JP5151055B2 - Deposition equipment - Google Patents

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Description

本発明は、成膜装置に係り、特にパーティクルの付着を防止しつつ、基板上に良質な膜を形成し得る成膜装置に関する。   The present invention relates to a film forming apparatus, and more particularly to a film forming apparatus capable of forming a high-quality film on a substrate while preventing adhesion of particles.

ハードディスク装置の磁気記録媒体の表面には、磁気記録媒体を保護するための保護膜が形成される。かかる磁気記録媒体において良好な磁気特性を実現するためには、良質で薄い保護膜を形成することが要求される。   A protective film for protecting the magnetic recording medium is formed on the surface of the magnetic recording medium of the hard disk device. In order to realize good magnetic characteristics in such a magnetic recording medium, it is required to form a high-quality and thin protective film.

かかる保護膜の材料としては、例えばダイヤモンドライクカーボンが用いられている。   As a material for such a protective film, for example, diamond-like carbon is used.

ダイヤモンドライクカーボンより成る保護膜は、例えばＣＶＤ法により形成することが可能である。   The protective film made of diamond-like carbon can be formed by, for example, a CVD method.

しかし、ＣＶＤ法によりダイヤモンドライクカーボンより成る保護膜を形成した場合には、必ずしも十分な被覆率や硬度等を得ることが困難であった。   However, when a protective film made of diamond-like carbon is formed by the CVD method, it has been difficult to obtain sufficient coverage and hardness.

そこで、近時では、アーク放電により炭素プラズマを生成し、かかる炭素プラズマを基板上に照射することにより、ダイヤモンドライクカーボンより成る保護膜を形成する技術が注目されている。   Therefore, recently, attention has been paid to a technique for forming a protective film made of diamond-like carbon by generating carbon plasma by arc discharge and irradiating the carbon plasma on the substrate.

かかる技術は、フィルタード・カソーディック・バキューム・アーク（ＦＣＶＡ：Filtered Cathodic Vacuum Arc）法と称されている。   This technique is referred to as a filtered cathodic vacuum arc (FCVA) method.

ＦＣＶＡ法によれば、硬くて丈夫なダイヤモンドライクカーボン膜を形成しうるとともに、高い被覆率で成膜しうるため更なる薄膜化が可能となる。   According to the FCVA method, a hard and strong diamond-like carbon film can be formed, and a film can be formed at a high coverage, so that further thinning can be achieved.

しかしながら、ＦＣＶＡ法では、アーク放電の際にプラズマが生成されるとともに、ターゲットからパーティクルが飛散する。磁気記録媒体の表面にかかるパーティクルが付着している状態でハードディスク装置を用いた場合には、クラッシュの要因となってしまう。   However, in the FCVA method, plasma is generated during arc discharge and particles are scattered from the target. When the hard disk device is used in a state where particles applied to the surface of the magnetic recording medium are attached, it causes a crash.

このため、パーティクルの付着を防止しつつダイヤモンドライクカーボンより成る保護膜を形成することが極めて需要である。   For this reason, it is extremely in demand to form a protective film made of diamond-like carbon while preventing the adhesion of particles.

特許文献１には、かかるパーティクルを除去しつつ、ダイヤモンドライクカーボンより成る保護膜を形成する技術が提案されている。
特開２００４−２４４６６７号公報 Patent Document 1 proposes a technique for forming a protective film made of diamond-like carbon while removing such particles.
JP 2004-244667 A

しかしながら、特許文献１に記載されている技術では、必ずしも十分にパーティクルを除去することはできなかった。   However, the technique described in Patent Document 1 cannot always sufficiently remove particles.

本発明の目的は、パーティクルを十分に除去し、良質なダイヤモンドライクカーボン等より成る保護膜を形成しうる成膜装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a film forming apparatus capable of sufficiently removing particles and forming a protective film made of high-quality diamond-like carbon or the like.

実施形態の一観点によれば、基板が載置される成膜室と、前記基板上に成膜を行うための成膜原料が載置され、前記成膜原料をターゲットとしてアーク放電を行うことにより、前記成膜原料のプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマ生成部と前記成膜室とを接続し、前記プラズマ生成部において生成されるプラズマを前記成膜室内に移動させるための移動経路と、前記プラズマ生成部と前記成膜室との間に設けられ、前記移動経路を開閉する第１のシャッターと、前記第１のシャッターと前記成膜室との間に設けられ、前記移動経路を開閉する第２のシャッターとを有し、前記プラズマが生成されている状態で前記第１のシャッターを開き、前記第１のシャッターを開いてから所定時間後に前記第２のシャッターを閉じることにより、前記成膜原料から飛散するパーティクルを前記第２のシャッターにより遮断しつつ、前記プラズマを前記基板上に到達させることを特徴とする成膜装置が提供される。 According to one aspect of the embodiment, a film forming chamber in which a substrate is placed, a film forming raw material for forming a film on the substrate, and arc discharge using the film forming raw material as a target. The plasma generation unit for generating the plasma of the film forming raw material, and the movement for connecting the plasma generation unit and the film formation chamber and moving the plasma generated in the plasma generation unit into the film formation chamber A path, a first shutter that opens and closes the movement path, and is provided between the first shutter and the film formation chamber. A second shutter that opens and closes a path, opens the first shutter while the plasma is generated, and closes the second shutter a predetermined time after the first shutter is opened. In Ri, while the particles scattered from the film forming material interrupted by the second shutter, the film forming apparatus is provided, characterized in that to reach the plasma on the substrate.

また、実施形態の他の観点によれば、基板が載置される成膜室と、前記基板上に成膜を行うための成膜原料が載置され、前記成膜原料をターゲットとしてアーク放電を行うことにより、前記成膜原料のプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマ生成部と前記成膜室とを接続し、前記プラズマ生成部において生成されるプラズマを前記成膜室内に流動させるための移動経路と、前記プラズマ生成部と前記成膜室との間に設けられ、前記移動経路を開閉するシャッターとを有し、前記プラズマを生成し始めてから所定時間後に前記シャッターを閉じることにより、前記成膜原料から飛散するパーティクルを前記シャッターにより遮断させつつ、前記プラズマを前記基板上に到達させることを特徴とする成膜装置が提供される。 According to another aspect of the embodiment, a film forming chamber in which a substrate is placed, and a film forming raw material for film forming are placed on the substrate, and arc discharge is performed using the film forming raw material as a target. The plasma generation unit that generates plasma of the film forming raw material, the plasma generation unit and the film formation chamber are connected, and the plasma generated in the plasma generation unit flows into the film formation chamber And a shutter provided between the plasma generation unit and the film forming chamber for opening and closing the movement path, and closing the shutter after a predetermined time from the start of generating the plasma. There is provided a film forming apparatus characterized in that the plasma reaches the substrate while blocking the particles scattered from the film forming material by the shutter.

