Ｙ方向）に沿って列設されている。 Specifically, as shown in FIG. 7A, a pair of long side plates 12 in the crucible 10 is formed with ridges 17 extending outward from the outer surface of each side plate 12.
Each flange 17 has a long shape extending in the Y direction, and is formed so as to spread from the upper part of each side plate 12 in the X direction.
Moreover, as shown in FIG.7 (b), the rib 27 which protrudes inward of the concave space 21c from the inner surface of each side plate 21b is attached to the pair of side plates 21b in the case main body 21. Each rib 27 is provided so as to extend in the Y direction along each flange 17. A plurality of support protrusions 28 are arranged on the upper side surface of each rib 27 along the longitudinal direction (Y direction) of the ribs 27.

坩堝ケース２０の凹空間２１ｃ内に坩堝１０が収納されると、図８（ａ）に示すように、坩堝１０に設けられた１対の鍔１７は、各支持凸部２８の頂部が鍔１７の下面に当接した状態で、坩堝ケース２０のリブ２７によって鉛直方向に安定して支持される。
それによって、坩堝１０は、坩堝ケース２０の凹空間２１ｃ内に安定に支持され、その状態で、坩堝１０の底板１１とケース本体２１の底板２１ａとの間に間隙１４が確保され、坩堝１０の側板１２と坩堝ケース２０の側板２１ｂとの間には間隙１５が確保される。 When the crucible 10 is stored in the concave space 21c of the crucible case 20, as shown in FIG. 8 (a), the pair of ridges 17 provided in the crucible 10 has the top portions of the support convex portions 28 at the ridges 17 as shown in FIG. The rib 27 of the crucible case 20 is stably supported in the vertical direction in contact with the lower surface of the crucible.
Thereby, the crucible 10 is stably supported in the concave space 21c of the crucible case 20, and in this state, a gap 14 is secured between the bottom plate 11 of the crucible 10 and the bottom plate 21a of the case body 21, and the crucible 10 A gap 15 is secured between the side plate 12 and the side plate 21 b of the crucible case 20.

各支持凸部２８は先細り形状に形成されている。そして、各支持凸部２８頂部が鍔１７の下面と接触する接触面は、この接触面を凹空間２１ｃの底面（底板２１ａの上面）に沿ったいずれか一方向に切断した切断線の最大長さが５ｍｍ以下となるように設定されている。
従って、本実施形態にかかる蒸発源６においても、実施の形態１で説明したのと同様に、坩堝１０と坩堝ケース２０との固着を抑制する効果が得られる。 Each support convex portion 28 is formed in a tapered shape. And the contact surface where each support convex part 28 top part contacts the lower surface of the collar 17 is the maximum length of the cutting line which cut | disconnected this contact surface in any one direction along the bottom face (upper surface of the baseplate 21a) of the concave space 21c. Is set to be 5 mm or less.
Therefore, also in the evaporation source 6 according to the present embodiment, the effect of suppressing the adhesion between the crucible 10 and the crucible case 20 can be obtained as described in the first embodiment.

また、リブ２７の上面に複数の支持凸部２８を配置する形態や支持凸部２８の形状については、実施の形態１の[支持凸部の形状などに関する詳細]で説明した内容を適用することができる。
次に、図８（ｂ）に示す蒸発源６においては、坩堝ケース２０のリブ２７に複数の支持凸部２８が列設される代わりに、坩堝１０の各鍔１７の下面側に複数の支持凸部１８が列設されている。 For the form in which the plurality of support protrusions 28 are arranged on the upper surface of the rib 27 and the shape of the support protrusions 28, the contents described in [Details on the shape of the support protrusions] of the first embodiment are applied. Can do.
Next, in the evaporation source 6 shown in FIG. 8 (b), a plurality of supporting projections 28 are arranged on the lower surface side of each crucible 17 of the crucible 10 instead of arranging a plurality of supporting convex portions 28 on the ribs 27 of the crucible case 20. Convex portions 18 are arranged in a row.

