JPH0594266U - Shutter structure of sputtering equipment - Google Patents

Shutter structure of sputtering equipment

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JPH0594266U
JPH0594266U JP3988792U JP3988792U JPH0594266U JP H0594266 U JPH0594266 U JP H0594266U JP 3988792 U JP3988792 U JP 3988792U JP 3988792 U JP3988792 U JP 3988792U JP H0594266 U JPH0594266 U JP H0594266U
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JP
Japan
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shutter
stage
target
work
outer peripheral
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Application number
JP3988792U
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Japanese (ja)
Inventor
康宏 津野
真人 石丸
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 プレスパッタ時にスパッタ粒子がワークに付
着することを確実に防止できるスパッタ装置のシャッタ
構造を提供する。 【構成】 上面にワークが載置されるステージ13と、
ステージ上に載置されるワークと対向する状態で設置さ
れたターゲット15と、ステージとターゲットの間に位
置して支軸19に回転自在に取り付けられるとともに、
そのターゲットとステージ上に載置されるワークとの間
でスパッタ粒子を流通させる開口部が形成されたシャッ
タ16とを備えたスパッタ装置であって、そのシャッタ
16が少なくとも2枚のシャッタ板17、18で構成さ
れている。そして、それらのシャッタ板17、18のう
ちの少なくとも一枚が支軸19に回転自在に取り付けら
れている。
(57) [Summary] [Object] To provide a shutter structure of a sputtering apparatus capable of reliably preventing sputter particles from adhering to a work during pre-sputtering. [Structure] A stage 13 on which a work is placed,
The target 15 is installed in a state of facing the work placed on the stage, and is rotatably attached to the support shaft 19 located between the stage and the target.
A sputtering apparatus comprising: a shutter 16 having an opening for allowing sputtered particles to flow between the target and a work placed on a stage, the shutter 16 including at least two shutter plates 17, It is composed of 18. At least one of the shutter plates 17 and 18 is rotatably attached to the support shaft 19.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は、ワークの表面にスパッタ膜を形成するスパッタ装置に係わり、特に ワークとターゲットとの間に配置されるシャッタの構造に関するものである。 The present invention relates to a sputtering apparatus for forming a sputtered film on a surface of a work, and more particularly to a structure of a shutter arranged between a work and a target.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior Art]

図8は従来装置を示す側面概略図であり、図9は同部分平面図である。 図示したスパッタ装置50において、51はスパッタ室52を形成するベルジ ャーである。スパッタ室52の内部にはステージ53が設けられており、このス テージ53の上面にワーク54が載置される。さらにスパッタ室52内には、ス テージ53上に載置されるワーク54と対向する状態でターゲット55が設置さ れている。 FIG. 8 is a schematic side view showing a conventional device, and FIG. 9 is a partial plan view of the same. In the illustrated sputtering device 50, 51 is a bell jar that forms a sputtering chamber 52. A stage 53 is provided inside the sputtering chamber 52, and a work 54 is placed on the upper surface of the stage 53. Further, in the sputtering chamber 52, a target 55 is installed so as to face the work 54 placed on the stage 53.

【0003】 また、ステージ53とターゲット55との間にはシャッタ56が配置されてお り、このシャッター56はスパッタ室52に垂設された支軸57に回転自在に取 り付けられている。 従来のシャッタ56は、ステージ53とほぼ同じ外径の略円板状をなしており 、その所定位置には上述のターゲット55の設置場所に対応して開口部56aが 形成されている。この開口部56aは、ターゲット55とステージ53上に載置 されるワーク54との間でスパッタ粒子を流通させるためのもので、シャッタ5 6の回転によって支軸57を中心に周回移動するようになっている。A shutter 56 is arranged between the stage 53 and the target 55, and the shutter 56 is rotatably attached to a support shaft 57 vertically provided in the sputtering chamber 52. The conventional shutter 56 has a substantially disk shape with an outer diameter substantially the same as that of the stage 53, and an opening 56a is formed at a predetermined position corresponding to the installation location of the target 55 described above. The opening 56a is for allowing the sputtered particles to flow between the target 55 and the work 54 placed on the stage 53, and is configured to move around the support shaft 57 by the rotation of the shutter 56. Is becoming