開示の成膜装置によれば、基板上へのパーティクルの付着を防止しつつ、基板上にプラズマ流を到達させ得るため、ダイヤモンドライクカーボン等の良質な保護膜を基板上に形成することが可能となる。 According to the disclosed film forming apparatus, it is possible to form a high-quality protective film such as diamond-like carbon on the substrate because the plasma flow can reach the substrate while preventing particles from adhering to the substrate. It becomes.

［本発明の原理］
基板に所定バイアスを印加した際のプラズマ流の移動速度は例えば１．５〜２ｋｍ／秒程度と比較的速いのに対し、アーク放電の際にターゲット（成膜原料）から飛散するパーティクルの移動速度は１００ｍ／秒程度と比較的遅い。 [Principle of the present invention]
The moving speed of the plasma flow when a predetermined bias is applied to the substrate is relatively fast, for example, about 1.5 to 2 km / second, whereas the moving speed of particles scattered from the target (film forming raw material) during arc discharge. Is relatively slow at about 100 m / sec.

このため、プラズマ流は比較的早いタイミングで成膜室内に載置された基板に達する一方、パーティクルは比較的遅いタイミングで成膜室に達する。   For this reason, the plasma flow reaches the substrate placed in the film formation chamber at a relatively early timing, while the particles reach the film formation chamber at a relatively late timing.

本願発明者は鋭意検討した結果、プラズマ生成部と成膜室との間におけるプラズマ流の移動経路にシャッターを適宜設け、シャッターの開閉を適宜制御することにより、パーティクルをシャッターにより遮断しつつ、プラズマ流を成膜室内に載置された基板上に到達させることに想到した。本発明によれば、基板上へのパーティクルの付着を防止しつつ、基板上にプラズマ流を到達させ得るため、ダイヤモンドライクカーボン等の良質な保護膜を基板上に形成することが可能となる。   As a result of diligent study, the inventors of the present application have provided a shutter appropriately in the plasma flow moving path between the plasma generation unit and the film forming chamber, and appropriately controlled opening and closing of the shutter, thereby blocking the particles with the shutter and plasma. It was conceived that the flow would reach the substrate placed in the deposition chamber. According to the present invention, since a plasma flow can reach the substrate while preventing particles from adhering to the substrate, a high-quality protective film such as diamond-like carbon can be formed on the substrate.

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による成膜装置を図１乃至図７を用いて説明する。図１は、本実施形態による成膜装置を示す概略図である。 [First Embodiment]
A film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic view showing the film forming apparatus according to the present embodiment.

本実施形態による成膜装置は、基板１０が載置される成膜室１２と；基板１０上に成膜を行うための成膜原料１４が載置され、成膜原料１４をターゲットとしてアーク放電を行うことにより、成膜原料１４のプラズマを生成するプラズマ生成部１６と；プラズマ生成部１６と成膜室１２とを接続し、プラズマ生成部１６において生成されるプラズマを成膜室１２内に移動させるための移動経路１８と；プラズマ生成部１６と成膜室１２との間に設けられ、移動経路１８を開閉する第１のシャッター２０と；第１のシャッター２０と成膜室１２との間に設けられ、移動経路１８を開閉する第２のシャッター２２と；本実施形態による成膜装置全体を制御する制御部２４とを有している。   The film forming apparatus according to the present embodiment includes a film forming chamber 12 on which a substrate 10 is placed; a film forming raw material 14 for forming a film on the substrate 10; and arc discharge using the film forming raw material 14 as a target. The plasma generation unit 16 that generates plasma of the film forming raw material 14 is connected; the plasma generation unit 16 and the film formation chamber 12 are connected, and the plasma generated in the plasma generation unit 16 is introduced into the film formation chamber 12. A moving path 18 for moving; a first shutter 20 provided between the plasma generating unit 16 and the film forming chamber 12 and opening and closing the moving path 18; and between the first shutter 20 and the film forming chamber 12. And a second shutter 22 that opens and closes the movement path 18; and a control unit 24 that controls the entire film forming apparatus according to the present embodiment.

成膜室１２内には、基板１０を載置するためのＸＹステージ２６が設けられている。ＸＹステージ２６は、基板１０を順次移動させるためのものである。基板１０をＸＹステージ２６により適宜移動させることにより、基板１０上の全体に保護膜６０（図５参照）を形成することが可能となる。基板１０には、ＸＹステージ２６を介して負のバイアスが印加されるようになっている。基板１０にバイアスを印加するのは、プラズマ生成部１６において生成された炭素プラズマ２８、より具体的にはイオン化された炭素を、基板１０上に到達させるためである。成膜室１２には、成膜室１２内を真空にするための排気システム２７が接続されている。排気システム２７は、制御部２４により制御される。基板１０は、例えば、ハードディスク装置の磁気記録媒体に用いられるものである。本実施形態では、基板１０上に、例えばダイヤモンドライクカーボンより成る保護膜６０が形成される。   An XY stage 26 for placing the substrate 10 is provided in the film forming chamber 12. The XY stage 26 is for moving the substrate 10 sequentially. By appropriately moving the substrate 10 by the XY stage 26, the protective film 60 (see FIG. 5) can be formed over the entire substrate 10. A negative bias is applied to the substrate 10 via the XY stage 26. The reason why the bias is applied to the substrate 10 is to cause the carbon plasma 28 generated by the plasma generation unit 16, more specifically ionized carbon, to reach the substrate 10. An exhaust system 27 for connecting the film forming chamber 12 to a vacuum is connected to the film forming chamber 12. The exhaust system 27 is controlled by the control unit 24. The substrate 10 is used for, for example, a magnetic recording medium of a hard disk device. In the present embodiment, a protective film 60 made of, for example, diamond-like carbon is formed on the substrate 10.