複数の支持凸部１８は、各鍔１７の長手方向（Ｙ方向）に沿って列設されている。
この図８（ｂ）に示す蒸発源６においても、坩堝ケース２０内に坩堝１０が収納されると、坩堝１０の鍔１７は、各支持凸部１８の頂部がリブ２７の上面に当接した状態で、坩堝ケース２０のリブ２７によって鉛直方向に安定に支持される。
そして、坩堝１０が坩堝ケース２０内に支持されている状態では、坩堝１０の底板１１とケース本体２１の底板２１ａとの間に間隙１４が確保され、坩堝１０の側板１２と坩堝ケース２０の側板２１ｂとの間には間隙１５が確保される。 The plurality of support protrusions 18 are arranged along the longitudinal direction (Y direction) of each flange 17.
Also in the evaporation source 6 shown in FIG. 8B, when the crucible 10 is stored in the crucible case 20, the tops of the support protrusions 18 of the crucibles 17 of the crucible 10 come into contact with the upper surfaces of the ribs 27. In this state, the rib 27 of the crucible case 20 is stably supported in the vertical direction.
When the crucible 10 is supported in the crucible case 20, a gap 14 is secured between the bottom plate 11 of the crucible 10 and the bottom plate 21 a of the case body 21, and the side plate 12 of the crucible 10 and the side plate of the crucible case 20. A gap 15 is ensured between 21b.

従って、実施の形態１で説明したのと同様に、坩堝１０と坩堝ケース２０との固着を抑制する効果が得られる。
また、鍔１７の下面側に複数の支持凸部１８を配置する形態や支持凸部１８の形状については、実施の形態１の[支持凸部の形状などに関する詳細]で説明した内容を適用することができる。 Therefore, as described in the first embodiment, the effect of suppressing the adhesion between the crucible 10 and the crucible case 20 can be obtained.
In addition, for the form in which the plurality of support protrusions 18 are arranged on the lower surface side of the flange 17 and the shape of the support protrusions 18, the contents described in [Details on the shape of the support protrusions] of the first embodiment are applied. be able to.

[変形例]
１．上記実施の形態では、真空チャンバ２に蒸発源６が１つだけ設けられていたが、真空チャンバ内に２つ以上の蒸発源を設けることもでき、その場合も、各蒸発源において、上記実施の形態で説明した構成を適用することによって、坩堝と坩堝ケースとの固着を抑えることができる。 [Modification]
1. In the above embodiment, only one evaporation source 6 is provided in the vacuum chamber 2, but two or more evaporation sources can be provided in the vacuum chamber. By applying the configuration described in the embodiment, it is possible to suppress the adhesion between the crucible and the crucible case.

２．上記実施の形態では、図１に示すように、蒸発源６の坩堝ケース２０が真空チャンバ２の底板上に設置されていたが、坩堝ケース２０は真空チャンバ２と一体形成されていてもよい。
図１０は、この変形例にかかる蒸着装置１の構成を示す図である。
図１０に示す変形例では真空チャンバ２の一部が坩堝ケースのケース本体２１となっている。 2. In the above embodiment, as shown in FIG. 1, the crucible case 20 of the evaporation source 6 is installed on the bottom plate of the vacuum chamber 2, but the crucible case 20 may be formed integrally with the vacuum chamber 2.
FIG. 10 is a diagram showing a configuration of the vapor deposition apparatus 1 according to this modification.
In the modification shown in FIG. 10, a part of the vacuum chamber 2 is a case body 21 of a crucible case.

具体的には、真空チャンバ２における底板の一部が下方に突出し、その突出した部分が、坩堝１０を収納するケース本体２１となっている。
この変形例においても、蒸発源６において、実施の形態で説明したように、例えば坩堝１０の底面に複数の支持凸部１３を設けることによって、実施の形態１で説明したとおり、坩堝１０と坩堝ケース２０との固着を抑制する効果を得ることができる。 Specifically, a part of the bottom plate in the vacuum chamber 2 protrudes downward, and the protruding portion is a case body 21 that houses the crucible 10.
Also in this modified example, as described in the embodiment, in the evaporation source 6, as described in the first embodiment, for example, by providing a plurality of support protrusions 13 on the bottom surface of the crucible 10, the crucible 10 and the crucible 10 are provided. The effect which suppresses adhering with case 20 can be acquired.