【0004】 このように構成された上記従来のスパッタ装置50において、ステージ53上 に載置されたワーク54にスパッタ膜を形成する場合は、まずシャッタ56を適 宜回転させてターゲット55の真下にシャッタ56の開口部56aを配置させる 。そしてこの状態から、スパッタ室52に導入した放電ガスに電圧をかけてグロ ー放電を発生させる。これにより、プラズマ中の正イオンがターゲット55の表 面に衝突してターゲット55からスパッタ粒子がはじき出されるとともに、この はじき出されたスパッタ粒子が、シャッタ56の開口部56aを通してワーク5 4上に付着し、ワーク54の表面にスパッタ膜を形成する。In the above-described conventional sputtering apparatus 50 having the above-described structure, when forming a sputtered film on the work 54 placed on the stage 53, first, the shutter 56 is appropriately rotated so that the shutter 56 is directly below the target 55. The opening 56a of the shutter 56 is arranged. Then, from this state, a voltage is applied to the discharge gas introduced into the sputtering chamber 52 to generate a glow discharge. As a result, the positive ions in the plasma collide with the surface of the target 55 and the sputtered particles are ejected from the target 55, and the ejected sputtered particles adhere to the work 54 through the opening 56a of the shutter 56. A sputtered film is formed on the surface of the work 54.

【0005】 ところで、実際にスパッタ処理を行う前段階では、スパッタ室52に設置され たターゲット55が大気にさらされることから、その表面が水分、酸素、汚れな どの不純物によって汚染された状態にある。よって、この状態からスパッタ処理 を行うとワーク54上に汚染物を含んだスパッタ膜が形成されてしまうため、通 常はプレスパッタと呼ばれる前処理が行われる。 このプレスパッタを上記従来のスパッタ装置50で行う場合は、シャッタ56 を適宜回転させて、図9に示すようにターゲット55の真下からシャッタ56の 開口部56aの位置を大きくずらし、プレスパッタ時に不純物を含んだスパッタ 粒子がワーク54に付着しないようにしていた。By the way, before the actual sputtering process, the target 55 installed in the sputtering chamber 52 is exposed to the atmosphere, so that its surface is contaminated by impurities such as moisture, oxygen, and dirt. .. Therefore, if the sputter process is performed from this state, a sputtered film containing contaminants is formed on the work 54, and therefore a pre-process called pre-sputter is usually performed. When this pre-sputtering is performed by the above-described conventional sputtering apparatus 50, the shutter 56 is appropriately rotated to largely shift the position of the opening 56a of the shutter 56 from directly below the target 55 as shown in FIG. The sputtered particles containing .alpha. Were prevented from adhering to the work 54.

【0006】[0006]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

しかしながら上記従来のスパッタ装置50においては、プレスパッタを行った 際、スパッタ粒子と放電ガスの衝突やスパッタ粒子同士の衝突によってスパッタ 粒子が多方向に散乱し、この散乱したスパッタ粒子がシャッタ56の周囲やシャ ッタ56の開口部aから廻り込んでワーク54に付着してしまうといった問題が あった。その結果、ワーク54の表面に不純物を含んだスパッタ膜が形成されて 、ワーク54とスパッタ膜との密着性が著しく低下するとともに、スパッタ膜の 膜質が不均一となって特性上の劣化を招いていた。 However, in the above-described conventional sputtering apparatus 50, when pre-sputtering is performed, the sputtered particles are scattered in multiple directions due to the collision between the sputtered particles and the discharge gas or the collision between the sputtered particles, and the scattered sputtered particles surround the shutter 56. Also, there is a problem in that the work gets around from the opening a of the shutter 56 and adheres to the work 54. As a result, a sputtered film containing impurities is formed on the surface of the work 54, the adhesion between the work 54 and the sputtered film is significantly reduced, and the quality of the sputtered film becomes non-uniform, resulting in deterioration of characteristics. Was there.