プラズマ生成部１６には、陽極（アノード）３０と、ターゲット（成膜原料）１４が取り付けられる陰極（カソード）３１と、高純度のグラファイトより成るターゲット１４と、ターゲット１４の周囲に設けられたカソードコイル３２と、アーク放電を開始させるためのストライカー３４とが設けられている。アーク放電の際における陰極３１の電圧は例えば２０〜８０Ｖであり、放電電流は例えば６０〜１００Ａとする。陰極３１は、陰極３１を冷却するための冷却システム３４に接続されている。また、陰極３１は、アーク放電を制御するアーク源３６に接続されている。アーク源３６は、制御部２４により制御される。   The plasma generation unit 16 includes an anode (anode) 30, a cathode (cathode) 31 to which a target (film forming raw material) 14 is attached, a target 14 made of high-purity graphite, and a cathode provided around the target 14. A coil 32 and a striker 34 for starting arc discharge are provided. The voltage of the cathode 31 during arc discharge is, for example, 20 to 80 V, and the discharge current is, for example, 60 to 100A. The cathode 31 is connected to a cooling system 34 for cooling the cathode 31. The cathode 31 is connected to an arc source 36 that controls arc discharge. The arc source 36 is controlled by the control unit 24.

プラズマ生成部１６と成膜室１２との間の移動経路１８には、上述したように、第１のシャッター２０と第２のシャッター２２とが設けられている。第２のシャッター２２は、第１のシャッターと成膜室１２との間に位置している。   As described above, the first shutter 20 and the second shutter 22 are provided in the moving path 18 between the plasma generation unit 16 and the film forming chamber 12. The second shutter 22 is located between the first shutter and the film formation chamber 12.

図２は、第１のシャッターを示す平面図である。図２は、プラズマ生成部１６側から成膜室１０側に向かって第１のシャッター２０を見た際の平面図を示している。第１のシャッター２０は、回転可能な円盤状のアパーチャー３８と、固定されたアパーチャー４０とを組み合わせることにより構成されている。円盤状のアパーチャー３８及び固定されたアパーチャー４０のいずれも、アパーチャー３８の回転中心から偏在した位置にそれぞれ開口部４２、４４が形成されている。回転可能なアパーチャー３８は、ステッピングモータ４５により制御される。回転可能なアパーチャー３８の開口部４２の位置が、固定されたアパーチャー４０の開口部４４の位置と一致した際には、第１のシャッター２０が開いた状態となる。一方、回転可能なアパーチャー３８の開口部４２が固定されたアパーチャー４０の開口部４４の位置から外れた際には、第１のシャッター２０が閉じた状態となる。   FIG. 2 is a plan view showing the first shutter. FIG. 2 is a plan view when the first shutter 20 is viewed from the plasma generation unit 16 side toward the film formation chamber 10 side. The first shutter 20 is configured by combining a rotatable disc-shaped aperture 38 and a fixed aperture 40. In each of the disk-shaped aperture 38 and the fixed aperture 40, openings 42 and 44 are formed at positions that are eccentric from the rotation center of the aperture 38. The rotatable aperture 38 is controlled by a stepping motor 45. When the position of the opening 42 of the rotatable aperture 38 coincides with the position of the opening 44 of the fixed aperture 40, the first shutter 20 is opened. On the other hand, when the opening 42 of the rotatable aperture 38 deviates from the position of the opening 44 of the fixed aperture 40, the first shutter 20 is closed.

図３は、第２のシャッターを示す平面図である。図３は、プラズマ生成部１６側から成膜室１０側に向かって第２のシャッター２２を見た際の平面図を示している。第２のシャッター２２は、回転可能な円盤状のアパーチャー４６と、固定されたアパーチャー４８とを組み合わせることにより構成されている。円盤状のアパーチャー４８及び固定されたアパーチャー４８のいずれも、アパーチャー４８の回転中心から偏在した位置にそれぞれ開口部５０、５２が形成されている。回転可能なアパーチャー４６は、ステッピングモータ５４により制御される。回転可能なアパーチャー４６の開口部５０の位置が固定されたアパーチャー４８の開口部５２の位置と一致した際には、第２のシャッター２２が開いた状態となる。一方、回転可能なアパーチャー４６の開口部５０が固定されたアパーチャー４８の開口部５２の位置から外れた際には、第２のシャッター２２が閉じた状態となる。   FIG. 3 is a plan view showing the second shutter. FIG. 3 is a plan view when the second shutter 22 is viewed from the plasma generation unit 16 side toward the film formation chamber 10 side. The second shutter 22 is configured by combining a rotatable disc-shaped aperture 46 and a fixed aperture 48. In each of the disk-shaped aperture 48 and the fixed aperture 48, openings 50 and 52 are formed at positions that are unevenly distributed from the rotation center of the aperture 48. The rotatable aperture 46 is controlled by a stepping motor 54. When the position of the opening 50 of the rotatable aperture 46 matches the position of the opening 52 of the fixed aperture 48, the second shutter 22 is opened. On the other hand, when the opening 50 of the rotatable aperture 46 deviates from the position of the opening 52 of the fixed aperture 48, the second shutter 22 is closed.

第１のシャッター２０及び第２のシャッター２２の開閉は、シャッター連動開閉制御部５６により制御される。具合的には、シャッター連動開閉制御部５６により第１のシャッター２０及び第２のシャッター２２のステッピングモータ４５、５４がそれぞれ制御され、これにより、第１のシャッター２０及び第２のシャッター２２の開閉がそれぞれ制御される。   Opening / closing of the first shutter 20 and the second shutter 22 is controlled by a shutter interlocking opening / closing control unit 56. Specifically, the stepping motors 45 and 54 of the first shutter 20 and the second shutter 22 are controlled by the shutter interlocking opening / closing control unit 56, respectively, thereby opening and closing the first shutter 20 and the second shutter 22. Are controlled respectively.

第１のシャッター２０と第２のシャッター２２との間の距離、第１のシャッター２０の開閉のタイミング、第２のシャッター２２の開閉のタイミング、プラズマ２８の生成のタイミング等は、第２のシャッター２２によりパーティクルを遮断しつつ、プラズマ流２８を基板１０に到達させ得るように適宜設定される。   The distance between the first shutter 20 and the second shutter 22, the opening / closing timing of the first shutter 20, the opening / closing timing of the second shutter 22, the generation timing of the plasma 28, etc. It is set appropriately so that the plasma flow 28 can reach the substrate 10 while blocking particles by 22.