３．上記実施の形態では、蒸着源が長尺状のラインソースである場合について説明したが、必ずしもラインソースでなくてもよく、例えば円筒状の蒸着源であっても同様に実施することができる。
すなわち、坩堝ケースの凹空間に坩堝が収納され、複数の吐出口が開設された蓋体で凹空間の開口部が覆われた蒸着源であれば、蒸着源の形状に関わらず、坩堝の底面や坩堝の鍔に複数の支持凸部を設けたり、坩堝ケースに複数の支持凸部を設けることによって、同様に坩堝と坩堝ケースとの固着を抑制する効果を得ることができる。 3. In the above embodiment, the case where the vapor deposition source is a long line source has been described. However, the vapor deposition source is not necessarily a line source, and for example, a cylindrical vapor deposition source can be similarly implemented.
That is, if the crucible is stored in the concave space of the crucible case and the opening of the concave space is covered with a lid having a plurality of discharge openings, the bottom surface of the crucible regardless of the shape of the vapor deposition source In addition, by providing a plurality of support projections on the crucible or in the crucible or by providing a plurality of support projections on the crucible case, it is possible to obtain the same effect of suppressing the adhesion between the crucible and the crucible case.

本発明は、大型のフラットパネルを製造するときに用いるラインソースを備えた真空蒸着装置などに利用できる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used for a vacuum deposition apparatus provided with a line source used when manufacturing a large flat panel.

１ 蒸着装置
２ 真空チャンバ
３ 排気口
４ 仕切板
５ａ 搬入口
５ｂ 搬出口
６ 蒸発源
７ シャッタ
１０ 坩堝
１１ 底板
１２ 側板
１３ 支持凸部
１４ 間隙
１５ 間隙
１６ 補助凸部
１７ 鍔
１８ 支持凸部
２０ 坩堝ケース
２１ａ 底板
２１ｂ 側板
２１ ケース本体
２１ｃ 凹空間
２２ 蓋体
２３ 吐出口
２４ 開閉扉
２５ 支持凸部
２６ 補助凸部
２７ リブ
２８ 支持凸部
３０ ヒータ
４０ ヒータコントローラ
４１ 温度センサ
１００ 基板
１０１ 蒸着材料
１０２ 堆積層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Deposition apparatus 2 Vacuum chamber 3 Exhaust port 4 Partition plate 5a Carry-in port 5b Carry-out port 6 Evaporation source 7 Shutter 10 Crucible 11 Bottom plate 12 Side plate 13 Support convex part 14 Gap 15 Gap 16 Auxiliary convex part 17 鍔 18 Support convex part 20 Crucible case 21a Bottom plate 21b Side plate 21 Case body 21c Concave space 22 Lid 23 Discharge port 24 Opening / closing door 25 Support convex part 26 Auxiliary convex part 27 Rib 28 Support convex part 30 Heater 40 Heater controller 41 Temperature sensor 100 Substrate 101 Deposition material 102 Deposition layer

Claims (9)