【0007】 本考案は、上記問題を解決するためになされたもので、プレスパッタ時にスパ ッタ粒子がワークに付着することを確実に防止できるスパッタ装置のシャッタ構 造を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a shutter structure of a sputtering apparatus capable of reliably preventing spatter particles from adhering to a work during pre-sputtering. To do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

本考案は、上記目的を達成するためになされたもので、上面にワークが載置さ れるステージと、このステージ上に載置されるワークと対向する状態で設置され たターゲットと、ステージとターゲットの間に位置して支軸に回転自在に取り付 けられるとともに、そのターゲットとステージ上に載置されるワークとの間でス パッタ粒子を流通させる開口部が形成されたシャッタとを備えたスパッタ装置に おいて、上記シャッタは少なくとも2枚のシャッタ板で構成され、且つそれらの シャッタ板のうちの少なくとも一枚が上記支軸に回転自在に取り付けられたもの である。 さらに、上記シャッタを構成するシャッタ板のうち、少なくとも一枚のシャッ タ板の外周縁が上記ステージの外周縁よりも外方に延出したものである。 The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object, and a stage on which a work is placed on the upper surface, a target installed in a state of facing the work placed on the stage, and the stage and the target And a shutter that is rotatably attached to the spindle and is provided with an opening that allows the spatter particles to flow between the target and the workpiece placed on the stage. In the sputtering apparatus, the shutter is composed of at least two shutter plates, and at least one of the shutter plates is rotatably attached to the support shaft. Further, among the shutter plates constituting the shutter, at least one shutter plate has an outer peripheral edge extending outwardly of the outer peripheral edge of the stage.

【0009】 また、上面にワークが載置されるステージと、このステージ上に載置されるワ ークと対向する状態で設置されたターゲットと、ステージとターゲットとの間に 位置して支軸に回転自在に取り付けられるとともに、そのターゲットとステージ 上に載置されるワークとの間でスパッタ粒子を流通させる開口部が形成されたシ ャッタとを備えたスパッタ装置において、上記シャッタの外周縁が上記ステージ の外周縁よりも外方に延出したものである。Further, a stage on which a work is placed, a target placed in a state of facing a work placed on the stage, and a spindle positioned between the stage and the target. In the sputtering apparatus, which is rotatably attached to the target and has a shutter having an opening for allowing sputtered particles to flow between the target and a work placed on the stage, the outer peripheral edge of the shutter is It extends outside the outer edge of the stage.

【0010】 さらに、上記シャッタの外周縁に、上方及び/又は下方に延出してなるフラン ジ部を形成したものである。 加えて、上記シャッタの外周縁に形成したフランジ部の下端が上記ステージの 上面よりも下方に配置されたものである。Further, the outer peripheral edge of the shutter is formed with a flange portion extending upward and / or downward. In addition, the lower end of the flange portion formed on the outer peripheral edge of the shutter is arranged below the upper surface of the stage.

【0011】[0011]

【作用】[Action]

本考案のスパッタ装置のシャッタ構造においては、シャッタを構成する各シャ ッタ板のうちの少なくとも一枚を適宜回転させることにより、各シャッタ板の開 口部が、互いに他のシャッタ板によって塞がれる。これにより、プレスパッタ時 におけるシャッタの開口部からのスパッタ粒子の廻り込みが阻止される。 また、シャッタ(シャッタ板)の外周縁をステージの外周縁よりも外方に延出 させることにより、ターゲットを起点としたシャッタ周囲からワークまでの経路 が従来よりも長くなり、プレスパッタ時におけるシャッタ周囲からのスパッタ粒 子の廻り込みが軽減される。 さらに、シャッタの外周縁にフランジ部を形成することで、ターゲットを起点 としたシャッタ周囲からワークまでの経路が一層長く且つ複雑になり、これによ ってプレスパッタ時におけるシャッタ周囲からのスパッタ粒子の廻り込みが阻止 される。 In the shutter structure of the sputtering apparatus of the present invention, by appropriately rotating at least one of the shutter plates constituting the shutter, the openings of the shutter plates are closed by the other shutter plates. Be done. This prevents spattered particles from wrapping around from the opening of the shutter during pre-sputtering. Also, by extending the outer peripheral edge of the shutter (shutter plate) outward from the outer peripheral edge of the stage, the path from the periphery of the shutter starting from the target to the workpiece becomes longer than before, and the shutter during pre-sputtering The wraparound of sputter particles from the surroundings is reduced. Furthermore, by forming a flange on the outer peripheral edge of the shutter, the path from the periphery of the shutter to the work starting from the target becomes longer and more complicated, which results in sputter particles from the periphery of the shutter during pre-sputtering. Is prevented from wrapping around.