第１のシャッター２０と第２のシャッター２２との間の距離は、例えば１ｍ程度とする。   The distance between the first shutter 20 and the second shutter 22 is, for example, about 1 m.

なお、ここでは、第１のシャッター２０と第２のシャッター２２との間の距離を１ｍ程度に設定する場合を例に説明するが、第１のシャッター２０と第２のシャッター２２との間の距離は１ｍ程度に限定されるものではない。例えば、第１のシャッター２０と第２のシャッター２２との間の距離を、０．５〜２ｍ程度の範囲で適宜設定するようにしてもよい。   Here, a case where the distance between the first shutter 20 and the second shutter 22 is set to about 1 m will be described as an example, but the distance between the first shutter 20 and the second shutter 22 is described. The distance is not limited to about 1 m. For example, the distance between the first shutter 20 and the second shutter 22 may be set as appropriate within a range of about 0.5 to 2 m.

こうして、本実施形態による成膜装置が構成されている。   Thus, the film forming apparatus according to the present embodiment is configured.

次に、本実施形態による成膜装置の動作を図４を用いて説明する。図４は、本実施形態による成膜装置の動作を示すタイムチャートである。   Next, the operation of the film forming apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a time chart showing the operation of the film forming apparatus according to the present embodiment.

図４における上段のタイムチャートは、アーク放電のオン、オフを示している。アーク放電がオンの際にはプラズマ２８が生成され、アーク放電がオフの際にはプラズマ２８は生成されない。また、アーク放電がオンの状態においては、ターゲット１４からパーティクル５８が飛散する。   The upper time chart in FIG. 4 shows on / off of arc discharge. Plasma 28 is generated when arc discharge is on, and plasma 28 is not generated when arc discharge is off. In addition, when the arc discharge is on, the particles 58 are scattered from the target 14.

図４における中段のタイムチャートは、第１のシャッター２０の開閉を示している。図４に示すように、第１のシャッター２０は所定の周期で一定時間だけ開くようになっている。回転するアパーチャー３８の回転数を例えば６００ｒｐｍ程度とする場合、アパーチャー３８が１回転するのに要する時間は１００ｍｓである。この場合、第１のシャッターを開く時間Ｔ１ｏｐｅｎは例えば２０ｍｓとし、第１のシャッターを閉じる時間Ｔ１ｃｌｏｓｅは例えば８０ｍｓとする。なお、これらの時間Ｔ１ｏｐｅｎ、Ｔ１ｃｌｏｓｅは、第１のシャッター２０と第２のシャッター２２との間の距離、プラズマ流２８の移動速度、パーティクル５８の移動速度等によって適宜設定される。 The middle time chart in FIG. 4 shows opening and closing of the first shutter 20. As shown in FIG. 4, the first shutter 20 is opened for a certain period of time with a predetermined period. When the rotation speed of the rotating aperture 38 is, for example, about 600 rpm, the time required for the aperture 38 to make one rotation is 100 ms. In this case, the time T1 open for opening the first shutter is 20 ms, for example, and the time T1 close for closing the first shutter is 80 ms, for example. Note that these times T1 open and T1 close are appropriately set according to the distance between the first shutter 20 and the second shutter 22, the moving speed of the plasma flow 28, the moving speed of the particles 58, and the like.

図４における下段のタイムチャートは、第２のシャッター２２の開閉を示している。図４に示すように、第２のシャッター２２は所定の周期で一定時間開くようになっている。回転するアパーチャー４６の回転数を、第１のシャッター２０と同様に、例えば６００ｒｐｍ程度とする場合、アパーチャー４６が１回転するのに要する時間は１００ｍｓである。この場合、第２のシャッター２２を開く時間Ｔ２ｏｐｅｎは例えば２０ｍｓとし、第２のシャッター２２を閉じる時間Ｔ２ｃｌｏｓｅは例えば８０ｍｓとする。なお、これらの時間は、第１のシャッター２０と第２のシャッター２２との間の距離、プラズマ流２８の移動速度、パーティクル５８の移動速度等によって適宜設定される。 The lower time chart in FIG. 4 shows opening and closing of the second shutter 22. As shown in FIG. 4, the second shutter 22 is opened for a certain period of time with a predetermined period. When the rotational speed of the rotating aperture 46 is set to, for example, about 600 rpm like the first shutter 20, the time required for the aperture 46 to make one rotation is 100 ms. In this case, the time T2 open for opening the second shutter 22 is set to 20 ms, for example, and the time T2 close for closing the second shutter 22 is set to 80 ms, for example. These times are appropriately set according to the distance between the first shutter 20 and the second shutter 22, the moving speed of the plasma flow 28, the moving speed of the particles 58, and the like.

図４に示すように、アーク放電が行われている状態で、第２のシャッター２２が開かれる。この段階では、第１のシャッター２０は閉じられているため、プラズマ流２８は移動経路１８内に導入されず、プラズマ流２８は基板１０上に到達しない。   As shown in FIG. 4, the second shutter 22 is opened while arc discharge is being performed. At this stage, since the first shutter 20 is closed, the plasma flow 28 is not introduced into the movement path 18 and the plasma flow 28 does not reach the substrate 10.

図４に示すように、第２のシャッター２２が開かれてから、所定時間後、即ち、例えば１０ｍｓ後に、第１のシャッター２０が開かれる（図１参照）。第１のシャッター２０を開くことにより、図５に示すように、プラズマ流２８が移動経路１８中を成膜室１０に向かって移動することとなる。図５は、本実施形態による成膜装置の動作を示す概略図（その１）である。この際、パーティクル５８も移動経路１８中を移動することとなる。しかし、パーティクル５８の移動速度はプラズマ流２８の移動速度と比較して著しく遅いため、プラズマ流２８がパーティクル５８に著しく先行して移動経路１８内を移動し、パーティクル５８はプラズマ流２８から著しく遅れて移動経路１８内を移動する。   As shown in FIG. 4, after the second shutter 22 is opened, the first shutter 20 is opened after a predetermined time, that is, for example after 10 ms (see FIG. 1). By opening the first shutter 20, the plasma flow 28 moves in the moving path 18 toward the film forming chamber 10 as shown in FIG. 5. FIG. 5 is a schematic diagram (part 1) illustrating the operation of the film forming apparatus according to the present embodiment. At this time, the particles 58 also move in the movement path 18. However, since the moving speed of the particles 58 is significantly slower than the moving speed of the plasma flow 28, the plasma flow 28 moves in the moving path 18 significantly ahead of the particles 58, and the particles 58 are significantly delayed from the plasma flow 28. To move in the movement path 18.