真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配される蒸着対象物に蒸着材料の蒸気を放出する蒸発源とを備え、
前記蒸発源は、
前記蒸着材料を収容する坩堝と、
前記坩堝を収納する凹空間を有するケース本体、及び、前記ケース本体の開口部を覆い前記坩堝に収容された蒸着材料の蒸気を前記真空チャンバ内に吐出させる複数の吐出口が開設された蓋体からなる坩堝ケースを有し、
前記坩堝及び前記坩堝ケースの一方には、複数箇所において支持凸部が設けられ、
各支持凸部の頂部が前記坩堝及び前記坩堝ケースの他方に当接した状態で、前記坩堝が前記坩堝ケースに支持され、
前記複数箇所に設けられた支持凸部の各々が前記坩堝及び前記坩堝ケースの他方に接触する接触面は、前記凹空間の底面に沿ったいずれか一方向に切断した切断線の最大長さが、５ｍｍ以下である、
蒸着装置。 A vacuum chamber, and an evaporation source that discharges vapor of a deposition material to a deposition object disposed in the vacuum chamber,
The evaporation source is
A crucible containing the vapor deposition material;
A case main body having a concave space for storing the crucible, and a lid having a plurality of discharge ports that cover the opening of the case main body and discharge vapor of the vapor deposition material stored in the crucible into the vacuum chamber. Having a crucible case consisting of
One of the crucible and the crucible case is provided with support convex portions at a plurality of locations,
In a state where the top of each support convex portion is in contact with the other of the crucible and the crucible case, the crucible is supported by the crucible case,
The contact surface where each of the supporting convex portions provided at the plurality of locations contacts the other of the crucible and the crucible case has a maximum length of a cutting line cut in one direction along the bottom surface of the concave space. 5 mm or less,
Vapor deposition equipment. 前記支持凸部は、
前記坩堝の底面又は前記ケース本体の凹空間の底面に分散して形成されている
請求項１に記載の蒸着装置。 The support convex portion is
The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the vapor deposition apparatus is dispersedly formed on a bottom surface of the crucible or a bottom surface of the concave space of the case body. 前記支持凸部が形成されている箇所を除いた領域において、
前記坩堝の底面と前記凹空間の底面との間隙が２ｍｍ以上確保されている、
請求項２記載の蒸着装置。 In the region excluding the place where the support convex portion is formed,
The gap between the bottom surface of the crucible and the bottom surface of the concave space is secured 2 mm or more,
The vapor deposition apparatus according to claim 2. 前記坩堝には、その側面から外方に広がる鍔部が設けられ、
前記ケース本体の内側面には、前記鍔部を保持する鍔保持部が設けられ、
前記支持凸部は、前記鍔部又は前記鍔保持部に分散して形成されている、
請求項１に記載の蒸着装置。 The crucible is provided with a flange extending outward from its side surface,
On the inner surface of the case body, a heel holding portion for holding the heel portion is provided,
The support convex portion is formed by being dispersed in the flange portion or the flange holding portion.
The vapor deposition apparatus according to claim 1. 前記坩堝の底面と前記凹空間の底面との間隙が２ｍｍ以上確保されている、
請求項４記載の蒸着装置。 The gap between the bottom surface of the crucible and the bottom surface of the concave space is secured 2 mm or more,
The vapor deposition apparatus of Claim 4. 前記坩堝の側面又は前記ケース本体の内側面に、
複数の補助凸部が分散して形成されている、
請求項１〜５のいずれかに記載の蒸着装置。 On the side surface of the crucible or the inner surface of the case body,
A plurality of auxiliary convex portions are formed in a dispersed manner.
The vapor deposition apparatus in any one of Claims 1-5. 前記蒸着材料を室温から蒸着温度まで加熱昇温させるときに、
蒸着材料から不純物ガスが放出される温度まで第１の温度勾配で昇温し、
その後、第１の温度勾配よりも緩やかな第２の温度勾配を保った後、
前記蒸着温度まで昇温する、
請求項１〜６のいずれかに記載の蒸着装置。 When heating and evaporating the vapor deposition material from room temperature to the vapor deposition temperature,
The temperature is raised with a first temperature gradient to a temperature at which impurity gas is released from the vapor deposition material,
After maintaining a second temperature gradient that is gentler than the first temperature gradient,
Raising the temperature to the deposition temperature;
The vapor deposition apparatus in any one of Claims 1-6. 前記接触面を、前記坩堝を前記ケース本体から取り出すときに前記坩堝をスライドさせる方向と直交する方向に切断した切断線の最大長さが、５ｍｍ以下である、
請求項１〜７のいずれかに記載の蒸着装置。 The maximum length of the cutting line cut in the direction perpendicular to the direction in which the crucible is slid when the contact surface is taken out of the case body from the crucible is 5 mm or less,
The vapor deposition apparatus in any one of Claims 1-7. 蒸着材料を収容する坩堝と、
前記坩堝を収納する凹空間を有するケース本体、及び、前記ケース本体の開口部を覆い前記坩堝に収容された蒸着材料の蒸気を真空チャンバ内に吐出させる複数の吐出口が開設された蓋体からなる坩堝ケースと、
前記坩堝内の蒸着材料を加熱して蒸発させるヒータとを有し、
前記坩堝及び前記坩堝ケースの一方には、複数箇所において支持凸部が設けられ、
各支持凸部の頂部が前記坩堝及び前記坩堝ケースの他方に当接した状態で、前記坩堝が前記坩堝ケースに支持され、
前記複数箇所に設けられた支持凸部の各々が前記坩堝及び前記坩堝ケースの他方に接触する接触面は、前記凹空間の底面に沿ったいずれか一方向に切断した切断線の最大長さが５ｍｍ以下である、
蒸発源。 A crucible containing a vapor deposition material;
A case main body having a concave space for accommodating the crucible, and a lid having a plurality of outlets that cover the opening of the case main body and discharge vapor of the vapor deposition material stored in the crucible into the vacuum chamber. A crucible case,
A heater for heating and evaporating the vapor deposition material in the crucible,
One of the crucible and the crucible case is provided with support convex portions at a plurality of locations,
In a state where the top of each support convex portion is in contact with the other of the crucible and the crucible case, the crucible is supported by the crucible case,
The contact surface where each of the supporting convex portions provided at the plurality of locations contacts the other of the crucible and the crucible case has a maximum length of a cutting line cut in one direction along the bottom surface of the concave space. 5 mm or less,
Evaporation source.
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