【0012】[0012]

【実施例】【Example】

以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明する。 図1は本考案の第1実施例を示す側面概略図であり、図2は同部分平面図であ る。 図示したスパッタ装置10において、11はスパッタ室12を形成するベルジ ャー、13はステージ、14はステージ13の上面に載置されたワーク、15は ステージ13上に載置されたワーク14と対向する状態で設置されたターゲット であり、このターゲット15と上述のステージ13との間にシャッタ16が配置 されている。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a schematic side view showing a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partial plan view of the same. In the illustrated sputtering apparatus 10, 11 is a bell jar that forms the sputtering chamber 12, 13 is a stage, 14 is a work placed on the upper surface of the stage 13, and 15 is opposed to the work 14 placed on the stage 13. The target is installed in this state, and the shutter 16 is arranged between the target 15 and the stage 13 described above.

【0013】 本第1実施例のスパッタ装置10では、シャッタ16が2枚のシャッタ板17 、18で構成されており、しかも各シャッタ板17、18は、スパッタ室12に 垂設された支軸19に回転自在に取り付けられている。また各シャッタ板17、 18には、ターゲット15とステージ13上に載置されるワーク14との間にス パッタ粒子を流通させるための開口部17a、18aが形成されている。In the sputtering apparatus 10 of the first embodiment, the shutter 16 is composed of two shutter plates 17 and 18, and each of the shutter plates 17 and 18 is a support shaft vertically installed in the sputtering chamber 12. It is rotatably attached to 19. Further, the shutter plates 17 and 18 are provided with openings 17a and 18a for passing the spatter particles between the target 15 and the work 14 placed on the stage 13.

【0014】 上記構成からなる第1実施例のスパッタ装置10において、ステージ13上に 載置されたワーク14にスパッタ膜を形成する場合は、まず各シャッタ板17、 18を適宜回転させてそれぞれの開口部17a、18aをターゲット15の真下 に配置させる。これにより、ターゲット15の表面からはじき出されるスパッタ 粒子は、各シャッタ板17、18の開口部17a、18aを通してワーク14に 付着し、ワーク14の表面にスパッタ膜を形成する。In the sputtering apparatus 10 of the first embodiment having the above structure, when forming a sputtered film on the work 14 placed on the stage 13, first, the shutter plates 17 and 18 are appropriately rotated and the respective shutter plates 17 and 18 are rotated. The openings 17a and 18a are arranged directly below the target 15. As a result, the sputtered particles ejected from the surface of the target 15 adhere to the work 14 through the openings 17a, 18a of the shutter plates 17, 18 and form a sputtered film on the surface of the work 14.

【0015】 一方、プレスパッタを行う場合は、各シャッタ板17、18を適宜回転させて それぞれの開口部17a、18aの位置をターゲット15の真下からずらして配 置するとともに、各開口部17a、18aの位置も互いにずらして配置する。 これにより、シャッタ板17の開口部17aがシャッタ板18によって塞がれ ると同時に、シャッタ板18の開口部18aがシャッタ板17によって塞がれる 。したがって、この状態からプレスパッタを行った際には、シャッタ16の開口 部(17a、18a)からのスパッタ粒子の廻り込みが確実に阻止される。On the other hand, in the case of performing pre-sputtering, the shutter plates 17 and 18 are appropriately rotated so that the positions of the openings 17a and 18a are shifted from directly below the target 15, and the openings 17a and 18a are The positions of 18a are also displaced from each other. As a result, the opening 17a of the shutter plate 17 is closed by the shutter plate 18, and at the same time, the opening 18a of the shutter plate 18 is closed by the shutter plate 17. Therefore, when pre-sputtering is performed from this state, it is possible to reliably prevent the spattered particles from flowing in through the openings (17a, 18a) of the shutter 16.