そして、第１のシャッター２０が開かれてから、所定時間Ｔｄｅｌａｙ後、即ち、例えば１０ｍｓ後に、図６に示すように、第２のシャッター２２が閉じられる。図６は、本実施形態による成膜装置の動作を示す概略図（その２）である。第２のシャッター２２を閉じると、プラズマ流２８とパーティクル５８とが第２のシャッター２２により遮断されることとなる。この段階では、プラズマ流２８は第２のシャッター２２をある程度通過し終わっている一方、パーティクル５８は第２のシャッター２２まで到達していない。 Then, after the first shutter 20 is opened, the second shutter 22 is closed after a predetermined time T delay , that is, after 10 ms, for example, as shown in FIG. FIG. 6 is a schematic diagram (part 2) illustrating the operation of the film forming apparatus according to the present embodiment. When the second shutter 22 is closed, the plasma flow 28 and the particles 58 are blocked by the second shutter 22. At this stage, the plasma flow 28 has passed through the second shutter 22 to some extent, while the particles 58 have not reached the second shutter 22.

既に第２のシャッター２２を通過したプラズマ流２８は基板１０に向かって進行し、パーティクル５８は第２のシャッター２２を通過することなく、第２のシャッター２２により遮断される。   The plasma flow 28 that has already passed through the second shutter 22 travels toward the substrate 10, and the particles 58 are blocked by the second shutter 22 without passing through the second shutter 22.

図４及び図７に示すように、第２のシャッター２２が閉じられてから、所定時間後、即ち、例えば１０ｍｓ後に、第１のシャッター２０が閉じられる。図７は、本実施形態による成膜装置の動作を示す概略図（その３）である。   As shown in FIGS. 4 and 7, the first shutter 20 is closed after a predetermined time, that is, for example, 10 ms after the second shutter 22 is closed. FIG. 7 is a schematic diagram (part 3) illustrating the operation of the film forming apparatus according to the present embodiment.

第２のシャッター２２を通過したプラズマ流２８は基板１０上に到達する。パーティクル５８を第２のシャッター２２により遮断しつつ、例えば炭素プラズマ２８を基板１０上に到達させ得るため、例えばダイヤモンドライクカーボンより成る良質な保護膜６０を基板１０上に形成することができる。   The plasma flow 28 that has passed through the second shutter 22 reaches the substrate 10. For example, the carbon plasma 28 can reach the substrate 10 while blocking the particles 58 by the second shutter 22, so that a good quality protective film 60 made of, for example, diamond-like carbon can be formed on the substrate 10.

ＸＹステージ２６上に載置された基板１０を順次移動させながら、上記のような成膜工程を繰り返し行うことにより、基板１０上の全面に例えばダイヤモンドライクカーボンより成る保護膜６０を形成することができる。   A protective film 60 made of, for example, diamond-like carbon can be formed on the entire surface of the substrate 10 by repeatedly performing the film forming process as described above while sequentially moving the substrate 10 placed on the XY stage 26. it can.

このように、本実施形態によれば、プラズマ２８が生成されている状態で第１のシャッター２０を開き、第１のシャッター２０を開いてから所定時間Ｔｄｅｌａｙ後に第２のシャッター２２を閉じるため、成膜原料１４から飛散するパーティクル５８を第２のシャッター２２により遮断しつつ、プラズマ２８を基板１０上に到達させることができる。基板１０上へのパーティクル５８の付着を防止しつつ、基板１０上に例えば炭素プラズマを到達させ得るため、例えばダイヤモンドライクカーボンより成る良質な保護膜６０を基板１０上に形成することができる。 As described above, according to the present embodiment, the first shutter 20 is opened while the plasma 28 is generated, and the second shutter 22 is closed after a predetermined time T delay after the first shutter 20 is opened. The plasma 28 can reach the substrate 10 while the particles 58 scattered from the film forming raw material 14 are blocked by the second shutter 22. For example, carbon plasma can reach the substrate 10 while preventing the particles 58 from adhering to the substrate 10, so that a good quality protective film 60 made of, for example, diamond-like carbon can be formed on the substrate 10.

［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による成膜装置を図８乃至図１１を用いて説明する。図８は、本実施形態による成膜装置を示す概略図である。図９は、アパーチャーを示す平面図である。図１乃至図７に示す第１実施形態による成膜装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。 [Second Embodiment]
A film forming apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a schematic view showing the film forming apparatus according to the present embodiment. FIG. 9 is a plan view showing the aperture. The same components as those of the film forming apparatus according to the first embodiment shown in FIGS. 1 to 7 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified.

本実施形態による成膜装置は、プラズマ２８を生成してから所定時間後にシャッター２２を閉じることにより、ターゲット１４から飛散するパーティクル３８をシャッター２２により遮断させつつ、プラズマ流２８を基板１０上に到達させ得ることに主な特徴がある。   In the film forming apparatus according to the present embodiment, the plasma flow 28 reaches the substrate 10 while the shutter 22 is closed after a predetermined time after the plasma 28 is generated, thereby blocking the particles 38 scattered from the target 14 by the shutter 22. There is a main feature that can be made.

図８に示すように、プラズマ流２８を移動させるための移動経路１８には、アパーチャー（絞り）２１が設けられている。アパーチャー２１は、プラズマ流２８を所定の径に設定するためのものである。図９は、プラズマ生成部１６側から成膜室１０側に向かってアパーチャー２１を見た際の平面図を示している。アパーチャー２１は移動経路１８に固定されており、中心から偏在した位置に開口部２３が形成されている。   As shown in FIG. 8, an aperture 21 is provided in the moving path 18 for moving the plasma flow 28. The aperture 21 is for setting the plasma flow 28 to a predetermined diameter. FIG. 9 shows a plan view when the aperture 21 is viewed from the plasma generation unit 16 side toward the film forming chamber 10 side. The aperture 21 is fixed to the movement path 18, and an opening 23 is formed at a position unevenly distributed from the center.