【0016】 なお、上記第1実施例の説明では、シャッタ16を2枚のシャッタ板17、1 8で構成し、且つそれぞれのシャッタ板17、18を支軸19に回転自在に取り 付けるようにしたが、本考案はこれに限らず、シャッタを3枚或いはそれ以上の シャッタ板で構成するようにしてもよく、またそれらのシャッタ板のうちの一枚 だけを支軸に回転自在に取り付け、それ以外のシャッタ板は開口部をターゲット の真下に配置した状態で支軸に固定するようにしてもよい。In the above description of the first embodiment, the shutter 16 is composed of two shutter plates 17 and 18, and the shutter plates 17 and 18 are rotatably attached to the support shaft 19. However, the present invention is not limited to this, and the shutter may be composed of three shutter plates or more, and only one of the shutter plates is rotatably attached to the spindle. The shutter plate other than that may be fixed to the support shaft in a state where the opening is arranged directly below the target.

【0017】 図3は本考案の第2実施例を示す側面概略図であり、図4は同部分平面図であ る。図において、上記第1実施例と同様のものには同じ符号を付し、重複する説 明は省略する。 本第2実施例の構成においては、スパッタ室12に垂設された支軸19にシャ ッタ20が回転自在に取り付けられており、さらにこのシャッタ20の所定位置 には開口部20aが形成されている。 ここで本第2実施例の特徴は、ステージ13に対するシャッタ20の大きさに ある。すなわち、従来ではシャッタとステージの外径がほぼ同じに設定されてい たものが、本例ではシャッタ20の外径D1がステージ13の外径D2よりも十 分に大きく設定され、これによりシャッタ20の外周縁がステージ13の外周縁 よりも外方に延出している。FIG. 3 is a schematic side view showing a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a partial plan view of the same. In the figure, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the overlapping description will be omitted. In the configuration of the second embodiment, a shutter 20 is rotatably attached to a support shaft 19 vertically provided in the sputtering chamber 12, and an opening 20a is formed at a predetermined position of the shutter 20. ing. Here, the feature of the second embodiment lies in the size of the shutter 20 with respect to the stage 13. That is, although the outer diameters of the shutter and the stage have been set to be substantially the same in the past, in the present example, the outer diameter D1 of the shutter 20 is set to be sufficiently larger than the outer diameter D2 of the stage 13. Of the outer peripheral edge of the stage 13 extends outward from the outer peripheral edge of the stage 13.

【0018】 このように構成することにより、ターゲット15を起点としたシャッタ20周 囲からステージ13上のワーク14までの経路(図中一点鎖線で表示)が従来よ りも長くなるため、プレスパッタ時におけるシャッタ20周囲からのスパッタ粒 子の廻り込みが軽減される。With this configuration, the path from the circumference of the shutter 20 starting from the target 15 to the work 14 on the stage 13 (indicated by the one-dot chain line in the figure) becomes longer than in the conventional case, so that the pre-sputtering At this time, the wraparound of sputtered particles from around the shutter 20 is reduced.

【0019】 なお、この第2実施例の構成については、先に説明した第1実施例の場合にも 採用することができる。すなわち、図1に示す第1実施例の構成において、シャ ッタ16を構成するシャッタ板17、18のうち、少なくとも一枚のシャッタ板 (17又は18)の外周縁をステージ13の外周縁よりも外方に延出させる。こ れにより、上記第2実施例と同様の作用効果を得ることができる。The configuration of the second embodiment can also be adopted in the case of the first embodiment described above. That is, in the configuration of the first embodiment shown in FIG. 1, the outer peripheral edge of at least one shutter plate (17 or 18) among the shutter plates 17 and 18 constituting the shutter 16 is closer to the outer peripheral edge of the stage 13. Also extend outward. As a result, it is possible to obtain the same effect as that of the second embodiment.

【0020】 図5は本考案の第3実施例を示す側面概略図である。 本第3実施例の特徴は、上述した第2実施例の構成において開口部20aを有 するシャッタ20の外周縁にフランジ部20bが設けられた点にある。このフラ ンジ部20bはシャッタ20の外周縁から上下方向に延出した状態で形成されて おり、しかもその下端がステージ13の上面よりも下方に配置されている。FIG. 5 is a schematic side view showing a third embodiment of the present invention. The feature of the third embodiment resides in that the flange portion 20b is provided on the outer peripheral edge of the shutter 20 having the opening 20a in the configuration of the second embodiment described above. The flange portion 20b is formed so as to extend in the vertical direction from the outer peripheral edge of the shutter 20, and the lower end thereof is arranged below the upper surface of the stage 13.

【0021】 このように構成することにより、ターゲット15を起点としたシャッタ20周 囲からステージ13上のワーク14までの経路(図中一点鎖線で表示)が上述の 第2実施例の場合よりも一層長く且つ複雑になるため、プレスパッタ時における シャッタ20周囲からのスパッタ粒子の廻り込みが確実に阻止される。 なお、図5に示すシャッタ構造においては、シャッタ20の外周縁から上下方 向に延出した状態でフランジ部20bが形成されているが、このフランジ部を上 方又は下方にのみ延出させて形成するだけでも上述の第2実施例に比較すれば顕 著な効果が得られる。With this configuration, the path from the circumference of the shutter 20 starting from the target 15 to the work 14 on the stage 13 (indicated by the one-dot chain line in the figure) is larger than that in the second embodiment. Since the length is longer and more complicated, it is possible to reliably prevent the spattered particles from wrapping around the shutter 20 during the pre-sputtering. In the shutter structure shown in FIG. 5, the flange portion 20b is formed so as to extend upward and downward from the outer peripheral edge of the shutter 20, but the flange portion 20b is extended only upward or downward. Even if only formed, a remarkable effect can be obtained as compared with the second embodiment described above.

【0022】 図6は本考案の第4実施例を示す側面概略図である。 本第4実施例のシャッタ構造においては、シャッタ30が二枚のシャッタ板3 1、32によって構成されており、各シャッタ板31、32にはそれぞれ開口部 31a、32aが形成されている。そして、一方のシャッタ板31の外周縁には 上方に延出した状態でフランジ部31bが形成されており、他方のシャッタ板3 2の外周縁には下方に延出した状態でフランジ部32bが形成されている。また 、このフランジ部32bの下端は、ワーク14が載置されるステージ13の上面 よりも下方に配置されている。FIG. 6 is a schematic side view showing a fourth embodiment of the present invention. In the shutter structure of the fourth embodiment, the shutter 30 is composed of two shutter plates 31 and 32, and openings 31a and 32a are formed in the shutter plates 31 and 32, respectively. A flange portion 31b is formed on an outer peripheral edge of one shutter plate 31 so as to extend upward, and a flange portion 32b is extended on an outer peripheral edge of the other shutter plate 32 so as to extend downward. Has been formed. Further, the lower end of the flange portion 32b is arranged below the upper surface of the stage 13 on which the work 14 is placed.

【0023】 さらに、各シャッタ板31、32は、スパッタ室12に垂設された支軸19に 回転自在に取り付けられている。 なお、各シャッタ板31、32はその両方が支軸19に回転自在に取り付けら れていてもよく、或いは、一方のシャッタ板31はその開口部31aをターゲッ ト15の真下に配置した状態で支軸19に固定され、他方のシャッタ板32だけ が支軸19に回転自在に取り付けられたものであってもよい。Further, each of the shutter plates 31 and 32 is rotatably attached to a support shaft 19 vertically provided in the sputtering chamber 12. Both of the shutter plates 31 and 32 may be rotatably attached to the support shaft 19, or one of the shutter plates 31 may have its opening 31a directly below the target 15. The shutter plate 32 may be fixed to the support shaft 19 and only the other shutter plate 32 may be rotatably attached to the support shaft 19.