シャッター２２は、アパーチャー２１と成膜室１２との間に位置している。   The shutter 22 is located between the aperture 21 and the film forming chamber 12.

次に、本実施形態による成膜装置の動作を図１０乃至図１２を用いて説明する。   Next, the operation of the film forming apparatus according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS.

図１０は、本実施形態による成膜装置の動作を示すタイムチャートである。   FIG. 10 is a time chart showing the operation of the film forming apparatus according to the present embodiment.

図１０における上段のタイムチャートは、アーク放電のオン、オフを示している。アーク放電がオンの際にはプラズマ２８が生成され、アーク放電がオフの際にはプラズマ２８は生成されない。   The upper time chart in FIG. 10 shows on / off of arc discharge. Plasma 28 is generated when arc discharge is on, and plasma 28 is not generated when arc discharge is off.

アーク放電を行う時間間隔は、例えば１０Ｈｚとする。アーク放電を行う時間Ｔｏｎは例えば２０ｍｓとし、アーク放電を行った後にアーク放電を中断する時間Ｔｏｆｆは例えば８０ｍｓとする。 The time interval for performing arc discharge is, for example, 10 Hz. Time T on for performing arc discharge and 20ms for example, time T off to interrupt the arc discharge after the arc discharge is, for example, 80 ms.

図１０における下段は、シャッター２２の開閉を示している。アーク放電を行う時間Ｔｏｎを上述したように例えば２０ｍｓとし、アーク放電を行った後にアーク放電を中断する時間Ｔｏｆｆを上述したように例えば８０ｍｓとする場合には、シャッター２２を開く時間Ｔｏｐｅｎを例えば２０ｍｓとし、シャッター２２を閉じる時間Ｔｃｌｏｓｅを例えば８０ｍｓとする。 The lower part of FIG. 10 shows opening and closing of the shutter 22. When the time T on for performing the arc discharge is set to 20 ms, for example, as described above, and the time T off for interrupting the arc discharge after the arc discharge is set to, for example, 80 ms as described above, the time T open for opening the shutter 22 is set. Is set to 20 ms, for example, and the time T close for closing the shutter 22 is set to 80 ms, for example.

アーク放電を開始すると、図１１に示すように、プラズマ流２８が移動経路１８中を成膜室１０に向かって移動することとなる。図１１は、本実施形態による成膜装置の動作を示す概略図（その１）である。この際、パーティクル５８も移動経路１８中を移動することとなる。しかし、パーティクル５８の移動速度はプラズマ流２８の移動速度と比較して著しく遅いため、プラズマ流２８がパーティクル５８に著しく先行して移動経路１８内を移動し、パーティクル５８はプラズマ流２８から著しく遅れて移動経路１８内を移動する。   When the arc discharge is started, as shown in FIG. 11, the plasma flow 28 moves in the moving path 18 toward the film forming chamber 10. FIG. 11 is a schematic diagram (part 1) illustrating the operation of the film forming apparatus according to the present embodiment. At this time, the particles 58 also move in the movement path 18. However, since the moving speed of the particles 58 is significantly slower than the moving speed of the plasma flow 28, the plasma flow 28 moves in the moving path 18 significantly ahead of the particles 58, and the particles 58 are significantly delayed from the plasma flow 28. To move in the movement path 18.

そして、アーク放電が開始されてから、所定時間Ｔｄｅｌａｙ後、即ち、例えば１０ｍｓ後に、シャッター２２が閉じられる。第２のシャッター２２を閉じると、プラズマ流２８とパーティクル５８とがシャッター２２により遮断されることとなる。図１２は、本実施形態による成膜装置の動作を示す概略図（その２）である。図１２に示すように、パーティクル５８はシャッター２２により遮断されている。 Then, after the arc discharge is started, the shutter 22 is closed after a predetermined time T delay , that is, after 10 ms, for example. When the second shutter 22 is closed, the plasma flow 28 and the particles 58 are blocked by the shutter 22. FIG. 12 is a schematic diagram (part 2) illustrating the operation of the film forming apparatus according to the present embodiment. As shown in FIG. 12, the particles 58 are blocked by the shutter 22.

なお、これらの時間Ｔｏｎ、Ｔｏｆｆ、Ｔｏｐｅｎ、Ｔｃｌｏｓｅ、Ｔｄｅｌａｙ、及び、シャッター２２の位置等は、プラズマ流２８の移動速度、パーティクル５８の移動速度等によって適宜設定される。 Note that the time T on , T off , T open , T close , T delay , the position of the shutter 22, and the like are appropriately set according to the moving speed of the plasma flow 28, the moving speed of the particles 58, and the like.

シャッター２２を通過したプラズマ流２８は基板１０上に到達する。パーティクル５８をシャッター２２により遮断しつつ、例えば炭素プラズマ２８を基板１０上に到達させ得るため、例えばダイヤモンドライクカーボンより成る良質な保護膜６０を基板１０上に形成することができる。   The plasma flow 28 that has passed through the shutter 22 reaches the substrate 10. For example, since the carbon plasma 28 can reach the substrate 10 while blocking the particles 58 by the shutter 22, a good quality protective film 60 made of, for example, diamond-like carbon can be formed on the substrate 10.

ＸＹステージ２６上に載置された基板１０を順次移動させながら、上記のような成膜工程を繰り返し行うことにより、基板１０上の全面に例えばダイヤモンドライクカーボンより成る保護膜６０を形成することができる。   A protective film 60 made of, for example, diamond-like carbon can be formed on the entire surface of the substrate 10 by repeatedly performing the film forming process as described above while sequentially moving the substrate 10 placed on the XY stage 26. it can.

このように、本実施形態によれば、プラズマ２８を生成し始めてから所定時間Ｔｄｅｌａｙ後にシャッター２２を閉じるため、成膜原料１４から飛散するパーティクル３８をシャッター２２により遮断させつつ、プラズマ２８を基板１０上に到達させることができる。基板１０上へのパーティクル５８の付着を防止しつつ、基板１０上に例えば炭素プラズマ等を到達させ得るため、本実施形態によっても、例えばダイヤモンドライクカーボン等より成る良質な保護膜６０を基板１０上に形成することができる。 As described above, according to the present embodiment, the shutter 22 is closed after a predetermined time T delay from the start of generating the plasma 28, so that the particles 28 scattered from the film forming raw material 14 are blocked by the shutter 22 while the plasma 28 is separated from the substrate. 10 can be reached. Since, for example, carbon plasma can reach the substrate 10 while preventing the particles 58 from adhering to the substrate 10, a good quality protective film 60 made of, for example, diamond-like carbon is also formed on the substrate 10 according to this embodiment. Can be formed.