【0024】 このように構成された第4実施例のシャッタ構造においては、各シャッタ板3 1、32を適宜回転させてそれぞれの開口部21a、32aの位置をターゲット 15の真下からずらして配置し、同時に各開口部31a、32aの位置も互いに ずらして配置することにより、シャッタ板31の開口部31aがシャッタ板32 によって塞がれると同時に、シャッタ板32の開口部32aがシャッタ板31に よって塞がれる。 また、各シャッタ板31、32の外周縁には上方、下方に延出した状態でそれ ぞれフランジ部31b、32bが形成されているため、ターゲット15を起点と したシャッタ30周囲からステージ13上のワーク14までの経路が従来よりも 長く且つ複雑となる。 これにより、プレスパッタ時におけるシャッタ30の開口部(31a、32a )からのスパッタ粒子の廻り込みと、シャッタ30の周囲からのスパッタ粒子の 廻り込みとが阻止され、プレスパッタによって不純物を含んだスパッタ粒子がワ ーク14に付着することが確実に防止される。In the shutter structure of the fourth embodiment having such a configuration, the shutter plates 31 and 32 are appropriately rotated so that the positions of the openings 21a and 32a are displaced from directly below the target 15. At the same time, the positions of the openings 31a and 32a are also shifted from each other, so that the opening 31a of the shutter plate 31 is closed by the shutter plate 32, and at the same time, the opening 32a of the shutter plate 32 is blocked by the shutter plate 31. Will be blocked. Further, since the flange portions 31b and 32b are formed on the outer peripheral edges of the shutter plates 31 and 32 so as to extend upward and downward, respectively, the shutter 15 from the target 15 as a starting point to the stage 13 on the stage 13. The path to the workpiece 14 is longer and more complicated than before. This prevents the spattered particles from wrapping around from the openings (31a, 32a) of the shutter 30 during pre-sputtering and the wrapping of sputtered particles from around the shutter 30, and the sputter containing impurities by the pre-sputtering. The particles are reliably prevented from adhering to the work 14.

【0025】 なお、上記第4実施例の構成においては、図6に示す態様のもの以外にも、例 えば、図7に示すようにシャッタ40を二枚のシャッタ板41、42(それぞれ に開口部41a、42aが形成されている)で構成し、そのうちの一方、すなわ ちシャッタ42にのみフランジ部42bを形成したものなど、種々の態様が考え られる。In the configuration of the fourth embodiment described above, in addition to the configuration shown in FIG. 6, for example, as shown in FIG. 7, a shutter 40 is provided with two shutter plates 41, 42 (opened in each of them). Various forms are conceivable, such as one in which parts 41a and 42a are formed), one of which, that is, the flange part 42b is formed only in the shutter 42.

【0026】[0026]

【考案の効果】[Effect of the device]

以上、説明したように本考案によれば、プレスパッタの際に不純物を含んだス パッタ粒子がシャッタの周囲及びシャッタの開口部から廻り込んでステージ上の ワークに付着することが確実に防止される。その結果、実際のスパッタ処理工程 では純粋なスパッタ粒子だけをワークに付着させてスパッタ膜を形成することが できるため、ワークとスパッタ膜との密着性が向上するとともに、スパッタ膜の 膜質が均一になって特性上の劣化が防止される。 As described above, according to the present invention, it is possible to reliably prevent the spatter particles containing impurities from being scattered around the shutter and from the opening of the shutter and adhering to the work on the stage during the pre-sputtering. It As a result, in the actual sputtering process, only the pure sputtered particles can be attached to the work to form the sputtered film, which improves the adhesion between the work and the sputtered film and makes the quality of the sputtered film uniform. Therefore, deterioration in characteristics is prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本考案の第1実施例を示す側面概略図である。FIG. 1 is a schematic side view showing a first embodiment of the present invention.

【図2】第1実施例の部分平面図である。FIG. 2 is a partial plan view of the first embodiment.

【図3】本考案の第2実施例を示す側面概略図である。FIG. 3 is a schematic side view showing a second embodiment of the present invention.

【図4】第2実施例の部分平面図である。FIG. 4 is a partial plan view of the second embodiment.

【図5】本考案の第3実施例を示す側面概略図である。FIG. 5 is a schematic side view showing a third embodiment of the present invention.

【図6】本考案の第4実施例を示す側面概略図である。FIG. 6 is a schematic side view showing a fourth embodiment of the present invention.

【図7】第4実施例の他の態様を示す側面概略図であ
る。
FIG. 7 is a schematic side view showing another aspect of the fourth embodiment.

【図8】従来装置を示す側面概略図である。FIG. 8 is a schematic side view showing a conventional device.

【図9】従来装置の部分平面図である。FIG. 9 is a partial plan view of a conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 スパッタ装置 13 ステージ 14 ワーク 15 ターゲット 16、20、30、40 シャッタ 17、18、31、32、41、42 シャッタ板 17a、18a、20a、31a、32a、41a、4
2a 開口部 19 支軸 20b、31b、32b、42b フランジ部
10 Sputtering device 13 Stage 14 Work 15 Target 16, 20, 30, 40 Shutter 17, 18, 31, 32, 41, 42 Shutter plate 17a, 18a, 20a, 31a, 32a, 41a, 4
2a Opening 19 Support shaft 20b, 31b, 32b, 42b Flange

Claims (5)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 上面にワークが載置されるステージと、
このステージ上に載置されるワークと対向する状態で設
置されたターゲットと、前記ステージと前記ターゲット
の間に位置して支軸に回転自在に取り付けられるととも
に、前記ターゲットと前記ステージ上に載置されるワー
クとの間でスパッタ粒子を流通させる開口部が形成され
たシャッタとを備えたスパッタ装置において、 前記シャッタは少なくとも2枚のシャッタ板で構成さ
れ、且つそれらのシャッタ板のうちの少なくとも一枚が
前記支軸に回転自在に取り付けられたことを特徴とする
スパッタ装置のシャッタ構造。
1. A stage on which a work is placed on an upper surface,
A target placed in a state of facing a work placed on this stage, and a target placed between the stage and the target and rotatably attached to a spindle, and placed on the target and the stage. A shutter having an opening for allowing sputtered particles to flow between the shutter and the work to be sputtered, the shutter being composed of at least two shutter plates, and at least one of the shutter plates. A shutter structure for a sputtering apparatus, wherein a sheet is rotatably attached to the support shaft.
【請求項2】 前記シャッタを構成するシャッタ板のう
ち、少なくとも一枚のシャッタ板の外周縁が前記ステー
ジの外周縁よりも外方に延出していることを特徴とする
請求項1記載のスパッタ装置のシャッタ構造。
2. The sputter according to claim 1, wherein at least one of the shutter plates constituting the shutter has an outer peripheral edge extending outwardly from an outer peripheral edge of the stage. Device shutter structure.
【請求項3】 上面にワークが載置されるステージと、
このステージ上に載置されるワークと対向する状態で設
置されたターゲットと、前記ステージと前記ターゲット
との間に位置して支軸に回転自在に取り付けられるとと
もに、前記ターゲットと前記ステージ上に載置されるワ
ークとの間でスパッタ粒子を流通させる開口部が形成さ
れたシャッタとを備えたスパッタ装置において、 前記シャッタの外周縁が前記ステージの外周縁よりも外
方に延出していることを特徴とするスパッタ装置のシャ
ッタ構造。
3. A stage on which a work is placed,
A target placed in a state of facing a work placed on the stage, rotatably attached to a spindle located between the stage and the target, and placed on the target and the stage. In a sputtering device including a shutter in which an opening for allowing sputtered particles to flow between the workpiece and the workpiece is placed, the outer peripheral edge of the shutter may extend outside the outer peripheral edge of the stage. The shutter structure of the characteristic sputtering device.
【請求項4】 前記シャッタの外周縁に、上方及び/又
は下方に延出してなるフランジ部を形成したことを特徴
とする請求項2又は請求項3記載のスパッタ装置のシャ
ッタ構造。
4. The shutter structure for a sputtering apparatus according to claim 2, wherein a flange portion extending upward and / or downward is formed on an outer peripheral edge of the shutter.
【請求項5】 前記シャッタの外周縁に形成したフラン
ジ部の下端が前記ステージの上面よりも下方に配置され
たことを特徴とする請求項4記載のスパッタ装置のシャ
ッタ構造。
5. The shutter structure for a sputtering apparatus according to claim 4, wherein a lower end of a flange portion formed on an outer peripheral edge of the shutter is arranged below an upper surface of the stage.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007270273A (en) * 2006-03-31 2007-10-18 Fujitsu Ltd Film forming apparatus
JP2010209463A (en) * 2009-02-16 2010-09-24 Canon Anelva Corp Sputtering apparatus, double rotary shutter unit, and sputtering method

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