［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。 [Modified Embodiment]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.

例えば、第１のシャッター２０を開く時間Ｔ１ｏｐｅｎ、第１のシャッター２０を閉じる時間Ｔ１ｃｌｏｓｅ、第２のシャッター２２を開く時間Ｔ２ｏｐｅｎ、第２のシャッター２２を閉じる時間Ｔ２ｃｌｏｓｅ、及び、第１のシャッター２０を開いてから第２のシャッター２２を閉じるまでの時間Ｔｄｅｌａｙは、第１実施形態において上述した値に限定されるものではない。パーティクル３８を第２のシャッター２２により遮断しつつ、プラズマ流２８を基板１０上に到達させ得るように適宜設定すればよい。例えば、第１のシャッター２０を開く時間Ｔ１ｏｐｅｎを１０〜５０ｍｓの範囲で適宜設定するようにしてもよい。また、第１のシャッター２０を閉じる時間Ｔ１ｃｌｏｓｅを例えば４０〜２００ｍｓの範囲で適宜設定するようにしてもよい。また、第２のシャッター２２を開く時間Ｔ２ｏｐｅｎを例えば１０〜５０ｍｓの範囲で適宜設定するようにしてもよい。また、第２のシャッター２２を閉じる時間Ｔ２ｃｌｏｓｅを例えば４０〜２００ｍｓの範囲で適宜設定するようにしてもよい。また、第１のシャッター２０を開いてから第２のシャッター２２を閉じるまでの時間Ｔｄｅｌａｙを、例えば５〜４０ｍｓの範囲で適宜設定してもよい。 For example, the time T1 open for opening the first shutter 20, the time T1 close for closing the first shutter 20, the time T2 open for opening the second shutter 22, the time T2 close for closing the second shutter 22, and the first The time T delay from opening the shutter 20 to closing the second shutter 22 is not limited to the value described above in the first embodiment. What is necessary is just to set suitably so that the plasma flow 28 can reach | attain on the board | substrate 10, blocking | blocking the particle | grain 38 by the 2nd shutter 22. FIG. For example, the time T1 open for opening the first shutter 20 may be set as appropriate within a range of 10 to 50 ms. Further, the time T1 close for closing the first shutter 20 may be set as appropriate within a range of 40 to 200 ms, for example. Further, the time T2 open for opening the second shutter 22 may be set as appropriate within a range of 10 to 50 ms, for example. Also, the time T2 close for closing the second shutter 22 may be set as appropriate within a range of 40 to 200 ms, for example. Further, the time T delay from the opening of the first shutter 20 to the closing of the second shutter 22 may be set as appropriate within a range of 5 to 40 ms, for example.

また、アーク放電の時間Ｔｏｎ、アーク放電を中断する時間Ｔｏｆｆ、シャッター２２を開く時間Ｔｏｐｅｎ、シャッター２２を閉じる時間Ｔｃｌｏｓｅ、及び、シャッター２２を開いてからシャッター２２を閉じるまでの時間Ｔｄｅｌａｙは、第２実施形態において上述した値に限定されるものではない。パーティクル３８を第２のシャッター２２により遮断しつつ、プラズマ流２８を基板１０上に到達させ得るように適宜設定すればよい。例えば、アーク放電の時間Ｔｏｎを１０〜５０ｍｓの範囲で適宜設定するようにしてもよい。また、アーク放電を中断する時間Ｔｏｆｆを例えば４０〜２００ｍｓの範囲で適宜設定するようにしてもよい。また、シャッター２２を開く時間Ｔｏｐｅｎを例えば１０〜５０ｍｓの範囲で適宜設定するようにしてもよい。また、シャッター２２を閉じる時間Ｔ２ｃｌｏｓｅを例えば４０〜２００ｍｓの範囲で適宜設定するようにしてもよい。また、アーク放電を開始してからシャッター２２を閉じるまでの時間Ｔｄｅｌａｙを、例えば５〜４０ｍｓの範囲で適宜設定してもよい。 Also, arc discharge time T on , arc discharge interruption time T off , shutter 22 opening time T open , shutter 22 closing time T close , and time T from opening the shutter 22 to closing the shutter 22 The delay is not limited to the value described above in the second embodiment. What is necessary is just to set suitably so that the plasma flow 28 can reach | attain on the board | substrate 10, blocking | blocking the particle | grain 38 by the 2nd shutter 22. FIG. For example, it may be appropriately set time T on of the arc discharge in the range of 10～50Ms. It is also possible to appropriately set the time T off to interrupt the arc discharge for example in the range of 40～200Ms. It is also possible to suitably set the time T open to open the shutter 22 for example in the range of 10～50Ms. Further, the time T2 close for closing the shutter 22 may be set as appropriate within a range of 40 to 200 ms, for example. Further, the time T delay from the start of the arc discharge to the closing of the shutter 22 may be appropriately set within a range of 5 to 40 ms, for example.

また、上記実施形態では、回転可能なアパーチャーと固定されたアパーチャーとを組み合わせることによりシャッター２０、２２を構成したが、回転可能なアパーチャーのみによりシャッター２０、２２を構成することも可能である。   In the above-described embodiment, the shutters 20 and 22 are configured by combining a rotatable aperture and a fixed aperture. However, the shutters 20 and 22 can be configured only by a rotatable aperture.

本発明の第１実施形態による成膜装置を示す概略図である。1 is a schematic view showing a film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention. 第１のシャッターを示す平面図である。It is a top view which shows a 1st shutter. 第２のシャッターを示す平面図である。It is a top view which shows a 2nd shutter. 本発明の第１実施形態による成膜装置の動作を示すタイムチャートである。It is a time chart which shows operation | movement of the film-forming apparatus by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態による成膜装置の動作を示す概略図（その１）である。It is the schematic (the 1) which shows operation | movement of the film-forming apparatus by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態による成膜装置の動作を示す概略図（その２）である。It is the schematic (the 2) which shows operation | movement of the film-forming apparatus by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態による成膜装置の動作を示す概略図（その３）である。It is the schematic (the 3) which shows operation | movement of the film-forming apparatus by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態による成膜装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the film-forming apparatus by 2nd Embodiment of this invention. アパーチャーを示す平面図である。It is a top view which shows an aperture. 本発明の第２実施形態による成膜装置の動作を示すタイムチャートである。It is a time chart which shows operation | movement of the film-forming apparatus by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態による成膜装置の動作を示す概略図（その１）である。It is the schematic (the 1) which shows operation | movement of the film-forming apparatus by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態による成膜装置の動作を示す概略図（その２）である。It is the schematic (the 2) which shows operation | movement of the film-forming apparatus by 2nd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０…基板
１２…成膜室
１４…成膜原料、ターゲット
１６…プラズマ生成部
１８…移動経路
２０…第１のシャッター
２１…アパーチャー
２２…第２のシャッター
２３…開口部
２４…制御部
２６…ＸＹステージ
２７…排気システム
２８…プラズマ流
３０…アノード
３１…カソード
３２…カソードコイル
３４…冷却システム
３６…アーク源
３８…アパーチャー
４０…アパーチャー
４２…開口部
４４…開口部
４５…ステッピングモータ
４６…アパーチャー
４８…アパーチャー
５０…開口部
５２…開口部
５４…ステッピングモータ
５６…シャッター連動開閉制御部
５８…パーティクル
６０…保護膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Substrate 12 ... Film formation chamber 14 ... Film formation raw material, target 16 ... Plasma generation part 18 ... Movement path 20 ... First shutter 21 ... Aperture 22 ... Second shutter 23 ... Opening 24 ... Control part 26 ... XY Stage 27 ... Exhaust system 28 ... Plasma flow 30 ... Anode 31 ... Cathode 32 ... Cathode coil 34 ... Cooling system 36 ... Arc source 38 ... Aperture 40 ... Aperture 42 ... Opening 44 ... Opening 45 ... Stepping motor 46 ... Aperture 48 ... Aperture 50 ... Opening 52 ... Opening 54 ... Stepping motor 56 ... Shutter-linked open / close control unit 58 ... Particle 60 ... Protective film

Claims (4)

基板が載置される成膜室と、
前記基板上に成膜を行うための成膜原料が載置され、前記成膜原料をターゲットとしてアーク放電を行うことにより、前記成膜原料のプラズマを生成するプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部と前記成膜室とを接続し、前記プラズマ生成部において生成されるプラズマを前記成膜室内に移動させるための移動経路と、
前記プラズマ生成部と前記成膜室との間に設けられ、前記移動経路を開閉する第１のシャッターと、
前記第１のシャッターと前記成膜室との間に設けられ、前記移動経路を開閉する第２のシャッターとを有し、
前記プラズマが生成されている状態で前記第１のシャッターを開き、前記第１のシャッターを開いてから所定時間後に前記第２のシャッターを閉じることにより、前記成膜原料から飛散するパーティクルを前記第２のシャッターにより遮断しつつ、前記プラズマを前記基板上に到達させる
ことを特徴とする成膜装置。 A film formation chamber in which a substrate is placed;
A film forming raw material for film formation is placed on the substrate, and a plasma generation unit that generates plasma of the film forming raw material by performing arc discharge using the film forming raw material as a target;
A movement path for connecting the plasma generation unit and the film formation chamber and moving the plasma generated in the plasma generation unit into the film formation chamber;
A first shutter that is provided between the plasma generation unit and the film formation chamber and opens and closes the movement path;
A second shutter provided between the first shutter and the film formation chamber and opening and closing the movement path;
The first shutter is opened in a state where the plasma is being generated, and the second shutter is closed a predetermined time after the first shutter is opened. The film formation apparatus characterized in that the plasma reaches the substrate while being blocked by a shutter of No. 2. 基板が載置される成膜室と、
前記基板上に成膜を行うための成膜原料が載置され、前記成膜原料をターゲットとしてアーク放電を行うことにより、前記成膜原料のプラズマを生成するプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部と前記成膜室とを接続し、前記プラズマ生成部において生成されるプラズマを前記成膜室内に流動させるための移動経路と、
前記プラズマ生成部と前記成膜室との間に設けられ、前記移動経路を開閉するシャッターとを有し、
前記プラズマを生成し始めてから所定時間後に前記シャッターを閉じることにより、前記成膜原料から飛散するパーティクルを前記シャッターにより遮断させつつ、前記プラズマを前記基板上に到達させる
ことを特徴とする成膜装置。 A film formation chamber in which a substrate is placed;
A film forming raw material for film formation is placed on the substrate, and a plasma generation unit that generates plasma of the film forming raw material by performing arc discharge using the film forming raw material as a target;
A movement path for connecting the plasma generation unit and the film formation chamber, and causing the plasma generated in the plasma generation unit to flow into the film formation chamber;
A shutter that is provided between the plasma generation unit and the film forming chamber and opens and closes the moving path;
Closing the shutter after a predetermined time from the start of the generation of the plasma, thereby causing the plasma to reach the substrate while blocking the particles scattered from the film forming material by the shutter. . 請求項１又は２記載の成膜装置において、
前記シャッターは、回転中心から偏在した位置に第１の開口部が形成され回転可能な円盤状の第１のアパーチャーと、前記回転中心から偏在した位置に第２の開口部が形成され固定された第２のアパーチャーとを有し、
前記第１の開口部の位置が前記第２の開口部の位置と一致した際に前記シャッターが開いた状態となり、前記第１の開口部の位置が前記第２の開口部の位置から外れた際に前記シャッターが閉じた状態となる
ことを特徴とする成膜装置。 In the film-forming apparatus of Claim 1 or 2 ,
The shutter has a first disc-shaped aperture that is rotatable with a first opening formed at a position that is unevenly distributed from the center of rotation, and a second opening that is formed at a position that is unevenly distributed from the center of rotation. A second aperture,
The shutter is opened when the position of the first opening coincides with the position of the second opening, and the position of the first opening deviates from the position of the second opening. The film forming apparatus is characterized in that the shutter is in a closed state. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の成膜装置において、
前記成膜原料は、グラファイトより成る
ことを特徴とする成膜装置。 In the film-forming apparatus of any one of Claims 1 thru | or 3 ,
The film forming material is made of graphite.
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